JPH08111365A - Production of etching component - Google Patents

Production of etching component

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JPH08111365A
JPH08111365A JP6243752A JP24375294A JPH08111365A JP H08111365 A JPH08111365 A JP H08111365A JP 6243752 A JP6243752 A JP 6243752A JP 24375294 A JP24375294 A JP 24375294A JP H08111365 A JPH08111365 A JP H08111365A
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JP
Japan
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pattern
alignment
mask
alignment mark
metal plate
Prior art date
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Application number
JP6243752A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Sakakibara
隆志 榊原
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH08111365A publication Critical patent/JPH08111365A/en
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Abstract

PURPOSE: To make uniform the thermal expansion of a pattern mask by providing two mask patterns on the surface and rear, on the periphery of an alignment mark, with shade patterns having same shape as the image parts on the surface and rear. CONSTITUTION: When predetermined patterns are baked by proximity exposure onto the surface and rear of an etching component material metal plate 4 applied with a photosensitive resin layer onto the opposite sides thereof, pattern masks 2 on the surface and rear are provided, on the periphery of an alignment mark, with shading hole patterns 6 having same shape as the image parts 8 on the surface and rear at same pitch and density as the image part 8. Consequently, the light absorption rate per unit area can be made uniform at the peripheral part of the alignment mark 1 and the image part 8 at the time of baking a pattern.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、カラー受像管に用いら
れるシャドウマスクや半導体装置用リードフレーム等の
エッチング部品の製造方法に係わり、特に、パターン焼
き付け時に使用されるパターンマスクの工夫に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an etching component such as a shadow mask used for a color picture tube or a lead frame for a semiconductor device, and more particularly to a device for a pattern mask used for pattern printing.

【0002】[0002]

【従来の技術】エッチング部品、特に、カラー受像管に
用いられるシャドウマスクや半導体装置用リードフレー
ムの製造方法としてフォトエッチング法が知られてお
り、その一例をシャドウマスクを例にとり図3を用い簡
単に説明する。まず、シャドウマスクの基板材料となる
金属の薄板をアルカリ脱脂液に接触することにより、金
属板の表面に付着している油分や有機系のゴミ等を除去
する脱脂処理を行う。次いで、次工程の感光性樹脂の塗
布の際に、金属板の表面に感光性樹脂を付き易くするた
めに、金属板を酸処理液に接触することにより、金属板
の表面の整面処理を行う。
2. Description of the Related Art A photo-etching method is known as a method for manufacturing an etching part, particularly a shadow mask used for a color picture tube and a lead frame for a semiconductor device. One example of the photo-etching method is shown in FIG. Explained. First, a thin metal plate serving as a substrate material of a shadow mask is brought into contact with an alkaline degreasing liquid to perform a degreasing treatment for removing oil and organic dust adhering to the surface of the metal plate. Then, in the next step of applying the photosensitive resin, the metal plate is brought into contact with an acid treatment liquid in order to easily attach the photosensitive resin to the surface of the metal plate. To do.

【0003】次いで、図3(a)に示すように、金属板
4の両面に、例えばネガ型感光性樹脂5を塗布する。次
いで、図3(b)に示すように、孔形パターン部が遮光
部となった大孔小孔二種類のパターンマスク2を用い、
金属板の片面に大孔パターンマスク2を密着して当て、
金属板の他方の片面に小孔パターンマスク2’を対応す
る位置に密着して当て、同時に両面に紫外線光を照射す
ることによりパターン焼き付けを行い、孔形パターン部
以外の領域の感光性樹脂5の光硬化を行う。
Next, as shown in FIG. 3A, for example, a negative photosensitive resin 5 is applied to both surfaces of the metal plate 4. Next, as shown in FIG. 3 (b), using two types of pattern masks 2 of large holes and small holes in which the hole-shaped pattern portion serves as a light shielding portion,
The large hole pattern mask 2 is closely attached to one side of the metal plate,
The small hole pattern mask 2'is closely applied to the other side of the metal plate at a corresponding position, and at the same time, both sides are irradiated with ultraviolet light to perform pattern printing, and the photosensitive resin 5 in the area other than the hole pattern portion is exposed. Photocuring.

