JPH0811058Y2 - Control circuit - Google Patents

Control circuit

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JPH0811058Y2
JPH0811058Y2 JP1990004413U JP441390U JPH0811058Y2 JP H0811058 Y2 JPH0811058 Y2 JP H0811058Y2 JP 1990004413 U JP1990004413 U JP 1990004413U JP 441390 U JP441390 U JP 441390U JP H0811058 Y2 JPH0811058 Y2 JP H0811058Y2
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thin film
circuit
coil
voltage
switch
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孝弘 高橋
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Yokogawa Electric Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、スイッチングレギュレータを用いた直流安
定化電源装置のコントロール回路に関し、更に詳しく
は、コントロール回路中の回路素子をIC化及び薄膜化し
て小形軽量化することにより、装置全体の機能化及び省
スペース化を図ったものである。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial field of application> The present invention relates to a control circuit for a DC stabilized power supply device using a switching regulator. More specifically, the circuit element in the control circuit is formed into an IC and a thin film. By reducing the size and weight, the function and space of the entire device are reduced.

〈従来の技術〉 第6図は、従来の直流安定化電源装置の一例を示す構
成ブロック図である。10はDC/DC変換部で、入力直流電
圧Viがトランジスタなどのスイッチ素子Qのオン/オフ
により、トランスT1の一次巻線n1に与えられる。二次巻
線n2に誘起した交番出力は、ダイオードD1,D2によって
整流され、さらにチョークコイルLとキャパシタCによ
って平滑化されて、負荷に供給する出力直流電圧V0を得
ている。
<Prior Art> FIG. 6 is a configuration block diagram showing an example of a conventional DC stabilized power supply device. Reference numeral 10 is a DC / DC converter, and the input DC voltage Vi is applied to the primary winding n1 of the transformer T1 by turning on / off a switching element Q such as a transistor. The alternating output induced in the secondary winding n2 is rectified by the diodes D1 and D2 and further smoothed by the choke coil L and the capacitor C to obtain the output DC voltage V 0 supplied to the load.

40はDC/DC変換部10の出力直流電圧V0を受け、この出
力直流電圧V0が一定に維持されるようにDC/DC変換部10
のスイッチ素子Qのオン/オフを制御するコントロール
回路で、出力直流電圧V0と基準電圧Vrefとの誤差を増幅
する誤差増幅器41と、誤差増幅器41の出力に応じたデュ
ーティレシオのパルス幅信号を出力するPWM回路42が、
伝送トランスT2を介してスイッチ素子Qをオン/オフ制
御する制御回路43と接続されて構成されている。
40 receives the output DC voltage V 0 which DC / DC converter 10, DC / DC converter 10 so that the output DC voltage V 0 is maintained constant
In the control circuit for controlling the on / off of the switching element Q, the error amplifier 41 that amplifies the error between the output DC voltage V 0 and the reference voltage Vref, and the pulse width signal of the duty ratio according to the output of the error amplifier 41 are output. The PWM circuit 42 that outputs is
It is configured to be connected to a control circuit 43 for on / off controlling the switch element Q via a transmission transformer T2.

〈考案が解決しようとする課題〉 しかしながら、このような構成の従来装置において
は、伝送トランスが大形のために、コントロール回路を
IC化することが困難であり、装置全体として大形なもの
になってしまい小形化及び機能化が図れなかった。
<Problems to be Solved by the Invention> However, in the conventional device having such a configuration, the transmission transformer is large, so that the control circuit is not provided.
It was difficult to make it into an IC, and the entire device became large, and it was not possible to make it smaller and functional.

本考案は、このような点に鑑みてなされたもので、伝
送トランスを薄膜回路で構成することで小形化し、更に
集積回路化した誤差増幅器及びスイッチ駆動回路を共通
基板上で結線し、部品点数が少なく実装作業性のよい、
小型なコントロール回路を提供することを目的としてい
る。
The present invention has been made in view of such a point, and the transmission transformer is configured with a thin film circuit to be miniaturized. Further, the integrated error amplifier and switch drive circuit are connected on a common substrate, and the number of components is increased. Less mounting workability,
The purpose is to provide a small control circuit.

