JPH0794129A - Ｘ線撮像管 - Google Patents
Ｘ線撮像管Info
- Publication number
- JPH0794129A JPH0794129A JP23860493A JP23860493A JPH0794129A JP H0794129 A JPH0794129 A JP H0794129A JP 23860493 A JP23860493 A JP 23860493A JP 23860493 A JP23860493 A JP 23860493A JP H0794129 A JPH0794129 A JP H0794129A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- electron beam
- electron
- coil
- ray image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線撮像管のターゲットの電子ビームの衝突
角度を垂直にする。 【構成】 ターゲット２の電子ビーム入射側に接近して
配置されたフィールドメッシュ６の電子銃３側において
電子ビーム通路の周囲を囲むように、環状ソレノイド７
に配置した。
角度を垂直にする。 【構成】 ターゲット２の電子ビーム入射側に接近して
配置されたフィールドメッシュ６の電子銃３側において
電子ビーム通路の周囲を囲むように、環状ソレノイド７
に配置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、医療あるいは一般産
業の分野において、イメージインテンシファイアあるい
はＸ線ビジコン等の代わりに用いられる、Ｘ線撮像管に
関する。
業の分野において、イメージインテンシファイアあるい
はＸ線ビジコン等の代わりに用いられる、Ｘ線撮像管に
関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線撮像管は、入射したＸ線像に対応し
た電荷像を光導電膜上に形成し、その電荷像を電子ビー
ムで走査することによりビデオ信号として取り出すもの
である。この場合、Ｘ線を蛍光面で受けて発光を生じさ
せ、その光を光導電膜に導く構成を取るものと、光導電
膜に直接Ｘ線を入射させて電荷像を形成するものとがあ
る。 このＸ線撮像管は、例えば、図３に示すように構
成されている。真空のガラス外囲器１中にターゲット
（光導電膜）２を配置してＸ線が入射するようにしてお
き、電子銃３と電極４とを設けて、この電子銃３からタ
ーゲット２に向けて電子ビームを発射し、偏向コイル５
で電子ビームを偏向させて走査する。
た電荷像を光導電膜上に形成し、その電荷像を電子ビー
ムで走査することによりビデオ信号として取り出すもの
である。この場合、Ｘ線を蛍光面で受けて発光を生じさ
せ、その光を光導電膜に導く構成を取るものと、光導電
膜に直接Ｘ線を入射させて電荷像を形成するものとがあ
る。 このＸ線撮像管は、例えば、図３に示すように構
成されている。真空のガラス外囲器１中にターゲット
（光導電膜）２を配置してＸ線が入射するようにしてお
き、電子銃３と電極４とを設けて、この電子銃３からタ
ーゲット２に向けて電子ビームを発射し、偏向コイル５
で電子ビームを偏向させて走査する。
【０００３】なお、ターゲット２を構成する光導電膜と
しては、一般にそれ内の高電界でアバランシェ効果を引
き起こし、電荷を指数関数的に増加させるアモルファス
セレン膜が用いられ、Ｘ線を光に変換しターゲットに導
く場合には、アモルファスセレン膜のＸ線入射側にＣｓ
Ｉ等の蛍光膜が密着される。
しては、一般にそれ内の高電界でアバランシェ効果を引
き起こし、電荷を指数関数的に増加させるアモルファス
セレン膜が用いられ、Ｘ線を光に変換しターゲットに導
く場合には、アモルファスセレン膜のＸ線入射側にＣｓ
Ｉ等の蛍光膜が密着される。
【０００４】このＸ線撮像管においては、ターゲット２
に対して電子ビームを垂直にランディングさせる必要が
ある。こうしないと電子の衝突により２次電子放出が多
くなり、撮像管としての機能が得られないからである。
そのための構成として、従来では、ターゲット２の前面
（電子ビームの入射側）にフィールドメッシュ６を配置
し、これに電子銃３に対してはプラスの高電位をかけ、
このフィールドメッシュ６を通過した電子がターゲット
２に対して垂直方向になるようなコリメーション作用を
行なわせるようにしている。
に対して電子ビームを垂直にランディングさせる必要が
ある。こうしないと電子の衝突により２次電子放出が多
くなり、撮像管としての機能が得られないからである。
そのための構成として、従来では、ターゲット２の前面
（電子ビームの入射側）にフィールドメッシュ６を配置
し、これに電子銃３に対してはプラスの高電位をかけ、
このフィールドメッシュ６を通過した電子がターゲット
２に対して垂直方向になるようなコリメーション作用を
行なわせるようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなフィールドメッシュ６ではコリメーション作用が不
