JPH0814250A - Bearing device - Google Patents
Bearing deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、空気動圧型等
の軸受装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bearing device such as an air dynamic pressure type bearing device.
【０００２】[0002]
【従来技術】近年、セラミック製スラスト軸受装置は、
セラミックの密度が小さいことから、軽量、低慣性能等
の理由により高速回転に適した軸受装置として期待され
ている。特に近年では、小型化が進行しているビデオテ
ープレコーダ（ＶＴＲ）、フロッピーディスクドライブ
（ＦＤＤ）、レーザビームプリンタ（ＬＢＰ）のＯＡ機
器において軽薄短小の軸受装置が必要となっている。こ
のような軸受装置としては、スパイラル溝を持ったスラ
スト軸受装置があり、コンパクトな構成で安定した高速
回転を可能とすることができる。2. Description of the Related Art In recent years, ceramic thrust bearing devices have been
Since the density of ceramics is low, it is expected as a bearing device suitable for high speed rotation because of its light weight and low inertia performance. Particularly in recent years, light, thin, short, and small bearing devices are required in OA devices such as video tape recorders (VTRs), floppy disk drives (FDDs), and laser beam printers (LBPs), which are becoming smaller. As such a bearing device, there is a thrust bearing device having a spiral groove, which enables stable high-speed rotation with a compact structure.
【０００３】スラスト軸受装置としては、例えば、特開
平３−２８５１６号公報に開示される空気動圧型スラス
ト軸受装置が知られている。この公報に開示される空気
動圧型スラスト軸受装置は過大な起動トルクを解消する
ために、スラスト軸受及び／又はスラストカラーを多孔
質な構造としている。As a thrust bearing device, for example, an air dynamic pressure type thrust bearing device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-28516 is known. In the air dynamic pressure type thrust bearing device disclosed in this publication, the thrust bearing and / or the thrust collar have a porous structure in order to eliminate an excessive starting torque.
【０００４】また、例えば、特公昭６４−２８１５号公
報には、セラミックス製転動面に金属膜を形成した軸受
装置が開示されており、転動面に金属膜を形成すること
によって転動応力に対する耐久性を向上している。Further, for example, Japanese Patent Publication No. 64-2815 discloses a bearing device in which a metal film is formed on a ceramic rolling surface, and rolling stress is formed by forming the metal film on the rolling surface. It has improved durability against.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
従来技術は応力的な問題について解決されたものにすぎ
ず、電気的絶縁性の高いセラミックスを用いて軸受を構
成すると、高速回転時に静電気が発生して帯電し、軸受
に発生するスパークによりＯＡ機器にノイズが発生し、
ＯＡ機器に悪影響を与えるという問題があった。However, the above-mentioned prior art is merely a solution to the stress-related problem. When the bearing is made of ceramics having high electrical insulation, static electricity is generated during high-speed rotation. And then charged, and the sparks on the bearings generate noise in OA equipment,
There is a problem that it adversely affects OA equipment.
【０００６】本発明は、スパークの発生を防止すること
ができる軸受装置を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a bearing device capable of preventing the occurrence of sparks.
【０００７】[0007]
【問題点を解決するための手段】本発明者は、上記のよ
うな問題点について鋭意検討した結果、スラスト軸受及
び／又はスラストカラーの表面に、所定厚さ所定の表面
抵抗を有する酸化物半導体薄膜または金属超薄膜を形成
することにより、高速回転時におけるスパークの発生を
防止できることを知見し、本発明に至った。As a result of earnest studies on the above problems, the present inventor has found that the surface of the thrust bearing and / or the thrust collar has an oxide semiconductor having a predetermined thickness and a predetermined surface resistance. The present inventors have found that the formation of a thin film or a metal ultra-thin film can prevent the occurrence of sparks during high-speed rotation, and have reached the present invention.
