JPH08102438A - Alignment - Google Patents

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JPH08102438A
JPH08102438A JP6236767A JP23676794A JPH08102438A JP H08102438 A JPH08102438 A JP H08102438A JP 6236767 A JP6236767 A JP 6236767A JP 23676794 A JP23676794 A JP 23676794A JP H08102438 A JPH08102438 A JP H08102438A
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JP
Japan
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sample
coordinate
shot
wafer
shots
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Withdrawn
Application number
JP6236767A
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Japanese (ja)
Inventor
Naomasa Shiraishi
直正 白石
Nobutaka Umagome
伸貴 馬込
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH08102438A publication Critical patent/JPH08102438A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE: To perform alignment with high accuracy by a method wherein irregular shots having the large non-linear component of an alignment errors are accurately eliminated from sample shots. CONSTITUTION: In respect to N sample shots the coordinate values of the N sample shots on a stage coordinate system are measured (a step 101), subsequently a conversion parameter is found using coordinate data on the (N-1) sample shots excluding the L-th sample shot and a virtical position of the L-th sample shot is found from this conversion parameter and data on a measurement of the L-th sample shot (steps 103 and 104). In the case where the deviation amount E (L) of the virtical position from the measured coordinate position of the L-th sample shot is larger than a reference value Eo, the L-th sample shot is eliminated as a missing shot (steps 109 and 110).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばウエハの各ショ
ット領域上に順次レチクルのパターンを露光する露光装
置において、統計処理により算出した配列座標に基づい
てウエハの各ショット領域を順次露光位置に位置合わせ
する場合に適用して好適な位置合わせ方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, an exposure apparatus for sequentially exposing a pattern of a reticle on each shot area of a wafer, in which each shot area of the wafer is sequentially exposed based on the array coordinates calculated by statistical processing. The present invention relates to a positioning method suitable for application in positioning.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレ
チクル等(以下、一例として「レチクル」を使用する)
のパターン像を投影光学系を介して感光材が塗布された
ウエハ上の各ショット領域に投影する投影露光装置が使
用されている。この種の投影露光装置として近年は、ウ
エハを2次元的に移動自在なステージ上に載置し、この
ステージによりウエハを歩進(ステッピング)させて、
レチクルのパターン像をウエハ上の各ショット領域に順
次露光する動作を繰り返す、所謂ステップ・アンド・リ
ピート方式の露光装置、特に、縮小投影型の露光装置
(ステッパー)が多用されている。
2. Description of the Related Art Photomasks, reticles, etc. (hereinafter, "reticle" is used as an example) when manufacturing semiconductor devices, liquid crystal display devices, etc. by a photolithography process.
There is used a projection exposure apparatus for projecting the pattern image of (1) on each shot area on a wafer coated with a photosensitive material via a projection optical system. As a projection exposure apparatus of this type, in recent years, a wafer is placed on a two-dimensionally movable stage, and the wafer is stepped by this stage.
A so-called step-and-repeat type exposure apparatus, in particular, a reduction projection type exposure apparatus (stepper), which repeats an operation of sequentially exposing a pattern image of a reticle to each shot area on a wafer is frequently used.

【0003】例えば半導体素子はウエハ上に多数層の回
路パターンを重ねて露光することにより形成されるの
で、2層目以降の回路パターンをウエハ上に投影露光す
る際には、ウエハ上の既に回路パターンが形成された各
ショット領域とレチクルのパターン像との位置合わせ、
即ちウエハとレチクルとの位置合わせ(アライメント)
を精確に行う必要がある。従来のステッパー等における
ウエハの位置合わせは、次のようなエンハンスト・グロ
ーバル・アライメント(以下、「EGA」という)方式
で行われていた(例えば特開昭61−44429号公報
参照)。
For example, since a semiconductor element is formed by superposing a plurality of layers of circuit patterns on a wafer and exposing the same, when projecting and exposing the circuit patterns of the second and subsequent layers onto the wafer, the circuits on the wafer are already exposed. Aligning each shot area where the pattern is formed with the pattern image of the reticle,
That is, alignment between wafer and reticle
Need to do exactly. The wafer alignment in a conventional stepper or the like has been performed by the following enhanced global alignment (hereinafter referred to as “EGA”) system (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-44429).

【0004】即ち、ウエハ上には、ウエハマークと呼ば
れる位置合わせ用のマークがそれぞれ付設された複数の
ショット領域(チップパターン)が形成されており、こ
れらショット領域は、予めウエハ上に設定された配列座
標に基づいて規則的に配列されている。しかしながら、
ウエハ上の複数のショット領域の設計上の配列座標値
(ショット配列)に基づいてウエハをステッピングさせ
ても、以下のような要因により、ウエハが精確に位置合
わせされるとは限らない。 (1) ウエハの残存回転誤差(ローテーション)θ (2) ステージ座標系(又はショット配列)の直交度誤差
w (3) ウエハの線形伸縮(スケーリング)Rx,Ry (4) ウエハ(中心位置)のオフセット(平行移動)O
x,Oy
That is, a plurality of shot areas (chip patterns) to which alignment marks called wafer marks are respectively attached are formed on the wafer, and these shot areas are set in advance on the wafer. They are regularly arranged based on the arrangement coordinates. However,
Even if the wafer is stepped based on the designed array coordinate values (shot arrays) of a plurality of shot areas on the wafer, the wafer is not always accurately aligned due to the following factors. (1) Remaining rotation error (rotation) of wafer θ (2) Orthogonality error of stage coordinate system (or shot arrangement) w (3) Linear expansion and contraction (scaling) of wafer Rx, Ry (4) Wafer (center position) Offset (translation) O
x, Oy

【0005】この際、これら4個の誤差量(6個のパラ
メータ)に基づくウエハの座標変換は一次変換式で記述
できる。そこで、ウエハマークが付設された複数のショ
ット領域が規則的に配列されたウエハに対し、このウエ
ハ上の座標系(x,y)を静止座標系としてのステージ
上の座標系(X,Y)に変換する一次変換モデルを、6
個の変換パラメータa〜fを用いて次のように表現する
ことができる。
At this time, the coordinate transformation of the wafer based on these four error amounts (six parameters) can be described by a linear transformation equation. Therefore, for a wafer in which a plurality of shot areas with wafer marks are regularly arranged, the coordinate system (x, y) on the wafer is used as a stationary coordinate system and the coordinate system (X, Y) on the stage is used. The primary conversion model to convert to
It can be expressed as follows using the individual conversion parameters a to f.

【0006】[0006]

【数1】 [Equation 1]

【0007】この変換式における6個の変換パラメータ
a〜fは、以下のようにEGA方式により求めることが
できる。この場合、ウエハ上の複数の露光対象とするシ
ョット領域(チップパターン)の中から幾つか選び出さ
れたショット領域(以下、「サンプルショット」とい
う)の各々に付随した座標系(x,y)上の設計上の座
標がそれぞれ(x1 ,y1 ),(x2 ,y2 ),‥‥,
(xn ,yn )であるウエハマークに対して所定の基準
位置への位置合わせ(アライメント)を行う。そして、
そのときのステージ上の座標系(X,Y)での実際の座
標値(XM1 ,YM1 ),(XM2 ,YM2 ),‥‥,
(XMn ,YMn )を計測する。
The six conversion parameters a to f in this conversion formula can be obtained by the EGA method as follows. In this case, the coordinate system (x, y) associated with each of shot areas (hereinafter referred to as “sample shots”) selected from a plurality of shot areas (chip patterns) to be exposed on the wafer. The above design coordinates are (x 1 , y 1 ), (x 2 , y 2 ), ...
The wafer mark of (x n , y n ) is aligned with a predetermined reference position. And
Actual coordinate values (XM 1 , YM 1 ), (XM 2 , YM 2 ), ..., in the coordinate system (X, Y) on the stage at that time
(XM n , YM n ) is measured.

【0008】また、選び出されたウエハマークの設計上
の配列座標(xi ,yi )(i=1,‥‥,n)を上述
の一次変換モデルに代入して得られる計算上の配列座標
(X i ,Yi )とアライメント時の計測された座標(X
i ,YMi )との差分(△x,△y)をアライメント
誤差と考える。また、アライメント誤差のx成分及びy
成分の自乗和、即ち次式のように差分(Xi −XMi
2 のiに関する積算値と、差分(Yi −YMi 2 のi
に関する積算値との和で表される量が残留誤差成分であ
る。
Also, in designing the selected wafer mark.
Array coordinates of (xi, Yi) (I = 1, ..., N) above
Calculated array coordinates obtained by substituting into the linear transformation model of
(X i, Yi) And the measured coordinates (X
Mi, YMi) And the difference (△ x, △ y)
Think of it as an error. Also, the x component and y of the alignment error
The sum of squares of the components, that is, the difference (Xi-XMi)
2 And the difference (Yi-YMi)2 I
Is the residual error component
You.

【0009】[0009]

【数2】 [Equation 2]

【0010】そして、その残留誤差成分を6個の変換パ
ラメータa〜fで順次偏微分し、その値が0となるよう
な方程式をたてて、それら6個の連立方程式を解けば6
個の変換パラメータa〜fが求められる。このように最
小自乗法により、(数1)の6個の変換パラメータa〜
fを求める計算をEGA計算と呼ぶ。これ以降は、変換
パラメータa〜fを係数とした一次変換式を用いて計算
した配列座標に基づいて、ウエハの各ショット領域の位
置合わせを行うことができる。あるいは、一次変換式で
は近似精度が良好でない場合には、例えば2次以上の高
次式を用いてウエハの位置合わせを行うようにしてもよ
い。
Then, the residual error component is sequentially partial differentiated with the six conversion parameters a to f, an equation is set so that the value becomes 0, and these simultaneous equations are solved to obtain 6
The individual conversion parameters a to f are obtained. As described above, by the least squares method, the six conversion parameters a to
The calculation for obtaining f is called EGA calculation. After that, the alignment of each shot area of the wafer can be performed based on the array coordinates calculated by using the linear conversion equation having the conversion parameters a to f as coefficients. Alternatively, when the approximation accuracy is not good in the primary conversion formula, the wafer may be aligned by using, for example, a second or higher order formula.

【0011】上記の如き従来のEGA方式のアライメン
ト方法においては、複数のサンプルショットの中に、ア
ライメント誤差から線形成分を差し引いて得られる非線
形成分が他のサンプルショットに比べて特に大きい所謂
跳びショットが含まれている場合があった。このような
跳びショットは、ウエハ上のそのサンプルショットに属
するウエハマークの崩れ等に起因する計測エラー、又は
ウエハ上の局所的な非線形歪み、あるいは第1層目のレ
チクルパターンをウエハ上に転写するときのウエハステ
ージの位置決め誤差等により発生するものであるため、
他のショット領域の配列座標を算出する場合にはそのよ
うな跳びショットのアライメントデータ(計測された座
標値)は除外(リジェクト)することが望ましい。
In the conventional EGA type alignment method as described above, there is a so-called jump shot in which a non-linear component obtained by subtracting a linear component from an alignment error is particularly larger than other sample shots among a plurality of sample shots. It may have been included. Such a jump shot causes a measurement error due to a collapse of a wafer mark belonging to the sample shot on the wafer, a local nonlinear distortion on the wafer, or a reticle pattern of the first layer is transferred onto the wafer. Since it occurs due to the positioning error of the wafer stage at that time,
When calculating the array coordinates of other shot areas, it is desirable to exclude (reject) the alignment data (measured coordinate values) of such jump shots.

