JPH0813572B2 - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JPH0813572B2
JPH0813572B2 JP62145305A JP14530587A JPH0813572B2 JP H0813572 B2 JPH0813572 B2 JP H0813572B2 JP 62145305 A JP62145305 A JP 62145305A JP 14530587 A JP14530587 A JP 14530587A JP H0813572 B2 JPH0813572 B2 JP H0813572B2
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optical recording
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    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/02Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光特に半導体レーザ光による書き込
み記録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディ
スクまたは光カード技術に用いうる光学的記録媒体に関
するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical recording medium suitable for writing and recording by laser light, particularly semiconductor laser light, and more specifically, an optical recording medium that can be used in optical disk or optical card technology. It is about.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に光ディスクおよび光カードは、基体上に薄い記
録層を設け、この記録層に光学的に検出可能な小さな
(たとたえば約1μ)ピット(凹部)をらせん状、円形
または直線状のトラック形態に設けることにより、高密
度情報を記憶することができる。
In general, an optical disc and an optical card are provided with a thin recording layer on a substrate, and a small (for example, about 1 μ) optically detectable pit (recess) is formed in the recording layer in a spiral, circular or linear track form. By providing the high density information, high density information can be stored.

このようなディスクまたはカードに情報を書き込むに
は、記録層の表面に集束したレーザ光を走査し、このレ
ーザ光が照射された表面のみにピットを形成し、このピ
ットをらせん状、円形状または直線状のトラックの形態
で形成することが必要である。
To write information on such a disc or card, laser light focused on the surface of the recording layer is scanned, and pits are formed only on the surface irradiated with this laser light. It is necessary to form it in the form of a straight track.

記録層は、レーザエネルギーを吸収して光学的に検出
可能なピットを形成することができる。
The recording layer can form pits that can absorb laser energy and be optically detectable.

たとえばヒートモード記録方式では、記録層は熱エネ
ルギーを吸収し、その箇所に蒸発または融解により小さ
なピットを形成できるし、また別のヒートモード記録で
は照射されたレーザエネルギーの吸収により、その箇所
に光学的に検出可能な濃度差を有するピットを形成でき
る。
For example, in the heat mode recording method, the recording layer absorbs thermal energy, and small pits can be formed at that location by evaporation or melting. It is possible to form pits having a density difference that can be detected visually.

光ディスクおよび光カードに記録された構造は、レー
ザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された部
分とそれが形成されていない部分の光学的変化を読み取
ることによって検出される。
The structure recorded on the optical disk and the optical card is detected by scanning the laser beam along the track and reading the optical change in the portion where the pit is formed and the portion where the pit is not formed.

たとえば光ディスクの場合、レーザ光がトラックに沿
って走査され、ディスクより反射された光エネルギーが
フォトディテクターによってモニターされる。ピットが
形成されていない部分はレーザ光が充分に反射され、フ
ォトディテクターの出力は大きくなるのに対し、ピッチ
が形成されている部分は反射が低くなり、フォトディテ
クターの出力は小さくなる。
In the case of an optical disc, for example, laser light is scanned along a track and the light energy reflected from the disc is monitored by a photodetector. The laser light is sufficiently reflected in the portion where the pits are not formed, and the output of the photodetector is large, whereas the reflection is low in the portion where the pitch is formed, and the output of the photodetector is small.

このような光ディスクおよび光カードに用いる記録媒
体としては、TeやBiなどの金属薄膜、あるいはカルコゲ
ナイト系非晶質薄膜などの無機物質薄膜が主に提案され
ているが、これらの薄膜は、レーザ光に対する反射率が
高いため、レーザ光の利用率が低く、また酸化および湿
度に対して弱いなどの欠点を有する。
As recording media used for such optical discs and optical cards, metal thin films such as Te and Bi, or inorganic substance thin films such as chalcogenite amorphous thin films have been mainly proposed. Since it has a high reflectance with respect to, the utilization rate of the laser light is low, and it has the drawbacks that it is weak against oxidation and humidity.

一方、近年では光エネルギーで光学的物性変化の可能
な有機薄膜の研究が行なわれている。
On the other hand, in recent years, research has been conducted on organic thin films capable of changing optical properties by light energy.

このような有機薄膜は、レーザ光の発振波長に応じて
選択することが容易であり、とくに比較的長波長(たと
えば780nm以上)の光エネルギーに吸収特性をもつ有機
化合物が検討されている。また、最近では半導体レーザ
の短波長化によって、またSHG(第2高調波発生)素子
を用いてレーザ光の2分の1の波長を出力させることに
よって、出力波長が可視から紫外領域に発振波長をもつ
レーザが開発されている。
Such an organic thin film can be easily selected according to the oscillation wavelength of laser light, and in particular, organic compounds having absorption characteristics for light energy of a relatively long wavelength (for example, 780 nm or more) have been investigated. In addition, recently, due to the shortening of the wavelength of semiconductor lasers and the use of SHG (second harmonic generation) elements to output half the wavelength of laser light, the output wavelength has changed from the visible to the ultraviolet region. Lasers have been developed.

しかしながら、このような技術的動向に容易に対処で
きる有機化合物は、熱および光に対して不安定であり、
しかも昇華性の点でも技術的な問題点があることから、
必らずしも特性上満足のいく有機薄膜が開発されている
とは言えないのが現状である。
However, organic compounds that can easily cope with such technological trends are unstable to heat and light,
Moreover, since there are technical problems in terms of sublimation,
At present, it cannot necessarily be said that organic thin films that are satisfactory in terms of characteristics have been developed.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

本発明の目的は、レーザ光の発振波長に大きな吸収お
よび反射特性をもつ、とくに長波長側に吸収帯をもつ有
機薄膜を有する光学的記録媒体を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an optical recording medium having an organic thin film having large absorption and reflection characteristics at the oscillation wavelength of laser light, and particularly having an absorption band on the long wavelength side.

本発明の別の目的は、熱および光に対して安定な有機
薄膜を有する光学的記録媒体を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an optical recording medium having an organic thin film that is stable to heat and light.

〔問題点を解決するための手段および作用〕[Means and Actions for Solving Problems]

本発明は基体上に記録層を有する光学的記録媒体にお
いて、その記録層が、下記一般式〔I〕、〔II〕または
〔III〕で表わされるジアズレニウム塩化合物の1種ま
たは2種以上を含有する有機薄膜であることを特徴とす
る。
The present invention provides an optical recording medium having a recording layer on a substrate, the recording layer containing one or more diazulenium salt compounds represented by the following general formula [I], [II] or [III]. It is characterized by being an organic thin film.

