JPH0794114A - X-ray image pickup tube - Google Patents

X-ray image pickup tube

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Publication number
JPH0794114A
JPH0794114A JP23860293A JP23860293A JPH0794114A JP H0794114 A JPH0794114 A JP H0794114A JP 23860293 A JP23860293 A JP 23860293A JP 23860293 A JP23860293 A JP 23860293A JP H0794114 A JPH0794114 A JP H0794114A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
electron beam
curved
potential
field
Prior art date
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Pending
Application number
JP23860293A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahisa Nishikawa
隆久 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP23860293A priority Critical patent/JPH0794114A/en
Publication of JPH0794114A publication Critical patent/JPH0794114A/en
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  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make the collision angle of an electron beam perpendicular to the screen even in the case of a large diameter by forming a target for forming a charge pattern corresponding to a X-ray pattern into a curved face, protrusion- curved in the moving direction of the electron beam. CONSTITUTION:A target 2 is formed into a curved face, protrusion-curved to the moving direction of electron beam from an electron gun 3, and a field mesh 6 at plus-potential on the target 2 is provided near the electron beam entry side of the target 2. As a result, a deceleration field for the electron beam is created between both of them to reduce the speed and bend the path with potential distribution forming an equipotential surface. By properly setting the plus potential given to the mesh 6 and the curved shape of the target 2, the electron beam can be directed at right angles to the target 2 and landed perpendicularly.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、医療あるいは一般産
業の分野において、イメージインテンシファイアあるい
はX線ビジコン等の代わりに用いられる、X線撮像管に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray image pickup tube used in place of an image intensifier, an X-ray vidicon or the like in the field of medical treatment or general industry.

【0002】[0002]

【従来の技術】X線撮像管は、入射したX線像に対応し
た電荷像を光導電膜上に形成し、その電荷像を電子ビー
ムで走査することによりビデオ信号として取り出すもの
である。この場合、X線を蛍光面で受けて発光を生じさ
せ、その光を光導電膜に導く構成を取るものと、光導電
膜に直接X線を入射させて電荷像を形成するものとがあ
る。 このX線撮像管は、例えば、図3に示すように構
成されている。真空のガラス外囲器1中にターゲット
(光導電膜)2を配置してX線が入射するようにしてお
き、電子銃3と電極4とを設けて、この電子銃3からタ
ーゲット2に向けて電子ビームを発射し、偏向コイル5
で電子ビームを偏向させて走査する。なお、ターゲット
2を構成する光導電膜としては、一般にそれ内の高電界
でアバランシェ効果を引き起こし、電荷を指数関数的に
増加させるアモルファスセレン膜が用いられ、X線を光
に変換しターゲットに導く場合には、アモルファスセレ
ン膜のX線入射側にCsI等の蛍光膜が密着される。
2. Description of the Related Art An X-ray image pickup tube forms a charge image corresponding to an incident X-ray image on a photoconductive film and scans the charge image with an electron beam to extract it as a video signal. In this case, there are a structure in which X-rays are received by a fluorescent screen to generate light and the light is guided to a photoconductive film, and a structure in which X-rays are directly incident on the photoconductive film to form a charge image. . This X-ray image pickup tube is configured, for example, as shown in FIG. A target (photoconductive film) 2 is arranged in a vacuum glass envelope 1 so that X-rays are incident thereon, an electron gun 3 and an electrode 4 are provided, and the electron gun 3 is directed toward the target 2. To emit an electron beam, and the deflection coil 5
The electron beam is deflected to scan. As the photoconductive film forming the target 2, an amorphous selenium film that generally causes an avalanche effect in a high electric field therein and increases the charge exponentially is used, and X-rays are converted into light and guided to the target. In this case, a fluorescent film such as CsI is brought into close contact with the X-ray incident side of the amorphous selenium film.

