JPH08116022A - Semiconductor device and semiconductor device unit - Google Patents

Semiconductor device and semiconductor device unit

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JPH08116022A
JPH08116022A JP31102194A JP31102194A JPH08116022A JP H08116022 A JPH08116022 A JP H08116022A JP 31102194 A JP31102194 A JP 31102194A JP 31102194 A JP31102194 A JP 31102194A JP H08116022 A JPH08116022 A JP H08116022A
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Japan
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semiconductor device
holder
resin package
semiconductor
device unit
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JP31102194A
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Japanese (ja)
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Tadashi Uno
正 宇野
Mitsutaka Sato
光孝 佐藤
Hiroshi Yoshimura
洋 吉村
Katsuhiro Hayashida
勝大 林田
Kosuke Okita
孝輔 音喜多
Tetsuya Fujisawa
哲也 藤沢
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE: To improve the packaging capacity, the maintainability and heat radiating capacity in relation to the semiconductor device and semiconductor device unit packaged in almost vertical state to a package substrate. CONSTITUTION: The semiconductor device unit 50 is formed of semiconductor devices 10 formed of a stage 13 whereon upward extending parts 17 extending upward from the surface of resin packages 15, a holder 51 having an upper part aperture part 53 simultaneously containing semiconductor devices 10 in the juxtaposed state as well as a cap 52 in contact with the upward extending parts 17 formed on the semiconductor devices 10 in the open state of the upper part aperture part 53.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及び半導体装
置ユニットに係り、特に実装基板に対して略垂立状態で
実装される半導体装置及び半導体装置ユニットに関す
る。近年、半導体装置の実装密度を向上させる手段とし
て複数の半導体装置をスタック(積層)する実装構造が
注目されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a semiconductor device unit, and more particularly to a semiconductor device and a semiconductor device unit mounted in a substantially vertical state on a mounting substrate. In recent years, a mounting structure in which a plurality of semiconductor devices are stacked has been attracting attention as a means for improving the mounting density of semiconductor devices.

【0002】また、一方で実装高密度を向上させる手段
として実装基板に対して半導体装置を立設させて実装す
る、いわゆる縦型パッケージを採用した半導体装置が提
案されている。そこで、この縦型パッケージ構造を有す
る半導体装置をスタックすることにより、更なる実装密
度の向上を図ることが考えられる。
On the other hand, there has been proposed a semiconductor device which employs a so-called vertical package in which the semiconductor device is mounted upright on a mounting substrate as a means for improving the mounting density. Therefore, it is possible to further improve the packaging density by stacking the semiconductor devices having the vertical package structure.

【0003】また、半導体装置は発熱するものであり、
この発熱体である半導体装置を近接させてスタックし半
導体装置ユニットを構成した場合には、特に放熱特性を
向上させる必要がある。
Further, the semiconductor device generates heat,
When the semiconductor devices, which are the heating elements, are stacked close to each other to form a semiconductor device unit, it is necessary to improve the heat dissipation characteristics.

【0004】[0004]

【従来の技術】近年、実装高密度を向上するため実装基
板に対して半導体装置を立設させて実装する、いわゆる
縦型パッケージ構造を採用した半導体装置が提案されて
いる。この縦型半導体装置は、実装基板に対して樹脂パ
ッケージを垂立させた状態で実装しうる構成とされてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been proposed a semiconductor device which employs a so-called vertical package structure in which a semiconductor device is mounted upright on a mounting substrate in order to improve mounting density. This vertical semiconductor device is configured to be mounted in a state where a resin package is erected on a mounting substrate.

【0005】図28は、従来における縦型半導体装置の
一例である半導体装置1を示している。同図において、
2は樹脂パッケージであり内部に半導体チップ3が封止
されている。この半導体チップ3はステージ5上に搭載
された状態で樹脂パッケージ2内に埋設された構成とさ
れている。また、4は複数のリードであり、インナーリ
ード部4aが半導体チップ3に接続されると共に、アウ
ターリード部4bが樹脂パッケージ2の一側面から外方
に向け延出した構成とされている。また、各アウターリ
ード部4bの先端所定部分は折曲されており、実装基板
6(図29,図30に現れる)への実装性を向上した構
成とされている。
FIG. 28 shows a semiconductor device 1 which is an example of a conventional vertical semiconductor device. In the figure,
A resin package 2 has a semiconductor chip 3 sealed inside. The semiconductor chip 3 is mounted on the stage 5 and embedded in the resin package 2. Reference numeral 4 denotes a plurality of leads, each having an inner lead portion 4a connected to the semiconductor chip 3 and an outer lead portion 4b extending outward from one side surface of the resin package 2. Further, a predetermined portion of the tip of each outer lead portion 4b is bent, so that the mountability on the mounting substrate 6 (shown in FIGS. 29 and 30) is improved.

【0006】上記構成とされた半導体装置1は、実装時
にはアウターリード部4bが実装基板と接続されるよう
樹脂パッケージ2を実装基板6に対して垂立させた状態
で実装する。このように樹脂パッケージ2を実装基板に
垂立状態で実装することにより、半導体装置1を実装基
板6に実装するのに要する実装スペースは、樹脂パッケ
ージ2のアウターリード部4bが延出している面(参照
符号2aで示す)の面積で済む。
The semiconductor device 1 having the above structure is mounted in a state where the resin package 2 is erected with respect to the mounting substrate 6 so that the outer lead portion 4b is connected to the mounting substrate during mounting. By mounting the resin package 2 on the mounting substrate in the upright state in this manner, the mounting space required for mounting the semiconductor device 1 on the mounting substrate 6 is a surface where the outer lead portion 4b of the resin package 2 extends. The area (indicated by reference numeral 2a) is sufficient.

【0007】従って、縦型の半導体装置1は、例えばQ
FP(Quad Flat package) のような樹脂パッケージの面
積の広い面を実装基板と対向させて実装する半導体装置
に比べて実装スペースを小さくすることができ、半導体
装置1の実装密度を向上させることができる。また、図
29及び図30は、更に実装密度を向上させるために、
縦型の半導体装置1を複数個並設してユニット化したも
のである(以下、半導体装置1を複数個並設してユニッ
ト化したものを半導体装置ユニットという)。各図に示
す半導体装置ユニット7は、6個の縦型半導体装置1を
横方向にスタック(積層)してユニット化したものであ
る。従来の半導体装置ユニット7は、個々の半導体装置
1を近接させて実装基板6に実装することにより、半導
体装置ユニット7を形成していた。
Therefore, the vertical semiconductor device 1 has, for example, a Q
A mounting space can be made smaller than that of a semiconductor device in which a large area surface of a resin package such as a FP (Quad Flat package) is mounted so as to face a mounting substrate, and the mounting density of the semiconductor device 1 can be improved. it can. 29 and 30, in order to further improve the packaging density,
A plurality of vertical semiconductor devices 1 are arranged in parallel to form a unit (hereinafter, a plurality of semiconductor devices 1 arranged in parallel to form a unit is referred to as a semiconductor device unit). The semiconductor device unit 7 shown in each drawing is a unit in which six vertical semiconductor devices 1 are laterally stacked. In the conventional semiconductor device unit 7, the semiconductor device unit 7 is formed by mounting the individual semiconductor devices 1 close to each other and mounting them on the mounting board 6.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、図28に示
した従来の半導体装置1では、半導体チップ3及びステ
ージ5の全体が樹脂パッケージ2に埋設された構成であ
ったため、半導体チップ3で発生した熱は樹脂パッケー
ジ2を介して外部に放熱される構成となる。樹脂パッケ
ージ2は熱伝導率が低く、よって従来の半導体装置1で
は放熱効率が良くないという問題点があった。
However, in the conventional semiconductor device 1 shown in FIG. 28, since the semiconductor chip 3 and the stage 5 are entirely embedded in the resin package 2, the semiconductor chip 3 occurs. The heat is radiated to the outside via the resin package 2. The resin package 2 has a low thermal conductivity, and thus the conventional semiconductor device 1 has a problem that the heat dissipation efficiency is not good.

【0009】また、上記のように従来の半導体装置ユニ
ット7は、複数の半導体装置1を実装基板6に個々実装
する構成とされていたため、図29に示されるように、
実装後に各半導体装置1の実装基板6に対する高さが異
なるおそれがある。このように、個々の半導体装置1の
高さが異なる半導体装置ユニット7を小型の電子機器筐
体内に収納しようとした場合、既定されている寸法より
も半導体装置1が突出していると(図29における半導
体装置1aがこれに該当する)、これに起因して半導体
装置ユニット7を電子機器筐体内に収納できなくなるお
それがあるという問題点がある。
Further, as described above, since the conventional semiconductor device unit 7 has a structure in which the plurality of semiconductor devices 1 are individually mounted on the mounting substrate 6, as shown in FIG.
The height of each semiconductor device 1 with respect to the mounting substrate 6 may differ after mounting. As described above, when the semiconductor device units 7 in which the heights of the individual semiconductor devices 1 are different from each other are to be housed in the small electronic device housing, the semiconductor device 1 is projected beyond the predetermined size (FIG. 29). The semiconductor device 1a in 1 corresponds to this), and there is a problem that the semiconductor device unit 7 may not be able to be housed in the electronic device housing due to this.

【0010】また、逆に既定されている寸法よりも半導
体装置1が低い場合(図29における半導体装置1bが
これに該当する)には、リード4(具体的にはアウター
リード部4b)が潰された状態となり、実装基板6との
電気的接続が不良となるおそれがあるという問題点があ
る。また、半導体装置ユニット7に対する検査を行った
結果、半導体装置ユニット7を構成する複数の半導体装
置1のいずれかに不良が発見されることがある。このよ
うな場合には、図30に示すように不良半導体装置1c
を半導体装置ユニット7から抜取り、良品の半導体装置
に交換する必要がある。
On the contrary, when the semiconductor device 1 is lower than the predetermined size (the semiconductor device 1b in FIG. 29 corresponds to this), the lead 4 (specifically, the outer lead portion 4b) is crushed. There is a problem in that the electrical connection with the mounting substrate 6 may become defective due to the above-mentioned state. Further, as a result of the inspection of the semiconductor device unit 7, a defect may be found in any of the plurality of semiconductor devices 1 forming the semiconductor device unit 7. In such a case, as shown in FIG. 30, the defective semiconductor device 1c
Must be removed from the semiconductor device unit 7 and replaced with a good semiconductor device.

【0011】しかるに、実装密度を向上させる面より各
半導体装置1は密接して配設されているため、その中か
ら不良の半導体装置1cを抜き取るのは困難であり、よ
ってメンテナンス性が悪いという問題点もある。更に、
半導体装置ユニット7は発熱する複数の半導体装置1を
近接して並設した構成であるため、発生した熱の逃げ場
が少なく放熱効率が悪いという問題点があった。
However, since the semiconductor devices 1 are closely arranged from the viewpoint of improving the mounting density, it is difficult to remove the defective semiconductor device 1c from the semiconductor devices 1 and the maintainability is poor. There are also points. Furthermore,
Since the semiconductor device unit 7 has a configuration in which a plurality of semiconductor devices 1 that generate heat are arranged in close proximity to each other, there is a problem that the generated heat escapes little and the heat dissipation efficiency is poor.

【0012】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、放熱効率を向上させた縦型の半導体装置を提供す
ることを目的とする。また、本発明の他の目的は、実装
性,メンテナンス性,及び放熱性を向上させた半導体装
置ユニットを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a vertical semiconductor device having improved heat dissipation efficiency. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device unit having improved mountability, maintainability, and heat dissipation.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、下記の各手段を講じたことを特徴とする
ものである。請求項1の発明では、半導体チップと、こ
の半導体チップが搭載されるステージと、上記半導体チ
ップを封止する樹脂パッケージと、この樹脂パッケージ
に列設され、一端が上記半導体チップに接続されると共
に、他端が樹脂パッケージの下方に延出した複数の接続
リードとを具備し、実装基板に略垂立状態で実装される
半導体装置において、上記ステージに上記樹脂パッケー
ジの上面より上方に向け延出する上方延出部を形成した
ことを特徴とするものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is characterized by the following means. According to the invention of claim 1, a semiconductor chip, a stage on which the semiconductor chip is mounted, a resin package for encapsulating the semiconductor chip, a resin package arranged in a line, one end of which is connected to the semiconductor chip, , A semiconductor device having the other end extending downward from the resin package and being mounted on a mounting substrate in a substantially upright state, the stage extending upward from the upper surface of the resin package. It is characterized in that an upward extending portion is formed.

【0014】また、請求項2の発明では、上記ステージ
の半導体チップを搭載した面に対する背面が、上記樹脂
パッケージから外部に露出する構成としたことを特徴と
するものである。また、請求項3の発明では、上記ステ
ージに設けられた上方延出部に孔部を形成したことを特
徴とするものである。
Further, the invention of claim 2 is characterized in that the rear surface of the stage with respect to the surface on which the semiconductor chip is mounted is exposed to the outside from the resin package. Further, the invention of claim 3 is characterized in that a hole is formed in the upward extending portion provided on the stage.

【0015】また、請求項4の発明では、上記ステージ
に、上記樹脂パッケージの側面より側方に向け延出する
側方延出部を形成したことを特徴とするものである。ま
た、請求項5の発明では、上記ステージに、上記樹脂パ
ッケージとの密着性を向上させる密着性向上部を形成し
たことを特徴とするものである。
Further, the invention of claim 4 is characterized in that the stage is formed with a laterally extending portion which laterally extends from a side surface of the resin package. Further, the invention of claim 5 is characterized in that the stage is provided with an adhesion improving portion for improving the adhesion with the resin package.

【0016】また、請求項6の発明では、上記樹脂パッ
ケージに放熱用溝を形成したことを特徴とするものであ
る。また、請求項7の発明では、上記ステージの両側部
に垂立した一対の垂立部を形成すると共に、この一対の
垂立部の間に位置決め用嵌入部を形成してなることを特
徴とするものである。
The invention of claim 6 is characterized in that a groove for heat dissipation is formed in the resin package. Further, in the invention of claim 7, a pair of upright portions is formed upright on both sides of the stage, and a positioning fitting portion is formed between the pair of upright portions. To do.

【0017】また、請求項8の発明では、上記垂立部に
位置決め孔を形成したことを特徴とするものである。ま
た、請求項9の発明では、上記接続リードの樹脂パッケ
ージの下方に延出した部位が、樹脂パッケージに保持さ
れる構成としたことを特徴とするものである。
The invention of claim 8 is characterized in that a positioning hole is formed in the upright portion. The invention according to claim 9 is characterized in that the portion of the connection lead extending below the resin package is held by the resin package.

【0018】また、請求項10の発明では、上記接続リ
ードの樹脂パッケージの下方に延出した部位の形状を略
L字形状としたことを特徴とするものである。また、請
求項11の発明では、上記接続リードの樹脂パッケージ
の下方に延出した部位の形状を直線形状としたことを特
徴とするものである。
Further, the invention of claim 10 is characterized in that the shape of the portion of the connection lead extending below the resin package is substantially L-shaped. Further, the invention of claim 11 is characterized in that the shape of the portion of the connection lead extending below the resin package is linear.

【0019】また、請求項12の発明では、半導体装置
ユニットを請求項1乃至11のいずれかに記載の半導体
装置と、上部に開口部を有すると共に、上記半導体装置
を複数個並設した状態で内部に収納するホルダとにより
構成したことを特徴とするものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, a semiconductor device unit is the same as the semiconductor device according to any one of the first to eleventh aspects and has an opening at the top and a plurality of the semiconductor devices are arranged in parallel. It is characterized by being configured with a holder housed inside.

【0020】また、請求項13の発明では、上記ホルダ
の開口部を閉蓋すると共に、閉蓋状態において半導体装
置に形成された上方延出部と接触するキャップを設けた
ことを特徴とするものである。また、請求項14の発明
では、上記ホルダ及びキャップを熱伝導性の良好な材料
にて形成したことを特徴とするものである。
According to a thirteenth aspect of the present invention, the opening portion of the holder is closed, and a cap that comes into contact with an upward extending portion formed in the semiconductor device in the closed state is provided. Is. Further, the invention of claim 14 is characterized in that the holder and the cap are formed of a material having good thermal conductivity.

【0021】また、請求項15の発明では、上記ホルダ
の内部に、上記半導体装置と係合しこの半導体装置を保
持する保持機構を設けたことを特徴とするものである。
また、請求項16の発明では、上記ホルダの外壁部に放
熱フィンを設けたことを特徴とするものである。
The invention according to claim 15 is characterized in that a holding mechanism for engaging with the semiconductor device and holding the semiconductor device is provided inside the holder.
The invention of claim 16 is characterized in that a radiation fin is provided on the outer wall portion of the holder.

