JPH0812437B2 - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線，可
視光線，赤外線,x線，γ線などを意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関
する。

〔従来技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における
光受容層を構成する光導電材料としては、高感度で、SN
比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照射する電
磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル特性を
有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有する
こと、使用時において人体に対して無公害であること、
等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフイスで
使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用光受
容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は重
要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材
料にアモルフアスシリコン（以後Ａ−Siと表記す）があ
り、たとえば、独国公開第2746967号公報、同第2855718
号公報等には電子写真用光受容部材としての応用が記載
されている。

しかしながら、従来のＡ−Siで構成された光受用層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的，光学的，光導電的特性および使用
環境特性の点、さらには経時的安定性および耐久性の点
において、各々個々には特性の向上が計られているが、
総合的な特性向上を計る上でさらに改良される余地が存
するのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、
高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来に
おいてはその使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起こって、残像
が生ずるいわゆるゴースト現象を発するようになる等の
不都合な点が少なくなかった。

また、Ａ−Si材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
（Ｈ）あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子
（Ｘ）、および電気的伝導型の制御のために硼素原子や
燐原子などが、あるいはその他の特性改良のために他の
原子が、各々構成原子として光導電層中に含有される
が、これらの構成原子の含有の仕方如何によっては、形
成した層の電気的あるいは光導電的特性や電気的耐圧性
に問題が生ずる場合があった。

すなわち、例えば、形成した光導電層中に光照射によ
って発生したフオトキヤリアの該層中での寿命が充分で
ないことや、あるいは転写紙に転写された画像に俗に
「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると
思われる画像欠陥や、クリーニング手段にブレードを用
いると、その摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と
云われている画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿
雰囲気中で使用したり、あるいは多湿雰囲気中に長時間
放置した直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる
場合が少なくなかった。

従ってＡ−Si材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記したような問題の総
てが解決されるように層構成，各層の科学的組成，作成
法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の如きシリコン原子を母体とする材料
で構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容
部材における諸問題を解決することを目的とするもので
ある。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的，光学的，
光導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質
的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に
際しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残
留電位が全くかまたは殆んど観測されない、シリコン原
子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持
体との間や積層される層の各層間における密着性に優
れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、
シリコン原子を母体とする材料で構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、電子写真用光受容部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際
の電荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、シリ
コン原子を母体とする材料で構成された光受容層を有す
る電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において画像欠陥や
画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容
易にできる、シリコン原子を母体とする材料で構成され
た光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とにある。

本発明のさらに別の目的は、高光感度性、高SN比特性
および高電気的耐圧性を有する、シリコン原子を母体と
する材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受
容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と該支持体
上に、長波長光吸収層（以後「IR吸収層」と略記す
る）、電荷注入阻止層、電荷発生層、電荷輸送層および
表面層とがこの順で前記支持体側より積層された層構成
を有する光受容層とを有し、前記表面層がシリコン原子
と、炭素原子、窒素原子および酸素原子のうちの少なく
とも一種と、水素原子およびハロゲン原子の少なくとも
いずれか一方とを含有する非単結晶材料で構成され、前
記長波長光吸収層、前記電荷注入阻止層と前記電荷発生
層（以後「CGL」と略記する）と前記電荷輸送層（以後
「CTL」と略記する）とがシリコン原子を母体とし、水
素原子およびハロゲン原子の中の少なくともいずれか一
方を含有する非単結晶材料（以後「Non-Si（H,X）」と
略記する）で構成され、前記長波長光吸収層は更にゲル
マニウム原子およびスズ原子の少なくともいずれか一方
を含み、前記電荷注入阻止層が周期律表第III族または
第Ｖ族に属する原子を更に含有し、且つ前記電荷輸送層
が、炭素原子、窒素原子及び酸素原子の中の少なくとも
一種を含有すると共に、周期律表第III族または第Ｖ族
に属する原子を、その濃度が層厚方向に前記支持体側か
ら増加または減少する部分を有する不均一な分布状態で
含有する部分を少なくとも有することを特徴としてい
る。

〔作用〕

上記したような層構成を取るようにして設計された本
発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総て
を解決し得、極めて優れた、電気的，光学的，光導電的
特性，耐久性および使用環境特性を示す。

殊に、画像形成への残留電位の影響が実用的には実質
上なく、その電気的特性が安定しており、高感度、高SN
比を有するものであって、耐光疲労，繰返し使用特性，
耐湿性，電気的耐圧性に長けるために、濃度が高く、ハ
ーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の
画像を安定して繰返し得ることができる。

さらに、本発明の電子写真用光受容部材は、全可視光
域において光感度が高く、且つ光応答が速い。そのため
に、高解像度で高品質の画像を安定した状態で高速で繰
返し多数枚得ることができるように、デジタル信号に基
く画像の形成に適している。加えて、光受容層としてCT
LとCGLを用いた機能分離型の構成とすることにより、電
荷（フオトキヤリア）の発生と該発生した電荷の輸送と
いう電子写真用光受容部材にとっての重要な機能を各々
別々の層に持たせることによって、一つの層で両方の機
能をもたせるより層設計の自由度が大きく、特性の優れ
たものができる。また、CTLに炭素原子，窒素原子およ
び酸素原子のうち少なくとも一種が含有されていること
によりCTLの比誘電率を小さくすることができるため
に、層厚当りの容量を減少させることができ、帯電能や
感度の向上を計ることができ、さらに高電圧に対する耐
圧性も向上し、耐久性も向上する。加えてCTLには伝導
性を制御する物質を層厚方向に不均一な分布状態で含有
させることにより、所望に従って最適な電荷輸送能力を
有するCTLを設計できる。

さらに、CTLとCGLの界面における電荷の注入性も改善
されるため、帯電能，感度，残留電位，ゴースト，感度
ムラ耐久性解像度等を飛躍的に向上させることができ
る。

更に、IR吸収層を支持体とCGLとの間に設けることに
よって、電子写真装置の露光光源として半導体レーザ等
の長波長光を用いても、入射表面側から支持体までの間
で吸収し切ない分の長波長光も該IR吸収層で高効率で吸
収されるので、支持体表面での長波長光の反射による干
渉現象の現出を顕著に防止出来、画質が飛躍的に向上す
る。

また、支持体とCGLとの間に電荷注入阻止層が設けら
れてあるために、帯電処理を受けた際に、前記支持体側
からCGL中に電荷が注入されるのを効果的に阻止するこ
とができ、帯電能が飛躍的に向上する。

加えて、表面に表面層が設けられているので、機械強
度や電気的耐圧性が飛躍的に向上しまた、帯電処理を受
けた際に表面より電荷が注入されるのを効果的に阻止で
き、帯電能，使用環境特性，耐久性および電気的耐圧性
が向上する。

〔発明の具体的説明〕

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材に
ついて具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す電子写真用光受容部材100は、電子写真
用光受容部材用としての支持体101の上にIR吸収層103
と、伝導性を制御する物質（M₀）を全層領域に均一また
は不均一に含有するNon-Si（H,X）（以後「Non-SiM
₀（H,X）」と略記する）で構成される電荷注入阻止層10
4と、Non-Si（H,X）で構成されるCGL105と、Non-Si（H,
X）で構成されると共に、炭素原子，窒素原子および酸
素原子の中の少なくとも一種を含有し、且つ伝導性を制
御する物質（Ｍ）を層厚方向に不均一な分布状態で含有
している部分を少くとも有しているCTL106と、表面層10
7とから成る層構成を有する光受容層102とを有する。表
面層107は自由表面108を有する。

支持体 本発明において使用される支持体としては、導電性で
も電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、
例えば、NiCr,ステンレス,Al,Cr,Mo,Au,Nb,Ta,V,Ti,Pt,
Pb等の金属またはこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポリエチ
レン，ポリカーボネート，セルロースアセテート，ポリ
プロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，ポ
リスチレン，ポリアミド等の合成樹脂のフイルムまたは
シート、ガラス、セラミツク、紙等が挙げられる。これ
らの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容
層を設けるのが望ましい。

たとえばガラスであれば、その表面に、NiCr,Al,Cr,M
o,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd,InO₃,ITO（In₂O₃＋Sn）等か
ら成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、ある
いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr,Al,Ag,Pb,Zn,Ni,Au,Cr,Mo,Ir,Nb,Ta,V,Tl,Pt
等の金属の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタ
リング等でその表面に設け、または前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。
支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の板状無端ベ
ルト状または円筒状等であることができ、その厚さは、
所望通りの電子写真用光受容部材を形成しうるように適
宜決定するが、電子写真用光受容部材としての可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかし
ながら、支持体の製造上および取り扱い上、機械的強度
等の点から、通常は10μ以上とされる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行
う場合には、可視画像において現われる。いわゆる干渉
縞模様による画像不良を解消するために、支持体表面に
凹凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、Ｖ字形状の切刃を有
するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体をあらかじめ所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状，ピッチ，深
さで形成される。このような切削加工法によって形成さ
れる凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持
体の中心軸を中心にした螺線構造を有する。逆Ｖ字形突
起部の螺線構造は、二重，三重の多重螺線構造、または
交叉螺線構造とされても差支えない。

あるいは、螺線構造に加えて中心軸に沿った平行線構
造を導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形
成される各層の微小カラム内における層厚の管理された
不均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層と
の間に良好な密着性や所望の電気的接触性を確保するた
めに逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第２図に（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）で示されるように実質的に二等辺三角
形，直角三角形あるいは不等辺三角形とされるのが望ま
しい。これらの形状の中殊に二等辺三角形，直角三角形
が望ましい。

本発明においては、管理された状態で支持体表面に設
けられる凹凸の各デイメンジヨンは、以下の点を考慮し
た上で、本発明の目的を結果的に達成できるように設定
される。

すなわち、第１は光受容層を構成するNon-Si（H,X）
層は、層形成される表面の状態に構造敏感であって、表
面状態に応じて層品質は大きく変化する。従って、Non-
Si（H,X）光受容光層の層品質の低下を招来しないよう
に支持体表面に設けられる凹凸のデイメンジヨンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングにおいてクリーニングを完全
に行うことができなくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードの
いたみが早くなるという問題がる。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上
の問題点、および干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結
果、支持体表面の凹部のピツチは、好ましくは500μｍ
〜0.3μm,より好ましくは200μｍ〜１μm,最適には50μ
ｍ〜５μｍであるのが望ましい。

また凹部の最大の深さは、好ましくは0.1μｍ〜５μ
m,より好ましくは0.3μｍ〜３μm,最適には0.6μｍ〜２
μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部のピツチ
と最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（または線上
突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜20度，よ
り好ましくは３度〜15度，最適には４度〜10度とされる
のが望ましい。

また、このような支持体上に堆積される各層の層厚の
不均一に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましく
は0.1μｍ〜２μm,より好ましくは0.1μｍ〜1.5μm,最
適には0.2μｍ〜１μｍとされるのが望ましい。

また、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の干
渉縞模様による画像不良を解消する別の方法として、支
持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けて
もよい。

すなわち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求
される解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸
は、複数の球状痕跡窪みによるものである。

以下に、本発明の電子写真用光受容部材における支持
体の表面の形状およびその好適な製造例を、第３図およ
び第４図により説明するが、本発明の光受容部材におけ
る支持体の形状およびその製造法は、これによって限定
されるものではない。

第３図は本発明の電子写真用光受容部材における支持
体の表面の形状の典型的一例を、その凹凸形状の一部を
部分的に拡大して模式的に示すものである。

第３図において301は支持体、302は支持体表面、303
は剛体真球、304は球状痕跡窪みを示している。

さらに第３図は、該支持体表面形状を得るのに好まし
い製造方法の１例をも示すものである。すなわち、剛体
真球303を、支持体表面302より所定高さの位置より自然
落下させて支持体表面302に衝突させることにより、球
状窪み304を形成しうることを示している。そして、ほ
ぼ同一径Roの剛体真球303を複数個用い、それらを略々
同一の高さｈより、同時にあるいは逐時的に落下させる
ことにより、支持体表面302に、ほぼ同一曲率半径Ｒお
よび同一幅Ｄを有する複数の球状痕跡窪み304を形成す
ることができる。

前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪みによる
凹凸形状の形成された支持体の典型例を第４図に示す。

第４図において、401は支持体、402は凹凸部の凸部位
置、403は剛体真球、404は球状痕跡窪みを表わす。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表
面の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒおよび幅
Ｄは、こうした本発明の電子写真用光受容部材における
干渉縞の発生を防止する作用効果を効率的に達成するた
めには重要な要因である。本発明者らは、各種実験を重
ねた結果以下のところを究明した。すなわち、曲率半径
Ｒおよび幅Ｄが次式： を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエアリング
干渉によるニユートンリングが0.5本以上存在すること
となる。さらに次式： を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエアリング
干渉によるニユートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、電子写真用光受容部材の全体に発
生する干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、電子
写真用光受容部材における干渉縞の発生を防止するため
には、前記D/Rを0.035、好ましくは0.055以上とするこ
とが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅Ｄは、大きくとも500
μｍ程度、好ましくは200μｍ以下、より好ましくは100
μｍ以下とするのが望ましい。

第４図の例においては、略々同一半径Roの剛体真球を
使用した例を示してあるが、本発明における支持体とし
ては、これに限定されることはなく、本発明の目的を達
成する範囲において個数の種類が管理された状態で、半
径Roの異なる複数種の剛体真球を使用しても良い。

第５図は、上記方法で作成した支持体501上に、IR吸
収層502,電荷注入阻止層503,CGL504,CTL505,表面層506
とからなる光受容層500を形成した例が示される。表面
層506は自由表面507を有する。

IR吸収層 本発明におけるIR吸収層は、構成要素としてゲルマニ
ウム原子（Ge）およびスズ原子（Sn）のうちの少なくと
もいずれか一方と、水素原子（Ｈ）およびハロゲン原子
（Ｘ）のうちの少なくともいずれか一方と、好ましくは
シリコン原子（Si）も含有する非単結晶材料（以後「No
n-Si（Ge,Sn）（H,X）」と略記する）で構成される。

