JPH0794630A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH0794630A
JPH0794630A JP5261693A JP26169393A JPH0794630A JP H0794630 A JPH0794630 A JP H0794630A JP 5261693 A JP5261693 A JP 5261693A JP 26169393 A JP26169393 A JP 26169393A JP H0794630 A JPH0794630 A JP H0794630A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
circuit pattern
external lead
case substrate
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP5261693A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Chikayuki Kato
周幸 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5261693A priority Critical patent/JPH0794630A/en
Publication of JPH0794630A publication Critical patent/JPH0794630A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To increase the degree of freedom in the electrical connection of a chip device in a packaged semiconductor device and to allow packaging of a chip device even in a resin sealed semiconductor device. CONSTITUTION:In order to seal a semiconductor element 2 mounted on a case board 1, a circuit pattern is formed on the inner face of a cap 7 applied thereto. A chip capacitor 8 being connected electrically with the circuit pattern is then mounted and the circuit pattern is formed such that it is connected electrically with external lead pins arranged on the case board 1 when the cap 7 is applied thereto. When the chip capacitor 8 is mounted on the cap 7, the chip capacitor 8 can be connected electrically with the semiconductor element 2 through the circuit pattern and the external lead pins 3 and thereby the degree of freedom is increased in the configuration of circuitry.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
チップコンデンサをパッケージ内に内装した半導体装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device having a chip capacitor inside a package.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体装置の高速動作化に伴い、
その高速スイッチング動作によって電源雑音が発生し、
半導体装置やこれを実装する機器の安定動作を劣化させ
るおそれが生じている。このため、この種の雑音を吸収
するためのコンデンサを半導体装置のパッケージ内に内
装する試みがなされている。図6はその一例を示す断面
図であり、特開平1−108751号公報に記載されて
いるものである。セラミックケース基板101の上面中
央には凹部101aが形成されて半導体素子102が搭
載され、凹部101aの周囲に形成された配線パターン
103に金属線104により電気接続される。また、ケ
ース基板101の下面には複数の外部リードピン105
が植設されており、前記配線パターン103に接続され
る。
2. Description of the Related Art With the recent increase in operation speed of semiconductor devices,
Power supply noise is generated by the high-speed switching operation,
There is a possibility that the stable operation of a semiconductor device or a device in which it is mounted deteriorates. Therefore, it has been attempted to incorporate a capacitor for absorbing this kind of noise in the package of the semiconductor device. FIG. 6 is a sectional view showing an example thereof, which is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-108751. A recess 101a is formed in the center of the upper surface of the ceramic case substrate 101 to mount the semiconductor element 102, and the wiring pattern 103 formed around the recess 101a is electrically connected by a metal wire 104. In addition, a plurality of external lead pins 105 are provided on the lower surface of the case substrate 101.
Are planted and connected to the wiring pattern 103.

【0003】更に、ケース基板101の上面には導電性
材料からなるキャップ106が導電性シールリング10
7を介して取着され、前記半導体素子等を封止する。ま
た、このキャップ106の内面にチップコンデンサ10
8の一方の電極を接続し、キャップ106をケース基板
101に取着したときにチップコンデンサ108の他方
の電極が配線パターン103に接続されるように構成し
ている。したがって、キャップ106にチップコンデン
サ108を接続しておけば、キャップ106をケース基
板101に取着すると同時にチップコンデンサ108の
他方の電極を配線パターン103に接続することがで
き、チップコンデンサ108を電源と接地との間に介挿
し、電源雑音を吸収することが可能となる。
Further, a cap 106 made of a conductive material is provided on the upper surface of the case substrate 101 to form the conductive seal ring 10.
It is attached via 7 to seal the semiconductor element and the like. In addition, the chip capacitor 10 is provided on the inner surface of the cap 106.
8 of the chip capacitors 108 is connected to the wiring pattern 103 when the cap 106 is attached to the case substrate 101. Therefore, if the chip capacitor 108 is connected to the cap 106, the other electrode of the chip capacitor 108 can be connected to the wiring pattern 103 at the same time when the cap 106 is attached to the case substrate 101, and the chip capacitor 108 serves as a power source. It is possible to absorb the power supply noise by inserting it to the ground.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置では、チップコンデンサ108の一方の電極をキ
ャップ106に接続する構成であるため、キャップ自体
が導電材料でなけれぱならず、かつ接地を行うためには
導電性シールリング107を用いてケース基板101に
取着する必要がある。したがって、チップコンデンサ1
08の一方の電極を接地したくない場合にはこの構成を
適用することができない。また、複数個のチップコンデ
ンサを内装する場合には、全てのチップコンデンサの一
方の電極がキャップ106を介して共通して接続される
状態となり、回路を構成する上での制約となる。
In such a conventional semiconductor device, since one electrode of the chip capacitor 108 is connected to the cap 106, the cap itself must be made of a conductive material and ground. In order to do so, it is necessary to attach it to the case substrate 101 using the conductive seal ring 107. Therefore, the chip capacitor 1
This configuration cannot be applied when one electrode of 08 is not grounded. Further, when a plurality of chip capacitors are incorporated, one electrode of all the chip capacitors is commonly connected via the cap 106, which is a constraint in forming a circuit.