【0003】このX線撮像管においては、ターゲット2
に対して電子ビームを垂直にランディングさせる必要が
ある。こうしないと電子の衝突により2次電子放出が多
くなり、撮像管としての機能が得られないからである。
そのための構成として、従来では、ターゲット2の前面
(電子ビームの入射側)にフィールドメッシュ6を配置
し、これに電子銃3に対してはプラスの高電位をかけ、
このフィールドメッシュ6を通過した電子がターゲット
2に対して垂直方向になるようなコリメーション作用を
行なわせるようにしている。コリメーションはフィール
ドメッシュの電子銃3側に、電子銃3側に向けて凹に湾
曲している等電位面により、それ内を通過する電子ビー
ムが、中心軸(電子銃3からターゲット2へ向かう中心
軸)方向に曲げられることでなされる。等電位面の湾曲
形状は、電極4とフィールドメッシュ6の電位差や形状
で定まる。
In this X-ray image pickup tube, the target 2
It is necessary to land the electron beam vertically with respect to. If this is not done, secondary electron emission will increase due to electron collisions, and the function as an image pickup tube will not be obtained.
As a configuration therefor, conventionally, a field mesh 6 is arranged on the front surface of the target 2 (on the side where the electron beam is incident), and a positive high potential is applied to the electron gun 3.
The collimation action is performed so that the electrons passing through the field mesh 6 are perpendicular to the target 2. The collimation is on the side of the electron gun 3 of the field mesh, and the equipotential surface that is concavely curved toward the side of the electron gun 3 causes the electron beam passing therethrough to have a central axis (center toward the target 2 from the electron gun 3). It is made by bending in the (axis) direction. The curved shape of the equipotential surface is determined by the potential difference and shape of the electrode 4 and the field mesh 6.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなフィールドメッシュ6ではコリメーション作用が不
十分であり、とくに大口径となったときに電子ビームは
大きな角度に偏向させられるため、その方向を中心軸に
平行な方向に戻してターゲット2へ垂直にランディング
させることができない、つまり電子ビームとフィールド
メッシュ6との角度θが90°にならない、という問題
がある。
However, such a field mesh 6 has an insufficient collimation action, and since the electron beam is deflected at a large angle especially when the diameter becomes large, the direction thereof is the central axis. There is a problem in that it cannot be returned to the direction parallel to and land vertically on the target 2, that is, the angle θ between the electron beam and the field mesh 6 does not become 90 °.

【0005】この発明は、上記に鑑み、大口径の場合で
もターゲットへの電子ビームの垂直ランディングを容易
に達成できるように改善した、X線撮像管を提供するこ
とを目的とする。
In view of the above, it is an object of the present invention to provide an X-ray image pickup tube improved so that vertical landing of an electron beam on a target can be easily achieved even with a large diameter.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明によるX線撮像管においては、X線像に対
応する電荷像が形成されるターゲットを電子銃よりの電
子ビームの進行方向に向けて凸に湾曲する曲面に形成す
るとともに、ターゲットに対してプラス電位のフィール
ドメッシュを、ターゲットの電子ビーム入射側に接近し
て設けたことが特徴となっている。
In order to achieve the above object, in an X-ray image pickup tube according to the present invention, a target on which a charge image corresponding to an X-ray image is formed is directed toward an electron beam from an electron gun. It is characterized in that it is formed into a curved surface that is convexly curved toward and the field mesh having a positive potential with respect to the target is provided close to the electron beam incident side of the target.

【0007】[0007]

【作用】フィールドメッシュは、ターゲットに対してプ
ラス電位にあるので、両者間は電子ビームに対して減速
場となり、且つ、両者間の等電位面はターゲットが電子
ビームの進行方向に向けて凸に湾曲しているので、図2
に示すように凸状となる。 そのため、電子銃から発生
した電子ビームが、フィールドメッシュとターゲット間
の減速場を通過する際に、減速されると共に等電位面を
形成する電位分布によりその軌道が曲げられる。
Since the field mesh has a positive potential with respect to the target, a deceleration field between the two becomes an electron beam deceleration field, and the equipotential surface between the two is convex so that the target is convex in the traveling direction of the electron beam. Because it is curved,
It becomes convex as shown in. Therefore, when the electron beam generated from the electron gun passes through the deceleration field between the field mesh and the target, it is decelerated and its orbit is bent by the potential distribution forming the equipotential surface.

