JPH08130226A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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JPH08130226A
JPH08130226A JP6268855A JP26885594A JPH08130226A JP H08130226 A JPH08130226 A JP H08130226A JP 6268855 A JP6268855 A JP 6268855A JP 26885594 A JP26885594 A JP 26885594A JP H08130226 A JPH08130226 A JP H08130226A
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JP
Japan
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wire
bonding
bonding point
protrusion
semiconductor chip
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Takafumi Nakai
隆文 中居
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤの垂れ下がりや隣接するワイヤとの接
触を防止できるワイヤボンディング装置の提供。 【構成】 半導体チップの電極である第１ボンディング
点とリードフレームのリード内端部分の第２ボンディン
グ点間をネイルヘッドワイヤボンディングによってワイ
ヤを張るワイヤボンディング装置であって、前記第１ボ
ンディング点と第２ボンディング点との間において前記
第１ボンディング点の近傍に第１突出部が配設されてい
るとともに、第２ボンディング点近傍に第２突出部が配
設されている。前記第１突出部の上端はワイヤが第１ボ
ンディング点側に跳ね返るように、たとえば、４５度程
度の傾斜面を有している。また、前記第１突出部および
第２突出部の上端面には前記半導体チップの中心を略中
心として放射状に延在する前記ワイヤを案内する溝が複
数設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング装置
に関し、特にネイルヘッドワイヤボンディング技術に適
用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体チッ
プの電極と、リードあるいはピンと呼称される外部端子
との間を金線等からなるワイヤで接続する工程がある。
この工程においては、ワイヤボンディング装置が使用さ
れている。ワイヤボンディング装置については、たとえ
ば、「機械設計」第28巻、第13号 (1984年11月臨時増刊
号）、Ｐ26〜Ｐ30に記載されている。この文献には、サ
ーモソニックボンディングにおいて、電極とリード間を
接続し終わったワイヤの形状（ループ形状と呼称）が重
要であること、ループを高くするためにリバースモーシ
ョンと呼ばれるワイヤ引き回し手段があること、さらに
はループの長さが長いと、垂れ下がってリードフレーム
などに短絡するおそれが生じる等のことが記載されてい
る。
【０００３】また、同文献にはツールから引き出される
ワイヤに関して次のように記載されている。すなわち、
「これは図３に示すように，ツールから引き出されるワ
イヤの方向がツールに対し４５°以上となると，ツール
とワイヤの間の摩擦が増えて，ワイヤに望ましくない
“くせ”がつくなど，ループ形状に悪い影響を与えるか
らである。このため，通常５ｍｍ以上の高さまで持ち上
げられる。この高さは通常，ループに必要な長さより長
いのでツール下降の際，ワイヤはクランパなどのテンシ
ョン機構により，ツール内に引き戻される。このツール
内の往復運動によって，金線は不規則なストレスを受け
ることになりやすい。なお、高いループ形状を得るため
には図４に示すようにツール近傍のワイヤに上向きの弧
状の“くせ”がつくことと，ツールの接合面に接する前
にこの“くせ”の部分に残るひずみを利用して，ワイヤ
を持ち上げられるだけの平らな部分が接合点の近傍に存
在することが必要と考えられる。」旨記載されている。
【０００４】一方、工業調査会発行「電子材料別冊