十分であり、とくに大口径となったときに電子ビームは
大きな角度に偏向させられるため、その方向を中心軸に
平行な方向に戻してターゲット２へ垂直にランディング
させることができない、つまり電子ビームとフィールド
メッシュ６との角度θが９０°にならない、という問題
がある。
うなフィールドメッシュ６ではコリメーション作用が不
十分であり、とくに大口径となったときに電子ビームは
大きな角度に偏向させられるため、その方向を中心軸に
平行な方向に戻してターゲット２へ垂直にランディング
させることができない、つまり電子ビームとフィールド
メッシュ６との角度θが９０°にならない、という問題
がある。
【０００６】この発明は、上記に鑑み、大口径の場合で
もターゲットへの電子ビームの垂直ランディングを容易
に達成できるように改善した、Ｘ線撮像管を提供するこ
とを目的とする。
もターゲットへの電子ビームの垂直ランディングを容易
に達成できるように改善した、Ｘ線撮像管を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明によるＸ線撮像管においては、ターゲット
の電子ビーム入射側に接近して設けられたフィールドメ
ッシュの近傍に電子ビーム通路の周囲を囲むようにトロ
イダルコイルを配置したことが特徴となっている。
め、この発明によるＸ線撮像管においては、ターゲット
の電子ビーム入射側に接近して設けられたフィールドメ
ッシュの近傍に電子ビーム通路の周囲を囲むようにトロ
イダルコイルを配置したことが特徴となっている。
【０００８】
【作用】トロイダルコイルに電流を流すと、図２に示す
ように、中心Ｏからの距離ｒにほぼ比例した磁場強度を
持ち、しかも、磁力線が同心円で周方向に向きを持つ磁
界を発生する。なお、図２でトロイダルコイル内の矢印
は、磁場強度とその方向を示す。このように、同心円で
周方向の向きを持ち、しかも、中心Ｏからの距離ｒに比
例した磁界を発生する理想的なトロイダルコイルとして
は、無端環状ソレノイドが適している。
ように、中心Ｏからの距離ｒにほぼ比例した磁場強度を
持ち、しかも、磁力線が同心円で周方向に向きを持つ磁
界を発生する。なお、図２でトロイダルコイル内の矢印
は、磁場強度とその方向を示す。このように、同心円で
周方向の向きを持ち、しかも、中心Ｏからの距離ｒに比
例した磁界を発生する理想的なトロイダルコイルとして
は、無端環状ソレノイドが適している。
【０００９】このような磁界を発生するトロイダルコイ
ルがフィールドメッシュの近傍、例えば、フィールドメ
ッシュの電子銃側に、電子ビーム通路の周囲を囲むよう
に配置されているので、大きな角度で偏向された電子ビ
ームほど、中心軸（電子銃からターゲットへ向かう中心
軸）方向に強く曲げられる。結果的に、電子ビームの偏
向角に関係なく、ターゲットに対して直角な方向に向け
られ、電子ビームをターゲットに垂直にランディングさ
せることができる。
ルがフィールドメッシュの近傍、例えば、フィールドメ
ッシュの電子銃側に、電子ビーム通路の周囲を囲むよう
に配置されているので、大きな角度で偏向された電子ビ
ームほど、中心軸（電子銃からターゲットへ向かう中心
軸）方向に強く曲げられる。結果的に、電子ビームの偏
向角に関係なく、ターゲットに対して直角な方向に向け
られ、電子ビームをターゲットに垂直にランディングさ
せることができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の好ましい一実施例について
図面を参照しながら詳細に説明する。図１において、ガ
ラス外囲器１は真空に保たれ、その中にターゲット（光
導電膜）２が配置される。この図の右方向からＸ線が入
射し、その入射Ｘ線画像に対応した電荷像がこのターゲ
ット２上に形成される。このガラス外囲器１内には、タ
ーゲット２とは反対側（左側）端部には電子銃３が配置
されており、ターゲット２の電子銃３側の近傍におい
て、フィールドメッシュ６が配置されている。ガラス外
囲器１の周囲には電子銃３から発生し、ターゲット２の
方向に向かう電子ビームを偏向させるための偏向コイル
５と円環状鉄芯７1 に導体７2 を一様に、かつ、密接し
て巻いた環状ソレノイド７が、フィールドメッシュ６の
電子銃側に位置するように配置されている。
図面を参照しながら詳細に説明する。図１において、ガ
ラス外囲器１は真空に保たれ、その中にターゲット（光
導電膜）２が配置される。この図の右方向からＸ線が入
射し、その入射Ｘ線画像に対応した電荷像がこのターゲ
ット２上に形成される。このガラス外囲器１内には、タ
ーゲット２とは反対側（左側）端部には電子銃３が配置
されており、ターゲット２の電子銃３側の近傍におい
て、フィールドメッシュ６が配置されている。ガラス外
囲器１の周囲には電子銃３から発生し、ターゲット２の
方向に向かう電子ビームを偏向させるための偏向コイル
５と円環状鉄芯７1 に導体７2 を一様に、かつ、密接し
て巻いた環状ソレノイド７が、フィールドメッシュ６の
電子銃側に位置するように配置されている。
