JPH0799380A - Pattern formation of ceramic-metal bonded body - Google Patents

Pattern formation of ceramic-metal bonded body

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JPH0799380A
JPH0799380A JP24256893A JP24256893A JPH0799380A JP H0799380 A JPH0799380 A JP H0799380A JP 24256893 A JP24256893 A JP 24256893A JP 24256893 A JP24256893 A JP 24256893A JP H0799380 A JPH0799380 A JP H0799380A
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metal plate
ceramic
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Takayuki Naba
隆之 那波
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Abstract

PURPOSE:To provide a method of forming the pattern of a ceramicmetal bonded body, which makes it possible to form a pattern, which has a narrow line width and the narrow interval is fine and is complicated, on a metal plate with good reproducibility and easily. CONSTITUTION:A ceramic plate 1 and a metal plate 2 are bonded together via an active metal-containing brazing metal layer 3, for example. The plate 2 subsequent to the bonding is subjected to etching treatment into the form of a desired pattern. A layer 3a remaining in a part 2a removed from the plate 2 on the plate 1 by this etching treatment is removed by a forning treatment or laser machining.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス−金属接
合体の金属板に対して所望のパターンを形成する方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a desired pattern on a metal plate of a ceramic-metal bonded body.

【0002】[0002]

【従来の技術】セラミックス基板は、高電気絶縁性、高
熱伝導性、低熱膨張等の特徴を有することから、半導体
素子のような電子部品の搭載用基板として実用化されて
いる。ところで、セラミックス基板を上記したような用
途に利用する場合には、回路パターンの形成等を目的と
して、まず金属板と接合することが不可欠である。
2. Description of the Related Art Ceramic substrates have been put to practical use as substrates for mounting electronic components such as semiconductor elements because they have characteristics such as high electrical insulation, high thermal conductivity and low thermal expansion. By the way, when the ceramic substrate is used for the above-mentioned applications, it is indispensable to first bond it to a metal plate for the purpose of forming a circuit pattern or the like.

【0003】上述したようなセラミックス基板と金属板
との接合方法としては、所要形状の銅回路板とセラミッ
クス基板とを直接接合させる、いわゆるDBC法(ダイ
レクト・ボンディング・カッパー法)や、4A族元素や5A
族元素のような活性金属を用いた活性金属法等が知られ
ている。活性金属法は、Ti、Zr、Hf、Nb等の金属元素が
セラミックス材料に対して濡れやすく、反応しやすいこ
とを利用した接合法であり、具体的には活性金属を添加
したろう材を用いたろう付け法が一般的に利用されてい
る。
As a method of joining the ceramic substrate and the metal plate as described above, a so-called DBC method (direct bonding copper method) of directly joining a copper circuit board of a required shape and the ceramic substrate, or a Group 4A element And 5A
An active metal method using an active metal such as a group element is known. The active metal method is a joining method that utilizes the fact that metal elements such as Ti, Zr, Hf, and Nb easily wet and react with the ceramic material.Specifically, a brazing material containing an active metal is used. The brazing method is commonly used.

【0004】ところで、上記したDBC法や活性金属法
で接合した銅板等に回路形成(パターニング)する方法
としては、 (1)ベタの銅板を接合した後に、エッチング
処理によりパターニングを行う、 (2)予めパターニング
した銅板を接合する、等が挙げられる。
By the way, as a method of forming (patterning) a circuit on a copper plate or the like joined by the above-mentioned DBC method or active metal method, (1) after joining a solid copper plate, patterning is carried out by an etching treatment, (2) For example, a copper plate that has been patterned in advance may be joined.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た (1)のパターニング方法では、銅板はエッチング処理
により良好に除去することができるものの、銅板とセラ
ミックス基板との界面に存在する反応層を除去すること
が困難であり、この反応層が残留して回路特性や回路形
状等に悪影響を及ぼすという問題があった。特に、活性
金属法を適用した場合には、活性金属とセラミックス基
板との反応物がセラミックス基板上に強固に結合してお
り、この反応層を取り除くのに多大な工数を要し、製造
コストが高くなると共に、オーバーエッチ等が生じやす
いという問題があった。またさらに、活性金属とセラミ
ックス基板との反応物は、導電性物質であることが多
く、エッチング処理後に僅かに残留する導電性物質によ
って、回路不良が発生しやすいという問題があった。
However, in the above-mentioned patterning method (1), although the copper plate can be satisfactorily removed by the etching treatment, the reaction layer existing at the interface between the copper plate and the ceramic substrate is removed. However, there is a problem that the reaction layer remains and adversely affects the circuit characteristics and the circuit shape. In particular, when the active metal method is applied, the reaction product of the active metal and the ceramics substrate is firmly bonded on the ceramics substrate, and it takes a lot of man-hours to remove this reaction layer, and the manufacturing cost is low. There is a problem in that as the cost increases, overetching and the like are likely to occur. Furthermore, the reaction product of the active metal and the ceramic substrate is often a conductive substance, and there is a problem that a circuit defect is likely to occur due to the conductive substance slightly remaining after the etching treatment.

【0006】また、上述した (2)のパターニング方法で
は、線幅の細いパターンを形成する場合に、そのような
パターンを予め銅板に形成すると、接合自体が困難にな
ると共に、位置精度が低下するという欠点があり、微細
なパターンを再現性よく形成することができないという
問題があった。
Further, in the patterning method (2) described above, when a pattern having a narrow line width is formed, if such a pattern is formed in advance on the copper plate, the bonding itself becomes difficult and the positional accuracy is lowered. However, there is a problem that a fine pattern cannot be formed with good reproducibility.

【0007】本発明は、このような課題に対処してなさ
れたもので、狭小な線幅および線間を有する微細で複雑
なパターンを、金属板に対して再現性よく、かつ容易に
形成することを可能にしたセラミックス−金属接合体の
パターン形成方法を提供することを目的としている。
The present invention has been made in consideration of such a problem, and easily forms a fine and complicated pattern having a narrow line width and a space between lines on a metal plate with good reproducibility. It is an object of the present invention to provide a method for forming a pattern of a ceramic-metal bonded body that enables the above.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス−
金属接合体のパターン形成は、セラミックス板と金属板
とを接合し、前記接合後の金属板に所望のパターンを形
成するにあたり、前記接合後の金属板を所望のパターン
形状にエッチング処理する工程と、前記セラミックス板
上の前記エッチング処理により前記金属板を除去した部
分に残存する層を、ホーニング処理またはレーザー加工
により除去する工程とを具備することを特徴としてい
る。
Means for Solving the Problems Ceramics of the Present Invention
Pattern formation of the metal bonded body, a step of bonding the ceramics plate and the metal plate, in forming a desired pattern on the metal plate after the bonding, etching the metal plate after the bonding into a desired pattern shape, and And a step of removing a layer remaining on a portion of the ceramic plate where the metal plate is removed by the etching treatment, by a honing treatment or a laser processing.

【0009】[0009]

【作用】本発明のセラミックス−金属接合体のパターン
形成造方法においては、予めエッチング処理等により金
属板をパターニングした後、セラミックス板上に残存す
る層をホーニング処理やレーザー加工により除去するた
め、導電性物質からなる反応層等を残留させることな
く、複雑で微細なパターンを再現性よく形成することが
できる。また、エッチング処理では、少なくとも金属板
のみを溶解除去すればよいため、オーバーエッチ等を招
くこともなく、パターン部の側面にダレ等を生じさせる
こともない。
In the method for forming a pattern of a ceramic-metal bonded body according to the present invention, after the metal plate is patterned in advance by etching treatment or the like, the layer remaining on the ceramic plate is removed by honing treatment or laser processing. A complicated and fine pattern can be formed with good reproducibility without leaving a reaction layer or the like made of an organic substance. Further, in the etching process, since at least only the metal plate is dissolved and removed, overetching or the like is not caused and sagging or the like is not caused on the side surface of the pattern portion.

【0010】[0010]

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described.

【0011】図1は、本発明をセラミックス回路基板の
回路パターン形成に適用した一実施例のパターン形成工
程を順に示す図である。まず、セラミックス基板1上に
金属板2を接合する(図1(a))。セラミックス基板
1としては、酸化アルミニウムのような酸化物系セラミ
ックス基板から、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化
ケイ素等の非酸化物セラミックス基板まで、各種のセラ
ミックス基板を使用することが可能であるが、特にろう
材等に対する濡れ性が低く、活性金属の使用が効果的な
窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板等を用いる場合
に有効である。また、金属板2の材質は、用途に応じて
各種の金属材料から適宜選択すればよく、例えはCu、Cu
合金、Ni、Ni合金、W 、Mo等が用いられる。
FIG. 1 is a diagram sequentially showing a pattern forming process of an embodiment in which the present invention is applied to a circuit pattern formation of a ceramic circuit board. First, the metal plate 2 is bonded onto the ceramic substrate 1 (FIG. 1A). As the ceramics substrate 1, various ceramics substrates can be used, from oxide-based ceramics substrates such as aluminum oxide to non-oxide ceramics substrates such as aluminum nitride, silicon nitride and silicon carbide. This is effective when using an aluminum nitride substrate, a silicon nitride substrate, or the like, which has a low wettability with respect to a brazing material or the like and which is effective in using an active metal. Further, the material of the metal plate 2 may be appropriately selected from various metal materials according to the application, for example, Cu, Cu
Alloys, Ni, Ni alloys, W, Mo, etc. are used.

【0012】上記セラミックス基板1と金属板2との接
合は、活性金属法やDBC法等の種々の接合方法を適用
して行うことが可能であるが、特に活性金属法の場合に
は、セラミックス基板1に強固に結合し、かつ導電性を
有する反応層が生成するため、活性金属法を適用する場
合に特に本発明は有効である。
The above-mentioned ceramic substrate 1 and the metal plate 2 can be joined by applying various joining methods such as an active metal method and a DBC method. Particularly in the case of the active metal method, the ceramics can be joined. The present invention is particularly effective when the active metal method is applied because it forms a reaction layer that is strongly bonded to the substrate 1 and has conductivity.

【0013】この実施例では活性金属法のうち、活性金
属を含有するろう材を用いた接合方法を適用した例につ
いて説明する。具体的には、活性金属含有ろう材を含む
ペーストを、例えばスクリーン印刷法を適用して、セラ
ミックス基板1または金属板2に塗布する。ここで、接
合用のペーストとしては、例えば Ag-Cuの共晶組成もし
くはその近傍の組成を主とし、これにTi、Zr、Hf、Nb等
の活性金属成分を適量配合した活性金属含有ろう材を、
適当な樹脂結合剤および分散媒によりペースト化したも
のが用いられる。上記ろう材中の活性金属の添加量は、
例えば 1重量%〜10重量% 程度である。なお、ろう材の
主成分は、上記Ag- Cu系共晶ろう材に限らず、Cu系等の
各種のろう材を使用することが可能である。
In this embodiment, an example of the active metal method to which a joining method using a brazing filler metal containing an active metal is applied will be described. Specifically, a paste containing an active metal-containing brazing material is applied to the ceramic substrate 1 or the metal plate 2 by applying, for example, a screen printing method. Here, as the bonding paste, for example, a eutectic composition of Ag-Cu or a composition in the vicinity thereof is mainly used, and an active metal-containing brazing material in which an appropriate amount of an active metal component such as Ti, Zr, Hf, or Nb is mixed To
A paste prepared by using an appropriate resin binder and a dispersion medium is used. The amount of active metal added to the brazing material is
For example, it is about 1 to 10% by weight. The main component of the brazing material is not limited to the above Ag-Cu eutectic brazing material, but various brazing materials such as Cu can be used.

【0014】次いで、上記活性金属含有ろう材を含むペ
ーストの塗布層を介して、セラミックス基板1と金属板
2とを積層する。そして、用いた活性金属含有ろう材に
応じた条件(雰囲気、温度、時間等)で熱処理を施し、
ろう材層3を介してセラミックス基板1と金属板2とを
接合する(図1(a))。
Next, the ceramic substrate 1 and the metal plate 2 are laminated with a paste coating layer containing the active metal-containing brazing material interposed therebetween. Then, heat treatment is performed under conditions (atmosphere, temperature, time, etc.) according to the active metal-containing brazing material used,
The ceramics substrate 1 and the metal plate 2 are joined via the brazing material layer 3 (FIG. 1A).

【0015】次に、接合後の金属板2上に、所望の回路
形状を覆うようにレジスト層(図示せず)を形成した
後、金属板2の材質に応じたエッチャントを用いて、金
属板2にエッチング処理を施す。エッチャントとして
は、例えば金属板2が銅板であれば塩化第二鉄溶液等を
用いる。このエッチング処理により、図1(b)に示す
ように、金属板2の不要部分2aが除去され、金属板2
は所望形状にパターニングされる。また、ろう材層3の
うち、 Ag-Cuのようなろう材成分を主とする層は、上記
エッチング処理により溶解除去されるが、セラミックス
基板1と活性金属との反応生成物、すなわち導電性を有
する界面生成物を主とする層3aは、上述したようなエ
ッチャントでは溶解除去されず、セラミックス基板1上
に残存する。すなわち、活性金属法による場合、セラミ
ックス基板1側の接合界面には、活性金属成分とセラミ
ックス基板1との反応物、例えば TiNのような界面生成
物が生成する。一方、金属板2の材質に応じて選択した
エッチャントでは、界面生成物を溶解除去することがで
きない。そして、活性金属を含む界面生成物は一般的に
導電性を有しているため、セラミックス基板1上に残存
したままでは回路基板として使用することができない。
Next, after forming a resist layer (not shown) on the metal plate 2 after bonding so as to cover a desired circuit shape, the metal plate is formed by using an etchant suitable for the material of the metal plate 2. 2 is etched. As the etchant, for example, when the metal plate 2 is a copper plate, ferric chloride solution or the like is used. By this etching process, as shown in FIG. 1B, the unnecessary portion 2a of the metal plate 2 is removed, and the metal plate 2 is removed.
Is patterned into a desired shape. Further, of the brazing material layer 3, a layer mainly composed of a brazing material component such as Ag-Cu is dissolved and removed by the above etching treatment, but a reaction product of the ceramic substrate 1 and the active metal, that is, a conductive material. The layer 3a mainly containing the interface product having is not dissolved and removed by the above-mentioned etchant, but remains on the ceramic substrate 1. That is, in the case of the active metal method, a reaction product of the active metal component and the ceramic substrate 1, for example, an interface product such as TiN is generated at the bonding interface on the ceramic substrate 1 side. On the other hand, the etchant selected according to the material of the metal plate 2 cannot dissolve and remove the interface product. Since the interface product containing the active metal is generally conductive, it cannot be used as a circuit board if it remains on the ceramic substrate 1.

【0016】そこで、エッチング処理後に残存する界面
生成物を主とする層3aを、ホーニング処理またはレー
ザー加工により除去することによって、図1(c)に示
すように、金属板2による各パターン部2b、2b間が
確実に絶縁された、目的とするセラミックス回路基板4
が得られる。上記ホーニング処理としては、一般的な液
体ホーニング装置等を用いた処理を適用することができ
る。また、レーザー加工については、CO2 ガスレーザー
や YAGレーザー等を用いて、界面生成物を主とする層3
aを溶解除去すればよい。
Therefore, the layer 3a mainly composed of the interface product remaining after the etching process is removed by the honing process or the laser processing, so that each pattern portion 2b of the metal plate 2 is formed as shown in FIG. 1 (c). The target ceramics circuit board 4 in which insulation between 2 and 2b is ensured
Is obtained. As the honing process, a process using a general liquid honing device or the like can be applied. For laser processing, CO 2 gas laser, YAG laser, etc. are used to form a layer 3 mainly composed of interface products.
It is only necessary to dissolve and remove a.

【0017】上述した実施例においては、エツチング処
理後に残留する界面生成物を主とする層3aを、ホーニ
ング処理やレーザー加工により除去しているため、金属
板2による各パターン部2b、2b間を確実に分離する
ことができる。よって、電気的に分離独立したパターン
を再現性よく、かつ容易に得ることが可能となる。ま
た、パターニングは、エッチング処理とホーニング処理
やレーザー加工との組合せにより行うため、微細で複雑
なパターン形状を正確に再現することができる。例えば
この実施例によれば、線幅 0.3mm、線間 0.3mm程度まで
(銅板厚 0.3mmの場合)の微細な回路パターンを安定し
て再現することができる。さらに、エッチング処理は、
金属板2およびろう材層3の主成分のみを除去すればよ
いため、オーバーエッチ等を招くこともなく、これによ
り回路部の側面にダレ等を生じさせることがない。この
ことからも、微細な回路パターンを正確に再現すること
が可能となる。また、エッチャントのへたり等を防止す
ることもできる。
In the above-described embodiment, the layer 3a mainly composed of the interface product remaining after the etching process is removed by the honing process or the laser processing, so that the space between the pattern portions 2b and 2b of the metal plate 2 is removed. Can be reliably separated. Therefore, it is possible to easily and electrically obtain an electrically isolated pattern with good reproducibility. Further, since patterning is performed by a combination of etching processing, honing processing and laser processing, it is possible to accurately reproduce a fine and complicated pattern shape. For example, according to this embodiment, it is possible to stably reproduce a fine circuit pattern having a line width of 0.3 mm and a line spacing of about 0.3 mm (in the case of a copper plate thickness of 0.3 mm). Furthermore, the etching process
Since only the main components of the metal plate 2 and the brazing material layer 3 need to be removed, overetching or the like does not occur, and thus, sagging or the like does not occur on the side surface of the circuit portion. This also makes it possible to accurately reproduce a fine circuit pattern. Further, the settling of the etchant can be prevented.

【0018】次に、上記した実施例に基く具体例につい
て述べる。
Next, a specific example based on the above embodiment will be described.

【0019】実施例1 まず、63×29×0.3mm の窒化アルミニウム基板上に、A
g:Cu:Ti=70.6:27.4:2.0の組成を有する活性金属含有ろ
う材を含むペーストを塗布し、このペーストの塗布層上
に59.2×25.6× 0.3mmの銅板を載置した。次いで、この
積層体に 1×10-4Torrの真空中にて 850℃×10分の条件
で熱処理を施し、窒化アルミニウム基板と銅板とを接合
した。
Example 1 First, on a 63 × 29 × 0.3 mm aluminum nitride substrate, A
A paste containing an active metal-containing brazing material having a composition of g: Cu: Ti = 70.6: 27.4: 2.0 was applied, and a 59.2 × 25.6 × 0.3 mm copper plate was placed on the application layer of this paste. Next, this laminate was heat-treated in a vacuum of 1 × 10 −4 Torr at 850 ° C. for 10 minutes to bond the aluminum nitride substrate and the copper plate.

【0020】次に、上記接合体の銅板上にレジストをパ
ターン印刷した後、FeCl3 溶液に40℃×10分の条件で浸
漬して、エッチング処理を施した。形成した回路パター
ンは、最小線幅および最小線間共に 0.3mmのファインパ
ターンとした。
Next, a resist was pattern-printed on the copper plate of the above-mentioned joined body, and then it was immersed in a FeCl 3 solution at 40 ° C. for 10 minutes to carry out an etching treatment. The formed circuit pattern was a fine pattern with a minimum line width and a minimum line spacing of 0.3 mm.

【0021】この後、窒化アルミニウム基板上の各パタ
ーン部間に残存する反応層、すなわち TiN( AlN+Ti→
TiN+Alの反応により生成される導電層)を主とする層
を、ホーニング処理により除去した。
Thereafter, the reaction layer remaining between the pattern portions on the aluminum nitride substrate, that is, TiN (AlN + Ti →
A layer mainly composed of a conductive layer produced by the reaction of TiN + Al) was removed by honing.

【0022】このようにして得たセラミックス回路基板
の銅回路層の形状を目視により観察したところ、当初の
想定通り、最小線幅 0.3mmおよび最小線間 0.3mmで、正
確に形成されており、また TiNが残留していることもな
かった。また、銅回路層の各パターン部の側面にだれ等
を生じていることもなく、良好な回路パターンが得られ
た。
When the shape of the copper circuit layer of the ceramics circuit board thus obtained was visually observed, it was found that the minimum line width was 0.3 mm and the minimum line spacing was 0.3 mm, exactly as originally assumed. In addition, TiN was not left. Further, a good circuit pattern was obtained without any sagging or the like on the side surface of each pattern portion of the copper circuit layer.

【0023】実施例2 まず、実施例1と同様にして、接合体の銅板にエッチン
グ処理を施した後、窒化アルミニウム基板上の各パター
ン部間に残存する TiNを主とする層に、CO2 ガスレーザ
ーをAr雰囲気中にて出力700W、速度2m/minの条件で照射
し、 TiNを主とする層を溶解除去した。なお、レーザー
照射は数値制御(NC)とした。
Example 2 First, in the same manner as in Example 1, the copper plate of the joined body was subjected to etching treatment, and then CO 2 was added to the layer mainly containing TiN remaining between the pattern portions on the aluminum nitride substrate. A gas laser was irradiated in an Ar atmosphere under the conditions of an output of 700 W and a speed of 2 m / min to dissolve and remove the layer mainly containing TiN. The laser irradiation was numerical control (NC).

【0024】このようにして得たセラミックス回路基板
の銅回路層も、実施例1と同様に、良好なパターン形状
および精度を有しており、また TiNが残留していること
もなかった。
The copper circuit layer of the ceramics circuit board thus obtained also had a good pattern shape and accuracy as in Example 1, and TiN did not remain.

【0025】なお、上記実施例では、活性金属法でセラ
ミックス基板に接合した金属板に対してのパターニング
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、セラミックス基板との何等かの反応を利用する
各種接合法を適用する場合に有効である。
In the above embodiment, the patterning of the metal plate bonded to the ceramics substrate by the active metal method has been described, but the present invention is not limited to this, and any patterning with the ceramics substrate may be used. It is effective when applying various bonding methods using reactions.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のセラミッ
クス−金属接合体のパターン形成方法によれば、狭小な
線幅および線間を有する微細で複雑なパターンを金属板
に再現性よく、かつ容易に形成することが可能となる。
As described above, according to the pattern forming method for a ceramic-metal bonded body of the present invention, a fine and complicated pattern having a narrow line width and a narrow space can be reproducibly formed on a metal plate, and It can be easily formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明をセラミックス回路基板の製造に適用し
た一実施例の工程を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a process of an embodiment in which the present invention is applied to manufacture of a ceramic circuit board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……セラミックス基板 2……金属板 2a…エッチング除去部分 2b…パターン部 3……活性金属含有ろう材層 3a…界面生成物を主とする層 4……セラミックス回路基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic substrate 2 ... Metal plate 2a ... Etching removed portion 2b ... Pattern portion 3 ... Active metal containing brazing material layer 3a ... Layer mainly composed of interface products 4 ... Ceramic circuit board

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミックス板と金属板とを接合し、前
記接合後の金属板に所望のパターンを形成するにあた
り、 前記接合後の金属板を所望のパターン形状にエッチング
処理する工程と、 前記セラミックス板上の前記エッチング処理により前記
金属板を除去した部分に残存する層を、ホーニング処理
またはレーザー加工により除去する工程とを具備するこ
とを特徴とするセラミックス−金属接合体のパターン形
成方法。
1. A step of etching a metal plate after the bonding into a desired pattern shape when the ceramic plate and the metal plate are bonded together and a desired pattern is formed on the metal plate after the bonding, And a step of removing a layer remaining on a portion of the plate where the metal plate is removed by the etching treatment, by a honing treatment or a laser processing.
JP24256893A 1993-09-29 1993-09-29 Pattern formation of ceramic-metal bonded body Withdrawn JPH0799380A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7069645B2 (en) 2001-03-29 2006-07-04 Ngk Insulators, Ltd. Method for producing a circuit board
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