【０００８】即ち、本発明の軸受装置は、セラミック製
のスラスト軸受とセラミック製のスラストカラーとを備
えてなる軸受装置において、前記スラスト軸受のスラス
トカラー側の面及び／又は前記スラストカラーのスラス
ト軸受側の面に、厚さが１０〜５００ｎｍで表面抵抗が
１０6 Ω以下の酸化物半導体薄膜を形成してなるもので
ある。That is, the bearing device of the present invention is a bearing device comprising a ceramic thrust bearing and a ceramic thrust collar, wherein the thrust collar side surface of the thrust bearing and / or the thrust collar thrust bearing. On the side surface, an oxide semiconductor thin film having a thickness of 10 to 500 nm and a surface resistance of 10 6 Ω or less is formed.
【０００９】また、本発明の軸受装置は、セラミック製
のスラスト軸受とセラミック製のスラストカラーとを備
えてなる軸受装置において、前記スラスト軸受のスラス
トカラー側の面及び／又は前記スラストカラーのスラス
ト軸受側の面に、厚さが１〜５０ｎｍで表面抵抗が１０
6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなるものである。Further, the bearing device of the present invention is a bearing device comprising a ceramic thrust bearing and a ceramic thrust collar, wherein a surface of the thrust bearing on the thrust collar side and / or a thrust bearing of the thrust collar. The surface on the side has a thickness of 1 to 50 nm and a surface resistance of 10
It is formed by forming an ultrathin metal film of 6 Ω or less.
【００１０】本発明に用いられるセラミック製のスラス
ト軸受及びスラストカラーは、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 を主体とする焼結体等から
形成されるが、これに限定されるものではなく、スラス
ト軸受及びスラストカラーに従来から用いられるその他
の公知のセラミック材料でも良い。Ceramic thrust bearings and thrust collars used in the present invention include, for example, Al 2 O 3 and S.
It is formed from a sintered body mainly containing i 3 N 4 , SiC, and ZrO 2 , but the present invention is not limited to this, and other known ceramic materials conventionally used for thrust bearings and thrust collars may be used. .
【００１１】また、スラスト軸受及びスラストカラーの
表面に形成される酸化物半導体薄膜は、例えば、ＳｎＯ
2 、ＮｉＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏ、ＭｎＯ2 、Ｚｎ
Ｏ、Ｖ2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ2 、
ＣｏＯ、ＣｄＯなどが用いられ、例えば、イオンビーム
スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イ
オンビームアシストデポジション法等により形成され
る。The oxide semiconductor thin film formed on the surfaces of the thrust bearing and the thrust collar is, for example, SnO.
2 , NiO, Cr 2 O 3 , Cu 2 O, MnO 2 , Zn
O, V 2 O 5 , Fe 2 O 3 , TiO 2 , BaTiO 2 ,
CoO, CdO, or the like is used, and is formed by, for example, an ion beam sputtering method, a magnetron sputtering method, an ion beam assisted deposition method, or the like.
【００１２】また、酸化物半導体薄膜の厚みを１０〜５
００ｎｍとしたのは、酸化物半導体薄膜が１０ｎｍより
小さいと導電膜としての効果が得られず、帯電除去効果
が小さいからである。また、酸化物半導体薄膜の厚みが
５００ｎｍより大きいと、表面硬度が低下して耐摩耗性
が悪化するからである。酸化物半導体薄膜は耐摩耗性と
いう点から１０〜３００ｎｍが好ましく、特に１０〜２
００ｎｍであることが望ましい。Further, the oxide semiconductor thin film has a thickness of 10 to 5
The reason for setting it to 00 nm is that if the oxide semiconductor thin film is smaller than 10 nm, the effect as a conductive film cannot be obtained, and the effect of removing charge is small. Further, when the thickness of the oxide semiconductor thin film is larger than 500 nm, the surface hardness is lowered and the wear resistance is deteriorated. From the viewpoint of wear resistance, the oxide semiconductor thin film preferably has a thickness of 10 to 300 nm, particularly 10 to 2 nm.
It is preferably 00 nm.