一般式〔I〕、〔II〕、〔III〕において、R1〜R7
およびR1′〜R7′は、水素原子、ハロゲン原子(塩素
原子、臭素原子、沃素原子)又は1価の有機残基を表わ
す。この1価の有機残基としては、広範なものから選択
することができるが、特にアルキル基(メチル、エチ
ル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブ
チル、n−アミル、n−ヘキシル、n−オクチル、2−
エチルヘキシル、t−オクチルなど)、アルコキシ基
(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど)、
置換もしくは未置換のアリール基(フエニル、トリル、
キシリル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エトキ
シフエニル、クロロフエニル、ニトロフエニル、ジメチ
ルアミノフエニル、α−ナフチル、β−ナフチルな
ど)、置換もしくは未置換のアラルキル(ベンジル、2
−フエニルエチル、2−フエニル−1−メチルエチル、
ブロモベンジル、2−ブロモフエニルエチル、メチルベ
ンジル、メトキシベンジル、ニトロベンジル)、アシル
基(アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベ
ンゾイル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロ
イルなど)、置換若しくは未置換アミノ基(アミノ、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ア
セチルアミノ、ベンゾイルアミノなど)、置換若しくは
未置換スチリル基(スチリル、ジメチルアミノスチリ
ル、ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリ
ル、メトキシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチ
リルなど)、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル
基、シアノ基又は置換若しくは未置換アリールアゾ基
(フエニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルア
ゾ、ジメチルアミノフエニルアゾ、クロロフエニルア
ゾ、ニトロフエニルアゾ、メトキシフエニルアゾ、トリ
ルアゾなど)を挙げることができる。
In the general formulas [I], [II] and [III], R 1 to R 7
And R 1 ′ to R 7 ′ represent a hydrogen atom, a halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom) or a monovalent organic residue. The monovalent organic residue can be selected from a wide range, but particularly alkyl groups (methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, n-amyl, n-hexyl). , N-octyl, 2-
Ethylhexyl, t-octyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.),
A substituted or unsubstituted aryl group (phenyl, tolyl,
Xylyl, ethylphenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, chlorophenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted aralkyl (benzyl, 2
-Phenylethyl, 2-phenyl-1-methylethyl,
Bromobenzyl, 2-bromophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl), acyl group (acetyl, propionyl, butyryl, valeryl, benzoyl, trioyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc.), substituted or unsubstituted amino group ( Amino, dimethylamino, diethylamino, dipropylamino, acetylamino, benzoylamino, etc.) and substituted or unsubstituted styryl groups (styryl, dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl, dipropylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl, etc.) , Nitro group, hydroxy group, carboxyl group, cyano group or substituted or unsubstituted arylazo group (phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo, dimethylaminophenyl) Azo, chlorophenylazo, nitrophenylazo, methoxyphenylazo, tolylazo and the like).

また、R1とR2、R2とR3、R3とR4、R4とR5、R
5とR6、R6とR7およびR1′とR2′、R2′とR3′、
3′とR4′、R4′とR5′、R5′とR6′、R6′と
7′の組合せのうち、少なくとも1つの組合せで置換
又は未置換の縮合環を形成してもよい。縮合環としては
5員,6員,または7員環の縮合環であり、芳香族環(ベ
ンゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼ
ン、メチルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼ
ン、エトキシベンゼンなど)、複素環(フラン環、ベン
ゾフラン環、ピロール環、チオフエン環、ピリジン環、
キノリン環、チアゾール環、など)、脂肪族環(ジメチ
レン、トリメチレン、テトナメチレンなど)が挙げられ
る。Z はアニオン残基を表わす。
 Also, R1And R2, R2And R3, R3And RFour, RFourAnd RFive, R
FiveAnd R6, R6And R7And R1'And R2′, R2'And R3′,
R3'And RFour′, RFour'And RFive′, RFive'And R6′, R6'When
R7Replace with at least one of the '
Alternatively, an unsubstituted fused ring may be formed. As a condensed ring
A 5-, 6-, or 7-membered condensed ring containing an aromatic ring
Benzene, naphthalene, chlorobenzene, bromobenze
Amine, methylbenzene, ethylbenzene, methoxybenze
Amine, ethoxybenzene, etc.), heterocycle (furan ring, benzene)
Zofuran ring, pyrrole ring, thiophene ring, pyridine ring,
Quinoline ring, thiazole ring, etc.), aliphatic ring (dimethyi ring)
Len, trimethylene, tetonamethylene, etc.)
You. Z Represents an anion residue.

1〜R7およびR1′〜R7′は、同一でも異なっても
よい。
R 1 to R 7 and R 1 ′ to R 7 ′ may be the same or different.

Aは、1価の有機残基を表わす。かかるAを含むジア
ズレニウム塩化合物の具体例としては下記一般式(1)
〜(11)で表わされるものを挙げることができる。ただ
し、式中のQ は下記のジアズレニウム塩核を示し、式
中のQ を除く右辺がAを示している。
 A represents a monovalent organic residue. Zia containing such A
Specific examples of the zurenium salt compound include the following general formula (1)
The following can be mentioned: However
Q in the formula Represents the following diazulenium salt nucleus and has the formula
Q inside The right side except for indicates A.

ジアズレニウム塩核(Q 式中、R1〜R7およびR1′〜R7′は前記で定義した
ものと同一の定義を有する。
Diazulenium salt nucleus (Q )  Where R1~ R7And R1'~ R7'Is defined above
It has the same definition as

式中R1〜R7およびR1′〜R7′は前記で定義したも
のと同一の定義を有する。
In the formula, R 1 to R 7 and R 1 ′ to R 7 ′ have the same definition as defined above.

式中R1″〜R7″は前記で定義したR1〜R7と同様の
定義を有する。
In the formula, R 1 ″ to R 7 ″ have the same definitions as R 1 to R 7 defined above.

はアニオン残基を表わし、例えば塩化イオン、臭
化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、硝酸
塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、P−トルエン
スルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸
塩イオン、プロピル硫酸塩イオン、テトラフルオロホウ
酸塩イオン、テトラフエニルホウ酸塩イオン、ヘキサフ
ルオロリン酸イオン、ベンゼンスルフイン酸塩イオン、
酢酸塩イオン、トリフルオロ酢酸塩イオン、プロピオン
酢酸塩イオン、安息香酸塩イオン、シュウ酸塩イオン、
コハク酸塩イオン、マロン酸塩イオン、オレイン酸塩イ
オン、ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、一水
素二リン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタ
クロロスズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フ
ルオロスルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホ
ン酸塩イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフ
ルオロアンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、
タングステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン
酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。
 Z Represents an anion residue, for example, chloride ion, odor
Iodide ion, iodide ion, perchlorate ion, nitric acid
Salt ion, benzenesulfonate ion, P-toluene
Sulfonate ion, methyl sulfate ion, ethyl sulfate
Salt ion, propyl sulfate ion, tetrafluoroboro
Salt ion, tetraphenyl borate ion, hexaf
Luorophosphate ion, benzenesulfinate ion,
Acetate ion, trifluoroacetate ion, propion
Acetate ion, benzoate ion, oxalate ion,
Succinate, malonate, oleate
On, stearate ion, citrate ion, mono water
Elemental diphosphate ion, dihydrogen-phosphate ion, penta
Chlorostannate ion, chlorosulfonate ion,
Luorosulfonate ion, trifluoromethanesulfone
Phosphate ion, hexafluoroarsenate ion, hexaf
Luoroantimonate ion, molybdate ion,
Tungstate ion, titanate ion, zircon
Represents an anion such as a salt ion.

8およびR9は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、アルキル基(メチル、エチル、プロピル、ブ
チルなど)又はアリール基(フエニル、トリル、キシリ
ルなどを表わし、nは0,1または2を表わす。
R 8 and R 9 are hydrogen atom, halogen atom, nitro group,
It represents a cyano group, an alkyl group (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) or an aryl group (phenyl, tolyl, xylyl, etc.), and n represents 0, 1 or 2.

式中R1〜R7およびR1′〜R7′は前記で定義したも
のと同一の定義を有し、またQ で示すジアズレニウム
塩核と一般式(4)における右辺のジアズレン塩核とは
対称であってもよく、または非対称であってもよい。
 R in the formula1~ R7And R1'~ R7'Is also defined above
Has the same definition as, and Q Diazirhenium
What is the salt nucleus and the diazulene salt nucleus on the right side of the general formula (4)?
It may be symmetrical or asymmetrical.

8,R9およびZ は前記で定義したものと同一の定義
を有し、nは0,1または2を表わす。
 R8, R9And Z Is the same definition as defined above
And n represents 0, 1 or 2.

