JPH0815320A - Probe card and probe card ring for high temperature measurement - Google Patents
Probe card and probe card ring for high temperature measurementInfo
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- JPH0815320A JPH0815320A JP17170994A JP17170994A JPH0815320A JP H0815320 A JPH0815320 A JP H0815320A JP 17170994 A JP17170994 A JP 17170994A JP 17170994 A JP17170994 A JP 17170994A JP H0815320 A JPH0815320 A JP H0815320A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、測定対象物であるＬＳ
Ｉチップ等の電気的諸特性を測定するプローブカードに
用いられるプローブカード用リングと、これを用いたプ
ローブカードとに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an LS which is an object to be measured.
The present invention relates to a probe card ring used for a probe card for measuring various electrical characteristics of an I chip or the like, and a probe card using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】測定対象物であるＬＳＩチップの電気的
諸特性の測定には、加熱状態（８０℃〜１２０℃）で行
われるもの、すなわち高温測定がある。この高温測定
は、加熱用ヒーターが内蔵されたホットチャックにＬＳ
Ｉチップを搭載した状態で行われる。2. Description of the Related Art Various electrical characteristics of an LSI chip to be measured are measured in a heated state (80 ° C. to 120 ° C.), that is, high temperature measurement. This high-temperature measurement is performed by using a hot chuck with a built-in heater for heating.
It is performed with the I chip mounted.
【０００３】この高温測定に用いられるプローブカード
には、室温（２３℃〜２５℃）での測定に用いられるも
のが流用される。この室温用のプローブカードは、測定
対象物であるＬＳＩチップの形状、大きさ等に対応した
開口が開設された基板と、前記開口に取り付けられるリ
ングと、このリングに取り付けられて先端部がＬＳＩチ
ップのパッドに接触する接触部となった複数本のプロー
ブとを有している。A probe card used for measurement at room temperature (23 ° C. to 25 ° C.) is used as the probe card used for the high temperature measurement. The probe card for room temperature includes a substrate having an opening corresponding to the shape, size, and the like of an LSI chip to be measured, a ring attached to the opening, and a tip attached to the ring and having an LSI. And a plurality of probes serving as contact portions for contacting pads of the chip.
【０００４】リングは、通常アルミナ系のセラミックス
から構成されている。そして、エポキシ系樹脂によって
プローブの中腹部をリングに固定しているのである。The ring is usually made of alumina ceramics. The middle part of the probe is fixed to the ring with epoxy resin.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】高温測定では、ホット
チャックからの輻射熱によってリングが熱膨張する。こ
のリングの熱膨張により、プローブの位置、特に先端の
接触部の位置が変位し、ＬＳＩチップのパッドに正確に
接触しなくなる。すなわち、高温測定に用いられるプロ
ーブカードは、室温状態において各部の位置合わせを行
っているので、高温状態では、膨張係数の異なる各構成
部品の膨張によりプローブの接触部の位置ずれが発生す
るのである。この接触部の位置ずれは、正確な測定の阻
害要因となっている。場合によっては、接触部がパッド
にまったく接触しなくなることもある。In high temperature measurement, the ring expands thermally due to radiant heat from the hot chuck. Due to the thermal expansion of the ring, the position of the probe, particularly the position of the contact portion at the tip, is displaced, and the probe does not accurately contact the pads of the LSI chip. That is, in the probe card used for high-temperature measurement, the positions of the respective parts are aligned at room temperature. Therefore, in the high-temperature state, the displacement of the contact part of the probe occurs due to the expansion of the components having different expansion coefficients. . This displacement of the contact portion is a hindrance to accurate measurement. In some cases, the contact portion may not contact the pad at all.
【０００６】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、高温測定を行ってもプローブの接触部と、ＬＳＩチ
ップのパッドとの相対的位置関係がそれほど変化しない
プローブカード用リングと、このプローブカード用リン
グを用いたプローブカードとを提供することを目的とし
ている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a probe card ring in which the relative positional relationship between a contact portion of a probe and a pad of an LSI chip does not change so much even when high temperature measurement is performed. It is an object to provide a probe card using a probe card ring.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る高温測定用
プローブカードリングは、プローブを保持すべく基板に
取り付けられる高温測定用プローブカードリングであっ
て、炭素で形成されており、その表面のうち少なくとも
プローブが接触する面に絶縁性コーティングが施されて
いる。SUMMARY OF THE INVENTION A probe card ring for high temperature measurement according to the present invention is a probe card ring for high temperature measurement attached to a substrate to hold a probe, and is formed of carbon, and has a surface formed of carbon. Of these, at least the surface that contacts the probe is coated with an insulating coating.