【００１３】また、本発明の軸受装置は、スラスト軸受
のスラストカラー側の面及び／又はスラストカラーのス
ラスト軸受側の面に、厚さが１〜５０ｎｍで表面抵抗が
１０6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなるものである
が、厚さが１〜５０ｎｍの金属超薄膜を形成したのは、
金属超薄膜が１ｎｍより小さいと導電膜としての効果が
得られず、帯電除去効果が小さいからである。また、金
属超薄膜の厚みが５０ｎｍより大きいと表面硬度が低下
して耐摩耗性が悪化するからである。金属超薄膜は耐摩
耗性という点から１〜３０ｎｍが好ましく、特に１〜２
０ｎｍであることが望ましい。In the bearing device of the present invention, the surface of the thrust bearing on the thrust collar side and / or the surface of the thrust collar on the thrust bearing side has a thickness of 1 to 50 nm and a surface resistance of 10 6 Ω or less. Although it is formed by forming a thin film, the metal ultra-thin film having a thickness of 1 to 50 nm is formed by
This is because if the ultrathin metal film has a thickness of less than 1 nm, the effect as a conductive film cannot be obtained, and the charge removing effect is small. In addition, if the thickness of the ultrathin metal film is greater than 50 nm, the surface hardness is reduced and the wear resistance is deteriorated. The ultra-thin metal film is preferably 1 to 30 nm from the viewpoint of wear resistance, and particularly 1 to 2 nm.
It is preferably 0 nm.
【００１４】金属超薄膜は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃ、Ｃｒ、Ｃｏ、
Ｔｉから構成され、例えば、イオンビームスパッタリン
グ法、イオンミキシング法等により形成される。The ultra-thin metal film is made of, for example, Ni, Cu, P.
d, Ag, Pt, Au, Al, Si, C, Cr, Co,
It is made of Ti and is formed by, for example, an ion beam sputtering method, an ion mixing method, or the like.
【００１５】さらに、酸化物半導体薄膜および金属超薄
膜の表面抵抗を１０6 Ω以下としたのは、表面抵抗が１
０6 Ωよりも高い場合には、導電膜としての効果が得ら
れず、帯電除去効果が小さいからである。これらの薄膜
の表面抵抗は、帯電除去を有効に行うためには１０5 Ω
以下であることが望ましい。Further, the surface resistance of the oxide semiconductor thin film and the ultra-thin metal film is set to 10 6 Ω or less because the surface resistance is 1 or less.
This is because when it is higher than 0 6 Ω, the effect as a conductive film cannot be obtained, and the effect of removing charge is small. The surface resistance of these thin films is 10 5 Ω for effective charge removal.
The following is desirable.
【００１６】[0016]
【作用】本発明の軸受装置では、高速回転によりスラス
ト軸受およびスラストカラーに発生した静電気は、スラ
スト軸受のスラストカラー側の面及び／又はスラストカ
ラーのスラスト軸受側の面の酸化物半導体薄膜および金
属超薄膜を介して除電される。これにより、軸受装置を
ＯＡ機器に搭載した場合、静電気によるＯＡ機器への悪
影響を防止することができる。In the bearing device of the present invention, static electricity generated in the thrust bearing and the thrust collar by high-speed rotation is generated by the oxide semiconductor thin film and the metal on the surface of the thrust bearing on the thrust collar side and / or on the surface of the thrust collar on the thrust bearing side. The charge is removed via the ultra-thin film. As a result, when the bearing device is mounted on the OA equipment, it is possible to prevent the OA equipment from being adversely affected by static electricity.
【００１７】[0017]
実施例１ 図１は、本発明の軸受装置の一実施例を示すもので、符
号１は、回転軸を示している。この回転軸１にはセラミ
ック製のスラストカラー２が一体形成されており、この
スラストカラー２の下方には、セラミック製のスラスト
軸受３が配置されている。スラストカラー２およびスラ
スト軸受３は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ
Ｃ、ＺｒＯ2 等の焼結体から形成されている。Embodiment 1 FIG. 1 shows an embodiment of the bearing device of the present invention, and reference numeral 1 indicates a rotating shaft. A ceramic thrust collar 2 is integrally formed on the rotary shaft 1, and a ceramic thrust bearing 3 is disposed below the thrust collar 2. The thrust collar 2 and the thrust bearing 3 are made of, for example, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , Si.