【0022】また、請求項17の発明では、上記ホルダ
に、上記半導体装置を構成する樹脂パッケージの下面と
係合することにより半導体装置を保持する係合爪部を形
成したことを特徴とするものである。また、請求項18
の発明では、上記キャップの上面部に放熱フィンを設け
たことを特徴とするものである。
According to a seventeenth aspect of the present invention, the holder is provided with an engaging claw portion for holding the semiconductor device by engaging with the lower surface of the resin package constituting the semiconductor device. Is. In addition, claim 18
In the invention, the heat radiation fins are provided on the upper surface of the cap.

【0023】また、請求項19の発明では、半導体装置
ユニットを、請求項7記載の半導体装置と、上面部とこ
の上面部の両側に形成された側面部とを有しており、上
記上面部が半導体装置に形成された位置決め用嵌入部に
嵌入することにより複数の該半導体装置を一括的に位置
決めすると共に、上記側面部が半導体装置を複数個並設
した状態で挟持することにより複数の半導体装置をユニ
ット化するホルダとを設けた構成としたことを特徴とす
るものである。
According to a nineteenth aspect of the present invention, a semiconductor device unit has the semiconductor device according to the seventh aspect, an upper surface portion and side surface portions formed on both sides of the upper surface portion, and the upper surface portion is formed. A plurality of semiconductor devices are collectively positioned by being fitted into a positioning fitting portion formed in the semiconductor device, and a plurality of semiconductor devices are provided by sandwiching the side surface portions with the plurality of semiconductor devices arranged in parallel. The present invention is characterized in that a holder for unitizing the device is provided.

【0024】また、請求項20の発明では、半導体装置
ユニットを、請求項8記載の半導体装置と、この半導体
装置に設けられた垂立部に形成された位置決め孔に嵌入
することにより複数の半導体装置を一括的に位置決めす
ると共に、この半導体装置を複数個並設した状態で固定
することにより複数の半導体装置をユニット化する位置
決めシャフトとを設けた構成としたことを特徴とするも
のである。
According to the invention of claim 20, the semiconductor device unit is fitted into the semiconductor device according to claim 8 and a positioning hole formed in an upright portion provided in the semiconductor device, whereby a plurality of semiconductors are provided. The device is characterized in that it is provided with a positioning shaft for collectively positioning the devices and fixing a plurality of the semiconductor devices in a juxtaposed state so as to unitize the plurality of semiconductor devices.

【0025】また、請求項21の発明では、上記の請求
項12乃至20のいずれかに記載の半導体装置ユニット
において、上記複数個並設した半導体装置に高熱伝導性
接着剤を配設し、この高熱伝導性接着剤により少なくと
も隣接する該半導体装置を相互に保持する構成としたこ
とを特徴とするものである。
According to a twenty-first aspect of the invention, in the semiconductor device unit according to any one of the twelfth to twentieth aspects, a high thermal conductive adhesive is provided on the plurality of semiconductor devices arranged in parallel, It is characterized in that at least adjacent semiconductor devices are mutually held by a high heat conductive adhesive.

【0026】また、請求項22の発明では、上記高熱伝
導性接着剤として、熱可塑性を有する部材を用いたこと
を特徴とするものである。更に、請求項23の発明で
は、上記高熱伝導性接着剤として、シリコン系のグリー
スを用いたことを特徴とするものである。
Further, the invention of claim 22 is characterized in that a member having thermoplasticity is used as the high thermal conductive adhesive. Furthermore, the invention of claim 23 is characterized in that a silicone-based grease is used as the high thermal conductive adhesive.

【0027】[0027]

【作用】上記の各手段は下記のように作用する。請求項
1の発明によれば、発熱する半導体チップが搭載された
ステージに、樹脂パッケージの上面より上方に向け延出
する上方延出部を形成したことにより、半導体チップで
発生した熱はステージを介して熱伝導され、樹脂パッケ
ージの上面より露出した上方延出部で放熱される。よっ
て、半導体チップで発生する熱を効率よく放熱すること
ができる。
The above-mentioned means operate as follows. According to the first aspect of the present invention, since the upper extension portion extending upward from the upper surface of the resin package is formed on the stage on which the heat-generating semiconductor chip is mounted, the heat generated by the semiconductor chip is generated by the stage. The heat is conducted through the resin package, and the heat is radiated from the upper extending portion exposed from the upper surface of the resin package. Therefore, the heat generated in the semiconductor chip can be efficiently dissipated.

【0028】また、上方延出部をリード配設位置と異な
る面である樹脂パッケージの上面から延出させたことに
より、上方延出部を形成してもリードの配設ピッチに影
響を与えることはなく、リードピッチを狭ピッチに維持
させることができる。また、請求項2の発明によれば、
半導体チップを搭載したステージの一部が樹脂パッケー
ジから外部に露出した構成となるため、ステージが放熱
フィンと同様の機能を奏し、半導体チップの冷却効率を
向上させることができる。
Further, since the upper extending portion is extended from the upper surface of the resin package which is a surface different from the lead arrangement position, even if the upper extending portion is formed, the lead arrangement pitch is affected. Instead, the lead pitch can be maintained at a narrow pitch. According to the invention of claim 2,
Since a part of the stage on which the semiconductor chip is mounted is exposed to the outside from the resin package, the stage has a function similar to that of the heat dissipation fin, and the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved.

【0029】また、請求項3の発明によれば、ステージ
に設けられた延出部に孔部を形成したことにより、この
孔部に引抜き治具を係合させることができる。よって、
半導体装置を複数個並設した半導体装置ユニットを構成
した場合、その中の一つの半導体装置を引き抜く作業を
容易に行うことができる。また、請求項4の発明によれ
ば、樹脂パッケージの側面より側方に向け延出する側方
延出部をステージに形成することにより、側方延出部に
おいても半導体チップで発生した熱の放熱が行われるた
め、半導体チップの冷却効率を向上させることができ
る。
According to the third aspect of the invention, since the hole is formed in the extending portion provided on the stage, the extraction jig can be engaged with the hole. Therefore,
When a semiconductor device unit is formed by arranging a plurality of semiconductor devices in parallel, it is possible to easily pull out one of the semiconductor devices. Further, according to the invention of claim 4, the side extending portion extending laterally from the side surface of the resin package is formed on the stage, so that the heat generated in the semiconductor chip is also generated in the side extending portion. Since heat is dissipated, the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved.

【0030】また、請求項5の発明によれば、ステージ
に樹脂パッケージとの密着性を向上させる密着性向上部
を形成したことにより、ステージが樹脂パッケージから
離脱してしまうことを防止することができる。また、請
求項6の発明によれば、樹脂パッケージに放熱用溝を形
成したことにより、樹脂パッケージの表面積が増大する
ため、樹脂パッケージの放熱効率を向上させることがで
きる。
Further, according to the invention of claim 5, by forming the adhesion improving portion for improving the adhesion with the resin package on the stage, it is possible to prevent the stage from being separated from the resin package. it can. According to the invention of claim 6, since the surface area of the resin package is increased by forming the heat dissipation groove in the resin package, the heat dissipation efficiency of the resin package can be improved.

【0031】また、請求項7の発明によれば、一対の垂
立部の間に位置決め用嵌入部が形成されているため、実
装時にこの位置決め用嵌入部を用いて半導体装置の位置
決めを行うことができる。また、請求項8の発明によれ
ば、垂立部に位置決め孔が形成されているため、実装時
にこの位置決め孔を用いて半導体装置の位置決めを行う
ことができる。
Further, according to the invention of claim 7, since the positioning fitting portion is formed between the pair of upright portions, the semiconductor device is positioned by using this positioning fitting portion. You can Further, according to the invention of claim 8, since the positioning hole is formed in the upright portion, the semiconductor device can be positioned by using the positioning hole at the time of mounting.

【0032】また、請求項9の発明によれば、接続リー
ドの樹脂パッケージの下方に延出した部位が樹脂パッケ
ージに保持されるため、実装時等における接続リードの
変形発生を防止することができる。また、請求項10の
発明によれば、接続リードの樹脂パッケージの下方に延
出した部位の形状を略L字形状としたことにより、半導
体装置の基板に対する立設性を向上させることができ
る。
Further, according to the invention of claim 9, since the portion of the connection lead extending below the resin package is held by the resin package, the deformation of the connection lead at the time of mounting or the like can be prevented. . According to the tenth aspect of the present invention, the shape of the portion of the connection lead that extends below the resin package is formed into a substantially L shape, so that the erection property of the semiconductor device with respect to the substrate can be improved.

【0033】また、請求項11の発明によれば、接続リ
ードの樹脂パッケージの下方に延出した部位の形状を直
線形状としたことにより、接続リード全体としての厚さ
寸法を樹脂パッケージの厚さ寸法より小さくすることが
できるため、接続リードの形状により高密度化が阻害さ
れることを防止することができる。また、請求項12の
発明によれば、半導体装置を複数個並設した状態でホル
ダに支持することができ、また樹脂パッケージを介して
熱伝導してくる半導体チップで発生した熱は、半導体装
置がホルダ内に収納されているためホルダに熱伝導し放
熱される。ホルダは、その形状が個々の半導体装置より
大きいため外気との接触面積がひろく、よって効率よく
放熱を行うことができる。更に、上部開口部を介しても
半導体装置の放熱を行うことができる。
According to the eleventh aspect of the present invention, since the shape of the portion of the connecting lead extending below the resin package is linear, the thickness of the connecting lead as a whole is the same as that of the resin package. Since the size can be made smaller than the size, it is possible to prevent the density of the connection lead from being hindered from being increased. According to the twelfth aspect of the invention, a plurality of semiconductor devices can be supported by the holder in a state of being arranged side by side, and the heat generated by the semiconductor chip that conducts heat through the resin package is the semiconductor device. Is stored in the holder, it conducts heat to the holder and is dissipated. Since the shape of the holder is larger than that of each semiconductor device, the holder has a large contact area with the outside air, so that heat can be efficiently radiated. Furthermore, the semiconductor device can also dissipate heat through the upper opening.

【0034】また、請求項13の発明によれば、ホルダ
の開口部をキャップにより閉蓋し、この閉蓋状態におい
て半導体装置に形成された上方延出部がキャップと接触
する構成とすることにより、半導体チップで発生しステ
ージの上方延出部に熱伝導した熱は、上方延出部がキャ
ップと接触することによりキャップに熱伝導した上で放
熱させる。
According to the thirteenth aspect of the present invention, the opening of the holder is closed by the cap, and the upper extending portion formed on the semiconductor device is in contact with the cap in the closed state. The heat generated in the semiconductor chip and thermally conducted to the upper extending portion of the stage is conducted to the cap when the upper extending portion comes into contact with the cap, and then is dissipated.

【0035】キャップは比較的広い面積を有しており、
よって半導体装置を近接状態で並設した構成の半導体装
置ユニットにおいても、半導体チップで発生した熱は上
方延出部,キャップを介して効率よく放熱される。この
ため、半導体チップの冷却効率を向上させることができ
る。また、請求項14の発明によれば、ホルダ及びキャ
ップを熱伝導性の良好な材料にて形成することにより、
ホルダ及びキャップの放熱効率をより高めることがで
き、半導体チップの冷却効率を向上させることができ
る。
The cap has a relatively large area,
Therefore, even in a semiconductor device unit having a configuration in which semiconductor devices are arranged in close proximity to each other, the heat generated in the semiconductor chip is efficiently radiated through the upward extending portion and the cap. Therefore, the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved. Further, according to the invention of claim 14, by forming the holder and the cap with a material having good thermal conductivity,
The heat dissipation efficiency of the holder and the cap can be further increased, and the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved.

【0036】また、請求項15の発明によれば、ホルダ
の内部に半導体装置と係合しこの半導体装置を保持する
保持機構を設ることにより、半導体装置の保持を確実に
行うことができ、またホルダに複数の半導体装置を装着
したユニット状態で実装基板に実装するこが可能とな
り、実装性を向上させるこができる。また、ホルダの内
部における半導体装置の位置決めを確実に行うことがで
きるため、各半導体装置の高さ位置を揃えることができ
る。
According to the fifteenth aspect of the present invention, the holding of the semiconductor device can be ensured by providing the holding mechanism inside the holder for holding the semiconductor device by engaging with the semiconductor device. In addition, it becomes possible to mount a plurality of semiconductor devices in a holder on a mounting board in a unit state, thereby improving mountability. Further, since the semiconductor devices can be reliably positioned inside the holder, the height positions of the respective semiconductor devices can be aligned.

【0037】また、請求項16の発明によれば、ホルダ
の外壁部に放熱フィンを設けたことにより、ホルダの放
熱効率をより高めることができる。また、請求項17の
発明によれば、ホルダに樹脂パッケージの下面と係合す
ることにより半導体装置を保持する係合爪部を形成した
ことにより、各半導体装置の高さ位置をより正確に揃え
ることができる。
According to the sixteenth aspect of the invention, the heat radiation efficiency of the holder can be further improved by providing the heat radiation fin on the outer wall portion of the holder. According to the seventeenth aspect of the present invention, the holder is provided with the engaging claw portion for holding the semiconductor device by engaging with the lower surface of the resin package, so that the height positions of the respective semiconductor devices are more accurately aligned. be able to.

【0038】また、請求項18の発明によれば、キャッ
プの上面部に放熱フィンを設けたことにより、キャップ
の放熱効率をより高めることができる。また、請求項1
9の発明によれば、上面部と該上面部の両側に形成され
た側面部とを有したホルダを用い、上面部を半導体装置
に形成された位置決め用嵌入部に嵌入して複数の半導体
装置を一括的に位置決めすると共に、側面部により半導
体装置を複数個並設した状態で挟持して複数の半導体装
置をユニット化することにより、容易に半導体装置のユ
ニット化を図ることができ、またホルダの低コスト化を
図ることができる。
According to the eighteenth aspect of the present invention, the heat radiation efficiency of the cap can be further improved by providing the heat radiation fin on the upper surface of the cap. In addition, claim 1
According to the invention of claim 9, a holder having an upper surface portion and side surface portions formed on both sides of the upper surface portion is used, and the upper surface portion is fitted into a positioning fitting portion formed in the semiconductor device, and a plurality of semiconductor devices are mounted. The semiconductor devices can be easily unitized by collectively positioning the semiconductor devices, and sandwiching the semiconductor devices side by side by the side portions to form a plurality of semiconductor devices as a unit. It is possible to reduce the cost.

【0039】また、請求項20の発明によれば、位置決
めシャフトを垂立部に形成された位置決め孔に嵌入する
ことにより複数の半導体装置を一括的に位置決めすると
共に、半導体装置を複数個並設した状態で固定してユニ
ット化するため、容易に半導体装置のユニット化を図る
ことができ、またシャフトのみでユニット化が図れるた
め半導体装置ユニットの低コスト化を図ることができ
る。
According to the twentieth aspect of the present invention, the plurality of semiconductor devices are collectively positioned by fitting the positioning shaft into the positioning hole formed in the upright portion, and the plurality of semiconductor devices are arranged side by side. Since the semiconductor device is fixed and unitized in this state, the semiconductor device can be easily unitized, and the cost can be reduced because only the shaft can be unitized.

【0040】また、請求項21の発明によれば、複数個
並設した半導体装置に高熱伝導性接着剤を配設し、この
高熱伝導性接着剤により少なくとも隣接する半導体装置
を相互に保持する構成としたことにより、高熱伝導性接
着剤を介して半導体装置で発生した熱をホルダ,キャッ
プに熱伝導させることができ、半導体装置の放熱性を向
上させることができる。また、並設される半導体装置を
確実に保持することが可能となる。
According to the twenty-first aspect of the invention, a plurality of semiconductor devices arranged in parallel are provided with a high thermal conductivity adhesive, and the high thermal conductivity adhesive holds at least adjacent semiconductor devices to each other. By doing so, the heat generated in the semiconductor device can be conducted to the holder and the cap through the high thermal conductive adhesive, and the heat dissipation of the semiconductor device can be improved. Further, it becomes possible to securely hold the semiconductor devices arranged in parallel.