【0008】等電位面は、図2に示すようにターゲット
の周辺程傾きが大きく、また、フィールドメッシュとタ
ーゲットの間隔が小さくなることから、等電位面も密に
なるので、大きな角度で偏向された電子ビームほど、等
電位面による曲げ作用が大きくなる。したがって、フィ
ールドメッシュに与えるプラス電位とターゲットの湾曲
形状を適宜設定することにより、電子ビーム軌道を理想
に近いものとすることができ、電子ビームをターゲット
に対して直角に向け、電子ビームをターゲットに垂直に
ランディングさせることができる。
As shown in FIG. 2, the equipotential surface has a large inclination toward the periphery of the target, and since the distance between the field mesh and the target is small, the equipotential surface also becomes dense, so that it is deflected at a large angle. The higher the electron beam, the greater the bending action due to the equipotential surface. Therefore, by appropriately setting the positive potential applied to the field mesh and the curved shape of the target, it is possible to make the electron beam trajectory close to ideal, direct the electron beam at a right angle to the target, and direct the electron beam to the target. Can be landed vertically.

【0009】[0009]

【実施例】以下、この発明の好ましい一実施例について
図面を参照しながら詳細に説明する。図1において、ガ
ラス外囲器1は真空に保たれ、その中にターゲット(光
導電膜)2が配置される。この図の右方向からX線が入
射し、その入射X線画像に対応した電荷像がこのターゲ
ット2上に形成される。このガラス外囲器1内には、タ
ーゲット2とは反対側(左側)端部には電子銃3が配置
される。ガラス外囲器1の周囲には電子銃3から発生
し、ターゲット2の方向に向かう電子ビームを偏向させ
るための偏向コイル5が配置される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. In FIG. 1, a glass envelope 1 is kept in a vacuum, and a target (photoconductive film) 2 is placed therein. X-rays are incident from the right side of the figure, and a charge image corresponding to the incident X-ray image is formed on the target 2. In this glass envelope 1, an electron gun 3 is arranged at the end portion (on the left side) opposite to the target 2. A deflection coil 5 for deflecting an electron beam generated from the electron gun 3 and directed toward the target 2 is arranged around the glass envelope 1.

【0010】このガラス外囲器1中に、ターゲット2の
電子銃3側の近傍において、フィールドメッシュ6が配
置され、ターゲット2は、電子銃3から発生される電子
ビームの進行方向側に向けて凸に湾曲している曲面に形
成されている。これらターゲット2、電子銃3、電極
4、フィールドメッシュ6には、それぞれ電位が印加さ
れている。すなわち、ターゲット2の電位を基準にする
と、電子銃3の電位はマイナスの高電位となっており、
フィールドメッシュ6はターゲット2に対してプラスの
電位となっている。また偏向コイル5には偏向電流が与
えられ、電子ビームの走査がなされるようになってい
る。
A field mesh 6 is arranged in the glass envelope 1 near the electron gun 3 side of the target 2, and the target 2 is directed toward the traveling direction side of the electron beam generated from the electron gun 3. It is formed into a curved surface that is convexly curved. A potential is applied to each of the target 2, the electron gun 3, the electrode 4, and the field mesh 6. That is, when the potential of the target 2 is used as a reference, the potential of the electron gun 3 is a negative high potential,
The field mesh 6 has a positive potential with respect to the target 2. Further, a deflection current is applied to the deflection coil 5 to scan the electron beam.

【0011】電子銃3から発生した電子ビームはターゲ
ット2へ向かうが、その間に偏向コイル5によって偏向
され、ターゲット2の面を走査する。電子銃3からター
ゲット2までの間の空間には電極4、フィールドメッシ
ュ6、ターゲット2等による電位分布が形成されてい
る。電子ビームの軌道はこの電位分布の形状に応じて変
えられる。このターゲット2へ到達するまでの空間の、
ターゲット2に近いフィールドメッシュ6はターゲット
2に対してプラス電位にあるので、両者の空間領域は電
子ビームに対して減速場となり、この減速場領域の電位
分布はフィールドメッシュ6のプラス電位、すなわち、
ターゲット2とフィールドメッシュ6の電位差とターゲ
ット2の曲面形状で決まる。ターゲット2が電子銃3か
ら発生される電子ビームの進行側に向けて凸に湾曲して
いる曲面に形成されているので、等電位面がこの曲面に
沿ったものに強制的に定められる。
The electron beam generated from the electron gun 3 travels to the target 2 and is deflected by the deflection coil 5 during that time to scan the surface of the target 2. In the space between the electron gun 3 and the target 2, a potential distribution is formed by the electrode 4, the field mesh 6, the target 2 and the like. The trajectory of the electron beam can be changed according to the shape of this potential distribution. Of the space to reach this target 2,
Since the field mesh 6 close to the target 2 has a positive potential with respect to the target 2, both spatial regions serve as a deceleration field for the electron beam, and the potential distribution in this deceleration field region is the positive potential of the field mesh 6, that is,
It is determined by the potential difference between the target 2 and the field mesh 6 and the curved surface shape of the target 2. Since the target 2 is formed in a curved surface that is convexly curved toward the traveling side of the electron beam generated from the electron gun 3, the equipotential surface is forcibly defined along this curved surface.