【0012】そのため、従来は次の〜のようにして
跳びショットを検出し、検出された跳びショットを排除
(リジェクト)してEGA方式のアライメントを行って
いた。 アライメント誤差が所定の基準値以上となるショット
領域を跳びショットとする。例えば図9(a)は、露光
対象とするウエハ41上に分布するサンプルショットの
アライメント誤差の一例を誇張して示し、この図9
(a)において、ウエハ41上の座標系(x,y)上
で、サンプルショットを含む各ショット領域の設計上の
配列座標が定められている。これに対して、ウエハ41
が載置されるウエハステージの座標系であるステージ座
標系(X,Y)上で、8個のサンプルショットSB1
SB8 の座標値(正確にはウエハマークの座標値)が計
測される。
Therefore, conventionally, the jump shots are detected in the following manners (1) to (7) and the detected jump shots are rejected to perform the EGA type alignment. A shot area in which the alignment error is equal to or larger than a predetermined reference value is a jump shot. For example, FIG. 9A is an exaggerated view of an example of the alignment error of the sample shots distributed on the wafer 41 to be exposed.
In (a), the designed array coordinates of each shot area including a sample shot are defined on the coordinate system (x, y) on the wafer 41. On the other hand, the wafer 41
On the stage coordinate system (X, Y), which is the coordinate system of the wafer stage on which is mounted, eight sample shots SB 1 to
The coordinate value of SB 8 (correctly, the coordinate value of the wafer mark) is measured.

【0013】そして、8個のサンプルショットSB1
SB8 のアライメント誤差がそれぞれベクトルVB1
VB8 で表されている。例えばベクトルVB1 の起点
は、サンプルショットSB1 のステージ座標系(X,
Y)上での設計上の中心座標を表し、ベクトルVB1
終点は、サンプルショットSB1 のステージ座標系
(X,Y)上での計測された中心座標を表す。この場合
のステージ座標系(X,Y)での設計上の中心座標と
は、(数1)に6個のパラメータa〜fの概算値と、ウ
エハ上の座標系での設計値とを代入することにより算出
される。また、6個のパラメータa〜fの概算値とは、
例えば、上述の6個のパラメータを線形伸縮を等方的と
みなし(Rx=Ry)、直交度誤差wを0とみなして、
ウエハ41上の2つの2次元のアライメントマークの位
置をステージ座標系(X,Y)上で計測するという所謂
グローバル・アライメントにより求められる。
Then, eight sample shots SB 1 ~
The alignment errors of SB 8 are vector VB 1 ~
It is represented by VB 8 . For example the origin of the vector VB 1, the sample shots SB 1 of the stage coordinate system (X,
Y) represents the designed center coordinates, and the end point of the vector VB 1 represents the measured center coordinates of the sample shot SB 1 on the stage coordinate system (X, Y). In this case, the design center coordinates in the stage coordinate system (X, Y) are substituted with the approximate values of the six parameters a to f and the design value in the coordinate system on the wafer in (Equation 1). It is calculated by Further, the approximate values of the six parameters a to f are
For example, regarding the above-mentioned six parameters, linear expansion and contraction are regarded as isotropic (Rx = Ry), and the orthogonality error w is regarded as 0,
The position of the two two-dimensional alignment marks on the wafer 41 is obtained by so-called global alignment in which the position is measured on the stage coordinate system (X, Y).

【0014】図9(b)は、図9(a)の8個のサンプ
ルショットSB1 〜SB8 のアライメント誤差のベクト
ルの絶対値|VB1|〜|VB8|を示し、この絶対値が所
定の基準値VB以上となるサンプルショット、即ち2番
目のサンプルショットSB2が排除される。 EGA計算を行うことにより、アライメント誤差を線
形成分と非線形成分とに分けて、非線形成分が所定の基
準値以上となるサンプルショットを排除する。
FIG. 9B shows the absolute values | VB 1 | to | VB 8 | of the alignment error vectors of the eight sample shots SB 1 to SB 8 in FIG. 9A, and these absolute values are A sample shot having a predetermined reference value VB or more, that is, the second sample shot SB 2 is excluded. By performing the EGA calculation, the alignment error is divided into a linear component and a non-linear component, and sample shots in which the non-linear component is equal to or larger than a predetermined reference value are excluded.

【0015】図10(a)は、ウエハ41上の8個のサ
ンプルショットSB1 〜SB8 のアライメント誤差のベ
クトルVB1 〜VB8 の別の例を示し、図10(b)
は、それらサンプルショットSB1 〜SB8 毎のベクト
ルVB1 〜VB8 の絶対値(アライメント誤差の絶対
値)を示す。この場合、各サンプルショットのウエハ4
1上の座標系での設計上の配列座標値、及びステージ座
標系での計測された座標値に対して、EGA計算により
(数1)を最小自乗法的に満たす6個の変換パラメータ
a〜fの値を求め、これら6個の変換パラメータa〜f
と、設計上の配列座標値とを(数1)に代入して、各サ
ンプルショットSB1 〜SB8 のステージ座標系での線
形誤差を除いた計算上の配列座標値を算出する。最初の
計算上の配列座標から、その線形誤差を除いた計算上の
配列座標値までのベクトルが、アライメント誤差の線形
成分のベクトルである。
[0015] FIG. 10 (a) shows another example of the alignment error vector VB 1 through Vb 8 8 on the wafer 41 samples shots SB 1 to SB 8, FIG. 10 (b)
Shows their absolute values of sample shots SB 1 to SB 8 each vector VB 1 through Vb 8 (absolute value of the alignment error). In this case, the wafer 4 of each sample shot
For the designed array coordinate values in the coordinate system on 1 and the measured coordinate values in the stage coordinate system, six conversion parameters a to satisfy (Equation 1) by the least square method by EGA calculation. The value of f is obtained, and these six conversion parameters a to f
And the designed array coordinate value are substituted into (Equation 1) to calculate a calculated array coordinate value excluding a linear error in the stage coordinate system of each of the sample shots SB 1 to SB 8 . The vector from the first calculated array coordinate to the calculated array coordinate value excluding the linear error is the vector of the linear component of the alignment error.

【0016】そして、図10(a)のアライメント誤差
のベクトルから線形成分のベクトルを差し引くと、図1
1(a)に示すように、サンプルショットSB1 〜SB
8 毎にそれぞれ非線形成分のベクトルVBN1 〜VBN
8 が得られる。図11(b)は、サンプルショットSB
1 〜SB8 毎のアライメント誤差の非線形成分のベクト
ルの絶対値|VBN1|〜|VBN8|を示し、この非線形
成分の絶対値が所定の基準値より大きいサンプルショッ
ト、例えば8番目のサンプルショットSB8 が排除され
る。
Then, when the vector of the linear component is subtracted from the vector of the alignment error of FIG.
As shown in 1 (a), sample shots SB 1 to SB
Vectors of non-linear components VBN 1 to VBN for each 8
You get 8 . FIG. 11B shows a sample shot SB.
1 to SB 8 shows the absolute value of the vector of the non-linear component of the alignment error | VBN 1 | to | VBN 8 |, and the absolute value of this non-linear component is a sample shot larger than a predetermined reference value, for example, the eighth sample shot. SB 8 is eliminated.

【0017】ウエハ上のサンプルショット毎にアライ
メント誤差のベクトルの絶対値の標準偏差を計算し、ア
ライメント誤差のベクトルの絶対値がその標準偏差の所
定倍以上となるサンプルショットを排除する。
The standard deviation of the absolute value of the alignment error vector is calculated for each sample shot on the wafer, and sample shots in which the absolute value of the alignment error vector is a predetermined multiple or more of the standard deviation are excluded.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
のうちで、のようにアライメント誤差のベクトルの絶
対値が所定の基準値以上となるサンプルショットを排除
する方法では、例えば図9(a)の場合を例に取ると、
全体から見ると方向のバランスが悪いベクトルVB8
も、絶対値が小さいために排除されないという不都合が
ある。また、ウエハ41全体の回転、直交度、又は線形
伸縮(スケーリング)が特に大きい場合は、その所定の
基準値(図9(b)の基準値VBに対応する値)をかな
り大きくしない限り、殆どのサンプルショットが排除の
対象となり、高精度な位置合わせができなくなる。ま
た、排除されるアライメント誤差のベクトルの方向によ
っては、逆に非線形成分が強調されるなど、排除すべき
サンプルショットを間違える場合もあった。
Among the conventional techniques as described above, in the method of eliminating the sample shot in which the absolute value of the vector of the alignment error is equal to or more than the predetermined reference value, as shown in FIG. ) Is taken as an example,
Even if the vector VB 8 has a bad balance of directions when viewed from the whole, it has a disadvantage that it cannot be excluded because its absolute value is small. Further, when the rotation, orthogonality, or linear expansion / contraction (scaling) of the entire wafer 41 is particularly large, it is almost impossible to increase the predetermined reference value (value corresponding to the reference value VB in FIG. 9B) to a large extent. The sample shots of are excluded, and high-precision alignment cannot be performed. Further, depending on the direction of the vector of the alignment error to be eliminated, the non-linear component may be emphasized, and the sample shot to be eliminated may be wrong.

【0019】次に、のようにEGA計算を行って線形
成分の補正を行い、得られた非線形成分の絶対値を所定
の基準値と比較する方法では、の場合のように排除す
べきサンプルショットを間違える確率はかなり減少す
る。しかしながら、の方法で計算される線形成分は、
本来排除されるべき跳びショットの座標値を用いて計算
されているため、正確な線形成分が得られていないとみ
なされる。従って、最終的に得られるアライメント誤差
の非線形成分の絶対値(図11(b)の分布に相当する
もの)の値も不正確となり、例えば所定の基準値の近傍
では排除すべきサンプルショットを間違える恐れがあ
る。
Next, in the method of performing the EGA calculation to correct the linear component and comparing the absolute value of the obtained nonlinear component with a predetermined reference value as in the case of The chance of making a mistake is significantly reduced. However, the linear component calculated by the method is
Since it is calculated using the coordinate values of the jump shot that should be excluded originally, it is considered that an accurate linear component is not obtained. Therefore, the absolute value of the non-linear component of the alignment error finally obtained (corresponding to the distribution in FIG. 11B) becomes inaccurate, and, for example, in the vicinity of a predetermined reference value, a sample shot to be excluded is mistaken. There is a fear.

【0020】また、のようにアライメント誤差の絶対
値の標準偏差に基づいて、排除の基準値を統計学的に変
動値とした場合にも、線形成分を差し引いていないため
に、の場合と同様に排除すべきサンプルショットを間
違える場合がある。更に、の方法をの方法と組み合
わせることも考えられるが、これでも計算の根拠とし
て、排除されるべきサンプルショットのアライメント誤
差が含まれているために、例えばその基準値の近傍で排
除すべきサンプルショットを間違える恐れがあるのは
の方法と同じである。
Further, even when the exclusion reference value is statistically changed based on the standard deviation of the absolute value of the alignment error as described above, since the linear component is not subtracted, the same as in the case of There is a case that the sample shot to be excluded is wrong. Further, it is possible to combine the method of with the method of, but since the alignment error of the sample shot to be excluded is included as the basis of the calculation, the sample to be excluded in the vicinity of the reference value is still included. It is the same as the method that there is a risk of making a mistake in the shot.