【００１１】これらターゲット２、電子銃３、電極４、
フィールドメッシュ６はコントロールユニット８に接続
されてそれぞれ電位が印加されている。すなわち、電子
銃３の電位を基準にすると、ターゲット２の電位はプラ
スの高電位となっており、フィールドメッシュ６もプラ
スの電位であるが、ターゲット２の電位よりは低いもの
となっている。また偏向コイル５にはこのコントロール
ユニット８によって偏向電流が与えられ、電子ビームの
走査がなされるようになっており、環状ソレノイド７に
はコントロールユニット８によって一定の直流電流が供
給されている。電子銃３から発生した電子ビームはター
ゲット２へ向かうが、その間に偏向コイル５によって偏
向され、ターゲット２の面を走査する。
フィールドメッシュ６はコントロールユニット８に接続
されてそれぞれ電位が印加されている。すなわち、電子
銃３の電位を基準にすると、ターゲット２の電位はプラ
スの高電位となっており、フィールドメッシュ６もプラ
スの電位であるが、ターゲット２の電位よりは低いもの
となっている。また偏向コイル５にはこのコントロール
ユニット８によって偏向電流が与えられ、電子ビームの
走査がなされるようになっており、環状ソレノイド７に
はコントロールユニット８によって一定の直流電流が供
給されている。電子銃３から発生した電子ビームはター
ゲット２へ向かうが、その間に偏向コイル５によって偏
向され、ターゲット２の面を走査する。
【００１２】環状ソレノイド７により同心円で周方向の
向きを持ち、しかも、中心からの距離に比例した磁場強
度の磁界が発生しているので、大きな角度で偏向された
電子ビームは磁場強度の強い環状ソレノイド７の近くを
通ることになるため強く曲げられ、小さな角度で偏向さ
れた電子ビームは環状ソレノイド７から遠い部分（中心
部分）の磁場強度の弱い所を通るので、曲げられる度合
いは小さい。その結果、すべての電子ビームはターゲッ
ト２に垂直な方向に向けられることになる。
向きを持ち、しかも、中心からの距離に比例した磁場強
度の磁界が発生しているので、大きな角度で偏向された
電子ビームは磁場強度の強い環状ソレノイド７の近くを
通ることになるため強く曲げられ、小さな角度で偏向さ
れた電子ビームは環状ソレノイド７から遠い部分（中心
部分）の磁場強度の弱い所を通るので、曲げられる度合
いは小さい。その結果、すべての電子ビームはターゲッ
ト２に垂直な方向に向けられることになる。
【００１３】これに加えてフィールドメッシュ６の作用
によって電子ビームのターゲット２への垂直ランディン
グが達成される。さらに、この垂直ランディングの精度
を向上させるため、環状ソレノイド７に流がす電流（通
電量）を、電子ビームの偏向角度、すなわち、ターゲッ
ト２への衝突位置に応じて変化させることが好ましい。
つまり、電子ビームのターゲット２への衝突位置が図１
のａ、ｂ、ｃ、…である場合に、その位置に応じて電子
ビームの軌道が異なるので、環状ソレノイド７からの距
離が異なり、環状ソレノイド７で形成される磁界による
電子ビームの曲げる作用の度合いが異なる。そこで、こ
の位置（軌道）に合わせて、電子ビームが最適軌道を通
り、垂直にターゲット２にランディングするように、環
状ソレノイド７の電流を変化させるのである。
によって電子ビームのターゲット２への垂直ランディン
グが達成される。さらに、この垂直ランディングの精度
を向上させるため、環状ソレノイド７に流がす電流（通
電量）を、電子ビームの偏向角度、すなわち、ターゲッ
ト２への衝突位置に応じて変化させることが好ましい。
つまり、電子ビームのターゲット２への衝突位置が図１
のａ、ｂ、ｃ、…である場合に、その位置に応じて電子
ビームの軌道が異なるので、環状ソレノイド７からの距
離が異なり、環状ソレノイド７で形成される磁界による
電子ビームの曲げる作用の度合いが異なる。そこで、こ
の位置（軌道）に合わせて、電子ビームが最適軌道を通
り、垂直にターゲット２にランディングするように、環
状ソレノイド７の電流を変化させるのである。
【００１４】電子ビームは上記のように走査されてお
り、その軌道は刻々変化している。そこで、その走査に
同期して（つまり水平・垂直同期信号に同期して）環状
ソレノイド７に流がす電流、つまり、通電量をコントロ
ールユニット８によってコントロールすれば、どの位置
にランディングする場合でも最適な軌道とすることがで
き、垂直度の精度が高まる。なお、上記の実施例では環
状ソレノイドを使用したが、３個等複数個に分割したト
ロイダルコイルを電子ビーム通路の周囲を囲むように配
置し、電子ビームの走査に同期して各トロイダルコイル
の通電量を個別に制御し、どの位置にランディングする
場合でも最適な軌道となる理想磁場が得られるようにし
てもよい。
り、その軌道は刻々変化している。そこで、その走査に
同期して（つまり水平・垂直同期信号に同期して）環状
ソレノイド７に流がす電流、つまり、通電量をコントロ
ールユニット８によってコントロールすれば、どの位置
にランディングする場合でも最適な軌道とすることがで