〈課題を解決するための手段〉 このような目的を達成するために、本考案は、 入力直流電圧をスイッチ素子によりオン/オフしてト
ランスの一次巻線に与え、二次巻線に誘起する交番信号
を整流平滑化して負荷に供給するDC/DC変換部の出力直
流電圧を一定に維持するように前記スイッチ素子のオン
/オフを制御するコントロール回路において、 前記出力電圧を基準電圧と比較して得た誤差増幅信号
をパルス信号として取り出す誤差増幅用ICと、 前記パルス信号が一次側コイルに供給され、二次側コ
イルに出力信号が誘起されるトランスが薄膜でセラミッ
ク上に形成された薄膜伝送トランスと、 この薄膜伝送トランスの二次側から得られるパルス状
の信号を受け前記スイッチのオン/オフを制御するスイ
ッチ駆動用ICと、 前記薄膜伝送トランスの第1のコイルと前記誤差増幅
用ICの回路を薄膜回路を介して接続すると共に、前記薄
膜伝送トランスの第2のコイルと前記スイッチ駆動用IC
の回路を薄膜回路を介して接続するパッケージと、 を具備したことを特徴としている。
<Means for Solving the Problems> In order to achieve such an object, the present invention provides an input DC voltage to a primary winding of a transformer which is turned on / off by a switching element and induces it in a secondary winding. In a control circuit for controlling on / off of the switch element so as to maintain a constant output DC voltage of a DC / DC converter that rectifies and smoothes an alternating signal and supplies the load, the output voltage is compared with a reference voltage. An error amplification IC that extracts the error amplified signal obtained as a pulse signal, and a transformer in which the pulse signal is supplied to the primary side coil and an output signal is induced in the secondary side coil is a thin film formed on a ceramic thin film. A transmission transformer; a switch driving IC that receives a pulsed signal obtained from the secondary side of the thin film transmission transformer and controls ON / OFF of the switch; First coil and the circuit of the error amplifier IC as well as connected via the thin-film circuit, said switch driver IC and the second coil of the thin film transmission transformer
And a package for connecting the circuit of (1) through a thin film circuit.

また、入力直流電圧をスイッチ素子によりオン/オフ
してトランスの一次巻線に与え、二次巻線に誘起する交
番信号を整流平滑化して負荷に供給するDC/DC変換部の
出力直流電圧を一定に維持するように前記スイッチ素子
のオン/オフを制御するコントロール回路において、 一方の面に、前記出力電圧を基準電圧と比較して得た
誤差増幅信号をパルス信号として取り出す誤差増幅用IC
と前記パルス信号が一次側コイルに供給される薄膜伝送
トランスとを具備すると共に、他方の面に、前記薄膜伝
送トランスの二次側コイルとこの二次側コイルから得ら
れるパルス状の信号を受け前記スイッチのオン/オフを
制御するスイッチ駆動用ICを具備するセラミック基板
と、 前記誤差増幅用ICの回路を薄膜回路を介して外部回路
と接続すると共に、前記スイッチ駆動用ICの回路を薄膜
回路を介して外部回路と接続するパッケージと、 を具備したことを特徴としている。
In addition, the input DC voltage is turned on / off by the switch element and applied to the primary winding of the transformer, and the output DC voltage of the DC / DC converter that supplies the load by rectifying and smoothing the alternating signal induced in the secondary winding. In a control circuit for controlling ON / OFF of the switch element so as to keep constant, on one surface, an error amplification IC for extracting an error amplification signal obtained by comparing the output voltage with a reference voltage as a pulse signal
And a thin film transmission transformer in which the pulse signal is supplied to the primary coil, and the other side receives a secondary coil of the thin film transmission transformer and a pulsed signal obtained from the secondary coil. A ceramic substrate having a switch driving IC for controlling ON / OFF of the switch, a circuit of the error amplification IC is connected to an external circuit via a thin film circuit, and a circuit of the switch driving IC is connected to the thin film circuit. And a package that is connected to an external circuit via the.

