JPH08107078A - Apparatus and method for heating semiconductor device - Google Patents
Apparatus and method for heating semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH08107078A JPH08107078A JP23885394A JP23885394A JPH08107078A JP H08107078 A JPH08107078 A JP H08107078A JP 23885394 A JP23885394 A JP 23885394A JP 23885394 A JP23885394 A JP 23885394A JP H08107078 A JPH08107078 A JP H08107078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lamp
- heating
- substrate
- maximum intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ランプ光を照射し、基
板表面を加熱して、不純物の積層あるいは不純物の拡散
または成膜を行う半導体装置の加熱装置およびその方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device heating apparatus and method for irradiating lamp light to heat a substrate surface to stack impurities, diffuse impurities, or form a film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、この種のランプ光を用いた加熱
方法としては、タングステン・ハロゲン・ランプ、ある
いはキセノン・アーク・ランプのランプ光を単一種類用
いて、半導体装置の基板の上面から、あるいは上下の両
面から照射することによって行っていた。図６は従来の
半導体装置の加熱装置の構成図である。同図に基づいて
従来技術を説明すると、符号１で示すものはタングステ
ン・ハロゲン・ランプで、反応室６の上下に対向するよ
うにして複数個配設されている。４は半導体装置のシリ
コン基板で、回転自在に支持されたターンテーブル５に
支持されて、反応室６内に収納されている。７は反応室
６内に反応ガスを導入するガス導入管である。このよう
な構成において、ランプ１からシリコン基板４にランプ
光を照射することにより、シリコン基板４を上下から加
熱している。このとき、ランプ１の印加電圧を調整する
ことにより、シリコン基板４の加熱温度が制御され、ま
た、シリコン基板４に対する相対的な位置の異なる個々
のランプ印加電圧比を調整することにより、シリコン基
板４の面内温度の均一性が制御される。2. Description of the Related Art In general, as a heating method using this kind of lamp light, a single kind of lamp light of a tungsten halogen lamp or a xenon arc lamp is used, and from the upper surface of a substrate of a semiconductor device. Alternatively, the irradiation was performed from both the upper and lower sides. FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional heating device for a semiconductor device. The prior art will be described with reference to FIG. 1. A reference numeral 1 denotes a tungsten halogen lamp, and a plurality of tungsten halogen lamps are provided so as to be opposed to the upper and lower sides of the reaction chamber 6. Reference numeral 4 denotes a silicon substrate of the semiconductor device, which is supported by a turntable 5 that is rotatably supported and housed in a reaction chamber 6. Reference numeral 7 denotes a gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber 6. In such a configuration, the silicon substrate 4 is heated from above and below by irradiating the silicon substrate 4 with lamp light from the lamp 1. At this time, the heating temperature of the silicon substrate 4 is controlled by adjusting the applied voltage of the lamp 1, and by adjusting the lamp applied voltage ratio of each lamp having a different position relative to the silicon substrate 4, the silicon substrate 4 is heated. The in-plane temperature uniformity of No. 4 is controlled.
【０００３】また、従来の別の例として特開昭６１−１
１６８２０号公報に開示されたものがある。ここに開示
されたものは、キセノン・ランプとタングステン・ラン
プの２種類のランプを併用する方法であって、多結晶シ
リコン／二酸化シリコン／シリコン基板のいわゆるＳＯ
Ｉ構造のアニールにおいて、多結晶シリコンとシリコン
基板との温度差が生じないように、基板の上方に配置さ
れているキセノン・ランプにより基板上面の多結晶シリ
コンを、同時に、基板下方に配置されたタングステン・
ランプにより基板下面のシリコンを加熱するものであ
る。Further, as another conventional example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-1
There is one disclosed in Japanese Patent No. 16820. Disclosed herein is a method of using two types of lamps, a xenon lamp and a tungsten lamp, in which a so-called SO / SO 2 of polycrystalline silicon / silicon dioxide / silicon substrate is used.
