JPH08111018A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH08111018A JPH08111018A JP27280994A JP27280994A JPH08111018A JP H08111018 A JPH08111018 A JP H08111018A JP 27280994 A JP27280994 A JP 27280994A JP 27280994 A JP27280994 A JP 27280994A JP H08111018 A JPH08111018 A JP H08111018A
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- Japan
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- magnetic
- silicon oxide
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的耐久性に優れた薄膜型磁気記録媒体を
提供する。 【構成】 基体上に薄膜型の磁性層，シリコン酸化物保
護層を順次成膜し、前記シリコン酸化物保護層上に式
（Ｉ）で示されるリン酸エステル又は式（II）で示され
る亜リン酸エステル Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x
（Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ）
（ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）から選ばれる少なくとも一種類のエステルから成
る潤滑層を設けることにより薄膜型磁気記録媒体の耐久
性を大きく向上させることができる。
提供する。 【構成】 基体上に薄膜型の磁性層，シリコン酸化物保
護層を順次成膜し、前記シリコン酸化物保護層上に式
（Ｉ）で示されるリン酸エステル又は式（II）で示され
る亜リン酸エステル Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x
（Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ）
（ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）から選ばれる少なくとも一種類のエステルから成
る潤滑層を設けることにより薄膜型磁気記録媒体の耐久
性を大きく向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に関する。
更に詳細には、本発明は薄膜型磁気記録媒体の耐久性改
善に関する。
更に詳細には、本発明は薄膜型磁気記録媒体の耐久性改
善に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録の分野においては、ガン
マ酸化鉄などの磁性粉を有機バインダ中に分散させたも
のを基体上に塗布して磁気記録媒体を形成していた。し
かし最近では高密度記録への要求が高まると共に真空蒸
着法あるいはスパッタリング法などにより形成した磁性
薄膜を記録層に用いた薄膜型磁気記録媒体の研究開発が
盛んに進められている。
マ酸化鉄などの磁性粉を有機バインダ中に分散させたも
のを基体上に塗布して磁気記録媒体を形成していた。し
かし最近では高密度記録への要求が高まると共に真空蒸
着法あるいはスパッタリング法などにより形成した磁性
薄膜を記録層に用いた薄膜型磁気記録媒体の研究開発が
盛んに進められている。
【０００３】現在、主に研究開発が進められているのは
材料としては、Ｃｏ単体，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等のＣ
ｏ主体金属あるいは酸素を膜中に含有させたＣｏ主成分
の磁性薄膜がその代表例として挙げられる。
材料としては、Ｃｏ単体，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等のＣ
ｏ主体金属あるいは酸素を膜中に含有させたＣｏ主成分
の磁性薄膜がその代表例として挙げられる。
【０００４】これらの薄膜型磁気記録媒体は従来の塗布
型磁気記録媒体に比べ、優れた高密度記録特性を示すこ
とが数多くの研究により実証されている。しかし、この
薄膜型磁気記録媒体は一部実用化されているものの、そ
の普及レベルは未だ低い。この最も大きな原因は信頼
性，特に磁気ヘッドの摺動に対する摩擦摩耗特性が充分
な実用化レベルに至っていないためである。
型磁気記録媒体に比べ、優れた高密度記録特性を示すこ
とが数多くの研究により実証されている。しかし、この
薄膜型磁気記録媒体は一部実用化されているものの、そ
の普及レベルは未だ低い。この最も大きな原因は信頼
性，特に磁気ヘッドの摺動に対する摩擦摩耗特性が充分
な実用化レベルに至っていないためである。
【０００５】この問題に対し、これまでは磁性層表面に
直接脂肪族潤滑膜やフッ素系潤滑膜を設ける試みがなさ