【０００８】また、前記絶縁性コーティングは、ＳｉＯ
2 の薄膜又はＳｉＮ2 の薄膜である。The insulating coating is made of SiO.
2 thin film or SiN 2 thin film.
【０００９】[0009]
【実施例】図１は本発明に係る高温測定用プローブカー
ドリングを用いたプローブカードの概略的断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view of a probe card using a probe card ring for high temperature measurement according to the present invention.
【００１０】本実施例に係る高温測定用プローブカード
リング１００は、炭素で形成されており、その表面のう
ち少なくともプローブ３００が接触する面に絶縁性コー
ティング４００が施されている。The probe card ring 100 for high-temperature measurement according to the present embodiment is formed of carbon, and has an insulating coating 400 on at least the surface of the surface that contacts the probe 300.
【００１１】この高温測定用プローブカードリング１０
０は、略長方形状に形成されている。This high temperature measurement probe card ring 10
0 is formed in a substantially rectangular shape.
【００１２】また、この高温測定用プローブカードリン
グ１００の裏面側縁部は、テーパ面１２０として中央側
に向かって下り傾斜に形成されている。このテーパ面１
２０こそが、プローブ３００の中腹部が保持される部分
である。Further, the edge portion on the back surface side of the probe card ring 100 for high temperature measurement is formed as a tapered surface 120 so as to be inclined downward toward the center side. This taper surface 1
20 is the part where the middle part of the probe 300 is held.
【００１３】かかる高温測定用プローブカードリング１
００は、上述の通り、炭素から構成されている。炭素の
２０℃〜１２０℃における線熱膨張係数は、約４．２〜
４．９×１０-6であり、ＳｉＣは約４．９×１０-6であ
る。これに対してＬＳＩチップ８００を構成するシリコ
ンの線熱膨張係数は約４．０×１０-6である。一方、ア
ルミナの線熱膨張係数は約７〜８×１０-6である。すな
わち、アルミナより炭素の方がシリコンに近い線熱膨張
係数を有しているのである。The probe card ring 1 for high temperature measurement
00 is composed of carbon as described above. The linear thermal expansion coefficient of carbon at 20 ° C to 120 ° C is about 4.2.
4.9 × 10 −6 and SiC is about 4.9 × 10 −6 . On the other hand, the linear thermal expansion coefficient of silicon that constitutes the LSI chip 800 is about 4.0 × 10 −6 . On the other hand, the linear thermal expansion coefficient of alumina is about 7-8 × 10 -6 . That is, carbon has a coefficient of linear thermal expansion closer to that of silicon than that of alumina.
【００１４】かかる事実は以下の効果をもたらす。すな
わち、ＬＳＩチップ８００の高温測定の際に、高温測定
用プローブカードリング１００が熱膨張するとともに、
ＬＳＩチップ８００自身も熱膨張するが、両者の線熱膨
張係数が極めて近似した値であるため、相対的に膨張係
数が小さくなったのと同様の効果をもたらすのである。
このため、アルミナで成形された従来のプローブカード
用リングを用いるより、プローブ３００の接触部３１０
の位置の変位を少なくすることが可能になる。This fact has the following effects. That is, at the time of measuring the high temperature of the LSI chip 800, the probe card ring 100 for high temperature measurement thermally expands,
Although the LSI chip 800 itself also undergoes thermal expansion, the linear thermal expansion coefficients of the two are very close to each other, so that an effect similar to that of a relatively small expansion coefficient can be obtained.
For this reason, the contact portion 310 of the probe 300 can be used rather than using a conventional probe card ring formed of alumina.
Can be reduced.
【００１５】ここで、問題になるのは炭素の導電性であ
る。高温測定用プローブカードリング１００を炭素のみ
で形成すると、高温測定用プローブカードリング１００
により各プローブ３００が導通してしまい、ＬＳＩチッ
プ８００の電気的諸特性の測定が不可能になる。The problem here is the conductivity of carbon. When the high-temperature measurement probe card ring 100 is formed only of carbon, the high-temperature measurement probe card ring 100 is formed.
