JPH08139253A - Manufacture of lead frame and semiconductor device - Google Patents

Manufacture of lead frame and semiconductor device

Info

Publication number
JPH08139253A
JPH08139253A JP27769094A JP27769094A JPH08139253A JP H08139253 A JPH08139253 A JP H08139253A JP 27769094 A JP27769094 A JP 27769094A JP 27769094 A JP27769094 A JP 27769094A JP H08139253 A JPH08139253 A JP H08139253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
plate
lead
heat
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP27769094A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2859144B2 (en
Inventor
Takayuki Tani
孝行 谷
Mamoru Ando
守 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP27769094A priority Critical patent/JP2859144B2/en
Publication of JPH08139253A publication Critical patent/JPH08139253A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2859144B2 publication Critical patent/JP2859144B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a lead frame with a heat sink without any caulking, which maintain adequate adhesion with resin. CONSTITUTION: A pattern is formed so that a lead 12 is extended in a direction crossing thin connection lines 10. A heat sink 13 is laid out closer to one of the interlocking thin lines 10. The heat sink 13 is fixed to either the thin connection lines 10 or a tie bar 11 by a plurality of retention parts. A grounding lead 15 for connecting a heat sink 13 and thin lines 10 and one portion of the tie bar 11 are subjected to bending, thus enabling the tip of the lead 12 to be superposed to an area above the heat sink 13 by the length used for binding. A shearing machining part is provided to create a protrusion by exposing the material of the heat sink 13 at a boundary 23 between a thick part 20 and a thin part 21 on the reverse side of the heat sink 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、特に放熱板を具備する
リードフレームと半導体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame having a heat sink and a method for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】TV、HDTV、CRT等の偏向回路を
集積化したビデオパック(商品名)なる半導体装置が本
願出願人において商品化されている。半導体素子その他
を固着したセラミック基板を一つのパッケージに収納し
たものであるが、低コスト化の当然の指向として樹脂モ
ールドで製品を供給することがなされている。また、製
造ラインに投入しやすいように他の半導体装置と同様に
リードフレームを用いる手法が例えば特開平6ー163
786号に記載されている。
2. Description of the Related Art A semiconductor device called a video pack (trade name) in which deflection circuits such as TV, HDTV, and CRT are integrated has been commercialized by the present applicant. Although a ceramic substrate to which semiconductor elements and other components are fixed is housed in a single package, the product is supplied by resin molding as a natural aim of cost reduction. Further, a method of using a lead frame like other semiconductor devices so as to be easily put into a manufacturing line is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-163.
No. 786.

【0003】図7を参照して、1は2本の連結細条、2
はタイバーであり、リード3の一端がタイバー2に接続
され、リード3の他端は放熱板4の上空に重畳し、放熱
板4をタイバー2に保持するための接地リード5の一部
に折り曲げ部6を設けることによってリード3の先端部
分を放熱板4と重畳させたものである。放熱板付きのD
IP型、SIP型のリードフレームが、厚板から放熱板
を加工し、薄肉板からその他の部分を加工し、両者を”
かしめ”により合体させるのに対し、上記の手法は厚肉
部と薄肉部を持つ一枚の異形材料から加工するために、
コストダウンが可能であるというメリットを有する。
Referring to FIG. 7, 1 is two connecting strips, 2
Is a tie bar, one end of the lead 3 is connected to the tie bar 2, and the other end of the lead 3 is superposed on the heat sink 4 and bent to a part of the ground lead 5 for holding the heat sink 4 on the tie bar 2. By providing the portion 6, the tip portion of the lead 3 is superposed on the heat dissipation plate 4. D with heat sink
The IP type and SIP type lead frames process heat sinks from thick plates, and other parts from thin plates.
In contrast to joining by caulking, the above method is for processing from a single deformed material having a thick part and a thin part,
It has the advantage of being able to reduce costs.