【0005】更に、チップコンデンサ108はキャップ
106とケース基板101にそれぞれの電極が接続され
るため、両者の熱膨張係数に差がある場合には、半導体
装置の温度変化によってチップコンデンサ108の電極
部分に応力が生じ、接続が破損され易いという問題もあ
る。また、ケース基板101に搭載した半導体素子10
2を樹脂等により封止する場合には、半導体素子10
2、金属線104と共に配線パターン103をも樹脂封
止することがあり、このような場合にはチップコンデン
サ108の他方の電極を配線パターン103に接続する
ことが困難になるという問題もある。なお、このような
問題は、チップコンデンサに限らず、チップ抵抗やその
他のチップ部品を半導体装置のパッケージに内装しよう
とした場合には同様に生じるものである。本発明の目的
は、内装するチップ部品の電気接続の自由度を高めると
ともに、樹脂封止型の半導体装置においてもチップ部品
の内装を可能にした半導体装置を提供することにある。
Further, since the respective electrodes of the chip capacitor 108 are connected to the cap 106 and the case substrate 101, when there is a difference in thermal expansion coefficient between the two, the electrode portion of the chip capacitor 108 is changed by the temperature change of the semiconductor device. There is also a problem that stress is generated in the connection and the connection is easily damaged. In addition, the semiconductor element 10 mounted on the case substrate 101
2 is sealed with resin or the like, the semiconductor element 10
2. The wiring pattern 103 may be resin-sealed together with the metal wire 104. In such a case, it is difficult to connect the other electrode of the chip capacitor 108 to the wiring pattern 103. It should be noted that such a problem occurs not only in the case of the chip capacitor but also in the case of incorporating a chip resistor or other chip parts in the package of the semiconductor device. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device in which the degree of freedom of electrical connection of chip components to be embedded is increased and the chip components can be embedded even in a resin-sealed semiconductor device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、ケース基板に
取着して半導体素子を封止するキャップの内面に回路パ
ターンを形成し、この回路パターンに電気接続されるチ
ップ部品を搭載し、かつキャップをケース基板に取着し
たときに回路パターンがケース基板に設けた外部リード
ピンに電気接続するように構成する。キャップは、その
内面に所要の回路パターンを形成し、この回路パターン
の一部にチップ部品用のパッドを形成し、回路パターン
の他の部分をキャップに設けたスルーホールに接続し、
キャップをケース基板に取着したときにそのスルーホー
ルが外部リードピンに挿通されてこれと電気接続される
ように構成する。
According to the present invention, a circuit pattern is formed on an inner surface of a cap which is attached to a case substrate and seals a semiconductor element, and a chip component electrically connected to the circuit pattern is mounted. Moreover, when the cap is attached to the case substrate, the circuit pattern is electrically connected to the external lead pin provided on the case substrate. The cap forms a required circuit pattern on its inner surface, forms a pad for a chip component in a part of this circuit pattern, and connects the other part of the circuit pattern to a through hole provided in the cap,
When the cap is attached to the case substrate, the through hole is inserted into the external lead pin and electrically connected to the external lead pin.