Accordingly, each probe 300 becomes conductive, and it becomes impossible to measure various electrical characteristics of the LSI chip 800.
【００１６】かかる問題を解消するのが、高温測定用プ
ローブカードリング１００の表面に形成された絶縁性コ
ーティング４００である。この絶縁性コーティング４０
０は、高温測定用プローブカードリング１００とプロー
ブ３００との間の短絡を防止すればよいのであるが、硬
く、曲げに強く、熱伝導率が良く、付着力が強いという
要求される特性や加工性やコスト的な点を考慮すれば、
例えばＳｉＯ2 の薄膜やＳｉＮ2 の薄膜等が適してい
る。What solves such a problem is the insulating coating 400 formed on the surface of the probe card ring 100 for high temperature measurement. This insulating coating 40
A value of 0 should prevent short circuit between the probe card ring 100 for high temperature measurement and the probe 300, but it is required to be hard, resistant to bending, good in thermal conductivity, and strong in adhesion and processing. Considering the nature and cost,
For example, a thin film of SiO 2 or a thin film of SiN 2 is suitable.
【００１７】この絶縁性コーティング４００は、少なく
とも高温測定用プローブカードリング１００のテーパ面
１２０（プローブ３００が接触する面）に施されていれ
ばよいが、絶縁性コーティング４００を形成する際の作
業性等を考慮すれば高温測定用プローブカードリング１
００の全面に施す方がよい。また、絶縁性コーティング
４００をテーパ面１２０にのみ施しておき、他の部分は
炭素を剥き出しにしておくことによって、基板２００に
形成されたアース用配線に高温測定用プローブカードリ
ング１００を接続することも可能である。このように、
高温測定用プローブカードリング１００をアースに接続
しておくと、ノイズの低減が図れるので、より高精度の
測定が可能となる。The insulating coating 400 only needs to be applied to at least the tapered surface 120 (the surface with which the probe 300 contacts) of the probe card ring 100 for high-temperature measurement. Considering the above, the probe card ring for high temperature measurement 1
It is better to apply to the entire surface of 00. In addition, by applying the insulating coating 400 only to the tapered surface 120 and exposing the other part of carbon, the probe card ring 100 for high-temperature measurement can be connected to the ground wire formed on the substrate 200. Is also possible. in this way,
If the probe card ring 100 for high temperature measurement is connected to the ground, noise can be reduced, so that more accurate measurement can be performed.
【００１８】この絶縁性コーティング４００は、プロー
ブ３００を介してＬＳＩチップ８００に与える信号が４
０ＭＨｚ以下である場合、ＳｉＯ2 であれば約１〜１０
μm程度、ＳｉＮ2 であれば約〜１μm 程度の厚さでも
使用可能である。しかし、この絶縁性コーティング４０
０は厚ければ厚いほどよい。This insulative coating 400 has a signal of 4
If 0MHz or less, about 1 to 10 if the SiO 2
μm approximately, it can also be used in a thickness of about ~1μm if SiN 2. However, this insulating coating 40
0 is better as thicker as possible.
【００１９】一方、基板２００は、例えばＦＲ４又はポ
リイミド樹脂からなり全体として丸形又は長方形状に形
成されている。かかる基板２００の中央部には、リング
１００に対応した形状の開口２１０が開設されている。On the other hand, the substrate 200 is made of, for example, FR4 or polyimide resin and is formed in a round or rectangular shape as a whole. An opening 210 having a shape corresponding to the ring 100 is opened at the center of the substrate 200.
【００２０】プローブ３００は、タングステン等からな
り、先端がＬＳＩチップ８００のパッド (図示省略) に
接触する接触部３１０として折曲形成されている。The probe 300 is made of tungsten or the like, and is bent at its tip as a contact portion 310 that contacts a pad (not shown) of the LSI chip 800.
【００２１】かかるプローブ３００は、中腹部をエポキ
シ系樹脂５００でプローブカード用リング１００のテー
パ面１２０に取り付けられる。ここで、プローブ３００
が高温測定用プローブカードリング１００に直接接触し
たとしてもプローブカード用リング１００には絶縁性コ
ーティング４００が施されているので、各プローブ３０
０が短絡することはない。The probe 300 has its middle portion attached to the tapered surface 120 of the probe card ring 100 with an epoxy resin 500. Here, the probe 300
Is in direct contact with the high-temperature measurement probe card ring 100, the probe card ring 100 is still coated with the insulating coating 400.