【0004】次いで、例えば温水スプレーにて現像を行
い未露光未硬化の感光性樹脂を除去後、残った感光性樹
脂5’の硬膜処理およびバーニングを行う。次いで、図
3(c)に示すように金属板4両面に一次エッチングを
行い、金属板4両面に一定のエッチングを行う。次い
で、図3(d)に示すように小孔側にニスを塗布してエ
ッチング防止層7を形成する。次いで、図3(e)に示
すように大孔側に二次エッチングを行い、小孔と貫通さ
せる。次いで、アルカリ液を用いエッチング防止層7お
よび感光性樹脂5’を除去し、金属板4の不要部を取り
除きシャドウマスクとする。
Next, for example, by developing with hot water spray to remove the unexposed and uncured photosensitive resin, the remaining photosensitive resin 5'is subjected to film hardening treatment and burning. Next, as shown in FIG. 3C, both surfaces of the metal plate 4 are subjected to primary etching, and both surfaces of the metal plate 4 are subjected to constant etching. Next, as shown in FIG. 3D, a varnish is applied to the small hole side to form the etching prevention layer 7. Next, as shown in FIG. 3E, secondary etching is performed on the large hole side to penetrate the small hole. Then, the etching prevention layer 7 and the photosensitive resin 5 ′ are removed using an alkaline solution, and unnecessary portions of the metal plate 4 are removed to form a shadow mask.

【0005】なお、図3に示すシャドウマスクの製造方
法では、エッチング工程を二段階に分け、その間にエッ
チング防止層を設けるという二段階エッチング法を採用
している。しかし、一般のエッチング部品の製造方法に
あっては、エッチング防止層を設けることなく、一段階
の両面エッチング法を用いることが多い。
The shadow mask manufacturing method shown in FIG. 3 employs a two-step etching method in which the etching process is divided into two steps and an etching prevention layer is provided therebetween. However, in a general method for manufacturing an etched component, a one-step double-sided etching method is often used without providing an etching prevention layer.

【0006】ここで、図2は上記工程中のパターン焼き
付けの一例を示している。図2中の大孔小孔二種類のパ
ターンマスク2および2’は通常、各々マスクホルダー
3に入れられ、両面に感光性樹脂5を塗布した金属板4
の両側に設置される。金属板4の搬送時にパターンマス
ク2および2’は金属板4から離れ、パターン露光時に
金属板4に密着するようになっている。なお、パターン
マスク2および2’中の画像部8は多数の孔パターンが
穿設されたシャドウマスクの画面部を示し、スカート成
形エリア9は外形部を示し、カラー受像管に組み込む際
に、プレスにより成形される部位である。
Here, FIG. 2 shows an example of pattern printing during the above process. The two types of pattern masks 2 and 2'of large holes and small holes shown in FIG. 2 are usually placed in a mask holder 3 and a metal plate 4 coated with a photosensitive resin 5 on both sides.
It is installed on both sides of. The pattern masks 2 and 2'are separated from the metal plate 4 when the metal plate 4 is conveyed, and are brought into close contact with the metal plate 4 during pattern exposure. The image portion 8 in the pattern masks 2 and 2'indicates the screen portion of the shadow mask in which a large number of hole patterns are formed, and the skirt forming area 9 indicates the outer shape portion. Is a part to be molded by.