【0004】しかしながら、タイバー2の位置に対して
放熱板4を動かすということは、放熱板4を2本の接地
リード5で保持することを強要する。放熱板4を薄肉部
で構成するのであればまだしも、放熱板4には一定量以
上の熱容量を持たせる必要性から厚肉部で構成すること
が絶対条件となる。そのため、例えば25×12mmも
の放熱板4を形成すると、その重量により放熱板4が左
右にぶれてしまい、組立工程において正確な位置合わせ
が出来ないという欠点があった。ディスクリート型パワ
ー半導体装置用の太いリードであればまだ可能性がある
が、集積回路用に例えばリード幅0.5mm程度を要求
されると、放熱板4の固定はほぼ不可能になる。
However, moving the heat sink 4 with respect to the position of the tie bar 2 requires that the heat sink 4 be held by two ground leads 5. If the heat radiating plate 4 is made up of a thin wall portion, it is still necessary to make the heat radiating plate 4 at a thick wall portion because it is necessary to give the heat radiating plate 4 a heat capacity of a certain amount or more. Therefore, for example, when the heat radiation plate 4 having a size of 25 × 12 mm is formed, the weight of the heat radiation plate 4 causes the heat radiation plate 4 to move to the left and right, which makes it impossible to perform accurate alignment in the assembly process. There may still be thick leads for discrete type power semiconductor devices, but if a lead width of, for example, about 0.5 mm is required for integrated circuits, fixing the heat sink 4 becomes almost impossible.

【0005】そこで本願出願人は、未だ公知ではない
が、放熱板4をシフトさせるのではなく、リード3をシ
フトさせることを提案している。つまり放熱板4をフレ
ームに固定し、接地リード5と枠体の一部を折り曲げる
ことでリード3と放熱板4とを重畳させようとするもの
である。
Therefore, the applicant of the present application proposes to shift the lead 3 instead of shifting the heat radiating plate 4, although it is not yet known. That is, the heat radiating plate 4 is fixed to the frame, and the ground lead 5 and a part of the frame body are bent to overlap the lead 3 and the heat radiating plate 4.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述のようにして形成
し樹脂モールドした装置の断面図を図8に示す。リード
フレームは、板状材料の状態でニッケルメッキのごとき
耐候性に優れた金属メッキが施され、放熱板4の回路素
子搭載部分とリード3のワイヤボンディングエリアに対
応する部分には銀メッキのような、接着性に優れた金属
メッキが施される。このような金属メッキを施した後
に、板状材料を加工してリードフレームが製造される。
FIG. 8 shows a cross-sectional view of a resin-molded device formed as described above. The lead frame is plated with metal such as nickel and has excellent weather resistance, and the parts corresponding to the circuit element mounting part of the heat sink 4 and the wire bonding area of the lead 3 are plated with silver. The metal plating with excellent adhesiveness is applied. After such metal plating is applied, the plate material is processed to manufacture a lead frame.

【0007】ところで、ニッケルメッキはモールド樹脂
6との密着力が悪く、しばしば樹脂7と放熱板4との界
面から水分などが進入して、素子の信頼性を低下させる
という問題点がある。上記のかしめを用いたリードフレ
ームでは、メッキ後に放熱板を加工するので、放熱板の
端面は全て素材が露出することになり、樹脂との密着力
が弱いという問題点は生じない。ところが、本発明者が
得ようとするリードフレームは、厚板と薄板からなる異
形材料から加工するので、放熱板4の端面8が前記ニッ
ケルメッキで覆われたままの部分が不可避的に発生す
る。薄肉部9の端面10には素材が露出するが、リード
フレーム形成後に曲げ加工を施す、リードピッチを小さ
くしたい等の制約から、板厚を厚くすることは出来な
い。そのため樹脂7との強固な密着を得ることが出来
ず、且つ耐湿性に乏しいという欠点があった、尚、特公
昭48ー26427号、特公昭49ー47982号、特
公昭49ー36504号に類似の技術が公開されている
が、いずれも同一厚さの材料から形成したものある他、
単体トランジスタを対象としたものであって、ピン数の
多い集積回路を対象にしたものではない。サイズ的に小
さく、リードの太さも太い。そのため、リードを根本部
分だけで保持しても十分な強度が得られているものと推
定する。
By the way, the nickel plating has a problem that the adhesion to the mold resin 6 is poor, and moisture or the like often enters from the interface between the resin 7 and the heat dissipation plate 4 to lower the reliability of the element. In the lead frame using the above-mentioned caulking, since the heat sink is processed after plating, the material is entirely exposed at the end faces of the heat sink, and the problem of weak adhesion with the resin does not occur. However, since the lead frame to be obtained by the present inventor is processed from a deformed material composed of a thick plate and a thin plate, a portion where the end surface 8 of the heat dissipation plate 4 remains covered with the nickel plating is inevitably generated. . The material is exposed on the end surface 10 of the thin portion 9, but the plate thickness cannot be increased due to restrictions such as bending after forming the lead frame and reducing the lead pitch. Therefore, there was a drawback that it was not possible to obtain a strong adhesion with the resin 7 and the moisture resistance was poor. It is similar to JP-B-48-26427, JP-B-49-47982 and JP-B-49-36504. Although the technology of is published, both are formed from materials with the same thickness,
The target is a single transistor, not an integrated circuit having a large number of pins. Small size and thick lead. Therefore, it is presumed that sufficient strength is obtained even if the lead is held only at the root part.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の課題
に鑑みなされたもので、厚板からなる放熱板を薄板から
なる枠体に複数箇所で保持し、枠体の一部を折り曲げる
ことでリードをシフトさせてリードの先端を放熱板の上
部に重畳する構造を得るリードフレームであって、金属
メッキで被覆されている放熱板の端面に、放熱板の素材
を露出させるシャーリング加工を施すことを特徴とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, in which a heat dissipation plate made of a thick plate is held in a frame made of a thin plate at a plurality of points and a part of the frame is bent. It is a lead frame to obtain a structure in which the tip of the lead is overlapped with the upper part of the heat sink by shifting the lead with, and the end face of the heat sink coated with metal plating is subjected to shirring processing to expose the material of the heat sink. It is characterized by