式中R1〜R7,R1′〜R7′,R1″〜R7″、およびZ
は前記で定義したものと同一の定義を有する。またQ
で示すアズレニウム塩核と一般式(6)における右辺の
ジアズレン塩核とは対称であってもよくまたは非対称で
あってもよい。
 R in the formula1~ R7, R1'~ R7′, R1″ 〜R7″, And Z
Has the same definition as defined above. Also Q
Of the azurenium salt nucleus shown on the right side of the general formula (6)
May or may not be symmetrical with the diazulene salt nucleus
There may be.

式中R1〜R7,R1′〜R7′,R8およびZ は前記で定
義したものと同一の定義を有する。またQ で示すアズ
レニウム塩核と一般式(7)における右辺のシアズレン
塩核とは対称であってもよくまたは非対称であってもよ
い。
 R in the formula1~ R7, R1'~ R7′, R8And Z Is the same as above
Has the same definition as was meant. Also Q As shown by
Rhenium salt nuclei and siazulene on the right side of general formula (7)
It may be symmetrical or asymmetrical to the salt nucleus
Yes.

Aは、置換または未置換の5員もしくは6員環を形成
する2価の炭化水素基(例えば−CH2‐CH2‐,-CH2‐CH2
‐CH2−CH=CH−など)を表わし、これらの5員または6員の
ベンゼン環、ナフタレン環などと縮合されていてもよ
い。nおよびmは、1,2または3を表わす。
A is a divalent hydrocarbon group forming a 5-membered or 6-membered ring substituted or unsubstituted (for example -CH 2 -CH 2 -, - CH 2 -CH 2
-CH 2 , -CH = CH-, etc.) and may be condensed with a 5- or 6-membered benzene ring, naphthalene ring or the like. n and m represent 1, 2 or 3.

一般式(8),(9)の中でX1はピリジン、チアゾ
ール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール、オキサゾ
ール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、イミ
ダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、
2−キノリン、4−キノリン、イソキノリン又はインド
ールなどの含窒素複素環を完成するに必要な非金属原子
群を表わし、かかる複素環には、ハロゲン原子(塩素原
子、臭素原子、沃素原子)、アルキル基(メチル、エチ
ル、プロピル、ブチルなど)、アリール基(フエニル、
トリル、キシリルなど)などによって置換されていても
よい。R10はアルキル基(メチル、エチル、プロピル、
ブチルなど)、置換アルキル基(2−ヒドロキシエチ
ル、2−メトキシエチル、2−エトキシエチル、3−ヒ
ドロキシプロピル、3−メトキシプロピル、3−エトキ
シプロピル、3−クロロプロピル、3−プロモプロピ
ル、3−カルボキシプロピルなど)、環式アルキル基
(シクロヘキシル、シクロプロピル)、アリル、アラル
キル基(ベンジル、2−フエニルエチル、3−フエニル
プロピル、4−フエニルブチル、α−ナフチルメチル、
β−ナフチルメチル)、置換アラルキル基(メチルベン
ジル、エチルベンジル、ジメチルベンジル、トリメチル
ベンジル、クロロベンジル、プロモベンジルなど)、ア
リール基(フエニル、トリル、キシリル、α−ナフチ
ル、β−ナフチル)又は置換アリール基(クロロフエニ
ル、ジクロロフエニル、トリクロロフエニル、エチルフ
エニル、メトキシフエニル、ジメトキシフエニル、アミ
ノフエニル、ニトロフエニル、ヒドロキシフエニルな
ど)を表わす。mは0,1または2を表わしR8,R9,R11
およびZ は前記で定義したものと同一の定義を有す
る。
 X in the general formulas (8) and (9)1Is pyridine, thiazo
, Benzothiazole, naphthothiazole, oxazo
, Benzoxazole, naphthoxazole, imimi
Dazole, benzimidazole, naphthimidazole,
2-quinoline, 4-quinoline, isoquinoline or India
Non-metal atom necessary to complete a nitrogen-containing heterocycle such as
Representing a group, such heterocycles include halogen atoms (chlorine
Child, bromine atom, iodine atom), alkyl group (methyl, ethyl)
Group, propyl, butyl, etc.), aryl groups (phenyl,
Even if it is substituted with (tril, xylyl, etc.)
Good. RTenIs an alkyl group (methyl, ethyl, propyl,
Butyl, etc.), substituted alkyl groups (2-hydroxyethyl)
2-methoxyethyl, 2-ethoxyethyl, 3-hi
Droxypropyl, 3-methoxypropyl, 3-etoki
Cypropyl, 3-chloropropyl, 3-promopropyi
, 3-carboxypropyl, etc.), cyclic alkyl groups
(Cyclohexyl, cyclopropyl), allyl, aral
Kill group (benzyl, 2-phenylethyl, 3-phenyl)
Propyl, 4-phenylbutyl, α-naphthylmethyl,
β-naphthylmethyl), substituted aralkyl groups (methylben
Zil, ethylbenzyl, dimethylbenzyl, trimethyl
Benzyl, chlorobenzyl, promobenzyl, etc.)
Reel group (phenyl, tolyl, xylyl, α-naphthyl
Or β-naphthyl) or a substituted aryl group (chlorophenyl)
Le, dichlorophenyl, trichlorophenyl, ethyl
Phenyl, methoxyphenyl, dimethoxyphenyl, ami
Nophenyl, nitrophenyl, hydroxyphenyl
Represents). m represents 0, 1 or 2 and R8, R9, R11,
And Z Has the same definition as defined above
You.

式中R10は置換又は未置換のアリール基(フエニル、
トリル、キシリル、ビフエニル、α−ナフチル、β−ナ
フチル、アントラリル、ピレニル、メトキシフエニル、
ジメトキシフエニル、トリメトキシフエニル、エトキシ
フエニル、ジエトキシフエニル、クロロフエニル、ジク
ロロフエニル、トリクロロフエニル、ブロモフエニル、
ジブロモフエニル、トリブロモフエニル、エチルフエニ
ル、ジエチルフエニル、ニトロフエニル、アミノフエニ
ル、ジメチルアミノフエニル、ジエチルアミノフエニ
ル、ジベンジルアミノフエニル、ジプロピルアミノフエ
ニル、モルホリノフエニル、ピペリジニルフエニル、ピ
ペラジノフエニル、ジフエニルアミノフエニルアセチル
アミノフエニル、ベンゾイルアミノフエニル、アセチル
フエニル、ベンゾイルフエニル、シアノフエニルなど)
を表わす。Z は前記で定義したものと同一の定義を有
する。またmは0,1または2を表わす。
 R in the formulaTenIs a substituted or unsubstituted aryl group (phenyl,
Trilyl, xylyl, biphenyl, α-naphthyl, β-na
Futyl, anthralyl, pyrenyl, methoxyphenyl,
Dimethoxyphenyl, trimethoxyphenyl, ethoxy
Phenyl, diethoxyphenyl, chlorophenyl, dich
Lorophenyl, trichlorophenyl, bromophenyl,
Dibromophenyl, tribromophenyl, ethylphenyl
L, diethylphenyl, nitrophenyl, aminophenyl
L, dimethylaminophenyl, diethylaminophenyl
Le, dibenzylaminophenyl, dipropylaminophenyl
Nil, morpholinophenyl, piperidinyl phenyl,
Perazinophenyl, diphenylaminophenylacetyl
Aminophenyl, benzoylaminophenyl, acetyl
(Phenyl, benzoylphenyl, cyanophenyl, etc.)
Represents Z Has the same definition as defined above
I do. Further, m represents 0, 1 or 2.

式中、R13はフラン、チオフエン、ベンゾフラン、チ
オナフテン、ジベンゾフラン、カルバゾール、フエノチ
アジン、フエノキサジン、ピリジンなどの複素環から誘
導された1価の複素環基を表わし、Z は前記で定義し
たものと同一の定義を有する。またmは、1または2を
表わす。
 Where R13Is furan, thiophene, benzofuran,
Onaphthene, dibenzofuran, carbazole, phenothi
Derived from heterocycles such as azine, phenoxazine and pyridine
Represents a derived monovalent heterocyclic group, Is defined above
Has the same definition as In addition, m is 1 or 2
Represent.