【0041】また、請求項22の発明によれば、上記高
熱伝導性接着剤として熱可塑性を有する部材を用いるこ
とにより、半導体装置ユニット内に複数個収納されてい
る半導体装置の内、いずれかの半導体装置に故障が生じ
た場合においても、高熱伝導性接着剤を熱可塑温度まで
加熱することにより高熱伝導性接着剤は軟化し、故障し
た半導体装置を正常な半導体装置に交換することが可能
となる。また、熱可塑温度以下においては、高熱伝導性
接着剤は複数個並設された半導体装置を保持する。
According to the twenty-second aspect of the present invention, by using a member having thermoplasticity as the high thermal conductive adhesive, any one of the plurality of semiconductor devices housed in the semiconductor device unit can be used. Even if a failure occurs in the semiconductor device, the high thermal conductivity adhesive is softened by heating the high thermal conductivity adhesive to the thermoplastic temperature, and the defective semiconductor device can be replaced with a normal semiconductor device. Become. Further, at the thermoplastic temperature or lower, a plurality of high thermal conductive adhesives hold the semiconductor devices arranged in parallel.

【0042】また、請求項23の発明によれば、上記高
熱伝導性接着剤としてシリコン系のグリースを用いたこ
とにより、半導体装置ユニットに熱負荷をかけることな
く故障した半導体装置を正常な半導体装置に交換するこ
とが可能となる。半導体装置の接続リードに製造上のバ
ラツキがあったとしても、シリコン系のグリース内で半
導体装置の上下に変位させることにより、接続リードを
実装基板に確実に当接させることができ、実装時におけ
る上記バラツキに起因した接続不良の発生を防止するこ
とができる。
According to the twenty-third aspect of the present invention, since the grease of silicon type is used as the high thermal conductive adhesive, the semiconductor device which has failed without applying a heat load to the semiconductor device unit can be used as a normal semiconductor device. Can be exchanged for. Even if the connection leads of the semiconductor device have variations in manufacturing, by displacing the semiconductor device up and down in the silicon-based grease, the connection leads can be reliably brought into contact with the mounting board. It is possible to prevent the occurrence of connection failure due to the above variations.

【0043】[0043]

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図1は本発明の第1実施例である半導体装置10
を示している。この半導体装置10は実装基板11に対
して立設配設される縦型半導体装置であり、半導体チッ
プ12,ステージ13,リード14,及び樹脂パッケー
ジ15等により構成されている。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a semiconductor device 10 according to a first embodiment of the present invention.
Is shown. The semiconductor device 10 is a vertical semiconductor device that is provided upright on a mounting substrate 11, and is composed of a semiconductor chip 12, a stage 13, leads 14, a resin package 15, and the like.

【0044】半導体チップ12は動作することにより熱
を発生するものであり、ステージ13の所定面に搭載さ
れた状態で樹脂パッケージ15内に封止されている。ま
た、半導体チップ12の略中央位置には電極パッド16
が形成されており、この電極パッド16はワイヤ17に
よりリード14と接続されている。リード14は例えば
42アロイ等のリード材料によりなり、樹脂パッケージ
15内に埋設されるインナーリード部14aと、樹脂パ
ッケージ15の外部に延出するアウターリード部14b
とにより構成されている。前記したワイヤ17は、イン
ナーリード部14aの端部にワイヤボンディングされて
いる。この際、インナーリード部14aは半導体チップ
12と対向する位置まで延出し、いわゆるリードオンチ
ップ構造を構成している。
The semiconductor chip 12 generates heat by operating, and is sealed in the resin package 15 while being mounted on a predetermined surface of the stage 13. Further, the electrode pad 16 is provided at a substantially central position of the semiconductor chip 12.
The electrode pad 16 is connected to the lead 14 by a wire 17. The lead 14 is made of a lead material such as 42 alloy, for example, and the inner lead portion 14 a embedded in the resin package 15 and the outer lead portion 14 b extending to the outside of the resin package 15.
It is composed of The wire 17 is wire-bonded to the end portion of the inner lead portion 14a. At this time, the inner lead portion 14a extends to a position facing the semiconductor chip 12 to form a so-called lead-on-chip structure.

【0045】また、各リード14のアウターリード部1
4bは、略L字状に折り曲げられた構成とされている。
このように、アウターリード部14bの先端部を略L字
状に折曲形成することにより、半導体装置10を立設し
た場合における安定性(立設性)を向上させることがで
き、後述するように半導体装置10を並設する際に、こ
の並設作業を容易に行うことができる。
The outer lead portion 1 of each lead 14
4b is configured to be bent in a substantially L shape.
As described above, by bending the distal end portion of the outer lead portion 14b into a substantially L-shape, the stability (standing property) when the semiconductor device 10 is erected can be improved, as will be described later. When the semiconductor devices 10 are arranged side by side, this arrangement work can be easily performed.

【0046】樹脂パッケージ15は、例えばエポキシ樹
脂等をトランスファーモールディングにより形成したも
のであり、内部に半導体チップ12,ステージ13,リ
ード14のインナーリード部14aを封止する。この樹
脂パッケージ15により半導体チップ12等は外部に対
して保護される構成となっている。また、上記したリー
ド14は、樹脂パッケージ15の下面15a(実装基板
11と対向るす面)より下方に向け延出しており、その
先端部は折曲されて実装基板11との実装性を向上した
構成となっている。
The resin package 15 is made of, for example, epoxy resin by transfer molding, and seals the semiconductor chip 12, the stage 13, and the inner lead portions 14a of the leads 14 inside. The resin package 15 protects the semiconductor chip 12 and the like from the outside. The leads 14 extend downward from the lower surface 15a (the surface facing the mounting board 11) of the resin package 15, and the tip ends thereof are bent to improve the mountability with the mounting board 11. It has been configured.

【0047】この下面15aは、側面15c,15dに
比べてその面積が小さいため、半導体装置10を実装基
板11に垂立させた状態で立設した場合、実装基板11
上における半導体装置10の実装スペースは下面15a
の面積と略等しい小さい面積で済み、よって実装効率を
向上させることができる。ここで、本実施例の要部とな
るステージ13について説明する。
Since the lower surface 15a has a smaller area than the side surfaces 15c and 15d, when the semiconductor device 10 is erected on the mounting substrate 11, the mounting substrate 11 is erected.
The mounting space for the semiconductor device 10 above is the lower surface 15a.
Therefore, the mounting efficiency can be improved. Here, the stage 13, which is a main part of this embodiment, will be described.

【0048】ステージ13は、熱伝導性の良好な金属
(例えば、銅合金)により形成されており、その上部は
樹脂パッケージ15の上面15bから上方に延出して上
方延出部17を形成している。この上方延出部17の上
端所定位置は折り曲げられて折曲部17aを形成してい
る。また、ステージ13の半導体チップ12が搭載され
た搭載面13aに対し背面となる面13bは樹脂パッケ
ージ15から外部に露出した構成となっている(以下、
この面を露出面13bという)。
The stage 13 is made of a metal having a good thermal conductivity (for example, a copper alloy), and its upper portion extends upward from the upper surface 15b of the resin package 15 to form an upward extending portion 17. There is. A predetermined position of the upper end of the upward extending portion 17 is bent to form a bent portion 17a. A surface 13b, which is a back surface of the mounting surface 13a on which the semiconductor chip 12 of the stage 13 is mounted, is exposed from the resin package 15 to the outside (hereinafter, referred to as a structure).
This surface is called exposed surface 13b).

【0049】半導体チップ12は、上記のように動作す
ることにより熱を発生するものであるが、この発生した
熱は第1の熱伝導経路として半導体チップ12を搭載し
たステージ13を介して熱伝導していき、また第2の熱
伝導経路として樹脂パッケージ15を介して熱伝導して
いく。ステージ13は、上記のように熱伝導性の良好な
金属により形成されているため、発熱した熱の多くはス
テージ13を介して熱伝導していく。
The semiconductor chip 12 generates heat by operating as described above, and the generated heat is conducted as heat through the stage 13 on which the semiconductor chip 12 is mounted as the first heat conduction path. Then, heat is conducted through the resin package 15 as the second heat conduction path. Since the stage 13 is formed of a metal having good thermal conductivity as described above, most of the generated heat is conducted through the stage 13.

【0050】ここで、ステージ13は露出面13bが樹
脂パッケージ15の外部に露出した構成とされているた
め、この露出面13bにおいて放熱が行われる。また、
ステージ13の上部に形成された上方延出部17も樹脂
パッケージ15の上面15bより上方に向け延出してい
るため、この上方延出部17は放熱フィンと同等の機能
を奏する。よって、上方延出部17においても放熱が行
われる。このように、半導体チップ12で発生した熱は
ステージ13を熱伝導する過程で露出面13b及び上方
延出部17で放熱させるため、半導体チップ12の冷却
を効率よく行うことができる。
Since the exposed surface 13b of the stage 13 is exposed to the outside of the resin package 15, heat is radiated from the exposed surface 13b. Also,
Since the upper extending portion 17 formed on the upper portion of the stage 13 also extends upward from the upper surface 15b of the resin package 15, the upper extending portion 17 has a function similar to that of the heat radiation fin. Therefore, heat is also radiated in the upper extension portion 17. In this way, the heat generated in the semiconductor chip 12 is dissipated in the exposed surface 13b and the upward extending portion 17 in the process of conducting heat to the stage 13, so that the semiconductor chip 12 can be cooled efficiently.

【0051】また、上方延出部17をリード14の配設
位置と異なる面である樹脂パッケージ15の上面15b
から延出させたことにより、上方延出部17を形成して
もリード14の配設ピッチに影響を与えることはなく、
リードピッチを狭ピッチに維持させることができる。図
2は本発明の第2実施例である半導体装置20を示して
いる。尚、以下説明する各実施例に係る半導体装置にお
いて、第1実施例に係る半導体装置10と対応する構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
In addition, the upper extending portion 17 is the upper surface 15b of the resin package 15 which is a surface different from the arrangement position of the lead 14.
Since the upper extending portion 17 is formed, the arrangement pitch of the leads 14 is not affected by the extension from the above.
The lead pitch can be maintained at a narrow pitch. FIG. 2 shows a semiconductor device 20 which is a second embodiment of the present invention. In the semiconductor device according to each of the embodiments described below, the same components as those of the semiconductor device 10 according to the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0052】第2実施例に係る半導体装置20は、ステ
ージ13に設けられた上方延出部17に孔部21を形成
したことを特徴とするものである。尚、本実施例におい
ては、ステージ13は上方延出部17を除き樹脂パッケ
ージ15の内部に埋設された構成とされている。このよ
うに、上方延出部17のみが樹脂パッケージ15の外部
に露出した構成であっても、図20に示した従来の半導
体装置1に比べて放熱性を向上させることができる。
The semiconductor device 20 according to the second embodiment is characterized in that the hole 21 is formed in the upward extension 17 provided on the stage 13. In this embodiment, the stage 13 is configured to be embedded inside the resin package 15 except for the upward extending portion 17. As described above, even in the configuration in which only the upper extending portion 17 is exposed to the outside of the resin package 15, the heat dissipation can be improved as compared with the conventional semiconductor device 1 shown in FIG.

【0053】このように、上方延出部17に孔部21を
形成したことにより、この孔部21に引抜き治具を係合
させることが可能となる。これについて、図16を用い
て説明する。同図は、複数個(同図に示す例では5個)
の半導体装置20を近接して並設してユニット化したも
のである。このように、複数の半導体装置20を近接し
てユニット化した場合、検査の結果その内のいずれかの
半導体装置が不良が発見されると、この不良半導体装置
(図16において半導体装置20aが不良半導体装置と
する)を良品の半導体装置に交換する必要がある。
Since the hole 21 is formed in the upward extending portion 17 in this manner, it becomes possible to engage the drawing jig with the hole 21. This will be described with reference to FIG. The figure shows a plurality (five in the example shown in the figure).
The semiconductor devices 20 are arranged in close proximity to each other to form a unit. In this way, when a plurality of semiconductor devices 20 are unitized close to each other, if a defect is found in any of the semiconductor devices as a result of the inspection, the defective semiconductor device (the semiconductor device 20a in FIG. 16 is defective). It is necessary to replace a semiconductor device) with a non-defective semiconductor device.

【0054】従来においては、樹脂パッケージの外部に
露出するのはリードのみで合ったため、不良半導体装置
をユニット化した複数の半導体装置から抜き取るのは困
難であったことは前述した通りである。しかるに、本実
施例に係る半導体装置20は、樹脂パッケージ15の上
面15bからは上方延出部17が延出しており、かつこ
の上方延出部17には孔部21が形成されている。従っ
て、この孔部21に引抜き治具22を係合させることが
可能となり、この引抜き治具22を用いて容易に不良半
導体装置20aをユニット化した複数の半導体装置から
抜き取ることができ、メンテナンス性を向上させること
ができる。また、この孔部21は、ステージ13の成形
時に一括的に形成することが可能であり、この孔部21
を設けることによりステージ13の製造工程が複雑にな
るようなことはない。
As described above, in the prior art, since only the leads were exposed to the outside of the resin package, it was difficult to extract the defective semiconductor device from a plurality of unitized semiconductor devices. However, in the semiconductor device 20 according to the present embodiment, the upper extending portion 17 extends from the upper surface 15b of the resin package 15, and the upper extending portion 17 has the hole 21 formed therein. Therefore, the pull-out jig 22 can be engaged with the hole 21, and the pull-out jig 22 can be used to easily pull out the defective semiconductor device 20a from a plurality of unitized semiconductor devices. Can be improved. Further, this hole portion 21 can be collectively formed when the stage 13 is molded.
The provision of the step does not complicate the manufacturing process of the stage 13.

【0055】図3は、本発明の第3実施例である半導体
装置30を示している。本実施例に係る半導体装置30
は、樹脂パッケージ15の表面に複数(本実施例では3
本)の放熱用溝31を形成したことを特徴とするもので
ある。前記したように、半導体チップ12で発熱した熱
は、前記したステージ13を介して放熱されると共に、
樹脂パッケージ15にも熱伝達して樹脂パッケージ15
の表面部分において放熱が行われる。
FIG. 3 shows a semiconductor device 30 which is a third embodiment of the present invention. Semiconductor device 30 according to the present embodiment
Are plural (3 in this embodiment) on the surface of the resin package 15.
The present invention is characterized in that a heat dissipation groove 31) is formed. As described above, the heat generated in the semiconductor chip 12 is radiated through the stage 13 and
The heat is also transferred to the resin package 15 and the resin package 15
Heat is dissipated at the surface of the.

【0056】そこで、本実施例のように樹脂パッケージ
15の表面に複数の放熱用溝31を形成することにより
樹脂パッケージ15の表面積を増大させることにより、
樹脂パッケージ15の放熱効率を向上させることができ
る。従って、半導体チップ12で発生し樹脂パッケージ
15を熱伝導経路とする熱の放熱を良好に行うことが可
能となり、半導体チップ12の冷却効率を向上させるこ
とができる。
Therefore, by forming a plurality of heat dissipation grooves 31 on the surface of the resin package 15 as in this embodiment, the surface area of the resin package 15 is increased,
The heat dissipation efficiency of the resin package 15 can be improved. Therefore, it is possible to satisfactorily dissipate the heat generated in the semiconductor chip 12 using the resin package 15 as a heat conduction path, and it is possible to improve the cooling efficiency of the semiconductor chip 12.

【0057】図4は、本発明の第4実施例である半導体
装置40を示している。本実施例に係る半導体装置40
は、樹脂パッケージ15の垂立する側面15e,15f
より側方に向け延出する側方延出部41,42を設けた
ことを特徴とするものである。この側方延出部41,4
2は、上方延出部17と同様にステージ13に一体的に
形成されており、夫々樹脂パッケージ15の外部に露出
した構成とされている。
FIG. 4 shows a semiconductor device 40 which is a fourth embodiment of the present invention. Semiconductor device 40 according to the present embodiment
Is the side surfaces 15e and 15f of the resin package 15 which stand upright.
The present invention is characterized in that side extending portions 41, 42 extending further to the side are provided. This lateral extension 41, 4
Similarly to the upward extending portion 17, the reference numeral 2 is formed integrally with the stage 13 and is exposed to the outside of the resin package 15, respectively.

【0058】このように、上方延出部17に加えて側方
延出部41,42を樹脂パッケージ15の外部に露出さ
せて設けることにより、側方延出部41,42において
も半導体チップ12で発生した熱の放熱が行われるた
め、半導体チップ12の冷却効率を向上させることがで
きる。また、樹脂パッケージ15の下面15aにおいて
リード14のリードピッチを狭ピッチに維持できること
は第1実施例と同様である。
As described above, by providing the laterally extending portions 41 and 42 in addition to the upwardly extending portion 17 so as to be exposed to the outside of the resin package 15, the semiconductor chip 12 is also provided at the laterally extending portions 41 and 42. Since the heat generated in 1 is radiated, the cooling efficiency of the semiconductor chip 12 can be improved. Also, the lead pitch of the leads 14 on the lower surface 15a of the resin package 15 can be maintained at a narrow pitch, as in the first embodiment.