In the annealing of the I structure, the polycrystalline silicon on the upper surface of the substrate was simultaneously placed below the substrate by a xenon lamp placed above the substrate so that a temperature difference between the polycrystalline silicon and the silicon substrate did not occur. tungsten·
The lamp heats the silicon on the lower surface of the substrate.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１の方法では、材質、膜厚、積層する等の構造が異
なる複数種の膜構造を併せ持つ基板を加熱する場合、こ
れら複数種の膜構造によって部分的に加熱温度が異なる
という問題が発生していた。これは光の吸収（反射）が
膜構造に強く依存するためである。これを図４で説明す
る。図４はシリコン基板４の表面側に厚みの異なる酸化
膜を形成している場合における反射率とランプ光の波長
との関係を計算により求めて表した図である。図中、特
性ａは、シリコン基板４上に厚さ３０００Åのシリコン
酸化膜が形成されている場合の反射率であり、特性ｂ
は、シリコン基板４上に厚さ５０００Åのシリコン酸化
膜が形成されている場合の反射率である。同図から反射
率は、光の波長に大きく依存し、かつ、表面膜構造に大
きく依存することがわかる。一方、一定量のランプ光照
射によりシリコン基板４を加熱した場合、シリコン基板
の温度は反射率に依存し、特にランプ光が最大強度とな
る波長での反射率に依存することになる。However, in the above-described first method, when a substrate having a plurality of film structures having different structures such as material, film thickness, and stacking structure is heated, these film structure There is a problem that the heating temperature is partially different depending on the type. This is because the absorption (reflection) of light strongly depends on the film structure. This will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram in which the relationship between the reflectance and the wavelength of lamp light when the oxide films having different thicknesses are formed on the surface side of the silicon substrate 4 is calculated and shown. In the figure, characteristic a is the reflectance when a silicon oxide film having a thickness of 3000 Å is formed on the silicon substrate 4, and characteristic b
Is the reflectance when a silicon oxide film having a thickness of 5000 ° is formed on the silicon substrate 4. From the figure, it can be seen that the reflectance greatly depends on the wavelength of light and also greatly depends on the surface film structure. On the other hand, when the silicon substrate 4 is heated by irradiating a certain amount of lamp light, the temperature of the silicon substrate depends on the reflectance, and particularly on the wavelength at which the lamp light has the maximum intensity.
【０００５】したがって、波長約１ミクロン・メートル
に最大強度波長を有するタングステン・ハロゲン・ラン
プ光１を、厚さ３０００Åと５０００Åの２種類の構造
のシリコン酸化膜を有するシリコン基板に対して上面か
ら照射して加熱した場合、３０００Åのシリコン酸化膜
の部分が、５０００Åのシリコン酸化膜の部分よりも温
度が高くなり、同一のシリコン基板４内で膜構造の違い
により温度勾配が生じてしまうからである。また、第２
の方法では、異なるランプにより、多結晶シリコンとシ
リコン基板との温度差が生じないようにしているが、こ
の加熱方法で、多結晶シリコン上にパターン等を化学気
相成長させる場合、成長する多結晶シリコン自身により
膜厚が変化し、このため上述した第１の方法と同様に膜
構造が変化することにより、光の吸収が変化し、成膜中
に基板温度が変化するといった問題があった。Therefore, a tungsten-halogen lamp light 1 having a maximum intensity wavelength of about 1 micron meter is irradiated from above on a silicon substrate having two types of silicon oxide films having a thickness of 3000 ° and 5000 °. This is because, when heating is performed, the temperature of the 3000 ° silicon oxide film is higher than that of the 5000 ° silicon oxide film, and a temperature gradient occurs in the same silicon substrate 4 due to a difference in film structure. . Also, the second
In the above method, the temperature difference between the polycrystalline silicon and the silicon substrate is prevented from occurring by using different lamps. However, when a pattern or the like is chemically vapor-deposited on the polycrystalline silicon by this heating method, the poly There is a problem in that the film thickness is changed by the crystalline silicon itself, and thus the film structure is changed similarly to the first method, the light absorption is changed, and the substrate temperature is changed during film formation. .