式中、R14は、アルキル基(メチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなど)又は置換もしくは未置換のアリール基
(フエニル、トリル、キシリル、ビフエニル、エチルフ
エニル、クロロフエニル、メトキシフエニル、エトキシ
フエニル、ニトロフエニル、アミノフエニル、ジメチル
アミノフエニル、ジエチルアミノフエニル、アセチルア
ミノフエニル、α−ナフチル、β−ナフチル、アントラ
リル、ビレニルなど)を表わす。R12およびZ は、前
記で定義したものと同一の定義を有する。mは1または
2を表わす。
 Where R14Is an alkyl group (methyl, ethyl, propyl
Or butyl) or a substituted or unsubstituted aryl group
(Phenyl, tolyl, xylyl, biphenyl, ethyl
Phenyl, chlorophenyl, methoxyphenyl, ethoxy
Phenyl, nitrophenyl, aminophenyl, dimethyl
Aminophenyl, diethylaminophenyl, acetyl
Minophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, anthra
Lil, birenyl, etc.). R12And Z Is before
It has the same definition as defined above. m is 1 or
Represents 2.

式中、X2は置換されてもよいピラン、チアピラン、
セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチアピラン、ベン
ゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフトチアピラン又は
ナフトセレナピランを完成するに必要な原子群を示す。
lは、0又は1である。Yは、硫黄原子、酸素原子又は
セレン原子を表わす。R14およびR15は、水素原子(メ
チル、エチル、プロピル、ブチルなど)、アルコキシ基
(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、プトキシなど)、
置換若しくは未置換のアリール基(フエニル、トリル、
キシリル、クロロフエニル、ビフエニル、メトキシフエ
ニルなど)、置換若しくは未置換のスチリル基(スチリ
ル、p−メチルスチリル、o−クロロスチリル、p−メ
トキシスチリルなど)、置換若しくは未置換の4−フエ
ニル1、3−ブタジエニル基(4−フエニル1、3−ブ
タジニエル、4−(p−メチルフエニル)−1、3−ブ
タジエニルなど)又は置換若しくは未置換の複素環基
(キノリル、ピリジル、カルバゾリル、フリルなど)を
表わす。またR8,R9,mおよびZ は、前記に定義したも
のと同一の定義を有する。
 Where X2Is an optionally substituted pyran, thiapyran,
Serenapyran, Benzopyran, Benzothiapyran, Ben
Zoselenapyran, naphthopyran, naphthopyran or
The atomic groups necessary to complete naphthoselenapyran are shown below.
l is 0 or 1. Y is a sulfur atom, an oxygen atom or
Represents a selenium atom. R14And RFifteenIs a hydrogen atom (
(Cyl, ethyl, propyl, butyl, etc.), alkoxy groups
(Methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.),
A substituted or unsubstituted aryl group (phenyl, tolyl,
Xylyl, chlorophenyl, biphenyl, methoxyphenyl
Nil), a substituted or unsubstituted styryl group (styryl)
, P-methylstyryl, o-chlorostyryl, p-meth
Substituted or unsubstituted 4-phenol, etc.
Nyl 1,3-butadienyl group (4-phenyl 1,3-bu
Tadiniel, 4- (p-methylphenyl) -1,3-bu
Tadienyl, etc.) or substituted or unsubstituted heterocyclic group
(Quinolyl, pyridyl, carbazolyl, furyl, etc.)
Represent. Also R8, R9, m and Z Is also defined above
Has the same definition as

以下、本発明で用いるジアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙する。
Specific examples of the diazulenium salt compound used in the present invention are listed below.

前記一般式(1)で表わされる化合物の例 化合物No. 前記一般式(2)で表わされる化合物例 前記一般式(3)で表わされる化合物例 前記一般式(4)で表わされる化合物例 前記一般式(5)で表わされる化合物例 前記一般式(6)で表わされる化合物例 前記一般式(7)で表わされる化合物例 前記一般式(8)および(9)で表わされる化合物例 前記一般式(10)で表わされる化合物例 前記一般式(11)で表わされる化合物例 前記一般式(12)で表わされる化合物例 前記一般式(13)で表わされる化合物例 次に本発明で用いるジアズレニウム化合物の合成法に
ついて述べると、一般式(1)および(2)で表わされ
る化合物は、1,1−アズレニルメタン化合物とスクワリ
ック酸または、クロコン酸と適当な溶媒中で反応させる
ことによって容易に得ることができる。一般式(3)で
表わされる化合物は、1,1−アズレニルメタン化合物と
1−フォルミルアズレン化合物、3−アズレン−1′−
プロフェンアルデヒド化合物または3−アズレン−1′
−ペンタジエンアルデヒド化合物とを強酸の存在下で適
当な溶媒中で反応させることにより得られる。一般式
(4)で表わされる化合物は、1,1−アズレニルメタン
化合物とオルトアセタール類、オルトエステル類、マロ
ンジアルデヒド類またはグルタコンジアルデヒド類とを
強酸の存在下で適当な溶媒中で混合することによって得
られる。一般式(5)で表わされる化合物は、強酸の存
在下で1,1−アズレニルメタン化合物とグリオキザール
とを適当な溶媒中で加熱することによって得られる。一
般式(6)で表わされる化合物は、強酸の存在下で、1,
1−ビス−〔1−アズレニル〕−エタン化合物と1,3−ジ
フォルミルアズレン化合物とを適当な溶媒中で加熱する
ことにより得られる。一般式(7)で表わされる化合物
は、1,1−アズレニルメタン化合物とシクロペンタン類
またはシクロヘキサン類とを強酸の存在下で適当な溶媒
中で反応することにより得られる。一般式(8)で表わ
される化合物は、m=1または2の場合、1,1−ビス
〔1−アズレニル〕−エタンと下記一般式(14)で表わ
される化合物とを強酸の存在下で適当な溶媒中で反応さ
せることにより得られる。
Examples of compounds represented by the general formula (1) Compound No. Examples of compounds represented by the general formula (2) Examples of compounds represented by the general formula (3) Examples of compounds represented by the general formula (4) Examples of compounds represented by the general formula (5) Examples of compounds represented by the general formula (6) Examples of compounds represented by the general formula (7) Examples of compounds represented by the general formulas (8) and (9) Examples of compounds represented by the general formula (10) Examples of compounds represented by the general formula (11) Examples of compounds represented by the general formula (12) Examples of compounds represented by the general formula (13) Next, the synthetic method of the diazurhenium compound used in the present invention will be described. The compounds represented by the general formulas (1) and (2) are obtained by reacting a 1,1-azulenylmethane compound with squalic acid or croconic acid in a suitable solvent. It can be easily obtained. The compounds represented by the general formula (3) include 1,1-azurenylmethane compounds, 1-formylazulene compounds and 3-azulene-1'-
Profenaldehyde compound or 3-azulene-1 '
-Pentadiene aldehyde compound in the presence of a strong acid in a suitable solvent. The compound represented by the general formula (4) is prepared by mixing a 1,1-azurenylmethane compound and orthoacetals, orthoesters, malondialdehydes or glutacondialdehydes in the presence of a strong acid in a suitable solvent. Obtained by The compound represented by the general formula (5) can be obtained by heating a 1,1-azurenylmethane compound and glyoxal in the presence of a strong acid in a suitable solvent. The compound represented by the general formula (6) is, in the presence of a strong acid, 1,
It is obtained by heating a 1-bis- [1-azurenyl] -ethane compound and a 1,3-diformylazulene compound in a suitable solvent. The compound represented by the general formula (7) can be obtained by reacting a 1,1-azurenylmethane compound with cyclopentanes or cyclohexanes in the presence of a strong acid in a suitable solvent. For the compound represented by the general formula (8), when m = 1 or 2, 1,1-bis [1-azurenyl] -ethane and the compound represented by the following general formula (14) are suitable in the presence of a strong acid. It is obtained by reacting in a different solvent.