号」、平成４年11月20日発行、P132〜P135の「ワイヤボ
ンダ」において、「半導体チップの縮小化, 多ピン化,
リードフレームの共有化が進む中で, ボンディングワイ
ヤの長いループ化も急速なピッチで進んできており，６
ｍｍを越えるループ長をもつデバイスへの対応も要求さ
れてきている。………また最近は長ワイヤでの低ループ
形成技術の向上が要求されるようになってきている。」
旨記載されている。また、工業調査会発行「電子材料別
冊号」平成３年11月22日発行、Ｐ92〜Ｐ97は、ワイヤ直
径が３０μｍのものを使用して、４〜６ｍｍに及ぶワイ
ヤ張りが可能なワイヤボンダについて記載されている。
また、この文献には、チップや隣接ワイヤとの接触をル
ープ形状で避けるボンディング方法についても記載され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置における多
ピン化によって、ループ形状は長くなる傾向にあり、旧
来設備ではワイヤの垂れ下がりを防止し難くなって来て
いる。また、ワイヤ張りに使用するワイヤは、２５〜２
７ｍｍ直径あるいはさらに細いワイヤが使用されてお
り、一層ワイヤは垂れ下がり易くなっている。
【０００６】このため、本出願人においては、半導体チ
ップの電極部分である第１ボンディング点と、リードの
内端部分である第２ボンディング点間に突出部を配置し
て、ワイヤの垂れ下がりを防止する技術を採用してい
る。しかし、この構造では、ワイヤ張り間隔が４〜７ｍ
ｍと長くなると、前記突出部が外された状態でワイヤの
垂れ下がりが起き易くなる。
【０００７】一方、従来では、前記文献にも記載されて
いるように、第１ボンディング部分上でワイヤをワイヤ
張りの方向とは逆の方向に一回移動させて、第１ボンデ
ィング点上でのワイヤの張りの高さを増長（以下このよ
うなワイヤの張りの高さを稼ぐ形状にすることをエフェ
クトと呼称する）させるリバースモーションが採用され
ている。しかし、このリバースモーションによるループ
形状の形成では、第１ボンディング点でのネックの負荷
が大きくなり劣化が生じ易くなる。また、リバースモー
ションでは、ワイヤの張る方向とは逆の方向にワイヤを
移動させてエフェクトを形成する動作が必要となり、エ
フェクト形成の分だけワイヤ張り時間が長くなってしま
う。
【０００８】そこで、本発明者は第１ボンディング点と
第２ボンディング点間に漫然と突出部を設けることな
く、前記文献で記載されているツール（キャピラリ）か
ら突出する部分の反り返り部分（前記文献で言うところ
の“くせ”）を利用し、第１ボンディング点近傍で第１
突出部に前記反り返り部分を当ててその反発による跳ね
返り性（バウンド）を利用してワイヤの立ち上がり部分
のループ形状を高く戻すことを考え本発明をなした。
【０００９】他方、リード数の増大によって、隣接する
ワイヤの間隔は狭くなる。このため、ワイヤが横方向に
曲がる（カール）すると、ワイヤ間ショートが発生して
しまう。
【００１０】本発明の目的は、ワイヤの垂れ下がりが起
き難い適正なループ形状を形成できるワイヤボンディン
グ装置を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、ワイヤのカールによ
る隣接ワイヤとの接触を防止できるワイヤボンディング
装置を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のワイヤボンディ
ング装置は、半導体チップの電極である第１ボンディン
グ点とリードフレームのリード内端部分の第２ボンディ
ング点間をネイルヘッドワイヤボンディングによってワ
イヤを張るワイヤボンディング装置であって、前記第１
ボンディング点と第２ボンディング点との間において前
記第１ボンディング点の近傍に第１突出部が配設されて
いるとともに、第２ボンディング点近傍に第２突出部が
配設されている構造となっている。前記第１突出部の上
端はワイヤが第１ボンディング点側に跳ね返るように、
たとえば、４５度程度の傾斜面を有している。また、前
記第１突出部および第２突出部の上端面には前記半導体
チップの中心を略中心として放射状に延在する前記ワイ
ヤを案内する溝が複数設けられている。前記第１突出部
では先端の一部に溝が設けられ、第２突出部では先端全
体に溝が設けられている。また、前記第１突出部は第２