【0007】[0007]

【作用】キャップに設けた回路パターンにチップ部品を
搭載し、この回路パターンを外部リードピンを介して半
導体素子に電気接続するため、ケース基板に対してチッ
プ部品を接続する必要がない。このため、チップ部品を
キャップに対して電気接続する必要がなく自由な回路の
設計が可能となり、かつチップ部品に対する熱応力の発
生や、半導体素子の樹脂封止に伴う問題が解消される。
Since the chip component is mounted on the circuit pattern provided on the cap and the circuit pattern is electrically connected to the semiconductor element through the external lead pin, it is not necessary to connect the chip component to the case substrate. Therefore, it is possible to freely design a circuit without electrically connecting the chip component to the cap, and solve the problems associated with the thermal stress on the chip component and the resin sealing of the semiconductor element.

【0008】[0008]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例を示し、(a)は底面図、
(b)はそのA−A線断面図である。プリントケース基
板1は方形の板状に形成され、その下面の中央には凹部
1aが形成され、この凹部1a内に半導体素子2が接着
剤等により搭載される。そして、ケース基板1の下面の
凹部1aの周辺には配線パターン4を形成し、この配線
パターン4に接続される複数本の外部リードピン3をケ
ース基板1の下面に植設している。即ち、前記ケース基
板1はガラス布エポキシ、ガラス布トリアジン、ガラス
布ポリイミド等の樹脂材で形成し、外部リードピン3は
燐青銅やコバール、42アロイ等で形成し、その表面を
半田で被覆している。その上で、ケース基板1の下面に
は金属薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術で
パターン形成して前記配線パターン4を形成し、かつケ
ース基板1にスルーホールを形成し、これを利用して前
記外部リードピン3を植設している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, (a) is a bottom view,
(B) is the AA sectional view taken on the line. The print case substrate 1 is formed in a rectangular plate shape, and a recess 1a is formed in the center of the lower surface of the print case substrate 1. The semiconductor element 2 is mounted in the recess 1a with an adhesive or the like. A wiring pattern 4 is formed around the recess 1a on the lower surface of the case substrate 1, and a plurality of external lead pins 3 connected to the wiring pattern 4 are planted on the lower surface of the case substrate 1. That is, the case substrate 1 is formed of a resin material such as glass cloth epoxy, glass cloth triazine, glass cloth polyimide, and the external lead pins 3 are formed of phosphor bronze, kovar, 42 alloy, etc., and the surface thereof is covered with solder. There is. Then, a metal thin film is formed on the lower surface of the case substrate 1, the wiring pattern 4 is formed by patterning the metal thin film by a photolithography technique, and a through hole is formed in the case substrate 1. The external lead pins 3 are planted.

【0009】前記半導体素子2は金属線5により配線パ
ターン4と電気接続され、更にこの配線パターン4を介
して外部リードピン3に電気接続される。また、これら
半導体素子2、金属線5、配線パターン4の内周部分を
覆うように樹脂6が被覆され、これらを樹脂封止してい
る。ここでは樹脂封止を行った後に、更にその上に同じ
樹脂を供給し、その樹脂により外側から取着されるキャ
ップ7との間を満たすように構成する。
The semiconductor element 2 is electrically connected to the wiring pattern 4 by the metal wire 5, and further electrically connected to the external lead pin 3 via the wiring pattern 4. A resin 6 is coated so as to cover the semiconductor element 2, the metal wire 5, and the inner peripheral portion of the wiring pattern 4, and these are resin-sealed. Here, after the resin is sealed, the same resin is further supplied thereon to fill the space between the resin and the cap 7 attached from the outside.