【0059】図5及び図6は、本発明の第5実施例であ
る半導体装置ユニット50を示している。半導体装置ユ
ニット50は、複数の半導体装置を近接させて複数個並
設させた構造を有しており、複数の半導体装置,ホルダ
51,及びキャップ52等により構成されている。尚、
半導体装置としては、前記してきた第1乃至第4実施例
に係る各半導体装置10,20,30,40を用いるこ
とができるが、本実施例では第1実施例に係る半導体装
置10を用いた例について説明する。
FIG. 5 and FIG. 6 show a semiconductor device unit 50 which is a fifth embodiment of the present invention. The semiconductor device unit 50 has a structure in which a plurality of semiconductor devices are arranged in close proximity to each other, and includes a plurality of semiconductor devices, a holder 51, a cap 52, and the like. still,
As the semiconductor device, each of the semiconductor devices 10, 20, 30, and 40 according to the above-described first to fourth embodiments can be used. In this embodiment, the semiconductor device 10 according to the first embodiment is used. An example will be described.

【0060】ホルダ51は熱伝導性の良好な材料(例え
ばアルミニウム,高熱伝導樹脂等)により形成されたも
のであり、図7に拡大して示すように矩形筒状の形状を
有しており、従ってホルダ51の上部には上部開口53
が形成されている。このホルダ51は、その内部に複数
の半導体装置10が並設された状態で収納される構成と
されている。また、図5に示されるように、各半導体装
置10はホルダ51の内部において同一方向に向いて整
列して収納される構成とされている。
The holder 51 is made of a material having good thermal conductivity (eg, aluminum, high thermal conductive resin, etc.) and has a rectangular tubular shape as shown in an enlarged view in FIG. Therefore, in the upper part of the holder 51, the upper opening 53
Are formed. The holder 51 is configured to accommodate a plurality of semiconductor devices 10 arranged in parallel inside the holder 51. Further, as shown in FIG. 5, the semiconductor devices 10 are arranged in the holder 51 so as to be aligned and housed in the same direction.

【0061】また、図5及び図6に示されるように、ホ
ルダ51の上部にはキャップ52が装着され、このキャ
ップ52によりホルダ51に形成された上部開口53は
閉蓋される構成とされている。キャップ52もホルダ5
1と同様に熱伝導性の良好な材料(例えばアルミニウ
ム,高熱伝導樹脂等)により形成されている。また、キ
ャップ52は、図14に拡大して示すように、天板部5
2aとその外周縁部を囲繞するように形成された鍔部5
2bとを一体的に形成した構成とされている。
As shown in FIGS. 5 and 6, a cap 52 is attached to the upper part of the holder 51, and the upper opening 53 formed in the holder 51 by the cap 52 is closed. There is. The cap 52 is also the holder 5
Like No. 1, it is made of a material having good thermal conductivity (for example, aluminum, high thermal conductive resin, etc.). In addition, the cap 52, as shown in FIG.
2a and a collar portion 5 formed so as to surround the outer peripheral edge portion thereof.
2b is integrally formed.

【0062】このキャップ52はホルダ51に装着され
た状態において、ホルダ51内に収納されている複数の
半導体装置10に夫々形成された上方延出部17に接触
する構成とされている。具体的には、キャップ52を装
着した状態において、半導体装置10に設けられた上方
延出部17はキャップ52と熱的に接続される構成とさ
れている。また、キャップ52をホルダ51に装着され
た状態において、鍔部52bはホルダ51に嵌着され
る。図6はキャップ52をホルダ51に装着した状態を
示す概略構成図である。
When the cap 52 is mounted on the holder 51, the cap 52 is in contact with the upward extending portions 17 formed on the plurality of semiconductor devices 10 housed in the holder 51. Specifically, the upper extension 17 provided in the semiconductor device 10 is thermally connected to the cap 52 when the cap 52 is attached. Further, in the state where the cap 52 is attached to the holder 51, the flange portion 52b is fitted to the holder 51. FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a state in which the cap 52 is attached to the holder 51.

【0063】この閉蓋状態において、半導体装置10に
形成された上方延出部17がキャップ52と接触する構
成とすることにより、半導体チップ12で発生しステー
ジ13を介して上方延出部17に熱伝導した熱は、上方
延出部17を介してキャップ52に熱伝導する。この
際、上方延出部17の先端部には折曲部17aが形成さ
れているため、上方延出部17とキャップ52との接触
面積は広く、よって上方延出部17からキャップ52へ
の熱伝導を良好に行わせることができる。
In this closed state, the upper extension portion 17 formed on the semiconductor device 10 is brought into contact with the cap 52, so that the semiconductor chip 12 generates the upper extension portion 17 through the stage 13 to reach the upper extension portion 17. The heat conducted is conducted to the cap 52 via the upward extending portion 17. At this time, since the bent portion 17a is formed at the tip of the upper extending portion 17, the contact area between the upper extending portion 17 and the cap 52 is wide, and therefore, the upper extending portion 17 extends from the cap 52 to the cap 52. Good heat conduction can be achieved.

【0064】また、キャップ52は比較的広い面積を有
しているため、換言すれば外気との接触面積が広いた
め、複数の半導体装置10を近接状態で並設した構成の
半導体装置ユニット50であっても各半導体チップ12
で発生した熱をキャップ52において効率良く放熱する
ことができる。よって、半導体チップ12の冷却効率を
向上させることができる。
Further, since the cap 52 has a relatively large area, in other words, the contact area with the outside air is large, the semiconductor device unit 50 in which a plurality of semiconductor devices 10 are arranged in close proximity to each other is used. Even if each semiconductor chip 12
The heat generated in step 2 can be efficiently dissipated in the cap 52. Therefore, the cooling efficiency of the semiconductor chip 12 can be improved.

【0065】一方、半導体チップ12で発生した熱は樹
脂パッケージ15を介しても熱伝導する。本実施例に係
る半導体装置ユニット50は、半導体装置10がホルダ
51内に収納されているため、樹脂パッケージ15を介
して熱伝導された熱はホルダ51に熱伝導される。ホル
ダ51は、その形状が個々の半導体装置10より大きい
ため外気との接触面積が広くよって外気との接触面積は
広い。従って、樹脂パッケージ15を介して熱伝導され
た熱をホルダ51において効率よく放熱することができ
る。
On the other hand, the heat generated in the semiconductor chip 12 is also conducted through the resin package 15. In the semiconductor device unit 50 according to the present embodiment, since the semiconductor device 10 is housed in the holder 51, the heat conducted through the resin package 15 is conducted to the holder 51. Since the holder 51 has a larger shape than the individual semiconductor devices 10, the holder 51 has a large contact area with the outside air, and thus has a large contact area with the outside air. Therefore, the heat conducted through the resin package 15 can be efficiently dissipated in the holder 51.

【0066】更に、半導体装置をホルダ51に収納した
状態において各半導体装置10に高さのバラツキが生じ
ていたとしても、複数の半導体装置10を収納したホル
ダ51の上部をキャップ52で閉蓋することにより半導
体装置ユニット50の高さを揃えることができる。従っ
て、仮に半導体装置ユニット50を収納スペースが既定
されている電子機器筐体内に実装する場合において、上
記半導体装置の高さのバラツキに起因して実装が不能と
なることを確実に防止することができる。
Further, even if the semiconductor devices 10 are accommodated in the holder 51 and the heights of the semiconductor devices 10 vary, the upper portion of the holder 51 accommodating the plurality of semiconductor devices 10 is closed by the cap 52. As a result, the heights of the semiconductor device units 50 can be made uniform. Therefore, if the semiconductor device unit 50 is to be mounted in an electronic device housing having a predetermined storage space, it is possible to reliably prevent the semiconductor device unit 50 from being disabled due to variations in the height of the semiconductor device. it can.

【0067】図8は、前記した半導体装置ユニット50
を構成するホルダ51の第1変形例であるホルダ55を
示している。この第1変形例に係るホルダ55は、外壁
部にキャップ装着溝56を形成したことを特徴とするも
のである。また、図15は、このホルダ55に装着する
キャップ57を示している。キャップ57は、天板部7
5aの長手方向両側縁に形成された鍔部57bの下端部
に夫々スライド爪58を形成した構成とされている。こ
のスライド爪58は、ホルダ55に形成されたキャップ
装着溝56と係合する構成とされている。
FIG. 8 shows the semiconductor device unit 50 described above.
The holder 55 which is the 1st modification of the holder 51 which comprises is shown. The holder 55 according to the first modified example is characterized in that a cap mounting groove 56 is formed in the outer wall portion. Further, FIG. 15 shows a cap 57 attached to the holder 55. The cap 57 is the top plate portion 7.
5a, slide pawls 58 are formed on the lower ends of the flanges 57b formed on both side edges in the longitudinal direction of 5a, respectively. The slide claw 58 is configured to engage with the cap mounting groove 56 formed in the holder 55.

【0068】上記構成とされたホルダ55及びキャップ
57を用いることにより、キャップ57のホルダ55へ
の装着は、スライド爪58をキャップ装着溝56に位置
合わせし、その後キャップ57をスライド動作させるだ
けでホルダ55に装着することができ、キャップ57の
装着性を向上させることができる。また、メンテナンス
時等においてキャップ57をホルダ55から取り外す場
合においても、容易にキャップ57をホルダ55から取
り外すことができる。
By using the holder 55 and the cap 57 configured as described above, the cap 57 can be mounted on the holder 55 by aligning the slide claw 58 with the cap mounting groove 56 and then sliding the cap 57. It can be attached to the holder 55, and the attachment of the cap 57 can be improved. Further, even when the cap 57 is removed from the holder 55 for maintenance or the like, the cap 57 can be easily removed from the holder 55.

【0069】図9は、前記した半導体装置ユニット50
を構成するホルダ51の第2変形例であるホルダ60を
示している。本変形例に係るホルダ60は、外壁部に多
数の放熱フィン61を形成したことを特徴とするもので
ある。このように、ホルダ60に多数の放熱フィン61
を形成することにより、ホルダ60の外気と接触する面
積は広くなり、樹脂パッケージ15を介して熱伝導され
た熱をより効率よく放熱することができ、半導体チップ
12の冷却効率を向上させることができる。
FIG. 9 shows the semiconductor device unit 50 described above.
The holder 60 which is the 2nd modification of the holder 51 which comprises is shown. The holder 60 according to the present modification is characterized in that a large number of heat radiation fins 61 are formed on the outer wall portion. In this way, the holder 60 has a large number of heat radiation fins 61.
By forming the above, the area of the holder 60 in contact with the outside air is increased, the heat conducted through the resin package 15 can be radiated more efficiently, and the cooling efficiency of the semiconductor chip 12 can be improved. it can.

【0070】図10は、前記した半導体装置ユニット5
0を構成するホルダ51の第3変形例であるホルダ65
を示している。本変形例に係るホルダ65は、その内部
に半導体装置10と係合しこの半導体装置10を保持す
る保持機構として保持溝66を形成したことを特徴とす
るものである。この保持溝66は、半導体装置10の樹
脂パッケージ15をスライド装着しうる形状とされてい
る。
FIG. 10 shows the semiconductor device unit 5 described above.
Holder 65 that is a third modified example of the holder 51 that configures 0.
Is shown. The holder 65 according to the present modification is characterized in that a holding groove 66 is formed therein as a holding mechanism that engages with the semiconductor device 10 and holds the semiconductor device 10. The holding groove 66 is shaped so that the resin package 15 of the semiconductor device 10 can be slid and mounted.

【0071】保持溝66をホルダ65に形成することに
より、半導体装置10をホルダ65内に確実に保持する
こときができ、またホルダ65に複数の半導体装置10
を装着したユニット状態で実装基板11に実装処理を行
うことが可能となり、実装性の向上を図ることができ
る。また、保持溝66を形成することにより、ホルダ6
5の内部における半導体装置10の位置決めを確実に行
うことができ、各半導体装置10の高さ位置を揃えるこ
とができると共に、ホルダ65内における半導体装置1
0のガタツキを防止することができる。
By forming the holding groove 66 in the holder 65, the semiconductor device 10 can be securely held in the holder 65, and a plurality of semiconductor devices 10 can be held in the holder 65.
The mounting process can be performed on the mounting substrate 11 in a unit state in which the mounting is performed, and the mountability can be improved. Further, by forming the holding groove 66, the holder 6
The semiconductor device 10 can be positioned reliably inside the semiconductor device 5, the height positions of the semiconductor devices 10 can be aligned, and the semiconductor device 1 in the holder 65 can be positioned.
It is possible to prevent zero rattling.

【0072】図11は、前記した半導体装置ユニット5
0を構成するホルダ51の第4変形例であるホルダ70
を示している。本変形例では、ホルダ70を一対のホル
ダ半体71,72により構成したことを特徴とするもの
である。この一対のホルダ半体71,72の各対向面に
は、半導体装置10と係合しこれを保持する保持溝7
3,74が夫々形成されている。
FIG. 11 shows the semiconductor device unit 5 described above.
Holder 70 that is a fourth modified example of the holder 51 that configures 0.
Is shown. The present modification is characterized in that the holder 70 is composed of a pair of holder halves 71, 72. A holding groove 7 that engages with and holds the semiconductor device 10 is provided on each of the facing surfaces of the pair of holder halves 71, 72.
3, 74 are formed respectively.

【0073】ホルダ70を一対のホルダ半体71,72
により構成することにより、保持溝73,74の形成を
容易に行うことが可能となる。また、四側片を有した矩
形筒状形状のホルダに比べて材料費を低減することがで
きる。尚、別体とされたホルダ半体71,72を用いて
も、各ホルダ半体71,72間に半導体装置10を収納
しキャップ57を装着することにより、各ホルダ半体7
1,72は一体化するため、ホルダ70を一対のホルダ
半体71,72に分割した構成としも不都合は何ら生じ
ない。
The holder 70 is replaced by a pair of holder halves 71, 72.
With this structure, the holding grooves 73 and 74 can be easily formed. In addition, the material cost can be reduced as compared with a rectangular tubular holder having four side pieces. Even if the holder halves 71 and 72 which are separated from each other are used, the holder halves 7 and 72 can be housed between the holder halves 71 and 72 by mounting the cap 57.
Since 1 and 72 are integrated, there is no inconvenience even if the holder 70 is divided into a pair of holder halves 71 and 72.

【0074】図12は、前記した半導体装置ユニット5
0を構成するホルダ51の第5変形例であるホルダ75
を示している。本変形例に係るホルダ75は、側壁76
の下端部に内側に突出する係合爪77を形成したことを
特徴とするものである。この係合爪77は、半導体装置
10が装着された状態で、樹脂パッケージ15の下面1
5aと係合する構成とされている。従って、半導体装置
10をホルダ75内に装着し、樹脂パッケージ15の下
面15aを係合爪77と当接させることにより、複数の
半導体装置10の高さ位置を正確に揃えることができ
る。
FIG. 12 shows the semiconductor device unit 5 described above.
Holder 75 which is a fifth modified example of the holder 51 forming 0.
Is shown. The holder 75 according to the present modification has a side wall 76.
The engaging claw 77 protruding inward is formed at the lower end of the. The engagement claw 77 is provided on the lower surface 1 of the resin package 15 with the semiconductor device 10 mounted.
It is configured to engage with 5a. Therefore, by mounting the semiconductor device 10 in the holder 75 and bringing the lower surface 15a of the resin package 15 into contact with the engagement claw 77, the height positions of the plurality of semiconductor devices 10 can be accurately aligned.

【0075】図13は、前記した半導体装置ユニット5
0を構成するホルダ51の第6変形例であるホルダ80
を示している。本変形例に係るホルダ80は、一枚板を
プレス加工することにより一括的にホルダ80を形成し
たことを特徴とするものである。一枚板をプレス加工す
ることによりホルダ80を形成することにより、簡単か
つ低コストにホルダ80を製造することができる。
FIG. 13 shows the semiconductor device unit 5 described above.
Holder 80 which is a sixth modified example of the holder 51 constituting 0.
Is shown. The holder 80 according to this modification is characterized in that the holder 80 is collectively formed by pressing one plate. The holder 80 can be manufactured easily and at low cost by forming the holder 80 by pressing one plate.