【0009】[0009]

【作用】本発明によれば、放熱板を移動させるのではな
く、連結細条を位置的に移動させることによってリード
先端部と放熱板との重畳部分を形成しているので、放熱
板を複数箇所で連結細条又はタイバーに固定することが
できる。従って放熱板の重量に伴うぶれを防止すること
が出来る。
According to the present invention, since the lead tips and the heat radiating plate are superposed on each other by not moving the heat radiating plate but moving the connecting strips in position, a plurality of heat radiating plates are formed. It can be fixed to the connecting strips or tie bars in place. Therefore, it is possible to prevent the shake due to the weight of the heat sink.

【0010】更に、シャーリング加工によって放熱板の
端面に素材を露出させ、突起を作るので、樹脂との密着
力を増大する事が出来る。
Further, since the material is exposed on the end surface of the heat dissipation plate by the shirring process to form the projections, the adhesion with the resin can be increased.

【0011】[0011]

【実施例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図1は本発明のリードフレームを示
す平面図である。同図において、10は平行に延在する
2本の連結細条、11は連結細条10の間を梯子条に連
結するタイバー、12は連結細条10と直交する方向即
ちタイバー11と平行に複数本延在する外部接続用のリ
ード群、13は表面に回路素子を固定するための放熱
板、14は放熱板13を連結細条10またはタイバー1
1に固定するための保持部、15は放熱板13と連結細
条10とを連結する接地リード、16はリードフレーム
送り用の送り孔である。一つの放熱板13およびこれに
付属する部品を一つのユニットとし、該ユニットを多数
横方向に連続させてリードフレームとする。連結細条1
0とタイバー11とでリードフレームの枠体を構成す
る。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a lead frame of the present invention. In the figure, 10 is two connecting strips extending in parallel, 11 is a tie bar connecting the connecting strips 10 to a ladder strip, and 12 is a direction orthogonal to the connecting strips 10, that is, parallel to the tie bar 11. A plurality of extending leads for external connection, 13 is a heat sink for fixing circuit elements to the surface, 14 is a connecting strip 10 or tie bar 1 for connecting the heat sink 13.
1 is a holding portion for fixing to 1, 1 is a ground lead for connecting the heat radiating plate 13 and the connecting strip 10, and 16 is a feed hole for feeding a lead frame. One heat radiating plate 13 and components attached thereto are made into one unit, and a large number of these units are connected in the lateral direction to form a lead frame. Connection strip 1
0 and the tie bar 11 constitute a frame body of the lead frame.

【0012】放熱板13は隣のタイバー11の一部11
aと共に板厚約2mmの厚板からなり、その他の部分は
板厚約0.3mmの薄板から加工されている。放熱板1
3は、保持部14に曲げ加工を施すことにより放熱板1
3の表面を連結細条10の表面に対して高さ方向に一段
低くなるような加工を行っている。隣接するタイバーの
一部11aも同様の加工を施してある。尚、隣接するタ
イバー11aは無くても良い。また、接地リード15と
放熱板13との連結部分にも保持部14と同様の加工を
施してある。
The heat dissipation plate 13 is a part 11 of the adjacent tie bar 11.
It is made of a thick plate having a plate thickness of about 2 mm together with a, and the other parts are machined from a thin plate having a plate thickness of about 0.3 mm. Heat sink 1
3 is a heat sink 1 by bending the holding portion 14.
The surface of No. 3 is processed to be lower than the surface of the connecting strip 10 in the height direction. Similar processing is also applied to a part 11a of the adjacent tie bar. The adjacent tie bar 11a may be omitted. Further, the same processing as the holding portion 14 is also applied to the connecting portion between the ground lead 15 and the heat dissipation plate 13.