式中、X1,R8,R9,R10およびm,nは前記で定義したもの
と同一の定義を有する。また、m=0の場合は、下記一
般式(15)で表わされる化合物と下記一般式(16)で表
わされる化合物を適当な溶媒を用いて反応させることに
より得られる。
In the formula, X 1 , R 8 , R 9 , R 10 and m, n have the same definitions as defined above. When m = 0, it can be obtained by reacting the compound represented by the following general formula (15) with the compound represented by the following general formula (16) using a suitable solvent.

式中R1〜R7およびR1′〜R7′は前記で定義したも
のと同一の定義を有する。
In the formula, R 1 to R 7 and R 1 ′ to R 7 ′ have the same definition as defined above.

式中、X1,R10,Z 、およびnは前記で定義したもの
と同一の定義を有する。
 Where X1, RTen, Z , And n are as defined above
Has the same definition as

一般式(9)で表わされる化合物は、m=1また2の
場合、1,1−ビス〔1−アズレニル〕−エタンと下記一
般式(17)で表わされる化合物を強酸の存在下で適当な
溶媒中で反応させることにより得られる。
When m = 1 or 2, when the compound represented by the general formula (9) is 1,1-bis [1-azurenyl] -ethane and the compound represented by the following general formula (17) are suitable in the presence of a strong acid. Obtained by reacting in a solvent.

式中、X1,A,R8,R9,R10,R11およびm,nは前記で定義し
たものと同一の定義を有する。またm=0の場合は、前
記一般式(15)で表わされる化合物と下記一般式(18)
で表わされる化合物を適当な溶媒中で反応させることに
より得られる。
In the formula, X 1 , A, R 8 , R 9 , R 10 , R 11 and m, n have the same definitions as defined above. When m = 0, the compound represented by the general formula (15) and the following general formula (18)
It can be obtained by reacting a compound represented by: in a suitable solvent.

式中、X1,A,R10,R11,Z およびnは前記で定義した
ものと同一の定義を有する。
 Where X1, A, RTen, R11, Z And n are defined above
It has the same definition as

一般式(10),(11)または(12)で表わされる化合
物は、1,1−アズレニルメタンまたは1,1−ビス〔1−ア
ズレニル〕−エタンと対応するアルデヒド化合物とを強
酸の存在下で適当な溶媒中で混合することによって得ら
れる。
As the compound represented by the general formula (10), (11) or (12), 1,1-azurenylmethane or 1,1-bis [1-azurenyl] -ethane and a corresponding aldehyde compound are suitably used in the presence of a strong acid. It is obtained by mixing in various solvents.

一般式(13)で表わされる化合物は、m=1または2
の場合1,1−ビス〔1−アズレニル〕−エタンと下記一
般式(19)で表わされる化合物を強酸の存在下で適当な
溶媒中で反応させることにより得られる。
The compound represented by the general formula (13) has m = 1 or 2
In the case of 1, it is obtained by reacting 1,1-bis [1-azurenyl] -ethane with a compound represented by the following general formula (19) in the presence of a strong acid in a suitable solvent.

式中、X2,Y,R8,R9,R14,R15,mおよびlは前記で定義
したものと同一の定義を有する。またm=0の場合は、
前記一般式(15)で表わされる化合物と下記一般式(2
0)で表わされる化合物を適当な溶媒中で反応させるこ
とにより得られる。
In the formula, X 2 , Y, R 8 , R 9 , R 14 , R 15 , m and 1 have the same definitions as defined above. When m = 0,
The compound represented by the general formula (15) and the following general formula (2
It is obtained by reacting the compound represented by 0) in a suitable solvent.

式中、X2,Z ,R14,R15およびlは前記で定義したも
のと同一の定義を有する。
 Where X2, Z , R14, RFifteenAnd l are also defined above
Has the same definition as

用いられる反応溶媒としては、エタノール、ブタノー
ル、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセトニ
トリル、プロピオニトリル等のニトリル類、酢酸などの
有機カルボン酸類、無水酢酸などの酸無水物、ジオキサ
ン、テトラヒドロフランなどの脂環式エーテル類、など
が用いられる。また、ブタノール、ベンジルアルコール
などにベンゼンなどの芳香族炭化水素を混合することも
できる。反応中の温度は0℃〜沸点の範囲から選択でき
る。
Examples of the reaction solvent used include alcohols such as ethanol, butanol and benzyl alcohol, nitriles such as acetonitrile and propionitrile, organic carboxylic acids such as acetic acid, acid anhydrides such as acetic anhydride, dioxane and alicyclic rings such as tetrahydrofuran. Formula ethers and the like are used. It is also possible to mix butanol, benzyl alcohol, etc. with an aromatic hydrocarbon such as benzene. The temperature during the reaction can be selected from the range of 0 ° C to the boiling point.

本発明の光学的記録媒体は、例えば第1図に示すごと
き構造とすることができる。同図に示す光学的記録媒体
は、基板1上に前記一般式〔I〕,〔II〕または〔II
I〕で示される化合物を含有させた有機薄膜である記録
層2を設けることによって形成できる。かかる記録層2
は、前記の一般式〔I〕,〔II〕または〔III〕で示さ
れる化合物を真空蒸着するかまたは、有機溶媒中に溶解
もしくは、分散させた塗工液を塗布することによって形
成することができる。
The optical recording medium of the present invention can have a structure as shown in FIG. 1, for example. The optical recording medium shown in the figure has the above-mentioned general formula [I], [II] or [II] on the substrate 1.
It can be formed by providing the recording layer 2 which is an organic thin film containing the compound represented by the formula [I]. Recording layer 2
Can be formed by vacuum-depositing the compound represented by the above general formula [I], [II] or [III], or by applying a coating liquid dissolved or dispersed in an organic solvent. it can.

また記録層2の形成にあたって、前記一般式〔I〕,
〔II〕または〔III〕で示される化合物を2種以上組合
せて用いることができ、さらに、他の染料例えば、前記
一般式〔I〕,〔II〕または〔III〕の化合物以外のジ
アズレン系、アズレン例、ポリメチン系、ピリリウム
系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリフェニルメ
タン系、キサンテン系、アントラキノン系、シアニン
系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テトラヒドロ
コリン系、トリフェノチアジン系、フェナンスレン系、
金属キレート錯体系染料など、あるいは、金属および金
属化合物など、例えばAl,Te,Bi,Sn,In,Se,SnO,TeO2,As,
Cdなどと混合分散あるいは積層してもよい。
Further, in forming the recording layer 2, the general formula [I],
Two or more compounds represented by [II] or [III] can be used in combination, and further other dyes, for example, diazulene compounds other than the compounds of the above general formulas [I], [II] or [III], Examples of azulene, polymethine, pyrylium, squarylium, croconium, triphenylmethane, xanthene, anthraquinone, cyanine, phthalocyanine, dioxazine, tetrahydrocholine, triphenothiazine, phenanthrene,
Metal chelate complex dyes, etc., or metals and metal compounds, such as Al, Te, Bi, Sn, In, Se, SnO, TeO 2 , As,
It may be mixed and dispersed or laminated with Cd or the like.