【0076】図17は、本発明の第6実施例に係る半導
体装置90を示している。本実施例に係る半導体装置9
0は、ステージ13に形成された樹脂パッケージ15の
上部から延出した上方延出部91が、垂立部92,93
と位置決め用嵌入部94とを有した構成としたことを特
徴とするものである。垂立部92,93は上方延出部9
1の両側部に形成されており、樹脂パッケージ15の上
面15bより垂直上方に向け延出した構成とされてい
る。この各垂立部92,93には、位置決め孔95,9
6が夫々形成されている。また、各垂立部92,93に
挟まれた部分は折り曲げられることにより位置決め用嵌
入部94を形成している。この位置決め用嵌入部94の
樹脂パッケージ15の長手方向に対する長さ(即ち、垂
立部92,93の離間距離。図中、矢印Lで示す)は、
所定の長さとなるよう高精度に加工されている。また、
各垂立部92,93に形成された位置決め孔95,96
の形成位置も所定位置に高精度に形成されている。
FIG. 17 shows a semiconductor device 90 according to the sixth embodiment of the present invention. Semiconductor device 9 according to the present embodiment
In the case of 0, the upper extending portion 91 extending from the upper portion of the resin package 15 formed on the stage 13 has the vertical portions 92, 93.
And a positioning fitting portion 94. The upright portions 92 and 93 are upwardly extending portions 9
It is formed on both side portions of No. 1 and extends vertically upward from the upper surface 15b of the resin package 15. Positioning holes 95 and 9 are formed in the upright portions 92 and 93, respectively.
6 are formed respectively. Further, the portion sandwiched between the upright portions 92 and 93 is bent to form a positioning fitting portion 94. The length of the positioning fitting portion 94 with respect to the longitudinal direction of the resin package 15 (that is, the distance between the upright portions 92 and 93, which is indicated by an arrow L in the figure) is
It is processed with high precision to a predetermined length. Also,
Positioning holes 95 and 96 formed in the upright portions 92 and 93, respectively.
The formation position of is also accurately formed at a predetermined position.

【0077】図25は、前記した第6実施例に係る半導
体装置90の変形例である半導体装置90Aを示してい
る。図25(A)は半導体装置90の背面図であり、ま
た図25(B)は図25(A)におけるA−A線に沿う
断面図である。前記したように、ステージ13は放熱性
を向上させる面より、樹脂パッケージ15より外部に露
出した構成とされている。しかるに、ステージ13は金
属材料であり樹脂パッケージ15との密着性(接合性)
が不良である。このため、ステージ13が樹脂パッケー
ジ15より剥離してしまうおそれが生じる。
FIG. 25 shows a semiconductor device 90A which is a modified example of the semiconductor device 90 according to the sixth embodiment. 25A is a rear view of the semiconductor device 90, and FIG. 25B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 25A. As described above, the stage 13 is configured to be exposed to the outside from the resin package 15 in terms of improving heat dissipation. However, since the stage 13 is made of a metal material, the adhesiveness (bondability) with the resin package 15 is high.
Is bad. Therefore, the stage 13 may be separated from the resin package 15.

【0078】そこで本変形例では、ステージ13に樹脂
パッケージ15との密着性を向上させる密着性向上部を
形成したことを特徴とする。本変形例では、密着性向上
部としてステージ13に樹脂係合孔150及び樹脂係合
凹部151を形成した構成とされている。この樹脂係合
孔150及び樹脂係合凹部151をステージ13に設け
ることにより、ステージ13と樹脂パッケージ15との
接触面積を増大することができるる。また、樹脂パッケ
ージ15を構成する樹脂が樹脂係合孔150及び樹脂係
合凹部151内に進入することによりいわゆるアンカー
効果が発生する。よって、ステージ13に樹脂パッケー
ジ15との密着性は向上し、ステージ13が樹脂パッケ
ージ15より剥離することを確実に防止することができ
る。
Therefore, the present modification is characterized in that the stage 13 is provided with an adhesion improving portion for improving the adhesion with the resin package 15. In this modified example, a resin engagement hole 150 and a resin engagement recess 151 are formed in the stage 13 as the adhesion improving portion. By providing the resin engagement hole 150 and the resin engagement recess 151 on the stage 13, the contact area between the stage 13 and the resin package 15 can be increased. In addition, the resin forming the resin package 15 enters into the resin engagement hole 150 and the resin engagement recess 151 to generate a so-called anchor effect. Therefore, the adhesion between the stage 13 and the resin package 15 is improved, and the stage 13 can be reliably prevented from peeling off from the resin package 15.

【0079】尚、密着性向上部は上記した樹脂係合孔1
50及び樹脂係合凹部151に限定されるものではな
く、ステージ13に突起を形成したり、或いはステージ
13に溝等を形成した構成としてもよい。図18は、本
発明の第7実施例である半導体装置ユニット100を示
している。本実施例に係る半導体装置ユニット100
は、前記した第6実施例に係る半導体装置90を複数個
列設し、これを側面より見てコ字状のホルダ101によ
り挟持することによりユニット化したことを特徴とする
ものである。
It should be noted that the adhesion improving portion is the resin engaging hole 1 described above.
The configuration is not limited to 50 and the resin engagement recess 151, and a configuration may be employed in which a protrusion is formed on the stage 13 or a groove or the like is formed on the stage 13. FIG. 18 shows a semiconductor device unit 100 which is a seventh embodiment of the present invention. Semiconductor device unit 100 according to the present embodiment
Is characterized in that a plurality of semiconductor devices 90 according to the above-described sixth embodiment are arranged in a row and are sandwiched by a U-shaped holder 101 when viewed from the side to form a unit.

【0080】このホルダ101は上面部102と一対の
側面部103,104を一体的に形成した構成を有して
いる。上面部102は、その幅寸法が半導体装置90に
設けられている一対の垂立部92,93の離間距離Lと
精度良く一致するよう構成されている。また、一対の側
面部103,104の離間距離(即ち、位置決め用嵌入
部94の長さ)は内部に収納する複数の半導体装置90
の総幅寸法と同一或いはこれより若干小さい寸法に選定
されている。
The holder 101 has a structure in which an upper surface portion 102 and a pair of side surface portions 103 and 104 are integrally formed. The upper surface portion 102 is configured such that its width dimension accurately matches the distance L between the pair of upright portions 92, 93 provided in the semiconductor device 90. Further, the distance between the pair of side surface portions 103 and 104 (that is, the length of the positioning fitting portion 94) is equal to the plurality of semiconductor devices 90 housed inside.
Is selected to be the same as or slightly smaller than the total width dimension of.

【0081】装着時には、ホルダ101の上面部102
を位置決め用嵌入部94内(即ち、一対の垂立部92,
93の間)に嵌入し、また一対の側面部103,104
が複数列設した半導体装置90を両側から挟持するよう
に装着する。複数の半導体装置90は一対の側面部10
3,104に挟持されることによりユニット化する。ま
た、ホルダ101の上面部102が位置決め用嵌入部9
4に嵌入することにより、複数の半導体装置90は位置
決めが行われる。
At the time of mounting, the upper surface portion 102 of the holder 101
In the positioning fitting portion 94 (that is, the pair of upright portions 92,
93)) and a pair of side surface portions 103, 104.
Are mounted so as to sandwich the semiconductor devices 90 arranged in a plurality of rows from both sides. The plurality of semiconductor devices 90 include the pair of side surfaces 10.
It is united by being sandwiched by 3,104. Further, the upper surface portion 102 of the holder 101 has the positioning fitting portion 9
The plurality of semiconductor devices 90 are positioned by being fitted into the semiconductor device 4.

【0082】ここで、先に図5及び図6を用いて説明し
た半導体装置ユニット50を見ると、半導体装置ユニッ
ト50ではホルダ51内における各半導体装置10の位
置決めは、各半導体装置10の樹脂パッケージ15(具
体的には樹脂パッケージ15の側面)がホルダ51の内
壁に当接することにより行われる構成となっている。し
かるに、樹脂パッケージ15の樹脂モールド工程におい
てリード14に対して樹脂パッケージ15の成形ずれが
発生した場合、正規の位置よりずれた樹脂パッケージ1
5に沿って各半導体装置10はホルダ51内に整列する
こととなり、微小ピッチで配設された複数のリード14
の位置精度が劣化してしまう。
Now, looking at the semiconductor device unit 50 described above with reference to FIGS. 5 and 6, in the semiconductor device unit 50, the positioning of each semiconductor device 10 in the holder 51 is performed by the resin package of each semiconductor device 10. 15 (specifically, the side surface of the resin package 15) is brought into contact with the inner wall of the holder 51. However, when molding deviation of the resin package 15 with respect to the lead 14 occurs in the resin molding process of the resin package 15, the resin package 1 deviated from the normal position.
5, the semiconductor devices 10 are aligned in the holder 51, and the plurality of leads 14 arranged at a fine pitch.
The position accuracy of is deteriorated.

【0083】しかるに、本実施例に係る半導体装置ユニ
ット100は、上面部102が位置決め用嵌入部94に
嵌入することにより複数の半導体装置90の位置決めを
行う構成とされている。前記したように、上面部102
の幅寸法は半導体装置90に設けられている位置決め用
嵌入部94の離間距離Lと精度良く一致するよう構成さ
れている。また、ステージ13とリード14は、その製
造時において一枚のリード材料基板をプレス加工等によ
り一体的に形成するため、ステージ13とリード14と
の位置精度は高い精度となっている。従って、上面部1
02を位置決め用嵌入部94に嵌入して各半導体装置9
0のステージ13の位置決めを行うことにより、リード
14の位置決めを同時に行うことができる。
However, the semiconductor device unit 100 according to the present embodiment is configured to position the plurality of semiconductor devices 90 by fitting the upper surface portion 102 into the positioning fitting portion 94. As described above, the upper surface portion 102
The width dimension of is accurately configured to match the separation distance L of the positioning fitting portion 94 provided in the semiconductor device 90. In addition, since the stage 13 and the lead 14 are integrally formed by pressing a single lead material substrate at the time of manufacturing, the positional accuracy of the stage 13 and the lead 14 is high. Therefore, the upper surface portion 1
02 is inserted into the positioning insertion portion 94 and each semiconductor device 9 is inserted.
By positioning the stage 13 of 0, the leads 14 can be positioned at the same time.

【0084】上記のように、本実施例に係る半導体装置
ユニット100は、樹脂パッケージ15ではなくステー
ジ13の位置決めを行うことにより各半導体装置90の
位置決めを行うため、リード14の配設位置にバラツキ
が発生するようなことはなく、実装時における実装性を
向上させることができる。また、本実施例に係る半導体
装置ユニット100では、図5及び図6に示した半導体
装置ユニット50と異なり、複数列設された半導体装置
90の周りを囲繞するようホルダを配設する必要はなく
キャップを設ける必要もないため、ホルダ101の小型
化及び低コスト化を図ることができ、延いては半導体装
置ユニット100の小型化及び低コスト化を図ることが
できる。
As described above, the semiconductor device unit 100 according to the present embodiment positions each semiconductor device 90 by positioning not the resin package 15 but the stage 13, so that the positions where the leads 14 are arranged vary. Does not occur, and the mountability at the time of mounting can be improved. Further, in the semiconductor device unit 100 according to the present embodiment, unlike the semiconductor device unit 50 shown in FIGS. 5 and 6, it is not necessary to dispose a holder so as to surround the semiconductor devices 90 arranged in a plurality of rows. Since it is not necessary to provide a cap, the holder 101 can be downsized and the cost can be reduced, and further, the semiconductor device unit 100 can be downsized and the cost can be reduced.

【0085】図19は、本発明の第8実施例である半導
体装置ユニット110を示している。本実施例に係る半
導体装置ユニット110は、前記した第6実施例に係る
半導体装置90を複数個列設し、各半導体装置90に設
けられた垂立部92,93に形成されている位置決め孔
95,96に位置決めシャフト111,112(図には
一方の位置決めシャフト111のみ示す)を挿通して各
半導体装置90をユニット化したことを特徴とするもの
である。
FIG. 19 shows a semiconductor device unit 110 which is an eighth embodiment of the present invention. In the semiconductor device unit 110 according to the present embodiment, a plurality of semiconductor devices 90 according to the sixth embodiment described above are arranged in a row, and positioning holes formed in the upright portions 92, 93 provided in each semiconductor device 90. The semiconductor device 90 is unitized by inserting the positioning shafts 111 and 112 (only one of the positioning shafts 111 is shown in the figure) into the members 95 and 96.

【0086】この位置決めシャフト111,112は、
垂立部92,93に形成された位置決め孔95,96に
嵌合しうる径寸法とされている。また、前記のように垂
立部92,93に形成された位置決め孔95,96の形
成位置の精度は高く、かつステージ13とリード14と
の位置精度は高い精度となっている。従って、複数の半
導体装置90を列設し、各半導体装置90に形成されて
いる位置決め孔95,96に位置決めシャフト111,
112を嵌入することにより、複数の半導体装置90の
位置決めを行いつつ複数の半導体装置90を固定してユ
ニット化することができる。
The positioning shafts 111 and 112 are
The diameter dimension is such that it can be fitted into the positioning holes 95 and 96 formed in the upright portions 92 and 93. Further, as described above, the positioning accuracy of the positioning holes 95 and 96 formed in the upright portions 92 and 93 is high, and the positional accuracy of the stage 13 and the lead 14 is also high. Therefore, a plurality of semiconductor devices 90 are arranged in a line, and the positioning shafts 111, 111 are positioned in the positioning holes 95, 96 formed in each semiconductor device 90.
By inserting 112, the plurality of semiconductor devices 90 can be positioned and fixed to form a unit by fixing the plurality of semiconductor devices 90.

【0087】本実施例に係る半導体装置ユニット110
は、単に位置決め孔95,96に位置決めシャフト11
1,112を嵌入させるのみで各半導体装置90の位置
決めとユニット化を行うことができるため、半導体装置
ユニット110の製造工程を大幅に簡単化することがで
きる。また、2本の位置決めシャフト111,112の
みで半導体装置ユニット110を構成することができる
ため、コストの低減を図ることができる。
The semiconductor device unit 110 according to this embodiment.
Simply inserts the positioning shaft 11 into the positioning holes 95 and 96.
Since the positioning and unitization of each semiconductor device 90 can be performed only by inserting 1,112, the manufacturing process of the semiconductor device unit 110 can be greatly simplified. Further, since the semiconductor device unit 110 can be configured only with the two positioning shafts 111 and 112, the cost can be reduced.

【0088】図20は、本発明の第9実施例である半導
体装置ユニット120を示している。本実施例に係る半
導体装置ユニット120は、図5に示した半導体装置ユ
ニット50に用いたホルダ51に図17に示した半導体
装置90を複数個並設した構成とされている。また、半
導体装置90は立設部92,93を有しているため、ホ
ルダ51の上部に装着されるキャップ52には立設部9
2,93を挿通する挿通穴が設けられており、よって立
設部92,93はこの挿通穴を介してキャップ52の上
部に突出した構成とされている。
FIG. 20 shows a semiconductor device unit 120 which is a ninth embodiment of the present invention. The semiconductor device unit 120 according to this embodiment has a structure in which a plurality of semiconductor devices 90 shown in FIG. 17 are arranged in parallel in a holder 51 used in the semiconductor device unit 50 shown in FIG. Further, since the semiconductor device 90 has the upright portions 92 and 93, the upright portion 9 is attached to the cap 52 mounted on the upper portion of the holder 51.
Insertion holes for inserting 2, 3 and 9 are provided, and thus the upright portions 92, 93 are configured to project above the cap 52 through the insertion holes.

【0089】また、複数個並設された半導体装置90に
は、本実施例の要部となる高熱伝導性を有した接着剤1
21が配設されている。この接着剤121は、半導体装
置90とキャップ52との間に形成される空間部、及び
隣接する各半導体装置90の離間部分に配設されてい
る。よって、少なくとも隣接する各半導体装置90は接
着剤121により相互に保持された構成となり、この保
持関係が並設された複数の各半導体装置90において作
用するため、半導体装置全体の強度を高めることができ
る。
In addition, the plurality of semiconductor devices 90 arranged side by side have the adhesive 1 having a high thermal conductivity, which is an essential part of this embodiment.
21 are provided. The adhesive 121 is provided in a space formed between the semiconductor device 90 and the cap 52, and a space between adjacent semiconductor devices 90. Therefore, at least adjacent semiconductor devices 90 are mutually held by the adhesive 121, and this holding relationship acts on each of the plurality of semiconductor devices 90 arranged in parallel, so that the strength of the entire semiconductor device can be increased. it can.