れてきた。しかし、脂肪族潤滑膜やフッ素系潤滑膜は磁
性層との結合力が弱いために磁気ヘッドの走行により剥
離されやすく、これらの方法では従来の塗布型記録媒体
に匹敵する摩擦摩耗特性を得ることはできなかった。
直接脂肪族潤滑膜やフッ素系潤滑膜を設ける試みがなさ
れてきた。しかし、脂肪族潤滑膜やフッ素系潤滑膜は磁
性層との結合力が弱いために磁気ヘッドの走行により剥
離されやすく、これらの方法では従来の塗布型記録媒体
に匹敵する摩擦摩耗特性を得ることはできなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
が有する摩擦摩耗特性に関する信頼性の不足という問題
を解決し、以て機械的耐久性に優れた薄膜型磁気記録媒
体を提供することを目的とする。
が有する摩擦摩耗特性に関する信頼性の不足という問題
を解決し、以て機械的耐久性に優れた薄膜型磁気記録媒
体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、非磁性基体上に薄膜型磁性層，シリコン
酸化物保護層を順次成膜し、前記シリコン酸化物保護層
上に、下記の式（Ｉ）で示されるリン酸エステル及び下
記の式（ＩＩ）で示される亜リン酸エステルからなる群
から選択される少なくとも一種類のエステルから成る潤
滑層を設けた薄膜型磁気記録媒体を提供する。 Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x （Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ） （ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）
に本発明では、非磁性基体上に薄膜型磁性層，シリコン
酸化物保護層を順次成膜し、前記シリコン酸化物保護層
上に、下記の式（Ｉ）で示されるリン酸エステル及び下
記の式（ＩＩ）で示される亜リン酸エステルからなる群
から選択される少なくとも一種類のエステルから成る潤
滑層を設けた薄膜型磁気記録媒体を提供する。 Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x （Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ） （ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）
【０００８】
【作用】現在、主に研究開発が進められているＣｏ主体
金属、あるいは酸素を膜中に含有させたＣｏ主成分の磁
性薄膜表面にはＣｏの酸化物層が存在している。この酸
化物層は常温で水を化学吸着して表面に水酸基を生成す
る。この水の化学吸着（水酸基の生成）はＣｏ酸化物表
面の第１層で停止するものではなく、酸化物の内部にま
で進行する。その結果、薄膜媒体表層はＣｏの水酸化物
で覆われる。Ｃｏの水酸化物Ｃｏ（ＯＨ）2 はＣｄＩ2
型の結晶構造を有し、ＯＨ- / Ｃｏ2+/ ＯＨ- / ＯＨ-
/ Ｃｏ2+/ ＯＨ- ・ ・・の層状構造を有している。この
層状構造はＯＨ−層間の水素結合によって保たれている
が、この水素結合は弱く、Ｃｏ（ＯＨ）2 はそのＯＨ-
層間でたやすく壁開する。従って、Ｃｏ水酸化物が表層
に存在する薄膜媒体上に直接潤滑層を設ける従来の方法
では、下層のＣｏ（ＯＨ）2がたやすくＯＨ- 層間で壁
開するために、薄膜型媒体の耐久性を飛躍的に高めるこ
とは困難である。
金属、あるいは酸素を膜中に含有させたＣｏ主成分の磁
性薄膜表面にはＣｏの酸化物層が存在している。この酸
化物層は常温で水を化学吸着して表面に水酸基を生成す
る。この水の化学吸着（水酸基の生成）はＣｏ酸化物表
面の第１層で停止するものではなく、酸化物の内部にま
で進行する。その結果、薄膜媒体表層はＣｏの水酸化物
で覆われる。Ｃｏの水酸化物Ｃｏ（ＯＨ）2 はＣｄＩ2
型の結晶構造を有し、ＯＨ- / Ｃｏ2+/ ＯＨ- / ＯＨ-
/ Ｃｏ2+/ ＯＨ- ・ ・・の層状構造を有している。この
層状構造はＯＨ−層間の水素結合によって保たれている
が、この水素結合は弱く、Ｃｏ（ＯＨ）2 はそのＯＨ-
層間でたやすく壁開する。従って、Ｃｏ水酸化物が表層
に存在する薄膜媒体上に直接潤滑層を設ける従来の方法
では、下層のＣｏ（ＯＨ）2がたやすくＯＨ- 層間で壁
開するために、薄膜型媒体の耐久性を飛躍的に高めるこ
とは困難である。
【０００９】従って、本発明では表面の水酸基化（水の
化学吸着）が表面第一層で停止する性質を持った保護層
を薄膜型磁性層上に設ける。この性質を有する材料はシ
リコン酸化物ＳｉＯx である。シリコン酸化物ＳｉＯx
はアモルファスで緻密な膜を形成する。更にシリコン酸
化物はバルク中の結合エネルギが大きく（共有結合とイ
オン結合により結合している）、バルク中で容易に壁開
することはなく、薄膜表面の機械的強度を高めることが
できる。しかし、シリコン酸化物保護膜自体は自己潤滑
作用に乏しいため、シリコン酸化物保護膜表面に特異的
に吸着し、摩擦摩耗特性を高める潤滑剤が必要である。
化学吸着）が表面第一層で停止する性質を持った保護層