また、前記一般式〔I〕,〔II〕または〔III〕の化
合物をバインダー中に分散状態または溶解状態で含有さ
れていてもよい。例えば、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セ
ルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエス
テル類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロピ
ルセルロース、ブチルセルロース、などのセルロースエ
ーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビ
ニル樹脂類、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレ
ン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエ
ン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビ
ニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタク
リレート、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリ
レート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアク
リルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂
類、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル
類、ポリ(4,4′−イソプロピリデンジフエニレン−コ
−1,4−シクロヘキシレンジメチレンカーボネート)、
ポリ(エチレンジオキシ−3,3′−フエニレンチオカー
ボネート)、ポリ(4,4′−イソプロピリデンジフエニ
レンカーボネート−コ−テレフタレート)、ポリ(4,
4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート)、
ポリ(4,4′−sec−ブチリデンジフエニレンカーボネー
ト)、ポリ(4,4′−イソプロピリデンジフエニレンカ
ーボネート−ブロック−オキシエチレン)などのポリア
リレート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド
類、エポキシ樹脂類、フエノール樹脂類、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオ
レフイン類などを用いることができる。
Further, the compound of the general formula [I], [II] or [III] may be contained in the binder in a dispersed state or a dissolved state. For example, nitrocellulose, cellulose phosphate, cellulose sulfate, cellulose acetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose myristate, cellulose palmitate, cellulose acetate / propionate, cellulose esters such as cellulose acetate / butyrate, methyl cellulose, ethyl cellulose, Propyl cellulose, butyl cellulose, and other cellulose ethers, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal,
Polyvinyl alcohol, polyvinyl resins such as polyvinylpyrrolidone, styrene-butadiene copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene-acrylonitrile copolymer, copolymer resins such as vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, poly Acrylic resins such as butyl acrylate, polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyacrylamide, polyacrylonitrile, polyesters such as polyethylene terephthalate, poly (4,4'-isopropylidene diphenylene-co-1,4-cyclohexyl) (Range methylene carbonate),
Poly (ethylenedioxy-3,3'-phenylene thiocarbonate), poly (4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate-co-terephthalate), poly (4,4
4'-isopropylidene diphenylene carbonate),
Polyarylate resins such as poly (4,4'-sec-butylidene diphenylene carbonate) and poly (4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate-block-oxyethylene), or polyamides, polyimides, epoxies Resins, phenolic resins, polyolefins such as polyethylene, polypropylene and chlorinated polyethylene can be used.

また、記録層2中に界面活性剤、帯電防止剤、安定
剤、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤などが含有されてい
てもよい。
Further, the recording layer 2 may contain a surfactant, an antistatic agent, a stabilizer, a dispersant, a flame retardant, a lubricant, a plasticizer and the like.

塗工の際に使用できる有機溶剤は、分散状態とする
か、あるいは、溶解状態にするかによって異なるが、一
般にメタノール、エタノール、イソプロパノール、ジア
セトンアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベン
ゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類、あるいはn−
ヘキサン、シクロヘキサン、リグロインなどの脂肪族炭
化水素類などを用いることができる。
The organic solvent that can be used during coating varies depending on whether it is in a dispersed state or in a dissolved state, but generally, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, diacetone alcohol, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. Ketones, N,
N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and other amides, dimethyl sulfoxide and other sulfoxides, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol monomethyl ether and other ethers, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and other esters, chloroform , Methylene chloride, dichloroethylene, carbon tetrachloride, trichloroethylene and other aliphatic halogenated hydrocarbons, benzene, toluene, xylene, monochlorobenzene, dichlorobenzene and other aromatic compounds, or n-
Aliphatic hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, and ligroin can be used.

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、プレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
The coating can be performed using a coating method such as a dip coating method, a spray coating method, a spinner coating method, a bead coating method, a Meyer bar coating method, a blade coating method, a roller coating method, and a curtain coating method.

記録層2の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は50Å〜100μ
m好ましくは200Å〜1μmが適当である。
The recording layer 2 has a dry film thickness or vapor deposition film thickness of 50Å to 100μ.
m is preferably 200Å to 1 μm.

基板1としては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラ
スチック、ガラスあるいは金属類などを用いることがで
きる。
As the substrate 1, polyester, acrylic resin, polycarbonate resin, polyolefin resin, phenol resin, epoxy resin, polyamide, plastics such as polyimide, glass, metals or the like can be used.

また本発明は第2図から第4図に示すように、下引き
層および1または保護層4を設けた構成にすることもで
きる。
Further, the present invention can also be configured to have an undercoat layer and 1 or a protective layer 4, as shown in FIGS. 2 to 4.

下引き層は(a)接着性の向上、(b)水またはガス
などのバリヤー、(c)記録層の保存安定性の向上、
(d)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護およ
び(f)プレグループの形成などを目的として設けられ
る。(a)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノ
マー樹脂、アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、
シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラン
カップリング剤などの種々の物質を用いることができ、
(b)、(c)の目的に対しては上記高分子材料以外に
無機化合物例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、ZnO、TiN、S
iNなど、金属または半金属例えばZn、Cu、S、Ni、Cr、
Ge、Se、Cd、Ag、Alなどを用いることができる。(d)
の目的に対しては金属例えばAl、Agなどまたは金属光沢
を有する有機薄膜例えばジアズレン染料、メチン染料な
どを用いることができ、そして(e)、(f)の目的に
対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂
などを用いることができる。下引き層の膜厚は50Å〜10
0μm好ましくは200Å〜30μmが適当である。また、保
護層はキズ、ホコリ、汚れなどからの保護および記録層
の保存安定性の向上および反射率の向上を目的として設
けられ、その材料としては下引き層と同じ材料を使用す
ることができる。保護層の膜厚は50Å好ましくは30μm
以上が適当である。この際、下引き層および/または保
護層中には本発明の上記一般式〔I〕〔II〕または〔II
I〕の化合物が含有されていてもよい。また、下引き層
または保護層には安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤などが含有されていてもよ
い。
The undercoat layer has (a) improved adhesion, (b) water or gas barrier, (c) improved storage stability of the recording layer,
It is provided for the purpose of (d) improving the reflectance, (e) protecting the substrate from a solvent, and (f) forming a pre-group. For the purpose of (a), a polymer material such as an ionomer resin, an amide resin, a vinyl resin, a natural polymer,
Various materials such as silicone and liquid rubber or various substances such as silane coupling agent can be used,
For the purposes of (b) and (c), in addition to the above polymeric materials, inorganic compounds such as SiO 2 , MgF 2 , SiO, TiO 2 , ZnO, TiN, S
Metals or semi-metals such as iN such as Zn, Cu, S, Ni, Cr,
Ge, Se, Cd, Ag, Al, etc. can be used. (D)
For the purpose of, a metal such as Al, Ag or the like or an organic thin film having a metallic luster such as diazulene dye, methine dye or the like can be used, and for the purposes of (e) and (f), an ultraviolet curable resin, A thermosetting resin, a thermoplastic resin or the like can be used. The thickness of the undercoat layer is 50Å-10
0 μm, preferably 200 to 30 μm is suitable. The protective layer is provided for the purpose of protecting it from scratches, dust, dirt, etc., and improving the storage stability and reflectance of the recording layer. As the material thereof, the same material as that of the undercoat layer can be used. . The thickness of the protective layer is 50Å, preferably 30 μm
The above is appropriate. At this time, the above-mentioned general formula [I] [II] or [II] of the present invention is contained in the undercoat layer and / or the protective layer.
The compound of I] may be contained. Further, the undercoat layer or the protective layer may contain a stabilizer, a dispersant, a flame retardant, a lubricant, an antistatic agent, a surfactant, a plasticizer and the like.