突出部よりも高くなり、かつ前記半導体チップの電極の
高さよりも高くなっている。また、前記第１突出部およ
び第２突出部は、前記リードフレームを載置するヒート
ステージ上に一体的に形成されているとともに、前記ヒ
ートステージはリードフレームの移送時、前記第１突出
部および第２突出部とリードフレームが接触しないよう
に下降する構造となっている。
【００１４】
【作用】上記した手段によれば、本発明のワイヤボンデ
ィング装置は、半導体チップの電極である第１ボンディ
ング点と、リード内端である第２ボンディング点間にお
いて、第１ボンディング点に近接した位置に第１突出部
が設けられているため、ワイヤ張りの際、キャピラリか
ら突出しかつ曲線を描く部分は、第１突出部の傾斜面に
弾力的に当たって跳ね返るため、一度低くなろうとする
ワイヤの立ち上がり角度は再び大きくなる。したがっ
て、ワイヤネック部分に大きな力が加わり難くなり、ワ
イヤネック部分の劣化が抑止できる。また、ワイヤネッ
ク部分の立ち上がり角度が大きくなることから低い態勢
でもループ形状は高くなる。さらに、従来のようなリバ
ースモーションを必要としないことから、ワイヤ張り時
間の短縮が可能となり、１本のワイヤ張り時間は、従来
に比較して約２５％短縮される。
【００１５】また、本発明によれば、前記第２ボンディ
ング点にワイヤが固定される状態では、先端が第１ボン
ディング点に固定されたワイヤは引っ張られるようにな
るが、ワイヤはその途中を第１突出部に接触して動き難
くなっていることから、ワイヤネック部分に大きな力が
加わらなくなり、ワイヤネック部分の立ち上がりが低く
なることもなく、かつまたワイヤネック部分の劣化が起
き難くなり、適正なループ形状を得ることができる。
【００１６】また、本発明によれば、前記ワイヤの立ち
上がり角度が大きくなることと、張られるワイヤが第２
突出部上に載ることから、ワイヤの垂れが生じなくな
り、半導体チップとワイヤとの接触（短絡）も起き難く
なる。
【００１７】また、本発明によれば、第１突出部と第２
突出部との間は空間となっていることから、前記空間部
分をキャピラリ先端から突出するワイヤ部分が移動して
も何ら接触することがないことから、第１突出部と第２
ボンディング点間を延在するワイヤ部分は直線的とな
る。
【００１８】また、本発明によれば、前記第１突出部お
よび第２突出部の上端には、半導体チップの中心を略中
心とするような放射状の溝が設けられていることから、
ワイヤはこれら溝に案内されるため、第１ボンディング
点と第２ボンディング点を張るワイヤの方向性は曲がる
（カールする）ことなく張られ、隣接するワイヤとの接
触は防止できる。
【００１９】また、本発明においては、ワイヤ（ルー
プ）高さは前記第１突出部によって決まるようになって
いることから、第１突出部の高さを低く設定することに
より、低ループのワイヤボンディングが可能となる。
【００２０】また、本発明のワイヤボンディング装置で
は、前記第１突出部および第２突出部は前記リードフレ
ームを載置するヒートステージ上に一体的に形成されて
いるとともに、前記ヒートステージはリードフレームの
移送時、下降する構造となっていることから、前記第１
突出部および第２突出部とリードフレームが接触するこ
とがなくなる。
【００２１】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例によるワイヤボン
ディング装置の要部を示す模式的な拡大断面図、図２は
同じくワイヤボンディング装置の概要を示す模式的側面
図、図３は同じく第１突出部にワイヤが接触した状態を
示す模式図、図４は同じく第２突出部にワイヤが接触し
た状態を示す模式図、図５は半導体チップとリード内端
間の第１突出部と第２突出部との相対的関係を示す模式
的平面図、図６は第２突出部の溝にワイヤが納まった状
態を示す一部を断面とした模式図である。
【００２２】本実施例のワイヤボンディング装置は超音
波併用熱圧着法によるものである。本実施例のワイヤボ
ンディング装置は、図２に示すように、一対のシュート
１ａ，１ｂを有する構造となっている。前記シュート１
ａ，１ｂの上部内壁にはガイド溝２ａ，２ｂが設けら
れ、このガイド溝２ａ，２ｂの下面で短冊状のリードフ
レーム３の両側を支持するようになっている。リードフ
レーム３は厚さ０．１〜０．１６ｍｍ程度の金属板を所