を薄膜型磁性層上に設ける。この性質を有する材料はシ
リコン酸化物ＳｉＯx である。シリコン酸化物ＳｉＯx
はアモルファスで緻密な膜を形成する。更にシリコン酸
化物はバルク中の結合エネルギが大きく（共有結合とイ
オン結合により結合している）、バルク中で容易に壁開
することはなく、薄膜表面の機械的強度を高めることが
できる。しかし、シリコン酸化物保護膜自体は自己潤滑
作用に乏しいため、シリコン酸化物保護膜表面に特異的
に吸着し、摩擦摩耗特性を高める潤滑剤が必要である。
【００１０】本発明者らはシリコン酸化物保護膜表面に
特異的に吸着する潤滑剤を鋭意検討した結果、下記の式
（Ｉ）で示されるリン酸エステル又は下記の式（ＩＩ）
で示される亜リン酸エステルが特異的にシリコン酸化物
保護膜表面に吸着し、薄膜型磁気記録媒体の耐久性を高
めることを見いだした。 Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x （Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ） （ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）
特異的に吸着する潤滑剤を鋭意検討した結果、下記の式
（Ｉ）で示されるリン酸エステル又は下記の式（ＩＩ）
で示される亜リン酸エステルが特異的にシリコン酸化物
保護膜表面に吸着し、薄膜型磁気記録媒体の耐久性を高
めることを見いだした。 Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x （Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ） （ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）
【００１１】この原因は未だ明確ではないが、これらの
リン酸エステルあるいは亜リン酸エステルのＯＨ基は強
酸性であり、一方、シリコン酸化物保護膜表面に存在す
るシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）のＯＨ基は弱アルカリ性
であるため、これらのＯＨ基間で強い相互作用が生じ
る。その結果、エステルはシリコン酸化物保護層上に強
固に吸着するため、磁気ヘッドによる摺動に対して、シ
リコン酸化物保護層との直接接触を防止するものと考え
られる。
リン酸エステルあるいは亜リン酸エステルのＯＨ基は強
酸性であり、一方、シリコン酸化物保護膜表面に存在す
るシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）のＯＨ基は弱アルカリ性
であるため、これらのＯＨ基間で強い相互作用が生じ
る。その結果、エステルはシリコン酸化物保護層上に強
固に吸着するため、磁気ヘッドによる摺動に対して、シ
リコン酸化物保護層との直接接触を防止するものと考え
られる。
【００１２】本発明によるリン酸エステルは式（Ｉ）に
於いて、ｘ＝１のリン酸モノエステル又はｘ＝２のリン
酸ジエステルであり、また亜リン酸エステルは式（Ｉ
Ｉ）の亜リン酸モノエステルである。
於いて、ｘ＝１のリン酸モノエステル又はｘ＝２のリン
酸ジエステルであり、また亜リン酸エステルは式（Ｉ
Ｉ）の亜リン酸モノエステルである。
【００１３】これらのリン酸エステル，亜リン酸エステ
ルは単独で使用しても良いし、また混合して使用しても
良い。式（Ｉ）におけるｎは０以上の整数が好ましい。
ｎが０の場合、リン酸エステルは非極性溶媒（例えば、
ヘキサン，ヘプタン，ベンゼンなど）に溶けやすく、ｎ
が１以上になると、リン酸エステルは極性溶媒（例え
ば、アルコール，エーテル，ケトンなど）に溶けやすく
なる。従って、リン酸エステルを溶媒に溶解させ、シリ
コン酸化物保護層上に塗布する場合、ｎを変化させるこ
とにより使用可能な溶媒の種類を増やせる利点がある。
ｎの上限値は特に限定されないが、一般的に、６以下で
あることが好ましい。極性溶媒及び非極性溶媒自体は当
業者に周知である。
ルは単独で使用しても良いし、また混合して使用しても
良い。式（Ｉ）におけるｎは０以上の整数が好ましい。
ｎが０の場合、リン酸エステルは非極性溶媒（例えば、
ヘキサン，ヘプタン，ベンゼンなど）に溶けやすく、ｎ
が１以上になると、リン酸エステルは極性溶媒（例え
ば、アルコール，エーテル，ケトンなど）に溶けやすく
なる。従って、リン酸エステルを溶媒に溶解させ、シリ
コン酸化物保護層上に塗布する場合、ｎを変化させるこ
とにより使用可能な溶媒の種類を増やせる利点がある。
ｎの上限値は特に限定されないが、一般的に、６以下で
あることが好ましい。極性溶媒及び非極性溶媒自体は当
業者に周知である。
【００１４】Ｒの飽和または不飽和炭化水素基の炭素数
は１０〜２２であることが好ましい。炭素数が１０未満
の場合、潤滑剤として十分に作用せず、２２を越えると
潤滑作用が飽和し、不経済である。本発明で使用できる
炭素数１０〜２２の飽和又は不飽和炭化水素基は例え
ば、ステアリル基，オレイル基，ヘキサデシル基，テト
