JPH08124496A

JPH08124496A - 陰極線管の電子銃

Info

Publication number: JPH08124496A
Application number: JP26065894A
Authority: JP
Inventors: Shingo Kimura; 慎吾木村; Shigenori Tagami; 滋規田上
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-10-25
Filing date: 1994-10-25
Publication date: 1996-05-17

Abstract

(57)【要約】【目的】電子レンズを構成する電極と電極との間のギ
ャップをコントロールすることが可能であり、しかも電
極間ギャップでの電位勾配をも制御することができ、電
子レンズの球面収差係数を小さくすることができる陰極
線管の電子銃を提供すること。【構成】電子レンズ構成部が、高抵抗管３Ａで構成さ
れ、この高抵抗管３Ａの内部に、少なくとも、リング状
の高圧電極８と、高圧電極８よりも低電圧が印加される
リング状の中圧電極９とが、軸方向に離間して配置して
あり、これら高圧電極８と中圧電極９との間に、導電リ
ング１１Ａが配置してある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばプロジェクタ
管、カラー受像管、インデックス管等に用いられる陰極
線管の電子銃に係り、さらに詳しくは、球面収差係数を
小さくし、スポット径を縮小すると共に、解像度の向上
を図る陰極線管の電子銃に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、陰極線管の電子銃としては、例え
ば図１８に示すようなものが知られている。この電子銃
はユニポテンシャル型のものであり、電子を放出すべき
カソードＫに対して、加速および集束電極としての第１
〜第５グリッドが同軸（Ｚ軸）上に配される。そして、
カソードＫから放出される電子ビームは、第２および第
３グリッドＧ₂ ，Ｇ₃ によって形成されるプリフォーカ
スレンズと、第３〜第５グリッドＧ₃ 〜Ｇ₅ により形成
される主レンズとの働きにより蛍光面上に集束される。
これらカソードＫおよび第１〜第５グリッドＧ₁ 〜Ｇ₅
は、融着によりビードガラスに固定され、一体的に組み
立てられる。また、第１〜第５グリッドＧ₁ 〜Ｇ₅ は、
例えばステンレス等の金属から構成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
に係る電子銃では、次のような問題が生じていた。すな
わち、上述した構成においては、電極特に第３〜第５グ
リッドＧ₃ 〜Ｇ₅間の同心度にずれが生じやすく、その
ため電子ビームの離軸が起こって、フォーカスぼけが発
生し易い。

【０００４】また、電極間の電位差が段階状になるた
め、第３〜第５グリッドＧ₃ 〜Ｇ₅ 間において放電が起
こりやすく、また、レンズ径の球面収差が大きくなって
ビームスポット径が大きくなっていた。また、第３グリ
ッドＧ₃ と第４グリッドＧ₄ とのギャップと、第４グリ
ッドＧ ₄ と第５グリッドＧ₅ とのギャップとを、ある間
隔以上に広げると、その隙間から、電子ビームが漏れ、
ネック部やビードガラスなどにチャージアップが発生す
ると言う課題を有している。これらのギャップは、電子
銃の性能（特に球面収差係数）に関係しており、最適な
ギャップとすることが望まれている。

【０００５】また、これらグリッド（電極）を、適切な
間隔に引き離した場合には、その間隔により電位勾配が
決定されてしまい、電極間の電位勾配を制御することは
できなかった。電極間の電位勾配も、電子レンズの球面
収差係数に影響することから、それを制御する手段が求
められていた。

【０００６】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、電子レンズを構成する電極と電極との間のギャップ
をコントロールすることが可能であり、しかも電極間ギ
ャップでの電位勾配をも制御することができ、電子レン
ズの球面収差係数を小さくすることができる陰極線管の
電子銃を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る陰極線管の電子銃は、電子レンズ構成
部が、抵抗筒体で構成され、この抵抗筒体の内部に、少
なくとも、リング状の高圧電極と、前記高圧電極よりも
低電圧が印加されるリング状の中圧電極とが、軸方向に
離間して配置してあり、これら高圧電極と中圧電極との
間に、導電リングが配置してある。