0 is never short circuited.
【００２２】ここで、図１にように、プローブ３００を
複数段に積層して高温測定用プローブカードリング１０
０に取り付けると、より数多くのプローブ３００を保持
することができるので、最近の高密度化したＬＳＩチッ
プ８００には好適である。Here, as shown in FIG. 1, probes 300 are stacked in a plurality of stages and a probe card ring 10 for high-temperature measurement is provided.
When attached to 0, more probes 300 can be held, which is suitable for the recent high-density LSI chip 800.
【００２３】このように構成されたプローブカードは、
ホルダー６００に取り付けられる。このホルダー６００
は、プローブカードの縁部を固定するものである。The probe card thus configured is
It is attached to the holder 600. This holder 600
Is for fixing the edge of the probe card.
【００２４】高温測定用プローブカードリング１００
は、基板２００の裏面側、かつ開口２１０の周囲に取り
付けられる。そして、複数本のプローブ３００がプロー
ブカード用リング１００に保持される。このプローブ３
００の高温測定用プローブカードリング１００への取り
付けは、エポキシ系樹脂５００等の接着剤で行われる。
また、プローブ３００は、その後端部３２０が前記ラン
ド部２３１に半田付けされる。High temperature measurement probe card ring 100
Is mounted on the back side of the substrate 200 and around the opening 210. Then, the plurality of probes 300 are held by the probe card ring 100. This probe 3
00 is attached to the high temperature measurement probe card ring 100 with an adhesive such as an epoxy resin 500.
The rear end 320 of the probe 300 is soldered to the land 231.
【００２５】このように構成されたプローブカードによ
ってＬＳＩチップ８００の高温測定を行う。すると、ホ
ットチャック８１０に内蔵された加熱用ヒーター８１１
からの熱によって高温測定用プローブカードリング１０
０が加熱され、膨張する。しかしながら、高温測定用プ
ローブカードリング１００は、炭素で形成されているの
で、その膨張はＬＳＩチップ８００と略等しくなる。こ
のため、プローブ３００の接触部３１０とＬＳＩチップ
８００のパッドとの相対的な位置関係は、加熱前と略等
しくなるので、プローブ３００の接触部３１０は正確に
ＬＳＩチップ８００のパッドに接触し、正確な測定が可
能となる。The high temperature of the LSI chip 800 is measured by the probe card configured as described above. Then, the heating heater 811 built in the hot chuck 810.
Probe card ring 10 for high temperature measurement by heat from
0 is heated and expands. However, since the probe card ring 100 for high-temperature measurement is formed of carbon, its expansion is substantially equal to that of the LSI chip 800. For this reason, the relative positional relationship between the contact portion 310 of the probe 300 and the pad of the LSI chip 800 becomes substantially equal to that before heating, so that the contact portion 310 of the probe 300 accurately contacts the pad of the LSI chip 800, Accurate measurement becomes possible.
【００２６】なお、上述した実施例においては、高温測
定用プローブカードリング１００は長方形状であるとし
たが、本発明がこれに限定されるわけではない。これ
は、測定すべき測定対象物の形状、サイズ等によって決
定されるべきものであり、例えば円形状、正方形状等の
高温測定用プローブカードリング１００がある。この場
合には、基板２００に開設される開口２１０は高温測定
用プローブカードリング１００の形状に対応させること
は勿論である。It should be noted that, in the above-mentioned embodiment, the probe card ring 100 for high temperature measurement has a rectangular shape, but the present invention is not limited to this. This should be determined by the shape, size, etc. of the measuring object to be measured, and for example, there are high temperature measurement probe card rings 100 having a circular shape, a square shape, or the like. In this case, of course, the opening 210 formed in the substrate 200 corresponds to the shape of the probe card ring 100 for high temperature measurement.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明に係る高温測定用プローブカード
リングは、プローブを保持すべく基板に取り付けられる
プローブカード用リングであって、炭素で形成されてお
り、その表面のうち少なくともプローブが接触する面に
絶縁性コーティングが施されている。上述したように測
定対象物であるＬＳＩチップに用いられるシリコンの線
熱膨張係数は４．０×１０-6であり、炭素の線熱膨張係
数は約４．２〜４．９×１０-6であるため、高温測定に
おいて高温測定用プローブカードリングが加熱されて
も、その熱膨張はＬＳＩチップの熱膨張と略等しくな
る。そのため、プローブの先端部である接触部と、ＬＳ
Ｉチップのパッドとの相対的位置関係がそれほど変化し
ないので、高温測定に際しても正確な電気的諸特性の測
定が可能となる。The probe card ring for high temperature measurement according to the present invention is a ring for a probe card attached to a substrate to hold a probe, and is formed of carbon, and at least the probe of the surface thereof comes into contact with the probe card ring. The surface has an insulating coating. As described above, the linear thermal expansion coefficient of silicon used for the LSI chip that is the measurement target is 4.0 × 10 −6 , and the linear thermal expansion coefficient of carbon is approximately 4.2 to 4.9 × 10 −6. Therefore, even if the high temperature measurement probe card ring is heated in the high temperature measurement, its thermal expansion becomes substantially equal to that of the LSI chip. Therefore, the contact portion, which is the tip of the probe, and the LS
Since the relative positional relationship with the pads of the I chip does not change so much, it is possible to accurately measure various electrical characteristics even at the time of high temperature measurement.