ラデシル基，ドデシル基などである。
は１０〜２２であることが好ましい。炭素数が１０未満
の場合、潤滑剤として十分に作用せず、２２を越えると
潤滑作用が飽和し、不経済である。本発明で使用できる
炭素数１０〜２２の飽和又は不飽和炭化水素基は例え
ば、ステアリル基，オレイル基，ヘキサデシル基，テト
ラデシル基，ドデシル基などである。
【００１５】またＲの炭化水素鎖の水素を全て、あるい
は部分的にフッ素で置換することもできる。フッ素化さ
れた炭化水素鎖は表面エネルギを下げ、耐久性，耐食性
を更に向上させることができる。このようなフッ素置換
炭化水素基は例えば、Ｃ8 Ｆ17Ｃ2 Ｈ4 −，Ｃ10Ｆ21Ｃ
2 Ｈ4 −，Ｃ12Ｆ25Ｃ2 Ｈ4 −，Ｃ14Ｆ29Ｃ2 Ｈ4 −，
Ｃ16Ｆ33Ｃ2 Ｈ4 −，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 −，Ｃ18Ｆ37−な
どである。
は部分的にフッ素で置換することもできる。フッ素化さ
れた炭化水素鎖は表面エネルギを下げ、耐久性，耐食性
を更に向上させることができる。このようなフッ素置換
炭化水素基は例えば、Ｃ8 Ｆ17Ｃ2 Ｈ4 −，Ｃ10Ｆ21Ｃ
2 Ｈ4 −，Ｃ12Ｆ25Ｃ2 Ｈ4 −，Ｃ14Ｆ29Ｃ2 Ｈ4 −，
Ｃ16Ｆ33Ｃ2 Ｈ4 −，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 −，Ｃ18Ｆ37−な
どである。
【００１６】上記のリン酸エステルあるいは亜リン酸エ
ステルはそのエステル価度異なっているがエステル価度
が低い程、すなわちジエステル，モノエステルの順でよ
り耐久性が向上する傾向を示す。これはエステル価度が
低下するに従い、分子占有面積が小さくなり、より密に
シリコン酸化物保護膜表面を覆うことが可能になるこ
と、またエステル価度の低下に従い、Ｐ原子に結合した
ＯＨ基数が増大するためにシリコン酸化物保護層表面に
存在するシラノール基のＯＨ基との相互作用が増大し、
より強固に吸着することが可能になるためと考えられ
る。
ステルはそのエステル価度異なっているがエステル価度
が低い程、すなわちジエステル，モノエステルの順でよ
り耐久性が向上する傾向を示す。これはエステル価度が
低下するに従い、分子占有面積が小さくなり、より密に
シリコン酸化物保護膜表面を覆うことが可能になるこ
と、またエステル価度の低下に従い、Ｐ原子に結合した
ＯＨ基数が増大するためにシリコン酸化物保護層表面に
存在するシラノール基のＯＨ基との相互作用が増大し、
より強固に吸着することが可能になるためと考えられ
る。
【００１７】本発明におけるリン酸エステルあるいは亜
リン酸エステル潤滑層の厚さは特に限定されないが単分
子膜以上であれば十分な耐久性を示す。
リン酸エステル潤滑層の厚さは特に限定されないが単分
子膜以上であれば十分な耐久性を示す。
【００１８】本発明におけるリン酸エステルあるいは亜
リン酸エステルをシリコン酸化物保護層上に設ける方法
は特に限定されず、浸漬法，ロールコート法，スプレー
コート法，物理蒸着法，その他公知のいずれの塗布方法
を用いても良い。必ずしも必須要件ではないが、６０〜
１００℃の加熱雰囲気中でリン酸エステルあるいは亜リ
ン酸エステル潤滑剤を塗布することが好ましい。シリコ
ン酸化物保護層表面に存在するシラノール基のＯＨ基上
に吸着した物理吸着水をこの加熱により除去し、シラノ
ール基のＯＨ基をフリーの状態にしてから、エステルの
ＯＨ基と反応させると一層強固な結合が得られる。
リン酸エステルをシリコン酸化物保護層上に設ける方法
は特に限定されず、浸漬法，ロールコート法，スプレー
コート法，物理蒸着法，その他公知のいずれの塗布方法
を用いても良い。必ずしも必須要件ではないが、６０〜
１００℃の加熱雰囲気中でリン酸エステルあるいは亜リ
ン酸エステル潤滑剤を塗布することが好ましい。シリコ
ン酸化物保護層表面に存在するシラノール基のＯＨ基上
に吸着した物理吸着水をこの加熱により除去し、シラノ
ール基のＯＨ基をフリーの状態にしてから、エステルの
ＯＨ基と反応させると一層強固な結合が得られる。
【００１９】本発明におけるシリコン酸化物保護膜層の
厚さは５０〜３００Åの間が好ましい。５０Å未満では
下層の薄膜型磁性層を完全に覆うことができす、３００
Åを越えるとヘッドとのスペーシングが大きくなり充分
な記録再生が行えない。またシリコン酸化物の成膜方法
は、真空蒸着法，イオンプレーテイング法，スパッタ
法，プラズマＣＶＤ法等の気相法、あるいはゾルゲル法
等の湿式法いずれの方法を用いても良い。
厚さは５０〜３００Åの間が好ましい。５０Å未満では
下層の薄膜型磁性層を完全に覆うことができす、３００
Åを越えるとヘッドとのスペーシングが大きくなり充分
な記録再生が行えない。またシリコン酸化物の成膜方法
は、真空蒸着法，イオンプレーテイング法，スパッタ
法，プラズマＣＶＤ法等の気相法、あるいはゾルゲル法
等の湿式法いずれの方法を用いても良い。
【００２０】本発明の磁気記録媒体における薄膜磁性層
を構成する強磁性金属は特に限定されない。一般的に、
Ｃｏを５０ａｔ％よりも多く含むＣｏ系磁性体であるこ