【0090】また、接着剤121は熱可塑性を有した樹
脂が選定されている。よって、加熱処理を行い接着剤1
21を熱可塑温度以上に昇温すると接着剤121は軟化
した状態となり、よって各半導体装置90を移動可能な
状態とすることができる。上記構成とされた半導体装置
ユニット120は、高熱伝導性を有する接着剤121を
隣接する半導体装置90間、及び半導体装置90とキャ
ップ52との間に形成される空間部に配設したことによ
り、半導体装置90で発生した熱は高熱伝導性接着剤1
21を介してホルダ51,キャップ52に熱伝導するた
め、半導体装置90の放熱性を向上させることができ
る。
A resin having thermoplasticity is selected as the adhesive 121. Therefore, heat treatment is applied to the adhesive 1
When the temperature of 21 is raised to the thermoplastic temperature or higher, the adhesive 121 becomes softened, and thus each semiconductor device 90 can be made movable. In the semiconductor device unit 120 configured as described above, the adhesive 121 having a high thermal conductivity is arranged in the space formed between the adjacent semiconductor devices 90 and between the semiconductor device 90 and the cap 52. The heat generated in the semiconductor device 90 is highly heat conductive adhesive 1
Since heat is conducted to the holder 51 and the cap 52 via 21, the heat dissipation of the semiconductor device 90 can be improved.

【0091】また、上記のように隣接する半導体装置9
0は接着剤121により相互に保持され、この保持関係
は並設された各半導体装置90において作用するため、
半導体装置全体の強度を高めることができ、よって半導
体装置ユニット120の信頼性を向上させることができ
る。更に、接着剤121は熱可塑性を有した樹脂である
ため、例えばホルダ51内に複数の半導体装置90を配
設し接着剤により保持した後に、いずれかの半導体装置
90に故障が発見された場合においても、加熱処理を行
い接着剤121を熱可塑温度以上に昇温することにより
接着剤121は軟化し、図21に示されるように不良半
導体装置90Aを半導体装置ユニット120から取り出
し正常な半導体装置に交換することが可能となる。よっ
て、半導体装置ユニット120のメンテナンス性及び信
頼性を向上させることができる。
Further, the adjacent semiconductor devices 9 as described above
0 is mutually held by the adhesive 121, and this holding relationship works in each of the semiconductor devices 90 arranged in parallel,
The strength of the entire semiconductor device can be increased, and thus the reliability of the semiconductor device unit 120 can be improved. Further, since the adhesive 121 is a resin having thermoplasticity, for example, when a failure is found in one of the semiconductor devices 90 after the plurality of semiconductor devices 90 are arranged in the holder 51 and held by the adhesive. Also in the above, the adhesive 121 is softened by heating the adhesive 121 to a temperature not lower than the thermoplastic temperature, and the defective semiconductor device 90A is taken out from the semiconductor device unit 120 as shown in FIG. Can be exchanged for. Therefore, the maintainability and reliability of the semiconductor device unit 120 can be improved.

【0092】図22は、本発明の第10実施例である半
導体装置ユニット130を示している。本実施例に係る
半導体装置ユニット130は、図20及び図21に示し
た第9実施例に係る半導体装置ユニット120と略同一
の構成とされているが、接着剤121に代えてシリコン
系のグリース131を配設したことを特徴とするもので
ある。このシリコン系のグリース131は、常温下で高
い粘性を有しており、また熱伝導性も比較的高い値を有
したものである。
FIG. 22 shows a semiconductor device unit 130 which is a tenth embodiment of the present invention. The semiconductor device unit 130 according to the present embodiment has substantially the same configuration as the semiconductor device unit 120 according to the ninth embodiment shown in FIGS. 20 and 21, but instead of the adhesive 121, a silicon-based grease. It is characterized in that 131 is provided. The silicon-based grease 131 has a high viscosity at room temperature and a relatively high thermal conductivity.

【0093】ところで、半導体装置90を製造する際
し、若干の製造上のバラツキが発生することが知られて
おり、この製造上のバラツキによりリード14に高さの
違いが発生することがある。図22において矢印hで示
すのは製造上のバラツキにより発生したリード14の高
さ誤差である。よって、リード14の高さ誤差hが生じ
たままで半導体装置ユニット130を実装基板11に実
装(半田付け)した場合、リード14と実装基板11と
の間で接続不良が発生するおそれがある。
By the way, when manufacturing the semiconductor device 90, it is known that some manufacturing variations occur, and this manufacturing variation may cause the leads 14 to have different heights. In FIG. 22, an arrow h indicates a height error of the lead 14 caused by manufacturing variations. Therefore, when the semiconductor device unit 130 is mounted (soldered) on the mounting board 11 with the height error h of the leads 14 still occurring, a connection failure may occur between the leads 14 and the mounting board 11.

【0094】しかるに、本実施例に係る半導体装置ユニ
ット130の構造では、半導体装置90とキャップ52
との間に形成される空間部及び隣接する各半導体装置9
0の離間部分には、常温で高い粘性を有したシリコン系
のグリース131が配設されている。従って、半導体装
置90が半導体装置ユニット130内に装着された状態
でも、強く移動付勢することにより半導体装置90をホ
ルダ51内で移動させる(上下方向の移動)を行うこと
は可能である。
However, in the structure of the semiconductor device unit 130 according to this embodiment, the semiconductor device 90 and the cap 52 are included.
And a semiconductor device 9 adjacent to the space formed between
A silicone-based grease 131 having a high viscosity at room temperature is arranged in the zero-spaced portion. Therefore, even when the semiconductor device 90 is mounted in the semiconductor device unit 130, it is possible to move the semiconductor device 90 in the holder 51 (movement in the vertical direction) by urging strongly.

【0095】よって、図22に示されるようにキャップ
52の上部に突出した垂立部92,93を下方に向け加
圧し、半導体装置90をホルダ51内で下方に向け移動
させることにより、上記の高さ誤差hを補正することが
できる。これにより、全ての半導体装置90のリード1
4を実装基板11に当接させる事が可能となり、リード
14と実装基板11との電気的接続を確実に行うことが
できる。尚、本実施例においても、ホルダ51に装着後
においても不良半導体装置の交換を行えることは勿論で
ある。
Therefore, as shown in FIG. 22, the upright portions 92 and 93 projecting upward from the cap 52 are pressed downward to move the semiconductor device 90 downward in the holder 51. The height error h can be corrected. As a result, the leads 1 of all the semiconductor devices 90 are
4 can be brought into contact with the mounting substrate 11, and the electrical connection between the lead 14 and the mounting substrate 11 can be surely made. In this embodiment as well, it is needless to say that the defective semiconductor device can be replaced even after being attached to the holder 51.

【0096】図24は、本発明の第11実施例である半
導体装置140を示している。尚、同図では説明の便宜
上、半導体装置140と実装基板141との接続位置近
傍を拡大して示している。また、半導体装置140はホ
ルダ51に複数個並設されることにより半導体装置ユニ
ット145を構成している。本実施例においては、半導
体装置140を構成する樹脂パッケージ15に保持部1
42を形成すると共に、リード143の下方に延出した
部分をこの保持部142に保持させた構成としたことを
特徴とするものである。
FIG. 24 shows a semiconductor device 140 which is the eleventh embodiment of the present invention. In the figure, for convenience of explanation, the vicinity of the connection position between the semiconductor device 140 and the mounting substrate 141 is shown enlarged. Further, a plurality of semiconductor devices 140 are arranged in the holder 51 side by side to form a semiconductor device unit 145. In this embodiment, the holding portion 1 is attached to the resin package 15 that constitutes the semiconductor device 140.
42 is formed, and the holding portion 142 holds the portion of the lead 143 extending downward.

【0097】上記構成に伴い、リード143の下方延出
部分は、他の実施例で示した半導体装置と異なりL字上
に折曲されておらず直線状の形状とされている。また、
樹脂パッケージ15に保持部142が形成されることに
より、樹脂パッケージ15の下部には凸部が形成された
構成となる。更に、リード143は保持部142の内側
面に露出した構成とされている。
With the above structure, unlike the semiconductor device shown in the other embodiments, the downwardly extending portion of the lead 143 is not bent in an L-shape but has a linear shape. Also,
By forming the holding portion 142 on the resin package 15, a convex portion is formed on the lower portion of the resin package 15. Further, the lead 143 is configured to be exposed on the inner surface of the holding portion 142.

【0098】一方、上記構成とさたれ半導体装置ユニッ
ト145が実装される実装基板141には、上記した半
導体装置ユニット145の下部に形成された保持部14
2と対応する形状の凹部146が形成されており、また
この凹部146の内面所定位置に基板側電極147が形
成されている。上記構成において、半導体装置ユニット
145を実装基板141に装着するには、半導体装置ユ
ニット145の下部に形成されている保持部142を実
装基板141に形成されている凹部146に嵌入する。
この嵌入状態において、保持部142に設けられたリー
ド143と凹部146に設けられた基板側電極147と
は電気的に接続される。また、保持部142と凹部14
6との嵌着力により、半導体装置ユニット145は実装
基板141に固定された状態となる。
On the other hand, on the mounting substrate 141 on which the semiconductor device unit 145 having the above structure is mounted, the holding portion 14 formed below the semiconductor device unit 145 described above.
2, a recess 146 having a shape corresponding to 2 is formed, and a substrate side electrode 147 is formed at a predetermined position on the inner surface of the recess 146. In the above configuration, when mounting the semiconductor device unit 145 on the mounting substrate 141, the holding portion 142 formed on the lower portion of the semiconductor device unit 145 is fitted into the recess 146 formed on the mounting substrate 141.
In this fitted state, the lead 143 provided in the holding portion 142 and the substrate-side electrode 147 provided in the recess 146 are electrically connected. In addition, the holding portion 142 and the concave portion 14
The semiconductor device unit 145 is fixed to the mounting substrate 141 by the fitting force with respect to 6.

【0099】この半導体装置ユニット145を実装基板
141に装着する際、リード143と基板側電極147
とは摺接するが、リード143は保持部142に保持さ
れており、また基板側電極147は凹部146の内壁に
保持されるため、装着時にリード143と基板側電極1
47が変形するようなことはない。また、上記のように
リード143が保持部142に保持されることにより、
半導体装置140をホルダ51に装着する時等において
もリード143の変形発生を防止することができる。
When the semiconductor device unit 145 is mounted on the mounting board 141, the leads 143 and the board-side electrodes 147.
However, since the lead 143 is held by the holding portion 142 and the substrate-side electrode 147 is held by the inner wall of the recess 146, the lead 143 and the substrate-side electrode 1 are mounted at the time of mounting.
47 is not deformed. Further, since the lead 143 is held by the holding portion 142 as described above,
It is possible to prevent the deformation of the lead 143 even when the semiconductor device 140 is attached to the holder 51.

【0100】更に、上記のように半導体装置ユニット1
45と実装基板141との接続は、保持部142と凹部
146とが嵌着し、リード143と基板側電極147と
が摺接することにより行われ、半田付け等の固定処理は
行われない。このため、半導体装置ユニット145は実
装基板141に対して着脱可能な構成となり、メンテナ
ンス性を向上させることができると共に、実装基板14
1に対して異なる機能を有する半導体装置ユニット14
5を選択的に装着することも可能となる。
Further, as described above, the semiconductor device unit 1
The connection between 45 and the mounting substrate 141 is performed by fitting the holding portion 142 and the recess 146 and slidingly contacting the lead 143 and the substrate-side electrode 147, and fixing processing such as soldering is not performed. Therefore, the semiconductor device unit 145 is configured to be attachable / detachable to / from the mounting board 141, which makes it possible to improve maintainability and at the same time, mounting board 14
Semiconductor device unit 14 having different functions for one
It is also possible to selectively wear the No. 5 device.

【0101】図26は、本発明の第12実施例である半
導体装置160を示している。この半導体装置160は
複数個並設されることにより半導体装置ユニット165
を構成するものである。本実施例に係る半導体装置16
0は、リード166の形状を直線形状としたことを特徴
とするものである。この構成の半導体装置160を用い
ることにより、半導体装置ユニット165の小型化を図
ることができる。以下、その理由について説明する。
FIG. 26 shows a semiconductor device 160 which is a twelfth embodiment of the present invention. By arranging a plurality of the semiconductor devices 160 in parallel, the semiconductor device unit 165 is provided.
It is what constitutes. Semiconductor device 16 according to the present embodiment
No. 0 is characterized in that the lead 166 has a linear shape. By using the semiconductor device 160 having this configuration, the size of the semiconductor device unit 165 can be reduced. The reason will be described below.

【0102】半導体装置160の小型化、特に薄型化を
図るには、樹脂パッケージ15の肉厚を薄くすることが
有効である。近年では、いわゆるチップサイズパッケー
ジと称される樹脂パッケージ15の大きさが半導体チッ
プ12と略同一の大きさとされた半導体装置も提供され
始めている。このように樹脂パッケージ15が薄型化さ
れた場合、上記した各実施例のようにリード14の先端
部が折曲された構成では、半導体装置を並設した際に樹
脂パッケージ15間では干渉が発生しないにも拘わら
ず、リード14の折曲部同志が干渉して高密度実装がで
くなくなることが考えられる。
It is effective to reduce the thickness of the resin package 15 in order to reduce the size of the semiconductor device 160, particularly to reduce the thickness thereof. In recent years, a semiconductor device in which the size of the resin package 15, which is a so-called chip size package, is substantially the same as the size of the semiconductor chip 12, has also begun to be provided. When the resin packages 15 are thinned in this way, interference occurs between the resin packages 15 when the semiconductor devices are arranged side by side in the configuration in which the tips of the leads 14 are bent as in each of the above-described embodiments. Despite this, it is conceivable that the bent portions of the leads 14 interfere with each other to prevent high-density mounting.

【0103】即ち、図27に示されるように、樹脂パッ
ケージ15の厚さ寸法H1がリード14の折曲部の長さ
H2に対して小さい場合(H1<H2)には、リード1
4の折曲部14c同志が衝突してしまい、半導体装置同
志を近接配設することができなくなってしまう。しかる
に、本実施例の如くリード166の形状を直線形状とす
ることにより、リード166全体としての厚さ寸法を樹
脂パッケージ15の厚さ寸法より小さくすることができ
るため、リード166の形状により高密度化が阻害され
ることを防止することができる。よって、上記構成の半
導体装置160を並設することにより形成される半導体
装置ユニット165の小型化を図ることができる。
That is, as shown in FIG. 27, when the thickness dimension H1 of the resin package 15 is smaller than the length H2 of the bent portion of the lead 14 (H1 <H2), the lead 1
The four bent portions 14c collide with each other, and the semiconductor devices cannot be arranged close to each other. However, by making the shape of the lead 166 linear as in the present embodiment, the thickness dimension of the lead 166 as a whole can be made smaller than the thickness dimension of the resin package 15. It is possible to prevent the oxidization from being inhibited. Therefore, it is possible to reduce the size of the semiconductor device unit 165 formed by arranging the above-configured semiconductor devices 160 in parallel.

【0104】[0104]

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を実現することができる。請求項1の発明によれ
ば、半導体チップで発生した熱はステージを介して熱伝
導され、樹脂パッケージの上面より露出した上方延出部
で放熱され、よって半導体チップで発生する熱を効率よ
く放熱することができる。
As described above, according to the present invention, the following various effects can be realized. According to the invention of claim 1, the heat generated in the semiconductor chip is conducted through the stage, and is radiated in the upper extension portion exposed from the upper surface of the resin package. Therefore, the heat generated in the semiconductor chip is efficiently radiated. can do.

【0105】また、上方延出部をリード配設位置と異な
る面である樹脂パッケージの上面から延出させたことに
より、上方延出部を形成してもリードの配設ピッチに影
響を与えることはなく、リードピッチを狭ピッチに維持
させることができる。また、請求項2の発明によれば、
半導体チップを搭載したステージの一部が樹脂パッケー
ジから外部に露出した構成となるため、ステージが放熱
フィンと同様の機能を奏し、半導体チップの冷却効率を
向上させることができる。
Further, by extending the upper extending portion from the upper surface of the resin package, which is a surface different from the lead arrangement position, even if the upper extending portion is formed, the lead arrangement pitch is affected. Instead, the lead pitch can be maintained at a narrow pitch. According to the invention of claim 2,
Since a part of the stage on which the semiconductor chip is mounted is exposed to the outside from the resin package, the stage has a function similar to that of the heat dissipation fin, and the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved.