該IR吸収層に含有されるゲルマニウム原子および／ま
たはスズ原子は該IR吸収層中に万偏無く均一に分布され
ても良いし、あるいは該IR吸収層の全層領域に万偏無く
含有されてはいるが層厚方向の分布濃度が不均一であっ
ても良い。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行な面内方向においては、均一な分布で万偏無く
含有されることが、面内方向における特性の均一化を計
る点からも必要である。すなわち、IR吸収層の層厚方向
には万偏無く含有されていて、且つ前記支持体の設けら
れてある側とは反対の側（光受容層の自由表面側）の方
に対して前記支持体側の方に多く分布した状態となるよ
うにするか、あるいは、この逆の分布状態となるように
前記IR吸収層中に含有される。

本発明の電子写真用光受容部材においては、前記した
ようにIR吸収層中に含有されるゲルマニウム原子および
／またはスズ原子の分布状態は、層厚方向においては前
記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平行な面内方
向には均一な分布状態とされるのが望ましい。

また、好ましい実施態様例の１つにおいては、IR吸収
層中におけるゲルマニウム原子および／またはスズ原子
の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子および／また
はスズ原子が連続的に万偏無く分布し、ゲルマニウム原
子および／またはスズ原子の層厚方向の分布濃度が支持
体側よりCGLに向って減少する変化が与えられているの
で、IR吸収層とCGLとの間における親和性に優れ、且つ
後述するように、支持体側端部においてゲルマニウム原
子の分布濃度を極端に大きくすることにより、半導体レ
ーザ等を使用した場合のCTLからCGLまでに吸収し切れな
い長波長側の光をIR吸収層において、実質的に完全に吸
収することが出来、支持体面からの反射により干渉を防
止することが出来る。

第６図乃至第11図には、本発明における光受容部材の
IR吸収層中に含有されるゲルマニウム原子および／また
はスズ原子の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型
的例が示される。

第６図乃至第11図において、横軸はゲルマニウム原子
および／またはスズ原子（以後「原子（GS）」と略記す
る）の分布濃度Ｃを、縦軸はIR吸収層の層厚を示し、t_B
は支持体側のIR吸収層の端面の位置を、t_Tは支持体側と
は反対側のIR吸収層の端面の位置を示す。すなわち、原
子（GS）の含有されるIR吸収層はt_B側よりt_T側に向って
層形成がなされる。

第６図には、IR吸収層中に含有される原子（GS）の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第６図に示される例では、原子（GS）の含有されるIR
吸収層が形成される表面と該IR吸収層の表面とが接する
界面位置t_Bよりt₁の位置までは、原子（GS）の分布濃度
ＣがC₁なる一定の値を取り乍ら原子（GS）が形成される
IR吸収層に含有され、位置t₁よりは濃度C₂より界面位置
t_Tに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
t_Tにおいては原子（GS）の分布濃度ＣはC₃とされる。

第７図に示される例においては、含有される原子（G
S）の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで濃度C₄
から徐々に連続的に減少して位置t_Tにおいて濃度C₅とな
る様な分布状態を形成している。

第８図の場合には、位置t_Bより位置T₂までは原子（G
S）の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値とされ、位置t₂と位
置t_Tとの間において、徐々に連続的に減少され、位置t_T
において、分布濃度Ｃは実質的に零とされている（ここ
で実質的に零とは検出限界量未満の場合である、以後の
「実質的に零」の意味も同様である。）。

第９図の場合には、原子（GS）の分布濃度Ｃは位置t_B
より位置t_Tに至るまで、濃度C₈より連続的に徐々に減少
され、位置t_Tにおいて実質的に零とされている。

第10図に示す例においては、原子（GS）の分布濃度Ｃ
は、位置t_Bと位置t₃間においては、濃度C₉）と一定値で
あり、位置t_Tにおいては濃度C₁₀とされる。位置t₃と位
置t_Tとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置t₃より
位置t_Tに至るまで減少されている。

第11図に示す例においては、位置t_Bより位置t_Tに至る
まで、原子（GS）の分布濃度Ｃは濃度C₁位置より実質的
に零に至るように一次関数的に減少している。

以上、第６図乃至第11図によりIR吸収層中に含有され
る原子（GS）の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを
説明したように、本発明においては、支持体側におい
て、シリコン原子を含み、且つ原子（GS）の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、界面t_T側においては、前記分布濃度
Ｃは支持体側に比べてかなり低くされた部分を有する原
子（GS）の分布状態がIR吸収層に設けられている場合
は、好適な例の１つとして挙げられる。この場合、原子
（GS）の層厚方向の分布状態として原子（GS）の分布濃
度の最大値Cmaxがシリコン原子との和に対して、好まし
くは1000原子ppm以上，より好適には5000原子ppm以上，
最適には１×10⁴原子ppm以上とされる様な分布状態とな
り得るように層形成されるのが望ましい。

本発明において、IR吸収層中に含有される原子（GS）
の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成される
ように所望に従って適宜決められるが、好ましくは１〜
10×10₅原子ppm,より好ましくは100〜9.5×10⁵原子ppm,
最適には500〜８×10⁵原子ppmとされるのが望ましい。

前記IR吸収層はさらに伝導性を制御する物質（M_R），
酸素原子（Ｏ），窒素原子（N₁），炭素原子（Ｃ）のう
ち少なくとも１つを含有してもよい。

また、前記の伝導性を制御する物質（M_R）としては、
半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、本発明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第III族に属する原子（以下「第III族原子」とい
う。）、またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に
属する原子（以下「第Ｖ族原子」という。）を用いる。
第III族原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）,Al（ア
ルミニウム）,Ca（ガリウム）,In（インジウム）,Tl
（タリウム）等があり、特にB,Gaが好適である。第Ｖ族
原子としては、具体的には、Ｐ（燐）,As（砒素）,Sb
（アンチモン）,Bi（ビスマス）等があり、特にP,Asが
好適である。

本発明において、IR吸収層中に含有される伝導特性を
制御する物質（M_R）の含有量としては、好ましくは0.01
〜５×10⁵原子ppm,より好ましくは0.5〜１×10⁴原子pp
m,最適には１〜５×10³原子ppmとされるのが望ましいも
のである。

本発明において、Non-Si（Ge,Sn）（H,X）で構成され
るIR吸収層は、たとえば、後述されるCGL,CTLと同様の
真空堆積膜形成法によって、所望特性が得られるように
適宜成膜パラメータの数値条件が設定されて作成され
る。具体的には、たとえばグロー放電法（低周波CVD,高
周波CVDまたはマイクロ波CVD等の交流放電CVD、あるい
は直流放電CVD等），スパツタリング法，真空蒸着法，
イオンプレーテイング法，光CVD法，熱CVD法，非単結晶
材料の原料ガスを分解することにより生成される活性種
（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする成膜
用の化学物質より生成される活性種（Ｂ）とを、各々別
々に堆積膜を形成するための成膜空間内に導入し、これ
らを化学反応させることによって非単結晶材料を形成す
る方法（以下「HRCVD法」と略記す）、非単結晶材料の
原料ガスと、該原料ガスに酸化作用をする性質を有する
ハロゲン系の酸化ガスを各々別々に堆積膜を形成するた
めの成膜空間内に導入し、これらを化学反応させること
によって非単結晶材料を形成する方法（以下、「FOCVD
法」と略記す）などの種々の薄膜堆積膜法によって成形
することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件，
設備資本投下の負荷程度，製造規模，作成される光受容
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造す
るに当っての条件の制御が比較的容易であり、シリコン
原子と共に、ハロゲン原子および水素原子の導入を容易
に行い得る等のことからして、グロー放電法，スパツタ
リング法，イオンプレーテイグ法,HRCVD法,FOCVD法が好
適である。そして、これらの方法を同一装置系内で併用
して形成してもよい。

たとえば、グロー放電法によって、Non-Si（Ge,Sn）
（H,X）で構成されるIR吸収層を形成するには、基本的
にはシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガ
スとゲルマニウム原子（Ge）を供給し得るGe供給用の原
料ガスと、および／またはスズ原子（Sn）を供給し得る
Sn供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内グロー放電を生起さ
せ、あらかじめ所定位置に設置されてある所定の支持体
表面上にNon-Si（Ge,Sn）（H,X）からなる層を形成すれ
ば良い。またゲルマニウム原子および／またはスズ原子
を不均一な分布状態で含有させるには、Ge供給用および
／またはSn供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率
曲線に従って制御しながらNon-Si（Ge,Sn）（H,X）から
なる層を形成させれば良い。また、スパツタリング法で
形成する場合には、たとえばAr,He等の不活性ガスまた
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSi
で構成されたターゲツト、あるいは該ターゲツトとGeお
よび／またはSnで構成されたターゲツトの二枚または三
枚を使用して、またはSiとGeおよび／またはSnの混合さ
れたターゲツトを使用して、必要に応じてHe,Ar等の稀
釈ガスで稀釈されたGe供給用および／またはSn供給用の
原料ガスを必要に応じて、水素原子（Ｈ）または／およ
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用
の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによって成される。ゲルマニウム原子および／
またはスズ原子の分布を不均一にする場合には、前記Ge
供給用および／またはSn供給用の原料ガスのガス流量を
所望の変化率曲線に従って制御しながら、前記のターゲ
ツトをスパツタリングしてやれば良い。

イオンプレーテイング法の場合には、たとえば多結晶
シリコンまたは単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウムま
たは単結晶ゲルマニウムおよび／また多結晶スズまたは
単結晶スズとを、それぞれ蒸発源として蒸着ボードに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法，あるいは、エレクトロ
ンビーム法（EB法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スオアツタリング法の場合と同様にする事で行うことが
できる。

HRCVD法によってNon-Si（Ge,Sn）（H,X）で構成され
るIR吸収層を形成するには、たとえばSi供給用の原料ガ
スとGe供給用の原料ガスおよび／またはSn供給用の原料
ガスを必要に応じて別々に、あるいはいっしょに内部が
減圧にし得る堆積室内の前段に設けた活性化空間に所望
のガス圧状態で導入して、該活性化空間内にグロー放電
を生起させたり、または加熱したりすることにより活性
種（Ａ）を生成し、水素原子（Ｈ）導入用の原料ガスお
よびまたはハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを同様
に別の活性化空間に導入して活性種（Ｂ）を生成し、活
性種（Ａ）と活性種（Ｂ）を各々別に前記堆積室内に導
入してあらかじめ所定位置に設置されてある所定の支持
体表面上にNon-Si（Ge,Sn）（H,X）からなる層を形成す
れば良い。また、ゲルマニウム原子および／またはスズ
原子を不均一な分布状態で含有させるには、Ge供給用お
よび／またはSn供給用の原料ガスのガス流量を所望の変
化率曲線に従って制御しながらNon-Si（Ge,Sn）（H,X）
からなる層を形成させれば良い。

FOCVD法によってNon-Si（Ge,Sn）（H,X）で構成され
るIR吸収層を形成するには、たとえばSi供給用の原料ガ
スとGe供給用の原料ガスおよび／またはSn供給用の原料
ガスを必要に応じて別々にあるいは一緒に内部が減圧に
し得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、さらにハ
ロゲン（Ｘ）ガスを原料ガスとは別に前記堆積室内に所
望のガス圧状態で導入し、堆積室内でこれらのガスを化
学反応させて、あらかじめ所定の位置に設置されてある
所定の支持体表面上にNon-Si（Ge,Sn）（H,X）からなる
層を形成すれば良い。またゲルマニウム原子および／ま
たはスズ原子を不均一な分布状態で含有させるにはGe供
給用および／またはSn供給用の原料ガスのガス流量を所
望の変化率曲線に従って制御しながらNon-Si（Ge,Sn）
（H,X）からなる層を形成させればよい。

本発明において使用されるSi供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成作
業時の取扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH₄，Si
₂H₆が好ましいものとして挙げられる。

Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、GeH₄，
Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge₄H₁₀，Ge₅H₁₂，Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H
₁₈，Ge₉H₂₀などのガス状態のまたはガス化し得る水素化
ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の
点で、GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈が好ましいものとして挙げら
れる。

Sn供給用の原料ガスと成り得る物質としては、SnH₄，
Sn₂H₆，Sn₃H₈，Sn₄H₁₀，Sn₅H₁₂，Sn₆H₁₄，Sn₇H₁₆，Sn₈H
₁₈，Sn₉H₂₀などのガス状態のまたはガス化し得る水素化
スズが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作
成作業時の取扱い易さ、Sn供給効率の良さ等の点でSn
H₄，Sn₂H₆，Sn₃H₈が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、たとえばハロゲンガス，ハロゲン化物，ハロゲン間
化合物，ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
態のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げ
られる。

また、更にはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状態のまたはガス化し得るハロゲン原子を
含む水素化珪素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物とし
ては、具体的には、フツ素塩素臭素，ヨウ素のハロゲン
ガス、BrF,ClF,ClF₃，BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇,ICl,IBr等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、た
とえばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることができる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受
容部材を形成する場合には、Ge供給用および／またはSn
供給用の原料ガスと共にSiを供給し得る原料ガスとして
の水素化硅素ガスを使用しなくても、所望の支持体上に
ハロゲン原子を含むNon-Si（Ge,Sn）（H,X）から成るIR
吸収層を形成することができる。

グロー放電法にしたがってハロゲン原子を含むIR吸収
層を製造する場合、基本的には、たとえばSi供給用の原
料ガスとなるハロゲン化硅素とGe供給用の原料ガスとな
る水素化ゲルマニウムおよび／またはSn供給用の原料ガ
スとなる水素化スズを所定の混合比とガス流量になるよ
うにしてIR吸収層を形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所望の支持体上にIR吸収層を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易に
なるように図る為にこれ等のガスに更に水素ガスまたは
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形
成しても良い。

また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数
種混合して使用しても差支えないものである。

スパツタリング法，イオンプレーテイング法,HRCVD
法,FOCVD法の何れの場合にも形成される層中にハロゲン
原子を導入するには、前記のハロゲン化合物または前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導
入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いも
のである。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用
の原料ガス、たとえばH₂、あるいは前記したシラン類ま
たは／および水素化ゲルマニウム等のガス類をスパツタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、HF,HCl,HBl,HI等のハロゲン化水素、SiH
₂F₂，SiH₂I₂，SIH₂Cl₂，SiHCl₂，SiH₂Br₂，SiHBr₂等の
ハロゲン置換水素化硅素、およびGeHF₃，GeH₂F₂，GeH
₃F，GeHCl₃，GeH₂Cl₂，GeH₃Cl，GeHBr₃，GeH₂Br₂，GeH₃
Br，GeHI₃，GeH₂I₂，GeH₃I等の水素化ハロゲン化ゲルマ
ニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物、GeF₄，GeCl₄，GeBr₄，GeI₄，GeF₂，GeCl₂，GeBr₂，
GeI₂等のハロゲン化ゲルマニウム、または／およびSnHF
₃，SnH₂F₂，SnH₃F，SnHCl₃，SnH₂Cl₂，SnH₃Cl，SnHB
r₃，SnH₂Br₂，SnH₃Br，SnHI₃，SnH₂I₂，SnH₃I等の水素
化ハロゲン化スズ等の水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物、SnF₄，SnCl₄，SnBr₄，SnI₄，SnF₂，SnCl
₂，SnBr₂，SnI₂等のハロゲン化スズ等々のガス状態のあ
るいはガス化し得る物質も有効なIR吸収層形成用の出発
物質として挙げる事ができる。これ等の物質の中、水素
原子を含むハロゲン化物は、IR吸収層形成の際に層中に
ハロゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発
明においては好適なハロゲン導入用の原料として使用さ
れる。

水素原子をIR吸収層中に構造的に導入するには、上記
の他にH₂あるいはSiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水素
化硅素をGeを供給するためのゲルマニウムまたはゲルマ
ニウム化合物と、あるいはGeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge
₄H₁₀，Ge₅H₁₂，Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈，Ge₉H₂₀等の水
素化ゲルマニウムおよび／またはSnを供給するためのス
ズまたはスズ化合物と、あるいはSnH₄，Sn₂H₆，Sn₃H₈，
Sn₄H₁₀，Sn₅H₁₂，Sn₆H₁₄，Sn₇H₁₆，Sn₈H₁₈，Sn₉H₂₀等の
水素化スズとSiを供給するためのシリコンまたはシリコ
ン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させるこ
とでも行うことができる。

本発明の好ましい例において、形成される電子写真用
光受容部材のIR吸収層中に含有される水素原子（Ｈ）の
量またはハロゲン原子（Ｈ）の量または水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは0.01〜40原
子％，より好ましくは0.05〜30原子％，最適には0.1〜2
5原子％とされるのが望ましい。

IR吸収層中に含有される水素原子（Ｈ）または／およ
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、たとえば支
持体温度または／および水素原子（Ｈ）、あるいはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれ
ば良い。

本発明において、IR吸収層に窒素原子および／または
炭素原子および／または酸素原子を含有させるには、IR
吸収層の形成の際に窒素原子および／または炭素原子お
よび／または酸素原子導入用の出発物質を前記したIR吸
収層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

グロー放電法,HRCVD法,FOCVD法によってIR吸収層を形
成するには窒素原子導入用の出発物質としては、少なく
とも窒素原子を構成原子とするガス状の物質またはガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。

たとえばシリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）またはおよびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、または、シリコン原子（Si）を構成
原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいは、シリコン原子（Si）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、窒
素原子（Ｎ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとし
て有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、
あるいはＮとＨとを構成原子とするたとえば窒素
（N₂），アンモニア（NH₃），ヒドラジン（H₂NNH₂），
アジ化水素（HN₃），アジ化アンモニウム（NH₄N₃）等の
ガス状のまたはガス化し得る窒素、窒素化およびアジ化
物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒
素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導
入も行えるという点から、三弗化窒素（F₃N），四弗化
窒素（F₄N₂）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが
できる。

グロー放電法,HRCVD法,FOCVD法によってIR吸収層を形
成するには炭素原子導入用の出発物質としては、少なく
とも炭素原子を構成原子とするガス状の物質またはガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。

たとえばシリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Si）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Si）を
構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si），炭素
原子（Ｃ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとし
て有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子と
する。

たとえば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（C
H₄），エタン（C₂H₆），プロパン（C₃H₈）,n−ブタン
（ｎ−C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂）、エチレン系炭化水
素としては、エチレン（C₂H₄），プロピレン（C₃H₆），
ブテン−１（C₄H₈），ブテン−２（C₄H₈），イソブチレ
ン（C₄H₈），ペンテン（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（C₂H₂），メチルアセチレン
（C₃H₄），ブチン（C₄H₆）等が挙げられる。SiとＣとＨ
とを構成原子とする原料ガスとしては、Si(CH₃)₄，Si(C
₂H₅)₄等のケイ化アルキルを挙げることが出来る。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン
原子（Ｘ）の導入も行えるという点からCF₄，CCl₄，CH₃
CF₃等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが出来る。

グロー放電法,HRCVD法,FOCVD法によってIR吸収層を形
成するには、酸素原子導入用の出発物質としては、少な
くとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質またはガ
ス化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。

たとえば、シリコン原子（Si）を構成原子とする原料
ガスと、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、
必要に応じて水素原子（Ｈ）またはおよびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Si）を構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（Ｏ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Si）を
構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、酸素
原子（Ｏ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、酸素原子（Ｏ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子（Ｏ）導入用の原料ガスに成り得るものとし
て有効に使用される出発物質は、たとえば酸素（O₂），
オゾン（O₃），一酸化窒素（NO），二酸化窒素（N
O₂），一二酸化窒素（N₂O），三二酸化窒素（N₂O₃），
四三酸化窒素（N₂O₄），五二酸化窒素（N₂O₅），三酸化
窒素（NO₂），シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）と
水素原子（Ｈ）と構成原子とする、たとえば、ジシロキ
サン（H₃SiOSiH₃），トリシロキサン（H₃SiOSiH₂OSi
H₃）等の低級シロキサン等を挙げることができる。

スパツタリング法によってIR吸収層を形成するには、
IR吸収層形成の際、単結晶または多結晶のSiウエーハー
またはSi₃N₄ウエーハー、またはSiとSi₃N₄が混合されて
含有されているウエーハーおよび／またはSiO₂ウエーハ
ー、またはSiとSiO₂が混合されて含有されているウエー
ハーおよび／またはSiCウエーハーまたはSiとSiCが混合
されて含有されているウエーハーをターゲツトとして、
これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタリングすること
によって行えば良い。

たとえば、窒素原子を含有させるにはSiウエーハーを
ターゲツトとして使用すれば、窒素原子と必要に応じて
水素原子または／およびハロゲン原子を導入するための
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツ
タ用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれば良
い。

また、別には、SiとSi₃N₄とは別々のターゲツトとし
てまたはSiとSi₃N₄の混合した一枚のターゲツトを使用
することによって、スパツタ用のガスとしての稀釈ガス
の雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（Ｈ）または／
およびハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによって成され
る。

窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスとし
ては、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中
の窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。

本発明において、IR吸収層の形成の際に、該層に含有
される窒素原子および／または炭素原子および／または
酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）および／またはＣ（Ｃ）お
よび／またはＣ（Ｏ）を層厚方向に変化させて、所望の
層厚方向の分布状態（depth profile）を有する層を形
成するには、グロー放電法,HRCVD法,FOCVD法の場合に
は、分布濃度Ｃ（Ｎ）および／またはＣ（Ｃ）および／
またはＣ（Ｏ）を変化させるべき窒素原子および／また
は炭素原子および／または酸素原子導入用の出発物質の
ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線にしたがって
適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成
される。

たとえば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操
作を行えば良い。

スパツタリング法によって形成する場合、窒素原子お
よび／または炭素原子および／または酸素原子の層厚方
向の分布濃度Ｃ（Ｎ）および／またはＣ（Ｃ）および／
またはＣ（Ｏ）を層厚方向で変化させて、窒素原子およ
び／または炭素原子および／または酸素原子の層厚方向
の所望の分布状態（depth profile）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、窒素原子
および／または炭素原子および／または酸素原子導入用
の出発物質をガス状態で使用し該ガスを堆積室中へ導入
する際のガス流量を所望に従って適宜変化させることに
よって成される。

第二には、スパツタリング用のターゲツトを、たとえ
ばSiとSi₃N₄との混合されたターゲツトを使用するので
あれば、SiとSi₃N₄との混合比を、ターゲツトの層厚方
向において、あらかじめ変化させておくことによって成
される。

SiCかSiO₂を用いる場合も、Si₃N₄と同様に行えばよ
い。

IR吸収層中に含有される窒素原子（Ｎ）の量、または
酸素原子（Ｏ）の量、または炭素原子（Ｃ）の量、また
は窒素原子と酸素原子の量の和（Ｎ＋Ｏ）、または窒素
原子と炭素原子の量の和（Ｎ＋Ｃ）、または炭素原子と
酸素原子の量の和（Ｃ＋Ｏ）、または窒素原子と炭素原
子と酸素原子の量の和（Ｎ＋Ｃ＋Ｏ）は、好ましくは0.
01〜40原子％、より好ましくは0.05〜30原子％、最適に
は0.1〜25原子％とされるのが望ましい。

IR吸収層中に、伝導特性を制御する物質（M_R）、たと
えば、第III族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III族原子導入用の出発物
質あるいは第Ｖ族導入用の出発物質をガス状態で堆積室
中に、IR吸収層を形成するための他の出発物質と共に導
入してやれば良い。このような第III族原子導入用に出
発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状のま
たは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。そのような第III族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用とし
ては、B₂H₆，B₄H₁₀，B₅H₉，B_{5 11}，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₇H₁₄
等の水素化硼素、BF₃，BCl₂，BBr₃等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、AlCl₃，GaCl₃，Ga(CH₃)₃，In
Cl₂，TlCl₃等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において
有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、PH₃，P
₂H₄等の水素化燐、PH₄I，PF₃，PF₅，PCl₃，PCl₅，PB
r₃，PBr₅，PI₃等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、AsH₃，AsF₃，AsCl₃，AsBr₃，AsF₅，SbH₃，SbF₃，Sb
F₅，SbCl₃，SbCl₅，BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができ
る。

更に本発明におけるIR吸収層の層厚は、所望の電子写
真特性が得られることおよび経済的効果等の点から0.05
〜25μ、好ましくは0.07〜20μ、最適には0.1〜15μと
するのが望ましい。

電荷注入阻止層 電荷注入阻止層は、前記したようにNon-SiMo（H,X）
で構成される。本発明における電荷注入阻止層は、ある
一方極性の帯電処理を光受容層101の表面に受けた際、
支持体101側よりCGL104中に電荷が注入されるのを阻止
する機能を有し、他方の極性の帯電処理を受けた際には
そのような機能は発揮されない、所謂整流性を有してい
る。そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層
は一方の伝導型を与える伝導性を制御する物質（M₀）を
比較的多く含有させる。

伝導性を制御する物質（M₀）は、電荷注入阻止層の層
界面方向には万偏無く均一に含有されるが、層厚方向に
は、その分布濃度Ｃ（M₀）は均一であっても不均一であ
っても良い。しかしながら、いずれにしても電荷注入阻
止層の全層領域に含有される。

分布濃度Ｃ（M₀）が不均一な場合には、支持体側に多
く分布するように含有させるのが好適である。

電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する物質
（Ｍ）と同一極性であっても良く、また、異なる極性で
あっても良く、更には同一物質であっても、異なる物質
であっても良い。

しかしながら、帯電処理を受けた際に自由表面側より
CTL中におよび支持体側よりCGL中に電荷が注入されるの
をより効果的にするには、電荷注入阻止層およびCTL中
に含有される伝導性を制御する物質は、夫々、少なくと
も極性が異なっている方が好ましい。

これらのことは、光受容層の層設計の際に目的に合せ
て充分考慮されて適宜決定される。電荷注入阻止層中に
含有される伝導性を制御する物質（M₀）としては具体的
には、前記した導電性を制御する物質（M_R）や後記され
る伝導性を制御する物質（Ｍ）と同じものを挙げること
が出来る。

第６図乃至第10図には電荷注入阻止層に層厚方向には
不均一な分布濃度で含有される場合の伝導性を制御する
物質（M₀）の層厚方向の分布状態の典型的例が示され
る。

第12図乃至第16図の例において横軸は物質（M₀）の分
布濃度Ｃ（M₀）を、縦軸は電荷注入阻止層の層厚ｔを示
し、t_Bは支持体側の界面位置を、t_Tは支持体側とは反対
側の界面の位置を示す。即ち、電荷注入阻止層はt_B側よ
りt_T側に向って層形成がなされる。

第12図には電荷注入阻止層中に含有される物質（M₀）
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第12図に示される例では界面位置t_B側よりt₄の位置ま
では、物質（M₀）の含有濃度Ｃ（M₀）がC₁₂なる一定の
値を取りながら含有され位置t₄より分布濃度Ｃ（M₀）は
界面位置t_Tに至るまでC₁₃より徐々に連続的に減少され
ている。界面位置t_Tにおいては分布濃度ＣはC₁₄とされ
る。

第13図に示される例においては、含有される物質
（M₀）の分布濃度Ｃ（M₀）は位置t_Bより位置t_Tに至るま
でC₁₅から徐々に連続的に減少して位置t_TにおいてC₁₆と
なるような分布状態を形成している。

第14図に示す例においては、物質（M₀）の分布濃度Ｃ
（M₀）は、位置t_Bと位置t₅間においてはC₁₇と一定値で
あり、位置t_TにおいてはC₁₈とされる。位置t₅と位置t_T
との間では、分布濃度Ｃ（M₀）は一次関数的に位置t₅よ
り位置t_Tに至るまで減少されている。

第15図に示される例においては、分布濃度Ｃ（M₀）は
位置t_Bより位置t₆まではC₁₉の一定値を取り、位置t₆よ
り位置t_TまではC₂₀よりC₂₁まで一次関数的に減少する分
布状態とされている。

第16図に示される例においては、分布濃度Ｃ（M₀）は
位置t_Bより位置t_TまでC₂₂の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が伝導性を制御する物
質（M₀）を支持体側において多く分布する分布状態で含
有する場合、物質（M₀）の分布濃度Ｃ（M₀）の最大値
が、好ましくは50原子ppm以上、より好適には80原子ppm
以上、最適には100原子ppm以上とされるような分布状態
となり得るように層形成されるのが望ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される物質
（M₀）の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
されるように所望に従って適宜決められるが、好ましく
は30〜５×10⁴原子ppm,より好ましくは50〜１×10⁴原子
ppm,最適には１×10²〜５×10³原子ppmとされるのが望
ましいものである。

電荷注入阻止層が炭素原子および／または窒素原子お
よび／または酸素原子の含有によって、重点的に支持体
と電荷注入阻止層との間の密着性の向上および電荷注入
阻止層とCGLとの間の密着性の向上が図られる。

第17図乃至第23図には電荷注入阻止層に含有される炭
素原子または／および酸素原子または／および窒素原子
（これらを総称して「原子（Ｚ）」と記す）の層厚方向
の分布状態の典型的例が示される。

第17図乃至第23図の例において、横軸は原子（Ｚ）の
分布濃度C_Zを、縦軸は電荷注入阻止層の層厚ｔを示し、
t_Bは支持体側の界面位置を、t_Tは支持体側とは反対側の
界面の位置を示す。すなわち、電荷注入阻止層はt_B側よ
りt_Tに向って層形成がなされる。

第17図には電荷注入阻止層中に含有される原子（Ｚ）
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第17図に示される例では界面位置t_Bよりt₇の位置まで
は原子（Ｚ）の分布濃度C_ZがC₂₃なる一定の値を取りな
がら含有され位置t₇より分布濃度Ｃは界面位置t_Tに至る
までC₂₄より徐々に連続的に減少されている。界面位置t
_Tにおいては分布濃度ＣはC₂₅とされる。

第18図に示される例においては、含有される原子
（Ｚ）の分布濃度C_Zは位置t_Bより位置t_Tに至るまでC₂₆
から徐々に連続的に減少して位置t_TにおいてC₂₇となる
ような分布状態を形成している。

第19図の場合には、位置t_Bより位置t₈までは原子
（Ｚ）の分布濃度C_ZはC₂₈と一定値とされ、位置t₈と位
置t_Tとの間において、徐々に連続的に減少され、位置t_T
において、実質的に零とされている。

第20図の場合には原子（Ｚ）は位置t_Bより位置t_Tに至
るまで、分布濃度C_ZはC₃₀より連続的に徐々に減少さ
れ、位置t_Tにおいて実質的に零とされている。

第21図に示す例においては、原子（Ｚ）の分布濃度C_Z
は、位置t_Bと位置t₉間においてはC₃₁と一定値であり、
位置t_TにおいてはC₃₂とされる。位置t₉と位置t_Tとの間
では、分布濃度C_Zは一次関数的に位置t₉より位置t_Tに至
るまで減少されている。

第22図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度C_Zは位置T_Bより位置t₁₀まではC₃₃の一定値を取り、位
置t₁₀より位置t_TまではC₃₄よりC₃₅まで一次関数的に減
少する分布状態とされている。

第23図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度C_Zは位置t_Bより位置t_TまでC₃₆の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が原子（Ｚ）を支持体
側において多く分布する分布状態で含有する場合、原子
（Ｚ）の分布濃度C_Zの最大値が好ましくは500原子ppm以
上、より好適には800原子ppm以上、最適には1000原子pp
m以上とされるような分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される原子
（Ｚ）の含有量としては本発明の目的が効果的に達成さ
れるように所望に従って適宜決められるが、好ましくは
0.001〜50原子％，より好ましくは0.002〜40原子％，最
適には0.003〜30原子％とされるのは望ましい。

本発明における電荷注入阻止層に含有する水素原子ま
たは／およびハロゲン原子は、Non-SiM₀（H,X）内に存
在する未結合手を補償し、層品質の向上を計ることが出
来る。

水素原子またはハロゲン原子または水素原子とハロゲ
ン原子の和の含有量は、好適には１〜50原子％，より好
適には５〜40原子％，最適には10〜30原子％である。

本発明において電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写
真特性が得られること、および経済的効果等の点から、
好ましくは0.01〜10μ，より好ましくは0.05〜８μ，最
適には0.1〜５μとされるのが望ましい。

電荷注入阻止層は、後述されるCGL,CTLと同様の真空
堆積膜形成法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメータの数値条件が設定されて作成される。

CGL 本発明におけるCGLは、Non-Si（H,X）で構成され、所
望の光導電特性、特に電荷発生特性を有する。

本発明におけるCGL中には、後述されるCTLの場合のよ
うに、伝導性を制御する物質（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、
窒素原子（Ｎ）および酸素原子（Ｏ）のいずれも実質的
には含有されない。

また、本発明におけるCGLに含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補
償し層品質の向上、特に光導電特性の向上に効果を奏す
る。

水素原子またはハロゲン原子，または水素原子とハロ
ゲン原子の和の含有量は好適には１〜40原子％，より好
適には５〜30原子％，最適には10〜20原子％とされるの
が望ましい。

本発明のおいて、CGLの層厚は所望の電子写真特性が
得られることおよび経済的効果、特に充分な電荷発生能
が得られるように電子写真画像形成装置に使用する光源
の光の吸収係数に応じて適宜所望に従って決められ、好
適には0.01〜30μm,より好適には0.1〜20μm,最適には
１〜10μｍとされるのが望ましい。

本発明において、Non-Si（H,X）で構成されるCGLを形
成するには、例えば前記のIR吸収層の場合と同様にグロ
ー放電法（低周波CVD,高周波CVDまたはマイクロ波CVD等
の交流放電CVD、あるいは直流放電CVD等）、ECR-CVD
法，スパツタリング法，真空蒸着法，イオンプレーテイ
ング法，光CVD法，熱CVD法,HRCVD法,FOCVD法等の種々の
薄膜堆積法によって形成することができる。

これらの薄膜堆積法は、製造条件，設備資本投下の負
荷程度，製造規模，作成される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する電子写真用の光受容部材を製造するに
当っての条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子
と共にハロゲン原子および水素原子の導入を容易に行い
得る等のことからして、グロー放電法，スパツタリング
法，イオンプレーテイング法,ECR-CVD法,HRCVD法,FOCVD
法が好適である。場合によっては、これらの方法を同一
装置系内で併用して形成してもよい。例えば、グロー放
電法によってNon-Si（H,X）で構成されるCGLを形成する
には、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得るSi供
給用の原料ガスと水素原子（Ｈ）導入用の原料ガスまた
は／およびハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所
定位置に設置されてある所定の支持体表面上にNon-Si
（H,X）からなる層を形成すれば良い。また、スパツタ
リング法で形成する場合には、例えばAr,He等の不活性
ガスまたはこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でSiで構成されたターゲツトを使用して、必要に応
じて、水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入
し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て成される。

イオンプレーテイング法の場合には、例えば多結晶シ
リコンまたは単結晶シリコンを、蒸発源として蒸着ボー
ドに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法，あるいは、エレ
クトロンビーム法（EB法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパツタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とができる。HRCVD法によってNon-Si（H,X）で構成され
るCGLを形成するには、例えばSi供給用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内の前段に設けた活性化空間
に所望のガス圧状態で導入して、該活性化空間内にグロ
ー放電を生起させたり、または過熱したりすることによ
り活性種（Ａ）を生成し、水素原子（Ｈ）導入用の原料
ガスおよび／またはハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを同様に別の活性化空間に導入して活性種（Ｂ）を生
成し、活性種（Ａ）と活性種（Ｂ）を各々別々に前記堆
積室内に導入して、あらかじめ所定位置に設置されてあ
る所定の支持体表面上にNon-Si（H,X）からなる層を形
成すれば良い。FOCVR法によって、Non-Si（H,X）で構成
されるCGLを形成するには、例えばSi供給用の原料ガス
を内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導
入しさらにハロゲン（Ｘ）ガスを原料ガスとは別に前記
堆積室内に所望のガス圧状態で導入し堆積室内で、これ
らのガスを化学反応させて、あらかじめ所定位置に設置
されてある所定の支持体表面上にNon-Si（H,X）かなな
る層を形成すれば良い。

本発明において使用されるSi供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等のガ
ス状態のまたはガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH₄，Si
₂H₆が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

また、さらには、シリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状態のまたはガス化し得る、ハロゲン
原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物とし
ては、具体的には、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロ
ゲンガス、BrF,ClF,ClF₃，BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇,ICl,I
Br等のハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハロゲン化硅素が好
ましいものとして挙げることができる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受
容部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体
上にハロゲン原子を含むNon-Si（H,X）から成るCGLを形
成することができる。

グロー放電法にしたがって、ハロゲン原子を含むCGL
を製造する場合、基本的には、例えばSi供給用の原料ガ
スとなるハロゲン化硅素を所定のガス流量になるように
してCGLを形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って、所望の支持体上にCGLを形成し得るものである
が、水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように
図るために、これ等のガスにさらに水素ガスまたは水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成し
て良い。

また、各がスは単独種のみでなく所定の混合比で複数
種混合して使用しても差支えないものである。

スパツタリング法，イオンプレーテイング法,HRCVD
法,FOCVD法の何れの場合にも形成される層中にハロゲン
原子を導入するには、前記のハロゲン化合物または前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導
入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いも
のである。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用
の原料ガス、例えば、H₂、あるいは前記したシラン類の
ガス類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガス
類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、HF,HCl,HBr,HI等のハロゲン化水素、SiH
₂F₂，SiH₂I₂，SIH₂Cl₂，SiHCl₂，SiH₂Br₂，SiHBr₂等の
ハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態のあるいはガ
ス化し得る物質も有効なCGL形成用の出発物質として挙
げることができる。これ等の物質の中、水素原子を含む
ハロゲン化物は、CGL形成の際に層中にハロゲン原子の
導入と同時に電気的あるいは光電的特性の制御に極めて
有効な水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子をCGL中に構造的に導入するには、上記の他
にH₂、あるいはSiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水素化
硅素とSiを供給するためのシリコンまたはシリコン化合
物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
うことができる。

CGL中に含有される水素原子（Ｈ）または／およびハ
ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温
度または／および水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させるために使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。

CTL 本発明におけるCTLは、構成要素として、シリコン原
子と、炭素原子，窒素原子および酸素原子のうち少なく
とも一種と、伝導性を制御する物質（Ｍ）とを含有する
Non-Si（H,X）（以後「Non-SiM（C,N,O）（H,X）」と略
記する）で構成され、所望の電子写真特性を満足する電
荷輸送特性を有する。該CTLに含有される炭素原子，窒
素原子または酸素原子は該CTL中に万偏無く均一に分布
した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には
不均一な分布状態で含有している部分があっても良いよ
うに含有されても良い。伝導性を制御する物質（Ｍ）は
層厚方向には不均一に分布する状態で含有される。つま
り、物質（Ｍ）の濃度が層厚方向に支持体側から増加ま
たは減少する部分を有するような不均一な分布状態で含
有される。いずれにしても、伝導性を制御する物質
（Ｍ），炭素原子，窒素原子および酸素原子のいずれも
含有される場合には、CTLの全層領域に含有される。伝
導性を制御する物質（Ｍ）のCTLの層厚方向の分布濃度
がCTLの少なくとも一部の層領域において、不均一にな
るように、物質（Ｍ）はCTL中に含有される。

炭素原子，窒素原子および酸素原子のCTLにおける層
厚方向の分布濃度は、均一であっても良く、あるいは伝
導性を制御する物質（Ｍ）と同様にCTLの少なくとも一
部の層領域で不均一となるように含有されても良い。

第24図乃至第39図にはCTLに含有される伝導性を制御
する物質（Ｍ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れている。

第24図乃至第39図において、横軸は含有する物質
（Ｍ）の分布濃度Ｃを、縦軸はCTLの層厚を示し、t_Bは
支持体側のCTLの端面の位置を、t_Tは支持体側とは反対
側のCTLの端面の位置を示す。すなわち、物質（Ｍ）の
含有されるCTLはt_B側よりt_T側に向って層形成がなされ
る。

第24図には、CTL中に含有される物質（Ｍ）の層厚方
向の分布状態の第１の典型例が示される。

第24図に示される例では、CGLとCTLとが接する界面位
置t_Bよりt₁₆の位置までは、物質（Ｍ）の分布濃度Ｃが
値C₅₇なる一定の値を取りながら物質（Ｍ）が形成され
るCTLに含有され、位置t₁₆よりは濃度C₅₈より界面位置t
_Tに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置t
_Tにおいては物質（Ｍ）の分布濃度Ｃは値C₅₉とされる。

第25図に示される例においては、含有される物質
（Ｍ）の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで濃度
C₆₀から徐々に連続的に減少して位置t_Tにおいて濃度C₆₁
となる様な分布状態を形成している。

第26図の場合には、位置t_Bより位置t₁₇までは物質
（Ｍ）の分布濃度Ｃは濃度C₆₂と一定値とされ、位置t₁₇
と位置t_Tとの間において、C₆₃より徐々に連続的に減少
され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある、以後の「実質的に零」の意味も同様である）。

第27図の場合には、物質（Ｍ）の分布濃度Ｃは位置t_B
より位置t_Tに至るまで、濃度C₆₄より連続的に徐々に減
少され、位置t_Tにおいて実質的に零とされている。

第28図に示す例においては、物質（Ｍ）の分布濃度Ｃ
は、位置t_Bと位置t₁₈間においては、濃度C₆₅と一定値で
あり、位置t_Tにおいては濃度C₆₆とされる。位置t₁₈と位
置t_Tとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置t₁₈よ
り位置t_Tに至るまで減少されている。

第29図に示す例においては、位置t_Bより位置t_Tに至る
まで、物質（Ｍ）の分布濃度Ｃは、濃度C₆₇より実質的
に零に至るように一次関数的に減少している。

第30図に示される例においては、含有される物質
（Ｍ）の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで値C
₆₈から徐々に連続的に減少して位置t_Tにおいて値C₆₉と
なる様な分布状態を形成している。

第31図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₁₉までは値C₇₀の一定値を取り、
位置t₁₉より位置t_Tまでは値C₇₁より値C₇₂まで一次関数
的に減少する分布状態とされている。

第32図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₂₀に至るまで値C₇₅からC₇₄まで
徐々に連続的に増加し、位置t₂₀よりはC₇₃の一定値を取
り、位置t_Tに至るような分布状態を形成している。

第33図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまでC₇₇からC₇₆まで徐々
に連続的に増加するような分布状態を形成している。

第34図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₂₁に至るまで実質的に零からC₇₉
まで徐々に連続的に増加し、位置t₂₁よりはC₇₈の一定値
を取り、位置t_Tに至るような分布状態を形成している。

第35図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで実質的に零からC₈₀
まで徐々に連続的に増加するような分布状態を形成して
いる。

第36図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₂₂に至るまでC₈₂からC₈₁まで一
次関数的に増加し、位置t₂₂よりはC₈₁の一定値を取り、
位置t_Tに至るような分布状態を形成している。

第37図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで実質的に零からC₈₃
まで一次関数的に増加するような分布状態を形成してい
る。

第38図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまでC₈₅からC₈₄まで徐々
に連続的に増加するような分布状態を形成している。

第39図に示される例においては、物質（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₂₃に至るまでC₈₈からC₈₇まで一
次関数的に増加し、位置t₂₃よりはC₈₆の一定値を取り、
位置t_Tに至るような分布状態を形成している。

第40図乃至第49図にはCTLに含有される炭素原子また
は／および窒素原子または／および酸素原子（以後、こ
れ等を総称して「原子（Ｙ）」と略記する）の層厚方向
の分布状態の典型的例が示されている。

第40図な乃至第49図において、横軸は含有する原子
（Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸はCTLの層厚を示し、T_Bは
支持体側のCTLの端面の位置を、t_Tは支持体側とは反対
側のCTLの端面の位置を示す。すなわち、原子（Ｙ）の
含有されるCTLはt_B側よりt_T側に向って層形成がなされ
る。

第40図には、CTL中に含有される原子（Ｙ）の層厚方
向の分布状態の第１の典型例が示される。

第40図に示される例では、CGLとCTLとが接する界面位
置t_Bよりt₂₄の位置までは、原子（Ｙ）の分布濃度ＣがC
₈₉なる一定の値を取り乍ら原子（Ｙ）が形成されるCTL
に含有され、位置t₂₄よりは濃度C₉₀より界面位置t_Tに至
るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置t_Tにお
いては原子（Ｙ）の分布濃度ＣはC₉₁とされる。

第41図に示される例においては、含有される原子
（Ｙ）の部分濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで濃度
C₉₂から徐々に連続的に減少して位置t_Tにおいて濃度C₉₃
となる様な分布状態を形成している。

第42図の場合には、位置t_Bより位置t₂₅までは原子
（Ｙ）の分布濃度Ｃは濃度C₉₄と一定値とされ、位置t₂₅
と位置t_Tとの間において、C₉₅から徐々に連続的に減少
され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある）。

第43図の場合には、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは位置t_B
より位置t_Tに至るまで、濃度C₉₆より連続的に徐々に減
少され、位置t_Tにおいて実質的に零とされている。

第44図に示す例においては、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃ
は、位置t_Bと位置t₂₆間においては、濃度C₉₇と一定値で
あり、位置t_Tにおいては濃度C₉₈とされる。位置t₂₆と位
置t_Tとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置t₂₆よ
り位置t_Tに至るまで減少されている。

第45図に示す例においては、位置t_Bより位置t_Tに至る
まで、原子（Ｙ）の分布濃度は濃度C₉₉より実質的に零
に至るように一次関数的に減少している。

第46図に示される例においては、含有される原子
（Ｙ）の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまでC₁₀₀
から徐々に連続的に減少して位置t_TにおいてC₁₀₁となる
様な分布状態を形成している。

第47図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₂₇まではC₁₀₂の一定値を取り、
位置t₂₇より位置t_TまではC₁₀₃よりC₁₀₄まで一次関数的
に減少する分布状態とされている。

第48図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置ｔまでC₁₀₅の一定値を取る。

第40図乃至第48図において示した例は、いずれもt_T側
よりt_B側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多い例を示
したがt_T側とt_B側をまったく逆にして、t_B側よりt_T側の
ほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多くてもよく、例えば
第49図に示される例では第40図において、t_T側とt_B側を
逆にした場合で、界面位置t_Bより位置t₂₈に至るまで原
子（Ｙ）の分布濃度ＣはC₁₀₈から徐々に連続的に増加し
て、位置t₂₈でC₁₀₇となり位置t₂₈から界面位置t_TまでC
₁₀₆なる一定の値となる。

前記の伝導性を制御する物質（Ｍ）としては、半導体
分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本
発明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律表第III
族に属する原子（以下「第III族原子」という。）また
はｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子
（以下「第Ｖ族原子」という。）を用いる。第III族原
子としては、具体的には、Ｂ（硼素）,Al（アルミニウ
ム）,Ca（ガリウム）,In（インジウム）,Tl（タリウ
ム）等があり、特にB,Gaが好適である。第Ｖ族原子とし
ては、具体的には、Ｐ（燐）,As（砒素）,Sb（アンチモ
ン）,Bi（ビスマス）等があり、特にP,Asが好適であ
る。

本発明においては、CTLの全層領域に伝導性を制御す
る物質（Ｍ）として第III族原子または第Ｖ族原子を含
有させることによって、主として伝導型および／または
伝導率を制御する効果および／またはCGLとCTLとの間の
電荷注入性を向上ささせる効果を得ることができるが、
その含有量は比較的少量とされる。物質（Ｍ）の含有量
としては好適には１×10^-3〜１×10³原子ppm,より好適
には５×10³〜１×10²原子ppm,最適には１×10^-2〜50原
子ppmとされるのが望ましい。

また、本発明におけるCTLの全層領域には炭素原子ま
たは／および酸素原子または／および窒素原子が含有さ
れ、主として高暗抵抗化や分光感度の制御と、CGLとCTL
との間の密着性の向上を計ることができる。炭素原子，
酸素原子または窒素原子の含有量は、あるいはこれ等の
中少なくとも二種を含有させる場合には、それらの総含
有量としては、好適には１×10〜５×10原子％，より好
適には５×10^-2〜４×10原子％，最適には１×10^-1〜３
×10原子％とされるのが望ましい。

また、本発明におけるCTLに含有する水素原子または
／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補償
し層品質の向上を計ることができる。

CTL中に含有される水素原子またはハロゲン原子、あ
るいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適に
は１〜70原子％，より好適には５〜50原子％，最適には
10〜30原子％とされるのが望ましい。

本発明において、CTLの層厚は所望の電子写真特性が
得られることおよび経済的効果等の観点から、好ましく
は５〜50μ，より好ましくは10〜40μ，最適には20〜30
μとされるのが望ましい。

本発明において、CGLの層厚はCTLの層厚より薄くする
ことが望ましい。

本発明において、CTL中に原子（Ｙ）を導入するに
は、CTL形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

グロー放電法,HRCVD法,FOCVD法によってCTLを形成す
るには窒素原子導入用の出発物質としては、少なくとも
窒素原子を構成原子とするガス状の物質またはガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され
得る。

たとえばシリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）またはおよびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、または、シリコン原子（Si）を構成
原子とする原料ガスと、窒素原料（Ｎ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいは、シリコン原子（Si）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、窒
素原子（Ｎ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとし
て有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、
あるいはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（N₂），
アンモニア（HN₃），ヒドラジン（H₂NNH₂），アジ化水
素（HN₃），アジ化アンモニウム（NH₄N₃）等のガス状の
またはガス化し得る窒素、窒化物およびアジ化物等の窒
素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原子
（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行
えるという点から、三弗化窒素（F₃N），四弗化窒素（F
₄N₂）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができ
る。

グロー放電法,HRCVD法,FOCVD法によってCTLを形成す
るには炭素原子導入用の出発物質としては、少なくとも
炭素原子を構成原子とするガス状の物質またはガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され
得る。

たとえばシリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Si）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子
（Ｈ）を構成とする原料ガスとを、これもまた所望の混
合比で混合するか、あるいは、シリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、炭素原
子（Ｃ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとし
て有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子と
する、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜
４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（C
H₄），エタン（C₂H₆），プロパン（C₃H₈）,n−ブタン
（ｎ−C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂），エチレン系炭化水
素としては、エチレン（C₂H₄），プロピレン（C₃H₆），
ブテン−１（C₄H₈），ブテン−２（C₄H₈），イソブチレ
ン（C₄H₈），ペンテン（C₅H₁₀），アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（C₂H₂），メチルアセチレン
（C₃H₄），ブチン（C₄H₆）等が挙げられる。

SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Si
(CH₃)₄，Si(C₂H₅)₄等のケイ化アルキルを挙げることが
できる。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン
原子（Ｘ）の導入も行えるという点からCF₄，CCl₄，CH₃
CF₃等のハロゲン化炭素ガスを挙げることができる。

グロー放電法,HRCVD法,FOCVD法によってCTLを形成す
る場合の酸素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も酸素原子を構成原子とするガス状の物質またはガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。

たとえばシリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）またはおよびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、または、シリコン原子（Si）を構成
原子とする原料ガスと、酸素原子（Ｏ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいは、シリコン原子（Si）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、酸
素原子（Ｏ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、酸素原子（Ｏ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子（Ｏ）導入用の原料ガスに成り得るものとし
て有効に使用される出発物質は、例えば酸素（O₂），オ
ゾン（O₃），一酸化窒素（NO），二酸化窒素（NO₂），
一二酸化窒素（N₂O），三二酸化窒素（N₂O₃），四三酸
化窒素（N₂O₄），五二酸化窒素（N₂O₅），三酸化窒素
（NO₂），シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）と水素
原子（Ｈ）と構成原子とする例えば、ジシロキサン（H₃
SiOSiH₃），トリシロキサン（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低
級シロキサン等を挙げることができる。

スパツタリング法によってCTLを形成するには、CTL形
成の際、単結晶または多結晶のSiウエハーまたはSi₃N₄
ウエーハー、またはSiとSi₃N₄が混合されて含有されて
いるウエーハーおよび／またはSiO₂ウエーハー、または
SiとSiO₂が混合されて含有されているウエーハーおよび
／または、SiCウエーハー、またはSiとSiCが混合されて
含有されているウエーハーをターゲツトとして、これ等
を種々のガス雰囲気中でスパツタリングすることによっ
て行えば良い。

たとえば、窒素原子を含有させるにはSiウエーハーを
ターゲツトとして使用すれば、窒素原子と必要に応じて
水素原子または／およびハロゲン原子を導入するための
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツ
タ用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれば良
い。

また別には、SiとSi₃N₄とは別々のターゲツトとし
て、またはSiとSi₃N₄の混合した一枚のターゲツトを使
用することによって、スパツタ用のガスとしての稀釈ガ
スの雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（Ｈ）または
／およびハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパツタリングすることによって成され
る。

窒素原子、炭素原子，酸素原子導入用の原料ガスとし
ては、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中
の窒素原子、炭素原子，酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。

本発明において、CTLの形成の際に、該層に含有され
る原子（Ｙ）の分布濃度Ｃ（Ｙ）を層厚方向に変化させ
て、所望の層厚方向の分布状態（depth profile）を有
する層を形成するには、グロー放電法,HRCVD法,FDCVD法
の場合には、分布濃度Ｃ（Ｙ）を変化させるべき原子
（Ｙ）導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望
の変化率曲線にしたがって適宜変化させ乍ら、堆積室内
に導入することによって成される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用い
られている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設
けられた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる
操作を行えば良い。

スパツタリング法によって形成する場合、原子（Ｙ）
の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｙ）を層厚方向で変化させ
て、原子（Ｙ）の層厚方向の所望の分布状態（depth pr
ofile）を形成するには、第一には、グロー放電法によ
る場合と同様に、原子（Ｙ）導入用の出発物質をガス状
態で使用し該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従って適宜変化させることによって成される。

第二には、スパツタリング用のターゲツトを、例えば
SiとSi₃N₄との混合されたターゲツトを使用するのであ
れば、SiとSi₃N₄との混合比を、ターゲツトの層厚方向
において、あらかじめ変化させておくことによって成さ
れる。

SiCやSiO₂を用いる場合も、Si₃N₄と同様に行えばよ
い。

CTL中に、伝導特性を制御する物質（Ｍ）、例えば、
第III族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第III族原子導入用の出発物質ある
いは第Ｖ族導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、
CGLを形成するための他の出発物質と共に導入してやれ
ば良い。このような第III族原子導入用の出発物質と成
り得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少な
くとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。そのような第III族原子導入用の出
発物質として具体的には硼素原子導入用としては、B
₂H₆，B₄H₁₀，B₅H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₆H₁₄等の水
素化硼素、BF₃，BCl₂，BBr₃等のハロゲン化硼素等が挙
げられる。この他、AlCl₃，CaCl₃，Ca(CH₃)₃，InCl₂，T
lCl₃等も挙げられることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において
有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、PH₃，P
₂H₄等の水素化燐、PH₄I，PF₃，PF₅，PCl₃，PCl₅，PB
r₃，PBr₅，PI₃等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、AsH₃，AsF₃，AsCl₃，AsBr₃，AsF₅，SbH₃，SbF₃，Sb
F₅，SbCl₃，SbCl₅，BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げられることが
できる。

本発明の目的を達成しうる特性を有するCGL102,CTLを
Non-Si（H,X）として水素原子または／およびハロゲン
原子を含有するＡ−Si（以後、「Ａ−Si（H,X）」と称
する）を選択して構成するには、支持体の温度、ガス圧
を所望に従って適宜設定する必要がある。

支持体温度（Ts）は、層設計に従って適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、50℃〜400℃、好適には100
〜300℃とするのが望ましい。

堆積室内のガス圧も同様に層設計に従って、適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合１×10^-4〜10Torr、好
ましくは１×10^-3〜3Torr、最適には１×10^-2〜1Torrと
するのが望ましい。

本発明においては、前記各層を作成するための支持体
温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が
挙げられるが、これらの層作成フアクターは、通常は独
立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有
する各層を形成すべく、相互的且つ有機的関連性に基づ
いて、各層作成フアクターの最適値を決めるのが望まし
い。

CGL,CTLを構成するNon-Si（H,X）として、水素原子ま
たは／およびハロゲン原子を含有する多結晶シリコン
（以後「poly-Si（H,X）」と呼称する。）を選択して構
成する場合、その層を形成するについては種々の方法が
あり、例えば次のような方法があげられる。

その１つの方法は、支持体温度を高温、具体的には40
0〜600℃に設定し、該支持体上にプラズマCVD法により
膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルフアス状の膜を
形成する、すなわち、支持体温度をたとえば約250℃に
した支持体上にプラズマCVD法により膜を形成し、該ア
モルフアス状の膜をアニーリング処理することによりpo
ly化する方法である。該アニーリング処理は、支持体を
400〜600℃に約５〜30分間加熱するか、あるいは、レー
ザー光を約５〜30分間照射することにより行われる。

表面層 本発明における表面層は、構成要素としてシリコン原
子と、炭素原子，窒素原子および酸素原子のうちの少な
くとも一種と、水素原子およびハロゲン原子の少なくと
もいずれか一方とを含有するNon-Si（C,N,O）（H,X）で
構成される。表面層には、CTL中に含有されるような伝
導性を制御する物質（Ｍ）は全く含有されないかまたは
実質的には含有されない。

該層に含有される炭素原子または窒素原子または酸素
原子は該層中に万偏無く均一に分布されても良いし、あ
るいは層厚方向には万偏無く含有されてはいるが、不均
一に分布する状態で含有している部分があっても良い。

しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行
面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有される
ことが面内方向における特性の均一化を計る点からも必
要である。

第50図乃至第59図には表面層に含有される炭素原子ま
たは／および窒素原子または／および酸素原子（以後、
これ等を総称して「原子（Ｚ）」と記す）の層厚方向の
分布状態の典型的例が示されている。

第50図乃至第59図において、横軸は含有する原子
（Ｚ）の分布濃度Ｃを、縦軸は表面層の層厚を示し、t_B
は支持体側とは反対側の表面層の端面の位置を、t_Tは支
持体側とは反対側の表面層の端面の位置を示す。すなわ
ち、原子（Ｚ）の含有される表面層はt_B側よりt_T側に向
って層形成がなされる。

第50図には、表面層中に含有される原子（Ｚ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第50図に示される例おいては、原子（Ｚ）の分布濃度
Ｃは位置t_Bより位置t₂₉に至るまでC₁₁₁からC₁₁₀まで徐
々に連続的に増加し、位置t₂₉よりはC₁₀₉の一定値を取
り位置t_Tに至る様な分布状態を形成している。

第51図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまでC₁₁₃からC₁₁₂まで徐
々に連続的に増加する様な分布状態を形成している。

第52図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₃₀に至るまで実質的に零からC
₁₁₅まで徐々に連続的に増加し、位置t₃₀よりはC₁₁₄の一
定値を取り位置t_Tに至る様な分布状態を形成している。

第53図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_B位置t_Tに至るまで実質的に零からC₁₁₆まで
徐々に連続的に増加する様な分布状態を形成している。

第54図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t₃₁に至るまでC₁₁₈からC₁₁₇まで
一次関数的に増加し、位置t₃₁よりはC₁₁₇の一定値を取
り位置t_Tに至る様な分布状態を形成している。

第55図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで、実質的に零からC
₁₁₉まで一次関数的に増加するような分布状態を形成し
ている。

第56図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまでC₁₂₅からC₁₂₀まで徐
々に連続的に増加する様な分布状態を形成している。

第57図に示される例においては原子（Ｚ）の分布濃度
Ｃは位置t_Bより位置t₃₂に至るまで、C₁₂₄からC₁₂₃まで
一次関数的に増加し、位置t₃₂よりはC₁₂₂の一定値を取
り位置t_Tに至る様な分布状態を形成している。

第56図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_TまでC₁₂₅の一定値を取る。

第59図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃは位置t_Bよりt₃₃に至るまでC₁₂₈の一定値を取り、
位置t₃₃より位置t₃₄に至るまでC₁₂₇の一定値を取り、位
置t₃₄よりはC₁₂₆の一定値を取り位置t_Tに至る様な分布
状態を形成している。

本発明における表面層の全層領域に含有される炭素原
子または／および窒素原子または／および酸素原子は、
主に高暗抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。表面層中
に含有される原子（Ｙ）の含有量は、好適には１×10^-3
〜90原子％，より好適には１×10^-1〜85原子％，最適に
は10×80原子％とされるのが望ましい。

また、本発明における表面層に含有される水素原子ま
たは／およびハロゲン原子はNon-Si（C,N,O）（H,X）内
に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏す
る。

表面層中の水素原子またはハロゲン原子または水素原
子とハロゲン原子の和の含有量は好適には１〜70原子
％，より好適には５〜50原子％，最適には10〜30原子％
である。

本発明において、表面層の層厚は所望の電子写真特性
が得られること、および経済的効果等の点から好ましく
は0.003〜30μ，より好ましくは0.01〜20μ，最適には
0.1〜10μとされるのが望ましい。

本発明においてNon-Si（C,N,O）（H,X）で構成される
表面層を形成するには、前述のCGLを形成する方法と同
様の真空堆積法が採用される。

本発明の目的を達成しうる特性を有する表面層を形成
する場合には、支持体101の温度、ガス圧が前記各層の
特性を左右する重要な要因である。

支持体温度は適宜最適範囲が選択されるが、好ましく
は50℃〜400℃，より好適には100〜300℃とするのが望
ましい。

堆積室内のガス圧も適宜最適範囲が選択されるが、好
ましくは１×10^-4〜10Torr,より好ましくは１×10^-3〜3
Torr,最適には１×10^-2〜1Torrとするのが望ましい。

本発明においては、表面層を作成するための支持体温
度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙
げられるが、これらの層作成フアクターは、通常は独立
的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有す
る表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づい
て、各層作成フアクターの最適値を決めるのが望まし
い。

表面層はNon-Si（C,N,O）（H,X）を母体とする材料で
構成されるが、その中で多結晶性のSi（C,N,O）（H,X）
（以後「poly-Si（C,N,O）（H,X）と呼称する）で構成
される層を形成するにつれて種々の方法があり、例えば
次のような方法があげられる。

その１つの方法は、基本温度を高温、具体的には400
〜600℃に設定し、該基体上にプラズマCVD法により膜を
堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルフアス状の膜を形
成、すなわち基体温度をたとえば約250℃にした基体上
にプラズマCVD法により膜を形成し、該アモルフアス状
の膜をアニーリング処理することによりpoly化する方法
である。該アニーリング処理は、基体を400〜600℃で約
５〜30分間加熱するか、あるいはレーザー光を約５〜30
分間照射することにより行われる。

次に高周波（以下RFと略す）グロー放電分解法によっ
て形成される本発明の電子写真用光受容部材の製造方法
について説明する。

第60図にRFグロー放電分解法による電子写真用光受容
部材の製造装置を示す。

図中の1011,1012,1013,1014,1015,1016,1017のガスボ
ンベには、本発明のそれぞれの層を形成するための原料
ガスが密封されており、その一例として例えば1011には
SiH₄ガス（純度99.999％）ボンベ、1012にはH₂ガス（純
度99.999％）ボンベ、1013にはH₂ガスで希釈されたB₂H₆
ガス（純度99.999％以下B₂H₆／H₂と略す）ボンベ、1014
はNOガス（純度99.5％）ボンベ、1015はGeH₄ガス（純度
99.999％）ボンベ、1016はNH₃ガス（純度99.999％）ボ
ンベ、1017はCH₄ガス（純度99.999％）ボンベである。

基体シリンダー上に、本発明の層構成を持つ電子写真
用光受容部材の作成法を具体的に基づいて述べる。

すなわち、IR吸収層形成用ガスとしてSiH₄ガス，B₂H₆
／H₂ガス,NOガス，GeH₄ガスを、電荷注入阻止層形成用
ガスとしてSiH₄ガス，H₂，B₂H₆／H₂ガス、NOガスを、CG
L形成用ガスとしてSiH₄ガス，H₂ガスを、CTL形成用ガス
としてSiH₄ガス，NH₃ガス，B₂H₆ガスを、表面層形成用
ガスとして、SiH₄ガス，CH₄ガスを用いる場合をとりあ
げる。

これらのガスを反応室1001に流入させるにはガスボン
ベ1011〜1017のバルブ1051〜1057、反応室1011のリーク
バルブ1003が閉じられていることを確認し、また、流入
バルブ1031〜1037、流出バルブ1041〜1047、補助バルブ
1070が開かれていることを確認して先ずメインバルブ10
02を開いて反応室1001およびガス配管内を排気する。

次に真空計1004の読みが約５×10^-6Torrになった時点
で補助バルブ1070、流出バルブ1041〜1047を閉じる。

その後、ガスボンベ1011よりSiH₄ガス、ガスボンベ10
12よりH₂ガス、ガスボンベ1013よりB₂H₆／H₂ガス、ガス
ボンベ1014よりNOガス、ガスボンベ1015よりNH₃ガス、
ガスボンベ1016よりCH₄ガスを、バルブ1051〜1056を開
いて導入し、圧力調節器1061〜1066により各ガス圧力を
2kg/cm²に調節する。

次に流入バルブ1031〜1036を徐々に開けて、以上の各
ガスをマスフローコントローラー1021〜1026内に導入す
る。

また、反応室1001内に設置された基体シリンダー1007
の温度は加熱ヒーター1008により50〜350℃の間の所望
の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリ
ンダー1007上に、IR吸収層，電荷注入阻止層,CGL,CTL,
表面層の各層の成膜を行う。

IR吸収層を形成するには、流出バルブ1041,1043,104
4,1045および補助バルブ1070を徐々に開いてSiH₄ガス，
B₂H₆／H₂ガス,NOガス，GeH₄ガスを反応室1001内に流入
させる。この時、SiH₄ガス流量，B₂H₆／H₂ガス流量,NO
ガス流量，GeH₄ガス流量が所望の値になるように流出バ
ルブ1041,1043,1044,1045を調節し、また、反応室内の
圧力が所望の値になるように真空計1004を見ながらメイ
ンバルブ1002の開口を調節する。その後、電源1010を所
望の電力に設定して反応室1001内にRFグロー放電を生起
させ、基体シリンダー上にIR吸収層の形成を開始する。
所望の膜厚の形成が行われた後、RFグロー放電を止め、
また、流出バルブ1041,1043,1044,1045を閉じて、反応
室内へのガスの流入を止め、IR吸収層の形成を終える。

上記のようにして形成されたIR吸収層に電荷注入阻止
層を形成する。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ1041,104
2、1043,1044および補助バルブ1070を徐々に開いてSiH₄
ガス，H₂ガス，B₂H₆／H₂ガス,NOガスを反応室1001内に
流入させる。この時、SiH₄ガス流量，H₂ガス流量，B₂H₆
／H₂ガス流量,NOガス流量が所望の値になるように流出
バルブ1041,1042,1043,1044を調節し、また、反応室内
の圧力が所望の値になるように真空計1004を見ながらメ
インバルブ1002の開口を調節する。その後、電源1010を
所望の電力に設定して反応室1001内にRFグロー放電を生
起させ、基体シリンダー上に電荷注入阻止層の形成を開
始する。所望の膜厚の形成が行われた後、RFグロー放電
を止め、また、流出バルブ1041,1042,1043,1044を閉じ
て反応室内へのガスの流入を止め、電荷注入阻止層の形
成を終える。

上記のようにして形成された電荷注入阻止層上にCGL
を形成する。

上記電荷注入阻止層上にCGLを形成するには流出バル
ブ1041,1042および補助バルブ1070を徐々に開いてSiH₄
ガス，H₂ガスを反応室1001内に流入させる。この時、Si
H₄ガス流量，H₂ガス流量が所望の値になるように流出バ
ルブ1041,1042を調節し、また、反応室内の圧力が所望
の値になるように真空計1004を見ながらメインバルブ10
02の開口を調節する。その後、電源1010を所望の電力に
設定して反応室内にRFグロー放電を生起させ、基体シリ
ンダー上にCGLの形成を開始する。所望の膜厚の形成が
行われた後、RFグロー放電を止め、また、流出バルブ10
41,1042を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、CGLの
形成を終える。

上記のようにして形成されたCGL上にCTLを形成する。

CTLを形成するには流出バルブ1041,1043,1045および
補助バルブ1070を徐々に開いてSiH₄ガス、B₂H₆ガス、NH
₃ガスを反応室1001内に流入させる。この時、SiH₄ガス
流量、B₂H₆ガス流量、NH₃ガス流量が所望の値になるよ
うに流出バルブ1041,1043,1045を調節し、また、反応室
内の圧力が所望の値になるように真空計1004を見ながら
メインバルブ1002の開口を調節する。その後、電源1010
を所望の電力に設定して反応室内にRFグロー放電を生起
させ、基体シリンダー上にCTLの形成を開始する。所望
の膜厚の形成が行われた後、RFグロー放電を止め、流出
バルブ1041,1043,1045を閉じて反応室内へのガスの流入
を止め、CTLの形成を終える。

上記のようにして形成されたCTL上に表面層を形成す
る。

表面層を形成するには、流出バルブ1041,1046および
補助バルブ1070を徐々に開いて、SiH₄ガス、CH₄ガスを
反応室1001内に流入させる。この時、SiH₄ガス流量、CH
₄ガス流量が所望の値になるように流出バルブ1041,1046
を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるよう
に真空計1004を見ながらメインバルブ1002の開口を調節
する。その後、電源1010を所望の電力に設定して反応室
内にRFグロー放電を生起させ、基体シリンダー上に表面
層の形成を開始する。所望の膜厚の形成が行われた後、
RFグロー放電を止め、流出バルブ1041,1046を閉じて反
応室内へのガスの流入を止め、表面層の形成を終える。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バ
ルブは全て閉じられていることは云うまでもなく、ま
た、それぞれのガスが反応室1001内、流出バルブ1041〜
1047から反応室1001に至る配管内に残留することを避け
るために、流出バルブ1041〜1047を閉じ、補助バルブ10
70を開き、さらにメインバルブ1002を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る
ため、基体シリンダー1007は、モーター1009によって所
望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件
に従って変更が加えられることは云うまでもない。

次にマイクロ波（以下μＷと略す）グロー放電分解法
によって形成される電子写真用光受容部材の製造方法に
ついて説明する。

第61図にμＷグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の2011,2012,2013,2014,2015,2016,2017のガスボ
ンベには、本発明のそれぞれの層を形成するための原料
ガスが密封されており、その一例として例えば2011には
SiH₄ガス（純度99.999％）ボンベ、2012にはH₂ガス（純
度99.999％）ボンベ、2013にはH₂ガスで希釈されたB₂H₆
ガス（純度99.999％以下B₂H₆／H₂に略す）ボンベ、2014
はNOガス（純度99.5％）ボンベ、2015はGeH₄ガス（純度
99.999％）ボンベ、2016はNH₃ガス（純度99.999％）ボ
ンベ、2017はCH₄ガス（純度99.999％）ボンベである。

第61図に示す装置で電子写真用光受容部材を形成する
場合の使用するガスの一例としてIR吸収層形成用ガスと
してSiH₄ガス，B₂H₆／H₂，NO₂ガス，GeH₄ガスを、電荷
注入阻止層形成用ガスとしてSiH₄ガス，H₂，B₂H₆／H₂,N
Oガスを、CGL形成用ガスとしてSiH₄ガス，H₂ガスを、CT
L形成用ガスとしてSiH₄ガス，NH₃ガス，B₂H₆ガスを、表
面層形成用ガスとしてSiH₄ガス，CH₄ガスを用いる場合
をとりあげる。

これらのガスを反応室2001に流入させるにはガスボン
ベ2011〜2017のバルブ2051〜2057、反応室2011のリーク
バルブ2003が閉じられていることを確認し、また、流入
バルブ2031〜2037、流出バルブ2041〜2047、補助バルブ
2070が開かれていることを確認して、先ずメインバルブ
2002を開いて反応室2001およびガス配管内を排気する。

次に真空計2004の読みが約５×10^-6Torrになった時点
で補助バルブ2070、流出バルブ2041〜2046を閉じる。

その後、ガスボンベ2011よりSiH₄ガス、ガスボンベ20
12よりH₂ガス、ガスボンベ2013よりB₂H₆／H₂ガス、ガス
ボンベ2014よりNOガス、ガスボンベ2015よりGeH₄ガス，
ガスボンベ2016よりNH₃ガス、ガスボンベ2017よりCH₄ガ
スを、バルブ2051〜2057を開いて導入し、圧力調節器20
61〜2067により各ガス圧力を2kg/cm²に調節する。

次に流入バルブ2031〜2037を徐々に開けて、以上の各
ガスをマスフローコントローラー2021〜2027内に導入す
る。

また、反応室2001内に設置された基体シリンダー2006
の温度は加熱ヒーター2005により50〜350℃の間の所望
の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリ
ンダー1007上に、IR吸収層，電荷注入阻止層,CGL,CTL,
表面層の各層の成膜を行う。

IR吸収層を形成するには、流出バルブ2041,2043,204
4,2045および補助バルブ2070を徐々に開いてSiH₄ガス，
B₂H₆／H₂ガス,NOガス，GeH₄ガスを反応室2001内に流入
させる。この時、SiH₄ガス流量，B₂H₆／H₂ガス流量,NO
ガス流量，GeH₄ガスの流量が所望の値になるように流出
バルブ2041,2043,2044,2045を調節し、また、反応室内
の圧力が所望の値になるように真空計2004を見ながらメ
インバルブ2002の開口を調節する。その後、マイクロ波
電源2008を所望の電力に設定し、導波管2009および誘電
体窓2010を通して反応室内にμＷグロー放電を生起さ
せ、基体シリンダー上にIR吸収層の形成を開始する。所
望の膜厚の形成が行われた後、μＷグロー放電を止め、
また、流出バルブ2041,2043,2044,2045を閉じて反応室
内へのガスの流入を止め、IR吸収層の形成を終える。

上記のようにして形成されたIR吸収層上に電荷注入阻
止層を形成する。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ2041,204
2,2043,2044および補助バルブ2070を徐々に開いてSiH₄
ガス，H₂ガス，B₂H₆／H₂ガス,NOガスを反応室2001内に
流入させる。この時、SiH₄ガス流量，H₂ガス流量，B₂H₆
／H₂ガス流量,NOガス流量が所望の値になるように流出
バルブ2041,2042,2043,2044を調節し、また、反応室内
の圧力が所望の値になるように真空計2004を見ながらメ
インバルブ2002の開口を調節する。その後、マイクロ波
電源2008を所望の電力に設定し、導波管2009および誘電
体窓2010を通して反応室2001内にμＷグロー放電を生起
させ、基体シリンダー上に電荷注入阻止層の形成を開始
する。所望の膜厚の形成が行われた後、μＷグロー放電
を止め、また、流出バルブ2041,2042,2043,2044を閉じ
て反応室2001内へのガスの流入を止め、電荷注入阻止層
の形成を終える。

上記電荷注入阻止層上にCGLを形成するには流出バル
ブ2041,2042および補助バルブ2070を徐々に開いてSiH₄
ガス、H₂ガスを反応室2001内に流入させる。この時、Si
H₄ガス流量、H₂ガス流量が所望の値になるように流出バ
ルブ2041,2042を調節し、また、反応室内の圧力が所望
の値になるように真空計2004を見ながらメインバルブ20
02の開口を調節する。その後、マイクロ波電源2008を所
望の電力に設定し、導波管2009および誘電体窓2010を通
して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シリン
ダー上にCGLの形成を開始する。所望の膜厚の形成が行
われた後、μＷグロー放電を止め、また、流出バルブ20
41,2042を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、CGLの
形成を終える。

上記のようにして形成されたCGL上にCTLを形成する。
CTLを形成するには流出バルブ2041,2043,2045および補
助バルブ2070を徐々に開いてSiH₄ガス，B₂H₆ガス，NH₃
ガスを反応室2001内に流入させる。この時、SiH₄ガス流
量，B₂H₆ガス流量，NH₃ガス流量が所望の値になるよう
に流出バルブ2041,2043,2045を調節し、また、反応室内
の圧力が所望の値になるように真空計2004を見ながらメ
インバルブ2002の開口を調節する。その後、マイクロ波
電源2008を所望の電力に設定し、導波管2009および誘電
体窓2010を通して反応室内にμＷグロー放電を生起さ
せ、基体シリンダー上にCTLの形成を開始する。所望の
膜厚の形成が行われた後、μＷグロー放電を止め、流出
バルブ2041,2043,2045を閉じて反応室内へのガスの流入
を止めCTLの形成を終える。

上記のようにして形成されたCTL上に表面層を形成す
る。表面層を形成するには流出バルブ2041,2046および
補助バルブ2070を徐々に開いてSiH₄ガス、CH₄ガスを反
応室2001内に流入させる。この時、SiH₄ガス流量、CH₄
ガス流量が所望の値になるように流出バルブ2041,2046
を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるよう
に真空計2004を見ながらメインバルブ2002の開口を調節
する。その後、マイクロ電源12008を所望の電力に設定
し、導波管2009および誘電体窓2010を通して反応室内に
μｗグロー放電を生起させ、基体シリンダー上に表面層
の形成を開始する。所望の膜厚の形成が行われた後、μ
ｗグロー放電を止め、流出バルブ2041,2046を閉じて反
応室内へのガスの流入を止め、表面層の形成を終える。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バ
ルブは全て閉じられていることは云うまでもなく、また
それぞれのガスが反応室2001内、流出バルブ2041〜2046
から反応室2001に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ2041〜2046を閉じ、補助バルブ2070を
開き、さらにメインバルブ2002を全開にして系内を一旦
高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る
ため基体シリンダー2006は、モーター2007によって所望
される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件
に従って変更が加えられる事は云うまでもない。

次にHRCVD法によって形成される電子写真用光受容部
材の製造方法について説明する。

第62図にHRCVD法による電子写真用光受容部材の製造
装置を示す。

第62図において3001は成膜室、3002は活性化室
（Ａ）、3003,3018はマイクロ波プラズマ発生装置、300
4は活性種（Ａ）の原料ガス導入管、3005は活性種
（Ａ）導入管、3006はモーター、3007はシリンダー状の
基体を加熱するヒーター、3008,3009は吹き出し管、301
0はシリンダー状の基体、3011はメイン排気バルブを示
している。また3012乃至3016は原料ガス供給用ボンベで
あり、3017は活性化室（Ｂ）、3019は原料ガス導入管、
3020は活性室（Ｂ）より生じる活性種導入管である。本
装置を用いてシリンダー状の基体に本発明になる層構成
を持つ電子写真用光受容部材の作成方法を具体的に述べ
る。

一例をあげるとシリンダー状の基体としてはAlを使用
し、IR吸収層形成用ガスはSiH₄，GeH₄，B₂H₆,NO,H₂を、
電荷注入阻止層形成用ガスは、SiH₄，B₂H₆,NO,H₂を、CG
L形成用ガスとしてはSiH₄，H₂を、CTL形成用ガスとして
はSiH₄，SiF₄，CH₄，H₂，B₂H₆を用いた。

まずAlシリンダー状基体3010を成膜室3001につり下
げ、その内側に加熱ヒーター3007を備え、モーター3006
により回転できるようにし、成膜室を５×10^-6Torrまで
排気した。

IR吸収層を形成するには、ボンベ3012からH₂ガスを導
入管3004を通して活性化室（Ａ）に導き、マイクロ波プ
ラズマ発生装置3003により活性化処理をし、活性水素を
導入管3005を通して吹き出し管3008より成膜室3001に導
いた。一方、ボンベ3013よりSiH₄ガス,3014よりB₂H₆ガ
ス,3015よりNOガス,3016よりCH₄ガス，不図示のボンベ
よりGeH₄ガス，SiF₄ガスを導入管3019より活性化室
（Ｂ）3017に導入し、マイクロ波プラズマ発生装置3018
により活性化処理をした後導入管3020を通して吹き出し
管3009より成膜室3001に導いた。この時、ガスの流量、
内圧、およびマイクロ波電力は所望の数値に設定され
る。

Alシリンダー状基体3010はヒーター3007により所望の
温度に加熱保持され、排ガスはメイン排気バルブ3011の
開口を適宜に調整して排気させた。このようにしてIR吸
収層を形成させた。

上記IR吸収層の上に同様にしてボンベ3012よりH₂ガ
ス、3013よりSiH₄ガス、3014よりB₂H₆ガス、3015よりNO
ガスを供給し、電荷注入阻止層を形成した。

上記電荷注入阻止層上にCGLを形成するにはボンベ301
2からH₂ガスを導入管3004を通して活性化室（Ａ）に導
き、マイクロ波プラズマ発生装置3003により活性化処理
をし、活性水素を導入管3005を通して吹き出し管3008よ
り成膜室3001に導いた。一方、ボンベ3013よりSiH₄ガス
を導入管3019より活性化室（Ｂ）3017に導入し、マイク
ロ波プラズマ発生装置3018により活性化処理をした後導
入管3020を通して吹き出し管3009より成膜室3001に導い
た。この時ガスの流量、内圧、およびマイクロ波電力は
所望の数値に設定される。

Alシリンダー状基体3010はヒーター3007により所望の
温度に加熱保持され、俳ガスはメイン排気バルブ3011の
開口を適宜調整して排気させた。このようにしてCGLを
形成させた。上記CGLに上に同様にしてボンベ3012よりH
₂ガス、3013よりSiH₄ガス、3014よりB₂H₆ガス、3016よ
りCH₄ガス、不図示のボンベよりSiF₄ガスを供給してCTL
を、該CTL上に、ボンベ3012よりH₂ガス、ボンベ3013よ
りSiH₄ガス、不図示のボンベよりCH₄ガスを供給して表
面層をり順次形成し電子写真用光受容部材を形成した。

次にFOCVD法によって形成される電子写真用光受容部
材の製造方法について説明する。

第63図にFOCVD法による電子写真用光受容部材の製造
装置を示す。

図中の4011,4012,4013,4014,4015,4016,4017のガスボ
ンベには、本発明のそれぞれの層を形成するための原料
ガスが密封されており、その一例として例えば、4011に
はSiH₄ガス（純度99.999％）ボンベ、4012にはH₂ガス
（純度99.999％）ボンベ、4013にはH₂で希釈されたB₂H₆
ガス（純度99.999％以下B₂H₆／H₂と略す）ボンベ、4014
はNOガス（純度99.5％）ボンベ、4015はGeH₄ガス（純度
99.999％）ボンベ、、4016はCH₄ガス（純度99.999％）
ボンベ、4017はF₂ガス（10％He希釈、純度99.99％）で
ある。

IR吸収層形成用ガスとして、SiH₄ガス，B₂H₆／H₂ガ
ス,NOガス，GeH₄ガス，F₂を、電荷注入阻止層形成用ガ
スとしてSiH₄ガス，H₂ガス，B₂H₆／H₂ガス,NOガス，F₂
ガスを、CGL形成用ガスとしてSiH₄ガス，H₂ガス，F₂ガ
スを、CTL形成用ガスとしてSiH₄ガス，CH₄ガス，B₂H₆ガ
ス，F₂ガスを、表面層形成用ガスとして、SiH₄ガス，CH
₄ガス，F₂ガスを用いる場合をとりあげる。

4011〜4015のボンベに充填されている原料ガスは4031
〜4035のそれぞれのバルブ、4053〜4057のマスクローコ
ントローラーを通り、4020から4001の真空チヤンバーへ
導入する。

4017のボンベに充填されているF₂ガスは前記同様にし
て4012を通して4001の真空チヤンバーへ導入する。

真空チヤンバー4001はメイン真空バルブ4002を介して
不図示の真空排気装置により排気される。

4061は基体シリンダー4060を成膜時に適当な温度に加
熱したり、あるいは成膜前に基体シリンダー4060を予備
加熱したりさらには成膜後、膜をアニールするために加
熱する基体加熱用ヒーターである。

基体加熱ヒーターは不図示の導線を介して不図示の電
源より電力が供給される。

また、基体シリンダー4060は均一な膜を形成するため
に4062の回転機構により回転している。4011〜4016のガ
スを4001に導入するには、4001のチヤンバー内が約５×
10^-6Torrになった時点で種々のバルブ操作によりゆっく
りと導入しなければならない。

また、チヤンバー4001内に設置された基体シリンダー
4060の温度は、前記ヒーター4061により50〜350℃の間
の所望の温度迄加熱すればよい。

以上のようにして成膜準備が完了した後、基体シリン
ダー4060上に、IR吸収層，電荷注入阻止層,CGL,CTLの順
で成膜を行う。

IR吸収層形成するには、バルブ4046,4048〜4050を開
け、流出バルブ4031,4033,4034,4035および補助バルブ4
060を徐々に開いてSiH₄ガス，B₂H₆／H₂ガス,NOガス，Ge
H₄ガスを反応室4001内に流入させる。この時、SiH₄ガス
流量，B₂H₆／H₂ガス流量,NOガス流量，GeH₄ガス流量が
所望の値になるように流出バルブ4031,4033,4034,4035
を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になる不図
示の真空計を見ながらメインバルブ4002の開口を調節す
る。

次に4052を開け、マスフローメータ4059を見ながら、
所望の流量まで4037のバルブを徐々に開けて行き、流量
の設定が終わり、所望の膜厚にIR吸収層を形成される時
間がたてばIR吸収層の形成を終える。

上記のようにして作成されたIR吸収層上に上記と同様
な操作によって電荷注入阻止層を形成する。それぞれの
層については、それぞれ必要なガスを流し、前記IR吸収
層と同様にバルブ操作をすればよい。

上記電荷注入阻止層上にCGLを形成するにはバルブ404
6〜4050を開け、流出バルブ4031,4032および補助バルブ
4060を徐々に開いてSiH₄ガス，H₂ガスを反応室4001内に
流入させる。この時、SiH₄ガス流量，H₂ガス流量が所望
の値になるように流出バルブ4031,4032を調節し、ま
た、反応室内の圧力が所望の値になる不図示の真空計を
見ながらメインバルブ4002の開口を調節する。

次に4051を開け、マスフローメータ4058を見ながら所
望の流量まで4036のバルブを徐々に開けて行き、流量の
設定が終わり、所望の膜厚にCGLを形成される時間がた
てばCGLの形成を終える。

上記のようにして作成されたCGL上に、上記と同様な
操作によってCTL,表面層を形成する。それぞれの層につ
いてはそれぞれ必要なガスを流し、前記CGLと同様にバ
ルブ操作すればよい。

〔実施例〕

以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電により第１
表，第２表，第３表，第４表の作成条件に従って鏡面加
工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容部材
を形成した。

作成された電子写真用光受容部材をハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および780nmの波長を有する半
導体レーザーを光源とした電子写真装置にそれぞれセツ
トして、種々の条件のもとに、初期帯電能，感度，残留
電位，ゴースト等の電子写真特性をチエツクし、また、
200万枚相当の加速耐久後の帯電能低下、表面削れ、画
像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁
耐圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重を
かけて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ
性を調べた。上記の総合的な評価結果を第５表に示す。

第５表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例２〉 第70図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第６表，第７表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８表に示す。

第８表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例３〉 第70図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第９表，第10表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第11表に示す。

第11表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例60〉 第42図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第12表，第13表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第14表に示す。

第14表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例５〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第15表，第16表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第17表に示す。

第17表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例６〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第18表，第19表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第20表に示す。

第20表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例７〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第21表，第22表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第23表に示す。

第23表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例８〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第24表，第25表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第26表に示す。

第26表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例９〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第27表，第28表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第29表に示す。

第29表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例10〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第30表，第31表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第32表に示す。

第32表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例11〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第33表，第34表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第35表に示す。

第35表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例12〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第36表，第37表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第38表に示す。

第38表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例13〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第39表，第40表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第41表に示す。

第41表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例14〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第42表，第43表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第44表に示す。

第44表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例15〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第45表，第46表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第47表に示す。

第47表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例16〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第48表，第49表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第50表に示す。

第50表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例17〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第51表，第52表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第53表に示す。

第53表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例18〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第54表，第55表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第56表に示す。

第56表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例19〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第57表，第58表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第59表に示す。

第59表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例20〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第60表，第61表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第62表に示す。

第62表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例21〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第63表，第64表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第65表に示す。

第65表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例22〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第66表，第67表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第68表に示す。

第68表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例23〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第69表，第70表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第71表に示す。

第71表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例24〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第72表，第73表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第74表に示す。

第75表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例25〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第75表，第76表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第77表に示す。

第77表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例26〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第78表，第79表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第80表に示す。

第80表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例27〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第81表，第82表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第83表に示す。

第83表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例28〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第84表，第85表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第86表に示す。

第86表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例29〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第87表，第88表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第89表に示す。

第89表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例30〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第90表，第91表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第92表に示す。

第92表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例31〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第93表，第94表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第95表に示す。

第95表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例32〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第96表，第97表に示す作成条件で実施例１と同様
にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第98表に示す。

第98表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例33〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第99表，第100表に示す作成条件で実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第101表に示す。

第101表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。

〈実施例34〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第102表，第103表に示す作成条件で実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第104表に示す。

第104表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。

〈実施例35〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第105表，第106表に示す作成条件で実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第107表に示す。

第107表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。

〈実施例36〉 第60図の製造装置を用い、RFグロー放電で第１表，第
２表，第108表，第109表に示す作成条件で実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第110表に示す。

第110表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。

〈実施例37〉 第61図の製造装置を用い、マイクロ波CVD法にて第111
表，第112表，第113表，第114表の作成条件に従って鏡
面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容
部材を形成した。

作成された電子写真用光受容部材をハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および780nmの波長を有する半
導体レーザーを光源とした電子写真装置にそれぞれセツ
トして、種々の条件のもとに初期帯電能，感度，残留電
位，ゴースト等の電子写真特性をチエツクし、また、20
0万枚相当の加速実機耐久後の帯電能低下，表面削れ，
画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁
耐圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重を
かけて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ
性を調べた。上記の総合的な評価結果を第155表に示
す。

第155表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著
しい優位性が認められた。

〈実施例38〉 第62図の製造装置を用い、HRCVD法にて、第116表〜第
119表の作成条件に従って鏡面加工を施したアルミシリ
ンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。作成した
電子写真用光受容部材をハロゲンランプを光源とした電
子写真装置および780nmの波長を有する半導体レーザー
を光源とした電子写真装置にセツトして、種々の条件の
もとに、初期帯電能、感度、残留電位、ゴースト等の電
子写真特性をチエツクし、また、200万枚相当の加速実
機耐久後の帯電能低下，表面削れ，画像欠陥の増加等を
調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁
耐圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重を
かけて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ
性を調べた。上記の総合的な評価結果を第120表に示
す。

第120表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著
しい優位性が認められた。

〈実施例39〉 第62図の製造装置を用い、FOCVD法により、第121表〜
第124表の作成条件に従って鏡面加工を施したアルミシ
リンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。

作成された電子写真用光受容部材をハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および780nmの波長を有する半
導体レーザーを光源とした電子写真装置にセツトして、
種々の条件のもとに、初期帯電能，感度，残留電位，ゴ
ースト等の電子写真特性をチエツクし、また、200万枚
相当の加速実機耐久後の帯電能低下，表面削れ，画像欠
陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁
耐圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重を
かけて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ
性を調べた。上記の総合的な評価結果を第125表に示
す。

第125表に見られるように、全項目について良好な結
果が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著
しい優位性が認められた。

〈実施例40〉 鏡面加工を施したシリンダーを、さらに様々な角度を
持つ剣バイトによる旋盤加工に供し、第68図のような断
面形状で第127表のような種々の断面パターンを持つシ
リンダーを複数本用意した。該シリンダーを順次、第60
図の製造装置にセツトし、第126表に示す作製条件のも
とにドラム作製に供した。作成されたドラムはハロゲン
ランプを光源として電子写真装置および780nmの波長を
有する半導体レーザーを光源とした電子写真装置によ
り、種々の評価を行い、第128表の結果を得た。

〈実施例41〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数の
ベアリング用球の落下のもとにさらして、シリンダー表
面に無数の打痕を生ぜしめるいわゆる表面デインプル化
処理を施し、第69図のような断面形状で第130表のうよ
うな種々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意
した。該シリンダーを順次、第60図の製造装置にセツト
し、第129表に示す作製条件のもとにドラム作製に供し
した。作成されたドラムは、ハロゲンランプを光源とし
た電子写真装置および780nmの波長を有する半導体レー
ザーを光源としたデジタル露光機能の電子写真装置によ
り、種々の評価を行い、第131表の結果を得た。

〈実施例42〉 第60図の製造装置を用い第132表〜第135表の作成条件
で実施例１と同様にドラムを作成し同様の評価を行っ
た。

その結果を第136表に示す。

第136表に見られるように全項目について良好な結果
が得られた。

〔発明の効果の概略〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の
層構成としたことにより、Ａ−Siで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に極めて優れた初期帯電能，連続繰返し使用
特性，電気的耐圧性，使用環境特性および耐久性等を有
するものである。また、その電気的特性が安定してお
り、それを用いて得られる画像は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出る等、すぐれた極めて秀でたものとな
る。

特に本発明においては、CTLとCGLを用いた機能分離型
の構成とし、CTLに伝導性を制御する物質（Ｍ）を層厚
方向に不均一または部分的に不均一に分布する状態で含
有させると共に、炭素原子，窒素原子，酸素原子の少な
くとも一種を含有させたことにより、それぞれの層の特
性に合わせた自由な設計が可能となり、電荷の発生とCG
LからCTLへの注入と輸送がすみやかに行われ、特に優れ
た、帯電能，感度を持ち、残留電位，ゴーストが少な
く、また、画像においても解像度が高く、且つ高品質な
画像を安定し繰り返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
するための模式的層構成図、 第２図乃至第５図は各々支持体表面の凹凸形状および該
凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図、 第６図乃至第11図はそれぞれ、IR吸収層中に含有される
原子（Gs）の分布状態の説明図、 第12図乃至第16図はそれぞれ、電荷注入阻止層中に含有
される伝導性を制御する物質（M₀）の分布状態の説明
図、 第17図乃至第23図はそれぞれ、電荷注入阻止層中に含有
される原子（Ｙ）の分布状態の説明図、 第24図乃至第39図はそれぞれ、CTLを構成する伝導性を
制御する物質の、第40図乃至第49図は、それぞれ炭素原
子または／および酸素原子または／および窒素原子の分
布状態を説明するための説明図、 第50図乃至第59図は、それぞれ表面層を構成する炭素原
子または／および酸素原子または／および窒素原子の分
布状態を説明する説明図、 第60図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例でRFを用いたグロー放電法によ
る製造装置の模式的説明図、 第61図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例でマイクロ波を用いたグロー放
電法による製造装置の模式的説明図、 第62図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例でHRCVD法による製造装置の模
式的説明図、 第63図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例でFOCVD法による製造装置の模
式的説明図、 第64図は本発明の電子写真用光受容部材のCTLをRFグロ
ー放電を用いて形成する場合の不純物ガスおよびドーピ
ング・ガスの成膜時における流量変化を示す図、 第65図は本発明の電子写真用光受容部材のCTLをマイク
ロ波グロー放電を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す
図、 第66図は本発明の電子写真用光受容部材のCTLをHRCVD法
を用いて形成する場合の不純物ガスおよびドーピング・
ガスの成膜時における流量変化を示す図、 第67図は本発明の電子写真用光受容部材のCTLをF.O.CVD
法を用いて形成する場合の不純物ガスおよびドーピング
・ガスの成膜時における流量変化を示す図、 第68図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際の
シリンダー基体の断面形状がＶ字形である場合のシリン
ダー断面の拡大図、 第69図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際の
シリンダー基体の表面がいわゆるデインプル化処理され
た場合のシリンダー断面の拡大図、 第70図は本発明の電子写真用光受容部材のCTLをRFグロ
ー放電を用いて形成する実施例の場合の不純物ガスおよ
びドーピングガスの成膜時における流量変化を示す図で
ある。 第１図について、 101……支持体 102……光受容層 103……IR吸収層 104……電荷注入阻止層 105……CGL 106……CTL 107……表面層 108……自由表面 第３図，第４図について、 301,401……支持体 302,402……支持体表面 303,403……剛体真球 304,404……球状痕跡窪み 第５図について、 500……光受容層 501……支持体 502……IR吸収層 503……電荷注入阻止層 504……CGL 505……CTL 506……表面層 507……自由表面 第60図において、 1001……反応室 1002……メイン排気バルブ 1003……反応室リーク・バルブ 1004……真空計 1007……シリンダー基体 1008……基体加熱用ヒーター 1009……シリンダー基体回転用モーター 1010……R.F電源 1011〜1017……原料ガス・ボンベ 1021〜1027……マス・フロー・コントローラー 1031〜1037……ガス流入バルブ 1041〜1047……ガス流出バルブ 1051〜1057……原料ガス・ボンベのバルブ 1061〜1067……圧力調節器 第61図について、 2001……反応室 2002……メイン排気バルブ 2003……反応室リーク用バルブ 2004……真空計 2005……基体加熱用ヒーター 2006……シリンダー状基体 2007……基体回転用モーター 2008……マイクロ波電源 2009……導波管 2010……誘電体窓 2011〜2017……原料ガス・ボンベ 2021〜2027……マス・フロー・コントローラー 2031〜2037……ガス流入バルブ 2041〜2047……ガス流出バルブ 2051〜2057……原料ガス・ボンベのバルブ 2061〜1267……圧力調節器 第62図について、 3001……成膜室 3002……活性化室（Ａ） 3003,3018……マイクロ波プラズマ発生装置 3004,3019……原料ガス導入管 3005,3020……活性種導入管 3006……モーター 3007……シリンダー基体加熱用ヒーター 3008,3009……吹き出し管 3010……シリンダー状の基体 3011……メイン排気バルブ 3012〜3016……原料ガス・ボンベ 3017……活性化室（Ｂ） 第63図について、 4001……反応室 4002……メイン排気バルブ 4011〜4017……原料ガスボンベ 4020,4021……原料ガス導入管 4031〜4037……流出バルブ 4046〜4052……流入バルブ 4053〜4059……マス・フロー・コントローラー 4060……シリンダー状基体 4061……シリンダー状基体加熱用ヒーター 4062……シリンダー基体回転用モーター。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡村 竜次 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−5252（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−5249（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−5253（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−5250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−115457（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−115456（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】支持体と該支持体上に、長波長光吸収層、
   電荷注入阻止層、電荷発生層、電荷輸送層および表面層
   とがこの順で前記支持体側より積層された層構成を有す
   る光受容層とを有し、前記表面層がシリコン原子と、炭
   素原子、窒素原子および酸素原子のうちの少なくとも一
   種と、水素原子およびハロゲン原子の少なくともいずれ
   か一方とを含有する非単結晶材料で構成され、前記長波
   長光吸収層、前記電荷注入阻止層と前記電荷発生層と前
   記電荷輸送層とがシリコン原子を母体とし、水素原子お
   よびハロゲン原子の中の少なくともいずれか一方を含有
   する非単結晶材料で構成され、前記長波長光吸収層は更
   にゲルマニウム原子およびスズ原子の少なくともいずれ
   か一方を含み、前記電荷注入阻止層が周期律表第III族
   または第Ｖ族に属する原子を更に含有し、且つ前記電荷
   輸送層が、炭素原子、窒素原子および酸素原子の中の少
   なくとも一種を含有すると共に、周期律表第III族また
   は第Ｖ族に属する原子を、その濃度が層厚方向に前記支
   持体側から増加または減少する部分を有する不均一な分
   布状態で含有する部分を少なくとも有することを特徴と
   する電子写真用光受容部材。