とが好ましい。このようなＣｏ系磁性体は当業者に周知
であり、これ以上説明する必要はないであろう。また、
磁性層の蒸着方法も特に限定されない。真空蒸着、スパ
ッタリングなど常用のベーパデポジション法ならば原則
的に全て使用することができる。
を構成する強磁性金属は特に限定されない。一般的に、
Ｃｏを５０ａｔ％よりも多く含むＣｏ系磁性体であるこ
とが好ましい。このようなＣｏ系磁性体は当業者に周知
であり、これ以上説明する必要はないであろう。また、
磁性層の蒸着方法も特に限定されない。真空蒸着、スパ
ッタリングなど常用のベーパデポジション法ならば原則
的に全て使用することができる。
【００２１】本発明の磁気記録媒体としては、ポリエチ
レンテレフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルム、アラミド、ＰＥＮなどの合成樹脂
フィルムを非磁性基体とする磁気テープあるいはガラス
板、アルミ板、合成樹脂板などを非磁性基体とする磁気
ディスクや磁気ドラムなどの、磁気ヘッドと摺接する構
造の種々の形態を包含する。合成樹脂フィルムを非磁性
基体とする磁気テープが特に好ましい。
レンテレフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルム、アラミド、ＰＥＮなどの合成樹脂
フィルムを非磁性基体とする磁気テープあるいはガラス
板、アルミ板、合成樹脂板などを非磁性基体とする磁気
ディスクや磁気ドラムなどの、磁気ヘッドと摺接する構
造の種々の形態を包含する。合成樹脂フィルムを非磁性
基体とする磁気テープが特に好ましい。
【００２２】本発明の磁気記録媒体の概念的な構造を図
１に示す。図中、符号１は非磁性基体、符号２は薄膜磁
性層、符号３はシリコン酸化物保護層、符号４はエステ
ル潤滑層をそれぞれ示す。
１に示す。図中、符号１は非磁性基体、符号２は薄膜磁
性層、符号３はシリコン酸化物保護層、符号４はエステ
ル潤滑層をそれぞれ示す。
【００２３】また本発明で示される潤滑層上に公知の脂
肪族系，フッ素系の潤滑剤を設けることもできる。本発
明を磁気テープとして利用する場合には基体上に薄膜磁
性層が設けられた反対の面にバックコート層を設け走行
性を改善することができる。バックコート層内に本発明
で示される潤滑剤あるいは公知の脂肪族系，フッ素系潤
滑剤を含ませることもできる。
肪族系，フッ素系の潤滑剤を設けることもできる。本発
明を磁気テープとして利用する場合には基体上に薄膜磁
性層が設けられた反対の面にバックコート層を設け走行
性を改善することができる。バックコート層内に本発明
で示される潤滑剤あるいは公知の脂肪族系，フッ素系潤
滑剤を含ませることもできる。
【００２４】
【実施例】以下、実施例により本発明の磁気記録媒体に
ついて更に詳細に説明する。
ついて更に詳細に説明する。
【００２５】実施例１ 厚さ８μｍのＰＥＴフイルム上に斜め蒸着法によりＣｏ
−ＣｏＯ磁性薄膜を０．１５μｍ成膜し、引き続き同一
真空槽内でＣｏ−ＣｏＯ磁性薄膜上にシリコン酸化物保
護層を真空蒸着法により垂直入射で２００Å成膜した。
この試料を下記の表１に示すリン酸エステルおよび亜リ
ン酸エステルの０．２ｗｔ％ヘキサン溶液に浸漬して潤
滑層を設けた。
−ＣｏＯ磁性薄膜を０．１５μｍ成膜し、引き続き同一
真空槽内でＣｏ−ＣｏＯ磁性薄膜上にシリコン酸化物保
護層を真空蒸着法により垂直入射で２００Å成膜した。
この試料を下記の表１に示すリン酸エステルおよび亜リ
ン酸エステルの０．２ｗｔ％ヘキサン溶液に浸漬して潤
滑層を設けた。
【００２６】比較例１ 実施例１に於いて、シリコン酸化物保護層を設けなかっ
たこと以外は実施例１と同様に試料を作製した。
たこと以外は実施例１と同様に試料を作製した。
【００２７】比較例２ 実施例１に於いて、潤滑層が脂肪族潤滑であるステアリ
ン酸であること以外は実施例１と同様に試料を作製し
た。
ン酸であること以外は実施例１と同様に試料を作製し
た。
【００２８】比較例３ 実施例１に於いて、潤滑層が脂肪族潤滑剤であるステア
リルアルコールであること以外は実施例１と同様に試料
を作製した。
リルアルコールであること以外は実施例１と同様に試料
を作製した。
【００２９】比較例４ 実施例１に於いて、潤滑層がフッ素系潤滑剤であるFomb
lin-Z-03（溶媒にはFC77を使用）であること以外は実施
例１と同様に試料を作製した。
lin-Z-03（溶媒にはFC77を使用）であること以外は実施
例１と同様に試料を作製した。
【００３０】比較例５ 実施例１に於いて、潤滑層がＯ＝Ｐ（ＯＣ6 Ｈ13)3, Ｐ
（ＯＣ6 Ｈ13)3及びＯ＝Ｐ｛（ＯＣ2 Ｈ4 )2( ＯＣ6 Ｈ
13) ｝3 であること以外は実施例１と同様に試料を作製
した。
（ＯＣ6 Ｈ13)3及びＯ＝Ｐ｛（ＯＣ2 Ｈ4 )2( ＯＣ6 Ｈ
13) ｝3 であること以外は実施例１と同様に試料を作製
した。
【００３１】上記の各試料を８ｍｍデッキを用い、スチ
ルモードにて画像が消失するまでの時間（スチル寿命）
を測定した。結果をまとめて下記の表１に示す。
ルモードにて画像が消失するまでの時間（スチル寿命）