【0007】エッチング部品、特に、カラー受像管に用
いられるシャドウマスクの製造では、前述したように図
2に示す大孔小孔二種類のパターンマスク2を用い、金
属板4の表面に大孔パターンマスク2を密着して当て、
金属板の他方の裏面に小孔パターンマスク2’を対応す
る位置に密着して当てなければならない。
In the manufacture of etching parts, particularly a shadow mask used for a color picture tube, the pattern mask 2 of two kinds of large holes and small holes shown in FIG. 2 is used as described above, and a large hole pattern is formed on the surface of the metal plate 4. Touch the mask 2 closely,
The small hole pattern mask 2'must be applied to the other back surface of the metal plate in close contact with the corresponding position.

【0008】従来、二枚のパターンマスクを対応して金
属板4に密着させるために、表裏のパターンマスク上に
は各々相対する位置に位置合わせ用アライメントマーク
1および1’が入れられている。その位置合わせ用アラ
イメントマーク1および1’は、例えば、図2中に示す
ようにパターンマスク2および2’の端部かつ、金属板
4とパターンマスクの密着時に金属板4に掛からない位
置に入れられている。
Conventionally, in order to bring two pattern masks into close contact with the metal plate 4 in correspondence with each other, alignment marks 1 and 1'for alignment are provided on the front and back pattern masks at opposite positions. The alignment marks 1 and 1 ′ for alignment are placed, for example, at the ends of the pattern masks 2 and 2 ′ as shown in FIG. 2 and at a position that does not touch the metal plate 4 when the metal plate 4 and the pattern mask are in close contact with each other. Has been.

【0009】すなわち、搬送されてきた感光性樹脂5塗
布済の金属板4をパターンマスク2および2’が間に挿
み、金属板4に密着させる前にこの位置合わせ用アライ
メントマーク1および1’を用い、表裏のアライメント
マークを一致させるよう二枚のマスクホルダー3の位置
を移動調節し、しかるのち金属板4に密着させ両面から
光を照射しパターン露光を行う。その後、パターンマス
クが金属板4から離れ、金属板4が搬出される。これに
より、パターン露光の際、二枚のパターンマスク上の大
孔パターンと小孔パターンの位置が金属板を挿んだ状態
で相対する場所に位置するようになる。
That is, the alignment marks 1 and 1 ′ for alignment are inserted before the metal plate 4 coated with the photosensitive resin 5 is inserted between the pattern masks 2 and 2 ′ and brought into close contact with the metal plate 4. The positions of the two mask holders 3 are moved and adjusted so as to match the alignment marks on the front and back, and then the metal plates 4 are brought into close contact with each other to irradiate light from both sides to perform pattern exposure. After that, the pattern mask is separated from the metal plate 4, and the metal plate 4 is unloaded. As a result, at the time of pattern exposure, the positions of the large hole pattern and the small hole pattern on the two pattern masks are located at the positions facing each other with the metal plate inserted.

【0010】しかし、この位置合わせ用アライメントマ
ーク1は位置合わせにのみ使用され、シャドウマスクの
パターンとは無関係なため、通常、シャドウマスクとな
るパターン領域外、例えば、スカート成形エリア9の外
側のパターンマスク2の端部に単独で置かれている。そ
のため、連続してシャドウマスクを製造するためパター
ン焼き付けを行うと、以下の問題を生じることがある。
However, since this alignment mark 1 for alignment is used only for alignment and has nothing to do with the pattern of the shadow mask, it is usually outside the pattern area to be the shadow mask, for example, outside the skirt molding area 9. It is placed alone at the end of the mask 2. Therefore, if pattern printing is performed to continuously manufacture shadow masks, the following problems may occur.

【0011】すなわち、シャドウマスクの画像部8と位
置合わせ用アライメントマーク1部でパターンの密度が
異なるため、紫外線光等によるパターンマスク2への光
照射によりパターンマスク2上で部分的な熱膨張量の差
が生じ、パターンの位置合わせが狂うという問題であ
る。
That is, since the image density of the image portion 8 of the shadow mask is different from that of the alignment mark 1 for alignment, the amount of thermal expansion on the pattern mask 2 is partially increased by irradiating the pattern mask 2 with light such as ultraviolet light. The problem is that the pattern alignment is misaligned due to the difference between the two.