【０００６】したがって、本発明は上記した従来の問題
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、基板温度が膜構造に依存せずに均一な分布となる半
導体装置の加熱装置およびその方法を提供することにあ
る。Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a heating device for a semiconductor device in which the substrate temperature has a uniform distribution without depending on the film structure, and To provide that method.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置の加熱装置は、半導体装置
の基板表面にランプ光を照射して半導体装置を加熱する
装置であって、最大強度波長の異なる複数種のランプ光
を配置したものである。また、本発明に係る半導体装置
の加熱装置は、ランプ光と半導体装置との相対位置関係
を変化させる手段を備えたものである。また、本発明に
係る半導体装置の加熱装置は、ランプ光を半導体装置の
表裏に対向配置したものである。また、本発明に係る半
導体装置の加熱方法は、半導体装置の基板表面にランプ
光を照射して半導体装置を加熱する方法であって、最大
強度波長の異なる複数種のランプ光を独立に制御して各
ランプ光のランプ強度比を変えることにより、複数種の
膜厚構造を備えた基板表面全体の反射率を均一としたも
のである。To achieve this object, a semiconductor device heating apparatus according to the present invention is an apparatus for heating a semiconductor device by irradiating a substrate surface of the semiconductor device with lamp light. A plurality of types of lamp light having different maximum intensity wavelengths are arranged. Further, the semiconductor device heating apparatus according to the present invention includes means for changing the relative positional relationship between the lamp light and the semiconductor device. Further, in the heating device for a semiconductor device according to the present invention, lamp light is arranged to face the front and back of the semiconductor device. Further, a method for heating a semiconductor device according to the present invention is a method for heating a semiconductor device by irradiating a substrate surface of the semiconductor device with lamp light, and independently controlling a plurality of types of lamp light having different maximum intensity wavelengths. By changing the lamp intensity ratio of each lamp light, the reflectance of the entire substrate surface having a plurality of film thickness structures is made uniform.
【０００８】[0008]
【作用】本発明によれば、種々の膜構造に対して最大強
度波長の異なるランプ光を配設することにより、個々の
膜構造の反射率が均一化される。また、本発明によれ
ば、複数種のランプから基板の各表面にランプ光が均一
に照射される。また、本発明によれば、基板の裏面も加
熱する場合に、その裏面の加熱温度による表面側に及ぼ
す影響が小となる。また、本発明によれば、均一な反射
率により均一な温度による加熱がなされる。According to the present invention, by providing lamp lights having different maximum intensity wavelengths to various film structures, the reflectance of each film structure is made uniform. Further, according to the present invention, the lamp light is uniformly irradiated from each of the plurality of types of lamps onto each surface of the substrate. Further, according to the present invention, when the back surface of the substrate is also heated, the influence of the heating temperature of the back surface on the front surface side is small. Further, according to the present invention, heating is performed at a uniform temperature with a uniform reflectance.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明
する。図１は本発明に係る半導体装置の加熱装置の構成
図である。同図において、従来技術と同一の構成につい
ては同一の符号を付し詳細な説明は省略する。本発明の
特徴とするところは、表面が上方を向いてターンテーブ
ル５上に載置された半導体装置のシリコン基板４の上方
に、最大強度波長の異なる２種類のランプ、すなわち、
波長約０．９ミクロン・メートルに最大強度を持つ色温
度３４００Ｋのタングステン・ハロゲン・ランプ１と波
長約１．４ミクロン・メートルに最大強度を持つ色温度
２２００Ｋのタングステン・ハロゲン・ランプ２を交互
に配設した点にある。なお、これら２種類のランプ１，
２は図中紙面手前から奥方に延在する長細い管状を呈
し、シリコン基板４は円板状を呈している。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a heating device of a semiconductor device according to the present invention. In the figure, the same components as those of the prior art are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. A feature of the present invention is that two kinds of lamps having different maximum intensity wavelengths are provided above a silicon substrate 4 of a semiconductor device placed on a turntable 5 with its surface facing upward, that is,
Alternately a tungsten halogen lamp 1 with a color temperature of 3400K having a maximum intensity at a wavelength of about 0.9 micron meter and a tungsten halogen lamp 2 with a color temperature of 2200K having a maximum intensity at a wavelength of about 1.4 micrometer It is in the point where it was arranged. In addition, these two types of lamp 1,
Reference numeral 2 denotes a long thin tube extending from the front side to the back side in the drawing, and the silicon substrate 4 has a disk shape.