を測定した。結果をまとめて下記の表１に示す。
【００３２】
【表１】 表１ ──────────────────────────────────── スチル 試 料 潤 滑 層 形 成 材 料 寿命( 分) ──────────────────────────────────── 実施例１ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）（ＯＣ18Ｈ37)2 ４００ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）2 ( ＯＣ18Ｈ37) ５１０ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）（ＯＣ2 Ｈ4 )2( ＯＣ18Ｈ37) ｝2 ４００ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）2{（ＯＣ2 Ｈ4 )2( ＯＣ18Ｈ37) ｝ ５００ Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＣ18Ｈ37) ５５０ 比較例１ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）（ＯＣ18Ｈ37)2 ２０ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）2 （ＯＣ18Ｈ37) ４０ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）｛（ＯＣ2 Ｈ4 )2( ＯＣ18Ｈ37) ｝2 ２２ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）2 { （ＯＣ2 Ｈ4 )2( ＯＣ18Ｈ37) ｝ ４０ Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＣ18Ｈ37) ４５ 比較例２ Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＨ ２ 比較例３ Ｃ18Ｈ37ＯＨ １ 比較例４ Fomblin-Z-03 ３ 比較例５ Ｏ＝Ｐ（ＯＣ6 Ｈ13)3 ４ Ｐ（ＯＣ6 Ｈ13) 3 ３ Ｏ＝Ｐ｛（ＯＣ2 Ｈ4 ) 2 ( ＯＣ6 Ｈ13) ｝3 ３
【００３３】表１に示された結果から明らかな様に、Ｃ
ｏ系薄膜磁性層上にシリコン酸化物保護層を成膜し、さ
らに本発明のリン酸エステルあるいは亜リン酸エステル
を潤滑層として設けた場合、これまでの脂肪族系潤滑剤
であるステアリン酸やステアリルアルコールあるいはフ
ッ素系潤滑剤であるFomblin-Z-03を潤滑層に設けた場合
に比べ、スチル寿命を大幅に高めることができる。Ｃｏ
系薄膜磁性層上に直接本発明のリン酸エステルあるいは
亜リン酸エステルから成る潤滑層を設けるとスチル寿命
は向上するものの、シリコン酸化物保護層を設けた場合
に比べるとスチル寿命は短い。また、リン酸エステル、
亜リン酸エステル共にエステル価度が低い程、すなわち
トリエステル，ジエステル，モノエステルの順でスチル
寿命がより向上する傾向を示すことが理解できる。
ｏ系薄膜磁性層上にシリコン酸化物保護層を成膜し、さ
らに本発明のリン酸エステルあるいは亜リン酸エステル
を潤滑層として設けた場合、これまでの脂肪族系潤滑剤
であるステアリン酸やステアリルアルコールあるいはフ
ッ素系潤滑剤であるFomblin-Z-03を潤滑層に設けた場合
に比べ、スチル寿命を大幅に高めることができる。Ｃｏ
系薄膜磁性層上に直接本発明のリン酸エステルあるいは
亜リン酸エステルから成る潤滑層を設けるとスチル寿命
は向上するものの、シリコン酸化物保護層を設けた場合
に比べるとスチル寿命は短い。また、リン酸エステル、
亜リン酸エステル共にエステル価度が低い程、すなわち
トリエステル，ジエステル，モノエステルの順でスチル
寿命がより向上する傾向を示すことが理解できる。
【００３４】実施例２ 実施例１に於いて、シリコン酸化物保護層を真空蒸着法
により２００Å成膜するまでは実施例１と同様に試料を
作製した。次に亜リン酸モノエステルであるＯ＝ＰＨ
（ＯＨ）（ＯＣ18Ｈ37) と、亜リン酸ジエステルである
Ｏ＝ＰＨ（ＯＣ18Ｈ37)2および亜リン酸トリエステルで
あるＰ（ＯＣ18Ｈ37)3を混合してヘキサンに溶解し、こ
の溶液中に試料を浸漬して潤滑層を設けた。この際、亜
リン酸モノエステルと亜リン酸ジエステルおよび亜リン
酸トリエステルの混合比を変化させ、合計の濃度は０．
２ｗｔ％になる様に調整した。これらの試料についてス
チル寿命を測定した結果を表２に示す。
により２００Å成膜するまでは実施例１と同様に試料を
作製した。次に亜リン酸モノエステルであるＯ＝ＰＨ
（ＯＨ）（ＯＣ18Ｈ37) と、亜リン酸ジエステルである
Ｏ＝ＰＨ（ＯＣ18Ｈ37)2および亜リン酸トリエステルで
あるＰ（ＯＣ18Ｈ37)3を混合してヘキサンに溶解し、こ
の溶液中に試料を浸漬して潤滑層を設けた。この際、亜
リン酸モノエステルと亜リン酸ジエステルおよび亜リン
酸トリエステルの混合比を変化させ、合計の濃度は０．