【0012】つまり、パターンマスクの画像部8は孔パ
ターンが密に存在する。この孔パターンは、例えば前述
した図3の工程では遮光パターンすなわち黒部であるた
め、光照射の際、光エネルギーを吸収し熱を蓄積し易
い。そのため、例えばガラスを素材とするパターンマス
ク2上で孔パターンが密に存在する画面部8は、温度上
昇することで熱膨張しやすいといえる。
That is, the image portion 8 of the pattern mask has dense hole patterns. Since this hole pattern is, for example, a light-shielding pattern, that is, a black portion in the above-described step of FIG. 3, it is easy to absorb light energy and accumulate heat during light irradiation. Therefore, for example, it can be said that the screen portion 8 in which the hole patterns are densely present on the pattern mask 2 made of glass is likely to be thermally expanded due to the temperature rise.

【0013】それに対し、位置合わせ用アライメントマ
ーク1はパターンマスク2の端等のパターンが殆ど存在
しない場所に単独で置かれるため、位置合わせ用アライ
メントマーク1付近における光エネルギーの吸収は小さ
く、熱膨張の度合いは、パターンマスク2の画面部8に
比べ甚だ小さいといえる。
On the other hand, since the alignment mark 1 for alignment is placed alone in a place where there is almost no pattern such as the end of the pattern mask 2, absorption of light energy in the vicinity of the alignment mark 1 for alignment is small and thermal expansion is caused. It can be said that the degree of is much smaller than that of the screen portion 8 of the pattern mask 2.

【0014】このため、パターン露光のための光照射を
繰り返し続けることで、位置合わせ用アライメントマー
ク1と画像部8との位置関係が熱膨張の差により光照射
前と相違を生じることになる。すなわち、パターン露光
を何回か行った後では、位置合わせ用アライメントマー
ク1を用い表裏パターンマスクの位置合わせを行ったと
しても、画像部8ではパターンずれが生じており、その
結果、シャドウマスクの品質低下を招いているという問
題である。
Therefore, by repeating the light irradiation for the pattern exposure, the positional relationship between the alignment mark 1 for alignment and the image portion 8 becomes different from that before the light irradiation due to the difference in thermal expansion. That is, after the pattern exposure is performed several times, even if the front and back pattern masks are aligned using the alignment mark 1 for alignment, the pattern shift occurs in the image portion 8, and as a result, the shadow mask The problem is that it causes quality deterioration.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エッ
チング部品、特にカラー受像管に用いられるシャドウマ
スクや半導体装置用リードフレームの製造方法に係わ
り、特に、パターン露光に用いるパターンマスクにおい
て、上記したような問題点を有しないパターンマスクを
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention relates to a method for manufacturing an etching component, particularly a shadow mask used for a color picture tube or a lead frame for a semiconductor device, and more particularly to a pattern mask used for pattern exposure. An object of the present invention is to provide a pattern mask that does not have the above problems.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、フ
ォトエッチング法を用いたエッチング部品の製造方法に
おいて、両面に感光性樹脂層を形成したエッチング部品
材料の金属板を表裏2枚のパターンマスクの間に挿み、
密着露光法にて表裏両面から所定のパターンを焼き付
け、現像して所定パターンのレジスト膜を形成し、しか
るのちレジスト膜にて被膜されていない金属面露出部か
ら両面エッチングして所望形状の開孔を金属板に形成す
る際、前記密着露光法に用いる表裏2枚のパターンマス
クが、その位置合わせ用アライメントマークの周辺に、
各々表裏の画像部と同一形状の遮光パターンを有するこ
とを特徴とするエッチング部品の製造方法を提供するこ
とにより上記の課題を解決したものである。
That is, according to the present invention, in a method of manufacturing an etching component using a photo-etching method, a metal plate of an etching component material having a photosensitive resin layer formed on both surfaces is used as a pattern mask having two front and back surfaces. Inserted between
A predetermined pattern is baked on both the front and back sides by the contact exposure method and developed to form a resist film with a predetermined pattern, and then double-sided etching is performed from the exposed metal surface not covered with the resist film to open a desired shape. When forming on a metal plate, two pattern masks used for the contact exposure method are provided around the alignment mark for alignment,
The above problem is solved by providing a method for manufacturing an etching component, which has a light-shielding pattern having the same shape as the front and back image portions, respectively.