〈作用〉 薄膜伝送トランスの一次コイルが誤差増幅用のICから
励磁エネルギを受け、磁性膜中に磁束が発生し、二次コ
イルに入力電圧を対応した出力電圧が得られる。薄膜伝
送トランスから出力された信号は、スイッチ駆動用のIC
に伝達されて、DC/DC変換部のスイッチ素子のオン/オ
フを制御する。
<Operation> The primary coil of the thin film transmission transformer receives the excitation energy from the error amplification IC, magnetic flux is generated in the magnetic film, and the output voltage corresponding to the input voltage is obtained in the secondary coil. The signal output from the thin film transmission transformer is an IC for driving the switch.
And is controlled to turn on / off the switch element of the DC / DC converter.

〈実施例〉 以下図面を用いて、本考案の一実施例を詳細に説明す
る。
<Embodiment> An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は、本考案の直流安定化電源装置で、伝送トラ
ンスを薄膜で構成した点に特徴がある全体の構成概念図
である。尚第1図において、前記第6図と同一作用をす
るものは同一符号をつけ説明を省略する。図中、11は薄
膜で構成されたコントロール回路で、DC/DC変換部10の
出力直流電圧V0を受け、この出力直流信号V0が一定に維
持されるようにDC/DC変換部10のスイッチ素子Qのオン
/オフを制御する。
FIG. 1 is an overall structural conceptual diagram of the DC stabilized power supply device of the present invention, which is characterized in that the transmission transformer is formed of a thin film. Incidentally, in FIG. 1, components having the same functions as those in FIG. In the figure, 11 is a control circuit composed of a thin film, which receives the output DC voltage V 0 of the DC / DC converter 10, and the output DC signal V 0 of the DC / DC converter 10 is kept constant. ON / OFF of the switch element Q is controlled.

12は出力直流電圧V0と基準電圧Vrefとを比較して得た
誤差増幅信号をパルス状の信号として薄膜伝送トランス
20の一次側に与える集積化した誤差増幅回路で、誤差増
幅器13、変調器14及び発信器15で構成されている。誤差
増幅器13は、DC/DC変換部10の出力直流電圧V0と基準電
圧Vrefとを比較して、その誤差を増幅した信号を、変調
器14に伝達する。変調器14は、発信器15からの周波数fo
scの交番信号で誤差増幅信号を振幅変調し、高周波信号
化した誤差信号を薄膜伝送トランス20の一次側コイル21
に供給する。
12 is a thin film transmission transformer in which an error amplification signal obtained by comparing the output DC voltage V 0 and the reference voltage Vref is used as a pulse signal.
An integrated error amplification circuit provided to the primary side of 20, which is composed of an error amplifier 13, a modulator 14, and an oscillator 15. The error amplifier 13 compares the output DC voltage V 0 of the DC / DC converter 10 with the reference voltage Vref, and transmits a signal obtained by amplifying the error to the modulator 14. The modulator 14 uses the frequency fo from the oscillator 15.
The error amplification signal is amplitude-modulated by the alternating signal of sc, and the high-frequency error signal is converted into a high-frequency error signal.
Supply to.

16は薄膜伝送トランス20の二次側コイル21′から得ら
れるパルス状の信号を受けスイッチ素子Qのオン/オフ
を制御する集積化したスイッチ駆動回路で、復調器17と
PWM回路18で構成されている。二次側コイル21′に誘起
した出力は、整流器及びロー・パス・フィルタ(ともに
図は省略)からなる復調器17で高周波信号からもとの誤
差信号に変換され、PWM回路18に伝達される。PWM回路18
は、この誤差増幅信号に応じたデューティレシオのパル
ス信号をスイッチ素子Qに与えてオン/オフし、DC/DC
変換部10の出力直流電圧V0を制御をする。
Reference numeral 16 denotes an integrated switch drive circuit that receives a pulse-shaped signal obtained from the secondary coil 21 'of the thin film transmission transformer 20 and controls ON / OFF of the switch element Q.
It is composed of a PWM circuit 18. The output induced in the secondary coil 21 'is converted from a high frequency signal into an original error signal by a demodulator 17 including a rectifier and a low pass filter (both of which are not shown), and is transmitted to a PWM circuit 18. . PWM circuit 18
Applies a pulse signal with a duty ratio corresponding to this error amplification signal to the switch element Q to turn it on / off, and
The output DC voltage V 0 of the converter 10 is controlled.