さらに、本発明による光学的記録媒体の別の構成とし
ては、第1図から第4図に示した同一構成の2枚の記録
媒体(場合によりその1枚を基板のみとして)を用い有
機薄膜である記録層2を内側に配置して密封したいわゆ
るエアーサンドイッチ構造にしてもよいし、保護層4を
会して接着したいわゆる密着構造(貼り合せ構造)にし
てもよい。
Further, as another constitution of the optical recording medium according to the present invention, two recording mediums of the same constitution shown in FIGS. 1 to 4 (in some cases, one of them is used only as a substrate) are used as an organic thin film. A so-called air sandwich structure in which a certain recording layer 2 is disposed inside and sealed may be used, or a so-called close contact structure (bonding structure) in which the protective layer 4 is bonded and bonded.

本発明の光学的記録媒体は、アルゴンレーザ(発振波
長488nm)、ヘリウム−ネオンレーザ(発振波長633n
m)、ヘリウム−カドミウムレーザ(発振波長442nm)な
どのガスレーザーの照射によって記録することも可能で
ある。
The optical recording medium of the present invention includes an argon laser (oscillation wavelength 488 nm), a helium-neon laser (oscillation wavelength 633n).
It is also possible to record by irradiation with a gas laser such as m) or a helium-cadmium laser (oscillation wavelength 442 nm).

また、SHG素子などを用いてレーザ光の2分の1の波
長光の照射でも記録可能であるが、好ましくは650nm以
上の波長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウム
−ヒ素半導体レーザ(発振波長830nm)などの近赤外あ
る赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によっ
て記録する方法が適している。また、読み出しのために
は、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことがで
き、また異なる波長のレーザで行なうことができる。
Recording can also be performed by irradiation with light having a wavelength half the laser light using an SHG element or the like, but preferably a laser having a wavelength of 650 nm or more, particularly a gallium-aluminum-arsenic semiconductor laser (oscillation wavelength 830 nm) A method of recording by irradiating a laser beam having an oscillation wavelength in a certain infrared region such as near infrared is suitable. Further, the laser beam described above can be used for reading. On this occasion,
Writing and reading can be performed with lasers of the same wavelength, or with lasers of different wavelengths.

以下本発明を実施例に従って詳細に説明するがこれら
に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in detail according to examples, but the invention is not limited thereto.

実施例1 直径130mmφ、厚さ1.2mmのポリメチルメタクリレート
(以下「PMMA」と略記)基板上に、エポキシ−アクリレ
ート系紫外線硬化樹脂を用いて2P法(フォト・ポリマー
法)で厚さ50μのプレグルーブを設け、その上に前記化
合物No.(17)2重量部をジクロルエタン98重量部に溶
解させた液をスピナー塗工法により塗布した後、乾燥し
て800Åの有機薄膜記録層を得た。
Example 1 On a polymethylmethacrylate (hereinafter abbreviated as "PMMA") substrate having a diameter of 130 mmφ and a thickness of 1.2 mm, an epoxy-acrylate-based UV curable resin was used to perform a 2P method (photopolymer method) and a thickness of 50 μm. A groove was provided, and a solution prepared by dissolving 2 parts by weight of the compound No. (17) in 98 parts by weight of dichloroethane was applied on the groove by a spinner coating method, and then dried to obtain an 800 Å organic thin film recording layer.

こうして作製した光学的記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで1800rpmに回転
させて、発振波長を830nmの半導体レーザを用いて基板
側より、有機薄膜記録層にスポットサイズ1.5μmφ、
記録パワー6mW、記録周波数2HMzで情報を書き込み、読
み出しパワー0.8mWで再生し、その再生波形をスペクト
ル解析(スキャニングフィルター・バンド幅30kHz)し
てC/N比(キャリヤ/ノイズ比)を測定した。
The optical recording medium thus prepared was mounted on a turntable, the turntable was rotated by a motor to 1800 rpm, and a semiconductor laser with an oscillation wavelength of 830 nm was used to form a spot size of 1.5 μmφ on the organic thin film recording layer from the substrate side.
Information was written at a recording power of 6 mW and a recording frequency of 2 HMz, reproduced at a read power of 0.8 mW, and the reproduced waveform was subjected to spectrum analysis (scanning filter bandwidth 30 kHz) to measure the C / N ratio (carrier / noise ratio).

次に、同じ記録媒体を前記測定条件で記録した部分を
繰り返し105回読み出した後のC/N比を測定した。
Next, the C / N ratio was measured after the portion of the same recording medium recorded under the above measurement conditions was repeatedly read 10 5 times.

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を60℃、
95%RHの条件下に2000時間放置して環境保存安定性試験
を行なった後の透過率(T(%):830nm測定)およびC/
N比を測定した。また、同一の記録媒体に1000W/m2(300
〜900nm)のキセノンランプ光を70時間照射して、耐光
安定性試験を行なった後の透過率(T(%):830nm測
定)およびC/N比を測定した。その結果を表−1に示
す。
Further, the same recording medium produced under the above conditions was 60 ° C.
Transmittance (T (%): 830 nm measurement) and C / after carrying out environmental preservation stability test by leaving it for 2000 hours under the condition of 95% RH
The N ratio was measured. In addition, 1000 W / m 2 (300
(About 900 nm) was irradiated for 70 hours with a xenon lamp, and a light resistance stability test was performed, and then the transmittance (T (%): 830 nm measurement) and the C / N ratio were measured. The results are shown in Table-1.

実施例2〜15 実施例1で用いた化合物No.(17)を表−2に示すそ
れぞれの化合物にかえて実施例1と同様の方法で記録媒
体を作製し、それぞれ実施例2〜15の光学的記録媒体を
作製した。
Examples 2 to 15 Compounds No. (17) used in Example 1 were replaced with the respective compounds shown in Table 2 to prepare recording media in the same manner as in Example 1, and the recording media of Examples 2 to 15 were prepared. An optical recording medium was produced.

上記実施例2〜15の光学的記録媒体を実施例1と同様
の方法で測定し、その結果を表−2に示す。
The optical recording media of Examples 2 to 15 were measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 2.

実施例16,17 下記化合物No.(73)および(74)と前記化合物No.
(17)とをそれぞれ1:1の重量比でジクロルエタンに混
合し、実施例1と同様の方法で塗布し、乾燥膜厚750Å
の有機薄膜である記録層を設け、それぞれ実施例16,17
の光学的記録媒体を作製した。こうして作製した実施例
16,17の光学的記録媒体を実施例1と同様の方法で測定
し、その結果を表−3に示す。
Examples 16 and 17 The following compound Nos. (73) and (74) and the compound No.
(17) and (17) were mixed with dichloroethane in a weight ratio of 1: 1 and coated in the same manner as in Example 1 to give a dry film thickness of 750Å
The recording layer, which is an organic thin film of
The optical recording medium of was produced. Example thus prepared
The optical recording media 16 and 17 were measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 3.

(比較例1) 実施例17で用いた化合物No.(17)を除いた以外は実
施例16と同様の方法で光学的記録媒体を作製し測定し
た。その結果を表−3に示す。
Comparative Example 1 An optical recording medium was prepared and measured in the same manner as in Example 16 except that the compound No. (17) used in Example 17 was omitted. The results are shown in Table-3.

実施例18 前記化合物No.(2)2重量部とニトロセルロース樹
脂(オーハレスラッカー、ダイセル化学(株)製)1重
量部をメチルエチルケトン97重量部に混合させた液をス
ピナー塗布法によりプレグループを設けた直径130mmφ
厚さ1.2mmのPMMA基板上に塗布し、乾燥膜厚1000Åの有
機薄膜記録層を得た。
Example 18 2 parts by weight of the compound No. (2) and 1 part by weight of nitrocellulose resin (Ohaless lacquer, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) were mixed with 97 parts by weight of methyl ethyl ketone to prepare a pregroup by a spinner coating method. Provided diameter 130 mmφ
It was applied on a 1.2 mm thick PMMA substrate to obtain an organic thin film recording layer having a dry film thickness of 1000 liters.