【０００８】前記抵抗筒体は、セラミックで構成するこ
とができる。前記高圧電極と中圧電極との間に、複数の
導電リングを配置することもできる。導電リングの位置
は、高圧電極に近い側あるいは中圧電極に近い側に配置
される。

【０００９】

【作用】電極の外周は、抵抗筒体で覆われているので、
電子ビームが電極の間から漏れてビードガラスなどにチ
ャージアップすることもない。さらに、電子レンズ構成
部を抵抗筒体で形成したことから、電子レンズ系の同心
度のずれがほとんど生じない。

【００１０】また、本発明では、抵抗筒体の内周に形成
されるリング状の電極は、これらのギャップを任意に設
定することができる。さらに、リング状の電極間に、導
電リングを配置することで、これら電極間の電位勾配を
任意に変化させることができ、増倍率Ｍを変化させるこ
となく、球面収差係数Ｃｓのみを小さくさせることがで
きる。

【００１１】球面収差係数Ｃｓは、陰極線管のスポット
径に大きく影響する。スポット径Ｄは、以下の数式で表
わせる。

【００１２】

【数１】Ｄ＝ｄｃ×Ｍ＋１／２×Ｃｓ×Ｍ×θ³ ただし、ｄｃは物点径であり、Ｍは増倍率であり、θは
発散角である。

【００１３】上記式より、スポット径Ｄを小さくするに
は、球面収差係数Ｃｓを小さくすれば良いことが分か
る。本発明では、リング状の電極間に、導電リングを配
置することで、これら電極間の電位勾配を任意に変化さ
せ、球面収差係数Ｃｓを小さくすることができる。その
結果、スポット径が小さくなり、解像度が向上する。

【００１４】

【実施例】以下、本発明に係る陰極線管の電子銃を、図
面に示す実施例に基づき、詳細に説明する。図１に第１
実施例の全体構成を示す。本実施例の電子銃はユニポテ
ンシャル型のものである。同図に示すように、本実施例
においては、ネック管１のステム２の近傍に電子を放出
するためのカソードＫが設けられ、このカソードＫに隣
接して第１グリッドＧ₁ 、第２グリッドＧ₂ および第３
グリッドＧ₃ を構成するカップ部材Ｇ3_Aが同軸上に配さ
れる。そして、カップ部材Ｇ3_Aに隣接した位置に、主レ
ンズを形成するための後述する高抵抗管３Ａが設けられ
る。さらに、この高抵抗管３Ａの上端部にはＨＶシール
ド４およびＨＶスプリング５が固定される。なお、ステ
ム２には複数のステムピン６が埋め込まれている。

【００１５】高抵抗管３Ａは、例えばアルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃ ）中にＴｉ、Ｗ、Ｃｕ等の酸化物を混合し焼結させ
て導電性をもたせた物質や導電性をもたせたフェライ
ト、チタニア系セラミックス等からなり、高耐圧性を有
する絶縁物を主成分とする。この高抵抗管３Ａは、真円
度の高い（例えば２０μｍ以下）円筒形状に形成され、
その両端部および中央部内面には例えばＲｕＯ₂ −ガラ
スペーストからなるリング状の電極膜８、９、１０が塗
布形成されている。ここで、電極膜８はカップ部材Ｇ3_A
とともに第３グリッドＧ₃ を構成し、電極膜９、１０は
それぞれ第４グリッドＧ₄ および第５グリッドＧ₅ の役
割を果たす。第３グリッドＧ₃ （第１高圧電極）および
第５グリッドＧ₅ （第２高圧電極）には、３０Ｋ〜３２
ＫＶ程度の高電圧が印加され、第４グリッドＧ₄ （中圧
電極）には、７Ｋ〜１０ＫＶ程度の中電圧が印加され
る。