【0021】本発明は斯かる点に鑑み、処理対象とする
ウエハ上のサンプルショットの位置を予め実際に計測し
て得られた結果に基づいて、統計処理により変換パラメ
ータを求め、この変換パラメータを用いて算出された計
算上の配列座標(仮想座標系)に基づいてウエハ上の各
ショット領域の位置合わせを行う位置合わせ方法におい
て、サンプルショット中のアライメント誤差の非線形成
分の大きい跳びショットを正確に排除して、高精度に位
置合わせすることを目的とする。
In view of such a point, the present invention finds a conversion parameter by statistical processing based on the result obtained by actually measuring the position of the sample shot on the wafer to be processed in advance, and calculates this conversion parameter. In the alignment method in which each shot area on the wafer is aligned based on the calculated array coordinates (virtual coordinate system) calculated by using the jump shot that has a large non-linear component of the alignment error in the sample shot, The purpose is to eliminate and align with high accuracy.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】本発明による位置合わせ
方法は、例えば図1及び図4〜図6に示すように、基板
(8)上に設定された第1の座標系(x,y)上の配列
座標に基づいてその基板上に配列された複数の被加工領
域(ESi)の各々を、その基板の移動位置を規定する第
2の座標系(X,Y)内の所定の加工位置に対して位置
合わせする方法において、複数の被加工領域(ESi)の
内、予め選択されたN個(Nは4以上の整数)のサンプ
ル領域(SA1,SA2,…)の第2の座標系(X,Y)上
での座標位置を計測する第1工程(ステップ101)
と、この第1工程で計測されたそれらN個のサンプル領
域の座標位置データから、L番目(Lは1からNまでの
整数)のサンプル領域を除いた(N−1)個の座標位置
データを統計処理して仮想的な座標変換式((数1)の
変換変換行列))を求め、この仮想的な座標変換式とそ
のL番目のサンプル領域の設計上の位置とからそのL番
目のサンプル領域の仮想位置を算出し、このように算出
した仮想位置とその第1工程で計測されたそのL番目の
サンプル領域の座標位置データとを比較し、そのずれ量
E(L)を記憶する処理を、各回毎にLの値を異ならせ
つつN回繰り返す第2工程(ステップ102〜107)
と、を有する。
The alignment method according to the present invention is, for example, as shown in FIGS. 1 and 4 to 6, a first coordinate system (x, y) set on a substrate (8). Predetermined processing within the second coordinate system (X, Y) that defines the movement position of each of the plurality of processed regions (ES i ) arranged on the substrate based on the above arrangement coordinates. In the method of aligning with respect to a position, a plurality of N (N is an integer of 4 or more) sample areas (SA 1 , SA 2 , ...) Of a plurality of preprocessed areas (ES i ) are selected. First step (step 101) of measuring the coordinate position on the second coordinate system (X, Y)
And (N-1) coordinate position data excluding the L-th (L is an integer from 1 to N) sample region from the coordinate position data of those N sample regions measured in the first step. Is calculated to obtain a virtual coordinate conversion formula (conversion conversion matrix of (Equation 1)), and the virtual coordinate conversion formula and the design position of the Lth sample area The virtual position of the sample area is calculated, the virtual position thus calculated is compared with the coordinate position data of the L-th sample area measured in the first step, and the shift amount E (L) is stored. The second process (steps 102 to 107) in which the process is repeated N times while changing the value of L each time.
And.

【0023】更に、本発明は、その第2工程で得たN個
のずれ量E(L)と所定の許容値E 0 とをそれぞれ比較
する第3工程(ステップ109)と、この第3工程でそ
れらN個のずれ量N(L)中のQ番目(Qは1からNま
での整数)のずれ量がその所定の許容値E0 より大きい
場合に、そのQ番目のサンプル領域を排除し、残された
(N−1)個の座標位置データを統計処理して求めたそ
の仮想的な座標変換式より、その基板(8)上の複数の
被加工領域の各々の第2の座標系(X,Y)上での座標
位置を算出し、その第3工程で、それらN個のずれ量が
全てその所定の許容値E0 以下である場合に、それらN
個のサンプル領域の座標位置データを統計処理して求め
た仮想的な座標変換式より、その基板(8)上の複数の
被加工領域の各々の第2の座標系(X,Y)上での座標
位置を算出する第4工程(ステップ110〜113)
と、を有するものである。
Furthermore, the present invention provides N pieces obtained in the second step.
Deviation E (L) and a predetermined allowable value E 0And compare respectively
And the third step (step 109)
Of these N shift amounts N (L), the Q-th (where Q is from 1 to N)
Is the predetermined tolerance E0Greater than
If the Qth sample area was eliminated and left
(N-1) coordinate position data obtained by statistical processing
From the virtual coordinate conversion formula of
Coordinates on the second coordinate system (X, Y) of each work area
The position is calculated, and in the third step, those N deviation amounts are calculated.
All of the specified tolerance E0N if they are
Obtained by statistically processing the coordinate position data of each sample area
From the virtual coordinate conversion formula,
Coordinates on the second coordinate system (X, Y) of each work area
Fourth step of calculating the position (steps 110 to 113)
And ,.

【0024】この場合、その第3工程において、それら
N個のずれ量E(L)中にその所定の許容値E0 より大
きいものが複数個ある場合に、これら複数個のずれ量の
内で最も大きいものから順に所定の限界排除数までのず
れ量に対応する1個又は複数個のサンプル領域をその第
4工程で排除することが望ましい。また、その第4工程
において、そのQ番目のサンプル領域を排除した場合
に、その第4工程において残されるサンプル領域の個数
が予め定められた許容数以上である範囲内で、その第4
工程において残されるサンプル領域についてその第2工
程から第4工程までを繰り返すようにしてもよい。
In this case, in the third step, when there are a plurality of N deviation amounts E (L) larger than the predetermined allowable value E 0, among these deviation amounts E (L). It is desirable to exclude one or a plurality of sample areas corresponding to the displacement amount from the largest to the predetermined limit exclusion number in the fourth step. In addition, in the fourth step, when the Q-th sample area is excluded, the number of the sample areas left in the fourth step is within the predetermined allowable number or more,
You may make it repeat the 2nd process to the 4th process about the sample area | region left in a process.

【0025】また、その第3工程で比較対象となるその
所定の許容値E0 の一例は、それらサンプル領域の第2
の座標系(X,Y)上での座標位置の計測値のばらつき
を超える値である。
An example of the predetermined allowable value E 0 to be compared in the third step is the second of these sample areas.
Is a value that exceeds the variation in the measurement value of the coordinate position on the coordinate system (X, Y).

【0026】[0026]

【作用】斯かる本発明によれば、基板(8)上で選択さ
れたN個のサンプル領域(サンプルショットSA1,SA
2,…)の第2の座標系(ステージ座標系(X,Y))で
の座標位置が計測される。その後、これらN個のサンプ
ル領域から、跳びショットの可能性のあるL番目(Lは
1からNまで変化する)のサンプル領域を除いた(N−
1)個のサンプル領域について計測された座標位置デー
タを統計処理する。
According to the present invention, N sample areas (sample shots SA 1 and SA) selected on the substrate (8) are selected.
The coordinate position of the second coordinate system (stage coordinate system (X, Y)) of ( 2 , ...) Is measured. After that, from these N sample areas, the L-th (where L changes from 1 to N) sample area that may be a jump shot is removed (N−
1) Statistical processing is performed on the coordinate position data measured for the sample areas.

【0027】具体的に、例えばEGA方式を適用する場
合には、それら計測された座標位置データと設計上の配
列座標とを用いて最小自乗法により、第1の座標系
(x,y)から第2の座標系(X,Y)への仮想的な座
標変換式を示す(数1)の6個の変換パラメータa〜f
を決定する。この(数1)は、座標位置データから非線
形成分のばらつきが取り除かれた線形的な座標変換式に
対応する。このように決定された変換パラメータa〜f
を用いて、(数1)に設計上の配列座標を代入して得ら
れる計算上の配列座標が、非線形成分のばらつきが取り
除かれた仮想位置である。
Specifically, for example, when the EGA method is applied, the measured coordinate position data and the designed arrangement coordinates are used to perform the least squares method from the first coordinate system (x, y). Six conversion parameters a to f of (Equation 1) indicating a virtual coordinate conversion formula to the second coordinate system (X, Y).
To decide. This (Equation 1) corresponds to the linear coordinate conversion equation in which the variation of the nonlinear component is removed from the coordinate position data. The conversion parameters a to f determined in this way
The calculated array coordinate obtained by substituting the designed array coordinate into (Equation 1) using is the virtual position from which the variation of the nonlinear component is removed.

【0028】次に、取り除かれているL番目のサンプル
領域の設計上の配列座標をその(数1)に代入すること
により、そのL番目のサンプル領域の仮想位置(計算上
の配列座標)を算出し、その仮想位置と第1工程で計測
されている座標位置データとのずれ量E(L)を求め
る。この際に、L番目のサンプル領域の計測値がそれ以
外のサンプル領域の計測値と同様の傾向を有するなら
ば、そのずれ量E(L)の値は小さいはずであるが、逆
にそのずれ量E(L)が所定の許容値E0 より大きけれ
ば、そのL番目のサンプル領域は跳びショットである蓋
然性が高い。そこで、この判断基準を用いて跳びショッ
トを排除している。
Next, by substituting the designed array coordinates of the removed L-th sample area into the (Equation 1), the virtual position of the L-th sample area (calculated array coordinates) is obtained. The amount of deviation E (L) between the virtual position and the coordinate position data measured in the first step is calculated. At this time, if the measured value of the L-th sample area has the same tendency as the measured value of the other sample areas, the value of the deviation amount E (L) should be small, but conversely If the amount E (L) is larger than the predetermined allowable value E 0 , the L-th sample area is highly likely to be a jump shot. Therefore, jump shots are eliminated using this criterion.

【0029】仮にそのL番目のサンプル領域が跳びショ
ットであるとすると、(N−1)個の座標位置データか
ら(数1)のような仮想的な座標変換式を求める際に
は、跳びショットとしてのL番目のサンプル領域の計測
結果が含まれていないため、その座標変換式は正確に定
められている。従って、その仮想的な座標変換式からに
より求めた座標位置のずれ量E(L)を判断基準とする
ことにより、正確に跳びショットを排除できると共に、
その仮想的な座標変換式により、基板(8)上の殆ど全
ての被加工領域(跳びショットは除く)の実際の位置が
正確に算出され、位置合わせ精度が向上する。
Assuming that the L-th sample area is a jump shot, when a virtual coordinate conversion formula such as (Equation 1) is obtained from (N-1) coordinate position data, a jump shot is used. Since the measurement result of the L-th sample area is not included, its coordinate conversion formula is accurately determined. Therefore, by using the displacement amount E (L) of the coordinate position obtained from the virtual coordinate conversion formula as the determination reference, the jump shot can be accurately excluded, and
With the virtual coordinate conversion formula, the actual positions of almost all the processed regions (excluding jump shots) on the substrate (8) are accurately calculated, and the alignment accuracy is improved.

【0030】なお、上記の第3工程及び第4工程におけ
る跳びショットの排除の際に、差分値E(L)の絶対値
が許容値E0 より大きいものが複数個ある場合には、複
数個のサンプル領域を跳びショットとして排除してもよ
い。更に、残されたサンプル領域に対して、上記の第1
工程〜第4工程の排除動作を繰り返し行うことにより、
更に跳びショットを排除することも可能である。この場
合、排除された残りのサンプル領域の個数が余りに少な
いと、その後の統計処理での平均化効果が得にくくなる
ため、残存するサンプル領域の個数の下限(所定の許容
数)、あるいは排除するサンプル領域の個数の上限(限
界排除数)を予め設定しておくことにより、平均化効果
を維持できる。。
When the jump shots are eliminated in the third step and the fourth step, if there are a plurality of absolute values of the difference value E (L) larger than the allowable value E 0 , a plurality of them are obtained. The sample area of may be excluded as a jump shot. Furthermore, for the remaining sample area, the first
By repeating the elimination operation of the process to the fourth process,
It is also possible to eliminate jump shots. In this case, if the number of remaining sample areas is too small, it becomes difficult to obtain the averaging effect in the subsequent statistical processing. Therefore, the lower limit (predetermined allowable number) of the number of remaining sample areas or the removal is eliminated. The averaging effect can be maintained by setting the upper limit (limit exclusion number) of the number of sample areas in advance. .