望パターンに形成した形状となっている。ここでは、全
体のパターンを示さないが、単位リードパターンの中央
部分は、図５に示すようになっている。
【００２３】本実施例においてはリード数が２００本に
も及ぶものであり、図５は概念的な模式図である。単位
リードパターンの中央には半導体チップ１０が固定され
るタブ１１と呼称される支持板を有している。前記タブ
１１はタブ吊りリード１２によって支持されている。こ
のタブ吊りリード１２の他の端は、リードフレーム３の
図示しない枠に固定されている。また、この枠およびこ
の枠に直交する枠からは複数のリード１４が平行に複数
延在するとともに途中で折れ曲がり、先端（内端）は、
図５に示すように前記タブ１１の周囲に臨むようになっ
ている。また、リード数が２００本にも及ぶリードフレ
ーム３の場合では、各リードフレーム３の内端は前記タ
ブ１１の中心に対して放射状に延在するようになる。ワ
イヤボンディングに供されるリードフレーム３の場合に
は、図１乃至図５に示すように、タブ１１の上面（主
面）に、図４に示すように、接合材１５を介して固定さ
れている。そして、ワイヤボンディング装置によって、
前記半導体チップ１０の図示しない電極（第１ボンディ
ング点）と、リード１４の内端部分（第２ボンディング
点）は、図１に示すように、金線等からなるワイヤ１６
で電気的に接続される。
【００２４】また、前記リードフレーム３は、その一縁
をリードフレーム３の上下に配置される一対のフレーム
送りクランパー４ａ，４ｂで移送時、保持されて前記シ
ュート１の長手方向（紙面垂直方向）に間欠的に移送さ
れる。
【００２５】また、前記一対のシュート１ａ，１ｂ間に
おいて、リードフレーム３はステージ２０によって下方
から支持される。ステージ２０はカートリッジヒータ２
１を内蔵したヒートブロック２２と、このヒートブロッ
ク２２の上面に取り付けられたヒートステージ２３とか
らなっている。これにより、ステージ２０上に載置され
るリードフレーム３の内、少なくとも第１ボンディング
点および第２ボンディング点は数百度に加熱される。
【００２６】また、前記リードフレーム３はウインドク
ランパー３０の内端でヒートステージ２３に押し付けら
れてワイヤボンディングが行えるようになっている。こ
のウインドクランパー３０は、昇降する上下シャフト３
１に支持され、リードフレーム３の移送時は上昇位置に
あり、ワイヤボンディング時には降下位置にある。
【００２７】一方、前記ステージ２０の上方には水平方
向に延在するアーム状のホーン３５を有している。この
ホーン３５は、先端にキャピラリ３６と呼称されるボン
ディングツールが取り付けられているとともに、後端部
分は本体３７に支軸３８を介してキャピラリ３６が上下
に揺動自在に取り付けられている。前記本体３７は水平
Ｘ方向に移動制御可能なＸテーブル３９に固定されてい
る。Ｘテーブル３９は水平Ｙ方向に移動制御可能なＹテ
ーブル４０に固定されている。また、前記Ｘテーブル３
９上には昇降機構４１が設けられている。この昇降機構
４１によって前記ホーン３５の上下動（Ｚ方向）が制御
される。Ｚ方向の制御はリニアモータによって行われ
る。また、前記キャピラリ３６の上方には、必要に応じ
てワイヤ１６を保持するクランパ４５ａ，４５ｂが配設
されている。これにより、前記キャピラリ３６は保持し
ているワイヤ１６によって第１ボンディング点と第２ボ
ンディング点間を接続する。
【００２８】他方、これが本発明の特徴の一つである
が、前記ヒートステージ２３の主面（上面）には、図１
乃至図５に示すように、前記タブ１１の外側にタブ１１
を囲むように二重に第１突出部５０および第２突出部５
１が同心円的に設けられている。前記第１突出部５０お
よび第２突出部５１は、前記タブ１１、すなわち、半導
体チップ１０とリード１４の内端との間に設けられ、第
１突出部５０が内側となっている。ループ形状の最も高
い位置は、前記半導体チップ１０の表面から、たとえ
ば、２５０〜３５０μｍとなる。前記第１突出部５０の
高さは前記ループ形状の高さよりは、たとえば、５０μ
ｍ程度低くなり、半導体チップ１０の上面よりは高くな
っている。前記第２突出部５１は、図１からも分かるよ
うに、リード１４の厚さ寸法よりも高く、第１突出部５
０よりも低くなり、第１ボンディング点上方の曲がり部
分から第２ボンディング点に向かって直線的に延在する
ように構成されている。また、第１ボンディング点と第