【００１６】一方、電極膜８、９、１０の間には、例え
ば電極膜８〜１０と同じ材料からなるリング状の部分
（以下「導電リング」という。）１１Ａが形成されてい
る。ここで、電極膜８〜１０および導電リング１１Ａ
は、ともに高抵抗管３の長手方向即ち管軸（Ｚ軸）方向
と垂直方向に形成されている。

【００１７】高抵抗管３Ａの抵抗値については、高抵抗
管３Ａの直径と電極膜８、９および９、１０間の間隔を
それぞれ１２ｍｍ程度とすると、各電極膜８、９および
９、１０間において１００ＭΩ（メガオーム）〜１０Ｔ
ｅｒａΩ（テラオーム）となるように設定することが好
ましく、特に１ＧΩ程度が好ましい。この値より小さい
と発熱しやすく、また、この値より大きいと帯電しやす
くなる。なお、かかる抵抗値を１ＧΩに設定した場合、
高抵抗管３Ａの体積抵抗率は１０⁶ Ω・ｃｍとなる。

【００１８】さらに、高抵抗管３Ａの一方の外面には、
その長手方向に延びる導電膜１７が形成されている。高
抵抗管３Ａの両端部には、電極膜８、１０を電気的に接
続するための円筒ホルダー１２（１２ａ，１２ｂ）が固
定されている。この円筒ホルダー１２は、例えばステン
レス等の金属からなり、図２（Ａ）〜（Ｄ）に示すよう
に、絶縁管３と嵌まり合うリング状のフランジ部１３を
有している。そして、このフランジ部１３の内周には、
対向する一対の突起１４が３箇所に設けられ、これらの
突起１４のうち内側のものが絶縁管３の内面に形成した
電極膜１０、１２と接触するように構成される。また、
円筒ホルダー１２ａと円筒ホルダー１２ｂとは、絶縁管
３の外面に形成した導電膜１７を介して電気的に接続さ
れる。

【００１９】図１に示すように、絶縁管３のほぼ中央部
にはＧ₄ ピン１５が設けられる。このＧ₄ ピン１５は、
絶縁管３の膨張係数とほぼ等しい膨張係数を有するコバ
ルト（Ｃｏ）鉄またはＴｉ合金で形成することが好まし
い。そして、このＧ₄ ピン１５は、絶縁管３に形成した
孔１６を介して電極膜９と接触するように取り付けられ
る。また、Ｇ₄ ピン１５には、リード線２６が接続され
る。このリード線２６は、図示しないがステムピン６に
接続固定される。

【００２０】図３に示すように、ＨＶシールド４は、例
えばＳＵＳ３０４等からなる平板状の部材で、その中央
部には電子ビームを透過させるための孔８が設けられ
る。このＨＶシールド４は、図１に示すように、溶接に
よって円筒ホルダー１２ａに固定される。

【００２１】ＨＶスプリング５は、例えばインコネルか
らなる。図１に示すように、ＨＶスプリング５はＨＶシ
ールド４の両端部に溶接によって固定され、その先端部
がネック管１の内面を押圧するように構成される。そし
て、このＨＶスプリング５はカーボン等からなる導電膜
を介して不図示のアノードボタンに電気的に接続され
る。

【００２２】本実施例では、図４（Ａ）に示すように、
電極膜８で構成される第３グリッドＧ₃ （第１高圧電
極）と電極膜９で構成される第４グリッドＧ₄ （中圧電
極）との間に、導電リング１１Ａが配置され、グリッド
間の電位勾配が、同図（Ｂ）に示すようになる。電極膜
８と電極膜９との間のギャップＸは、本実施例では、１
０〜２０mm程度である。なお、図１に示す電極膜９と電
極膜１０との間のギャップは、特に限定されないが、前
記ギャップＸを１とした場合には、１以上、好ましくは
１〜３、さらに好ましくは１〜２である。このように設
定することで、球面収差係数をさらに小さくできること
が確認されている。