It is formed from a sintered body such as C or ZrO 2 .
【００１８】また、スラスト軸受３のスラストカラー２
側の面（スラスト軸受３の上面）には、図２に示すよう
に、スパイラル溝４が形成されている。Further, the thrust collar 2 of the thrust bearing 3
A spiral groove 4 is formed on the side surface (the upper surface of the thrust bearing 3) as shown in FIG.
【００１９】そして、スラストカラー２のスラスト軸受
３側の面及びスラスト軸受３のスラストカラー２側の面
には、図３に示すように厚さが１０〜５００ｎｍで表面
抵抗が１０6 Ω以下の酸化物半導体薄膜５が形成されて
いる。この酸化物半導体薄膜５は、例えば、ＳｎＯ2 、
ＮｉＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏ、ＭｎＯ2 、ＺｎＯ、Ｖ
2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、Ｃｏ
Ｏ、ＣｄＯなどから構成されており、例えば、イオンビ
ームスパッタリング法により形成されている。As shown in FIG. 3, the surface of the thrust collar 2 on the thrust bearing 3 side and the surface of the thrust bearing 3 on the thrust collar 2 side have a thickness of 10 to 500 nm and a surface resistance of 10 6 Ω or less. The oxide semiconductor thin film 5 is formed. The oxide semiconductor thin film 5 is made of, for example, SnO 2 ,
NiO, Cr 2 O 3 , Cu 2 O, MnO 2 , ZnO, V
2 O 5 , Fe 2 O 3 , TiO 2 , BaTiO 3 , Co
It is made of O, CdO, or the like, and is formed by, for example, an ion beam sputtering method.
【００２０】また、スラストカラー２およびスラスト軸
受３の側面には、帯電した静電気をアースするための酸
化物半導体薄膜６が形成されている。On the side surfaces of the thrust collar 2 and the thrust bearing 3, an oxide semiconductor thin film 6 for grounding charged static electricity is formed.
【００２１】以上のように形成された軸受装置では、高
速回転により、スラスト軸受３に設けたスパイラル溝４
に外周から空気が巻き込まれ、空気ベアリングが形成さ
れる。In the bearing device formed as described above, the spiral groove 4 provided in the thrust bearing 3 is rotated by high speed rotation.
Air is drawn from the outer periphery into the air bearing.
【００２２】そして、高速回転によりスラスト軸受３お
よびスラストカラー２に発生した静電気は、スラスト軸
受３のスラストカラー２側の面及びスラストカラー２の
スラスト軸受３側の面の酸化物半導体薄膜５、スラスト
軸受３、スラストカラー２の側面に形成された酸化物半
導体薄膜６を介して除電され、軸受装置におけるスパー
クを防止することができ、ＯＡ機器におけるノイズの発
生を防止することができる。The static electricity generated in the thrust bearing 3 and the thrust collar 2 by the high speed rotation is the oxide semiconductor thin film 5 on the surface of the thrust bearing 3 on the thrust collar 2 side and the surface of the thrust collar 2 on the thrust bearing 3 side, the thrust. The static electricity is removed through the oxide semiconductor thin film 6 formed on the side surfaces of the bearing 3 and the thrust collar 2, sparks in the bearing device can be prevented, and noise in the OA equipment can be prevented.