【0106】また、請求項3の発明によれば、孔部に引
抜き治具を係合させることができ、よって半導体装置を
複数個並設した半導体装置ユニットを構成した場合、そ
の中の一つの半導体装置を引き抜く作業を容易に行うこ
とができる。また、請求項4の発明によれば、側方延出
部においても半導体チップで発生した熱の放熱が行われ
るため、半導体チップの冷却効率を向上させることがで
きる。
According to the third aspect of the present invention, the extraction jig can be engaged with the hole, and when a plurality of semiconductor devices are arranged in parallel, a semiconductor device unit is constructed. The work of pulling out the semiconductor device can be easily performed. Further, according to the invention of claim 4, the heat generated in the semiconductor chip is also radiated in the lateral extension portion, so that the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved.

【0107】また、請求項5の発明によれば、ステージ
に樹脂パッケージとの密着性を向上させる密着性向上部
を形成したことにより、ステージが樹脂パッケージから
離脱してしまうことを防止することができる。また、請
求項6の発明によれば、樹脂パッケージの表面積が増大
するため、樹脂パッケージの放熱効率を向上させること
ができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the stage is prevented from being separated from the resin package by forming the adhesiveness improving portion for improving the adhesiveness with the resin package on the stage. it can. Further, according to the invention of claim 6, since the surface area of the resin package is increased, the heat radiation efficiency of the resin package can be improved.

【0108】また、請求項7の発明によれば、一対の垂
立部の間に位置決め用嵌入部が形成されているため、実
装時にこの位置決め用嵌入部を用いて半導体装置の位置
決めを行うことができる。また、請求項8の発明によれ
ば、垂立部に位置決め孔が形成されているため、実装時
にこの位置決め孔を用いて半導体装置の位置決めを行う
ことができる。
Further, according to the invention of claim 7, since the positioning fitting portion is formed between the pair of upright portions, the positioning device is used to position the semiconductor device during mounting. You can Further, according to the invention of claim 8, since the positioning hole is formed in the upright portion, the semiconductor device can be positioned by using the positioning hole at the time of mounting.

【0109】また、請求項9の発明によれば、接続リー
ドの樹脂パッケージの下方に延出した部位が樹脂パッケ
ージに保持されるため、実装時等における接続リードの
変形発生を防止することができる。また、請求項10の
発明によれば、接続リードの樹脂パッケージの下方に延
出した部位の形状を略L字形状としたことにより、半導
体装置の基板に対する立設性を向上させることができ
る。
According to the ninth aspect of the invention, since the portion of the connecting lead extending below the resin package is held by the resin package, it is possible to prevent the connecting lead from being deformed during mounting or the like. . According to the tenth aspect of the present invention, the shape of the portion of the connection lead that extends below the resin package is formed into a substantially L shape, so that the erection property of the semiconductor device with respect to the substrate can be improved.

【0110】また、請求項11の発明によれば、接続リ
ードの樹脂パッケージの下方に延出した部位の形状を直
線形状としたことにより、接続リード全体としての厚さ
寸法を樹脂パッケージの厚さ寸法より小さくすることが
できるため、接続リードの形状により高密度化が阻害さ
れることを防止することができる。また、請求項12の
発明によれば、半導体装置を複数個並設した状態でホル
ダに支持することができ、また樹脂パッケージを介して
熱伝導してくる半導体チップで発生した熱は、半導体装
置がホルダ内に収納されているためホルダに熱伝導し放
熱される。ホルダは、その形状が個々の半導体装置より
大きいため外気との接触面積がひろく、よって効率よく
放熱を行うことができる。更に、上部開口部を介しても
半導体装置の放熱を行うことができる。
According to the eleventh aspect of the present invention, since the shape of the portion of the connection lead extending below the resin package is linear, the overall thickness of the connection lead is the thickness of the resin package. Since the size can be made smaller than the size, it is possible to prevent the density of the connection lead from being hindered from being increased. According to the twelfth aspect of the invention, a plurality of semiconductor devices can be supported by the holder in a state of being arranged side by side, and the heat generated by the semiconductor chip that conducts heat through the resin package is the semiconductor device. Is stored in the holder, it conducts heat to the holder and is dissipated. Since the shape of the holder is larger than that of each semiconductor device, the holder has a large contact area with the outside air, so that heat can be efficiently dissipated. Furthermore, the semiconductor device can also dissipate heat through the upper opening.

【0111】また、請求項13の発明によれば、半導体
チップで発生しステージの上方延出部に熱伝導した熱
は、上方延出部がキャップと接触することによりキャッ
プに熱伝導した上で放熱する。キャップは比較的広い面
積を有しており、よって半導体装置を近接状態で並設し
た構成の半導体装置ユニットにおいても、半導体チップ
で発生した熱は上方延出部,キャップを介して効率よく
放熱されるため、半導体チップの冷却効率を向上させる
ことができる。
According to the thirteenth aspect of the present invention, the heat generated in the semiconductor chip and thermally conducted to the upper extension of the stage is conducted to the cap when the upper extension contacts the cap. Dissipate heat. Since the cap has a relatively large area, the heat generated in the semiconductor chip is efficiently radiated through the upward extending portion and the cap even in the semiconductor device unit in which the semiconductor devices are arranged in close proximity to each other. Therefore, the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved.

【0112】また、請求項14の発明によれば、ホルダ
及びキャップを熱伝導性の良好な材料にて形成すること
により、ホルダ及びキャップの放熱効率をより高めるこ
とができ、半導体チップの冷却効率を向上させることが
できる。また、請求項15の発明によれば、ホルダの内
部に半導体装置と係合しこの半導体装置を保持する保持
機構を設ることにより、半導体装置の保持を確実に行う
ことができ、またホルダに複数の半導体装置を装着した
ユニット状態で実装基板に実装するこが可能となり、実
装性を向上させるこができる。また、ホルダの内部にお
ける半導体装置の位置決めを確実に行うことができるた
め、各半導体装置の高さ位置を揃えることができる。
According to the fourteenth aspect of the present invention, by forming the holder and the cap with a material having good thermal conductivity, the heat dissipation efficiency of the holder and the cap can be further improved, and the cooling efficiency of the semiconductor chip can be improved. Can be improved. According to the fifteenth aspect of the invention, by providing the holding mechanism for engaging the semiconductor device and holding the semiconductor device inside the holder, the semiconductor device can be reliably held, and the holder can be securely held. It becomes possible to mount a plurality of semiconductor devices on a mounting board in a unit state, and it is possible to improve mountability. Further, since the semiconductor devices can be reliably positioned inside the holder, the height positions of the respective semiconductor devices can be aligned.

【0113】また、請求項16の発明によれば、ホルダ
の外壁部に放熱フィンを設けたことにより、ホルダの放
熱効率をより高めることができる。また、請求項17の
発明によれば、ホルダに樹脂パッケージの下面と係合す
ることにより半導体装置を保持する係合爪部を形成した
ことにより、各半導体装置の高さ位置をより正確に揃え
ることができる。
According to the sixteenth aspect of the present invention, the heat radiation efficiency of the holder can be further improved by providing the heat radiation fin on the outer wall portion of the holder. According to the seventeenth aspect of the present invention, the holder is provided with the engaging claw portion for holding the semiconductor device by engaging with the lower surface of the resin package, so that the height positions of the respective semiconductor devices are more accurately aligned. be able to.

【0114】また、請求項18の発明によれば、キャッ
プの上面部に放熱フィンを設けたことにより、キャップ
の放熱効率をより高めることができる。また、請求項1
9の発明によれば、上面部を半導体装置に形成された位
置決め用嵌入部に嵌入して複数の半導体装置を一括的に
位置決めすると共に、側面部により半導体装置を複数個
並設した状態で挟持して複数の半導体装置をユニット化
することにより、容易に半導体装置のユニット化を図る
ことができ、またホルダの低コスト化を図ることができ
る。
According to the eighteenth aspect of the present invention, the heat radiation efficiency of the cap can be further improved by providing the heat radiation fin on the upper surface of the cap. In addition, claim 1
According to the ninth aspect of the invention, the upper surface portion is fitted into the positioning fitting portion formed in the semiconductor device to collectively position the plurality of semiconductor devices, and the side surface portion holds the plurality of semiconductor devices in a juxtaposed state. By unitizing the plurality of semiconductor devices, the semiconductor device can be easily unitized, and the cost of the holder can be reduced.

【0115】また、請求項20の発明によれば、位置決
めシャフトを垂立部に形成された位置決め孔に嵌入する
ことにより複数の半導体装置を一括的に位置決めすると
共に、半導体装置を複数個並設した状態で固定してユニ
ット化するため、容易に半導体装置のユニット化を図る
ことができ、またシャフトのみでユニット化が図れるた
め半導体装置ユニットの低コスト化を図ることができ
る。
According to the twentieth aspect of the present invention, a plurality of semiconductor devices are collectively positioned by fitting the positioning shaft into the positioning hole formed in the upright portion, and a plurality of semiconductor devices are arranged in parallel. Since the semiconductor device is fixed and unitized in this state, the semiconductor device can be easily unitized, and the cost can be reduced because only the shaft can be unitized.

【0116】また、請求項21の発明によれば、複数個
並設した半導体装置に高熱伝導性接着剤を配設し、この
高熱伝導性接着剤により少なくとも隣接する半導体装置
を相互に保持する構成としたことにより、高熱伝導性接
着剤を介して半導体装置で発生した熱をホルダ,キャッ
プに熱伝導させることができ、半導体装置の放熱性を向
上させることができる。また、並設される半導体装置を
確実に保持することが可能となる。
According to the twenty-first aspect of the present invention, a plurality of semiconductor devices arranged in parallel are provided with a high thermal conductivity adhesive, and the high thermal conductivity adhesive holds at least adjacent semiconductor devices to each other. By doing so, the heat generated in the semiconductor device can be conducted to the holder and the cap through the high thermal conductive adhesive, and the heat dissipation of the semiconductor device can be improved. Further, it becomes possible to securely hold the semiconductor devices arranged in parallel.

【0117】また、請求項22の発明によれば、上記高
熱伝導性接着剤として熱可塑性を有する部材を用いるこ
とにより、半導体装置ユニット内に複数個収納されてい
る半導体装置の内、いずれかの半導体装置に故障が生じ
た場合においても、高熱伝導性接着剤を熱可塑温度まで
加熱することにより高熱伝導性接着剤は軟化し、故障し
た半導体装置を正常な半導体装置に交換することが可能
となる。また、熱可塑温度以下においては、高熱伝導性
接着剤は複数個並設された半導体装置を保持する。
According to the twenty-second aspect of the present invention, by using a member having thermoplasticity as the high thermal conductive adhesive, one of a plurality of semiconductor devices housed in the semiconductor device unit can be used. Even if a failure occurs in the semiconductor device, the high thermal conductivity adhesive is softened by heating the high thermal conductivity adhesive to the thermoplastic temperature, and the defective semiconductor device can be replaced with a normal semiconductor device. Become. Further, at the thermoplastic temperature or lower, a plurality of high thermal conductive adhesives hold the semiconductor devices arranged in parallel.

【0118】また、請求項23の発明によれば、上記高
熱伝導性接着剤としてシリコン系のグリースを用いたこ
とにより、半導体装置ユニットに熱負荷をかけることな
く故障した半導体装置を正常な半導体装置に交換するこ
とが可能となる。半導体装置の接続リードに製造上のバ
ラツキがあったとしても、シリコン系のグリース内で半
導体装置の上下に変位させることにより、接続リードを
実装基板に確実に当接させることができ、実装時におけ
る上記バラツキに起因した接続不良の発生を防止するこ
とができる。
According to the twenty-third aspect of the present invention, since the grease of silicon type is used as the high thermal conductive adhesive, the semiconductor device which has failed without applying a heat load to the semiconductor device unit can be used as a normal semiconductor device. Can be exchanged for. Even if the connection leads of the semiconductor device have variations in manufacturing, by displacing the semiconductor device up and down in the silicon-based grease, the connection leads can be reliably brought into contact with the mounting board. It is possible to prevent the occurrence of connection failure due to the above variations.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例である半導体装置を説明す
るための断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施例である半導体装置を説明す
るための斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view for explaining a semiconductor device that is a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3実施例である半導体装置を説明す
るための斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view for explaining a semiconductor device that is a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4実施例である半導体装置を説明す
るための斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view for explaining a semiconductor device that is a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第5実施例である半導体装置ユニット
を説明するための断面図である。
FIG. 5 is a sectional view illustrating a semiconductor device unit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5実施例である半導体装置ユニット
を説明するための概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device unit that is a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5実施例である半導体装置ユニット
に用いるホルダを拡大して示す斜視図である。
FIG. 7 is an enlarged perspective view showing a holder used in a semiconductor device unit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5実施例である半導体装置ユニット
に用いるホルダの第1変形例であるホルダを示す斜視図
である。
FIG. 8 is a perspective view showing a holder which is a first modified example of the holder used in the semiconductor device unit which is the fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第5実施例である半導体装置ユニット
に用いるホルダの第2変形例であるホルダを示す斜視図
である。
FIG. 9 is a perspective view showing a holder which is a second modification of the holder used in the semiconductor device unit which is the fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第5実施例である半導体装置ユニッ
トに用いるホルダの第3変形例であるホルダを示す斜視
図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a holder which is a third modification of the holder used in the semiconductor device unit which is the fifth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第5実施例である半導体装置ユニッ
トに用いるホルダの第4変形例であるホルダを示す斜視
図である。
FIG. 11 is a perspective view showing a holder which is a fourth modified example of the holder used in the semiconductor device unit which is the fifth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第5実施例である半導体装置ユニッ
トに用いるホルダの第5変形例であるホルダを示す斜視
図である。
FIG. 12 is a perspective view showing a holder which is a fifth modification of the holder used in the semiconductor device unit which is the fifth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第5実施例である半導体装置ユニッ
トに用いるホルダの第6変形例であるホルダを示す斜視
図である。
FIG. 13 is a perspective view showing a holder which is a sixth modification of the holder used in the semiconductor device unit which is the fifth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第5実施例である半導体装置ユニッ
トに用いるキャップを拡大して示す斜視図である。
FIG. 14 is an enlarged perspective view showing a cap used in a semiconductor device unit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図15】第1変形例であるホルダに装着されるキャッ
プを拡大して示す斜視図である。
FIG. 15 is an enlarged perspective view showing a cap attached to a holder according to a first modification.

【図16】本発明の第2実施例である半導体装置に設け
られた孔部の機能を説明するための図である。
FIG. 16 is a diagram for explaining the function of the holes provided in the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第6実施例である半導体装置を説明
するための断面図である。
FIG. 17 is a sectional view illustrating a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第7実施例である半導体装置ユニッ
トを説明するための概略構成図である。
FIG. 18 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device unit that is a seventh embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第8実施例である半導体装置ユニッ
トを説明するための概略構成図である。
FIG. 19 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device unit that is an eighth embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第9実施例である半導体装置ユニッ
トを説明するための概略構成図である。
FIG. 20 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device unit that is a ninth embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第9実施例である半導体装置ユニッ
トにおいて、不良半導体装置を取り換えている状態を示
す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a state in which a defective semiconductor device is replaced in the semiconductor device unit according to the ninth embodiment of the present invention.

【図22】本発明の第10実施例である半導体装置ユニ
ットを説明するための概略構成図である。
FIG. 22 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device unit that is a tenth embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第10実施例である半導体装置ユニ
ットにおいて、高さ誤差を補正する方法を説明するため
の図である。
FIG. 23 is a diagram for explaining a method of correcting a height error in a semiconductor device unit which is a tenth embodiment of the present invention.

【図24】本発明の第11実施例である半導体装置及び
半導体装置ユニットを説明するための概略構成図であ
る。
FIG. 24 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device and a semiconductor device unit that are an eleventh embodiment of the present invention.

【図25】第6実施例に係る半導体装置の変形例である
半導体装置を示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing a semiconductor device which is a modification of the semiconductor device according to the sixth embodiment.

【図26】本発明の第12実施例である半導体装置を説
明するための図である。
FIG. 26 is a diagram for explaining a semiconductor device according to a twelfth embodiment of the present invention.

【図27】本発明の第12実施例である半導体装置の効
果を説明するための図である。
FIG. 27 is a diagram for explaining effects of the semiconductor device according to the twelfth embodiment of the present invention.

【図28】従来の半導体装置の一例を示す斜視図であ
る。
FIG. 28 is a perspective view showing an example of a conventional semiconductor device.

【図29】従来の一例である半導体装置ユニットを説明
するための図である。
FIG. 29 is a diagram for explaining a semiconductor device unit which is an example of the related art.