【0010】前記キャップ7は、図2に平面図とB−B
線拡大断面図を示すように、前記ケース基板1よりも小
さい矩形の浅皿状に形成される。ここでは、キャップ7
はメタルコア基板で形成されており、中心にアルミニウ
ムまたは銅で形成されたメタルコア部71を有し、その
外面と内面のそれぞれにエポキシ樹脂等の絶縁膜72,
73を形成している。そして、内面には絶縁膜73の上
にフォトリソグラフィ技術により導体薄膜で回路パター
ン74を形成し、この回路パターン74の一部にチップ
コンデンサ用パッド74aを形成している。
The cap 7 is shown in a plan view and BB in FIG.
As shown in the line enlarged cross-sectional view, it is formed in a rectangular shallow dish shape smaller than the case substrate 1. Here, the cap 7
Is formed of a metal core substrate, has a metal core portion 71 formed of aluminum or copper at the center, and has an insulating film 72 made of epoxy resin or the like on the outer surface and the inner surface, respectively.
73 is formed. Then, on the inner surface, a circuit pattern 74 is formed of a conductive thin film on the insulating film 73 by a photolithography technique, and a chip capacitor pad 74a is formed on a part of the circuit pattern 74.

【0011】また、回路パターン74の他の部分はキャ
ップ7の周辺部まで延長され、その周辺部においてスル
ーホール74bを形成している。この実施例では、キャ
ップ7の周辺部の複数箇所を前記した外部リードピン3
に対応するピッチ寸法で外側に向けて半円状に突出さ
せ、この突出させた部分にスルーホール74bを開設し
ている。なお、回路パターン74のパッド74aとスル
ーホール74b以外の領域はソルダーレジストといわれ
る絶縁膜75で被覆される。
The other portion of the circuit pattern 74 is extended to the peripheral portion of the cap 7 and a through hole 74b is formed in the peripheral portion. In this embodiment, the external lead pin 3 described above is provided at a plurality of locations on the periphery of the cap 7.
With a pitch dimension corresponding to, a semicircular shape is projected outward, and a through hole 74b is formed in this projected portion. The area of the circuit pattern 74 other than the pads 74a and the through holes 74b is covered with an insulating film 75 called a solder resist.

【0012】そして、前記回路パターン74のチップコ
ンデンサ用ハッド74aにチップコンデンサ8を半田リ
フロー法により接続する。そして、このキャップ7を図
1に示したように、半導体素子2を搭載したケース基板
1の下面に取着する。この取着に際しては、キャップ7
に設けたスルーホール74bを対応する外部リードピン
3に挿通させ、キャップ7を仮固定した後に半田ディッ
プを行うことで、キャップ7のスルーホール74bと外
部リードピン3とを半田付けし、この接続によりキャッ
プ7をケース基板1に取着する。なお、図3は前記した
半導体装置の製造工程の概略を示すフローチャートであ
る。
Then, the chip capacitor 8 is connected to the chip capacitor pad 74a of the circuit pattern 74 by the solder reflow method. Then, as shown in FIG. 1, this cap 7 is attached to the lower surface of the case substrate 1 on which the semiconductor element 2 is mounted. When attaching this, cap 7
The through-holes 74b provided in the above are inserted into the corresponding external lead pins 3, the cap 7 is temporarily fixed, and then the solder dip is performed to solder the through-holes 74b of the cap 7 and the external lead pins 3 to each other. 7 is attached to the case substrate 1. Note that FIG. 3 is a flowchart showing an outline of the manufacturing process of the semiconductor device described above.

【0013】したがって、この構成の半導体装置では、
キャップ7に搭載したチップコンデンサ8は回路パター
ン74及びスルーホール74bを介して外部リードピン
3に接続されることになり、更に外部リードピン3にお
いて配線パターン4を介して半導体素子2と電気接続さ
れることになり、任意の回路を構成することが可能とな
る。そして、チップコンデンサ8はキャップ7に設けた
回路パターン74を利用してパッケージ内に内装するこ
とになるが、この回路パターン74はキャップ7とは直
接電気接続されたものではないため、チップコンデンサ
8を任意の回路構成とすることができる。したがって、
接地と電源との間に接続される雑音吸収用のチップコン
デンサに限られるものではなく、任意の用途のチップコ
ンデンサとして内装することが可能になる。また、複数
のチップコンデンサのそれぞれを任意に回路接続するこ
とが可能となる。これにより、キャップ7は必ずしも導
電材料で形成されることはなく、かつ接地されることも
ない。
Therefore, in the semiconductor device having this structure,
The chip capacitor 8 mounted on the cap 7 is to be connected to the external lead pin 3 via the circuit pattern 74 and the through hole 74b, and is also electrically connected to the semiconductor element 2 via the wiring pattern 4 at the external lead pin 3. Therefore, it is possible to configure an arbitrary circuit. Then, the chip capacitor 8 will be installed inside the package by utilizing the circuit pattern 74 provided on the cap 7, but since the circuit pattern 74 is not directly electrically connected to the cap 7, the chip capacitor 8 Can have any circuit configuration. Therefore,
The chip capacitor is not limited to the noise absorbing chip capacitor connected between the ground and the power supply, and can be installed as a chip capacitor for any purpose. In addition, it becomes possible to arbitrarily connect each of the plurality of chip capacitors to the circuit. As a result, the cap 7 is not necessarily made of a conductive material and is not grounded.