【００２３】本発明者は、本発明の効果を確認すべく、
スラスト軸受およびスラストカラーを表１に示すような
セラミックスにより形成するとともに、このスラスト軸
受およびスラストカラーに、表１に示すような材料、厚
さ、表面抵抗を有する酸化物半導体薄膜を形成し、この
ような軸受装置をＶＴＲの磁気ヘッドドラムに組み込ん
だ時に発生した１分間のノイズをカウントした。また、
表面硬度をマイクロビッカース硬度計により測定した。
結果を表１に示す。In order to confirm the effect of the present invention, the inventor has
The thrust bearing and the thrust collar are made of ceramics as shown in Table 1, and an oxide semiconductor thin film having a material, thickness and surface resistance as shown in Table 1 is formed on the thrust bearing and the thrust collar. The noise for one minute generated when such a bearing device was incorporated into the magnetic head drum of the VTR was counted. Also,
The surface hardness was measured by a micro Vickers hardness meter.
The results are shown in Table 1.
【００２４】[0024]
【表１】 [Table 1]
【００２５】表１より明らかなように、酸化物半導体薄
膜の厚さが１０ｎｍよりも薄い場合には導電膜の効果が
得られないため、表面抵抗が高く、１分間のノイズ発生
件数が１００件と多い。また、厚さが５００ｎｍよりも
暑い場合、表面硬度が低下し、耐摩耗性が悪く、実用性
に乏しいことが判る。As is clear from Table 1, when the thickness of the oxide semiconductor thin film is less than 10 nm, the effect of the conductive film cannot be obtained, so that the surface resistance is high and the number of noise occurrences per minute is 100. And many. Further, it can be seen that when the thickness is more than 500 nm, the surface hardness decreases, the wear resistance is poor, and the practicality is poor.
【００２６】実施例２ 厚さが１０〜５００ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の酸
化物半導体薄膜の代わりに、厚さが１〜５０ｎｍで表面
抵抗が１０6 Ω以下の金属超薄膜を用いた以外は、上記
実施例１と同様に軸受装置を形成した。このような軸受
装置でも、上記実施例１と同様の効果を得ることができ
る。[0026] Example 2 thick instead the surface resistance is less than the oxide semiconductor thin film 10 6 Omega in 10 to 500 nm, thickness using a surface resistance of 10 6 Omega following ultrafine metal thin film 1~50nm A bearing device was formed in the same manner as in Example 1 except for the above. Even with such a bearing device, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
【００２７】そこで、本発明者はスラスト軸受およびス
ラストカラーを表２に示すようなセラミックスにより形
成するとともに、表２に示すような材料、厚さ、表面抵
抗を有する金属超薄膜を形成し、このような軸受装置を
ＶＴＲの磁気ヘッドドラムに組み込んだ時に発生した１
分間のノイズをカウントした。結果を表２に示す。Therefore, the present inventor formed the thrust bearing and the thrust collar from the ceramics shown in Table 2, and formed the ultrathin metal film having the material, the thickness and the surface resistance shown in Table 2. Occurred when a bearing device like this was installed in the magnetic head drum of a VTR.
The noise for each minute was counted. Table 2 shows the results.
【００２８】[0028]
【表２】 [Table 2]
【００２９】表２より明らかなように、金属超薄膜の厚
さが１ｎｍよりも薄い場合には導電膜の効果が得られな
いため表面抵抗が高く、１分間のノイズ発生件数が１０
０件と多い。厚さが５０ｎｍよりも厚い場合、表面硬度
が低下し、耐摩耗性が悪く、実用性に乏しいことが判
る。As is clear from Table 2, when the thickness of the ultrathin metal film is less than 1 nm, the effect of the conductive film cannot be obtained, so that the surface resistance is high and the number of noise occurrences per minute is 10.
As many as 0 cases. It can be seen that when the thickness is thicker than 50 nm, the surface hardness decreases, the wear resistance is poor, and the practicality is poor.