【0017】以下に図面を用い、本発明を詳述する。図
1は、シャドウマスクのパターンマスク2に本発明を実
施した一例を示し、図2に示す位置合わせ用アライメン
トマーク1の周辺部を拡大したものである。この様に本
発明においては、表裏の位置合わせ用アライメントマー
ク1周辺に各々表裏の画像部と同一形状の孔パターン6
を、画像部と同一のパターンピッチおよびパターン密度
にて設けている。
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example in which the present invention is applied to a pattern mask 2 of a shadow mask, and the peripheral portion of the alignment mark 1 for alignment shown in FIG. 2 is enlarged. Thus, in the present invention, the hole patterns 6 having the same shape as the front and back image portions are formed around the front and back alignment marks 1 for alignment.
Are provided with the same pattern pitch and pattern density as the image portion.

【0018】位置合わせ用アライメントマーク1周辺に
画像部8と同一形状の孔パターン6を設けることによ
り、パターン焼き付け時の単位面積当たりの光吸収の割
合は、位置合わせ用アライメントマーク1周辺部と画像
部8とでほぼ均一にすることが可能となる。これによ
り、光吸収による発熱も位置合わせ用アライメントマー
ク1周辺部と画像部8でほぼ等しいものとなり、よって
熱膨張の度合いも位置合わせ用アライメントマーク1周
辺部と画像部8でほぼ等しいものとなる。このため、パ
ターン露光のため光照射を繰り返し続けたとしても、位
置合わせ用アライメントマーク1と画像部8との熱膨張
量の差による位置関係の相違は僅少に抑えられることに
なる。
By providing the hole pattern 6 having the same shape as the image portion 8 around the alignment mark 1 for alignment, the rate of light absorption per unit area at the time of pattern printing is the same as that around the alignment mark 1 for alignment. It becomes possible to make them substantially uniform with the portion 8. As a result, the heat generated by light absorption becomes substantially equal in the peripheral portion of the alignment mark 1 for alignment and the image portion 8, and therefore the degree of thermal expansion becomes substantially equal in the peripheral portion of the alignment mark 1 for alignment and the image portion 8. . Therefore, even if light irradiation is continuously repeated for pattern exposure, the difference in the positional relationship due to the difference in thermal expansion amount between the alignment mark 1 for alignment and the image portion 8 can be suppressed to a slight extent.

【0019】次いで、位置合わせ用アライメントマーク
1周辺部に設けるパターンについて説明を行う。本発明
では位置合わせ用アライメントマーク1周辺部にパター
ン6を設けることで、例えば、アライメントマーク周辺
部の光吸収を増加させることを特徴としている。しか
し、アライメントマーク周辺部に設けるパターン6は上
述したように、単位面積当たりの光吸収率が画像部8と
ほぼ均一にする必要がある。このため、各種のパターン
形状を考え単位面積当たりの光吸収率を算出するより
は、画像部8の孔パターンと同一の形状のものをそのま
まアライメントマーク周辺部に設けるほうが簡便という
理由により、位置合わせ用アライメントマーク1周辺に
画像部8と同一形状の孔パターン6を、画像部と同一の
パターンピッチおよびパターン密度にて設けることが望
ましいといえる。
Next, the pattern provided around the alignment mark 1 for alignment will be described. The present invention is characterized in that the pattern 6 is provided in the peripheral portion of the alignment mark 1 for alignment to increase light absorption in the peripheral portion of the alignment mark, for example. However, as described above, the pattern 6 provided around the alignment mark needs to have a light absorption rate per unit area substantially equal to that of the image portion 8. For this reason, it is easier to provide the same shape as the hole pattern of the image portion 8 as it is in the peripheral portion of the alignment mark, rather than calculating the light absorptance per unit area by considering various pattern shapes. It can be said that it is desirable to provide the hole pattern 6 having the same shape as the image portion 8 around the alignment mark 1 for use with the same pattern pitch and pattern density as the image portion.