２ボンディング点間距離は、たとえば、４〜７ｍｍ程度
となる。また、半導体チップ１０から外れるタブ１１の
突出長さは１００〜３００μｍ程度となっている。した
がって、ワイヤが低く張られかつワイヤの垂れ下がり現
象が発生すると、ワイヤと半導体チップとの短絡が発生
することになる。本実施例では、前記第１突出部５０お
よび第２突出部５１によって前記短絡を防止するもので
あるとともに、第１突出部５０によってワイヤネック部
分の立ち上がり角度を大きく修正し、第２突出部５１に
よってワイヤをピーンと張らしてワイヤの垂れ下がりを
抑止するものである。
【００２９】また、前記第１突出部５０の第１ボンディ
ング点に対面する先端部分には、図４に示すように、傾
斜面５３が設けられている。この傾斜面５３は、前記キ
ャピラリ３６の先端から延在する反り返り部分５４が、
図３に示すように、当たった場合、ばねの弾力（跳ね返
り性）によってワイヤネック部分５５は実線で示すよう
に、立ち上がり角度が大きくなる。このことは、ループ
形状の高さが高くなることを意味する（図３参照）。す
なわち、図３では、キャピラリ３６によって半導体チッ
プ１０の電極である第１ボンディング点にワイヤ１６の
先端の球状部分を超音波併合熱圧着によって接続した
後、キャピラリ３６が順次第２ボンディング点側に移行
する際のワイヤ１６の反り返り部分５４の形状変化を示
すものである。ワイヤ１６の反り返り部分５４が第１突
出部５０に衝突する寸前の状態では、ワイヤネック部分
５５の角度は最も小さくなり、ワイヤネック部分５５は
低く寝るような形状となり、このままの状態では、ワイ
ヤの垂れ下がりが起き易くなる。
【００３０】しかし、キャピラリ３６から突出した反り
返り部分５４を第１突出部５０の傾斜面５３に衝突させ
るようにすれば、衝突部分が傾斜面５３となっているこ
とから、跳ね返りが生じ、ワイヤネック部分５５は逆に
動き、ワイヤネック部分５５の立ち上がり角度は大きく
なる。これにより、第１ボンディング点と第２ボンディ
ング点との距離が４〜７ｍｍと長くなっても、ワイヤの
垂れ下がりが起き難くなる下地が形成される。すなわ
ち、その後は、前記ループ形状の最高高さ部分を変える
ことなく、ワイヤ張りに無駄がないようにピーンと張ら
せることが重要となる。
【００３１】ワイヤをピーンと張らせる役割は、第２突
出部５１によって行われる。すなわち、ワイヤ１６を保
持したキャピラリ３６が、図４および図１に示すよう
に、第２ボンディング点側に移動した際、第２突出部５
１はワイヤ１６を案内するとともに、第２突出部５１よ
りもワイヤ１６が低くならないように案内する。そし
て、第２ボンディング点でキャピラリ３６によってワイ
ヤ１６がボンディングされる際、ワイヤに対するバック
テンションの作用とも相俟って、張られるワイヤ１６
は、図４および図１に示すように直線的となり、その後
第１突出部５０や第２突出部５１が取り外されてもルー
プ形状は損なわれることがない。
【００３２】また、前記第２ボンディング点側へのキャ
ピラリ３６の移動および第２ボンディング点でのボンデ
ィングの際、張られるワイヤ１６は第２ボンディング点
側に引っ張られるが、張られたワイヤ１６は第１突出部
５０に引っ掛かる形状となることから、ワイヤネック部
分５５が引っ張られて立ち上がり角度を減少させるよう
なことは起きない。
【００３３】また、図５および図６に示すように、前記
第１突出部５０および第２突出部５１の上面にはタブ１
１（半導体チップ１０）の中心を中心とするように放射
状に溝５８ａ，５８ｂが形成されていることから、第１
ボンディング点から第２ボンディング点に張られるワイ
ヤ１６はこれら溝５８ａ，５８ｂに入って直線的に案内
されるため、隣接するワイヤとの接触や近接が発生し難
くなり、ワイヤ同士の短絡のおそれがなくなる。
【００３４】このようなワイヤボンディング装置におい
ては以下の効果が得られる。
【００３５】（１）本発明のワイヤボンディング装置
は、半導体チップの電極である第１ボンディング点と、
リード内端である第２ボンディング点間において、第１
ボンディング点に近接した位置に第１突出部が設けられ
ているため、ワイヤ張りの際、キャピラリから突出しか
つ曲線を描く部分は、第１突出部の傾斜面に弾力的に当
たって跳ね返るため、一度低くなろうとするワイヤの立
ち上がり角度は再び大きくなるという効果が得られる。