【００１０】ところで、膜構造に依存した温度勾配は、
基板温度に最も大きな影響を与える最大強度波長での光
の反射率の違いを強く反映することは既に上述したが、
図４に示したように、反射率は広い波長範囲では、極大
と極小を繰り返しながら振動するものであり、ある波長
では反射率が大きくても、他のある波長では小さくなる
ものである。例えば、波長が０．９ミクロン・メートル
の光に対しては、膜厚３０００Åのシリコン酸化膜の反
射率は、膜厚５０００Åのシリコン酸化膜の反射率より
も大となっているが、波長が１．４ミクロン・メートル
の光に対しては、逆となっている。By the way, the temperature gradient depending on the film structure is
As already mentioned above, it strongly reflects the difference in light reflectance at the maximum intensity wavelength that has the greatest effect on the substrate temperature,
As shown in FIG. 4, the reflectance oscillates while repeating the maximum and the minimum in a wide wavelength range, and the reflectance is large at a certain wavelength but is small at another wavelength. For example, for light having a wavelength of 0.9 μm, the reflectance of a silicon oxide film having a thickness of 3000 ° is larger than that of a silicon oxide film having a thickness of 5000 °, The opposite is true for 1.4 micron meters of light.
【００１１】したがって、本実施例のように、シリコン
基板４上の膜構造、すなわち、３０００Åおよび５００
０Åの膜厚に対して同一の反射率が得られる最大強度波
長を持つ異なる２種類のランプ１，２、すなわち、波長
約０．９ミクロン・メートルと波長約１．４ミクロン・
メートルにそれぞれ最大強度を持つランプ１，２をシリ
コン基板４の上方に複数個交互に配設することにより、
両膜構造における反射率を同じとすることができる。そ
して、ターンテーブル５を回転させてシリコン基板４の
各膜構造とランプ１，２との相対的位置関係を変えるこ
とにより、各膜構造とランプ１、２とが均一な位置関係
となり、ランプ１，２から各膜構造へ照射される光量が
均一となるので、両膜構造における加熱温度が同じとな
り、シリコン基板４上での加熱温度勾配を少なくするこ
とができる。Therefore, as in this embodiment, the film structure on the silicon substrate 4, ie, 3000 ° and 500 °
Two different types of lamps 1 and 2 with the maximum intensity wavelength that can obtain the same reflectance for a film thickness of 0Å, that is, a wavelength of about 0.9 μm and a wavelength of about 1.4 μm.
By alternately arranging a plurality of lamps 1 and 2 having the maximum intensity in meters above the silicon substrate 4,
The reflectance in both film structures can be the same. Then, by rotating the turntable 5 to change the relative positional relationship between the respective film structures of the silicon substrate 4 and the lamps 1 and 2, the respective film structures and the lamps 1 and 2 have a uniform positional relationship. , 2 to each film structure becomes uniform, so that the heating temperatures in both film structures become the same, and the heating temperature gradient on the silicon substrate 4 can be reduced.