【0020】次いで、本発明によりパターンを設ける場
所の説明を行う。パターンマスク2上の光吸収による部
分的な熱膨張の相違を解消することが本発明の目的であ
るため、画像部8を含むスカート成形エリア9以外の余
白部全面に追加パターンを入れれば良いという考えが有
るかもしれない。しかし、その場合以下の不都合が考え
られる。
Next, the place where the pattern is provided according to the present invention will be described. Since it is an object of the present invention to eliminate the partial difference in thermal expansion due to the absorption of light on the pattern mask 2, it is only necessary to put an additional pattern on the entire blank area other than the skirt molding area 9 including the image area 8. You may have an idea. However, in that case, the following inconveniences are considered.

【0021】すなわち、パターンマスク2上に追加した
パターンが金属板4とこすれることで剥離し金属板4に
付着することで、シャドウマスクの形状不良を発生させ
るという問題である。また、パターンマスク2上に追加
パターン、特に画像部8と同一形状の微細なパターンを
設けることは、パターンマスク作成のうえで非常に手間
が掛かる。そのため、追加パターンを設ける領域は極力
狭いほうがパターンマスク作成のうえで手間が掛からず
望ましいといえる。
That is, there is a problem that the pattern added on the pattern mask 2 is rubbed against the metal plate 4 to be peeled off and adhered to the metal plate 4, thereby causing a defective shape of the shadow mask. Further, providing an additional pattern, especially a fine pattern having the same shape as the image portion 8, on the pattern mask 2 is very troublesome in forming the pattern mask. Therefore, it can be said that it is desirable that the area in which the additional pattern is provided is as small as possible, because it does not take time and effort when creating the pattern mask.

【0022】以上の事情に鑑み、本発明者らは位置合わ
せ用アライメントマーク1周辺部にのみ、パターンマス
ク2の位置合わせを妨げないよう位置合わせ用アライメ
ントマーク1を囲む形、すなわち口の字状に追加パター
ン6を設ければ本発明の課題を十分に解決できるという
事実を、以下に示す実施例等から経験的に得るに至っ
た。
In view of the above circumstances, the present inventors have enclosed the alignment mark 1 for alignment only in the peripheral portion of the alignment mark 1 for alignment so as not to hinder the alignment of the pattern mask 2, that is, the shape of a square character. The fact that the problem of the present invention can be sufficiently solved by providing the additional pattern 6 has been empirically obtained from the examples shown below.

【0023】なお、位置合わせ用アライメントマーク1
周辺部に追加パターン6を設ける領域は、使用するパタ
ーンマスク2の熱膨張率、画像部8の占める面積等の条
件により異なるため、製造条件により適宜設定すること
が望ましいといえる。
Alignment mark 1 for alignment
Since the region where the additional pattern 6 is provided in the peripheral portion varies depending on the conditions such as the coefficient of thermal expansion of the pattern mask 2 used and the area occupied by the image portion 8, it can be said that it is desirable to appropriately set it according to the manufacturing conditions.

【0024】[0024]

【作用】本発明により表裏パターンマスク上の位置合わ
せ用アライメントマーク周辺に各々表裏の画像部と同一
形状の遮光パターンを設けることで、パターン焼き付け
時の光吸収による位置合わせ用アライメントマーク周辺
部と画像部におけるパターンマスクの熱膨張量が近似化
し、パターン焼き付け時の表裏パターンの位置合わせ精
度が向上する。
According to the present invention, a light-shielding pattern having the same shape as the front and back image portions is provided around the alignment marks for alignment on the front and back pattern masks. The thermal expansion amount of the pattern mask in the area is approximated, and the alignment accuracy of the front and back patterns during pattern printing is improved.