【図30】従来の一例である半導体装置ユニットを説明
するための図である。
FIG. 30 is a diagram for explaining a semiconductor device unit which is an example of the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,20,30,40,90,140,160 半導
体装置 11,141 実装基板 12 半導体チップ 13 ステージ 13a 搭載面 13b 露出面 14,143,166 リード 15 樹脂パッケージ 15a 下面 15b 上面 15c〜15f 側面 17,91 上方延出部 17a 折曲部 21 孔部 22 引き抜き治具 31 放熱用溝 41,42 側方延出部 50,100,110,120,130,145,16
5 半導体装置ユニット 51,55,60,65,70,75,80,101
ホルダ 52,57 キャップ 53 上部開口 56 キャップ装着溝 58 スライド爪 61 放熱フィン 66,73,74 保持溝 71,72 ホルダ半体 77 係合爪 92,93 垂立部 94 位置決め用嵌入部 95,96 位置決め孔 102 上面部 111,112 位置決めシャフト 121 接着剤 131 グリース 142 保持部 146 凹部 147 基板側電極 150 樹脂係合孔 151 樹脂係合凹部
10, 20, 30, 40, 90, 140, 160 Semiconductor device 11, 141 Mounting board 12 Semiconductor chip 13 Stage 13a Mounting surface 13b Exposed surface 14, 143, 166 Lead 15 Resin package 15a Lower surface 15b Upper surface 15c to 15f Side surface 17, 91 Upper extension part 17a Bent part 21 Hole part 22 Extraction jig 31 Heat dissipation groove 41,42 Side extension part 50,100,110,120,130,145,16
5 Semiconductor device units 51, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 101
Holder 52,57 Cap 53 Upper opening 56 Cap mounting groove 58 Sliding claw 61 Radiating fins 66,73,74 Holding groove 71,72 Holder half body 77 Engaging claw 92,93 Upright part 94 Positioning insertion part 95,96 Positioning Hole 102 Upper surface part 111, 112 Positioning shaft 121 Adhesive 131 Grease 142 Holding part 146 Recess 147 Board side electrode 150 Resin engagement hole 151 Resin engagement recess

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成7年9月28日[Submission date] September 28, 1995

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項11[Name of item to be corrected] Claim 11

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0018[Correction target item name] 0018

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0018】また、請求項10の発明では、上記接続リ
ードの樹脂パッケージの下方に延出した部位の形状を略
L字形状としたことを特徴とするものである。また、請
求項11の発明では、上記接続リードの形状を直線形状
としたことを特徴とするものである。
Further, the invention of claim 10 is characterized in that the shape of the portion of the connection lead extending below the resin package is substantially L-shaped. Further, in the invention of claim 11, it is characterized in that it has a linear shape shape of the connection lead.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0033[Correction target item name] 0033

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0033】また、請求項11の発明によれば、接続リ
ードの形状を直線形状としたことにより、接続リード全
体としての厚さ寸法を樹脂パッケージの厚さ寸法より小
さくすることができるため、接続リードの形状により高
密度化が阻害されることを防止することができる。
た、接続リードの形成を容易に行うことができる。
た、請求項12の発明によれば、半導体装置を複数個並
設した状態でホルダに支持することができ、また樹脂パ
ッケージを介して熱伝導してくる半導体チップで発生し
た熱は、半導体装置がホルダ内に収納されているためホ
ルダに熱伝導し放熱される。ホルダは、その形状が個々
の半導体装置より大きいため外気との接触面積がひろ
く、よって効率よく放熱を行うことができる。更に、上
部開口部を介しても半導体装置の放熱を行うことができ
る。
Further, according to the invention of claim 11, by which a straight line shape shape of the connecting leads, for the thickness of the entire connecting leads can be made smaller than the thickness of the resin package, It is possible to prevent the density of the connection leads from being hindered by the shape of the connection leads. Well
In addition, the connection lead can be easily formed. According to the twelfth aspect of the invention, a plurality of semiconductor devices can be supported by the holder in a state of being arranged side by side, and the heat generated by the semiconductor chip that conducts heat through the resin package is the semiconductor device. Is stored in the holder, it conducts heat to the holder and is dissipated. Since the shape of the holder is larger than that of each semiconductor device, the holder has a large contact area with the outside air, so that heat can be efficiently radiated. Furthermore, the semiconductor device can also dissipate heat through the upper opening.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0103[Correction target item name] 0103

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0103】即ち、図27に示されるように、樹脂パッ
ケージ15の厚さ寸法H1がリード14の折曲部の長さ
H2に対して小さい場合(H1<H2)には、リード1
4の折曲部14c同志が衝突してしまい、半導体装置同
志を近接配設することができなくなってしまう。しかる
に、本実施例の如くリード166の形状を直線形状とす
ることにより、リード166全体としての厚さ寸法を樹
脂パッケージ15の厚さ寸法より小さくすることができ
るため、リード166の形状により高密度化が阻害され
ることを防止することができる。よって、上記構成の半
導体装置160を並設することにより形成される半導体
装置ユニット165の小型化を図ることができる。
に、リード166の形状が直線形状であるため、リード
166の形成を容易に行うことができる。
That is, as shown in FIG. 27, when the thickness dimension H1 of the resin package 15 is smaller than the length H2 of the bent portion of the lead 14 (H1 <H2), the lead 1
The four bent portions 14c collide with each other, and the semiconductor devices cannot be arranged close to each other. However, by making the shape of the lead 166 linear as in the present embodiment, the thickness dimension of the lead 166 as a whole can be made smaller than the thickness dimension of the resin package 15. It is possible to prevent the oxidization from being inhibited. Therefore, it is possible to reduce the size of the semiconductor device unit 165 formed by arranging the above-configured semiconductor devices 160 in parallel. Change
In addition, since the lead 166 has a linear shape,
The formation of 166 can be performed easily.

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0110[Correction target item name] 0110

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0110】また、請求項11の発明によれば、接続リ
ードの樹脂パッケージの下方に延出した部位の形状を直
線形状としたことにより、接続リード全体としての厚さ
寸法を樹脂パッケージの厚さ寸法より小さくすることが
できるため、接続リードの形状により高密度化が阻害さ
れることを防止することができる。また、接続リードの
形成を容易に行うことができる。また、請求項12の発
明によれば、半導体装置を複数個並設した状態でホルダ
に支持することができ、また樹脂パッケージを介して熱
伝導してくる半導体チップで発生した熱は、半導体装置
がホルダ内に収納されているためホルダに熱伝導し放熱
される。ホルダは、その形状が個々の半導体装置より大
きいため外気との接触面積がひろく、よって効率よく放
熱を行うことができる。更に、上部開口部を介しても半
導体装置の放熱を行うことができる。
According to the eleventh aspect of the present invention, since the shape of the portion of the connection lead extending below the resin package is linear, the overall thickness of the connection lead is the thickness of the resin package. Since the size can be made smaller than the size, it is possible to prevent the density of the connection lead from being hindered from being increased. Also, the connection lead
It can be easily formed. According to the twelfth aspect of the invention, a plurality of semiconductor devices can be supported by the holder in a state of being arranged side by side, and the heat generated by the semiconductor chip that conducts heat through the resin package is the semiconductor device. Is stored in the holder, it conducts heat to the holder and is dissipated. Since the shape of the holder is larger than that of each semiconductor device, the holder has a large contact area with the outside air, so that heat can be efficiently radiated. Furthermore, the semiconductor device can also dissipate heat through the upper opening.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林田 勝大 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 音喜多 孝輔 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 藤沢 哲也 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Katsuhiro Hayashida 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor, Kosuke Okita, 1015 Kamitadanaka, Nakahara-ku, Kawasaki, Kanagawa Prefecture Fujitsu Limited (72) Inventor Tetsuya Fujisawa 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited

Claims (23)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップと、 該半導体チップが搭載されるステージと、 該半導体チップを封止する樹脂パッケージと、 該樹脂パッケージに列設され、一端が該半導体チップに
接続されると共に、他端が該樹脂パッケージの下方に延
出した複数の接続リードとを具備し、実装基板に略垂立
状態で実装される半導体装置であって、 該ステージに、該樹脂パッケージの上面より上方に向け
延出する上方延出部を形成してなることを特徴とする半
導体装置。
1. A semiconductor chip, a stage on which the semiconductor chip is mounted, a resin package for encapsulating the semiconductor chip, a resin package arranged in a line, one end of which is connected to the semiconductor chip, and the other. What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising a plurality of connection leads whose ends extend below the resin package, and which is mounted on a mounting substrate in a substantially upright state. A semiconductor device, comprising: an upwardly extending portion that extends.
【請求項2】 該ステージの該半導体チップを搭載した
面に対する背面が、該樹脂パッケージから外部に露出す
る構成としたことを特徴とする請求項1記載の半導体装
置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a rear surface of the stage with respect to a surface on which the semiconductor chip is mounted is exposed to the outside from the resin package.
【請求項3】 該ステージに設けられた該上方延出部に
孔部を形成してなることを特徴とする請求項1または2
記載の半導体装置。
3. The method according to claim 1, wherein a hole is formed in the upward extending portion provided on the stage.
13. The semiconductor device according to claim 1.
【請求項4】 該ステージに、該樹脂パッケージの側面
より側方に向け延出する側方延出部を形成してなること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体
装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the stage is formed with a laterally extending portion that laterally extends from a side surface of the resin package. .
【請求項5】 該ステージに、該樹脂パッケージとの密
着性を向上させる密着性向上部を形成してなることを特
徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装
置。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein an adhesiveness improving portion for improving adhesiveness with the resin package is formed on the stage.
【請求項6】 該樹脂パッケージに放熱用溝を形成して
なることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載
の半導体装置。
6. The semiconductor device according to claim 1, wherein a groove for heat dissipation is formed in the resin package.
【請求項7】 該ステージの両側部に垂立した一対の垂
立部を形成すると共に、該一対の垂立部の間に位置決め
用嵌入部を形成してなることを特徴とする請求項1乃至
6のいずれかに記載の半導体装置。
7. A pair of upright portions are formed upright on both sides of the stage, and a positioning fitting portion is formed between the pair of upright portions. 7. The semiconductor device according to any one of items 6 to 6.
【請求項8】 該垂立部に位置決め孔を形成したことを
特徴とする請求項7記載の半導体装置。
8. The semiconductor device according to claim 7, wherein a positioning hole is formed in the upright portion.
【請求項9】 該接続リードの該樹脂パッケージの下方
に延出した部位が、該樹脂パッケージに保持される構成
としたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記
載の半導体装置。
9. The semiconductor device according to claim 1, wherein a portion of the connection lead, which extends below the resin package, is held by the resin package.
【請求項10】 該接続リードの該樹脂パッケージの下
方に延出した部位の形状を略L字形状としたことを特徴
とする請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置。
10. The semiconductor device according to claim 1, wherein the shape of the portion of the connection lead extending below the resin package is substantially L-shaped.
【請求項11】該接続リードの該樹脂パッケージの下方
に延出した部位の形状を直線形状としたことを特徴とす
る請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置。
11. The semiconductor device according to claim 1, wherein the shape of a portion of the connection lead extending below the resin package is a linear shape.
【請求項12】 請求項1乃至11のいずれかに記載の
半導体装置と、 上部に開口部を有すると共に、該半導体装置を複数個並
設した状態で内部に収納するホルダと、を具備する構成
としたことを特徴とする半導体装置ユニット。
12. A structure comprising: the semiconductor device according to claim 1; and a holder having an opening in an upper portion and accommodating therein a plurality of the semiconductor devices arranged in parallel. A semiconductor device unit characterized by the above.
【請求項13】 該ホルダの該開口部を閉蓋すると共
に、閉蓋状態において該半導体装置に形成された上方延
出部と接触するキャップを設けたことを特徴とする請求
項12記載の半導体装置ユニット。
13. The semiconductor device according to claim 12, further comprising a cap that closes the opening of the holder and that is in contact with an upward extending portion formed in the semiconductor device in the closed state. Equipment unit.
【請求項14】 該ホルダ及び該キャップを熱伝導性の
良好な材料を用いて形成してなることを特徴とする請求
項12または13記載の半導体装置ユニット。
14. The semiconductor device unit according to claim 12, wherein the holder and the cap are formed by using a material having a good thermal conductivity.
【請求項15】 該ホルダの内部に、該半導体装置と係
合し該半導体装置を保持する保持機構を設けたことを特
徴とする請求項12乃至14のいずれかに記載の半導体
装置ユニット。
15. The semiconductor device unit according to claim 12, wherein a holding mechanism that engages with the semiconductor device and holds the semiconductor device is provided inside the holder.
【請求項16】 該ホルダの外壁部に放熱フィンを設け
たことを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記
載の半導体装置ユニット。
16. The semiconductor device unit according to claim 12, wherein a radiation fin is provided on an outer wall portion of the holder.
【請求項17】 該ホルダに、該半導体装置を構成する
樹脂パッケージの下面と係合することにより該半導体装
置を保持する係合爪部を形成してなることを特徴とする
請求項12乃至16のいずれかに記載の半導体装置ユニ
ット。
17. The holder is formed with an engaging claw portion which holds the semiconductor device by engaging with a lower surface of a resin package which constitutes the semiconductor device. The semiconductor device unit according to any one of 1.
【請求項18】 該キャップの上面部に放熱フィンを設
けたことを特徴とする請求項13乃至17のいずれかに
記載の半導体装置ユニット。
18. The semiconductor device unit according to claim 13, further comprising a radiation fin provided on an upper surface of the cap.
【請求項19】 請求項7記載の半導体装置と、 上面部と該上面部の両側に形成された側面部とを有して
おり、該上面部が該半導体装置に形成された位置決め用
嵌入部に嵌入することにより複数の該半導体装置を一括
的に位置決めすると共に、該側面部により該半導体装置
を複数個並設した状態で挟持することにより複数の該半
導体装置をユニット化するホルダとを具備する構成とし
たことを特徴とする半導体装置ユニット。
19. A semiconductor device according to claim 7, a top surface portion, and side surface portions formed on both sides of the top surface portion, the top surface portion being a positioning fitting portion formed in the semiconductor device. A plurality of the semiconductor devices are collectively positioned by being fitted in the holder, and the holder is formed by uniting the plurality of the semiconductor devices by sandwiching the plurality of the semiconductor devices arranged in parallel by the side surface portion. A semiconductor device unit having the above structure.
【請求項20】 請求項8記載の半導体装置と、 該半導体装置に設けられた垂立部に形成された位置決め
孔に嵌入することにより複数の該半導体装置を一括的に
位置決めすると共に、該半導体装置を複数個並設した状
態で固定することにより複数の該半導体装置をユニット
化する位置決めシャフトとを具備する構成としたことを
特徴とする半導体装置ユニット。
20. The semiconductor device according to claim 8, and a plurality of the semiconductor devices are collectively positioned by being fitted in a positioning hole formed in an upright portion provided in the semiconductor device, and the semiconductor device is also mounted. A semiconductor device unit, comprising: a positioning shaft for unitizing a plurality of the semiconductor devices by fixing the plurality of devices arranged in parallel.
【請求項21】 請求項12乃至20のいずれかに記載
の半導体装置ユニットにおいて、 上記複数個並設した該半導体装置に高熱伝導性接着剤を
配設し、該高熱伝導性接着剤により少なくとも隣接する
該半導体装置を相互に保持する構成としたことを特徴と
する半導体装置ユニット。
21. The semiconductor device unit according to claim 12, wherein a plurality of the semiconductor devices arranged in parallel are provided with a high thermal conductive adhesive, and at least the high thermal conductive adhesive is used to make at least the two adjacent semiconductor devices. A semiconductor device unit having a structure in which the semiconductor devices are held together.
【請求項22】 該高熱伝導性接着剤として、熱可塑性
を有する部材を用いたことを特徴とする請求項21記載
の半導体装置ユニット。
22. The semiconductor device unit according to claim 21, wherein a member having thermoplasticity is used as the high thermal conductive adhesive.
【請求項23】 該高熱伝導性接着剤として、シリコン
系のグリースを用いたことを特徴とする請求項21記載
の半導体装置ユニット。
23. The semiconductor device unit according to claim 21, wherein silicon-based grease is used as the high thermal conductive adhesive.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6094356A (en) * 1997-06-04 2000-07-25 Fujitsu Limited Semiconductor device and semiconductor device module
JP2017011274A (en) * 2015-06-25 2017-01-12 スリーディー プラス 3d electronic module comprising ball grid array package stack

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