【００３０】上記実施例１，２ではスラスト軸受とスラ
ストカラーを同一材料で形成した例について説明した
が、異なる材料により形成しても良いことは勿論であ
る。また、上記実施例１，２ではスラスト軸受とスラス
トカラーの両面に 酸化物半導体薄膜，金属超薄膜を形
成した例について説明したが、スラスト軸受表面あるい
はスラストカラー表面のいずれか一方に酸化物半導体薄
膜あるいは金属超薄膜を形成しても良いことは勿論であ
る。Although the thrust bearing and the thrust collar are made of the same material in the first and second embodiments, it is needless to say that they may be made of different materials. Also, in the above-mentioned Examples 1 and 2, an example was described in which the oxide semiconductor thin film and the ultra-thin metal film were formed on both sides of the thrust bearing and the thrust collar, but the oxide semiconductor thin film was formed on either the thrust bearing surface or the thrust collar surface. Alternatively, it goes without saying that an ultra thin metal film may be formed.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の軸受装置で
は、高速回転によりスラスト軸受およびスラストカラー
に発生した静電気は、スラスト軸受のスラストカラー側
の面及びスラストカラーのスラスト軸受側の面の酸化物
半導体薄膜や金属超薄膜を介して除電され、軸受装置に
おけるスパークを防止することができ、ＯＡ機器におけ
るノイズの発生を防止することができ、これにより、高
品質のＯＡ機器に貢献できる。As described above in detail, in the bearing device of the present invention, static electricity generated in the thrust bearing and the thrust collar by high-speed rotation is generated in the thrust collar side surface of the thrust bearing and the thrust collar side surface of the thrust collar. The static electricity is removed through the oxide semiconductor thin film and the ultra-thin metal film, so that sparks in the bearing device can be prevented and generation of noise in the OA equipment can be prevented, thereby contributing to high-quality OA equipment.
【図１】本発明の軸受装置を示す縦断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view showing a bearing device of the present invention.
【図２】図１のスラスト軸受の平面図である。2 is a plan view of the thrust bearing of FIG. 1. FIG.
【図３】図１の一部を拡大して示す縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a part of FIG. 1 in an enlarged manner.
１・・・回転軸 ２・・・スラストカラー ３・・・スラスト軸受 1 ... Rotary shaft 2 ... Thrust collar 3 ... Thrust bearing
Claims (2)
製のスラストカラーとを備えてなる軸受装置において、
前記スラスト軸受のスラストカラー側の面及び／又は前
記スラストカラーのスラスト軸受側の面に、厚さが１０
〜５００ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の酸化物半導体
薄膜を形成してなることを特徴とする軸受装置。1. A bearing device comprising a ceramic thrust bearing and a ceramic thrust collar,
The surface of the thrust bearing on the thrust collar side and / or the surface of the thrust collar on the thrust bearing side has a thickness of 10
A bearing device comprising an oxide semiconductor thin film having a surface resistance of 10 6 Ω or less at ˜500 nm.
製のスラストカラーとを備えてなる軸受装置において、
前記スラスト軸受のスラストカラー側の面及び／又は前
記スラストカラーのスラスト軸受側の面に、厚さが１〜
５０ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の金属超薄膜を形成
してなることを特徴とする軸受装置。2. A bearing device comprising a ceramic thrust bearing and a ceramic thrust collar,
The thrust collar side surface of the thrust bearing and / or the thrust bearing side surface of the thrust collar has a thickness of 1 to
A bearing device comprising a metal ultrathin film having a surface resistance of 10 6 Ω or less at 50 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14949294A JP3181004B2 (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Bearing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14949294A JP3181004B2 (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Bearing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0814250A true JPH0814250A (en) | 1996-01-16 |
| JP3181004B2 JP3181004B2 (en) | 2001-07-03 |
Family
ID=15476339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14949294A Expired - Fee Related JP3181004B2 (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Bearing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3181004B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018442A (en) * | 1997-04-04 | 2000-01-25 | U.S. Philips Corporation | Recording and/or reproducing apparatus having rotary scanning drum supported by a bearing having contacting bearing surfaces which provide electrical grounding |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14949294A patent/JP3181004B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018442A (en) * | 1997-04-04 | 2000-01-25 | U.S. Philips Corporation | Recording and/or reproducing apparatus having rotary scanning drum supported by a bearing having contacting bearing surfaces which provide electrical grounding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3181004B2 (en) | 2001-07-03 |
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