き、垂直度の精度が高まる。なお、上記の実施例では環
状ソレノイドを使用したが、３個等複数個に分割したト
ロイダルコイルを電子ビーム通路の周囲を囲むように配
置し、電子ビームの走査に同期して各トロイダルコイル
の通電量を個別に制御し、どの位置にランディングする
場合でも最適な軌道となる理想磁場が得られるようにし
てもよい。
【００１５】また、実施例では、ガラス外囲器の外側に
トロイダルコイルを配置したが、ガラス外囲器内に配置
してもよい。しかしながら、実施例のようにガラス外囲
器の外側にコイルを配置すれば、トロイダルコイルの通
電量の制御とともに、コイルの管軸方向の移動によって
も最適な軌道が得られるよう磁場を調整できる利点があ
る。
トロイダルコイルを配置したが、ガラス外囲器内に配置
してもよい。しかしながら、実施例のようにガラス外囲
器の外側にコイルを配置すれば、トロイダルコイルの通
電量の制御とともに、コイルの管軸方向の移動によって
も最適な軌道が得られるよう磁場を調整できる利点があ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上実施例について説明したように、こ
の発明のＸ線撮像管によれば、偏向角の大きな場合でも
電子ビームをターゲットに対して垂直にランディングさ
せることができ、とくに大口径のＸ線撮像管に効果的で
ある。
の発明のＸ線撮像管によれば、偏向角の大きな場合でも
電子ビームをターゲットに対して垂直にランディングさ
せることができ、とくに大口径のＸ線撮像管に効果的で
ある。
【図１】この発明の一実施例の模式的な断面図。
【図２】作用説明用の模式図。
【図３】従来例の模式的な断面図。
１…ガラス外囲器 ２…ターゲット ３…電子銃 ４…電極 ５…偏向コイル ６…フィールド
メッシュ ７…環状ソレノイド（トロイダルコイル） ８…コントロールユニット
メッシュ ７…環状ソレノイド（トロイダルコイル） ８…コントロールユニット
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線像に対応する電荷像が形成されるタ
ーゲットと、このターゲットに向けて電子ビームを発生
する電子銃と、電子ビームを偏向させて前記ターゲット
面を走査する偏向コイルと、前記ターゲットの電子ビー
ム入射側に接近して設けられたフィールドメッシュと、
このフィールドメッシュ近傍に電子ビーム通路の周囲を
囲むように配置されたトロイダルコイルとからなること
を特徴とするＸ線撮像管。 - 【請求項２】 トロイダルコイルは電子ビームの偏向角
度に応じて電流が変化させられることを特徴とする請求
項１記載のＸ線撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23860493A JPH0794129A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | Ｘ線撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23860493A JPH0794129A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | Ｘ線撮像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794129A true JPH0794129A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17032659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23860493A Pending JPH0794129A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | Ｘ線撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6726196B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-04-27 | Omron Corporation | Sheet post-processing device and image-forming device |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23860493A patent/JPH0794129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6726196B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-04-27 | Omron Corporation | Sheet post-processing device and image-forming device |
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