【0031】また、ずれ量E(L)の比較対象となる所
定の許容値E0 が、それらサンプル領域の第2の座標系
(X,Y)上での座標位置を計測するためのアライメン
ト系の計測誤差と、その際に基板(8)の位置決めを行
うステージの位置決め誤差との和、即ち各サンプル領域
の計測値のばらつきを超える値であるときには、その計
測値のばらつきにより計測座標がずれたサンプル領域を
誤って跳びショットと判定することがなくなる。
Further, a predetermined permissible value E 0 to be compared with the deviation amount E (L) is an alignment system for measuring the coordinate position of these sample areas on the second coordinate system (X, Y). Measurement error and the positioning error of the stage for positioning the substrate (8) at that time, that is, when the value exceeds the dispersion of the measurement values of each sample area, the measurement coordinates are displaced due to the dispersion of the measurement values. It is not necessary to mistakenly judge a sample area as a jump shot.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明による位置合わせ方法の一実施
例につき図面を参照して説明する。本例はステップ・ア
ンド・リピート方式で感光基板としてのウエハ上の各シ
ョット領域にレチクルのパターンを露光する露光装置
(ステッパー)のアライメント動作に本発明を適用した
ものである。但し、本発明はステップ・アンド・スキャ
ン方式のような走査露光方式の露光装置にも適用でき
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the alignment method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In this example, the present invention is applied to the alignment operation of an exposure apparatus (stepper) that exposes a pattern of a reticle to each shot area on a wafer as a photosensitive substrate by a step-and-repeat method. However, the present invention can also be applied to an exposure apparatus of a scanning exposure system such as a step-and-scan system.

【0033】図2は本例の露光装置を示し、この図2に
おいて、照明光学系1から射出された露光光ILが、ほ
ぼ均一な照度でレチクル2を照明する。レチクル2はレ
チクルステージ3上に保持され、レチクルステージ3は
レチクルベース4上の2次元平面内で移動及び微小回転
ができるように構成されている。装置全体の動作を統轄
制御する主制御系6が、レチクルベース4上の駆動装置
5を介してレチクルステージ3の動作を制御する。
FIG. 2 shows the exposure apparatus of this example. In FIG. 2, the exposure light IL emitted from the illumination optical system 1 illuminates the reticle 2 with a substantially uniform illuminance. The reticle 2 is held on the reticle stage 3, and the reticle stage 3 is configured to be movable and micro-rotatable within a two-dimensional plane on the reticle base 4. A main control system 6 that controls the operation of the entire apparatus controls the operation of the reticle stage 3 via a driving device 5 on the reticle base 4.

【0034】露光光ILのもとで、レチクル2のパター
ン像が投影光学系7を介してウエハ8上の各ショット領
域に投影される。ウエハ8はウエハホルダー9を介して
ウエハステージ10上に載置されている。投影光学系7
の光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な2次元平面の
直交座標系をX軸及びY軸とする。ウエハステージ10
は、投影光学系7の光軸に垂直な面内でウエハ8を2次
元的に位置決めするXYステージ、投影光学系7の光軸
に平行なZ方向にウエハ8を位置決めするZステージ、
及びウエハ8を微小回転させるθステージ等より構成さ
れている。
Under the exposure light IL, the pattern image of the reticle 2 is projected onto each shot area on the wafer 8 via the projection optical system 7. The wafer 8 is placed on the wafer stage 10 via the wafer holder 9. Projection optical system 7
The Z axis is taken parallel to the optical axis of, and the Cartesian coordinate system of the two-dimensional plane perpendicular to the Z axis is defined as the X axis and the Y axis. Wafer stage 10
Is an XY stage for two-dimensionally positioning the wafer 8 in a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system 7, a Z stage for positioning the wafer 8 in the Z direction parallel to the optical axis of the projection optical system 7,
And a θ stage for rotating the wafer 8 minutely.

【0035】ウエハステージ10の上面に移動鏡11が
固定され、移動鏡11に対向するようにレーザ干渉計1
2が配置されている。図2では簡略化して表示している
が、移動鏡11はX軸に垂直な反射面を有する平面鏡及
びY軸に垂直な反射面を有する平面鏡より構成されてい
る。また、レーザ干渉計12は、X軸に沿って移動鏡1
1にレーザビームを照射する2個のX軸用のレーザ干渉
計、及びY軸に沿って移動鏡11にレーザビームを照射
するY軸用のレーザ干渉計より構成され、X軸用の1個
のレーザ干渉計及びY軸用の1個のレーザ干渉計によ
り、ウエハステージ10のX座標及びY座標が計測され
る。このように計測されるX座標及びY座標よりなる座
標系(X,Y)を、以下ではステージ座標系又は静止座
標系(本発明の「第2の座標系」に対応する)と呼ぶ。
A movable mirror 11 is fixed on the upper surface of the wafer stage 10, and the laser interferometer 1 is arranged so as to face the movable mirror 11.
2 are arranged. Although shown in a simplified manner in FIG. 2, the movable mirror 11 is composed of a plane mirror having a reflection surface perpendicular to the X axis and a plane mirror having a reflection surface perpendicular to the Y axis. Further, the laser interferometer 12 has the movable mirror 1 along the X axis.
1. One X-axis laser interferometer that irradiates a laser beam to 1 and a Y-axis laser interferometer that irradiates the moving mirror 11 with a laser beam along the Y-axis. The X coordinate and the Y coordinate of the wafer stage 10 are measured by this laser interferometer and one laser interferometer for the Y axis. The coordinate system (X, Y) composed of the X coordinate and the Y coordinate thus measured is hereinafter referred to as a stage coordinate system or a stationary coordinate system (corresponding to the "second coordinate system" of the present invention).

【0036】また、X軸用の2個のレーザ干渉計の計測
値の差により、ウエハステージ10の回転角が計測され
る。レーザ干渉計12により計測されたX座標、Y座標
及び回転角の情報が座標計測回路12a及び主制御系6
に供給され、主制御系6は、供給された座標をモニター
しつつ駆動装置13を介して、ウエハステージ10の位
置決め動作を制御する。なお、図2には示していない
が、レチクル側にもウエハ側と同様の3軸の干渉計シス
テムが設けられている。
The rotation angle of the wafer stage 10 is measured by the difference between the measured values of the two laser interferometers for the X axis. Information on the X coordinate, the Y coordinate, and the rotation angle measured by the laser interferometer 12 is used as the coordinate measuring circuit 12a and the main control system 6.
The main control system 6 controls the positioning operation of the wafer stage 10 via the driving device 13 while monitoring the supplied coordinates. Although not shown in FIG. 2, the reticle side is also provided with a triaxial interferometer system similar to the wafer side.

【0037】本例の投影光学系7には結像特性制御装置
14が装着されている。結像特性制御装置14は、例え
ば投影光学系7を構成するレンズ群の内の所定のレンズ
群の間隔を調整するか、又は所定のレンズ群の間のレン
ズ室内の気体の圧力を調整することにより、投影光学系
7の投影倍率、歪曲収差の調整を行う。結像特性制御装
置14の動作も主制御系6により制御されている。
The projection optical system 7 of this example is equipped with an image forming characteristic control device 14. The imaging characteristic control device 14 adjusts, for example, the distance between predetermined lens groups in the lens groups forming the projection optical system 7, or adjusts the pressure of gas in the lens chamber between the predetermined lens groups. Thus, the projection magnification and distortion of the projection optical system 7 are adjusted. The operation of the imaging characteristic control device 14 is also controlled by the main control system 6.

【0038】本例では、投影光学系7の側面にオフ・ア
クシス方式で画像処理方式のアライメント系15が配置
され、このアライメント系15において、光源16から
の照明光がコリメータレンズ17、ビームスプリッター
18、ミラー19及び対物レンズ20を介してウエハ8
上のX軸用のウエハマーク(アライメントマーク)Mx
の近傍に照射されている。この場合、アライメント系1
5の検出領域の基準点と投影光学系7の露光領域の基準
点との間隔であるベースライン量は予め計測されてい
る。そして、ウエハマークMxからの反射光が、対物レ
ンズ20、ミラー19、ビームスプリッター18及び集
光レンズ21を介して指標板22上に照射され、指標板
22上にウエハマークMxの像が結像される。
In this example, an off-axis type image processing type alignment system 15 is arranged on the side surface of the projection optical system 7, and in this alignment system 15, the illumination light from the light source 16 is collimated by a collimator lens 17 and a beam splitter 18. 8 via the mirror 19, the objective lens 20
Upper X-axis wafer mark (alignment mark) Mx
Is irradiated in the vicinity of. In this case, the alignment system 1
The baseline amount, which is the distance between the reference point of the detection area 5 and the reference point of the exposure area of the projection optical system 7, is measured in advance. Then, the reflected light from the wafer mark Mx is irradiated onto the index plate 22 via the objective lens 20, the mirror 19, the beam splitter 18 and the condenser lens 21, and the image of the wafer mark Mx is formed on the index plate 22. To be done.

【0039】指標板22を透過した光が、第1リレーレ
ンズ23を経てビームスプリッター24に向かい、ビー
ムスプリッター24を透過した光が、X軸用の第2リレ
ーレンズ25Xを介して2次元CCDよりなるX軸用の
撮像素子26Xの撮像面上に集光され、ビームスプリッ
ター24で反射された光が、Y軸用の第2リレーレンズ
25Yを介して2次元CCDよりなるY軸用の撮像素子
26Yの撮像面上に集光される。撮像素子26X及び2
6Yの撮像面上にはそれぞれウエハマークMxの像及び
指標板22上の指標マークの像が重ねて結像される。撮
像素子26X及び26Yの撮像信号は共に座標計測回路
12aに供給される。
The light transmitted through the index plate 22 goes through the first relay lens 23 toward the beam splitter 24, and the light transmitted through the beam splitter 24 passes through the second relay lens 25X for the X axis and is transmitted from the two-dimensional CCD. The light collected on the image pickup surface of the X-axis image pickup device 26X and reflected by the beam splitter 24 passes through the Y-axis second relay lens 25Y and is formed of a two-dimensional CCD. The light is focused on the imaging surface of 26Y. Image sensor 26X and 2
An image of the wafer mark Mx and an image of the index mark on the index plate 22 are formed in an overlapping manner on the image pickup surface of 6Y. The image pickup signals of the image pickup devices 26X and 26Y are both supplied to the coordinate measuring circuit 12a.

【0040】図3は図2の指標板22上のパターンを示
し、この図3において、中央部に3本の直線パターンよ
りなるウエハマークMxの像MxPが結像され、この像
MxPのピッチ方向であるXP方向、その像MxPの長
手方向であるYP方向が、それぞれ図2のウエハステー
ジ10のステージ座標系のX方向及びY方向に対応して
いる。そして、ウエハマーク像MxPをXP方向に挟む
ように2個の指標マーク31A及び31Bが形成され、
ウエハマーク像MxPをYP方向に挟むように2個の指
標マーク32A及び32Bが形成されている。
FIG. 3 shows the pattern on the index plate 22 shown in FIG. 2. In FIG. 3, an image MxP of the wafer mark Mx consisting of three linear patterns is formed in the central portion, and the image MxP is formed in the pitch direction. 2 and the YP direction which is the longitudinal direction of the image MxP correspond to the X direction and the Y direction of the stage coordinate system of the wafer stage 10 of FIG. 2, respectively. Then, two index marks 31A and 31B are formed so as to sandwich the wafer mark image MxP in the XP direction,
Two index marks 32A and 32B are formed so as to sandwich the wafer mark image MxP in the YP direction.