【００２３】また、本実施例では、導電リング１１Ａ
は、中圧電極を構成する電極膜９側に近く配置され、導
電リング１１Ａの配置位置関係を示す比ａ：ｂ：ｃは、
１〜２：２〜４：８〜１０が好ましい。なお、導電リン
グ１１Ａの配置位置は、図４に示す実施例に限定され
ず、図５（Ａ）に示すように、導電リング１１Ａを高圧
電極である電極膜８側に近く配置することもでき、図６
（Ａ）に示すように、導電リング１１Ｂを複数にするこ
ともできる。このように導電リング１１Ａ，１１Ｂの配
置位置および配置個数を変化させることで、図５（Ｂ）
および図６（Ｂ）に示すように、電位勾配を任意に変化
させることもできる。

【００２４】また、図１に示す実施例では、中圧電極で
ある電極膜９と高圧電極である電極膜１０との間にも、
導電リング１１Ａが配置してあるが、この導電リング１
１Ａの配置位置および配置個数も特に限定されない。さ
らに、本発明では、電極膜８と電極膜９との間の導電リ
ング１１Ａと、電極膜９と電極膜１０との間の導電リン
グ１１Ａとの、いずれか一方の導電リング１１Ａは、必
ずしも設けなくとも良い。

【００２５】本実施例に係る陰極線管の電子銃では、電
極膜８，９，１０の外周は、高抵抗管３Ａで覆われてい
るので、電子ビームが電極の間から漏れてビードガラス
などにチャージアップすることもない。さらに、電子レ
ンズ構成部を高抵抗管３Ａで形成したことから、電子レ
ンズ系の同心度のずれがほとんど生じない。

【００２６】また、本発明では、高抵抗管３Ａの内周に
形成されるリング状の電極膜８，９，１０は、これらの
ギャップを任意に設定することができる。さらに、リン
グ状の電極膜８，９，１０間に、導電リング１１Ａを配
置することで、これら電極間の電位勾配を任意に変化さ
せることができ、増倍率Ｍを変化させることなく、球面
収差係数Ｃｓのみを小さくさせることができる。

【００２７】球面収差係数Ｃｓは、陰極線管のスポット
径に大きく影響する。したがって、本実施例では、リン
グ状の電極膜８，９，１０間に、導電リング１１Ａを配
置することで、これら電極間の電位勾配を任意に変化さ
せ、球面収差係数Ｃｓを小さくすることができる。その
結果、スポット径が小さくなり、解像度が向上する。

【００２８】次に、本実施例に係る電子銃の製造方法に
ついて、図７および図８を用いて説明する。まず、高抵
抗管３ＡにＧ₄ ピン１５を取り付けるための孔１６を形
成し（図７工程（１）、図８Ａ）、この高抵抗管３Ａを
洗浄し乾燥する（図７工程（２））。

【００２９】次いで、高抵抗管３Ａの内面に、以下の方
法により電極膜８〜１０および導電リング１１Ａを塗布
形成する（図７工程（３）、図８Ｂ）。この場合、導電
ペーストとしては、例えばＲｕＯ₂ −ガラスペースト
（商品名＃９５１６、デュポン社製等）を用い、膜厚が
均一になるように塗布を行う。

【００３０】図９は電極膜８〜１０および導電リング１
１Ａの形成方法の第１の例を示すものである。図９Ａは
導電ペーストの塗布方法を示すもので、高抵抗管３Ａの
内部に高い抵抗管３Ａとほぼ同じ高さを有する回転自在
のゴムローラ６８を配し、このゴムローラ６８を一対の
ばね６９により高抵抗管３Ａの内面に押しつけるように
構成する。この場合、図９Ｂに示すように、ゴムローラ
６８の長手方向に一定量の導電ペースト７０を載せた後
に図９Ａに示すようにセットし、高抵抗管３Ａを回転軸
Ｏ₁ を中心として回転させる。これによりゴムローラ６
８も回転軸Ｏ₂ を中心として回転し、導電ペースト７０
が高抵抗管３Ａの内面前面に広がって塗布される。その
後、ゴムローラ６８を高抵抗管３Ａから抜き、高抵抗管
３Ａを回転しながら例えば温風で加熱することにより乾
燥させる。これは導電ペースト７０がたれることを防ぐ
ためである。

【００３１】図９Ｃは導電ペースト７０のトリミング方
法を示すものである。同図に示すように、支持棒７１の
先端に超硬合金からなるけがき円板７２が偏心するよう
に取り付けられる一方、この支持棒７１は、ばね７３に
よって長手方向と直交する方向に引っ張られるよう構成
される。そして、トリミング工程においては、高抵抗管
３Ａを矢印ａ方向に回転させ、支持棒７１を高抵抗管３
Ａ内に配置する。そして、支持棒７１を矢印ｂ又はｃ方
向へ移動させ導電ペースト７０の不要な位置に来たとき
に、ばね７３を動作させてけがき円板７２を導電ペース
ト７０に押し当て、トリミングを行う。一方、導電ペー
スト７０が必要な部分については、ばね７３を解除する
ことにより、導電ペースト７０を残すようにする。な
お、レーザー光を吸収させた熱により導電ペースト７０
を蒸発させて除去するようにしてもよい。

【００３２】図１０は電極膜８〜１０および導電リング
１１Ａの形成方法の第２の例を示すものである。この方
法は、ネガタイプのレジスト材料（例えばＰＶＡ−ＡＤ
Ｃ等）を用いた露光法によるものである。この方法の場
合、まず、図１０Ａに示すように、高抵抗管３Ａを回転
させつつその内面にレジスト材料８０を塗布する。次い
で、図１０Ｂに示すように、高抵抗管３Ａ内にマスク８
１を挿入し、位置合わせを行う。このマスク８１は、高
抵抗管３Ａの内径と等しい外径を有する紫外線透過性ガ
ラス（例えば石英）の外周に電極膜８〜１０および導電
リング１１Ａと同じパターン８２を形成したものであ
る。

【００３３】そして、図１０Ｃに示すように、マスク８
１の内側に紫外線照射ランプ８３を配し、露光を行う。
さらに、高抵抗管３Ａからマスク８１を外して水を吹き
付けることにより現像を行い、図１１Ａに示すようにレ
ジスト８４の電極パターンを作成する。

【００３４】次に、図１０Ｄに示すように、真空ポンプ
８５内にこの高抵抗管３Ａを配置し、例えばＡｌ，Ａｕ
等の金属からなるワイヤー８６をヒーター８７によって
加熱することにより、高抵抗管３Ａの内面に金属膜８８
を蒸着させる（図１１Ｂ）。さらに、Ｈ₂ Ｏ₂ による反
転現像およびベーキング（４３０℃、３０分）を行っ
て、図１１Ｃに示すように、電極膜８〜１０および導電
リング１１Ａを形成する。

【００３５】図１２は電極膜８〜１０および導電リング
１１Ａの形成方法の第３の例（メタルマスク蒸着法）を
示すものである。この方法の場合、高抵抗管３Ａの内面
に密着するように金属製のリング状のマスク１１０を挿
入し、真空ポンプに連結した容器８９内にこの高抵抗管
３Ａを配置する。そして、容器８９内を真空にすると共
にヒーター８９ａによって上記蒸着用金属９０を加熱し
て高抵抗管３Ａの内面にこれを蒸着させる。

【００３６】図１３は電極膜８〜１０および導電リング
１１Ａの形成方法の第４の例を示すものである（熱転写
法）。この方法の場合、まず、ポリエステルからなる熱
転写用のベースフィルム９１を円筒状に形成する（図１
３Ａ）。そして、このベースフィルム９１上に、剥離層
（図示せず）、導電層９２、接着層（図示せず）の各層
を順に塗布形成して熱転写シート９３を完成させる（図
１３Ｂ）。次に、図１３Ｃに示すように、この熱転写シ
ート９３を位置出して高抵抗管３Ａ内に挿入する。そし
て、空気圧によって熱転写シート９２を高抵抗管３Ａの
内面に密着させ、内部にヒーターを内蔵したシリコンロ
ーラ９４でさらに加熱および加圧を行う（図１３Ｄ）。
これにより熱転写シート９３上の導電層９２が高抵抗管
３Ａの内面に転写され、電極層８〜１０および導電リン
グ１１Ａが形成される。その後、図１３Ｅに示すように
ベースフィルム９１を剥離除去する。

【００３７】さらに、図１４Ａ，Ｂに示すように、予め
高抵抗管３Ａの内壁に凹部３ａ，３ｂを形成し、上述し
た図９に示すゴムローラ６８を用いてベタに導電ペース
ト７０を塗布することにより、所定パターンの電極膜８
〜１０および導電リング１１Ａを形成することもでき
る。

【００３８】図１５は、電極膜８〜１０および導電リン
グ１１Ａの形成方法の第６の例を示すものである。本例
は、タコ印刷を応用したもので、まず、図１５Ａに示す
ように、所定のパターン１０１が形成されたベース１０
０の端部に導電ペースト１０２を載せ、ローラ１０３を
例えばパターン１０１と直交する方向へ転がすことによ
り、導電ペースト１０２をパターン１０１の間の凹部に
充填する。

【００３９】そして、図１５Ｂに示すように、第１の例
（図９Ａ参照）で用いたものと同じローラ１０４を、ロ
ーラ１０３と直交する方向へ転がすことにより、図１５
Ｃに示すようにローラ１０４に導電ペースト１０２を付
着させる。さらに、図９Ａに示すように、第１の例と同
様にローラ１０４を高抵抗管３Ａの内面に押し付け、高
抵抗管３Ａを回転させる。これにより、高抵抗管３Ａの
内面に導電ペースト１０２が付着し、電極膜８〜１０お
よび導電リング１１Ａが形成される。

【００４０】なお、その他にも、スクリーン印刷方式に
よってベース上に所定のパターンを形成し、以下図１５
Ｂ、Ｃおよび図９（Ａ）に示す方法と同様にして、高抵
抗管３Ａの内面に電極膜８〜１０および導電リング１１
Ａを形成することもできる。また、上述の電極膜８〜１
０および導電リング１１Ａは、導電ペーストをインクジ
ェット方式によって高抵抗管３Ａ内面に吹きつけること
により形成することもできる。

【００４１】さらに、本実施例の電極膜８〜１０および
導電リング１１Ａは、ディスペンサーを用いた方法によ
っても形成できる。上述の方法により電極膜８〜１０お
よび導電リング１１Ａを形成した後、膜厚を均一に保つ
ためにレベリング乾燥を行い（図７工程（４））、その
後、例えば８５０℃の温度で１０分間空気中において焼
成し（図７工程（５））、電極膜８〜１０および導電リ
ング１１Ａをセラミックスからなる高抵抗管３Ａの内面
に固着させる。なお、上述の電極膜８〜１０および導電
リング１１Ａの形成方法のうち、第３の方法（メタルマ
スク蒸着法）を用いた場合には、このような焼成が不要
となる。

【００４２】その後、図８Ｃに示すように、第３グリッ
ドＧ₃ としての電極膜８と第５グリッドＧ₅ としての電
極膜１０を電気的に接続するため、高抵抗管３ＡのＧ₄
ピン１５が設けられない側の外周の長手方向に上記導電
ペースト７０を塗布し、導電膜１７を形成する。

【００４３】そして、位置決め治具で高抵抗管３Ａを芯
出し、垂直出して円筒ホルダー１２を高抵抗管３Ａにセ
ットすると共に、孔１６にＧ₄ ピン１５を取り付けて治
具によって固定し、それぞれ図８Ｄに示すように、フリ
ットガラスｇを配して例えば８５０℃の温度で１０分間
焼成を行う（図７工程（６）（７））。

【００４４】なお、電極膜８〜１０および導電リング１
１Ａを形成した後、レベリング乾燥（工程（４））およ
び焼成（工程（５））を行わず、円筒ホルダー１２とＧ
₄ ピン１５をセットしてフリットガラスｇを塗布し、一
度に焼成（工程（７））を行うこともできる。

【００４５】その後、図１に示すように、一方の円筒ホ
ルダー１２ａに対し位置出し治具を用いてＨＶシールド
１０およびＨＶスプリング５を組立、溶接する。また、
他方の円筒ホルダー１２ｂに対し、公知のビーディング
法により予め組み立てたトライオード（カソードＫ、第
１グリッドＧ₁ 、第２グリッドＧ₂ 、カップ部材Ｇ3A）
を、位置出し治具を用いて組み立て、溶接する（図７工
程（８））。

【００４６】さらに、第１および第２グリッドＧ₁ ,Ｇ₂
のリード線２４、２５およびＧ₄ピン１５のリード線１
６を、ステム２に埋め込まれたステムピン６に接続する
ことにより、図１に示すような電子銃が完成する。（図
７工程（９））。本実施例のように、電極膜８〜１０間
に導電リング１１Ａを設けた場合、電極間の電位の微調
整を行うことができ、電極膜８〜１０によって形成され
る電子レンズ系の球面収差を小さくすることができる。
そして、この導電リング１１Ａを精度良く多く設ければ
設けるほど、従来の装置において電子銃を構成する部材
の真円度が小さくなった場合と同様の効果がある。

【００４７】かかる構成を有する本実施例においては、
主レンズを形成するための第３〜５グリッドＧ₃ 〜Ｇ₅
に相当する電極膜８〜１０が、精度良く一体形成された
高抵抗管３Ａに形成されていることから、これらの電極
８〜１０間のＺ軸に対する軸ずれが小さくなる。従っ
て、本実施例によれば、電子ビームの離軸を小さく抑え
ることができる。

【００４８】また、本実施例においては、電極膜８〜１
０の間に複数の導電リング１１Ａが形成されていること
から、球面収差が小さくなり、ビームスポット径を小さ
くすることができ、解像度を向上させることが可能にな
る。また、本実施例における導電リング１１ＡはＺ軸と
垂直方向に形成されているため、電極膜８〜１０間にお
ける電位を安定させることができる。そして、本実施例
の構成によれば、高抵抗管３Ａ内において電流がＺ軸に
平行に流れるので、管内における磁界発生がなく、電子
ビームの偏心を防止することができる。

【００４９】なお、上述の実施例においては、例えば図
８Ｄに示すようにフリットガラスｇを用いて円筒ホルダ
ー１２ａ、１２ｂを高抵抗管３Ａに固定するようにした
が、本発明はこれに限られるものではなく、例えば図１
６に示すように高抵抗管３Ａの外面に凹部３ｃを形成
し、この凹部３ｃと円筒ホルダ１２の突起１４とをはめ
合わせるように構成することもできる。この場合、ＨＶ
シールド４と円筒ホルダー１２とは予め溶接しておくと
よい。また、ＨＶシールド４とＨＶスプリング５につい
ても、溶接によらずはめ込んで固定することもできる。

【００５０】なお、ビードガラス７をＨＶシールド４ま
で延長しなくとも、図１７に示すように、一対の帯状の
バンドＢで高抵抗管３Ａを挟むとともに高抵抗管３Ａの
途中までビードガラス７を延長し、このビードガラス７
に対してバンドＢを融着することにより高抵抗管３Ａと
トライオードとを固定するようにしてもよい。

【００５１】また、本発明は上述したユニポテンシャル
型の電子銃のみならずバイポテンシャル型の電子銃にも
適用することができるものである。なお、本発明は、上
述した実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲
内で種々に改変することができる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、リング状の電極間に、導電リングを配置すること
で、これら電極間の電位勾配を任意に変化させ、球面収
差係数Ｃｓを小さくすることができる。その結果、スポ
ット径が小さくなり、解像度が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る陰極線管の電子銃の全体
構成を示す断面図である。

【図２】（Ａ）は同実施例の円筒ホルダーの正面図であ
る。（Ｂ）は図２Ａのａ−Ｏ−ａ’線断面図である。
（Ｃ）は図２Ａのｂ−ｂ’線断面図である。（Ｄ）は図
２Ｃのｃ−ｃ’線断面図である。

【図３】同実施例のＨＶシールドの平面図である。

【図４】（Ａ）は本発明の一実施例に係る電子銃の要部
を示す断面図である。（Ｂ）は電位勾配を示すグラフで
ある。

【図５】（Ａ）は本発明の他の実施例に係る電子銃の要
部を示す断面図である。（Ｂ）は電位勾配を示すグラフ
である。

【図６】（Ａ）は本発明の他の実施例に係る電子銃の要
部を示す断面図である。（Ｂ）は電位勾配を示すグラフ
である。

【図７】本発明の一実施例に係る電子銃の製造工程を示
すフローチャートである。

【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は同実施例の製造工程を示す説
明図である。

【図９】（Ａ）〜（Ｃ）は電極膜および導電リングの形
成方法の第１の例を示す説明図である。

【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）は電極膜および導電リングの
形成方法の第２の例を示す説明図である。

【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）は同例に従って形成される電
極膜および導電リングの説明図である。

【図１２】電極膜および導電リングの形成方法の第３の
例を示す説明図である。

【図１３】（Ａ）〜（Ｅ）は電極膜および導電リングの
形成方法の第４の例を示す説明図である。

【図１４】（Ａ），（Ｂ）は電極膜および導電リングの
形成方法の第５の例を示す説明図である。

【図１５】（Ａ）〜（Ｃ）は電極膜および導電リングの
形成方法の第６の例を示す断面図である。

【図１６】円筒ホルダーの取付方法の他の例を示す断面
図である。

【図１７】（Ａ），（Ｂ）は高抵抗管の固定方法の他の
例を示す説明図である。

【図１８】従来例の概略構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１… ネック管３Ａ… 高抵抗管（抵抗筒体）８，９，１０… 電極膜Ｇ₁ 〜Ｇ₅ … 第１〜第５グリッド１１Ａ… 導電リング

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子レンズ構成部が、抵抗筒体で構成さ
れ、この抵抗筒体の内部に、少なくとも、リング状の高
圧電極と、前記高圧電極よりも低電圧が印加されるリン
グ状の中圧電極とが、軸方向に離間して配置してあり、これら高圧電極と中圧電極との間に、導電リングが配置
してある陰極線管の電子銃。
【請求項２】前記抵抗筒体が、セラミックで構成され
る請求項１に記載の陰極線管の電子銃。
【請求項３】前記高圧電極と中圧電極との間に、複数
の導電リングが配置してある請求項１または２に記載の
陰極線管の電子銃。
【請求項４】前記導電リングが、前記中圧電極よりも
高圧電極側に近く配置してある請求項１〜３のいずれか
に記載の陰極線管の電子銃。
【請求項５】前記導電リングが、前記高圧電極よりも
中圧電極側に近く配置してある請求項１〜３のいずれか
に記載の陰極線管の電子銃。