【００３６】（２）上記（１）により、本発明のワイヤ
ボンディング装置は、ワイヤネック部分に大きな力が加
わり難くなり、ワイヤネック部分の劣化が抑止できると
いう効果が得られる。
【００３７】（３）上記（１）により、本発明のワイヤ
ボンディング装置は、ワイヤネック部分の立ち上がり角
度が大きくなることから低い態勢でもループ形状は高く
なるという効果が得られる。
【００３８】（４）上記（１）により、本発明のワイヤ
ボンディング装置は、従来のようなリバースモーション
を必要としないことから、ワイヤ張り時間の短縮が可能
となり、たとえば、１本のワイヤ張り時間は、従来に比
較して約２５％短縮されるという効果が得られる。
【００３９】（５）本発明のワイヤボンディング装置に
よれば、前記第２ボンディング点にワイヤが固定される
状態では、先端が第１ボンディング点に固定されたワイ
ヤは引っ張られるようになるが、ワイヤはその途中を第
１突出部に接触して動き難くなっていることから、ワイ
ヤネック部分に大きな力が加わらなくなり、ワイヤネッ
ク部分の立ち上がりが低くなることもなくなるという効
果が得られる。
【００４０】（６）上記（５）により、本発明のワイヤ
ボンディング装置によれば、ワイヤネック部分に大きな
力が加わらなくなることから、ワイヤネック部分の劣化
が起き難くなり、ワイヤボンディングの信頼性が高くな
るという効果が得られる。
【００４１】（７）上記（５）により、本発明のワイヤ
ボンディング装置によれば、ワイヤネック部分の立ち上
がりが低くなることもなくなることから適正なループ形
状を得ることができるという効果が得られる。
【００４２】（８）本発明のワイヤボンディング装置に
よれば、前記ワイヤの立ち上がり角度が大きくなること
と、張られるワイヤが第２突出部上に載ることから、ワ
イヤの垂れが生じなくなり、半導体チップとワイヤとの
接触（短絡）も起き難くなるという効果が得られる。
【００４３】（９）本発明のワイヤボンディング装置に
よれば、第１突出部と第２突出部との間は空間となって
いることから、前記空間部分をキャピラリ先端から突出
するワイヤ部分が移動しても何ら接触することがないこ
とから、第１突出部と第２ボンディング点間を延在する
ワイヤ部分は直線的となり、ワイヤの垂れ下がりが起き
難くなるという効果が得られる。
【００４４】（１０）本発明のワイヤボンディング装置
によれば、前記第１突出部および第２突出部の上端に
は、半導体チップの中心を略中心とするような放射状の
溝が設けられていることから、ワイヤはこれら溝に案内
されるため、第１ボンディング点と第２ボンディング点
を張るワイヤの方向性は曲がる（カールする）ことなく
張られ、隣接するワイヤとの接触は防止できるという効
果が得られる。
【００４５】（１１）本発明のワイヤボンディング装置
においては、ワイヤのループ高さは前記第１突出部によ
って決まるようになっていることから、第１突出部の高
さを低く設定することにより、低ループのワイヤボンデ
ィングが可能となるという効果が得られる。
【００４６】（１２）本発明のワイヤボンディング装置
では、前記第１突出部および第２突出部は前記リードフ
レームを載置するヒートステージ上に一体的に形成され
ているとともに、前記ヒートステージはリードフレーム
の移送時、下降する構造となっていることから、前記第
１突出部および第２突出部とリードフレームが接触する
ことがなくなり、安定してワイヤボンディング作業を続
行できるという効果が得られる。
【００４７】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明のワイヤボンディング装置に
よれば、ワイヤの垂れ下がりが起き難い適正なループ形
状を形成できるワイヤボンディング装置を提供すること
ができる。また、本発明のワイヤボンディング装置によ
れば、ワイヤのカールによる隣接ワイヤとの接触を防止
でき、信頼性の高いワイヤボンディングが達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるワイヤボンディング装
置の要部を示す模式的な拡大断面図である。
【図２】本実施例によるワイヤボンディング装置の概要
を示す模式的側面図である。
【図３】本実施例において第１突出部にワイヤが接触し
た状態を示す模式図である。
【図４】本実施例において第２突出部にワイヤが接触し
