JPH08102409A - チップ抵抗器 - Google Patents
チップ抵抗器Info
- Publication number
- JPH08102409A JPH08102409A JP5253731A JP25373193A JPH08102409A JP H08102409 A JPH08102409 A JP H08102409A JP 5253731 A JP5253731 A JP 5253731A JP 25373193 A JP25373193 A JP 25373193A JP H08102409 A JPH08102409 A JP H08102409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- short
- chip resistor
- resistor
- circuited
- resistance
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 溶断時間が短く、バラツキの小さいヒューズ
特性を有するヒューズ抵抗器を提供する。 【構成】 絶縁基体上に抵抗体を着膜し、その両端に電
極部を形成した抵抗素子の抵抗皮膜に部分的に電気的絶
縁部を設け、次いでその絶縁部にスパッタリング等の方
法で導電性金属皮膜を帯状に着膜し短絡させる。短絡さ
せる金属皮膜はＰｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ及
びそれらの合金を使用することができる。また、予め溝
加工した基板を使用し、短絡させる金属皮膜がその上方
を通過するように配置することにより溶断時間のばらつ
きを抑制できる。また、短絡箇所を除いた抵抗皮膜をト
リミングすることにより高精度の抵抗値調整が可能にな
る。
特性を有するヒューズ抵抗器を提供する。 【構成】 絶縁基体上に抵抗体を着膜し、その両端に電
極部を形成した抵抗素子の抵抗皮膜に部分的に電気的絶
縁部を設け、次いでその絶縁部にスパッタリング等の方
法で導電性金属皮膜を帯状に着膜し短絡させる。短絡さ
せる金属皮膜はＰｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ及
びそれらの合金を使用することができる。また、予め溝
加工した基板を使用し、短絡させる金属皮膜がその上方
を通過するように配置することにより溶断時間のばらつ
きを抑制できる。また、短絡箇所を除いた抵抗皮膜をト
リミングすることにより高精度の抵抗値調整が可能にな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子回路基板上に実装
されるチップ抵抗器に関し、定常状態では優れた抵抗器
の機能を果たし、異常な大電流に対し瞬時に溶断し遮断
するヒューズとして作用する。
されるチップ抵抗器に関し、定常状態では優れた抵抗器
の機能を果たし、異常な大電流に対し瞬時に溶断し遮断
するヒューズとして作用する。
【０００２】
【従来の技術】 従来のチップ抵抗器にヒューズ機能を
付与する方法として大電流が流れた際に発生するジュー
ル熱により抵抗体を溶断させるもの及び抵抗体に直列に
接続したヒューズ作用体を溶断させるものに大別でき
る。前者の場合、抵抗皮膜の保護塗料中にＳｎやＰｂを
混合し、大電流による発熱を利用し前記金属を析出させ
抵抗値を急速に低下させて溶断させる方法が一般的であ
る。また、後者の場合は抵抗器に低融点の金属を直列に
接続し大電流によりその部分を溶断させるもので様々な
構造が考案されている。
付与する方法として大電流が流れた際に発生するジュー
ル熱により抵抗体を溶断させるもの及び抵抗体に直列に
接続したヒューズ作用体を溶断させるものに大別でき
る。前者の場合、抵抗皮膜の保護塗料中にＳｎやＰｂを
混合し、大電流による発熱を利用し前記金属を析出させ
抵抗値を急速に低下させて溶断させる方法が一般的であ
る。また、後者の場合は抵抗器に低融点の金属を直列に
接続し大電流によりその部分を溶断させるもので様々な
構造が考案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】 抵抗皮膜にＳｎやＰ
ｂを混合した塗料を塗布し、大電流による発熱を利用し
前記金属を析出させ抵抗値を急速に低下させて溶断させ
る方法では溶断時間が長く、溶断に要する時間のバラツ
キを抑えることが難しく、溶断の際に抵抗体自身が高温
になり、他の回路部品に熱的悪影響を及ぼす危険性があ
る。また、低融点の金属を直列に接続し大電流によりそ
の部分を溶断させるものでは形状を小型軽量化すること
が難しく、加工工程も煩雑になり易くコスト面での障害