こうして作製した光学的記録媒体を実施例1と同様の
方法で測定し、その結果を表−4に示す。
The optical recording medium thus manufactured was measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 4.

実施例19〜25 実施例18で用いた化合物No.(2)を前記化合物No.
(16),(26),(31)(36),(44),(53),(6
6)にかえて、実施例18と同様の方法で記録媒体を作製
し、それぞれ実施例19〜25の光学的記録媒体を作製し
た。
Examples 19 to 25 Compound No. (2) used in Example 18 was replaced with the above compound No.
(16), (26), (31) (36), (44), (53), (6
Instead of 6), recording media were prepared in the same manner as in Example 18, and optical recording media of Examples 19 to 25 were prepared.

上記実施例19〜25の光学的記録媒体を実施例18と同様
の方法で測定し、その結果を表−4に示す。
The optical recording media of Examples 19 to 25 were measured in the same manner as in Example 18, and the results are shown in Table 4.

実施例26,27 前記の化合物No.(1)およびNo.(22)の化合物500m
gを蒸着用モリブデンボードに入れ、1×10-6mmHg以下
に排気した後、プレグルーブを設けた直径130mmφ厚さ
1.2mmのPMMA基板上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧
力が10-5mmHg以上に上昇しない様にヒータを制御しなが
ら950Åの有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例26,
27の光学的記録媒体を作製した。
Examples 26 and 27 Compounds of the above compounds No. (1) and No. (22) 500 m
After putting g into a molybdenum board for vapor deposition and evacuating to 1 × 10 -6 mmHg or less, a diameter of 130 mmφ with a pre-groove
It was vapor-deposited on a 1.2 mm PMMA substrate. During vapor deposition, a 950 Å organic thin film recording layer was formed while controlling the heater so that the pressure in the vacuum chamber did not rise above 10 -5 mmHg.
Twenty-seven optical recording media were made.

こうして作製した光学的記録媒体を実施例1と同様の
方法で測定し、その結果を表−5に示す。
The optical recording medium thus manufactured was measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table-5.

実施例28 ウォーレットサイズの厚さ0.4mmポリカーボネート
(以下「PC」と略記)基板上に、熱プレス法によりプレ
グループを設け、その上に前記化合物No.(26)をジア
セトンアルコール96重量部に混合させた液をバーコート
法により塗布した後、乾燥して900Åの有機薄膜記録層
を得た。さらにその上にエチレン−酢ビドライフィルム
を介してウォーレットサイズの厚さ0.3mmのPC基板と熱
ロール法により密着構造の実施例28の光学的記録媒体を
作製した。
Example 28 A wallet-sized 0.4 mm polycarbonate (hereinafter abbreviated as “PC”) substrate was provided with a pregroup by a hot pressing method, and the compound No. (26) was added thereto with 96 parts by weight of diacetone alcohol. The solution mixed with was applied by a bar coat method and then dried to obtain a 900 Å organic thin film recording layer. Further, an optical recording medium of Example 28 having a close contact structure was prepared by a hot roll method and a wallet-sized PC substrate having a thickness of 0.3 mm with an ethylene-vinyl acetate dry film interposed therebetween.

こうして作製した実施例28の光学的記録媒体をX−Y
方向に駆動するステージ上に取り付け、発振波長830nm
の半導体レーザを用いて厚さ0.4mmのPC基板側より有機
薄膜記録層にスポットサイズ30μmφ、記録パワー4.0m
W、記録パルス80μsecでY軸方向に情報を書き込み、読
み出しパワー0.4mWで再生し、そのコントラスト比 さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例1
と同様の条件の環境保存安定性試験、および耐光安定性
試験を行ない、その後の透過率およびコントラスト比を
測定した。その結果を表−6に示す。
The optical recording medium of Example 28 thus prepared was used as XY
Mounted on stage driven in the direction, oscillation wavelength 830nm
With a semiconductor laser of 0.4 mm, a spot size of 30 μmφ and recording power of 4.0 m on the organic thin film recording layer from the PC substrate side of 0.4 mm thickness
Information is written in the Y-axis direction with W and a recording pulse of 80 μsec and reproduced with a read power of 0.4 mW, and the contrast ratio Furthermore, the same recording medium produced under the above conditions was used in Example 1.
An environmental storage stability test and a light stability test were performed under the same conditions as above, and then the transmittance and the contrast ratio were measured. The results are shown in Table-6.

上述のように、本発明の光学的記録媒体は、以下の顕
著な効果を得ることができる。
As described above, the optical recording medium of the present invention can obtain the following remarkable effects.

(1) レーザ光の発振波長に大きな吸収および反射特
性を有し特に半導体レーザの長波長発振レーザを用いて
高い記録再生特性を得ることができる。
(1) It has a large absorption and reflection characteristic at the oscillation wavelength of the laser light, and in particular, high recording and reproduction characteristics can be obtained by using a long wavelength oscillation laser of a semiconductor laser.

(2) 良好なピット形状を形成でき、高いC/N比が得
られる。
(2) A good pit shape can be formed and a high C / N ratio can be obtained.

(3) 熱および光に対する安定性が高く、保存性に優
れ、再生劣化の少ない記録媒体が得られる。
(3) A recording medium having high stability to heat and light, excellent storage stability, and little deterioration in reproduction can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図〜第4図は、本発明の光学的記録媒体の構成を示
す断面図である。 1……基板、2……記録層、3……下引き層、4……保
護層。
1 to 4 are sectional views showing the structure of the optical recording medium of the present invention. 1 ... Substrate, 2 ... Recording layer, 3 ... Undercoat layer, 4 ... Protective layer.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−140887(JP,A) 特開 昭62−140888(JP,A) 特開 昭62−141537(JP,A) 特開 昭62−141654(JP,A) 特開 昭62−142688(JP,A) 特開 昭63−312186(JP,A)Continuation of front page (56) Reference JP 62-140887 (JP, A) JP 62-140888 (JP, A) JP 62-141537 (JP, A) JP 62-141654 (JP , A) JP 62-142688 (JP, A) JP 63-312186 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基体上に記録層を設けた光学的記録媒体に
おいて、その記録層が、下記一般式[I],[II]また
は[III]で表わされるジアズレニウム塩化合物の1種
または2種以上を含む有機薄膜であることを特徴とする
光学的記録媒体。 (但し、一般式[I],[II]および[III]におい
て、R1〜R7およびR1′〜R7′は水素原子、ハロゲン
原子、または1価の有機残基を表わし、またはR1
2、R2とR3、R3とR4、R4とR5、R5とR6、R6
7、R1′とR2′、R2′とR3′、R3′とR4′、
4′とR5′、R5′とR6′、およびR6′とR7′の組
み合わせのうち少なくとも1つの組み合わせで置換また
は未置換の縮合環を形成してもよい。Aは1価の有機残
基を表わし、Z はアニオン残基を表わす。)
1. An optical recording medium having a recording layer provided on a substrate.
The recording layer has the following general formulas [I], [II]
Is one of the diazulenium salt compounds represented by [III]
Or an organic thin film containing two or more kinds
Optical recording medium. (However, in general formulas [I], [II] and [III],
And R1~ R7And R1'~ R7′ Is a hydrogen atom, halogen
Represents an atom or a monovalent organic residue, or R1When
R2, R2And R3, R3And RFour, RFourAnd RFive, RFiveAnd R6, R6When
R7, R1'And R2′, R2'And R3′, R3'And RFour′,
RFour'And RFive′, RFive'And R6'And R6'And R7′ Set
Replace with at least one of the combinations
May form an unsubstituted fused ring. A is a monovalent organic residue
Represents a group, Z Represents an anion residue. )
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