【００１２】図５はシリコン基板上のある領域Ｂでは酸
化膜３０００Åが形成され、他の領域Ａでは酸化膜５０
００Åが形成されている半導体装置の基板を、波長約約
０．９ミクロン・メートルに最大強度を持つ色温度３４
００Ｋのタングステン・ハロゲン・ランプの一種類のラ
ンプで加熱した場合と、波長約０．９ミクロン・メート
ルに最大強度を持つ色温度３４００Ｋのタングステン・
ハロゲン・ランプと波長約１．４ミクロン・メートルに
最大強度を持つ色温度２２００Ｋのタングステン・ハロ
ゲン・ランプの二種類のランプで加熱した場合の基板温
度である。同図から二種類のランプで加熱した場合に
は、半導体装置の基板内の温度勾配を小さくできること
がわかる。In FIG. 5, an oxide film 3000Å is formed in a certain area B on the silicon substrate, and an oxide film 50 is formed in another area A.
The substrate of the semiconductor device on which 00 ° is formed has a color temperature 34 having a maximum intensity at a wavelength of about 0.9 μm.
When heated with one kind of a 00K tungsten halogen lamp, a tungsten lamp of a color temperature of 3400K having a maximum intensity at a wavelength of about 0.9 μm is used.
This is the substrate temperature when heated by two types of lamps, a halogen lamp and a tungsten halogen lamp having a color temperature of 2200K and having a maximum intensity at a wavelength of about 1.4 μm. It can be seen from the figure that when heating with two types of lamps, the temperature gradient in the substrate of the semiconductor device can be reduced.
【００１３】また、個々に独立してランプ光の光量を制
御し、互いのランプ強度比を変えることにより、よりシ
リコン基板の温度勾配を小さくすることが可能となると
ともに、２種類のランプ光で３種類以上の複数種の膜構
造が異なる領域を有するシリコン基板４の加熱温度勾配
を少なくすることも可能となる。Further, by independently controlling the amount of the lamp light and changing the lamp intensity ratio between each other, it is possible to further reduce the temperature gradient of the silicon substrate and to use two types of lamp light. It is also possible to reduce the heating temperature gradient of the silicon substrate 4 having regions in which three or more types of film structures are different.
【００１４】図２は本発明の第２の実施例を示す構成図
である。この第２の実施例では、上述した第１の実施例
にさらに別の最大強度波長を有するランプ３を配設し
て、３種類のランプ３を配設したものである。このよう
にランプの種類を増やすことにより、第１の実施例で説
明した個々に独立してランプ光の光量を制御する代わり
にランプの種類により、３種類以上の膜構造に対して加
熱温度勾配を少なくすることができる。FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, three types of lamps 3 are provided by further providing a lamp 3 having another maximum intensity wavelength in the first embodiment described above. By increasing the types of lamps in this way, instead of controlling the amount of lamp light independently as described in the first embodiment, a heating temperature gradient is applied to three or more types of film structures depending on the types of lamps. Can be reduced.
【００１５】図３は本発明の第３の実施例を示す構成図
である。この第３の実施例では、シリコン基板４の上下
に２種類のランプ光１，２を互いに向き合うように一対
配設したものである。このように構成することにより、
シリコン基板４の裏面に酸化膜等が形成されている場合
でも、裏面からの加熱による加熱温度勾配の影響を小さ
くすることができる。FIG. 3 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, a pair of two types of lamp lights 1 and 2 are arranged on the upper and lower sides of a silicon substrate 4 so as to face each other. By configuring in this way,
Even when an oxide film or the like is formed on the back surface of the silicon substrate 4, the influence of a heating temperature gradient due to heating from the back surface can be reduced.
【００１６】なお、本実施例では、ランプ光１，２を色
温度の異なるタングステン・ハロゲン・ランプを用いた
が、これに限定されず、例えばキセノン・アーク・ラン
プを用いてもよく、種々の変更が可能であることはいう
までないことである。In this embodiment, the lamp lights 1 and 2 are tungsten halogen lamps having different color temperatures. However, the present invention is not limited to this. For example, a xenon arc lamp may be used. It goes without saying that changes can be made.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体装置の基板表面にランプ光を照射して半導体装置を
加熱する装置において、最大強度波長の異なる複数種の
ランプ光を配置したので、種々の膜構造に対して最大強
度波長の異なるランプ光を配設することにより、個々の
膜構造の反射率が均一化されるので、基板の温度勾配を
少なくすることができる。As described above, according to the present invention, a plurality of types of lamp lights having different maximum intensity wavelengths are arranged in a device for heating the semiconductor device by irradiating the substrate surface of the semiconductor device with the lamp light. By disposing lamp lights having different maximum intensity wavelengths for various film structures, the reflectance of each film structure is made uniform, so that the temperature gradient of the substrate can be reduced.
【００１８】また、本発明によれば、ランプ光と半導体
装置との相対位置関係を変化させる手段を備えたことに
より、ランプから各膜構造へ照射される光量が均一とな
るので、各膜構造における加熱温度が同じとなり、基板
の加熱温度勾配を少なくすることができる。Further, according to the present invention, since the means for changing the relative positional relationship between the lamp light and the semiconductor device is provided, the amount of light emitted from the lamp to each film structure becomes uniform, so that each film structure. Since the heating temperature is the same, the heating temperature gradient of the substrate can be reduced.
【００１９】また、本発明によれば、ランプ光を半導体
装置の表裏に対向配置したことにより、基板の裏面を加
熱するような場合でも、裏面からの加熱による加熱温度
勾配の影響を小さくすることができる。Further, according to the present invention, by arranging the lamp light to face the front and back of the semiconductor device, even when the back surface of the substrate is heated, the influence of the heating temperature gradient due to the heating from the back surface can be reduced. You can
【００２０】また、本発明によれば、最大強度波長の異
なる複数種のランプ光を独立に制御して各ランプ光のラ
ンプ強度比を変えることにより、複数種の膜厚構造を備
える基板表面全体の反射率を均一としたことにより、基
板加熱温度の膜構造依存性を抑えることが可能となり、
基板の加熱温度勾配を少なくすることができる。Further, according to the present invention, a plurality of types of lamp lights having different maximum intensity wavelengths are independently controlled to change the lamp intensity ratio of the respective lamp lights, so that the entire substrate surface having a plurality of types of film thickness structures is formed. By making the reflectance uniform, it becomes possible to suppress the dependence of the substrate heating temperature on the film structure,
The heating temperature gradient of the substrate can be reduced.
【図１】 本発明に係る半導体装置の加熱装置の構成図
である。FIG. 1 is a configuration diagram of a heating device for a semiconductor device according to the present invention.
【図２】 本発明に係る半導体装置の加熱装置の第２の
実施例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of a semiconductor device heating apparatus according to the present invention.
【図３】 本発明に係る半導体装置の加熱装置の第３の
実施例の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a third embodiment of a heating device for a semiconductor device according to the present invention.
【図４】 本発明に係る半導体装置の加熱装置で加熱し
た場合の加熱温度分布図である。FIG. 4 is a heating temperature distribution diagram when heating is performed by the heating device of the semiconductor device according to the present invention.
【図５】 従来の半導体装置の加熱装置の構成図であ
る。FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional heating device for a semiconductor device.
【図６】 半導体装置の膜厚に対するランプ光の波長と
反射率の関係を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the wavelength of lamp light and the reflectance with respect to the film thickness of a semiconductor device.
１，２，３…ランプ光、４…シリコン基板、５…ターン
テーブル、６…反応室、７…ガス導入管。1, 2, 3 ... Lamp light, 4 ... Silicon substrate, 5 ... Turntable, 6 ... Reaction chamber, 7 ... Gas introduction pipe.
Claims (4)
して基板表面を加熱する装置において、最大強度波長の
異なる複数種のランプ光を配置したことを特徴とする半
導体装置の加熱装置。1. A heating device for a semiconductor device, wherein a plurality of types of lamp lights having different maximum intensity wavelengths are arranged in a device for heating the substrate surface by irradiating the substrate surface of the semiconductor device with the lamp light.
おいて、ランプ光と半導体装置との相対位置関係を変化
させる手段を備えたことを特徴とする半導体装置の加熱
装置。2. The heating device for a semiconductor device according to claim 1, further comprising means for changing a relative positional relationship between the lamp light and the semiconductor device.
おいて、ランプ光を半導体装置の表裏に対向配置したこ
とを特徴とする半導体装置の加熱装置。3. The heating device for a semiconductor device according to claim 1, wherein the lamp light is arranged to face the front and back of the semiconductor device.
して半導体装置を加熱する方法において、最大強度波長
の異なる複数種のランプ光を独立に制御して各ランプ光
のランプ強度比を変えることにより、複数種の膜厚構造
を備える基板表面全体の反射率を均一としたことを特徴
とする半導体装置の加熱方法。4. A method of heating a semiconductor device by irradiating the substrate surface of the semiconductor device with the lamp light, wherein a plurality of types of lamp lights having different maximum intensity wavelengths are independently controlled to change the lamp intensity ratio of each lamp light. Accordingly, the semiconductor device heating method is characterized in that the reflectance of the entire substrate surface having a plurality of film thickness structures is made uniform.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238853A JP2669358B2 (en) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | Method of heating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238853A JP2669358B2 (en) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | Method of heating semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107078A true JPH08107078A (en) | 1996-04-23 |
| JP2669358B2 JP2669358B2 (en) | 1997-10-27 |
Family
ID=17036241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6238853A Expired - Lifetime JP2669358B2 (en) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | Method of heating semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669358B2 (en) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751896A (en) * | 1996-02-22 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
| US6126744A (en) * | 1996-11-18 | 2000-10-03 | Asm America, Inc. | Method and system for adjusting semiconductor processing equipment |
| JP2002075901A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | Annealer, plating system, and method of manufacturing semiconductor device |
| US6421503B2 (en) * | 2000-05-22 | 2002-07-16 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrared radiation system with multiple IR radiators of different wavelength |
| JP2004200204A (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Heat treatment apparatus |
| WO2006030699A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Soi wafer manufacturing method and soi wafer |
| JP2006080461A (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi wafer and manufacturing method thereof |
| JP2006086305A (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Manufacturing method of soi wafer |
| US7254319B2 (en) * | 2002-11-27 | 2007-08-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Heating system comprising at least two different radiations |
| US20100209082A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Heating lamp system |
| DE102013105959A1 (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | Heraeus Noblelight Gmbh | Operating method and apparatus for irradiating a substrate |
| CN110016656A (en) * | 2019-05-23 | 2019-07-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Chemical vapor deposition chamber |
| US10932323B2 (en) | 2015-08-03 | 2021-02-23 | Alta Devices, Inc. | Reflector and susceptor assembly for chemical vapor deposition reactor |
| KR102227596B1 (en) * | 2019-09-24 | 2021-03-15 | (주) 예스티 | Apparatus for heat treatment to glass |
| KR20210035560A (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | (주) 예스티 | Glass treating apparatus including lamp modules |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193438A (en) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Fujitsu Ltd | Lamp annealing device |
| JPH02114514A (en) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Sony Corp | Formation of polycrystalline silicon film |
| JPH0325928A (en) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Corp | Lamp type thermal treatment equipment for semiconductor wafer |
-
1994
- 1994-10-03 JP JP6238853A patent/JP2669358B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193438A (en) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Fujitsu Ltd | Lamp annealing device |
| JPH02114514A (en) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Sony Corp | Formation of polycrystalline silicon film |
| JPH0325928A (en) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Corp | Lamp type thermal treatment equipment for semiconductor wafer |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751896A (en) * | 1996-02-22 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