第2図は、コントロール回路に用いられる薄膜伝送ト
ランス20の構成図で、(A)は平面図、(B)はA−
A′断面図である。図中、20はコントロール回路をハイ
ブリッドIC化するために、薄膜で形成した薄膜伝送トラ
ンスで、集積回路化された誤差増幅回路及びスイッチ駆
動回路と共通基板上(図省略)で結線されてコントロー
ル回路を形成する。22はサファイヤやAIN等の高絶縁性
のセラミック基板で、シリコンウエハーと同等の表面平
滑性を有していて、厚みg、一片の長さLのほぼ正方形
の形状からなっている。21及び21′はセラミック基板22
のそれぞれの面にスパイラル状に形成れた薄膜コイル
で、アルミニューウムや銅などの電気導電性の良い金属
で形成されている。薄膜コイル21、21′は、セラミック
基板22の両面に真空中でコーティングされたアルミニュ
ーム等の金属を、両面露光でパターニングして形成され
るので、任意の巻数nのコイルを微細パターンで形成で
き、更に両面にコイルパターンを正確に重ね合わせて設
けることができる。以下図面においてセラミック基板22
の裏面の構成は符号に′を付けて示し、基板の表面に設
けられた符号の構成と同一作用をするものとする。
FIG. 2 is a configuration diagram of the thin film transmission transformer 20 used in the control circuit. (A) is a plan view and (B) is A-.
It is an A'cross section figure. In the figure, 20 is a thin film transmission transformer formed of a thin film in order to make the control circuit into a hybrid IC. The control circuit is connected to the integrated error amplification circuit and switch drive circuit on a common substrate (not shown). To form. 22 is a highly insulating ceramic substrate such as sapphire or AIN, which has a surface smoothness equivalent to that of a silicon wafer, and has a substantially square shape with a thickness g and a length L of a piece. 21 and 21 'are ceramic substrates 22
Is a thin film coil formed in a spiral shape on each surface, and is formed of a metal having good electric conductivity such as aluminum or copper. Since the thin film coils 21 and 21 'are formed by patterning a metal such as aluminum coated on both surfaces of the ceramic substrate 22 in a vacuum by double-sided exposure, a coil having an arbitrary number of turns n can be formed in a fine pattern. Further, the coil patterns can be accurately overlapped on both surfaces. In the drawings below, ceramic substrate 22
The structure of the back surface of the above is indicated by adding a ′ to the reference numeral, and the same operation as that of the reference numeral provided on the front surface of the substrate is assumed.

21a、21a′は外部回路と接続されるために薄膜コイル
21、21′の両端部に設けられた電極部で、一方はワイヤ
ボンディングで接続されるパッドがアルミニュウームで
形成されていて、もう一方はフェイスダウンして接続さ
れるバンプが半田で形成されている。23は薄膜コイル上
に形成されたSiO2やAl2O3等からなる絶縁層で、成膜後
にフォトリソ工程で薄膜コイルのパターンに沿ってパタ
ーンニングされる。24は絶縁層23の上に更に積層されて
設けられた強磁性体の磁性薄膜で、パーマロイやフェラ
イト等の金属が真空コーティングや無電界メッキで成膜
されている。
21a and 21a 'are thin film coils for connecting to an external circuit.
Electrodes provided at both ends of 21, 21 ', one of which is a pad connected by wire bonding made of aluminum, and the other of which is a face-down connected bump formed of solder. ing. Reference numeral 23 is an insulating layer formed on the thin film coil and made of SiO 2 , Al 2 O 3 or the like, and is patterned along the pattern of the thin film coil in a photolithography process after film formation. Reference numeral 24 is a magnetic thin film of a ferromagnetic material further laminated on the insulating layer 23, and a metal such as permalloy or ferrite is formed by vacuum coating or electroless plating.

このように構成された薄膜伝送トランス20は、一方の
電極部21aから薄膜コイル21(一次コイル21と称する)
に電圧v1のパルス状の信号が印加されると、薄膜コイル
21′(二次コイル21′と称する)には、一次コイル21に
印加されたパルス状の電圧v1に対応した電圧v2が誘起さ
れる。
The thin-film transmission transformer 20 configured in this way has the thin-film coil 21 (referred to as the primary coil 21) starting from the one electrode portion 21a.
When a pulsed signal of voltage v1 is applied to the thin film coil
A voltage v2 corresponding to the pulsed voltage v1 applied to the primary coil 21 is induced in 21 '(referred to as a secondary coil 21').

第3図は、第1図で示した薄膜伝送トランスの断面図
で、1次コイル21で発生した磁束を、損失なく二次コイ
ル21′に交差させるための構成を説明したものである。
図中、第2図と同一作用をするものは同一符号を付けて
説明する。一次コイル21にパルス状の電圧v1が印加さ
れ、一次コイル21に電流が流れると、磁性薄膜24中で磁
束Φが発生する。その一部の磁束Φは、セラミック基板
22を透過する磁束Φ1と磁性薄膜24の中の磁束Φ2とな
ってXの範囲に広がる。すなわち磁束ΦにはΦ=Φ1+
Φ2の関係が成り立つ。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the thin film transmission transformer shown in FIG. 1 and illustrates a structure for causing the magnetic flux generated in the primary coil 21 to intersect the secondary coil 21 'without loss.
In the figure, components having the same functions as those in FIG. When a pulsed voltage v1 is applied to the primary coil 21 and a current flows through the primary coil 21, a magnetic flux Φ is generated in the magnetic thin film 24. Part of the magnetic flux Φ is the ceramic substrate
The magnetic flux Φ1 passing through 22 and the magnetic flux Φ2 in the magnetic thin film 24 are spread in the X range. That is, for magnetic flux Φ, Φ = Φ1 +
The relationship of Φ2 is established.

また、磁束Φ2については次式に示す関係があり、 (d2Φ2/dx2)−(2/μs・g・t)・Φ2=0 これより次の関係が導かれる。Further, the magnetic flux Φ2 has a relationship shown in the following equation, and (d 2 Φ2 / dx 2 ) − (2 / μs · g · t) · Φ2 = 0.

ここでxは一次コイル21の最外殻のコイル端からの距
離、μsは磁性薄膜24の比透磁率、gはセラミック基板
22の厚み、tは磁性薄膜24の厚みを示している(λは構
成する薄膜材料及びセラミック基板で、薄膜伝送トラン
ス20にほぼ一定した値と考えることができる)。
Here, x is the distance from the coil end of the outermost shell of the primary coil 21, μs is the relative permeability of the magnetic thin film 24, and g is the ceramic substrate.
The thickness of 22 and the thickness t of the magnetic thin film 24 are shown (λ is a thin film material and a ceramic substrate constituting the thin film and can be considered to be a constant value for the thin film transmission transformer 20).

このことから、例えば一次コイル21で得られた磁束Φ
の99%以上を二次コイル21′に供給するためには、xの
距離をx≧5λにすればよいことがわかる。すなわち磁
性薄膜が設けられる距離xを大きくすることで、一次コ
イル21で発生した磁束Φをロス無く二次コイル21′に伝
達することができる。
From this, for example, the magnetic flux Φ obtained by the primary coil 21
In order to supply 99% or more of the above to the secondary coil 21 ', it is understood that the distance of x should be set to x ≧ 5λ. That is, by increasing the distance x at which the magnetic thin film is provided, the magnetic flux Φ generated in the primary coil 21 can be transmitted to the secondary coil 21 ′ without loss.

第4図は、本考案の直流安定化電源のコントロール回
路の分解斜視図である。20は薄膜伝送トランス、12は誤
差増幅器及び変調器からなる誤差増幅用のIC、16は復調
器及びPWM回路からなるスイッチ駆動用のICである。誤
差増幅用のIC12とスイッチ駆動用のIC16が、パッケージ
30の所定の位置に、フェイスアップしてダイボンディン
グされ、薄膜伝送トランス20のバンプ21′aが導体パタ
ーンのパッド30aに半田バンプ技術で接続される。この
ように各チップがパッケージ30に固定された後に、各チ
ップに設けられた一次側のパッドが、パッケージ30上の
配線回路中に設けられている二次側のパッドとワイヤー
ボンディングされて電気的な接続がされる。
FIG. 4 is an exploded perspective view of the control circuit of the DC stabilized power supply of the present invention. Reference numeral 20 is a thin film transmission transformer, 12 is an error amplification IC including an error amplifier and a modulator, and 16 is a switch driving IC including a demodulator and a PWM circuit. IC12 for error amplification and IC16 for driving switches are packaged
The bumps 21'a of the thin film transmission transformer 20 are connected to the pads 30a of the conductor pattern by the solder bump technique by face-up die-bonding to a predetermined position of 30. After each chip is fixed to the package 30 in this manner, the pads on the primary side provided on each chip are electrically bonded by wire bonding to the pads on the secondary side provided in the wiring circuit on the package 30. Connections are made.

12aは誤差増幅用のIC12に設けられている一次側のパ
ッドで、パッケージ30の配線回路上に設けられた二次側
のパッド30bとワイヤーボンディングされて接続されて
いる。16aはスイッチ駆動用のIC16の一次側のパッド
で、誤差増幅用のIC12と同様に、パッケージ30の二次側
のパッド30cとワイヤーボンディングされる。薄膜伝送
トランス20は、既にバンプ21′aがパッケジ30上のパッ
ド30aを介して誤差増幅回路用のIC12側と接続されてい
るので、パッド21aだけがスイッチ駆動用のIC16側と二
次側のパッド30dを介してワイヤーボンディングされ
る。
Reference numeral 12a is a primary side pad provided in the error amplification IC 12, and is connected to a secondary side pad 30b provided on the wiring circuit of the package 30 by wire bonding. Reference numeral 16a denotes a primary side pad of the switch driving IC 16, which is wire-bonded to the secondary side pad 30c of the package 30, similarly to the error amplification IC12. In the thin film transmission transformer 20, since the bumps 21'a are already connected to the IC12 side for the error amplification circuit via the pads 30a on the package 30, only the pads 21a are the IC16 side for the switch drive and the secondary side. Wire bonding is performed via the pad 30d.

このように完全に電気的に接続されたコントロール回
路は、最後にキャップ31が被されてシーリングされる。
The control circuit thus completely electrically connected is finally covered with the cap 31 and sealed.

第5図は、本考案の直流安定化電源装置の他の実施例
であるコントロール回路の分解斜視図である。32は第1
図で薄膜伝送トランスに用いられたものと同じ材質のセ
ラミック基板で、幅W、長さKの略長方形の形状をして
いる。セラミック基板32の、領域A及びBの両面には、
SOS(シリコン・オン・サファイヤ)成長によりシリコ
ン単結晶が形成され、A領域の裏面には誤差増幅用のIC
12′が設けられ、B領域の表面にはスイッチ駆動用のIC
16が設けられる。C領域はシリコン単結晶が形成されて
いない部分で、この領域のそれぞれの面には、薄膜伝送
トランス20の一次コイル21′及び二次コイル21が形成さ
れる。一次コイル21′は誤差増幅用のIC12′と薄膜導体
パターン(図省略)で接続され、二次コイル21はスイッ
チ駆動用のIC16と、薄膜導体パターン(図省略)で接続
されている。
FIG. 5 is an exploded perspective view of a control circuit which is another embodiment of the stabilized DC power supply device of the present invention. 32 is the first
In the figure, a ceramic substrate made of the same material as that used for the thin film transmission transformer is used, and has a substantially rectangular shape with a width W and a length K. On both sides of the areas A and B of the ceramic substrate 32,
A silicon single crystal is formed by SOS (silicon on sapphire) growth, and an IC for error amplification is formed on the back surface of the A region.
12 'is provided, and the switch driving IC is on the surface of the B area.
16 are provided. The C region is a portion where the silicon single crystal is not formed, and the primary coil 21 'and the secondary coil 21 of the thin film transmission transformer 20 are formed on each surface of this region. The primary coil 21 'is connected to the error amplifying IC 12' by a thin film conductor pattern (not shown), and the secondary coil 21 is connected to the switch driving IC 16 by a thin film conductor pattern (not shown).

12′aは誤差増幅用のIC12′を外部回路と接続するた
めのバンプで、パッケージ33上に設けられた回路中のパ
ッド33aとボンディングされる。16aはスイッチ駆動用の
IC16を外部回路と接続するための一次側のパッドで、パ
ッケージ33上の二次側のパッド33bとワイヤーボンディ
ングされて接続される。
Reference numeral 12'a is a bump for connecting the IC 12 'for error amplification to an external circuit, and is bonded to a pad 33a in the circuit provided on the package 33. 16a for switch drive
It is a primary side pad for connecting the IC 16 to an external circuit, and is connected by wire bonding to a secondary side pad 33b on the package 33.

このように、外部回路と電気的接続されたコントロー
ル回路は、この後キャップ31が被されてシーリングされ
る。
In this way, the control circuit electrically connected to the external circuit is covered with the cap 31 and then sealed.

〈考案の効果〉 以上詳細に説明したように、本考案のコントロール回
路は、コントロール回路中の伝送トランスを薄膜化する
と共に、誤差増幅回路及びスイッチ駆動回路等もIC化
し、ハイブリッド化したもので、小形化及び機能化が図
れる。
<Effects of Device> As described in detail above, the control circuit of the present invention is a hybrid in which the transmission transformer in the control circuit is thinned and the error amplifier circuit and the switch drive circuit are also integrated into an IC. Can be miniaturized and functionalized.

また、一枚のセラミック基板上のそれぞれの面に、IC
と薄膜伝送トランスを一体に設けることができるので、
部品点数が少なく実装作業性が良い。
In addition, on each surface of one ceramic substrate, IC
Since the thin film transmission transformer and the
The number of parts is small and the mounting workability is good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案の直流安定化電源装置の全体の構成概念
図、第2図は本考案の直流安定化電源装置のコントロー
ル回路に用いられている薄膜伝送トランスの構成図で、
(A)は平面図、(B)はA−A′断面図、第3図は磁
束の損失を説明するための断面図、第4図は本考案の直
流安定化電源装置のコントロール回路の分解斜視図、第
5図は他の実施例であるコントロール回路の分解斜視
図、第6図は従来の直流安定化電源装置の構成ブロック
図である。 12…誤差増幅用のIC、16…スイッチ駆動用のIC、20…薄
膜伝送トランス、21、21′…薄膜コイル(一次及び二次
コイル)、23、23′…絶縁層、24、24′…磁性薄膜、3
0、33…パッケージ。
FIG. 1 is a conceptual diagram of the overall structure of a DC stabilized power supply device of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of a thin film transmission transformer used in a control circuit of the DC stabilized power supply device of the present invention.
(A) is a plan view, (B) is a sectional view taken along the line AA ', FIG. 3 is a sectional view for explaining the loss of magnetic flux, and FIG. 4 is an exploded view of the control circuit of the DC stabilized power supply device of the present invention. FIG. 5 is an exploded perspective view of a control circuit according to another embodiment, and FIG. 6 is a configuration block diagram of a conventional DC stabilized power supply device. 12 ... IC for error amplification, 16 ... IC for driving switch, 20 ... Thin film transmission transformer, 21, 21 '... Thin film coil (primary and secondary coil), 23, 23' ... Insulating layer, 24, 24 '... Magnetic thin film, 3
0, 33 ... Package.

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】入力直流電圧をスイッチ素子によりオン/
オフしてトランスの一次巻線に与え、二次巻線に誘起す
る交番信号を整流平滑化して負荷に供給するDC/DC変換
部の出力直流電圧を一定に維持するように前記スイッチ
素子のオン/オフを制御するコントロール回路におい
て、 前記出力電圧を基準電圧と比較して得た誤差増幅信号を
パルス信号として取り出す誤差増幅用ICと、 前記パルス信号が一次側コイルに供給され、二次側コイ
ルに出力信号が誘起されるトランスが薄膜でセラミック
上に形成された薄膜伝送トランスと、 この薄膜伝送トランスの二次側から得られるパルス状の
信号を受け前記スイッチのオン/オフを制御するスイッ
チ駆動用ICと、 前記薄膜伝送トランスの第1のコイルと前記誤差増幅用
ICの回路を薄膜回路を介して接続すると共に、前記薄膜
伝送トランスの第2のコイルと前記スイッチ駆動用ICの
回路を薄膜回路を介して接続するパッケージと、 を具備したことを特徴としたコントロール回路。
1. A switch element turns on / off an input DC voltage.
Turn off to apply to the primary winding of the transformer, rectify and smooth the alternating signal induced in the secondary winding, and turn on the switching element to maintain the output DC voltage of the DC / DC converter that is supplied to the load constant. In a control circuit for controlling ON / OFF, an error amplification IC that extracts an error amplification signal obtained by comparing the output voltage with a reference voltage as a pulse signal, and the pulse signal is supplied to a primary coil, and a secondary coil A thin film transmission transformer in which an output signal is induced in a thin film is formed on a ceramic, and a switch drive for controlling ON / OFF of the switch by receiving a pulsed signal obtained from the secondary side of the thin film transmission transformer. IC, the first coil of the thin film transmission transformer and the error amplification
A control comprising: a circuit for connecting an IC circuit through a thin film circuit, and a package for connecting a second coil of the thin film transmission transformer and a circuit for the switch driving IC through the thin film circuit. circuit.
【請求項2】入力直流電圧をスイッチ素子によりオン/
オフしてトランスの一次巻線に与え、二次巻線に誘起す
る交番信号を整流平滑化して負荷に供給するDC/DC変換
部の出力直流電圧を一定に維持するように前記スイッチ
素子のオン/オフを制御するコントロール回路におい
て、 一方の面に、前記出力電圧を基準電圧と比較して得た誤
差増幅信号をパルス信号として取り出す誤差増幅用ICと
前記パルス信号が一次側コイルに供給される薄膜伝送ト
ランスとを具備すると共に、他方の面に、前記薄膜伝送
トランスの二次側コイルとこの二次側コイルから得られ
るパルス状の信号を受け前記スイッチのオン/オフを制
御するスイッチ駆動用ICを具備するセラミック基板と、 前記誤差増幅用ICの回路を薄膜回路を介して外部回路と
接続すると共に、前記スイッチ駆動用ICの回路を薄膜回
路を介して外部回路と接続するパッケージと、 を具備したことを特徴としたコントロール回路。
2. An input DC voltage is turned on / off by a switch element.
Turn off to apply to the primary winding of the transformer, rectify and smooth the alternating signal induced in the secondary winding, and turn on the switching element to maintain the output DC voltage of the DC / DC converter that is supplied to the load constant. In a control circuit for controlling ON / OFF, an error amplification IC for extracting an error amplification signal obtained by comparing the output voltage with a reference voltage as a pulse signal and the pulse signal are supplied to the primary coil on one surface. A thin film transmission transformer is provided, and a switch for driving the secondary side coil of the thin film transmission transformer and a pulse-shaped signal obtained from the secondary side coil on the other surface to control ON / OFF of the switch. A circuit board of the error amplification IC is connected to an external circuit through a thin film circuit, and a circuit board of the switch driving IC is connected to the external circuit through the thin film circuit. Control circuit is characterized in that anda package to be connected.
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