【0025】[0025]

【実施例】本発明の実施例を、以下に示す。 <実施例>厚さ0.13mmの鉄とニッケルを主成分とする合
金材(アンバー材)を材料とし、パターン露光に板厚0.
19インチのパターンマスクを用い2000mJ/cm2 の紫外線
を照射することで、前述した図3の工程に従い大きさ約
30.0×37.6cmのシャドウマスクを製造した。その際、本
発明により、図1に示すように表裏のパターンマスク位
置合わせ用アライメントマークの5mm 四方外側かつ3cm
四方内側の領域に口の字状に、各々表裏の画像部と同一
形状の孔パターンを、画像部と同一のパターンピッチお
よびパターン密度にて設けたパターンマスクを用いた。
EXAMPLES Examples of the present invention are shown below. <Example> An alloy material (amber material) having a thickness of 0.13 mm and having iron and nickel as main components is used as a material, and the plate thickness is 0.
By using a 19-inch pattern mask and irradiating it with 2000 mJ / cm 2 of ultraviolet light, the size of
A 30.0 × 37.6 cm shadow mask was produced. At that time, according to the present invention, as shown in FIG. 1, 5 mm square and 3 cm outside the alignment marks for pattern mask alignment on the front and back sides.
A pattern mask was used in which a hole pattern having the same shape as the image portions on the front and back sides was provided in a square shape in the area on the inner side of the four sides at the same pattern pitch and pattern density as the image portion.

【0026】<比較例>次いで、本発明との比較のた
め、位置合わせ用アライメントマーク周辺に孔パターン
を設けない従来通りのパターンマスクを用い、上記の<
実施例>と同様の製造条件および製造工程にて大きさ約
30.0×37.6cmのシャドウマスクを製造した。
<Comparative Example> Next, for comparison with the present invention, a conventional pattern mask in which a hole pattern is not provided around the alignment mark for alignment is used, and the above <
Example> Similar manufacturing conditions and manufacturing process to
A 30.0 × 37.6 cm shadow mask was produced.

【0027】次いで、上記の<実施例>および<比較例
>で製造したシャドウマスクにおいて、前述した光照射
のための熱膨張による位置合わせ用アライメントマーク
部の移動を原因とする、画像部パターンの位置ズレ値を
調べた。
Next, in the shadow masks manufactured in the above <Example> and <Comparative example>, the image portion pattern of the image portion pattern caused by the movement of the alignment mark portion for alignment due to the thermal expansion due to the above-mentioned light irradiation. The position shift value was examined.

【0028】なお、画像部パターンの位置ズレ値を以下
のように定義した。すなわち、シャドウマスクの表裏に
穿孔された大孔小孔パターンの中心の距離をもって画像
部パターンの位置ズレ値とした。本来、シャドウマスク
の表裏に穿孔された大孔小孔パターンの中心は一致する
ことが望ましく、位置ズレ値が小さい程そのシャドウマ
スクはパターンの位置合わせ精度が良く品質的に良好と
いえる。
The positional deviation value of the image part pattern is defined as follows. That is, the distance between the centers of the large hole and small hole patterns punched on the front and back of the shadow mask was taken as the positional deviation value of the image portion pattern. Originally, it is desirable that the centers of the large hole and small hole patterns punched on the front and back of the shadow mask coincide with each other, and the smaller the positional deviation value, the better the pattern alignment accuracy and the better the quality of the shadow mask.