【0014】また、チップコンデンサ8はキャップ7に
のみ搭載されればよく、ケース基板1に直接電気接続す
る必要がないため、キャップ7とケース基板1との熱膨
張係数の差に関わらず熱応力が影響することはなく、か
つケース基板1の配線パターン4が樹脂で被覆されてい
てもその電気接続には影響がなく、樹脂封止型のパッケ
ージへの適用も可能となる。なお、チップコンデンサ8
を接続する外部リードピン3を変更する場合には、キャ
ップ7の外周部に設けるスルーホール74bの位置を、
接続しようとする外部リードピン3の位置に応じて変更
すればよい。また、これに合わせて回路パターン74を
形成すればよい。
Further, since the chip capacitor 8 need only be mounted on the cap 7 and does not need to be directly electrically connected to the case substrate 1, thermal stress is exerted regardless of the difference in thermal expansion coefficient between the cap 7 and the case substrate 1. Does not affect, and even if the wiring pattern 4 of the case substrate 1 is covered with resin, its electrical connection is not affected, and it can be applied to a resin-sealed package. The chip capacitor 8
When changing the external lead pin 3 for connecting the, the position of the through hole 74b provided on the outer peripheral portion of the cap 7
It may be changed according to the position of the external lead pin 3 to be connected. Further, the circuit pattern 74 may be formed in accordance with this.

【0015】図4は本発明の他の実施例の断面図であ
り、図1の実施例と等価な部分には同一符号を付してあ
る。この実施例では、図1の構成に加えて、ケース基板
1の上面の中央部にも凹部1bを形成し、ここにヒート
シンクとして金属板9を接着している。この金属板9は
その内面をケース基板1の下面に設けた凹部1aに露呈
されており、この露呈された金属板9の内面に半導体素
子2を搭載している。また、キャップ7の周辺部7aを
外側に延長し、かつこれを略90度曲げ形成して外部リ
ードピン3間に所要の高さで立設させている。この構成
では、金属板9によって半導体素子2の熱抵抗を低減
し、放熱性を高めることが可能となる。また、キャップ
周辺部7aを立設することにより、パッケージを実装基
板等に対して実装する際の高さ方向のストッパとして利
用でき、キャップ7の下面と実装基板の配線回路とが短
絡することを未然に防止することが可能となる。
FIG. 4 is a sectional view of another embodiment of the present invention, in which parts equivalent to those of the embodiment of FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In this embodiment, in addition to the configuration shown in FIG. 1, a recess 1b is also formed in the center of the upper surface of the case substrate 1, and a metal plate 9 is bonded thereto as a heat sink. The inner surface of the metal plate 9 is exposed to the recess 1a provided on the lower surface of the case substrate 1, and the semiconductor element 2 is mounted on the exposed inner surface of the metal plate 9. Further, the peripheral portion 7a of the cap 7 is extended to the outside, and this is bent by approximately 90 degrees so as to stand between the external lead pins 3 at a required height. In this configuration, the metal plate 9 can reduce the thermal resistance of the semiconductor element 2 and enhance the heat dissipation. Further, by erected the cap peripheral portion 7a, it can be used as a stopper in the height direction when the package is mounted on a mounting board or the like, and the lower surface of the cap 7 and the wiring circuit of the mounting board are short-circuited. It is possible to prevent it in advance.