【００２８】特に、前記絶縁性コーティングをＳｉＯ2
の薄膜又はＳｉＮ2 の薄膜で形成すると、硬く、曲げに
強く、熱伝導率が良く、付着力が強いという要求される
特性や加工性やコスト的な面から有利である。In particular, the insulating coating is made of SiO 2
When formed from a thin film of SiN 2 or a thin film of SiN 2 , it is advantageous in terms of required properties such as hardness, bending resistance, good thermal conductivity and strong adhesion, workability and cost.
【００２９】また、上述したような高温測定用プローブ
カードリングを用いたプローブカードであると、室温で
各部の位置合わせを行って製造したものであっても、最
も大切なプローブの接触部の位置のずれがきわめて少な
いので高温測定に際しても正確な電気的諸特性の測定が
可能となる。Further, in the case of the probe card using the probe card ring for high temperature measurement as described above, even if the probe card is manufactured by aligning each part at room temperature, the position of the most important contact part of the probe is Since there is very little deviation between the two, accurate electrical characteristics can be measured even at high temperatures.
【図１】本発明に係る高温測定用プローブカードリング
を用いたプローブカードの概略的断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a probe card using a probe card ring for high temperature measurement according to the present invention.
１００ 高温測定用プローブカードリング ２００ 基板 ３００ プローブ ４００ 絶縁性コーティング 100 Probe card ring for high temperature measurement 200 Substrate 300 Probe 400 Insulating coating
Claims (3)
れるプローブカード用リングにおいて、炭素で形成され
ており、その表面のうち少なくともプローブが接触する
面に絶縁性コーティングが施されていることを特徴とす
る高温測定用プローブカードリング。1. A probe card ring attached to a substrate for holding a probe, the probe card ring being made of carbon, and having an insulating coating applied to at least a surface of the ring that contacts the probe. High temperature probe card ring.
薄膜又はＳｉＮ2 の薄膜であることを特徴とする請求項
１に記載の高温測定用プローブカードリング。 2. The probe card ring according to claim 1, wherein the insulating coating is a thin film of SiO 2 or a thin film of SiN 2 .
用リングを用いたことを特徴とするプローブカード。3. A probe card using the ring for probe card according to claim 1 or 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17170994A JP2601413B2 (en) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | High temperature measurement probe card ring and probe card using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17170994A JP2601413B2 (en) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | High temperature measurement probe card ring and probe card using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815320A true JPH0815320A (en) | 1996-01-19 |
| JP2601413B2 JP2601413B2 (en) | 1997-04-16 |
Family
ID=15928229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17170994A Expired - Fee Related JP2601413B2 (en) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | High temperature measurement probe card ring and probe card using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601413B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353788B1 (en) * | 2000-06-08 | 2002-09-27 | 주식회사 유림하이테크산업 | Probe card |
| KR20210056908A (en) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | Electrical connection device |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP17170994A patent/JP2601413B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353788B1 (en) * | 2000-06-08 | 2002-09-27 | 주식회사 유림하이테크산업 | Probe card |
| KR20210056908A (en) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | Electrical connection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2601413B2 (en) | 1997-04-16 |
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