も大きかった。更に、従来のヒューズ抵抗器では抵抗値
を高精度に制御することが難しく、耐熱性に乏しいなど
の問題点があった。
ｂを混合した塗料を塗布し、大電流による発熱を利用し
前記金属を析出させ抵抗値を急速に低下させて溶断させ
る方法では溶断時間が長く、溶断に要する時間のバラツ
キを抑えることが難しく、溶断の際に抵抗体自身が高温
になり、他の回路部品に熱的悪影響を及ぼす危険性があ
る。また、低融点の金属を直列に接続し大電流によりそ
の部分を溶断させるものでは形状を小型軽量化すること
が難しく、加工工程も煩雑になり易くコスト面での障害
も大きかった。更に、従来のヒューズ抵抗器では抵抗値
を高精度に制御することが難しく、耐熱性に乏しいなど
の問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体上に
抵抗体を着膜し、その両端に電極部を形成した抵抗素子
の抵抗皮膜に電気的に絶縁された部分を設け、次いでそ
の絶縁部にスパッタリング等の方法で導電性金属皮膜を
帯状に着膜し短絡させることを特徴としている。短絡さ
せる金属皮膜はＰｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ及
びそれらの合金を使用することができる。短絡させる箇
所を動作時の表面温度上昇が高い抵抗パターン中央部に
配置することによりヒューズ性能を安定化させることが
できる。また、予め溝加工した平面状絶縁基体を使用
し、絶縁箇所を短絡させる金属皮膜が溝の上方を通過さ
せるように配置することにより溶断時間のばらつきを抑
制することが出来る。真空中または不活性ガス中にて熱
処理を実施することにより耐熱性を向上させる。また、
短絡させた金属短絡箇所を除く抵抗皮膜を切除すること
により高精度の抵抗値調整が可能になる。
抵抗体を着膜し、その両端に電極部を形成した抵抗素子
の抵抗皮膜に電気的に絶縁された部分を設け、次いでそ
の絶縁部にスパッタリング等の方法で導電性金属皮膜を
帯状に着膜し短絡させることを特徴としている。短絡さ
せる金属皮膜はＰｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ及
びそれらの合金を使用することができる。短絡させる箇
所を動作時の表面温度上昇が高い抵抗パターン中央部に
配置することによりヒューズ性能を安定化させることが
できる。また、予め溝加工した平面状絶縁基体を使用
し、絶縁箇所を短絡させる金属皮膜が溝の上方を通過さ
せるように配置することにより溶断時間のばらつきを抑
制することが出来る。真空中または不活性ガス中にて熱
処理を実施することにより耐熱性を向上させる。また、
短絡させた金属短絡箇所を除く抵抗皮膜を切除すること
により高精度の抵抗値調整が可能になる。
【０００５】
【作 用】 本発明品は以下の作用を有するものであ
る。 １ 溶断性能は短絡させる箇所、金属の種類、膜厚及び
着膜面積により制御する。２ 溶断の際の発熱箇所が微
少であるため抵抗体自身が高温にならない。 ３ 従来のチップ抵抗器の構造を利用することにより小
型軽量化が実現できる。 ４ 短絡箇所を除いた抵抗皮膜部を切除することで抵抗
値を高精度に制御する。 ５ 予め溝加工した基板を使用すことで溶断時間のばら
つきを抑制できる。 ６ 短絡後の素子を真空中または不活性ガス中にて１５
０℃から２００℃で加熱処理することにより耐熱性を向
上させる。
る。 １ 溶断性能は短絡させる箇所、金属の種類、膜厚及び
着膜面積により制御する。２ 溶断の際の発熱箇所が微
少であるため抵抗体自身が高温にならない。 ３ 従来のチップ抵抗器の構造を利用することにより小
型軽量化が実現できる。 ４ 短絡箇所を除いた抵抗皮膜部を切除することで抵抗
値を高精度に制御する。 ５ 予め溝加工した基板を使用すことで溶断時間のばら
つきを抑制できる。 ６ 短絡後の素子を真空中または不活性ガス中にて１５
０℃から２００℃で加熱処理することにより耐熱性を向
上させる。
【０００６】
【実施例１】以下にこの発明の請求項目に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図１はその
一実施例のチップ抵抗器を示す説明図である。アルミナ
９６％を主成分とする絶縁材料よりなる基体１の表面に
例えばニクロム合金などの抵抗用薄膜２のパターンを形
成した後、両端に金電極３を形成する。予め抵抗パター
ン中央部１箇所に幅１ｍｍ以下の絶縁部４を設け、短絡
部にスパッタリングによりＡｌ皮膜５を着膜し短絡させ
る。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図１はその