【0016】図5は本発明の更に他の実施例であり、
(a)は底面図、(b)はC−C線断面図である。この
実施例では、キャップ7Aの外形、寸法をケース基板1
と同一形状、同一寸法に形成している。そして、外部リ
ードピン3に対して接続しない箇所には外部リードピン
3よりも大径の透孔75を開設し、この透孔75には金
属めっきを形成せず、外部リードピン3に接触しないよ
うにする。また、外部リードピン3に接続する部分にの
み小径の透孔76に金属めっきを施してスルーホール7
bを形成している。この構成によれば、ケース基板1に
植設した全ての外部リードピン3のうちの任意の外部リ
ードピンに対してのみ回路パターン74、即ちチップコ
ンデンサ8を電気接続することが可能となり、回路設計
の自由度を高めることが可能となる。
FIG. 5 shows another embodiment of the present invention.
(A) is a bottom view and (b) is a sectional view taken along the line C-C. In this embodiment, the outer shape and dimensions of the cap 7A are set to the case substrate 1
It has the same shape and the same size as. A through hole 75 having a diameter larger than that of the external lead pin 3 is formed at a portion not connected to the external lead pin 3, and no metal plating is formed in the through hole 75 so that the external lead pin 3 does not come into contact with the external lead pin 3. . In addition, the through-hole 7 having a small diameter is plated with metal only at the portion connected to the external lead pin 3.
b is formed. According to this configuration, the circuit pattern 74, that is, the chip capacitor 8 can be electrically connected only to an arbitrary external lead pin among all the external lead pins 3 implanted in the case substrate 1, and thus the circuit design can be freely performed. It is possible to increase the degree.

【0017】ここで、前記各実施例ではチップコンデン
サをパッケージ内に内装した例を示しているが、チップ
抵抗や他のチップ型の電子部品を内装することも可能で
ある。この場合、受動部品に限られるものではなく、能
動部品を内装することも可能である。また、前記実施例
ではキャップにメタルコア構造のものを用いているが、
樹脂或いは他の素材で形成することも可能である。
Here, in each of the above-described embodiments, an example in which the chip capacitor is installed in the package is shown, but it is also possible to install a chip resistor and other chip type electronic parts. In this case, the active component is not limited to the passive component, and it is possible to incorporate the active component. Further, in the above embodiment, the cap having the metal core structure is used,
It is also possible to form it with resin or another material.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、キャップ
の内面に回路パターンを形成し、この回路パターンにチ
ップ部品を搭載し、キャップをケース基板に取着したと
きに回路パターンがケース基板に設けた外部リードピン
に電気接続するように構成しているので、キャップに対
してチップ部品を電気接続する必要がなく、チップ部品
の自由な回路接続が可能となり、一方キャップを必ずし
も接地させる必要がなく、回路設計の自由度が向上する
という効果がある。また、キャップの内面に設けた回路
パターンの一部にチップ部品用のパッドを形成し、回路
パターンの他の部分をキャップに設けたスルーホールに
接続し、キャップをケース基板に取着したときにそのス
ルーホールが外部リードピンに挿通されてこれと電気接
続されるように構成しているので、チップ部品をキャッ
プとケース基板との間に電気接続する必要がない。この
ため、チップ部品に対する熱応力の発生が防止でき、チ
ップ部品の破損が未然に防止されるとともに、チップ部
品を接続するための配線パターンをケース基板上に露呈
させる必要がなく、半導体素子や配線パターンを樹脂封
止ずる半導体装置への適用も可能となる。
As described above, according to the present invention, the circuit pattern is formed on the inner surface of the cap, the chip component is mounted on the circuit pattern, and the circuit pattern is attached to the case substrate when the cap is attached to the case substrate. Since it is configured to be electrically connected to the external lead pin provided, it is not necessary to electrically connect the chip component to the cap, and free circuit connection of the chip component is possible, while the cap does not necessarily have to be grounded. The effect is that the degree of freedom in circuit design is improved. Also, when a pad for a chip component is formed on a part of the circuit pattern provided on the inner surface of the cap, the other part of the circuit pattern is connected to a through hole provided on the cap, and the cap is attached to the case substrate. Since the through hole is inserted into the external lead pin and electrically connected thereto, it is not necessary to electrically connect the chip component between the cap and the case substrate. Therefore, generation of thermal stress to the chip component can be prevented, damage to the chip component can be prevented, and there is no need to expose the wiring pattern for connecting the chip component on the case substrate. It is also possible to apply to a semiconductor device in which the pattern is sealed with resin.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示し、(a)は底面図、
(b)はそのA−A線断面図である。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, (a) is a bottom view,
(B) is the AA sectional view taken on the line.

【図2】図1の半導体装置で用いるキャップを示し、
(a)は平面図、(b)はそのB−B線拡大断面図であ
る。
2 shows a cap used in the semiconductor device of FIG.
(A) is a top view and (b) is the BB line expanded sectional view.

【図3】図1の半導体装置の製造方法の概略工程を示す
フローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a schematic process of a method for manufacturing the semiconductor device of FIG.

【図4】本発明の他の実施例の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of another embodiment of the present invention.

【図5】本発明の更に他の実施例を示し、(a)は底面
図、(b)はそのC−C線断面図である。
5A and 5B show still another embodiment of the present invention, in which FIG. 5A is a bottom view and FIG. 5B is a sectional view taken along the line CC.

【図6】従来のチップコンデンサを内装した半導体装置
の一例の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of an example of a semiconductor device incorporating a conventional chip capacitor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ケース基板 2 半導体素子 3 外部リードピン 4 配線パターン 6 樹脂 7,7A キャップ 74 回路パターン, 74a パッド, 74b ス
ルーホール 8 チップコンデンサ 9 金属板
1 Case Board 2 Semiconductor Element 3 External Lead Pin 4 Wiring Pattern 6 Resin 7, 7A Cap 74 Circuit Pattern, 74a Pad, 74b Through Hole 8 Chip Capacitor 9 Metal Plate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ケース基板上に半導体素子を搭載し、前
記ケース基板に植設した外部リードピンに電気接続し、
かつ前記半導体素子をキャップにより封止する構成の半
導体装置において、前記キャップの内面には回路パター
ンを形成するとともにこの回路パターンに電気接続され
るチップ部品を搭載し、かつ前記キャップを前記ケース
基板に取着したときに前記回路パターンが前記外部リー
ドピンに電気接続するように構成したことを特徴とする
半導体装置。
1. A semiconductor element is mounted on a case substrate and electrically connected to external lead pins implanted in the case substrate,
Further, in a semiconductor device configured to seal the semiconductor element with a cap, a circuit pattern is formed on an inner surface of the cap, and a chip component electrically connected to the circuit pattern is mounted, and the cap is attached to the case substrate. A semiconductor device, wherein the circuit pattern is configured to electrically connect to the external lead pin when attached.
【請求項2】 キャップの内面に所要の回路パターンを
形成し、この回路パターンの一部にチップ部品用のパッ
ドを形成し、回路パターンの他の部分をキャップに設け
たスルーホールに接続し、キャップをケース基板に取着
したときに前記スルーホールが外部リードピンに挿通さ
れてこれと電気接続される請求項1の半導体装置。
2. A desired circuit pattern is formed on the inner surface of the cap, a pad for a chip component is formed on a part of this circuit pattern, and the other part of the circuit pattern is connected to a through hole provided on the cap, The semiconductor device according to claim 1, wherein the through hole is inserted into the external lead pin and electrically connected to the external lead pin when the cap is attached to the case substrate.
【請求項3】 チップ部品がチップコンデンサである請
求項1または2の半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the chip component is a chip capacitor.
【請求項4】 ケース基板には配線パターンを設け、こ
の配線パターンを介して半導体素子と外部リードピンを
電気接続し、これら半導体素子、配線パターンを樹脂に
より封止してなる請求項1ないし3のいずれかの半導体
装置。
4. The case substrate is provided with a wiring pattern, the semiconductor element and an external lead pin are electrically connected through the wiring pattern, and the semiconductor element and the wiring pattern are sealed with a resin. Any semiconductor device.
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