| US6043450A (en) * | 1996-02-22 | 2000-03-28 | Micron Technology, Inc. | Method to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
| US6051823A (en) * | 1996-02-22 | 2000-04-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
| US6243534B1 (en) | 1996-02-22 | 2001-06-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
| US6126744A (en) * | 1996-11-18 | 2000-10-03 | Asm America, Inc. | Method and system for adjusting semiconductor processing equipment |
| US6421503B2 (en) * | 2000-05-22 | 2002-07-16 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrared radiation system with multiple IR radiators of different wavelength |
| US6577816B2 (en) * | 2000-05-22 | 2003-06-10 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrared radiation system with multiple IR radiators of different wavelength |
| JP2002075901A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | Annealer, plating system, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7254319B2 (en) * | 2002-11-27 | 2007-08-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Heating system comprising at least two different radiations |
| JP2004200204A (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Heat treatment apparatus |
| JP2006080461A (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi wafer and manufacturing method thereof |
| WO2006030699A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Soi wafer manufacturing method and soi wafer |
| JP2006086305A (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Manufacturing method of soi wafer |
| JP4696510B2 (en) * | 2004-09-15 | 2011-06-08 | 信越半導体株式会社 | Manufacturing method of SOI wafer |
| US20100209082A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Heating lamp system |
| DE102013105959A1 (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | Heraeus Noblelight Gmbh | Operating method and apparatus for irradiating a substrate |
| DE102013105959B4 (en) | 2013-06-07 | 2019-06-19 | Heraeus Noblelight Gmbh | Operating method and apparatus for irradiating a substrate |
| US10932323B2 (en) | 2015-08-03 | 2021-02-23 | Alta Devices, Inc. | Reflector and susceptor assembly for chemical vapor deposition reactor |
| CN110016656A (en) * | 2019-05-23 | 2019-07-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Chemical vapor deposition chamber |
| CN110016656B (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Chemical vapor deposition chamber |
| KR102227596B1 (en) * | 2019-09-24 | 2021-03-15 | (주) 예스티 | Apparatus for heat treatment to glass |
| KR20210035560A (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | (주) 예스티 | Glass treating apparatus including lamp modules |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669358B2 (en) | 1997-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08107078A (en) | Apparatus and method for heating semiconductor device | |
| JP3086489B2 (en) | Method for selectively heating a film on a substrate | |
| CN103109359B (en) | For the transparent reflective plate of rapid thermal processing chamber | |
| TWI445092B (en) | Apparatus and method for improved control of heating and cooling of substrates | |
| JPS59169125A (en) | Method for heating semiconductor wafer | |
| JP2002169265A (en) | Photomask blank and method of manufacturing photomask blank | |
| TWI632355B (en) | Apparatus for use in a thermal processing chamber and system for processing a substrate | |
| KR20230135032A (en) | Blank mask, apparatus for forming a layer and manufacturing method for the blank mask | |
| JPH04288820A (en) | Lamp heating apparatus | |
| JP2002237442A (en) | Light-irradiating apparatus having illuminance- distribution uniforming filter | |
| JPH08137094A (en) | Exposure base, exposure mask, and manufacture of exposure base | |
| JPH10321539A (en) | Method and device for producing semiconductor | |
| JPH09210911A (en) | Optical stability testing device | |
| JPH04305244A (en) | Illuminator and light exciting processing device with the same | |
| JPS632318A (en) | Lump heater | |
| JPH03174307A (en) | Production of oxide superconductor | |
| JPH0620938A (en) | Quick thermal oxidizing apparatus for semiconductor substrate | |
| JP3309890B2 (en) | Multi-layer X-ray reflector | |
| JPH02125610A (en) | Hot plate | |
| JPH0258822A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| JPH06140324A (en) | Method of crystallizing semiconductor film | |
| JPS61210360A (en) | Resist pattern processing device | |
| JPS63202039A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH02145999A (en) | Multi-layered reflecting mirror for x-ray | |
| JPH0333849A (en) | Production of photomask |