【0013】リード12の一端は連結細条10の拡張部
10aに連結され、他端は放熱板13の上空に重畳す
る。これにより、前記他端の先端部分を放熱板13の表
面に固定する素子の接続用ボンディングパッドに近接さ
せて、ワイヤボンディングを可能ならしめる。接地リー
ド15は、拡張部10aを設けずに連結細条10に直接
連結している。そして、拡張部10aに相当する領域で
接地リード15は曲げ加工17が施され、その加工で消
費した分だけ連結細条10とリード12が放熱板13側
にシフトしている。タイバー11にも同様の曲げ加工1
8を施してある。曲げ加工17、18を施す接地リード
15とタイバー11は薄肉部から成る。曲げ加工17、
18の形状、つまり断面形状でU字型とするかZ字型と
するかは任意である。他にはコの字型、Ω字型等があげ
られる。但し連結細条10に送り孔16を設けているの
で、曲げた後に2本の連結細条10間の距離が一定の許
容誤差範囲内で収まっていること、および曲げ加工1
7、18部分を除いてリードフレームの水平度が保たれ
ていること、が製造工程を実施する上での条件である。
尚、放熱板12上の符号19は回路素子搭載部分を示
し、本実施例では回路素子を搭載したセラミックク基板
を搭載する。また、接地リード15として2本の例を示
したが、1本又は3本以上設けても良い。さらに、接地
リード15が存在せずタイバー11の折り曲げ加工18
のみとしても良い。
One end of the lead 12 is connected to the expanded portion 10a of the connecting strip 10, and the other end is superposed on the heat radiating plate 13. Thus, the tip portion of the other end is brought close to the bonding pad for connection of the element fixed to the surface of the heat dissipation plate 13 to enable wire bonding. The ground lead 15 is directly connected to the connection strip 10 without providing the expansion portion 10a. Then, the ground lead 15 is bent 17 in a region corresponding to the expanded portion 10a, and the connecting strip 10 and the lead 12 are shifted to the heat radiating plate 13 side by the amount consumed by the bending. Similar bending process for tie bar 11 1
8 has been given. The grounding lead 15 and the tie bar 11 to which the bending processes 17 and 18 are formed are thin portions. Bending 17,
The shape of 18, that is, whether the cross-sectional shape is U-shaped or Z-shaped is arbitrary. Other examples include U-shape and Ω-shape. However, since the connecting strip 10 is provided with the feed hole 16, after the bending, the distance between the two connecting strips 10 is within a certain allowable error range, and the bending process 1
It is a condition for carrying out the manufacturing process that the levelness of the lead frame is maintained except for the portions 7 and 18.
Reference numeral 19 on the heat sink 12 indicates a circuit element mounting portion, and in this embodiment, a ceramic substrate on which the circuit element is mounted is mounted. Although two ground leads 15 are shown as examples, one or three or more ground leads 15 may be provided. Further, the ground lead 15 does not exist, and the bending process 18 of the tie bar 11 is performed.
Good as only.

【0014】以下に上記リードフレームの製造方法を図
2と図3を用いて説明する。図2(A)はパターン形成
前の材料を示す平面図、図2(B)は打ち抜き又はエッ
チング加工によりパターンを形成した直後の平面図であ
る。図3(A)は図2(A)の状態での断面図、図3
(B)はパターン形成後に保持部14に曲げ加工を施し
た後の状態での断面図、図3(C)は曲げ加工17、1
8を施した状態での断面図を各々示すものである。
A method of manufacturing the lead frame will be described below with reference to FIGS. 2 and 3. 2A is a plan view showing the material before pattern formation, and FIG. 2B is a plan view immediately after forming the pattern by punching or etching. FIG. 3A is a cross-sectional view in the state of FIG.
FIG. 3B is a cross-sectional view showing a state in which the holding portion 14 is bent after the pattern is formed, and FIG.
8 is a cross-sectional view in a state where 8 is applied.

【0015】図2(A)と図3(A)を参照して、加工
前の材料は板厚約0.5mmの薄肉部20と板厚約2.
0mmの厚肉部21とからなり一方の表面が水平面を形
成する一枚の板状材料である。厚肉部21は図面横方向
に一定の幅で延在している。材料の全表面にはニッケル
メッキのごとき金属メッキが施されている。図2(B)
を参照して、パターン形成直後は曲げ加工17、18を
施していないので、リード12の先端部分が放熱板13
と重なっていない。厚肉部21が、丁度放熱板13の位
置と一致する。放熱板13の長辺13aは薄肉部20で
切断され、放熱板13の短辺13bは厚肉部13bで切
断されている。
2 (A) and 3 (A), the material before processing is a thin portion 20 having a plate thickness of about 0.5 mm and a plate thickness of about 2.
It is a plate-shaped material composed of a 0 mm thick portion 21 and one surface of which forms a horizontal surface. The thick portion 21 extends in the lateral direction of the drawing with a constant width. The entire surface of the material is metal plated, such as nickel plated. Figure 2 (B)
As shown in FIG. 10, since the bending processes 17 and 18 are not performed immediately after the pattern formation, the tip end portion of the lead 12 has a heat dissipation plate 13
Does not overlap with. The thick portion 21 exactly coincides with the position of the heat dissipation plate 13. The long side 13a of the heat sink 13 is cut by the thin portion 20, and the short side 13b of the heat sink 13 is cut by the thick portion 13b.

【0016】図2(B)の状態から、先ず保持部14へ
の曲げ加工を施す。この加工によって図3(B)に示す
ように放熱板13に連結細条10の表面との高さ方向の
段付けを行う。符号22は接地リード15と連結細条1
0との連結部分を示す。放熱板13の段付け加工を行っ
た後、図3(C)に示すように連結部分22近傍の接地
リード15に曲げ加工17を施す。タイバー11への曲
げ加工18も同時的に同様の位置で施す。この結果、曲
げ加工17、18で消費した分の長さだけリード12と
連結細条10とが一体となって放熱板13側にシフト
し、リード12の先端部分が放熱板13と重畳する。重
畳した結果が図1に示した状態となる。尚、曲げ加工1
7、18に供する領域を図2(B)に斜線部分で示し
た。加工形状にもよるが、連結細条の拡張部10aの図
面縦方向の長さの約倍の長さを曲げ加工17に供する事
が出来る。
From the state shown in FIG. 2B, first, the holding portion 14 is bent. By this processing, as shown in FIG. 3B, the heat dissipation plate 13 is stepped in the height direction with the surface of the connecting strip 10. Reference numeral 22 is the ground lead 15 and the connecting strip
The connecting part with 0 is shown. After the heat radiation plate 13 is stepped, the ground lead 15 near the connecting portion 22 is bent 17 as shown in FIG. 3 (C). The bending process 18 for the tie bar 11 is simultaneously performed at the same position. As a result, the leads 12 and the connecting strips 10 are integrally shifted by the length consumed by the bending processes 17 and 18 toward the heat dissipation plate 13, and the tip portions of the leads 12 overlap the heat dissipation plate 13. The result of superposition becomes the state shown in FIG. Bending process 1
The areas used for Nos. 7 and 18 are shown by the shaded areas in FIG. Although depending on the processing shape, the bending process 17 can be provided with a length that is about twice the length of the expanded portion 10a of the connecting strip in the vertical direction in the drawing.

【0017】上述のように形成したリードフレームは、
連結細条10の一方がシフトするような形としたので、
放熱板13を複数箇所の保持部14でリードフレームに
保持することが出来る。よって放熱板13がかなりの重
量を有していたとしても堅固にこれを保持することがで
き、組立工程におけるパターン認識等の位置合わせに支
障をきたすことがない。しかも、”かしめ”がなく一枚
の板状材料から加工できるから、安価に製造できるとい
うメリットは維持できる。
The lead frame formed as described above is
Since one of the connecting strips 10 is shifted,
The heat dissipation plate 13 can be held on the lead frame by the holding portions 14 at a plurality of positions. Therefore, even if the heat radiating plate 13 has a considerable weight, it can be firmly held, and it does not hinder the alignment such as pattern recognition in the assembly process. Moreover, since there is no "caulking" and it can be processed from a single plate-shaped material, the merit of being able to manufacture at low cost can be maintained.

【0018】図4は上記リードフレームを裏面、つまり
素子を搭載する面とは反対の側から見た平面図を示して
いる。放熱板13の長辺13aは薄肉部21で切断さ
れ、放熱板13の短辺13bは厚肉部20で切断されて
いるので、放熱板13の長辺13aにはこれと平行に厚
肉部20と薄肉部21との境界部23が延在する。そし
て、境界部23に本発明の最大の特徴であるシャーリン
グ加工部24を形成する。シャーリング加工部24は短
辺13bとの交差部分を除いて長辺13aのほぼ全長に
渡って形成する。また、図示するように複数箇所に分離
しても良い。
FIG. 4 is a plan view of the lead frame seen from the back surface, that is, the side opposite to the surface on which the elements are mounted. Since the long side 13a of the heat dissipation plate 13 is cut by the thin part 21 and the short side 13b of the heat dissipation plate 13 is cut by the thick part 20, the long side 13a of the heat dissipation plate 13 is formed in parallel with the thick part. A boundary portion 23 between the thin portion 20 and the thin portion 21 extends. Then, the shearing portion 24, which is the greatest feature of the present invention, is formed on the boundary portion 23. The shearing portion 24 is formed over substantially the entire length of the long side 13a except for the intersection with the short side 13b. Further, as shown in the figure, it may be separated into a plurality of places.

【0019】図5はシャーリング加工部24を拡大して
示す斜視図である。放熱板13の表面はニッケルメッキ
層25で被覆され、メッキ後に切断された部分はリード
フレームの素材が露出する。放熱板13の短辺13b、
長辺13aの薄肉部21の端、が素材の露出表面に相当
する。シャーリング加工部24は図2(B)に示した工
程において実施され、境界部23の上方から材料を塑性
変形させる加工を行うものである。この加工によって一
部に放熱板13の素材が露出し、塑性変形であるからつ
ぶした分の材料が外側に押し出されて突起26を形成す
る。尚、素材が露出した部分をハッチングで示した。
FIG. 5 is an enlarged perspective view showing the shearing portion 24. The surface of the heat dissipation plate 13 is covered with the nickel plating layer 25, and the material of the lead frame is exposed at the portion cut after plating. The short side 13b of the heat sink 13,
The end of the thin portion 21 of the long side 13a corresponds to the exposed surface of the material. The shirring processing portion 24 is performed in the step shown in FIG. 2B, and performs processing for plastically deforming the material from above the boundary portion 23. By this processing, the material of the heat radiating plate 13 is partially exposed, and since it is a plastic deformation, the crushed material is extruded to form the protrusion 26. The exposed parts of the material are shown by hatching.

【0020】上記リードフレームを用いた半導体装置の
製造方法は以下の通りとなる。図6は完成後の半導体装
置を示す断面図である。先ず放熱板13の搭載部分19
にトランジスタなどの回路素子を搭載したセラミック基
板を固着し、セラミック基板(図示せず)上のボンディ
ングパッドとリード12の先端部分とをボンディングワ
イヤでワイヤボンドし、放熱板13の裏面が露出するよ
うに主要部を樹脂7でモールドする。その後、リードフ
レームの不要な部分を切り落として装置が完成する。
A method of manufacturing a semiconductor device using the above lead frame is as follows. FIG. 6 is a sectional view showing the completed semiconductor device. First, the mounting portion 19 of the heat sink 13
A ceramic substrate on which a circuit element such as a transistor is mounted is fixedly attached, and the bonding pad on the ceramic substrate (not shown) and the tip portion of the lead 12 are wire-bonded with a bonding wire so that the back surface of the heat sink 13 is exposed. The main part is molded with resin 7. After that, the device is completed by cutting off unnecessary portions of the lead frame.

【0021】本発明による半導体装置は、重量のある放
熱板13が枠体に堅固に保持されているので、その組立
工程において支障を来すことなく、しかも安価に製造で
きる。そして本発明によれば、放熱板13の境界部23
にシャーリング加工部24を施して素材の表面を露出
し、さらには突起26を形成したので、樹脂7との接着
力がこの部分で増大する。従って放熱板13と樹脂7と
の界面からの水分の進入を阻止し、樹脂剥離の防止と耐
湿性の向上を図ることが出来る。
Since the heavy heat dissipation plate 13 is firmly held by the frame body, the semiconductor device according to the present invention can be manufactured inexpensively without causing any trouble in the assembly process. And according to the present invention, the boundary portion 23 of the heat dissipation plate 13
Since the shirring portion 24 is applied to expose the surface of the material and the protrusion 26 is formed, the adhesive force with the resin 7 increases at this portion. Therefore, it is possible to prevent the entry of water from the interface between the heat dissipation plate 13 and the resin 7, prevent the resin from peeling and improve the moisture resistance.

【0022】尚、上記実施例はセラミック基板3を搭載
する例を示したが、放熱板を有するDIP型、SIP型
等のICにも適用できることは明らかである。此の場合
は、セラミック基板に代えて、素子形成が終了したシリ
コン半導体チップを搭載部19にダイボンドし、ダイボ
ンド以降の工程は上記と同じになる。
Although the above embodiment has shown the example in which the ceramic substrate 3 is mounted, it is obvious that it can be applied to a DIP type or SIP type IC having a heat radiating plate. In this case, instead of the ceramic substrate, the silicon semiconductor chip after the element formation is die-bonded to the mounting portion 19, and the steps after the die-bonding are the same as above.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
連結細条10の一方がシフトするような形としたので、
放熱板13を複数箇所の保持部14でリードフレームに
保持することができる。よって放熱板13がかなりの重
量を有していたとしても堅固にこれを保持することがで
き、組立工程におけるパターン認識等の位置合わせに支
障をきたすことがない。しかも、”かしめ”がなく一枚
の板状材料から加工できるから、安価に製造できるとい
うメリットを維持できる。
As described above, according to the present invention,
Since one of the connecting strips 10 is shifted,
The heat dissipation plate 13 can be held on the lead frame by the holding portions 14 at a plurality of positions. Therefore, even if the heat radiating plate 13 has a considerable weight, it can be firmly held, and it does not hinder the alignment such as pattern recognition in the assembly process. Moreover, since there is no "caulking" and it is possible to process from a single plate-shaped material, the merit of being able to manufacture at low cost can be maintained.

【0024】更に本発明によれば、シャーリング加工2
4によって樹脂との密着力を増大できるので、樹脂矧が
れの防止と耐湿性の向上を図ることが出来る。これによ
り薄肉部21の板厚を薄くできるので、リードピッチの
微細化、および髷加工の容易さを維持できる利点をも有
する。
Further according to the present invention, the shirring process 2
Since the adhesive strength to the resin can be increased by 4, the resin peeling can be prevented and the moisture resistance can be improved. As a result, the plate thickness of the thin portion 21 can be made thin, and there is also an advantage that the lead pitch can be made finer and the ease of cross processing can be maintained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を説明するための平面図である。FIG. 1 is a plan view for explaining the present invention.

【図2】本発明を説明するための平面図である。FIG. 2 is a plan view for explaining the present invention.

【図3】本発明を説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the present invention.

【図4】本発明を説明するための裏面図である。FIG. 4 is a back view for explaining the present invention.

【図5】本発明を説明するための斜視図である。FIG. 5 is a perspective view for explaining the present invention.

【図6】本発明を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the present invention.

【図7】従来例を説明するための平面図である。FIG. 7 is a plan view for explaining a conventional example.

【図8】従来例を説明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a conventional example.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 枠体と、回路素子を固着するための放熱
板と、前記放熱板を複数箇所で前記枠体に保持し且つ曲
げ加工が施されて前記放熱板の表面を段違いにする為の
保持部分と、一端が前記放熱板の上部に空間を隔てて重
畳し他端が前記枠体に保持され互いに平行に延在する複
数本のリードとを具備し、 前記枠体の一部が折り曲げられ、該折り曲げられて消費
した長さの分だけ前記リードがシフトして前記放熱板と
重畳するリードフレームであって、 前記リードフレームは厚板と薄板からなる異形材料か
ら、前記厚板部分を前記放熱板とするように加工され、 前記放熱板の裏面側は金属メッキにより被覆され、 前記放熱板の端面に、前記放熱板の素材を露出し且つ前
記素材による突起を作るシャーリング加工が施されてい
ることを特徴とするリードフレーム。
1. A frame, a heat radiating plate for fixing circuit elements, and a radiating plate for holding the heat radiating plate at a plurality of points on the frame and bending the surface to make the surface of the heat radiating plate uneven. And a plurality of leads, one end of which overlaps the upper portion of the heat dissipation plate with a space in between, and the other end of which is held by the frame body and extends in parallel with each other. A lead frame which is bent and overlaps with the heat radiating plate by shifting the leads by the length consumed by the bending, wherein the lead frame is made of a deformed material composed of a thick plate and a thin plate, and the thick plate portion. And the back side of the heat sink is coated with metal plating, and the end face of the heat sink is shirred to expose the material of the heat sink and to form a protrusion by the material. Characterized by being Lead frame that.
【請求項2】 枠体と、回路素子を固着するための放熱
板と、前記放熱板を複数箇所で前記枠体に保持し且つ曲
げ加工が施されて前記放熱板の表面を段違いにする為の
保持部分と、一端が前記放熱板の上部に空間を隔てて重
畳し他端が前記枠体に保持され互いに平行に延在する複
数本のリードとを具備し、 前記枠体の一部が折り曲げられ、該折り曲げられて消費
した長さの分だけ前記リードがシフトして前記放熱板と
重畳するリードフレームであって、 前記リードフレームは厚板と薄板からなる異形材料か
ら、前記厚板部分を前記放熱板とするように加工され、 前記放熱板の裏面側は金属メッキにより被覆され、 前記放熱板の端面に、前記放熱板の素材を露出し且つ前
記素材による突起を作るシャーリング加工が施されてい
るリードフレームを準備し、 前記放熱板の上に半導体素子を固着し、ワイヤボンド
し、 前記放熱板の裏面を露出し且つ前記シャーリング加工部
と突起を内部に封止するように樹脂モールドすることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
2. A frame, a heat radiating plate for fixing circuit elements, and a heat radiating plate which is held on the frame at a plurality of points and is bent so that the surface of the heat radiating plate is uneven. And a plurality of leads, one end of which overlaps the upper portion of the heat dissipation plate with a space in between, and the other end of which is held by the frame body and extends in parallel with each other. A lead frame which is bent and overlaps with the heat radiating plate by shifting the leads by the length consumed by the bending, wherein the lead frame is made of a deformed material composed of a thick plate and a thin plate, and the thick plate portion. And the back side of the heat sink is coated with metal plating, and the end face of the heat sink is shirred to expose the material of the heat sink and to form a protrusion by the material. The lead flare And fixing the semiconductor element on the heat sink, wire bonding, and resin molding so as to expose the back surface of the heat sink and seal the shirring portion and the protrusion inside. Of manufacturing a semiconductor device.
JP27769094A 1994-11-11 1994-11-11 Lead frame and method of manufacturing semiconductor device Expired - Fee Related JP2859144B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27769094A JP2859144B2 (en) 1994-11-11 1994-11-11 Lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27769094A JP2859144B2 (en) 1994-11-11 1994-11-11 Lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08139253A true JPH08139253A (en) 1996-05-31
JP2859144B2 JP2859144B2 (en) 1999-02-17

Family

ID=17586952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27769094A Expired - Fee Related JP2859144B2 (en) 1994-11-11 1994-11-11 Lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2859144B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009139453A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 株式会社明王化成 Led package, lead frame and method for producing the same
JP2009278012A (en) * 2008-05-16 2009-11-26 Meio Kasei:Kk Package for led device
CN110310940A (en) * 2019-07-16 2019-10-08 上海道之科技有限公司 A kind of discrete device of novel encapsulated

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009139453A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 株式会社明王化成 Led package, lead frame and method for producing the same
JP2009278012A (en) * 2008-05-16 2009-11-26 Meio Kasei:Kk Package for led device
CN110310940A (en) * 2019-07-16 2019-10-08 上海道之科技有限公司 A kind of discrete device of novel encapsulated

Also Published As

Publication number Publication date
JP2859144B2 (en) 1999-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10490486B2 (en) Semiconductor device
US8853836B1 (en) Integrated circuit package and method of making the same
US6392308B2 (en) Semiconductor device having bumper portions integral with a heat sink
US9362210B2 (en) Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US7183630B1 (en) Lead frame with plated end leads
US4994411A (en) Process of producing semiconductor device
CN100446201C (en) Manufacturing method of a semiconductor device
US7371616B2 (en) Clipless and wireless semiconductor die package and method for making the same
US7332375B1 (en) Method of making an integrated circuit package
JPH11260980A (en) Lead frame, manufacture of lead frame, and method of packaging electronic component utilizing lead frame
DE102005006730A1 (en) Lead frame for semiconductor chip package comprises leads on four sides of frame and tie bars extending from side edges and having recessed bottom surfaces
US20020017706A1 (en) Lead frame, semiconductor device and manufacturing method therefor, circuit board and electronic equipment
US7112474B1 (en) Method of making an integrated circuit package
US6265761B1 (en) Semiconductor devices with improved lead frame structures
JPH08139253A (en) Manufacture of lead frame and semiconductor device
US6214648B1 (en) Semiconductor chip package and method for fabricating the same
US20240112993A1 (en) Semiconductor Device Comprising a Leadframe Adapted for Higher Current Output or Improved Placement of Additional Devices
KR100244254B1 (en) Lead frame and semiconductor package with such lead frame
JP2934372B2 (en) Method for manufacturing surface mount type semiconductor device
JP2000049275A (en) Lead frame, semiconductor device and manufacture thereof
JP2840554B2 (en) Lead frame and method of manufacturing semiconductor device
JPH08125095A (en) Lead frame
JPH08125082A (en) Lead frame and manufacture of semiconductor device
JPH08125083A (en) Lead frame and manufacture of semiconductor device
KR19990039829A (en) Lead frame and semiconductor package using same

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081204

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091204

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees