JPH08116150A - Formation of electrode wiring and resistance element - Google Patents

Formation of electrode wiring and resistance element

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JPH08116150A
JPH08116150A JP6249702A JP24970294A JPH08116150A JP H08116150 A JPH08116150 A JP H08116150A JP 6249702 A JP6249702 A JP 6249702A JP 24970294 A JP24970294 A JP 24970294A JP H08116150 A JPH08116150 A JP H08116150A
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JP
Japan
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resistance element
electrode wiring
forming
photosensitive resin
substrate
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Application number
JP6249702A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasunori Kima
泰則 来間
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To form an electrode wiring and a resistance element which can cope with microstructure and high definition of an integrated circuit, etc. CONSTITUTION: After a conductive film 12 is formed on a substrate 1 by a thick film print method and photosensitive resin 13 which is patterned by photolithography is put on the conductive film 12, the following processes are executed; a first process for forming an electrode wiring by etching the conductive film 12 by using the photosensitive resin 13 as a mask material and a second process for forming a resistance element by putting photosensitive resin having a recessed part in a position corresponding to a resistance element by photolithography on a substrate and burying a resistance material in the recessed part and thereafter peeling the photosensitive resin. The first process and the second process can be inverted.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路素子や画像表
示装置を始めとする電子装置用の抵抗素子付電極配線お
よび抵抗素子の形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resistance element-equipped electrode wiring for an electronic device such as an integrated circuit element or an image display device and a method for forming the resistance element.

【0002】[0002]

【従来の技術】各種電子装置、とりわけICチップやL
SIに代表される半導体集積回路部品の小型化、高密度
化によって近年のエレクトロニクス産業の発展が支えら
れている。これらの半導体部品の中で、モジュールやハ
イブリッドICは、絶縁基板上に電極配線および抵抗素
子を形成し、さらにコンデンサなどの受動素子や半導体
ICや個別半導体素子などの能動素子などを構成要素と
して一体化した集積回路である。
2. Description of the Related Art Various electronic devices, especially IC chips and L
Recent development of the electronics industry is supported by miniaturization and high density of semiconductor integrated circuit components represented by SI. Among these semiconductor parts, modules and hybrid ICs have electrode wiring and resistance elements formed on an insulating substrate, and further include passive elements such as capacitors and active elements such as semiconductor ICs and individual semiconductor elements as constituent elements. It is an integrated circuit.

【0003】ハイブリッドICを例にとれば、その製造
方法で薄膜ハイブリッドICと厚膜ハイブリッドICと
に分けられるが、全体では後者が9割以上を占めてい
る。厚膜ハイブリッドICの製造は、まずセラミック等
の絶縁性基板上に導体ペーストと誘電体ペーストを交互
に印刷し、乾燥、焼成を繰り返して、該誘電体中に設け
たバイアホールにより上下層間を接続して多層回路を形
成して行われる。抵抗パターンも厚膜印刷用の抵抗ペー
ストを印刷し、乾燥、焼成している。
Taking a hybrid IC as an example, its manufacturing method can be divided into a thin film hybrid IC and a thick film hybrid IC. The latter occupies 90% or more of the whole. In manufacturing a thick film hybrid IC, first, a conductor paste and a dielectric paste are alternately printed on an insulating substrate such as ceramic, drying and firing are repeated, and upper and lower layers are connected by via holes provided in the dielectric. Then, a multi-layer circuit is formed. As for the resistance pattern, a resistance paste for thick film printing is printed, dried and fired.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の技
術では、集積回路の電極配線および抵抗素子を含む構成
要素のパターン形成方法として厚膜印刷法を使用してい
るために形成パターンの微細化には限界があり、ゆえに
集積回路の高密度化を進められない問題があった。例え
ば、電極配線においては、従来の厚膜印刷法では100
μm/線以下の高精細なパターンには対応できない。ま
た、抵抗素子に関して言えば、抵抗素子の抵抗値は、抵
抗ペーストが同一であるならば抵抗素子の寸法によって
決定されるので、厚膜印刷法で形成した抵抗素子ではそ
の寸法精度の良否によっては抵抗値が設計値から外れや
すい。
As described above, according to the prior art, since the thick film printing method is used as the pattern forming method of the constituent elements including the electrode wiring and the resistance element of the integrated circuit, the fine pattern of the formed pattern is used. However, there is a limit to the increase in density, and therefore, there has been a problem that it is not possible to proceed with the densification of integrated circuits. For example, in the case of electrode wiring, the conventional thick film printing method is 100
It cannot be applied to high-definition patterns of μm / line or less. Further, regarding the resistance element, the resistance value of the resistance element is determined by the size of the resistance element if the resistance paste is the same, and therefore, in the resistance element formed by the thick film printing method, depending on the dimensional accuracy. The resistance value easily deviates from the design value.

【0005】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、集積回路等の
微細化および高精細化に対応可能な電極配線および抵抗
素子の形成方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of forming an electrode wiring and a resistance element which can cope with miniaturization and high definition of an integrated circuit or the like. To provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1態様は、抵抗素子付電極配線における
電極配線および抵抗素子を形成する方法において、少な
くとも次の各工程を含む方法で作製することを特徴とし
ている。 (1)厚膜印刷法で基板上に導電性膜を形成し、該導電
性膜の上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感
光性樹脂を設置した後、該感光性樹脂をマスク材として
前記導電性膜のエッチング加工を行って電極配線を形成
する第1工程 (2)フォトリソグラフィー法により抵抗素子に対応す
る位置に凹部を有する感光性樹脂を基板上に設置し、該
凹部に抵抗材料を埋め込んだ後、前記感光性樹脂を剥離
して抵抗素子を形成する第2工程
In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention is a method for forming an electrode wiring and a resistance element in an electrode wiring with a resistance element, the method including at least the following steps. It is characterized by being manufactured in. (1) A conductive film is formed on a substrate by a thick film printing method, a photosensitive resin patterned by a photolithography method is placed on the conductive film, and the conductive resin is used as a mask material. Step of etching conductive film to form electrode wiring (2) A photosensitive resin having a recess at a position corresponding to a resistance element is set on a substrate by a photolithography method, and the resistance material is embedded in the recess. After that, the second step of peeling the photosensitive resin to form a resistance element

【0007】あるいは、上記の電極配線および抵抗素子
の形成方法において、電極配線を形成する前記第1工程
と抵抗素子を形成する前記第2工程との順序を逆転させ
たことを特徴としている。
Alternatively, in the above method of forming the electrode wiring and the resistance element, the order of the first step of forming the electrode wiring and the second step of forming the resistance element is reversed.

【0008】また、同様の目的を達成するために、本発
明の第2態様は、抵抗素子付電極配線における電極配線
および抵抗素子を形成する方法において、少なくとも次
の各工程を含む方法で作製することを特徴としている。 (1)厚膜印刷法で基板上に導電性膜を形成し、該導電
性膜の上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感
光性樹脂を設置した後、該感光性樹脂をマスク材として
前記導電性膜のエッチング加工を行って電極配線を形成
する第1工程 (2)抵抗素子に対応する位置に凹部を有する誘電体膜
を基板上に形成し、該凹部に抵抗材料を埋め込んで抵抗
素子を形成する第2工程
In order to achieve the same object, a second aspect of the present invention is a method for forming an electrode wiring and a resistance element in an electrode wiring with a resistance element, the method including at least the following steps. It is characterized by that. (1) A conductive film is formed on a substrate by a thick film printing method, a photosensitive resin patterned by a photolithography method is placed on the conductive film, and the conductive resin is used as a mask material. Step of etching conductive film to form electrode wiring (2) A dielectric film having a recess at a position corresponding to the resistance element is formed on the substrate, and the resistance material is embedded in the recess to form the resistance element. Second step of forming

【0009】あるいは、上記の電極配線および抵抗素子
の形成方法において、電極配線を形成する前記第1工程
と抵抗素子を形成する前記第2工程との順序を逆転させ
たことを特徴としている。
Alternatively, in the above method of forming the electrode wiring and the resistance element, the order of the first step of forming the electrode wiring and the second step of forming the resistance element is reversed.

【0010】また、同様の目的を達成するために、本発
明の第3態様は、抵抗素子付電極配線における電極配線
および抵抗素子を形成する方法であって、少なくとも次
の各工程を含む方法で作製することを特徴としている。 (1)基板上の抵抗素子に対応する位置に凹部を形成
し、該凹部に抵抗材料を埋め込んで抵抗素子を形成する
第1工程 (2)厚膜印刷法で基板上に導電性膜を形成し、該導電
性膜の上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感
光性樹脂を設置した後、該感光性樹脂をマスク材として
前記導電性膜のエッチング加工を行って電極配線を形成
する第2工程
In order to achieve the same object, a third aspect of the present invention is a method of forming an electrode wiring and a resistance element in an electrode wiring with a resistance element, which method includes at least the following steps. It is characterized by making. (1) First step of forming a concave portion at a position corresponding to the resistive element on the substrate and burying a resistive material in the concave portion to form the resistive element (2) Forming a conductive film on the substrate by a thick film printing method Then, a photosensitive resin patterned by a photolithography method is placed on the conductive film, and then the conductive film is etched using the photosensitive resin as a mask material to form an electrode wiring.

【0011】[0011]

【作用】上述の構成からなる電極配線および抵抗素子の
形成方法によれば、厚膜印刷法で導電性膜を形成するた
めに大量生産を可能ならしめ、また感光性樹脂を使用し
たフォトリソグラフィー法の応用により電極配線の形成
を行うため、電極配線の、ひいては集積回路の高精細化
および高密度化を図ることが可能となる。
According to the method of forming the electrode wiring and the resistance element having the above-mentioned structure, it is possible to mass-produce the conductive film by the thick film printing method and the photolithography method using the photosensitive resin. Since the electrode wiring is formed by applying the above method, it is possible to achieve high definition and high density of the electrode wiring, and thus the integrated circuit.

【0012】さらに、フォトリソグラフィーの応用によ
り抵抗素子を形成するため、これも集積回路の高精細化
および高密度化に効果がある。加えて、抵抗素子の寸法
精度の向上により、設計値どおりの抵抗値を有する抵抗
素子を簡便に形成できる。さらに、抵抗素子を誘電体膜
あるいは基板の中に埋め込むことにより、構造上の凹凸
を軽減でき、電極配線上にチップ等を搭載するのを容易
にしている。
Furthermore, since the resistance element is formed by application of photolithography, this is also effective for high definition and high density of the integrated circuit. In addition, since the dimensional accuracy of the resistance element is improved, the resistance element having the resistance value as designed can be easily formed. Further, by embedding the resistance element in the dielectric film or the substrate, it is possible to reduce structural irregularities and facilitate mounting of a chip or the like on the electrode wiring.

【0013】[0013]

【実施例】【Example】

(実施例1)図1は本発明により作製された抵抗素子付
電極配線の一構成例の一部分を示すもので、同図(a)
は基板前面からの透視図であり、同図(b)は(a)の
X−Yにおける断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows a part of a constitutional example of electrode wiring with a resistance element manufactured according to the present invention.
Is a perspective view from the front surface of the substrate, and FIG. 6B is a sectional view taken along line XY in FIG.

【0014】図に示されるように、本実施例の抵抗素子
付電極配線は基板1上に電極配線2が形成されている。
電極配線2は直線状のリード3とこのリード3から独立
したランド4から構成されており、このリード3とラン
ド4は抵抗素子5を介して電気的に接続されている。以
下、この構造の抵抗素子付電極配線における電極配線2
の形成方法およびその材料に関して、図2に示す工程図
に沿って説明する。
As shown in the figure, the electrode element-equipped electrode wiring of this embodiment has an electrode wiring 2 formed on a substrate 1.
The electrode wiring 2 is composed of a linear lead 3 and a land 4 independent of the lead 3, and the lead 3 and the land 4 are electrically connected via a resistance element 5. Hereinafter, the electrode wiring 2 in the resistance-equipped electrode wiring of this structure 2
The forming method and the material thereof will be described with reference to the process chart shown in FIG.

【0015】図2において、基板1は電極配線とよび抵
抗素子を形成するための基板である。基板1は平面ある
いは曲面で化学的に安定なものであればよく、絶縁体の
基板としてはセラミック基板、ガラス基板、樹脂基板等
が考えられるが、本実施例ではガラス基板を使用し、使
用前に洗浄およびアニール処理を施した。また、必要に
応じて基板1上に誘電体ペーストを塗布し、乾燥および
焼成を行い、図2(a)に示すように誘電体膜11を形
成した。基板1は金属板でも構わないが、この場合は表
面に上記のような誘電体膜11を形成して絶縁性を確保
すればよい。
In FIG. 2, a substrate 1 is a substrate for forming electrode wirings and resistance elements. The substrate 1 may be a flat surface or a curved surface and is chemically stable, and a ceramic substrate, a glass substrate, a resin substrate, or the like can be considered as the insulating substrate. However, in this embodiment, the glass substrate is used and before use. Was subjected to cleaning and annealing treatment. Further, if necessary, a dielectric paste was applied onto the substrate 1, dried and baked to form a dielectric film 11 as shown in FIG. 2 (a). The substrate 1 may be a metal plate, but in this case, the dielectric film 11 as described above may be formed on the surface to ensure insulation.

【0016】次いで、基板1上に導電性ペーストを厚膜
印刷し、ペーストの乾燥および焼成を行い、図2(b)
に示すように導電性膜12を形成した(なお、図2
(b)以下では前記誘電体膜11の図示を省略してい
る)。この導電性膜12は後工程のエッチング処理によ
りパターン化されて電極配線2となるものである。導電
性ペーストの材料としては、Au、Ag、Pt、Pd、
Cu、Al、Ni等の金属およびこれらの合金の他、I
TOのような導電性酸化物等、厚膜印刷用にペースト化
が可能な導電体であり、化学的にエッチング処理できる
ものであれば何れを使用しても構わない。本実施例では
AuとAgが良好であった。
Then, a conductive paste is thick-film printed on the substrate 1, and the paste is dried and fired, as shown in FIG.
The conductive film 12 was formed as shown in FIG.
(B) In the following, illustration of the dielectric film 11 is omitted). This conductive film 12 is patterned into an electrode wiring 2 by an etching process in a later step. The material of the conductive paste is Au, Ag, Pt, Pd,
In addition to metals such as Cu, Al and Ni and alloys thereof, I
Any conductive oxide such as TO that can be formed into a paste for thick film printing and that can be chemically etched may be used. In this example, Au and Ag were good.

【0017】次に、図2(c)に示すように、導電性膜
12の上に液体状の感光性樹脂13を塗布し、乾燥させ
た。塗布方法は、スピンコート、ロールコート、ブレー
ドコート、リバースコート、スプレー、ディッピング
等、液体状の材料をコーティングする方法であれば何れ
の方法であっても構わない。また、感光性樹脂13は液
体状である必要はなく、フィルム状レジストでも使用可
能である。フィルム状レジストを使用する場合は、ラミ
ネーターを使用して導電性膜12上に直接貼り付ければ
よい。
Next, as shown in FIG. 2C, a liquid photosensitive resin 13 was applied on the conductive film 12 and dried. The coating method may be any method such as spin coating, roll coating, blade coating, reverse coating, spraying or dipping as long as it is a method for coating a liquid material. Further, the photosensitive resin 13 does not have to be liquid, and a film resist can be used. When a film resist is used, it may be directly attached on the conductive film 12 using a laminator.

【0018】その後、図2(d)に示すように、電極配
線2、すなわちリード3およびランド4のパターンを配
置した遮光マスク14を介して感光性樹脂13を露光し
た。感光性樹脂がフィルム状レジストである場合には、
露光後、70〜90℃で5〜15分程度熱処理を行い、
露光部の樹脂硬化を促進した方がパターン解像度は良好
であった。
After that, as shown in FIG. 2D, the photosensitive resin 13 was exposed through the light shielding mask 14 on which the pattern of the electrode wiring 2, that is, the lead 3 and the land 4 was arranged. When the photosensitive resin is a film resist,
After the exposure, heat treatment is performed at 70 to 90 ° C. for about 5 to 15 minutes,
The pattern resolution was better when the resin curing in the exposed area was accelerated.

【0019】次いで、図2(e)に示すように、専用の
現像液で感光性樹脂13の未露光部を化学的に溶解し、
感光性樹脂13の層のパターン現像を行う。この再、ネ
ガ型の感光性樹脂13を使用した場合には上記のように
未露光部を、ポジ型の感光性樹脂13を使用した場合に
は露光部を溶解する。そして、現像工程を終了後、必要
に応じて感光性樹脂13を熱処理により硬化させる。こ
の硬化処理の結果、導電性膜12と感光性樹脂13との
間の密着性が増加し、後工程のエッチング処理の際に発
生するエッチング不良を防止できる。
Next, as shown in FIG. 2 (e), the unexposed portion of the photosensitive resin 13 is chemically dissolved with a dedicated developer,
The pattern development of the layer of the photosensitive resin 13 is performed. Again, when the negative photosensitive resin 13 is used, the unexposed portion is dissolved as described above, and when the positive photosensitive resin 13 is used, the exposed portion is dissolved. Then, after the development process is completed, the photosensitive resin 13 is cured by heat treatment, if necessary. As a result of this curing treatment, the adhesion between the conductive film 12 and the photosensitive resin 13 is increased, and it is possible to prevent the etching failure that occurs during the etching treatment in the subsequent process.

【0020】続いて、図2(f)に示すように、パター
ン化された感光性樹脂13をマスク材として導電性膜1
2を化学的にエッチングし、電極配線2を形成した。エ
ッチング処理を完了した後、洗浄および乾燥を行った。
Then, as shown in FIG. 2F, the conductive film 1 is formed by using the patterned photosensitive resin 13 as a mask material.
2 was chemically etched to form electrode wiring 2. After completing the etching process, cleaning and drying were performed.

【0021】導電性膜12のエッチング工程を終了後、
図2(g)に示すように、感光性樹脂13を剥離し、基
板の洗浄および乾燥を行うことにより、所定のパターン
に加工された電極配線2を形成した。
After the etching process of the conductive film 12 is completed,
As shown in FIG. 2G, the photosensitive resin 13 was peeled off, and the substrate was washed and dried to form the electrode wiring 2 processed into a predetermined pattern.

【0022】上記の電極配線の形成工程の終了後、続い
て抵抗素子の形成を行う。以下、図3に示す工程図に沿
って抵抗素子の形成工程を説明する。
After the above-mentioned electrode wiring forming process is completed, a resistance element is subsequently formed. The process of forming the resistance element will be described below with reference to the process diagram shown in FIG.

【0023】まず、図3(a)に示すように、上記の工
程で電極配線2、すなわちリード3およびランド4の形
成を終了した基板1の上に、新たに感光性樹脂13を塗
布した。感光性樹脂13の塗布方法は前記のコーティン
グ方法の何れを使用しても構わないし、感光性樹脂13
としてフィルム状レジストを使用しても構わない。
First, as shown in FIG. 3A, a photosensitive resin 13 was newly applied onto the substrate 1 on which the electrode wiring 2, that is, the leads 3 and the lands 4 had been formed in the above process. As the coating method of the photosensitive resin 13, any of the above coating methods may be used.
Alternatively, a film resist may be used.

【0024】次いで、図3(b)に示すように、感光性
樹脂13の抵抗素子が配置される所定の位置に凹部が形
成されるように遮光マスク14を介して露光した。感光
性樹脂がフィルム状レジストである場合には、露光後、
70〜90℃で5〜15分程度熱処理を行い、露光部の
樹脂硬化を促進した方がパターン解像度は良好であっ
た。
Next, as shown in FIG. 3 (b), exposure was performed through the light shielding mask 14 so that a concave portion was formed at a predetermined position where the resistance element of the photosensitive resin 13 was arranged. When the photosensitive resin is a film resist, after exposure,
The pattern resolution was better when heat treatment was performed at 70 to 90 ° C. for about 5 to 15 minutes to accelerate the resin curing in the exposed area.

【0025】続いて、図3(c)に示すように、専用の
現像液で感光性樹脂13の未露光部を化学的に溶解し、
感光性樹脂13の層に抵抗材料を埋め込むための凹部1
3aを形成した。この際、ネガ型の感光性樹脂13を使
用した場合には上記のように未露光部を、ポジ型の感光
性樹脂13を使用した場合には露光部を溶解する。そし
て、現像工程を終了後、必要に応じて感光性樹脂13を
熱処理により硬化させる。この硬化処理の結果、後工程
でも安定な感光性樹脂13を形成できる。
Subsequently, as shown in FIG. 3 (c), the unexposed portion of the photosensitive resin 13 is chemically dissolved with a dedicated developer,
Recess 1 for embedding a resistive material in the layer of photosensitive resin 13
3a was formed. At this time, when the negative photosensitive resin 13 is used, the unexposed portion is dissolved as described above, and when the positive photosensitive resin 13 is used, the exposed portion is dissolved. Then, after the development process is completed, the photosensitive resin 13 is cured by heat treatment, if necessary. As a result of this curing treatment, a stable photosensitive resin 13 can be formed even in the subsequent process.

【0026】さらに、図3(d)に示すように、この凹
部13aに抵抗材料15を埋め込んだ。本実施例では、
抵抗材料として厚膜印刷用のRuO2 ペーストを使用
し、凹部13aにRuO2 ペーストを充填した後、ペー
ストの乾燥を行った。
Further, as shown in FIG. 3 (d), the resistance material 15 is embedded in the recess 13a. In this embodiment,
A RuO 2 paste for thick film printing was used as a resistance material, the recess 13a was filled with the RuO 2 paste, and then the paste was dried.

【0027】抵抗材料15を充填した後、図3(e)に
示すように、感光性樹脂13を基板より剥離して目的と
する抵抗素子5を形成した。抵抗材料15としてRuO
2 を使用した場合には、感光性樹脂13を剥離した後、
ペーストの焼成を行い抵抗素子5を完成させた。
After filling the resistance material 15, the photosensitive resin 13 was peeled from the substrate to form the desired resistance element 5, as shown in FIG. 3 (e). RuO as the resistance material 15
When 2 is used, after peeling off the photosensitive resin 13,
The paste was fired to complete the resistance element 5.

【0028】上記の実施例では抵抗素子付電極配線の形
成において、まず電極配線を形成した後、次いで抵抗素
子を形成したが、これらの工程の順序を逆転させること
も可能である。すなわち、まず基板1の上に凹部13a
を有する感光性樹脂13を形成し、この凹部13aに抵
抗材料を埋め込み、感光性樹脂13を剥離して抵抗素子
5を形成する工程を行った後、次いで、基板上に導電性
膜12を形成し、この導電性膜12上にパターン化され
た感光性樹脂13を形成し、この感光性樹脂13をマス
ク材として導電性膜12のエッチングを行った後、感光
性樹脂13を剥離して、目的とする抵抗素子付電極配線
を得る。
In the above embodiment, in the formation of the electrode wiring with the resistance element, the electrode wiring is first formed and then the resistance element is formed. However, the order of these steps can be reversed. That is, first, the concave portion 13a is formed on the substrate 1.
After a step of forming a photosensitive resin 13 having the above-mentioned structure, embedding a resistance material in the concave portion 13a, and peeling the photosensitive resin 13 to form the resistance element 5, then a conductive film 12 is formed on the substrate. Then, a patterned photosensitive resin 13 is formed on the conductive film 12, the conductive film 12 is etched using the photosensitive resin 13 as a mask material, and then the photosensitive resin 13 is peeled off. The target electrode wiring with a resistance element is obtained.

【0029】(第2実施例)上記の第1実施例において
は、抵抗素子5を基板2の上に形成したが、抵抗素子5
を誘電体膜11の中に埋め込むことも可能である。以
下、この構造の抵抗素子付電極配線の形成方法に関して
説明する。なお、電極配線2の形成工程は実施例1と同
様であるので、ここでは説明を省略し、前記リード3お
よび前記ランド4が既に形成された基板1に抵抗素子5
を形成する工程を図4に示す工程図に沿って説明する。
(Second Embodiment) In the first embodiment, the resistance element 5 is formed on the substrate 2.
Can be embedded in the dielectric film 11. Hereinafter, a method of forming the electrode element-equipped electrode wiring having this structure will be described. Since the process of forming the electrode wiring 2 is the same as that of the first embodiment, its explanation is omitted here, and the resistance element 5 is formed on the substrate 1 on which the leads 3 and the lands 4 are already formed.
The process of forming the film will be described with reference to the process diagram shown in FIG.

【0030】まず、図4(a)に示すように、抵抗材料
を埋め込むための凹部11aを有する誘電体膜11を形
成した。誘電体膜11の形成はスクリーン印刷法による
厚膜印刷で行えばよく、これによれば凹部11aの形成
も容易である。誘電体ペーストにはガラスペーストを使
用すればよい。しかし、抵抗素子5の寸法精度として高
精度が要求される場合は、スクリーン印刷法に代えてサ
ンドブラスト法で凹部11aの加工を行うとよい。サン
ドブラスト法で凹部11aを加工する場合には、まず誘
電体ペーストを基板1上に厚膜印刷した後、ペーストの
乾燥を行って誘電体膜11を形成し、次いで凹部11a
となるべき所定の分を除いた感光性樹脂からなるマスク
材を誘電体膜11上に形成し、サンドブラスト法によっ
て凹部11aを形成し、感光性樹脂を剥離した後、誘電
体膜11の焼成を行い、図4(a)に示す構造と同様の
ものを得る。サンドブラスト法を使用する利点は、スク
リーン印刷法に代えて、感光性樹脂を使用したフォトリ
ソグラフィー法でパターン加工を行うため、サブミクロ
ンのパターン精度が得られる点である。
First, as shown in FIG. 4A, a dielectric film 11 having a recess 11a for burying a resistance material was formed. The dielectric film 11 may be formed by thick film printing by a screen printing method, which facilitates the formation of the recess 11a. A glass paste may be used as the dielectric paste. However, when high accuracy is required as the dimensional accuracy of the resistance element 5, the recess 11a may be processed by the sandblast method instead of the screen printing method. When the recess 11a is processed by the sandblast method, first, the dielectric paste is thick-film printed on the substrate 1 and then the paste is dried to form the dielectric film 11, and then the recess 11a is formed.
A mask material made of a photosensitive resin excluding a predetermined amount to be formed is formed on the dielectric film 11, a recess 11a is formed by a sandblast method, the photosensitive resin is peeled off, and then the dielectric film 11 is baked. Then, a structure similar to that shown in FIG. 4A is obtained. The advantage of using the sandblast method is that pattern processing is performed by a photolithography method using a photosensitive resin instead of the screen printing method, so that submicron pattern accuracy can be obtained.

【0031】続いて、図4(b)に示すように、誘電体
膜11に形成した凹部11a内に抵抗材料15を埋め込
んで抵抗素子5を形成した。本実施例では、抵抗材料と
して厚膜印刷用のRuO2 ペーストを使用し、ペースト
の充填後、ペーストの乾燥および焼成を行って抵抗素子
5を形成した。なお、図4(b)からも明らかなよう
に、この構造の利点は構造上の凹凸をなくした平坦性に
ある。
Subsequently, as shown in FIG. 4B, the resistance material 15 was embedded in the recess 11a formed in the dielectric film 11 to form the resistance element 5. In this example, a RuO 2 paste for thick film printing was used as the resistance material, and after the paste was filled, the paste was dried and fired to form the resistance element 5. As is clear from FIG. 4 (b), the advantage of this structure is flatness without structural irregularities.

【0032】上記の実施例では、まず電極配線を形成し
た後、次いで抵抗素子を形成したが、第1実施例の場合
と同様に、これらの工程の順序を逆転させることも可能
である。さらに、基板1がセラミック基板やガラス基板
のように絶縁性の基板である場合には、図5に示したよ
うに、基板1に凹部1aを直接形成し、この凹部1aに
抵抗材料15を埋め込んで抵抗素子5を形成することも
可能である。この場合の凹部1aはサンドブラスト法で
形成してもよいし、エッチング法によって形成しても構
わない。この凹部1aに抵抗材料15を埋め込み、抵抗
素子5を基板1内に作製した後、電極配線を実施例1に
記載の方法と同様の工程で形成すれば、目的とする抵抗
素子付電極配線を作製することができる。
In the above-described embodiment, the electrode wiring is first formed, and then the resistance element is formed. However, as in the case of the first embodiment, the order of these steps can be reversed. Further, when the substrate 1 is an insulating substrate such as a ceramic substrate or a glass substrate, as shown in FIG. 5, the recess 1a is directly formed in the substrate 1 and the resistance material 15 is embedded in the recess 1a. It is also possible to form the resistance element 5 with. In this case, the recess 1a may be formed by a sandblast method or an etching method. After the resistance material 15 is embedded in the recess 1a and the resistance element 5 is formed in the substrate 1, the electrode wiring is formed by the same process as in the method described in the first embodiment. Can be made.

【0033】(第3実施例)上記の第1,2実施例で
は、主に集積回路を始めとした電子装置用の抵抗素子付
電極配線を形成する方法として記述したが、本実施例で
は、特に画像表示装置用の抵抗素子付電極配線として、
気体放電表示パネル用の陽極群および抵抗素子を形成し
た例について述べる。
(Third Embodiment) In the first and second embodiments described above, a method for forming electrode element-equipped electrode wiring for an electronic device such as an integrated circuit has been mainly described. Especially as electrode wiring with resistance element for image display device,
An example of forming an anode group and a resistance element for a gas discharge display panel will be described.

【0034】図6に本実施例で形成した気体放電表示パ
ネル用の陽極群および抵抗素子の概略図を示す。同図は
パネル基板を前面から見た透視図であり、パネルの一部
分を拡大したものである。
FIG. 6 is a schematic view of the anode group and the resistance element for the gas discharge display panel formed in this example. This figure is a perspective view of the panel substrate as seen from the front, and is an enlarged view of a part of the panel.

【0035】陽極群はリードにあたる陽極母線21、ラ
ンドにあたり画像表示に係わる陽極端子22、および補
助陽極23から構成されており、前記陽極母線21と陽
極端子22とは電流制御を行うための抵抗素子5を介し
て電気的に接続されている。そして、各陽極端子22と
対向する基板上に形成された陰極との間で放電を発生さ
せることにより表示セル内で発光して表示を行う。
The anode group is composed of an anode bus 21 corresponding to a lead, an anode terminal 22 for image display on a land, and an auxiliary anode 23. The anode bus 21 and the anode terminal 22 are resistance elements for controlling current. It is electrically connected via 5. Then, a discharge is generated between each anode terminal 22 and a cathode formed on the substrate facing the anode terminal 22 to emit light in the display cell to perform display.

【0036】図6に示す陽極群配線および抵抗素子を第
1実施例の方法で形成したところ、大きさ350×15
0×10μm、抵抗値約1MΩの抵抗素子5を均一に形
成することができた。抵抗素子5の抵抗値を決定する要
因は、抵抗素子5そのものの寸法精度に加えて、抵抗素
子5の有効寸法を決定する陽極母線21と陽極端子22
との距離精度もある。感光性樹脂を使用したフォトリソ
グラフィー法の応用により高精度の電極および抵抗素子
加工により、初めて均一な抵抗素子5の形成が可能とな
った。抵抗値のバラツキの制御は直接各表示セルの明る
さムラにつながるため、画像表示装置においては重要な
課題である。
When the anode group wiring and the resistance element shown in FIG. 6 were formed by the method of the first embodiment, the size was 350 × 15.
The resistance element 5 having a resistance value of 0 × 10 μm and a resistance value of about 1 MΩ could be uniformly formed. The factors that determine the resistance value of the resistance element 5 are, in addition to the dimensional accuracy of the resistance element 5 itself, the anode bus 21 and the anode terminal 22 that determine the effective dimension of the resistance element 5.
There is also distance accuracy with. By applying a photolithography method using a photosensitive resin, it is possible to form a uniform resistive element 5 for the first time by highly accurate electrode and resistive element processing. Since the control of the variation in the resistance value directly leads to the uneven brightness of each display cell, it is an important issue in the image display device.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電極配線
および抵抗素子の形成方法によれば、感光性樹脂を使用
したフォトリソグラフィー法の応用により高精度の電極
および抵抗素子加工を実現し、集積回路の微細化および
高密度化にも対応可能なパターンを形成することができ
る。また、厚膜印刷法によって膜形成を行うようにした
ので、大量生産も容易である。
As described above, according to the method of forming the electrode wiring and the resistance element of the present invention, high-precision electrode and resistance element processing is realized by applying the photolithography method using the photosensitive resin, It is possible to form a pattern that is compatible with miniaturization and high density of integrated circuits. Further, since the film is formed by the thick film printing method, mass production is easy.

【0038】さらに、本発明の方法で画像表示装置用の
電極配線を形成することにより、各表示セルに対して均
一な抵抗値をもった抵抗素子を配置した電極配線を形成
することができ、したがって形成された抵抗素子付電極
配線は、電流制御を行いながら明るさムラのない画像表
示を可能にすることができる。
Further, by forming the electrode wiring for the image display device by the method of the present invention, it is possible to form the electrode wiring in which the resistance element having a uniform resistance value is arranged for each display cell, Therefore, the formed electrode wiring with the resistance element can enable image display without uneven brightness while controlling the current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明により作製された抵抗素子付電極配線の
一構成例の一部分を示すもので、同図(a)は基板前面
からの透視図であり、同図(b)は(a)のX−Yにお
ける断面図である。
1A and 1B show a part of a configuration example of an electrode wiring with a resistance element manufactured according to the present invention, FIG. 1A is a perspective view from the front surface of a substrate, and FIG. 1B is FIG. 1A. 3 is a sectional view taken along line XY in FIG.

【図2】本発明に係る第1態様の形成方法における第1
工程を説明するための工程図である。
FIG. 2 is a first part of the forming method according to the first aspect of the present invention.
It is a flowchart for explaining a process.

【図3】本発明に係る第1態様の形成方法における第2
工程を説明するための工程図である。
FIG. 3 is a second part of the forming method according to the first aspect of the present invention.
It is a flowchart for explaining a process.

【図4】本発明に係る第2態様の形成方法における第2
工程を説明するための工程図である。
FIG. 4 is a second part of the forming method according to the second aspect of the present invention.
It is a flowchart for explaining a process.

【図5】本発明に係る第3態様の形成方法における第1
工程を説明するための断面図である。
FIG. 5 is a first diagram of a forming method of a third aspect according to the present invention.
It is sectional drawing for demonstrating a process.

【図6】本発明の形成方法を適用した気体放電表示パネ
ル用の陽極群および抵抗素子の概略図である。
FIG. 6 is a schematic view of an anode group and a resistance element for a gas discharge display panel to which the forming method of the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 電極配線 3 リード 4 ランド 5 抵抗素子 11 誘電体膜 12 導電性膜 13 感光性樹脂 14 遮光マスク 15 抵抗材料 21 陽極母線 22 陽極端子 23 補助陽極 1 Substrate 2 Electrode Wiring 3 Lead 4 Land 5 Resistance Element 11 Dielectric Film 12 Conductive Film 13 Photosensitive Resin 14 Light-shielding Mask 15 Resistive Material 21 Anode Bus 22 Anode Terminal 23 Auxiliary Anode

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 抵抗素子付電極配線における電極配線お
よび抵抗素子を形成する方法において、少なくとも次の
各工程を含む方法で作製することを特徴とする電極配線
および抵抗素子の形成方法。 (1)厚膜印刷法で基板上に導電性膜を形成し、該導電
性膜の上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感
光性樹脂を設置した後、該感光性樹脂をマスク材として
前記導電性膜のエッチング加工を行って電極配線を形成
する第1工程 (2)フォトリソグラフィー法により抵抗素子に対応す
る位置に凹部を有する感光性樹脂を基板上に設置し、該
凹部に抵抗材料を埋め込んだ後、前記感光性樹脂を剥離
して抵抗素子を形成する第2工程
1. A method of forming an electrode wiring and a resistance element in an electrode wiring with a resistance element, which is characterized by including at least the following steps. (1) A conductive film is formed on a substrate by a thick film printing method, a photosensitive resin patterned by a photolithography method is placed on the conductive film, and the conductive resin is used as a mask material. Step of etching conductive film to form electrode wiring (2) A photosensitive resin having a recess at a position corresponding to a resistance element is set on a substrate by a photolithography method, and the resistance material is embedded in the recess. After that, the second step of peeling the photosensitive resin to form a resistance element
【請求項2】 請求項1記載の電極配線および抵抗素子
の形成方法において、電極配線を形成する前記第1工程
と抵抗素子を形成する前記第2工程との順序を逆転させ
たことを特徴とする電極配線および抵抗素子の形成方
法。
2. The method of forming an electrode wiring and a resistance element according to claim 1, wherein the order of the first step of forming the electrode wiring and the second step of forming the resistance element is reversed. Method for forming electrode wiring and resistance element to be used.
【請求項3】 抵抗素子付電極配線における電極配線お
よび抵抗素子を形成する方法において、少なくとも次の
各工程を含む方法で作製することを特徴とする電極配線
および抵抗素子の形成方法。 (1)厚膜印刷法で基板上に導電性膜を形成し、該導電
性膜の上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感
光性樹脂を設置した後、該感光性樹脂をマスク材として
前記導電性膜のエッチング加工を行って電極配線を形成
する第1工程 (2)抵抗素子に対応する位置に凹部を有する誘電体膜
を基板上に形成し、該凹部に抵抗材料を埋め込んで抵抗
素子を形成する第2工程
3. A method of forming an electrode wiring and a resistance element in an electrode wiring with a resistance element, the method including at least the following steps: a method of forming an electrode wiring and a resistance element. (1) A conductive film is formed on a substrate by a thick film printing method, a photosensitive resin patterned by a photolithography method is placed on the conductive film, and the conductive resin is used as a mask material. Step of etching conductive film to form electrode wiring (2) A dielectric film having a recess at a position corresponding to the resistance element is formed on the substrate, and the resistance material is embedded in the recess to form the resistance element. Second step of forming
【請求項4】 請求項3記載の電極配線および抵抗素子
の形成方法において、電極配線を形成する前記第1工程
と抵抗素子を形成する前記第2工程との順序を逆転させ
たことを特徴とする電極配線および抵抗素子の形成方
法。
4. The method of forming an electrode wiring and a resistance element according to claim 3, wherein the order of the first step of forming the electrode wiring and the second step of forming the resistance element is reversed. Method for forming electrode wiring and resistance element to be used.
【請求項5】 抵抗素子付電極配線における電極配線お
よび抵抗素子を形成する方法において、少なくとも次の
各工程を含む方法で作製することを特徴とする電極配線
および抵抗素子の形成方法。 (1)基板上の抵抗素子に対応する位置に凹部を形成
し、該凹部に抵抗材料を埋め込んで抵抗素子を形成する
第1工程 (2)厚膜印刷法で基板上に導電性膜を形成し、該導電
性膜の上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感
光性樹脂を設置した後、該感光性樹脂をマスク材として
前記導電性膜のエッチング加工を行って電極配線を形成
する第2工程
5. A method of forming an electrode wiring and a resistance element in an electrode wiring with a resistance element, which is characterized by including at least the following steps. (1) First step of forming a concave portion at a position corresponding to the resistive element on the substrate and burying a resistive material in the concave portion to form the resistive element (2) Forming a conductive film on the substrate by a thick film printing method Then, a photosensitive resin patterned by a photolithography method is placed on the conductive film, and then the conductive film is etched using the photosensitive resin as a mask material to form an electrode wiring.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1167955A2 (en) * 2000-06-30 2002-01-02 DaimlerChrysler AG High temperature matter sensor
CN1324617C (en) * 1998-04-29 2007-07-04 莫顿国际股份有限公司 Formation of thin film resistors

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