た状態を示す模式図である。
【図５】本実施例における半導体チップとリード内端間
の第１突出部と第２突出部との相対的関係を示す模式的
平面図である。
【図６】本実施例において第２突出部の溝にワイヤが納
まった状態を示す一部を断面とした模式図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ…シュート、２ａ，２ｂ…ガイド溝、３…リ
ードフレーム、４ａ，４ｂ…フレーム送りクランパー、
１０…半導体チップ、１１…タブ、１２…タブ吊りリー
ド、１４…リード、１５…接合材、１６…ワイヤ、２０
…ステージ、２１…カートリッジヒータ、２２…ヒート
ブロック、２３…ヒートステージ、３０…ウインドクラ
ンパー、３１…上下シャフト、３５…ホーン、３６…キ
ャピラリ、３７…本体、３８…支軸、３９…Ｘテーブ
ル、４０…Ｙテーブル、４１…昇降機構、４５ａ，４５
ｂ…クランパ、５０…第１突出部、５１…第２突出部、
５３…傾斜面、５４…反り返り部分、５５…ワイヤネッ
ク部分、５８ａ，５８ｂ…溝。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの電極である第１ボンディ
    ング点とリードフレームのリード内端部分の第２ボンデ
    ィング点間をネイルヘッドワイヤボンディングによって
    ワイヤを張るワイヤボンディング装置であって、前記第
    １ボンディング点と第２ボンディング点との間において
    前記第１ボンディング点の近傍にワイヤ張り時に曲がっ
    たワイヤが衝突して跳ね返るように配置された第１突出
    部が設けられていることを特徴とするワイヤボンディン
    グ装置。
  2. 【請求項２】 半導体チップの電極である第１ボンディ
    ング点とリードフレームのリード内端部分の第２ボンデ
    ィング点間をネイルヘッドワイヤボンディングによって
    ワイヤを張るワイヤボンディング装置であって、前記第
    １ボンディング点と第２ボンディング点との間において
    前記第１ボンディング点の近傍に第１突出部が配設され
    ているとともに、第２ボンディング点近傍に第２突出部
    が配設されていることを特徴とするワイヤボンディング
    装置。
  3. 【請求項３】 前記第１ボンディング点近傍の第１突出
    部上端にはワイヤが第１ボンディング点側に跳ね返るよ
    うに傾斜面を有していることを特徴とする請求項１また
    は請求項２記載のワイヤボンディング装置。
  4. 【請求項４】 前記第１突出部および第２突出部の上端
    面には前記半導体チップの中心を略中心として放射状に
    延在する前記ワイヤを案内する溝が複数設けられている
    ことを特徴とする請求項１記載のワイヤボンディング装
    置。
  5. 【請求項５】 前記第１突出部は第２突出部よりも高く
    なり、かつ前記半導体チップの電極の高さよりも高くな
    っていることを特徴とする請求項１または請求項２記載
    のワイヤボンディング装置。
  6. 【請求項６】 前記第１突出部および第２突出部は前記
    リードフレームを載置するヒートステージ上に一体的に
    形成されているとともに、前記ヒートステージはリード
    フレームの移送時、前記第１突出部および第２突出部と
    リードフレームが接触しないように相対的に離反する構
    造となっていることを特徴とする請求項１乃至請求項５
    のいずれか１項記載のワイヤボンディング装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762490B2 (en) 2001-10-29 2004-07-13 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same
KR100546280B1 (ko) * 1999-01-05 2006-01-26 삼성전자주식회사 롱 루프 와이어 본딩을 위한 히터블록
JP2008124116A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Denso Corp 半導体装置

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