【0041】この場合、XP方向で指標マーク31A,
31B及びウエハマーク像MxPを囲む検出領域33X
内の像が図2のX軸用の撮像素子26Xで撮像され、Y
P方向で指標マーク32A,32B及びY軸用のウエハ
マーク(不図示、X軸用のウエハマークMxを90°回
転したパターン)の像を囲む検出領域33Y内の像が図
2のY軸用の撮像素子26Yで撮像される。更に、撮像
素子26X及び26Yの各画素から光電変換信号を読み
取る際の走査方向はそれぞれXP方向及びYP方向に設
定され、撮像素子26X及び26Yの撮像信号を処理す
ることにより、X軸用のウエハマーク像MxPと指標マ
ーク31A,31BとのXP方向の位置ずれ量、及びY
軸用のウエハマークの像と指標マーク32A,32Bと
のYP方向の位置ずれ量を求めることができる。従っ
て、図2において、座標計測回路12aは、ウエハ8上
のウエハマークMxの像と指標板22上の指標マークと
の位置関係及びそのときのレーザ干渉計12の計測結果
より、そのウエハマークMxのステージ座標系(X,
Y)上でのX座標を求め、このように計測されたX座標
を主制御系6に供給する。同様にして、Y軸用のウエハ
マークのステージ座標系(X,Y)上でのY座標も計測
されて、主制御系6に供給される。
In this case, the index mark 31A,
31B and a detection area 33X surrounding the wafer mark image MxP
The image inside is picked up by the X-axis image pickup device 26X in FIG.
The image in the detection area 33Y surrounding the images of the index marks 32A and 32B and the wafer mark for the Y axis (not shown, a pattern obtained by rotating the wafer mark Mx for the X axis by 90 °) in the P direction is for the Y axis in FIG. The image is picked up by the image pickup device 26Y. Further, the scanning directions when reading the photoelectric conversion signals from the pixels of the image pickup devices 26X and 26Y are set to the XP direction and the YP direction, respectively, and the image pickup signals of the image pickup devices 26X and 26Y are processed to obtain an X-axis wafer. A displacement amount of the mark image MxP and the index marks 31A and 31B in the XP direction, and Y
The amount of positional deviation in the YP direction between the image of the axis wafer mark and the index marks 32A and 32B can be obtained. Therefore, in FIG. 2, the coordinate measurement circuit 12a determines the wafer mark Mx based on the positional relationship between the image of the wafer mark Mx on the wafer 8 and the index mark on the index plate 22 and the measurement result of the laser interferometer 12 at that time. Stage coordinate system (X,
The X coordinate on Y) is obtained, and the X coordinate thus measured is supplied to the main control system 6. Similarly, the Y coordinate of the wafer mark for the Y axis on the stage coordinate system (X, Y) is also measured and supplied to the main control system 6.

【0042】次に、本例で露光対象とするウエハの各シ
ョット領域の位置決めを行って、各ショット領域にそれ
ぞれレチクル2のパターン像を露光する際の動作につき
図1のフローチャートを参照して説明する。先ず露光対
象とするウエハ8を図2のウエハホルダー9上にロード
する。図4はウエハ8上のショット領域の配列の一例を
示し、この図4において、ウエハ8上にはこのウエハ上
に設定された座標系(x,y)(本発明の「第1の座標
系」に対応する)に沿って規則的にショット領域E
1 ,ES2 ,…,ESM(Mは4以上の整数)が形成さ
れ、各ショット領域ESi(i=1〜M)にはそれまでの
工程によりそれぞれチップパターンが形成されている。
また、各ショット領域ESi はx方向及びy方向にそれ
ぞれ所定幅のストリートラインで区切られており、各シ
ョット領域ESi に接するx方向に伸びたストリートラ
インの中央部にX軸用のウエハマークMxi が形成さ
れ、各ショット領域ESi に接するy方向に伸びたスト
リートラインの中央部にY軸用のウエハマークMyi
形成されている。
Next, with reference to the flowchart of FIG. 1, the operation of positioning each shot area of the wafer to be exposed in this example and exposing the pattern image of the reticle 2 to each shot area will be described. To do. First, the wafer 8 to be exposed is loaded on the wafer holder 9 shown in FIG. FIG. 4 shows an example of an array of shot areas on the wafer 8. In FIG. 4, the coordinate system (x, y) set on the wafer 8 is set on the wafer 8 (the "first coordinate system of the present invention". Shot area E regularly along with
S 1 , ES 2 , ..., ES M (M is an integer of 4 or more) are formed, and a chip pattern is formed in each shot area ES i (i = 1 to M) by the steps up to that point.
Further, each shot area ES i is separated by a street line of a predetermined width in each of the x direction and the y direction, and a wafer mark for the X axis is formed at the center of the street line extending in the x direction in contact with each shot area ES i. Mx i is formed, and the Y-axis wafer mark My i is formed at the center of the street line extending in the y direction in contact with each shot area ES i .

【0043】X軸用のウエハマークMxi 及びY軸用の
ウエハマークMyi はそれぞれx方向及びy方向に所定
ピッチで3本の直線パターンを並べたものであり、これ
らのパターンはウエハ8の下地に凹部又は凸部のパター
ンとして形成されている。ウエハ8上の座標系(x,
y)でのウエハマークMxi のx座標xi (設計上の座
標値)、及びウエハマークMyi のy座標yi (設計上
の座標値)は既知であり、図2の主制御系6内の記憶部
に記憶されている。この場合、ウエハマークMx i のx
座標、及びウエハマークMyi のy座標を、それぞれシ
ョット領域ESiのx座標及びy座標とみなす。
Wafer mark Mx for X axisiAnd for the Y axis
Wafer mark MyiAre specified in the x and y directions respectively
It is an array of three straight line patterns at a pitch.
These patterns are patterns of concave or convex parts on the base of the wafer 8.
Are formed as Coordinate system on wafer 8 (x,
wafer mark Mx in y)iX coordinate xi(Design seat
Standard value) and wafer mark MyiY coordinate ofi(By design
(Coordinate values of) are known, and the storage unit in the main control system 6 of
Remembered in. In this case, the wafer mark Mx iX
Coordinates and wafer mark MyiY coordinate of
Hot area ESiX coordinate and y coordinate of

【0044】また、ウエハ8上にはおおまかな位置合わ
せ(グローバル・アライメント)を行うための2つの2
次元のグローバル・アライメントマーク(不図示)が形
成され、これら2つのグローバル・アライメントマーク
のウエハ8上の座標系(x,y)での座標値は既知であ
る。そこで、線形伸縮を等方的とみなし(即ち、X方向
及びY方向のスケーリングのパラメータRx,Ryにつ
いて、Rx=Ryが成立する)、ステージ座標系の直交
度誤差wを0とみなして、(数1)の未知の変換パラメ
ータを4個にした上で、図2の主制御系6が、アライメ
ント系15を介してウエハ8上の2つの2次元のグロー
バル・アライメントマークのステージ座標系(X,Y)
での座標値を計測する。この計測結果より、(数1)の
簡略化された4個の変換パラメータの値を決定する。
Further, two wafers 2 for performing rough alignment (global alignment) are formed on the wafer 8.
Dimensional global alignment marks (not shown) are formed, and the coordinate values of these two global alignment marks in the coordinate system (x, y) on the wafer 8 are known. Therefore, the linear expansion / contraction is regarded as isotropic (that is, Rx = Ry holds for the scaling parameters Rx and Ry in the X and Y directions), and the orthogonality error w of the stage coordinate system is regarded as 0, The number of unknown conversion parameters in Equation 1 is set to four, and then the main control system 6 in FIG. 2 causes the stage coordinate system (X) of the two two-dimensional global alignment marks on the wafer 8 via the alignment system 15 (X , Y)
Measure the coordinate values at. Based on this measurement result, the values of the four simplified conversion parameters of (Equation 1) are determined.

【0045】また、本例では図4のM個のショット領域
ES1 〜ESM よりN個(Nは4以上でM以下の整数)
のサンプルショットSA1,SA2,…,SANを選択
し、図1のステップ101においてそれらN個のサンプ
ルショットのステージ座標系(X,Y)での座標値を計
測する。なお、図4では、ショット領域の個数Mが86
個で、サンプルショットの個数Nが10個の場合を示し
ている。
Further, N pieces of M shot areas ES 1 ~ES M in FIG. 4 in this example (N is M an integer 4 or more)
, SAN are selected, and the coordinate values of these N sample shots in the stage coordinate system (X, Y) are measured in step 101 of FIG. In FIG. 4, the number M of shot areas is 86.
In this case, the number N of sample shots is 10.

【0046】その計測を行うため、主制御系6は、グロ
ーバル・アライメントで求めた4個の変換パラメータ、
並びにウエハマークMxi の設計上のx座標、及びウエ
ハマークMyi の設計上のy座標を順次(数1)に代入
することにより、ステージ座標系(X,Y)上でのウエ
ハマークMxi の計算上のX座標の初期値、及びウエハ
マークMyi の計算上のY座標の初期値を算出する。ま
た、ウエハマークMx i の中心の計算上のY座標の初期
値、及びウエハマークMyi の中心の計算上のX座標の
初期値も同時に算出する。これらステージ座標系(X,
Y)上での設計上の座標値の初期値に基づいてウエハス
テージ10を駆動することにより、ウエハマークMxi
及びウエハマークMyi を順次アライメント系15の観
察視野内に追い込んで、正確な座標値を計測する。
In order to perform the measurement, the main control system 6 is
4 conversion parameters obtained by global alignment,
And wafer mark MxiDesign x-coordinate and
Hammark MyiSubstituting the design y-coordinates into (Equation 1) sequentially
By doing so, the wafer on the stage coordinate system (X, Y)
Hammark MxiInitial value of X coordinate in calculation of wafer and wafer
Mark MyiThe initial value of the calculated Y coordinate is calculated. Well
Wafer mark Mx iThe initial Y coordinate of the center of
Value and wafer mark MyiOf the calculated X coordinate of the center of
The initial value is also calculated at the same time. These stage coordinate systems (X,
Y) Based on the initial design coordinate values on the wafer
By driving the tage 10, the wafer mark Mxi
And wafer mark MyiOf the alignment system 15
Drive into the visual field and measure accurate coordinate values.

【0047】次に、ステップ102において、変数Lの
初期値を1とし、ステップ103から106までの工程
をN回繰り返す。先ず、ステップ103において、N個
のサンプルショットからL番目のサンプルショットを除
いた(N−1)個のサンプルショットの設計上の座標、
及び計測された座標値に基づいて、(数2)の残留誤差
成分を最小にするようにEGA計算(又は他の統計処理
でもよい)を行って、(数1)の6個の変換パラメータ
a〜fの値を定める。このようにして定められた変換パ
ラメータa〜fを代入して得られる(数1)の座標変換
式が、本発明の仮想的な座標変換式に対応する。(数
1)の座標変換式により得られる座標系は、計測値から
非線形なばらつきを取り除いた線形的な仮想座標系とも
みなすことができる。
Next, in step 102, the initial value of the variable L is set to 1, and the steps 103 to 106 are repeated N times. First, in step 103, the design coordinates of (N-1) sample shots obtained by removing the L-th sample shot from the N sample shots,
Based on the measured coordinate values, EGA calculation (or other statistical processing may be performed) is performed so as to minimize the residual error component of (Equation 2), and the six conversion parameters a of (Equation 1) are calculated. Determine the value of ~ f. The coordinate conversion formula of (Equation 1) obtained by substituting the conversion parameters a to f determined in this way corresponds to the virtual coordinate conversion formula of the present invention. The coordinate system obtained by the coordinate conversion formula of (Equation 1) can also be regarded as a linear virtual coordinate system in which nonlinear variations are removed from the measured values.

【0048】次に、ステップ104において、ステップ
103で求めた変換パラメータa〜fとそのL番目のサ
ンプルショットの設計上の位置とを(数1)に代入し
て、そのL番目のサンプルショットの仮想位置、即ちス
テージ座標系(X,Y)での計算上の配列座標を求め
る。これは、ステップ103で求めた仮想的な座標変換
式と設計上の位置とから、L番目のサンプルショットの
仮想位置を求めることを意味する。
Next, in step 104, the conversion parameters a to f obtained in step 103 and the design position of the L-th sample shot are substituted into (Equation 1), and the L-th sample shot A virtual position, that is, a calculated array coordinate in the stage coordinate system (X, Y) is obtained. This means that the virtual position of the L-th sample shot is calculated from the virtual coordinate conversion formula calculated in step 103 and the designed position.

【0049】更に、ステップ105において、そのL番
目のサンプルショットの仮想位置と、そのL番目のサン
プルショットのステップ101で計測された座標位置と
のずれ量E(L)を求める。その仮想位置を(XL,
L)、その計測された座標位置を(XML,YML)とする
と、ずれ量E(L)は次式で表される。
Further, in step 105, a deviation amount E (L) between the virtual position of the L-th sample shot and the coordinate position of the L-th sample shot measured in step 101 is obtained. The virtual position is ( XL ,
Y L), the measured coordinates (XM L, when a YM L), displacement amount E (L) is expressed by the following equation.

【0050】[0050]

【数3】 E(L)={(XL-XML)2 +(YL-YML)2}1/2 その後、ステップ106において、変数LがNに等しい
か(繰り返しがN回行われたか)どうかを判断し、変数
LがNより小さければ、変数Lに1を加算して、ステッ
プ103へ戻る。一方、ステップ106で変数LがNに
等しければ、N個のサンプルショットの全てについて、
それぞれを排除した場合の仮想的な座標変換式を用いて
仮想位置を算出する工程が行われたため、動作はステッ
プ108へと進む。
Equation 3] E (L) = {(X L -XM L) 2 + (Y L -YM L) 2} 1/2 Then, in step 106, if the variable L is equal to N (repeated N times the line If the variable L is smaller than N, 1 is added to the variable L and the process returns to step 103. On the other hand, if the variable L is equal to N in step 106, for all N sample shots,
Since the step of calculating the virtual position by using the virtual coordinate conversion formula in the case of excluding each is performed, the operation proceeds to step 108.

【0051】ステップ108は、ステップ109から1
12までの動作を繰り返すための初期設定を行うステッ
プであり、変数N’としてサンプルショットの個数Nの
値を記憶し、変数Lを1に初期化する。それに続くステ
ップ109において、ステップ105で算出したずれ量
E(L)と、予め設定されている許容値E0 との比較を
行い、ずれ量E(L)がE0 より大きい場合、ステップ
110に進み、そのL番目のサンプルショットを跳びシ
ョットとみなして削除すると共に、変数N’から1だけ
減ずる。なお、前述のステップ103において、(N−
1)個の座標位置データから、仮想的な座標変換式を求
める際には、跳びショットとしてのL番目のサンプル領
域の計測結果が含まれていないため、仮想的な座標変換
式は正確に求められている。従って、この仮想的な座標
変換式により、ウエハ8上の殆ど全てのショット領域
(跳びショットは除く)のステージ座標系(X,Y)で
の配列座標が正確に算出され、その座標変換式により算
出された仮想座標とL番目のサンプルショットの計測さ
れた座標とのずれ量E(L)を判断基準とすることによ
り、正確に跳びショットを排除できる。
Step 108 includes steps 109 to 1
This is a step for performing initialization for repeating the operations up to 12, in which the value of the number N of sample shots is stored as a variable N ′, and the variable L is initialized to 1. In the following step 109, the deviation amount E (L) calculated in step 105 is compared with a preset allowable value E 0. If the deviation amount E (L) is larger than E 0, the process proceeds to step 110. Then, the L-th sample shot is regarded as a jump shot and is deleted, and at the same time, the variable N ′ is decremented by one. In step 103 described above, (N-
1) When calculating the virtual coordinate conversion formula from the coordinate position data, since the measurement result of the L-th sample area as the jump shot is not included, the virtual coordinate conversion formula is accurately calculated. Has been. Therefore, the array coordinate in the stage coordinate system (X, Y) of almost all shot areas (excluding jump shots) on the wafer 8 is accurately calculated by this virtual coordinate conversion formula, and the coordinate conversion formula is used. By using the amount of deviation E (L) between the calculated virtual coordinates and the measured coordinates of the L-th sample shot as a criterion, jump shots can be accurately excluded.

【0052】ステップ110に続くステップ111で
は、ステップ106と同様に、繰り返し動作がN回行わ
れたかどうかを判断する。N回の繰り返しが終了した場
合には、ステップ113に進む。一方、ステップ109
でずれ量E(L)が許容値E0以下である場合には、ス
テップ111に移行する。そして、ステップ111で、
変数LがNに達していないときには、ステップ112で
変数Lに1を加算した後、ステップ109に戻って次の
ずれ量E(L)と許容値E0 との比較を行う。このよう
にして、N個のサンプルショット中で、ずれ量E(L)
が許容値E0 より大きいものが跳びショットとして排除
される。従って、この例では跳びショットとして排除さ
れるサンプルショットの個数は複数個であっても構わな
い。
In step 111 following step 110, similarly to step 106, it is determined whether or not the repeating operation has been performed N times. When the repetition of N times is completed, the routine proceeds to step 113. On the other hand, step 109
If the deviation amount E (L) is less than or equal to the allowable value E 0 , the process proceeds to step 111. Then, in step 111,
When the variable L has not reached N, 1 is added to the variable L in step 112, and then the process returns to step 109 to compare the next deviation amount E (L) with the allowable value E 0 . In this way, the deviation amount E (L) in N sample shots
Those that are larger than the allowable value E 0 are excluded as jump shots. Therefore, in this example, the number of sample shots excluded as jump shots may be plural.

【0053】但し、跳びショットを排除した後に残され
るサンプルショットの個数が少な過ぎると平均化効果が
小さくなるため、それを防止するために跳びショットと
して排除されるサンプルショットの個数に所定の上限値
(限界排除数)を設けるか、又は残されるサンプルショ
ットの個数に所定の下限値(許容数)を設けるようにし
てもよい。これについては後述する。
However, if the number of sample shots left after the jump shots are eliminated is too small, the averaging effect becomes small. Therefore, in order to prevent this, a predetermined upper limit value is set for the number of sample shots eliminated as the jump shots. (Limit exclusion number) may be provided, or a predetermined lower limit (allowable number) may be provided for the number of sample shots left. This will be described later.

【0054】その後、ステップ113において、跳びシ
ョットを排除して残されたN’個のサンプルショットの
設計上の座標、及び計測された座標値を基に、再びEG
A計算(又は他の統計処理でもよい)を行い、(数1)
に示す線形的で仮想的な座標変換式を求める。そして、
この座標変換式を用いて各ショット領域ESi のステー
ジ座標系(X,Y)での配列座標を求め、それに基づい
て図2のウエハステージ10を駆動して、各ショット領
域ESi の基準点を順次投影光学系7による露光領域の
基準点に位置決めしてそれぞれレチクル2のパターンを
投影露光する。その後、ステップ114で、次のウエハ
への露光等の処理が行われる。
Then, in step 113, based on the design coordinates of the N'sample shots left after the jump shots are removed and the measured coordinate values, EG is again determined.
A calculation (or other statistical processing may be performed), and (Equation 1)
The linear and virtual coordinate conversion formula shown in is obtained. And
Using this coordinate conversion formula, the array coordinates of each shot area ES i in the stage coordinate system (X, Y) are obtained, and the wafer stage 10 of FIG. 2 is driven based on this to set the reference point of each shot area ES i . Are sequentially positioned at the reference points of the exposure area by the projection optical system 7, and the pattern of the reticle 2 is projected and exposed. Then, in step 114, processing such as exposure to the next wafer is performed.

【0055】次に、図1のステップ103からステップ
105までの工程と、ステップ110の工程について図
5〜図7を参照して詳細に説明する。以下ではサンプル
ショットの個数Nが10個の場合を例に取って説明す
る。図5は、ステップ101において計測された10個
(N=10)のサンプルショットSA1〜SA10を示
し、この図5において、各サンプルショットにおける設
計上の座標に対する計測された座標のずれ(アライメン
ト誤差)を誤差ベクトルE1〜E10で表している。ま
た、10個のサンプルショット中でサンプルショットS
A4が跳びショットとなっている。この場合、図1のス
テップ103においては、これらの10点の計測位置か
ら順次L番目のサンプルショットのデータを除いた9個
の計測値、及び対応する9個の設計値に基づいてEGA
計算を行う。そして、得られた(数1)の6個の変換パ
ラメータを用いて、ステップ104でそのL番目のサン
プルショットの仮想位置を求め、上記の計測値と比較す
る。
Next, the steps 103 to 105 of FIG. 1 and the step 110 will be described in detail with reference to FIGS. In the following, a case where the number N of sample shots is 10 will be described as an example. FIG. 5 shows ten (N = 10) sample shots SA1 to SA10 measured in step 101. In FIG. 5, the deviation of the measured coordinates from the designed coordinates in each sample shot (alignment error). Are represented by error vectors E1 to E10. Also, of the 10 sample shots, sample shot S
A4 is a jump shot. In this case, in step 103 of FIG. 1, EGA is performed based on 9 measured values obtained by sequentially removing the data of the L-th sample shot from these 10 measured positions and the corresponding 9 designed values.
Calculate. Then, using the obtained six conversion parameters of (Equation 1), the virtual position of the L-th sample shot is obtained in step 104 and compared with the above measured value.

【0056】図6(a)は、跳びショットであるサンプ
ルショットSA4(L=4)を除いた場合のステップ1
04の結果を示す。即ち、サンプルショットSA4を除
く9個のサンプルショットの計測結果、及び設計座標に
対してEGA計算を行って6個の変換パラメータを求
め、その変換パラメータとサンプルショットSA4の設
計上の座標とを(数1)に代入してサンプルショットS
A4の仮想座標を求める。そして、そのように求められ
た仮想座標とサンプルショットSA4の計測された座標
とのずれを示すベクトルを誤差ベクトルδE4 として示
してある。この誤差ベクトルδE4 はX成分とY成分と
からなり、その絶対値(大きさ)|δE4|は{(X成
分)2 +(Y成分)2 1/2 である。ステップ105で
は、その絶対値|δE4|を求め、これをずれ量E(4)
として記憶する。
FIG. 6A shows Step 1 when the sample shot SA4 (L = 4) which is a jump shot is removed.
The result of 04 is shown. That is, the EGA calculation is performed on the measurement results of 9 sample shots excluding the sample shot SA4 and the design coordinates to obtain 6 conversion parameters, and the conversion parameters and the design coordinates of the sample shot SA4 are ( Substituting into equation 1) sample shot S
Obtain the virtual coordinates of A4. Then, a vector indicating the deviation between the virtual coordinates thus obtained and the measured coordinates of the sample shot SA4 is shown as an error vector δE 4 . This error vector δE 4 consists of an X component and a Y component, and its absolute value (magnitude) | δE 4 | is {(X component) 2 + (Y component) 2 } 1/2 . In step 105, the absolute value | δE 4 | is calculated, and this is calculated as the shift amount E (4)
Memorize as.

【0057】そして、図6(b)に示すように、記憶し
たずれ量E(4)(=|δE4|)をステップ109にて
許容値E0 と比較し、許容値E0 よりずれ量E(4)が
大きければサンプルショットSA4は跳びショットとし
てサンプルショットから削除される。なお、図6(a)
中には、サンプルショットSA4(L=4)以外のサン
プルショットについても、9個のサンプルショットの座
標データに基づいて算出された各々の仮想位置と計測位
置とのずれを誤差ベクトルE1,E2,…で示している
が、図6(a)中の誤差ベクトルE1,E2,…は、図
5(a)中の誤差ベクトルE1,E2,…とは異なるも
のである。また、図6(a)の場合、サンプルショット
SA4が跳びショットであるか否かの判断は、ずれ量|
δE4|のみを用いて行うので、他の誤差ベクトルE1,
E2,…については必ずしもこれを求める必要はない。
[0057] Then, as shown in FIG. 6 (b), the stored displacement amount E (4) (= | δE 4 |) is compared with the allowable value E 0 at step 109, the deviation amount than the allowable value E 0 If E (4) is large, the sample shot SA4 is deleted from the sample shot as a jump shot. Note that FIG. 6 (a)
For the sample shots other than the sample shot SA4 (L = 4), the error vectors E1, E2 and the deviations between the respective virtual positions calculated on the basis of the coordinate data of the nine sample shots and the measurement position are included. , But the error vectors E1, E2, ... In FIG. 6 (a) are different from the error vectors E1, E2 ,. Further, in the case of FIG. 6A, it is determined whether the sample shot SA4 is a jump shot by the shift amount |
Since only δE 4 | is used, other error vectors E1,
It is not always necessary to obtain this for E2, ....

【0058】次に、図7(a)はステップ103におい
て跳びショットではないサンプルショットSA3(L=
3)を除き、ステップ104,105から求めたサンプ
ルショットSA3の仮想座標と計測された座標とのずれ
を示す誤差ベクトルδE3 をプロットしたものである。
図7(b)に示すように、このときの誤差ベクトルの絶
対値|δE3|(ずれ量E(3))は許容値E0 より小さ
いため、サンプルショットSA3は跳びショットとは判
断されず、ステップ110で削除されることはない。こ
れは他のサンプルショットSAL(L=1,2,5,
6,7,8,9,10)でも全く同様である。
Next, in FIG. 7A, in step 103, a sample shot SA3 (L =
With the exception of 3), the error vector δE 3 indicating the deviation between the virtual coordinates of the sample shot SA3 obtained from steps 104 and 105 and the measured coordinates is plotted.
As shown in FIG. 7B, since the absolute value of the error vector | δE 3 | (deviation amount E (3)) at this time is smaller than the allowable value E 0 , the sample shot SA3 is not judged to be a jump shot. , It is not deleted in step 110. This is another sample shot SAL (L = 1, 2, 5,
6, 7, 8, 9, 10) is exactly the same.

【0059】但し、このときサンプルショットSA3に
近接したサンプルショットSA4が跳びショットである
ため、その影響を受けて(EGA計算により求められる
変換パラメータが影響される)誤差ベクトルの絶対値|
δE3|は、許容値E0 に近い大きな値となっている。そ
れでも、絶対値|δE3|は許容値E0 よりは小さく、サ
ンプルショットSA3 を跳びショットと誤認識すること
はないが、より一層確実に誤認識を防止するために、サ
ンプルショットSA3に近接したサンプルショット(図
7(a)ではサンプルショットSA2,SA4)につい
ても、それぞれ誤差ベクトルの絶対値|δE2'|,|δ
4'|を求める。そして、絶対値|δE 2'|,|δE4'
|が或る程度以上、例えばE0 /2以上であるときに
は、絶対値|δE3|が許容値E0 より大きくともサンプ
ルショットSA3 を跳びショットと判断しないようにし
てもよい。
However, at this time, the sample shot SA3
The adjacent sample shot SA4 is a jump shot
Therefore, under the influence of it (determined by EGA calculation
Absolute value of error vector |
δE3| Is the tolerance E0It is a large value close to. So
Absolute value | δE3| Is the tolerance E0Smaller than
Sample Shot SA3Misidentify as a jump shot
However, in order to prevent misidentification even more reliably,
Sample shot near the sample shot SA3 (Fig.
For sample shots SA2 and SA4 in 7 (a),
However, the absolute value of the error vector | δE2'|, | Δ
EFourAsk for '| And the absolute value | δE 2'|, | ΔEFour'
| Is above a certain level, for example E0When / 2 or more
Is the absolute value | δE3Is the allowable value E0Larger sump
Leshot SA3Do not judge as a jump shot
May be.

【0060】なお、許容値E0 は使用する投影露光装置
のウエハステージ10のステージ停止精度(ステッピン
グ精度)と、使用するアライメント系15の検出精度と
の合成精度により定める。例えば、ステージ精度がσ値
(標準偏差)としてαであり、センサの検出精度がσ値
としてβであれば、所定の係数γを用いて、許容値E 0
を次のように設定すればよい。なお、係数γは、例えば
1より大きい実数である。
The allowable value E0Is the projection exposure equipment used
Wafer stage 10 stage stop accuracy (stepping
Accuracy) and the detection accuracy of the alignment system 15 used
Determined by the synthesis accuracy of. For example, the stage accuracy is σ value
(Standard deviation) is α, and the detection accuracy of the sensor is the σ value
If β is, then the allowable value E is obtained by using a predetermined coefficient γ. 0
Should be set as follows. The coefficient γ is, for example,
It is a real number greater than 1.

【0061】[0061]

【数4】E0 =γ(α2 +β3 1/2 なお、上述の例では、サンプルショットの個数Nを10
としたが、Nの値は勿論これに限るものではなく、Nは
4以上の自然数であればよい。また、既に説明したよう
に、ステップ110で削除されるサンプルショットの個
数があまりに多いと、平均化効果が不足し、残される
N’個のサンプルショットのデータを用いてステップ1
13にて行うEGA計算の精度が劣化する恐れがある。
このため、ステップ110で削除するサンプルショット
数に上限(限界排除数)を設け、その個数以上に多くの
サンプルショットを削除しないようにしてもよい。勿
論、削除するサンプルショット数の上限を定めるのでは
なく、残されるサンプルショットの個数の下限N'
Lim(許容数)を定めても全く同様である。一般に3個
以上のサンプルショットがないとEGA計算はできない
ため、残されるサンプルショットの個数N’の下限の最
低数は3であるが、或る程度の平均化効果を得るため
に、この下限N'Limを例えば6程度にする。勿論、この
値も6に限ったものではない。
## EQU4 ## E 0 = γ (α 2 + β 3 ) 1/2 In the above example, the number N of sample shots is 10
However, the value of N is not limited to this, and N may be a natural number of 4 or more. In addition, as described above, if the number of sample shots deleted in step 110 is too large, the averaging effect is insufficient, and the data of N ′ sample shots remaining is used in step 1
There is a possibility that the accuracy of the EGA calculation performed in 13 may deteriorate.
For this reason, an upper limit (limit exclusion number) may be set for the number of sample shots to be deleted in step 110 so that a larger number of sample shots than that number may not be deleted. Of course, the upper limit of the number of sample shots to be deleted is not set, but the lower limit N'of the number of sample shots to be left.
This is exactly the same even if the Lim (allowable number) is set. Generally, the EGA calculation cannot be performed unless there are three or more sample shots. Therefore, the lower limit of the number of remaining sample shots N ′ is 3, but in order to obtain a certain averaging effect, the lower limit N ' Set Lim to around 6, for example. Of course, this value is not limited to 6.

【0062】この場合、ステップ110でサンプルショ
ットを削除する際に、個数N’の値がその下限N'Lim
下回らないようにする必要がある。このため、例えばス
テップ109,110での処理を図1とは異ならせ、ス
テップ109にてE(L)>E0 なる変数Lの値と、ず
れ量E(L)の大きさを記憶し、全ての変数Lについて
ステップ109が終了した段階で、E(L)>E0 であ
った各変数Lについて、ずれ量E(L)が大きな順に最
大で(N−N'Lim)個だけのサンプルショットを跳びシ
ョットとして削除するようにすればよい。
In this case, it is necessary to prevent the value of the number N ′ from falling below the lower limit N ′ Lim when deleting the sample shot in step 110. Therefore, for example, the processing in steps 109 and 110 is made different from that in FIG. 1, and in step 109, the value of the variable L such that E (L)> E 0 and the magnitude of the deviation amount E (L) are stored, At the stage when step 109 is completed for all variables L, for each variable L for which E (L)> E 0 , only a maximum of (NN ′ Lim ) samples in descending order of displacement amount E (L) The shot should be deleted as a jump shot.

【0063】また、図1中のステップ113の前に、残
されているサンプルショットの個数N’をNとおいて再
びステップ102へ移行し、ステップ103〜112ま
での一連の処理を行うようにしてもよい。即ち、ステッ
プ102〜112までの跳びショットの削除動作を2段
階に渡って行うこともできる。ここで、上述実施例と従
来技術との比較を行うため、従来技術におけるの方法
を図5の配列のサンプルショットに適用した結果を図8
に示す。その従来技術におけるの方法では、図5の1
0点のサンプルショットSA1〜SA10の計測座標の
全てを用いてEGA計算を行い、それにより得られた変
換パラメータと設計上の座標とより各サンプルショット
の仮想位置を求め、これら仮想位置と計測された座標と
のずれを示す誤差ベクトルを求める。このようにしてサ
ンプルショットSA1〜SA10毎に求められた誤差ベ
クトルが、図8のサンプルショットSA1〜SA10の
中に矢印で誇張して示してある。具体的に、サンプルシ
ョットSA3及びSA4について求められる誤差ベクト
ルはベクトルδE3'及びδE4'であるが、ベクトルδE
3'とδE4'とは大きさがほぼ同じである。従って、跳び
ショットは前述の通りサンプルショットSA4である
が、従来技術の方法では図8の結果から跳びショットが
サンプルショットSA3であるのか、又はサンプルショ
ットSA4であるのかを正確に判別することは難しいこ
とが分かる。
Prior to step 113 in FIG. 1, the number N ′ of remaining sample shots is set to N, the process proceeds to step 102 again, and the series of processes from step 103 to 112 is performed. Good. That is, the jump shot deleting operation in steps 102 to 112 can be performed in two steps. Here, in order to compare the above-described embodiment with the conventional technique, the result of applying the method of the conventional technique to the sample shot of the array of FIG. 5 is shown in FIG.
Shown in The method of the prior art is shown in FIG.
EGA calculation is performed using all the measurement coordinates of the sample shots SA1 to SA10 at 0 points, and the virtual position of each sample shot is obtained from the conversion parameters and design coordinates obtained thereby, and these virtual positions are measured. The error vector indicating the deviation from the coordinate is calculated. The error vector thus obtained for each of the sample shots SA1 to SA10 is exaggerated by an arrow in the sample shots SA1 to SA10 of FIG. Specifically, the error vectors obtained for the sample shots SA3 and SA4 are the vectors δE 3 ′ and δE 4 ′, but the vector δE
The size of 3'and δE 4 'is almost the same. Therefore, the jump shot is the sample shot SA4 as described above, but it is difficult to accurately determine whether the jump shot is the sample shot SA3 or the sample shot SA4 from the result of FIG. I understand.

【0064】なお、上述実施例では、図4に示すように
各サンプルショットSA1,SA2,…においてそれぞ
れX軸用のウエハマーク及びY軸用のウエハマークの位
置を計測しているが、各サンプルショットにおいて必ず
しもX軸用のウエハマーク及びY軸用のウエハマークの
位置を計測する必要はない。例えばサンプルショットの
数を2倍にして、奇数番目のサンプルショットSA1,
SA3,…においては、X軸用のウエハマークのみを計
測し、偶数番目のサンプルショットSA2,SA4,…
においては、Y軸用のウエハマークのみを計測するよう
にしてもよく、この場合には各ウエハマークを除いてE
GA計算を行って求めた座標変換式によりその排除され
たウエハマークの仮想位置を求め、この仮想位置と設計
上の位置とのずれ量も大きなウエハマークを跳びマーク
として排除していけばよい。
In the above embodiment, the positions of the X-axis wafer mark and the Y-axis wafer mark are measured in each sample shot SA1, SA2, ... As shown in FIG. It is not always necessary to measure the positions of the X-axis wafer mark and the Y-axis wafer mark in the shot. For example, by doubling the number of sample shots, odd-numbered sample shots SA1,
At SA3, ..., Only the X-axis wafer mark is measured, and even-numbered sample shots SA2, SA4 ,.
In the above, only the wafer mark for the Y axis may be measured. In this case, E
The virtual position of the excluded wafer mark is obtained by the coordinate conversion formula obtained by performing the GA calculation, and the wafer mark having a large amount of deviation between the virtual position and the designed position may be eliminated as the jump mark.

【0065】また、上述実施例では(数2)を最小とす
るEGA計算が使用されているが、サンプルショット毎
に例えばウエハの中心からの距離に応じて重みを付与
し、(数2)の代わりにその重みを用いた加重加算によ
り残留誤差成分を定義し、この残留誤差成分が最小にな
るように変換パラメータを定める重み付けEGA方式を
使用する場合等にも本発明は適用できる。
In the above embodiment, the EGA calculation that minimizes (Equation 2) is used. However, for each sample shot, a weight is given according to the distance from the center of the wafer, and Instead, the present invention can be applied to the case where a weighted EGA method is used in which a residual error component is defined by weighted addition using the weights and a conversion parameter is determined so that this residual error component is minimized.

【0066】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【0067】[0067]

【発明の効果】本発明の位置合わせ方法によれば、最初
に選択されたN個のサンプル領域(サンプルショット)
から順次L番目のサンプル領域を除いた(N−1)個の
サンプル領域についてそれぞれ仮想的な座標変換式を求
め、この座標変換式に基づいてそのL番目の仮想位置を
求め、この仮想位置と計測された座標位置とのずれ量が
所定の許容値を超える場合に跳びショットであるとして
排除を行っている。この際に、その座標変換式を求める
際のデータには、跳びショットのデータが入っていない
ため、跳びショットを正確に排除して、高精度に位置合
わせできる利点がある。
According to the alignment method of the present invention, the first N sample areas (sample shots) selected.
From the L-th sample area, virtual coordinate conversion formulas are calculated for each of the (N-1) sample regions, and the L-th virtual position is calculated based on this coordinate conversion formula. When the deviation amount from the measured coordinate position exceeds a predetermined allowable value, the jump shot is excluded. At this time, since data for jumping shots is not included in the data when the coordinate conversion formula is obtained, there is an advantage that jumping shots can be accurately excluded and alignment can be performed with high accuracy.

【0068】また、第3工程において、N個のずれ量中
に所定の許容値より大きいものが複数個ある場合に、こ
れら複数個のずれ量の内で最も大きいものから順に所定
の限界排除数までのずれ量に対応する1個又は複数個の
サンプル領域を第4工程で排除する場合には、跳びショ
ットが複数個ある場合でも、限界排除数を超えない範囲
で跳びショットを正確に、且つ迅速に排除できる利点が
ある。
Further, in the third step, when there are a plurality of deviation amounts larger than the predetermined allowable value among the N deviation amounts, the predetermined maximum number of exclusions in order from the largest deviation amount among the plural deviation amounts. If one or more sample areas corresponding to the shift amount up to are excluded in the fourth step, even if there are a plurality of jump shots, the jump shots can be accurately and within a range not exceeding the limit exclusion number, and There is an advantage that it can be eliminated quickly.

【0069】更に、第4工程において、Q番目のサンプ
ル領域を排除した場合に、第4工程において残されるサ
ンプル領域の個数が予め定められた許容数以上である範
囲内で、その第4工程において残されるサンプル領域に
ついて第2工程から第4工程までを繰り返す場合にも、
複数個の跳びショットを正確に排除できる利点がある。
Further, in the fourth step, when the Q-th sample area is excluded, the number of sample areas left in the fourth step is within a predetermined allowable number or more. Even when the second to fourth steps are repeated for the remaining sample area,
There is an advantage that a plurality of jump shots can be accurately excluded.

【0070】また、第3工程で比較対象となる所定の許
容値が、それらサンプル領域の第2の座標系上での座標
位置の計測値のばらつきを超える値である場合には、計
測値がばらついた場合に誤って跳びショットと判定する
ことがなくなる。
If the predetermined allowable value to be compared in the third step exceeds the variation in the coordinate position measurement values of the sample areas on the second coordinate system, the measurement value is If there are variations, it will no longer be mistaken for a jump shot.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による位置合わせ方法の一実施例が適用
された露光方法を示すフローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart showing an exposure method to which an embodiment of a positioning method according to the present invention is applied.

【図2】図1の露光方法が適用される投影露光装置を示
す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a projection exposure apparatus to which the exposure method of FIG. 1 is applied.

【図3】図2中のオフ・アクシス方式のアライメント系
15の指標板上の像の一例を示す拡大図である。
3 is an enlarged view showing an example of an image on an index plate of an off-axis type alignment system 15 in FIG.

【図4】実施例で露光されるウエハ8上のサンプルショ
ットの配列の一例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing an example of an array of sample shots on a wafer 8 to be exposed in an example.

【図5】個数が10個で1つの跳びショットを含むサン
プルショットの配列、及びアライメント誤差の一例を示
す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing an example of an array of sample shots including 10 jump shots and an alignment error.

【図6】図5からサンプルショットSA4を除いて図1
のステップ104の工程を実行して得られる、そのサン
プルショットSA4の仮想位置と計測された位置とのず
れ量、及び他のサンプルショットのアライメント誤差の
線形成分を示す図である。
6 is the same as FIG. 1 except that sample shot SA4 is omitted.
FIG. 10 is a diagram showing the amount of deviation between the virtual position of the sample shot SA4 and the measured position and the linear component of the alignment error of other sample shots, which is obtained by executing the process of step 104 of FIG.

【図7】図5からサンプルショットSA3を除いて図1
のステップ104の工程を実行して得られる、そのサン
プルショットSA3の仮想位置と計測された位置とのず
れ量、及び他のサンプルショットのアライメント誤差の
線形成分を示す図である。
FIG. 7 is a diagram of FIG. 1 except for sample shot SA3.
FIG. 8 is a diagram showing the amount of deviation between the virtual position of the sample shot SA3 and the measured position and the linear component of the alignment error of another sample shot, which is obtained by executing the process of step 104 of FIG.

【図8】図5のサンプルショットに対して従来技術を適
用して求めた仮想位置と計測位置とのずれを示す平面図
である。
8 is a plan view showing a deviation between a virtual position and a measurement position obtained by applying a conventional technique to the sample shot of FIG.

【図9】従来の跳びショットの排除方法の一例の説明図
である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of an example of a conventional jump shot elimination method.

【図10】従来の跳びショットの排除方法の他の例が適
用されるウエハ上のサンプルショットのアライメント誤
差を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an alignment error of a sample shot on a wafer to which another example of the conventional jump shot elimination method is applied.

【図11】従来の跳びショットの排除方法の他の例を図
10のウエハに適用した場合の説明図である。
11 is an explanatory diagram when another example of the conventional jump shot elimination method is applied to the wafer of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 照明光学系 2 レチクル 6 主制御系 7 投影光学系 8 ウエハ 9 ウエハホルダー 10 ウエハステージ 15 オフ・アクシス方式のアライメント系 22 指標板 26X,26Y 撮像素子 ES1 〜ESM ショット領域 SA1〜SA10 サンプルショット Mxi X軸のウエハマーク Myi Y軸のウエハマーク1 illumination optical system 2 reticle 6 main control system 7 projection optical system 8 wafer 9 wafer holder 10 the wafer stage 15 off-axis type of alignment system 22 index plate 26X, 26Y imaging element ES 1 ~ES M shot areas SA1~SA10 sample shots Mx i X-axis wafer mark My i Y-axis wafer mark

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に設定された第1の座標系上の配
列座標に基づいて前記基板上に配列された複数の被加工
領域の各々を、前記基板の移動位置を規定する第2の座
標系内の所定の加工位置に対して位置合わせする方法に
おいて、 前記複数の被加工領域のうち、予め選択されたN個(N
は4以上の整数)のサンプル領域の前記第2の座標系上
での座標位置を計測する第1工程と;前記第1工程で計
測された前記N個のサンプル領域の座標位置データか
ら、L番目(Lは1からNまでの整数)のサンプル領域
を除いた(N−1)個の座標位置データを統計処理して
仮想的な座標変換式を求め、該仮想的な座標変換式と前
記L番目のサンプル領域の設計上の位置とから前記L番
目のサンプル領域の仮想位置を算出し、該算出した仮想
位置と前記第1工程で計測された前記L番目のサンプル
領域の座標位置データとを比較し、そのずれ量を記憶す
る処理を、各回毎にLの値を異ならせつつN回繰り返す
第2工程と;該第2工程で得た前記N個のずれ量と所定
の許容値とをそれぞれ比較する第3工程と;該第3工程
で前記N個のずれ量中のQ番目(Qは1からNまでの整
数)のずれ量が、前記所定の許容値より大きい場合に、
前記Q番目のサンプル領域を排除し、残された(N−
1)個のサンプル領域の座標位置データを統計処理して
求めた前記仮想的な座標変換式より、前記基板上の前記
複数の被加工領域の各々の前記第2の座標系上での座標
位置を算出し、 前記第3工程で、前記N個のずれ量が全て前記所定の許
容値以下である場合に、前記N個のサンプル領域の座標
位置データを統計処理して求めた仮想的な座標変換式よ
り、前記基板上の前記複数の被加工領域の各々の前記第
2の座標系上の座標位置を算出する第4工程と;を含む
ことを特徴とする位置合わせ方法。
1. A second area defining a moving position of the substrate, wherein each of a plurality of processed regions arrayed on the substrate based on array coordinates on a first coordinate system set on the substrate defines a moving position of the substrate. In a method of aligning with a predetermined processing position in a coordinate system, a preselected N (N
Is an integer greater than or equal to 4); a first step of measuring the coordinate position of the sample area on the second coordinate system; and L from the coordinate position data of the N sample areas measured in the first step. The (N-1) coordinate position data excluding the sample region (L is an integer from 1 to N) is statistically processed to obtain a virtual coordinate conversion formula, and the virtual coordinate conversion formula and the virtual coordinate conversion formula A virtual position of the L-th sample area is calculated from the design position of the L-th sample area, and the calculated virtual position and coordinate position data of the L-th sample area measured in the first step. And a process of storing the deviation amount, and repeating the process N times while changing the value of L each time; and the N deviation amounts obtained in the second step and a predetermined allowable value. And a third step of comparing each of the above; and the N deviation amounts in the third step. The Q-th (Q is an integer from 1 to N) shift amount of, if greater than said predetermined tolerance,
The Q-th sample area was excluded and left (N-
1) The coordinate position on the second coordinate system of each of the plurality of processed regions on the substrate, based on the virtual coordinate conversion formula obtained by statistically processing the coordinate position data of the sample areas. And in the third step, when all the N shift amounts are equal to or less than the predetermined allowable value, the virtual coordinate obtained by statistically processing the coordinate position data of the N sample areas. A fourth step of calculating a coordinate position on the second coordinate system of each of the plurality of processed regions on the substrate from a conversion formula; and the alignment method.
【請求項2】 前記第3工程において、前記N個のずれ
量中に前記所定の許容値より大きいものが複数個ある場
合に、該複数個のずれ量の内で最も大きいものから順に
所定の限界排除数までのずれ量に対応する1個又は複数
個のサンプル領域を前記第4工程で排除することを特徴
とする請求項1記載の位置合わせ方法。
2. In the third step, when there are a plurality of displacement amounts larger than the predetermined allowable value among the N displacement amounts, a predetermined displacement is determined in order from the largest displacement amount among the displacement amounts. 2. The alignment method according to claim 1, wherein one or a plurality of sample areas corresponding to the shift amount up to the limit exclusion number are excluded in the fourth step.
【請求項3】 前記第4工程において、前記Q番目のサ
ンプル領域を排除した場合に、前記第4工程において残
されるサンプル領域の個数が予め定められた許容数以上
である範囲内で、前記第4工程において残されるサンプ
ル領域について前記第2工程から第4工程までを繰り返
すことを特徴とする請求項1又は2記載の位置合わせ方
法。
3. In the fourth step, when the Q-th sample area is excluded, the number of sample areas remaining in the fourth step is equal to or more than a predetermined allowable number, and The alignment method according to claim 1 or 2, wherein the steps from the second step to the fourth step are repeated for the sample region left in the four steps.
【請求項4】 前記第3工程で比較対象となる前記所定
の許容値は、前記サンプル領域の前記第2の座標系上で
の座標位置の計測値のばらつきを超える値であることを
特徴とする請求項1、2又は3記載の位置合わせ方法。
4. The predetermined allowable value to be compared in the third step is a value that exceeds a variation in measured values of coordinate positions of the sample area on the second coordinate system. The alignment method according to claim 1, 2 or 3.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243969A (en) * 2011-05-20 2012-12-10 Nuflare Technology Inc Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method

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