一実施例のチップ抵抗器を示す説明図である。アルミナ
９６％を主成分とする絶縁材料よりなる基体１の表面に
例えばニクロム合金などの抵抗用薄膜２のパターンを形
成した後、両端に金電極３を形成する。予め抵抗パター
ン中央部１箇所に幅１ｍｍ以下の絶縁部４を設け、短絡
部にスパッタリングによりＡｌ皮膜５を着膜し短絡させ
る。
【０００７】
【実施例２】図２はその一実施例のチップ抵抗器を示す
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１の表面に、例えばニクロム合金などの抵
抗用薄膜２のパターンを形成させた後、その両端に金電
極３を形成する。予め抵抗パターンに設けた幅１ｍｍ以
下の絶縁部４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄにスパッタリング
によりＡｌ皮膜５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄを着膜し短絡
させる。
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１の表面に、例えばニクロム合金などの抵
抗用薄膜２のパターンを形成させた後、その両端に金電
極３を形成する。予め抵抗パターンに設けた幅１ｍｍ以
下の絶縁部４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄにスパッタリング
によりＡｌ皮膜５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄを着膜し短絡
させる。
【０００８】
【実施例３】図３はその一実施例のチップ抵抗器を示す
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１の表面に例えばニクロム合金などの抵抗
用薄膜２のパターンを形成した後、両端に金電極３を形
成する。予め抵抗パターン中央部１箇所に幅１ｍｍ以下
の絶縁部４を設け、短絡部にスパッタリングによりＡｌ
皮膜５を着膜し短絡させる。更に抵抗値調整用抵抗パタ
ーン２ａをトリミングし抵抗値を微調整した。
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１の表面に例えばニクロム合金などの抵抗
用薄膜２のパターンを形成した後、両端に金電極３を形
成する。予め抵抗パターン中央部１箇所に幅１ｍｍ以下
の絶縁部４を設け、短絡部にスパッタリングによりＡｌ
皮膜５を着膜し短絡させる。更に抵抗値調整用抵抗パタ
ーン２ａをトリミングし抵抗値を微調整した。
【０００９】
【実施例４】図４はその一実施例のチップ抵抗器を示す
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１の表面に、例えばニクロム合金などの抵
抗用薄膜２のパターンを形成させた後、その両端に金電
極３を形成する。予め抵抗パターンに設けた幅１ｍｍ以
下の絶縁部４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄにスパッタリング
によりＡｌ皮膜５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄを着膜し短絡
させる。更に抵抗値調整用抵抗パターン２ａをトリミン
グし抵抗値を微調整した。
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１の表面に、例えばニクロム合金などの抵
抗用薄膜２のパターンを形成させた後、その両端に金電
極３を形成する。予め抵抗パターンに設けた幅１ｍｍ以
下の絶縁部４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄにスパッタリング
によりＡｌ皮膜５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄを着膜し短絡
させる。更に抵抗値調整用抵抗パターン２ａをトリミン
グし抵抗値を微調整した。
【００１０】
【実施例５】図５はその一実施例のチップ抵抗器を示す
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１に溝１ａを加工し、その両端に、例えば
ニクロム合金などの抵抗用薄膜２を着膜させた後、金電
極３を形成する。溝加工部をはさんで抵抗パターンに絶
縁部４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄを設け、短絡部にスパッ
タリングによりＡｌ皮膜５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄが溝
の上方を通過するように着膜し短絡させた。
説明図である。アルミナ９６％を主成分とする絶縁材料
よりなる基体１に溝１ａを加工し、その両端に、例えば
ニクロム合金などの抵抗用薄膜２を着膜させた後、金電
極３を形成する。溝加工部をはさんで抵抗パターンに絶
縁部４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄを設け、短絡部にスパッ
タリングによりＡｌ皮膜５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄが溝
の上方を通過するように着膜し短絡させた。
【００１１】
【実施例６】図６は、実施例１のヒューズ抵抗器を真空
中２００℃にて４時間加熱処理したものを試料とし、１
５０℃の恒温恒湿槽内で放置試験を行なった結果示す。
図６において熱処理がない場合をＡ、熱処理がある場合
をＢで示した。図６より加熱処理することにより安定性
の高いヒューズ抵抗器を製造することが出来る。
中２００℃にて４時間加熱処理したものを試料とし、１
５０℃の恒温恒湿槽内で放置試験を行なった結果示す。
図６において熱処理がない場合をＡ、熱処理がある場合
をＢで示した。図６より加熱処理することにより安定性
の高いヒューズ抵抗器を製造することが出来る。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明品は従来技
術の様々な問題点を解決する効果が得られる。 １ 発明品の溶断性能は短絡させる金属の種類、膜厚及
び着膜面積により制御するため、溶断時間が短く、溶断
に要する時間のバラツキの小さいヒューズ抵抗器を製造
できる。表１からも判るように、特性１つまり定格電力
の９倍の電力を印加した場合でも２０秒以下で溶断して
いる。また、絶縁溝の数を増加させることにより溶断時
間のバラツキは更に縮小することができる。 ２ 溶断の際の発熱箇所が微少面積であり溶断時間も短
いため抵抗体自身が高温にならず、他の回路部品に熱的
悪影響を及ぼす危険性がない。溶断時の表面温度は２０
０℃以下であった。 ３ 従来の抵抗器の構造を利用することにより小型軽量
化が実現できる。従って、低いコストで製造することが
できる。 ４ 短絡箇所を除いた抵抗皮膜部を切除することで容易
に抵抗値を高精度に制御できる。 ６ 予め溝加工した基板を使用することにより短絡部が
溶融した際に溝内部に凝集し易くなるため、漏れ電流を
防止し、溶断時間のばらつきを抑制できる。 ５ 短絡後の素子を真空中または不活性ガス中にて１５
０℃から２００℃で加熱処理することにより耐熱性を向
上できる。
術の様々な問題点を解決する効果が得られる。 １ 発明品の溶断性能は短絡させる金属の種類、膜厚及
び着膜面積により制御するため、溶断時間が短く、溶断
に要する時間のバラツキの小さいヒューズ抵抗器を製造
できる。表１からも判るように、特性１つまり定格電力
の９倍の電力を印加した場合でも２０秒以下で溶断して
いる。また、絶縁溝の数を増加させることにより溶断時
間のバラツキは更に縮小することができる。 ２ 溶断の際の発熱箇所が微少面積であり溶断時間も短
いため抵抗体自身が高温にならず、他の回路部品に熱的
悪影響を及ぼす危険性がない。溶断時の表面温度は２０
０℃以下であった。 ３ 従来の抵抗器の構造を利用することにより小型軽量
化が実現できる。従って、低いコストで製造することが
できる。 ４ 短絡箇所を除いた抵抗皮膜部を切除することで容易
に抵抗値を高精度に制御できる。 ６ 予め溝加工した基板を使用することにより短絡部が
溶融した際に溝内部に凝集し易くなるため、漏れ電流を
防止し、溶断時間のばらつきを抑制できる。 ５ 短絡後の素子を真空中または不活性ガス中にて１５
０℃から２００℃で加熱処理することにより耐熱性を向
上できる。
【００１３】
【表１】 溶断特性１：定格電力の ９倍を印加した場合の溶断時間（秒） 溶断特性２：定格電力の１２倍を印加した場合の溶断時間（秒） 溶断特性３：定格電力の１６倍を印加した場合の溶断時間（秒）
図１、図２、図３、図４及び図５本発明の実施例におけ
るヒューズ抵抗器の構造を示す正面図。図６本発明の実
施例により製造したヒューズ抵抗器の１５０℃中での放
置試験結果を示した図である。
るヒューズ抵抗器の構造を示す正面図。図６本発明の実
施例により製造したヒューズ抵抗器の１５０℃中での放
置試験結果を示した図である。
１・・・・基体 １ａ・・溝加工部 ２・・・・抵抗用薄膜 ２ａ・・抵抗値調整用パターン ３・・・・金電極 ４・４ａ・４ｂ・４ｃ・４ｄ・・・・絶縁部 ５・５ａ・５ｂ・５ｃ・５ｄ・・・・Ａｌ皮膜
Claims (8)
- 【請求項１】平面状絶縁基体上に抵抗体を着膜し、その
両端に電極部を形成した抵抗パターンに電気的に絶縁さ
れた部分を１箇所設け、次いで絶縁部をＰｂ、Ａｌ等の
導電性金属皮膜にて短絡させたチップ抵抗器。 - 【請求項２】前記チップ抵抗器において電気的に絶縁さ
れた部分を抵抗パターン中央部に配置したチップ抵抗
器。 - 【請求項３】前記抵抗パターンに２箇所以上の電気的に
絶縁された部分を設け、次いで絶縁部をＰｂ、Ａｌ等の
導電性金属皮膜にて短絡させたチップ抵抗器。 - 【請求項４】請求項目１，２及び３に関し、短絡後に抵
抗値を微調整するための箇所を別途設けたチップ抵抗
器。 - 【請求項５】請求項目１，２及び３に関し、短絡後に抵
抗値を微調整するための回路を別途設けたチップ抵抗
器。 - 【請求項６】請求項目１，２及び３に関し、予め溝加工
した平面状絶縁基体を使用し、絶縁箇所を短絡させる金
属皮膜が溝の上方を通過させるように配置したチップ抵
抗器。 - 【請求項７】請求項目４，５及び６に関し、１５０℃か
ら２００℃の温度範囲で真空雰囲気中で加熱処理したチ
ップ抵抗器。 - 【請求項８】請求項目４，５及び６に関し、１５０℃か
ら２００℃の温度範囲で不活性ガス雰囲気中で加熱処理
したチップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253731A JPH08102409A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253731A JPH08102409A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | チップ抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102409A true JPH08102409A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17255361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5253731A Pending JPH08102409A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102409A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10083781B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-09-25 | Vishay Dale Electronics, Llc | Surface mount resistors and methods of manufacturing same |
| US10438729B2 (en) | 2017-11-10 | 2019-10-08 | Vishay Dale Electronics, Llc | Resistor with upper surface heat dissipation |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5253731A patent/JPH08102409A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10083781B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-09-25 | Vishay Dale Electronics, Llc | Surface mount resistors and methods of manufacturing same |
| US10418157B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-09-17 | Vishay Dale Electronics, Llc | Surface mount resistors and methods of manufacturing same |
| US10438729B2 (en) | 2017-11-10 | 2019-10-08 | Vishay Dale Electronics, Llc | Resistor with upper surface heat dissipation |
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