【0029】上記の<実施例>および<比較例>で製造
したシャドウマスクの位置ズレ値を以下の表1に示す。
なお、以下の位置ズレ値はシャドウマスク画像部の四隅
および中心部の計5カ所の位置ズレ値の平均値を示して
いる。
The positional deviation values of the shadow masks manufactured in the above <Example> and <Comparative example> are shown in Table 1 below.
The following positional deviation values indicate the average value of the positional deviation values at the four corners and the central portion of the shadow mask image area at a total of five locations.

【0030】[0030]

【表1】 [Table 1]

【0031】上記の表1に示すように本発明による<実
施例>では、従来の<比較例>に比べ位置合わせ精度は
約5割の向上を示し、かつ、<実施例>の位置ズレ値は
シャドウマスクとしての位置ズレ値の許容範囲内に十分
納まっていた。
As shown in Table 1 above, in the <Example> according to the present invention, the alignment accuracy is improved by about 50% as compared with the conventional <Comparative Example>, and the positional deviation value of <Example> is shown. Was well within the permissible range of positional deviation as a shadow mask.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明により表裏パターンマスク上の位
置合わせ用アライメントマーク周辺に各々表裏の画像部
と同一形状の遮光パターンを設けることで、パターン焼
き付け時の光吸収による位置合わせ用アライメントマー
ク周辺部と画像部におけるパターンマスクの熱膨張が均
一化し、パターン焼き付け時の表裏パターンの位置合わ
せ精度が向上する。このため、本発明は高精細のシャド
ウマスクや半導体装置用リードフレーム等のエッチング
部品を得るうえで実用上優れているといえる。
According to the present invention, a light-shielding pattern having the same shape as the front and back image portions is provided around the alignment mark for alignment on the front and back pattern masks, so that the periphery of the alignment mark for alignment by light absorption during pattern printing is provided. The thermal expansion of the pattern mask in the image area becomes uniform, and the alignment accuracy of the front and back patterns during pattern printing is improved. Therefore, it can be said that the present invention is practically excellent in obtaining etching components such as high-definition shadow masks and lead frames for semiconductor devices.

【0033】[0033]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のエッチング部品の製造方法に用いるパ
ターンマスクの一実施例の要部を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a main part of an embodiment of a pattern mask used in a method for manufacturing an etched component of the present invention.

【図2】本発明のエッチング部品の製造方法の主要部を
示す説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a main part of a method for manufacturing an etched component according to the present invention.

【図3】(a)〜(e)はシャドウマスクの製造方法の
一例を工程順に示す説明図。
3A to 3E are explanatory views showing an example of a method of manufacturing a shadow mask in the order of steps.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 位置合わせ用アライメントマーク 2 マスク 3 マスクホルダー 4 金属板 5 感光性樹脂 6 パターン 7 エッチング防止層 8 画像部 9 スカート成形エリア 1 Alignment mark for alignment 2 Mask 3 Mask holder 4 Metal plate 5 Photosensitive resin 6 Pattern 7 Etching prevention layer 8 Image area 9 Skirt molding area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01J 9/14 G ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display H01J 9/14 G

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】フォトエッチング法を用いたエッチング部
品の製造方法において、両面に感光性樹脂層を形成した
エッチング部品材料用金属板の表裏に、密着露光法にて
所定のパターンを焼き付ける際に用いる表裏2枚のパタ
ーンマスクが、その位置合わせ用アライメントマークの
周辺に、各々表裏の画像部と同一形状の遮光パターンを
有することを特徴とするエッチング部品の製造方法。
1. A method for producing an etched component using a photo-etching method, which is used when a predetermined pattern is printed on a front surface and a back surface of a metal plate for an etching component material having photosensitive resin layers formed on both sides by a contact exposure method. A method of manufacturing an etching component, wherein two pattern masks on the front and back sides have light-shielding patterns having the same shape as the image portions on the front and back sides, respectively, around the alignment mark for alignment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

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CN113238400B (en) * 2021-03-29 2023-06-16 绵阳惠科光电科技有限公司 Alignment mark, display device and method for judging alignment mark

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