２ｗｔ％になる様に調整した。これらの試料についてス
チル寿命を測定した結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】 表２ ──────────────────────────────────── モノエステル ： ジエステル ： トリエステル スチル寿命（分） ──────────────────────────────────── ８０ ２０ −− ５２０ ２０ ８０ −− ４５０ ８０ −− ２０ ５１０ ２０ −− ８０ ３７０ −− ８０ ２０ ４１０ ２０ ８０ ３４０
【００３６】表２に示された結果から明らかな様に、本
発明による亜リン酸エステルを混合して使用しても従来
の潤滑剤（比較例２〜４）に比べスチル寿命を大幅に高
めることが可能である。また混合して用いる際、エステ
ル価度の低い成分が多い程スチル寿命がより向上する傾
向があることが分かる。上記作用は本発明による他のリ
ン酸エステルあるいは亜リン酸エステルの混合系につい
ても同様である。
発明による亜リン酸エステルを混合して使用しても従来
の潤滑剤（比較例２〜４）に比べスチル寿命を大幅に高
めることが可能である。また混合して用いる際、エステ
ル価度の低い成分が多い程スチル寿命がより向上する傾
向があることが分かる。上記作用は本発明による他のリ
ン酸エステルあるいは亜リン酸エステルの混合系につい
ても同様である。
【００３７】実施例３ 厚さ４μｍのＰＥＮフィルム上に斜め蒸着法によりＣｏ
−ＣｏＯ磁性薄膜を０．１５μｍ成膜し、引き続きプラ
ズマＣＶＤ法によりＣｏ−ＣｏＯ磁性薄膜上にシリコン
酸化物保護層２００Å成膜した。次に、実施例２の表２
で示される亜燐酸エステルを試料表面に浸漬塗布した。
これらの試料についてスチル寿命を測定した結果、実施
例２と同様の結果を得た。
−ＣｏＯ磁性薄膜を０．１５μｍ成膜し、引き続きプラ
ズマＣＶＤ法によりＣｏ−ＣｏＯ磁性薄膜上にシリコン
酸化物保護層２００Å成膜した。次に、実施例２の表２
で示される亜燐酸エステルを試料表面に浸漬塗布した。
これらの試料についてスチル寿命を測定した結果、実施
例２と同様の結果を得た。
【００３８】実施例４ 直径５．２５インチのＡｌ盤上に１５μｍのＮｉ−Ｐメ
ッキ層を形成し、更にＮｉ−Ｐ面を鏡面研磨したものを
基体し、この基体上にスパッタ法で０．３μｍのＣｒ下
地層、０．０５μｍのＣｏ82Ｃｒ14Ｐｔ4 薄膜磁性層及
び０．０２μｍのシリコン酸化物保護膜層を順次成膜し
た。この試料を下記の表３に示すリン酸エステルおよび
亜リン酸エステルの０．２ｗｔ％ヘキサン溶液に浸漬し
て潤滑層を設けた。
ッキ層を形成し、更にＮｉ−Ｐ面を鏡面研磨したものを
基体し、この基体上にスパッタ法で０．３μｍのＣｒ下
地層、０．０５μｍのＣｏ82Ｃｒ14Ｐｔ4 薄膜磁性層及
び０．０２μｍのシリコン酸化物保護膜層を順次成膜し
た。この試料を下記の表３に示すリン酸エステルおよび
亜リン酸エステルの０．２ｗｔ％ヘキサン溶液に浸漬し
て潤滑層を設けた。
【００３９】比較例６ 実施例４に於いて、潤滑層が脂肪族潤滑剤であるステア
リン酸であること以外は実施例４と同様に試料を作製し
た。
リン酸であること以外は実施例４と同様に試料を作製し
た。
【００４０】比較例７ 実施例４に於いて、潤滑層が脂肪族潤滑剤であるステア
リルアルコールであること以外は実施例４と同様に試料
を作製した。
リルアルコールであること以外は実施例４と同様に試料
を作製した。
【００４１】比較例８ 実施例４に於いて、潤滑層がフッ素系潤滑剤であるFomb
lin-Z-03（溶媒にはFC77を使用）であること以外は実施
例４と同様に試料を作製した。
lin-Z-03（溶媒にはFC77を使用）であること以外は実施
例４と同様に試料を作製した。
【００４２】以上の５．２５インチ面内記録用ＣｏＣｒ
Ｐｔ磁気ディスクの耐久性をＣＳＳ（Contact-Start-St
ｏp ）試験により評価し、その結果を下記の表３にまと
めて示す。
Ｐｔ磁気ディスクの耐久性をＣＳＳ（Contact-Start-St
ｏp ）試験により評価し、その結果を下記の表３にまと
めて示す。
【００４３】
【表３】 表３ ──────────────────────────────────── ＣＳＳ強度 試 料 潤 滑 層 形 成 材 料 (ｋパス） ──────────────────────────────────── 実施例４ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）2 ( ＯＣ16Ｈ33) ＞５０ Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）2 ｛（ＯＣ2 Ｈ4 ) （ＯＣ16Ｈ33) ｝ ＞５０ Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＣ16Ｈ33) ＞５０ Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＣ22Ｈ45) ＞５０ 比較例６ Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＨ ０．４ 比較例７ Ｃ18Ｈ37ＯＨ ０．３ 比較例８ Fomblin-z-03 ０．６
【００４４】表３に示された結果から明らかな様に、Ｃ
ｏ系磁性薄膜上にシリコン酸化物保護膜を成膜し、さら
に本発明で示されるリン酸エステルあるいは亜リン酸エ
ステルを潤滑層として設けた場合、これまでの脂肪族潤
滑剤であるステアリン酸やステアリルアルコールあるい
はフッ素系潤滑剤であるFomblin-Z-03を潤滑層に設けた
場合に比べて優れた耐久性を有するＣｏ系薄膜磁気ディ
スクが得られる。
ｏ系磁性薄膜上にシリコン酸化物保護膜を成膜し、さら
に本発明で示されるリン酸エステルあるいは亜リン酸エ
ステルを潤滑層として設けた場合、これまでの脂肪族潤
滑剤であるステアリン酸やステアリルアルコールあるい
はフッ素系潤滑剤であるFomblin-Z-03を潤滑層に設けた
場合に比べて優れた耐久性を有するＣｏ系薄膜磁気ディ
スクが得られる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、基
体上に薄膜型の磁性層，シリコン酸化物保護層を順次成
膜し、前記シリコン酸化物保護層上に式（Ｉ）で示され
るリン酸エステル又は式（II）で示される亜リン酸エス
テル Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x （Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ） （ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）から選ばれる少なくとも一種類のエステルから成
る潤滑層を設けることにより薄膜型磁気記録媒体の耐久
性を大きく向上させることができる。
体上に薄膜型の磁性層，シリコン酸化物保護層を順次成
膜し、前記シリコン酸化物保護層上に式（Ｉ）で示され
るリン酸エステル又は式（II）で示される亜リン酸エス
テル Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x （Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ） （ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。）から選ばれる少なくとも一種類のエステルから成
る潤滑層を設けることにより薄膜型磁気記録媒体の耐久
性を大きく向上させることができる。
【図１】図１は本発明による磁気記録媒体の一例の断面
図である。
図である。
１ 基体、 ２ 薄膜磁性層、 ３ シリコン酸化物保護層、 ４ 潤滑層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水村 哲夫 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基体上に直接あるいは下地層を介
して薄膜型の磁性層，シリコン酸化物保護層を順次設け
た磁気記録媒体において、 前記シリコン酸化物保護層上に、下記の式（Ｉ）で示さ
れるリン酸エステル及び式（ＩＩ）で示される亜リン酸
エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種類のエ
ステルから成る潤滑層を設けたことを特徴とする磁気記
録媒体。 Ｏ＝Ｐ（ＯＨ）3-x{（ＯＣ2 Ｈ4 ) n ( ＯＲ）｝x （Ｉ） Ｏ＝ＰＨ（ＯＨ）（ＯＲ） （ＩＩ） （但し、ｘは１又は２の整数、ｎは０以上の整数、Ｒは
炭素数１０〜２２の飽和または不飽和炭化水素基であ
る。） - 【請求項２】 磁性層はＣｏ単体又はＣｏを５０％より
も多く含有する合金類若しくはＣｏ酸化物含有Ｃｏから
選択される材料により形成されている請求項１の磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27280994A JPH08111018A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27280994A JPH08111018A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111018A true JPH08111018A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17519061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27280994A Withdrawn JPH08111018A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111018A (ja) |
-
1994
- 1994-10-12 JP JP27280994A patent/JPH08111018A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |