JPH0796097B2 - 導電性薄膜の形成法 - Google Patents
導電性薄膜の形成法Info
- Publication number
- JPH0796097B2 JPH0796097B2 JP3505329A JP50532991A JPH0796097B2 JP H0796097 B2 JPH0796097 B2 JP H0796097B2 JP 3505329 A JP3505329 A JP 3505329A JP 50532991 A JP50532991 A JP 50532991A JP H0796097 B2 JPH0796097 B2 JP H0796097B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- polymer
- conductive thin
- chlorinated
- irradiating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 14
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004801 Chlorinated PVC Substances 0.000 claims description 9
- 229920000457 chlorinated polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 9
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000007033 dehydrochlorination reaction Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Argon ion Chemical class 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
- B29C70/88—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts characterised primarily by possessing specific properties, e.g. electrically conductive or locally reinforced
- B29C70/882—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts characterised primarily by possessing specific properties, e.g. electrically conductive or locally reinforced partly or totally electrically conductive, e.g. for EMI shielding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/121—Coherent waves, e.g. laser beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
- H01B1/125—Intrinsically conductive polymers comprising aliphatic main chains, e.g. polyactylenes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0838—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2027/00—Use of polyvinylhalogenides or derivatives thereof as moulding material
- B29K2027/06—PVC, i.e. polyvinylchloride
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2027/00—Use of polyvinylhalogenides or derivatives thereof as moulding material
- B29K2027/08—PVDC, i.e. polyvinylidene chloride
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0003—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B29K2995/0005—Conductive
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、導電性薄膜の形成法に係わり、特に塩素化ビ
ニル系重合体からの導電性薄膜形成法に関する。
ニル系重合体からの導電性薄膜形成法に関する。
背景技術 従来、塩素化ビニル系重合体を脱塩化水素反応させるこ
とによって、分子内に多量の長い共役多重結合鎖を生成
させて導電性にする方法が知られている。これを達成す
る特定の方法は以下の如くである。
とによって、分子内に多量の長い共役多重結合鎖を生成
させて導電性にする方法が知られている。これを達成す
る特定の方法は以下の如くである。
（ａ）熱的方法 塩素化ビニル系重合体を加熱すると、塩化水素を激しく
放出する。ポリ塩化ビニルを一例としてあげると170℃
以上で溶融し190℃以上で塩化水素を激しく遊離して共
役多重結合鎖を形成する。（化学便覧応用編、p.786、
日本化学会編纂、丸善発行、1980） （ｂ）化学的方法 Synth.Met.,Vol.17,143（1987）によれば、塩素化ポリ
塩化ビニルをDBU（1,8-ジアザビシクロ［5.4.0］‐7-ウ
ンデセン）の強塩基性溶液に浸し、脱塩化水素反応をイ
オンの働きで進行せしめ導電性材料を形成させている。
放出する。ポリ塩化ビニルを一例としてあげると170℃
以上で溶融し190℃以上で塩化水素を激しく遊離して共
役多重結合鎖を形成する。（化学便覧応用編、p.786、
日本化学会編纂、丸善発行、1980） （ｂ）化学的方法 Synth.Met.,Vol.17,143（1987）によれば、塩素化ポリ
塩化ビニルをDBU（1,8-ジアザビシクロ［5.4.0］‐7-ウ
ンデセン）の強塩基性溶液に浸し、脱塩化水素反応をイ
オンの働きで進行せしめ導電性材料を形成させている。
（ｃ）光化学的方法 水銀灯及び他の紫外線波長領域の光源から照射された光
は、塩素化ビニル系重合体中の炭素と塩素間の結合を解
離させ、生じた塩素ラジカルが隣接水素原子を引き抜
き、脱塩化水素反応を引き起こす。
は、塩素化ビニル系重合体中の炭素と塩素間の結合を解
離させ、生じた塩素ラジカルが隣接水素原子を引き抜
き、脱塩化水素反応を引き起こす。
J.Polym.Sci.,Polym.Letters,Vol.25,5（1987）では、
塩素化ポリ塩化ビニルを中圧の水銀灯で照射し、光化学
的に塩素化ポリアセチレンを生成させ、続いて488.1nm
のアルゴンイオンレーザーで照射して、導電性材料を調
製したということを報告している。
塩素化ポリ塩化ビニルを中圧の水銀灯で照射し、光化学
的に塩素化ポリアセチレンを生成させ、続いて488.1nm
のアルゴンイオンレーザーで照射して、導電性材料を調
製したということを報告している。
上述の如く、塩素化ビニル系重合体に導電性を付与す
る、脱塩化水素反応を実施する種々の方法が知られてい
る。しかし、これらの方法は以下に要約される如くそれ
ぞれ問題点を持っている。
る、脱塩化水素反応を実施する種々の方法が知られてい
る。しかし、これらの方法は以下に要約される如くそれ
ぞれ問題点を持っている。
最初に、（ａ）の熱的方法では、均一な薄膜を製造する
ことは困難である。脱塩化水素反応を開始するために
は、重合体の軟化点あるいはそれ以上の温度にしなくて
はならないので、重合体成形品の変形、変質は避けられ
ない。
ことは困難である。脱塩化水素反応を開始するために
は、重合体の軟化点あるいはそれ以上の温度にしなくて
はならないので、重合体成形品の変形、変質は避けられ
ない。
（ｂ）の化学的方法では、脱塩化水素反応を開始させる
ために、強塩基を用いるため、その結果として形成した
薄膜中に、導電性を妨害する塩が生成し、該塩を除去で
きない。
ために、強塩基を用いるため、その結果として形成した
薄膜中に、導電性を妨害する塩が生成し、該塩を除去で
きない。
（ｃ）の光化学的方法では、水銀灯及び他の紫外線波長
領域の光源から照射された光は、塩素化ビニル系重合体
に対し脱塩化水素反応を引き起こすが、それと同時に、
光を長時間照射することで光架橋や主鎖の切断を引き起
こしてしまう。更に、酸素の存在する雰囲気下で、紫外
線波長領域の光を照射することは、塩素化ビニル系重合
体の酸化及び続く主鎖の切断を引き起こし、切断点にカ
ルボニル基を生成させる。このような光架橋や主鎖の切
断は、当の塩素化ビニル系重合体にとっては、導電性を
付与するのに必要な条件の共役多重結合鎖を長くする目
的に対して、不都合な副反応となる。前記（ｃ）光学的
方法の中で挙げたたJ.Polym.Soc.,Polym.Letters,Vol.2
5,5（1987）及び国際調査報告書で挙げられたPROC.SPIE
-INT.Soc.,OPT.ENG.Vol.1022,112-117（1988）は本発明
の発想に類似した技術を記載しているが、照射光の波長
とパルス幅に関して本発明と相違している。先行技術の
報告によれば導電性はアルゴンイオンレーザからの可視
域連続光（488.1nm）で照射することにより発現すると
述べている。本報告は又波長377nmのパルス光の窒素レ
ーザーによる照射では導電性を発現させることのできな
かつたことを報告している。
領域の光源から照射された光は、塩素化ビニル系重合体
に対し脱塩化水素反応を引き起こすが、それと同時に、
光を長時間照射することで光架橋や主鎖の切断を引き起
こしてしまう。更に、酸素の存在する雰囲気下で、紫外
線波長領域の光を照射することは、塩素化ビニル系重合
体の酸化及び続く主鎖の切断を引き起こし、切断点にカ
ルボニル基を生成させる。このような光架橋や主鎖の切
断は、当の塩素化ビニル系重合体にとっては、導電性を
付与するのに必要な条件の共役多重結合鎖を長くする目
的に対して、不都合な副反応となる。前記（ｃ）光学的
方法の中で挙げたたJ.Polym.Soc.,Polym.Letters,Vol.2
5,5（1987）及び国際調査報告書で挙げられたPROC.SPIE
-INT.Soc.,OPT.ENG.Vol.1022,112-117（1988）は本発明
の発想に類似した技術を記載しているが、照射光の波長
とパルス幅に関して本発明と相違している。先行技術の
報告によれば導電性はアルゴンイオンレーザからの可視
域連続光（488.1nm）で照射することにより発現すると
述べている。本報告は又波長377nmのパルス光の窒素レ
ーザーによる照射では導電性を発現させることのできな
かつたことを報告している。
発明の開示 本発明の目的は、光架橋や主鎖の酸化又は切断を実質的
に引き起こさない脱塩化水素反応を実施することによ
り、均一な薄膜状の導電性膜を形成させることによっ
て、塩素化ビニル系重合体の成形品に導電性を付与する
方法を提供することである。
に引き起こさない脱塩化水素反応を実施することによ
り、均一な薄膜状の導電性膜を形成させることによっ
て、塩素化ビニル系重合体の成形品に導電性を付与する
方法を提供することである。
本発明の他の目的および有利性は以下の記載および図面
から当業者にとって明瞭となるであろう。
から当業者にとって明瞭となるであろう。
図面の簡単な説明 図面は本発明に従って導電性薄膜の調製に使用する装置
の例の概略図である。
の例の概略図である。
発明を実施するための最良の形態 本発明は、100nsec以下のパルス幅、約15mJ/cm2／パル
ス以上のフルエンスから塩素化ビニル系重合体がアブレ
ーションをうけない範囲のフルエンスまで、約190から
約300nmの波長、及び約１ヘルツ以上の繰り返し数から
該重合体が熱効果により変形及び／又は分解をうけない
範囲の繰り返し数までを有するパルス光を真空又は脱酸
素雰囲気下で塩素化ビニル系重合体の成形品に照射し、
それによって該成形品に少なくとも1x1018/cm2、実施効
率及び経済性の観点から好ましくは1x1019から1x1020/c
m2の全照射光子数を照射することによって、この目的を
達成する。
ス以上のフルエンスから塩素化ビニル系重合体がアブレ
ーションをうけない範囲のフルエンスまで、約190から
約300nmの波長、及び約１ヘルツ以上の繰り返し数から
該重合体が熱効果により変形及び／又は分解をうけない
範囲の繰り返し数までを有するパルス光を真空又は脱酸
素雰囲気下で塩素化ビニル系重合体の成形品に照射し、
それによって該成形品に少なくとも1x1018/cm2、実施効
率及び経済性の観点から好ましくは1x1019から1x1020/c
m2の全照射光子数を照射することによって、この目的を
達成する。
本発明の方法において、有利に使用できる塩素化ビニル
系重合体は、塩素化ポリ塩化ビニル及び／又はポリ塩化
ビニリデンである。本発明方法は塩素化ビニル系重合体
の成形品に適用されるが、これらの成形品として、フィ
ルム、シート、板、繊維、等がある。本発明により、導
電性薄膜は塩素化ビニル系重合体の成形品表面に形成さ
れる。成形品として薄膜を用いれば導電性薄膜を製造で
きる。
系重合体は、塩素化ポリ塩化ビニル及び／又はポリ塩化
ビニリデンである。本発明方法は塩素化ビニル系重合体
の成形品に適用されるが、これらの成形品として、フィ
ルム、シート、板、繊維、等がある。本発明により、導
電性薄膜は塩素化ビニル系重合体の成形品表面に形成さ
れる。成形品として薄膜を用いれば導電性薄膜を製造で
きる。
本発明において、使用できる有利なパルス光源として
は、稀ガスとハロゲンガス（例えばフッ化アルゴン又は
フッ化クリプトン）の混合系のエキシマレーザあるいは
フラッシュランプなどを含む。
は、稀ガスとハロゲンガス（例えばフッ化アルゴン又は
フッ化クリプトン）の混合系のエキシマレーザあるいは
フラッシュランプなどを含む。
反応雰囲気としては、空気でよいが塩素化ビニル系重合
体に高レベルの導電性を付与する目的のためには真空あ
るいは不活性ガスで満たされた脱酸素雰囲気が有利であ
る。
体に高レベルの導電性を付与する目的のためには真空あ
るいは不活性ガスで満たされた脱酸素雰囲気が有利であ
る。
作用機構 本発明者達は，水銀灯、キセノン灯及び他の連続光線を
放射する光源下で行われた光化学反応と、エキシマレー
ザ及び他の紫外線領域における高強度のパルス光源下に
よる光化学反応との間の比較検討を行った。その結果、
本発明者達は紫外線領域におけるパルス光での特異的反
応を見出した。
放射する光源下で行われた光化学反応と、エキシマレー
ザ及び他の紫外線領域における高強度のパルス光源下に
よる光化学反応との間の比較検討を行った。その結果、
本発明者達は紫外線領域におけるパルス光での特異的反
応を見出した。
本発明によれば、特定の条件でパルス光を照射した部分
のみ導電性が得られるので、大面積であろうと、微細な
パターン状であろうと、あるいは他のいずれの型であっ
ても、単に光の照射方法を変更するだけで、必要に応じ
た形の導電性薄膜が調製される。
のみ導電性が得られるので、大面積であろうと、微細な
パターン状であろうと、あるいは他のいずれの型であっ
ても、単に光の照射方法を変更するだけで、必要に応じ
た形の導電性薄膜が調製される。
なお、固相系の反応の実施により、原料の重合体以外の
材料の使用、例えば製品の薄膜を汚染する可能性のある
溶媒や強塩基の使用が排除されるので、本発明の方法は
前記（ｂ）の化学的方法に関連した諸問題、例えば反応
後の溶媒除去の必要性および反応による残留塩の形成の
心配は一切ない。
材料の使用、例えば製品の薄膜を汚染する可能性のある
溶媒や強塩基の使用が排除されるので、本発明の方法は
前記（ｂ）の化学的方法に関連した諸問題、例えば反応
後の溶媒除去の必要性および反応による残留塩の形成の
心配は一切ない。
更に、反応時、原材料の重合体は軟化点以上の高温度に
加熱されることがないので、前記（ａ）の熱的方法の場
合の変形あるいは他の劣化を起こすことなく均一薄膜と
して調製できる。
加熱されることがないので、前記（ａ）の熱的方法の場
合の変形あるいは他の劣化を起こすことなく均一薄膜と
して調製できる。
実施例 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
実施例１ 原材料は塩素化ビニル系重合体の一つである塩素化ポリ
塩化ビニルを使用した。63％塩素付加されたポリ塩化ビ
ニル粉末を、塩化メチレンに溶解して約50μｍの厚さを
有するフィルムを作成した。このフィルムを用いて以下
の光化学反応を行った。
塩化ビニルを使用した。63％塩素付加されたポリ塩化ビ
ニル粉末を、塩化メチレンに溶解して約50μｍの厚さを
有するフィルムを作成した。このフィルムを用いて以下
の光化学反応を行った。
第１図は本発明の方法を実施するための装置の概略図で
ある。上述の方法により作成された塩素化ポリ塩化ビニ
ルフィルム１をステージ２の上に置き、ステージ２に備
え付けられているヒーター３を加熱し、センサー４によ
り温度を測定しながらフィルムの温度を制御した。真空
排気装置６をチャンバー（導電性薄膜作製室）５に接続
し、チャンバー中の反応雰囲気を真空に排気できるよう
にした。
ある。上述の方法により作成された塩素化ポリ塩化ビニ
ルフィルム１をステージ２の上に置き、ステージ２に備
え付けられているヒーター３を加熱し、センサー４によ
り温度を測定しながらフィルムの温度を制御した。真空
排気装置６をチャンバー（導電性薄膜作製室）５に接続
し、チャンバー中の反応雰囲気を真空に排気できるよう
にした。
KrFエキシマレーザ装置７をパルス光源として使用し
た。レーザ装置７からの照射光は石英の窓８を経由して
チャンバー５に入射され、フイルム１を照射する。
た。レーザ装置７からの照射光は石英の窓８を経由して
チャンバー５に入射され、フイルム１を照射する。
反応条件を以下に要約する。
原材料 ：塩素化ポリ塩化ビニル （塩素化率 63％） 原材料温度 :90℃ チャンバー中の雰囲気：圧力3x10-7Torrの高真空 光源 :KrFエキシマレーザ 発振波長 :248nm フルエンス :15mJ/cm2／パルス 繰り返し数 :1Hz 照射パルスの総数 :7640 パルス幅 :20nsec 全照射光子数 ：7x1019/cm2 これらの条件のもとで照射された重合体を試料Ａとし
た。
た。
実施例２ 導電性薄膜を調製するためのチャンバーの雰囲気が１気
圧の窒素ガスであることを除いて、実施例１と同じ原材
料、同じ温度で、光化学反応を実施した。
圧の窒素ガスであることを除いて、実施例１と同じ原材
料、同じ温度で、光化学反応を実施した。
反応条件を以下に要約する。
原材料 ：塩素化ポリ塩化ビニル （塩素化率 63％） 原材料温度 :90℃ チャンバーの雰囲気 :1気圧の窒素 光源 :KrFエキシマレーザ 発振波長 :248nm フルエンス :30mJ/cm2／パルス 繰り返し数 :1Hz 照射パルスの総数 :1800 パルス幅 :20nsec 全照射光子数 ：7x1019/cm2 これらの条件の下で照射された重合体を試料Ｂとした。
比較例１ 低圧水銀灯を光源として使用したことを除いては、実施
例１と同じ原材料、同じ温度、同じ雰囲気で光化学反応
を実施した。これらの条件の下で光照射された原材料重
合体を試料Ｃとした。
例１と同じ原材料、同じ温度、同じ雰囲気で光化学反応
を実施した。これらの条件の下で光照射された原材料重
合体を試料Ｃとした。
光源 ：低圧水銀灯 波長 :254nm 光強度 ：1mW/cm2 全照射時間 :634min 連続光 本発明に従って調製された試料Ａ及びＢは、光照射領域
の1-cm平方パターンで測定すると約5-30キロオームの電
気抵抗を有することが判明した。光照射による変質層
は、光学顕微鏡で断面を観察したところ約５ミクロンの
厚さであった。これより、該二個の試料は0.1〜１シー
メンス/cm程度の導電率を有することが決定された。比
較試料Ｃのシートの抵抗は300メグオーム以上であって
より正確な測定は不可能であった。
の1-cm平方パターンで測定すると約5-30キロオームの電
気抵抗を有することが判明した。光照射による変質層
は、光学顕微鏡で断面を観察したところ約５ミクロンの
厚さであった。これより、該二個の試料は0.1〜１シー
メンス/cm程度の導電率を有することが決定された。比
較試料Ｃのシートの抵抗は300メグオーム以上であって
より正確な測定は不可能であった。
産業上の利用可能性 本発明の有利性を以下の如く要約できる。
（ａ）100nsec以下のパルス幅および約190から約300nm
までの波長を有するパルス光の使用により原材料塩素化
ビニル系重合体の光架橋や主鎖の切断の機会が減少す
る。
までの波長を有するパルス光の使用により原材料塩素化
ビニル系重合体の光架橋や主鎖の切断の機会が減少す
る。
（ｂ）脱酸素雰囲気下で光照射を行うことで、酸化及び
酸化に伴う主鎖の切断は起こらなくなる。
酸化に伴う主鎖の切断は起こらなくなる。
（ｃ）本発明は原材料の重合体以外の材料、例えば脱塩
化水素反応の間に薄膜を汚染する可能性のある強塩基及
び溶媒を使用しないので、反応後溶媒を除去する必要は
なく、あるいは残存塩類が該反応によって形成される懸
念も全くない。
化水素反応の間に薄膜を汚染する可能性のある強塩基及
び溶媒を使用しないので、反応後溶媒を除去する必要は
なく、あるいは残存塩類が該反応によって形成される懸
念も全くない。
（ｄ）反応時原材料の重合体は軟化点以上の高温度迄加
熱する必要がないため、変形や劣化はなく均一薄膜を調
製できる。
熱する必要がないため、変形や劣化はなく均一薄膜を調
製できる。
（ｅ）100nsec以下のパルス幅及び約190から約300nmま
での波長を有するパルス光で照射された領域においての
み導電性が得られるため、大面積であろうと微細なパタ
ーン状であろうと、又は他のいずれの型であろうと、単
に照射の方法を変更するだけで、必要に応じた形の導電
性薄膜が調製できる。
での波長を有するパルス光で照射された領域においての
み導電性が得られるため、大面積であろうと微細なパタ
ーン状であろうと、又は他のいずれの型であろうと、単
に照射の方法を変更するだけで、必要に応じた形の導電
性薄膜が調製できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｚ (72)発明者 下山 正 東京都大田区羽田旭町11番地１号 株式会 社荏原製作所内 審査官 服部 智 (56)参考文献 ＰＲＯＣ．ＳＰＩＥ−ＩＮＴ．ＳＯＣ. ＯＰＴ．ＥＮＧ，1022（1988）Ｐ．112〜 117
Claims (4)
- 【請求項１】導電性薄膜を形成する方法において、100n
sec以下のパルス幅、15mJ/cm2／パルス以上のフルエン
スから塩素化ビニル系重合体がアブレーションをうけな
い範囲のフルエンスまで、190から300nmまでの波長及び
１ヘルツ以上の繰り返し数から熱効果により該重合体が
変形及び／又は分解をうけない範囲の繰り返し数までを
有する、パルス光を真空又は脱酸素雰囲気の下で塩素化
ビニル系重合体の成形品に照射し、それによって少なく
とも１×1018/cm2の全照射光子数を該成形品に照射する
ことにより導電性薄膜を形成する方法。 - 【請求項２】該塩素化ビニル系重合体が塩素化ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン及びこれらの混合物からな
る群から選択される請求項１記載の方法。 - 【請求項３】導電性薄膜を形成する方法において、15か
ら30mJ/cm2／パルスのフルエンス、１ヘルツ以上の繰り
返し数から熱効果により塩素化ビニル系重合体が変形及
び／又は分解をうけない範囲の繰り返し数までを有す
る、KrFエキシマレーザを真空又は脱酸素雰囲気中で塩
素化ビニル系重合体の成形品に照射しそれによって１×
1019から１×1020/cm2の全照射光子数を該成形品に照射
することにより導電性薄膜を形成する方法。 - 【請求項４】該塩素化ビニル系重合体が塩素化ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン及びこれらの混合物からな
る群から選択される請求項３記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3505329A JPH0796097B2 (ja) | 1990-03-12 | 1991-03-12 | 導電性薄膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5798290 | 1990-03-12 | ||
| JP2-57982 | 1990-03-12 | ||
| JP3505329A JPH0796097B2 (ja) | 1990-03-12 | 1991-03-12 | 導電性薄膜の形成法 |
| PCT/JP1991/000333 WO1991013680A1 (en) | 1990-03-12 | 1991-03-12 | Method of forming a thin electroconductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06503257A JPH06503257A (ja) | 1994-04-14 |
| JPH0796097B2 true JPH0796097B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=13071218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3505329A Expired - Lifetime JPH0796097B2 (ja) | 1990-03-12 | 1991-03-12 | 導電性薄膜の形成法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5266244A (ja) |
| EP (1) | EP0522158B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0796097B2 (ja) |
| DE (1) | DE69101109T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991013680A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PT841146E (pt) * | 1996-10-31 | 2002-07-31 | Accumulator Hop Carl Zoe & Soh | Zonas condutoras em plasticos isoladores |
| DE19920693C1 (de) * | 1999-05-05 | 2001-04-26 | Inst Oberflaechenmodifizierung | Offener UV/VUV-Excimerstrahler und Verfahren zur Oberflächenmodifizierung von Polymeren |
| US7186108B2 (en) * | 2002-04-11 | 2007-03-06 | Pentron Laboratory Technologies, Llc | Curing unit for dental materials |
| US7270528B2 (en) * | 2002-05-07 | 2007-09-18 | 3D Systems, Inc. | Flash curing in selective deposition modeling |
| US8876513B2 (en) * | 2008-04-25 | 2014-11-04 | 3D Systems, Inc. | Selective deposition modeling using CW UV LED curing |
| WO2012002239A1 (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ハロゲン化物の検出剤、並びにそれを検出する方法及び検出センサー |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654273A (en) * | 1984-01-16 | 1987-03-31 | The Dow Chemical Company | Electromagnetic shielded body |
| JPS61204238A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Toa Nenryo Kogyo Kk | ポリオレフイン樹脂成形体の表面処理方法 |
| JPS61215773A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | 株式会社 興人 | 塩化ビニル系繊維の白色度向上方法 |
| DE3540411A1 (de) * | 1985-11-14 | 1987-05-21 | Deutsches Textilforschzentrum | Verfahren zur ausruestung von garnen und/oder flaechengebilden sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3767890D1 (de) * | 1986-02-14 | 1991-03-14 | Amoco Corp | Behandlung von geformten oberflaechen mit ultraviolettlaser. |
| EP0346485B1 (en) * | 1987-12-11 | 1996-04-03 | Teijin Limited | Aromatic polymer moldings having modified surface condition and process for their production |
| DE3809758A1 (de) * | 1988-03-23 | 1989-10-05 | Dietrich Dipl Chem Dr Schuster | Organisches elektrodenmaterial, verfahren zu seiner herstellung und anwendung |
| JPH0255738A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-26 | Victor Co Of Japan Ltd | 導電性プラスチックの高導電化方法 |
| US5098618A (en) * | 1990-03-14 | 1992-03-24 | Joseph Zelez | Surface modification of plastic substrates |
-
1991
- 1991-03-12 US US07/867,202 patent/US5266244A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-12 DE DE91905436T patent/DE69101109T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-12 JP JP3505329A patent/JPH0796097B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-12 WO PCT/JP1991/000333 patent/WO1991013680A1/en active IP Right Grant
- 1991-03-12 EP EP91905436A patent/EP0522158B1/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ＰＲＯＣ．ＳＰＩＥ−ＩＮＴ．ＳＯＣ．ＯＰＴ．ＥＮＧ，１０２２（１９８８）Ｐ．１１２〜１１７ |
| PROC.SPIE-INT.SOC.OPT.ENG=1988 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0522158B1 (en) | 1994-01-26 |
| DE69101109D1 (de) | 1994-03-10 |
| WO1991013680A1 (en) | 1991-09-19 |
| DE69101109T2 (de) | 1994-05-05 |
| JPH06503257A (ja) | 1994-04-14 |
| EP0522158A1 (en) | 1993-01-13 |
| US5266244A (en) | 1993-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4568632A (en) | Patterning of polyimide films with far ultraviolet light | |
| Wertheimer et al. | Industrial processing of polymers by low-pressure plasmas: the role of VUV radiation | |
| US4414059A (en) | Far UV patterning of resist materials | |
| Srinivasan et al. | Photochemical cleavage of a polymeric solid: details of the ultraviolet laser ablation of poly (methyl methacrylate) at 193 nm and 248 nm | |
| EP0098917A2 (en) | A method of photoetching polyesters | |
| Dadsetan et al. | Effect of CO2 laser radiation on the surface properties of polyethylene terephthalate | |
| JPH075773B2 (ja) | 紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成形品の表面改質方法 | |
| Niino et al. | Surface morphological microstructures of poly (ethylene 2, 6‐naphthalate) modified by excimer laser ablation | |
| JPH0796097B2 (ja) | 導電性薄膜の形成法 | |
| EP0108189B1 (en) | A method for etching polyimides | |
| Katoh et al. | Microfabrication of crosslinked polytetrafluoroethylene using synchrotron radiation direct photo-etching | |
| Costela et al. | Ablation of poly (methyl methacrylate) and poly (2-hydroxyethyl methacrylate) by 308, 222 and 193 nm excimer-laser radiation | |
| JP3864211B2 (ja) | 真空紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成型品の表面改質方法 | |
| JPH06256548A (ja) | フッ素系高分子成形品の化学めっき方法 | |
| JPH0454693B2 (ja) | ||
| JP3194010B2 (ja) | 高反応性活性種が表面に固定されている改質された固体表面 | |
| JP2860400B2 (ja) | 高反応性活性種の放出方法と固体表面の改質方法 | |
| JPH0811772B2 (ja) | レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 | |
| JPH03259932A (ja) | 高分子成形品のエッチング加工方法 | |
| Ishii et al. | Photodecomposition of copolymers between 9-anthrylmethylmethacrylate and methymethacrylate by XeF excimer laser irradiation | |
| JP2706705B2 (ja) | 紫外レーザーによる有機薄膜の製造方法 | |
| JPH07165934A (ja) | エキシマレーザーによるポリエチレン製品の光架橋 | |
| Izumi et al. | Irradiation Effects of Excimer Laser Light on Vinylidene Chloride-Vinyl Chloride (Saran) Copolymer Film. | |
| Okoshi et al. | Microfabrication of polyethylene using femtosecond Ti: sapphire laser and nanosecond ArF laser | |
| JPH06179764A (ja) | 紫外レーザーを用いた高分子成形品表面および固体基板表面への有機化合物の固定化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071018 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081018 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091018 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101018 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111018 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111018 Year of fee payment: 16 |