【0012】そして、減速域の等電位面がターゲット2
と同様に電子銃3から発生される電子ビームの進行側に
向けて凸に湾曲している曲面状となることにより、これ
を通過する電子ビームが、中心軸(電子銃3からターゲ
ット2へ向かう中心軸)方向に曲げられ、等電位面の電
位傾度もターゲット2の周辺ほど大きく、且つ、等電位
面の密度も大きいので、大きな角度で偏向された電子ビ
ームほど大きく中心軸方向に曲げられる。さらに、フィ
ールドメッシュ6によって作用させられるので、電子ビ
ームはターゲット2に垂直にランディングする。なお、
フィールドメッシュ6のターゲット2に対するプラス電
位とターゲット2の曲面形状で、両者空間の減速場の電
位分布を強制的に定めることにより電子ビームの軌道を
修正して垂直ランディングを達成するものであるから、
その位置、形状、電位を適切に定める必要がある。
The equipotential surface in the deceleration area is the target 2
In the same manner as described above, the electron beam generated from the electron gun 3 has a curved surface that is convexly curved toward the traveling side, so that the electron beam passing therethrough has a central axis (from the electron gun 3 toward the target 2). Since the potential gradient of the equipotential surface is larger in the vicinity of the target 2 and the density of the equipotential surface is larger, the electron beam deflected at a larger angle is bent in the central axis direction. Furthermore, since it is made to act by the field mesh 6, the electron beam lands vertically on the target 2. In addition,
Since the plus potential of the field mesh 6 with respect to the target 2 and the curved surface shape of the target 2 forcefully determine the potential distribution of the deceleration field in both spaces, the trajectory of the electron beam is corrected to achieve vertical landing.
It is necessary to properly determine the position, shape, and electric potential.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上実施例について説明したように、こ
の発明のX線撮像管によれば、偏向角の大きな場合でも
電子ビームをターゲットに対して垂直にランディングさ
せることができ、とくに大口径のX線撮像管に効果的で
ある。
As described in the above embodiments, according to the X-ray image pickup tube of the present invention, the electron beam can be landed perpendicularly to the target even when the deflection angle is large, and particularly in the case of a large aperture. It is effective for X-ray imaging tubes.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例の模式的な断面図。FIG. 1 is a schematic sectional view of an embodiment of the present invention.

【図2】作用説明用の模式図。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the operation.

【図3】従来例の模式的な断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ガラス外囲器 2…ターゲット 3…電子銃 4…電極 5…偏向コイル 6…フィールド
メッシュ
1 ... Glass envelope 2 ... Target 3 ... Electron gun 4 ... Electrode 5 ... Deflection coil 6 ... Field mesh

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 X線像に対応する電荷像が形成されるタ
ーゲットと、このターゲットに向けて電子ビームを発生
する電子銃と、電子ビームを偏向させて前記ターゲット
面を走査する偏向コイルと、前記ターゲットの電子ビー
ム入射側に接近して設けられたターゲットに対してプラ
ス電位のフィールドメッシュとよりなり、前記ターゲッ
トを電子ビームの進行方向側に向けて凸に湾曲する曲面
に形成したことを特徴とするX線撮像管。
1. A target on which a charge image corresponding to an X-ray image is formed, an electron gun for generating an electron beam toward the target, and a deflection coil for deflecting the electron beam to scan the target surface. The target is formed of a field mesh having a positive potential with respect to the target provided close to the electron beam incident side of the target, and the target is formed in a curved surface that is convexly curved toward the electron beam traveling direction side. X-ray image pickup tube.
JP23860293A 1993-09-27 1993-09-27 X-ray image pickup tube Pending JPH0794114A (en)

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JP23860293A JPH0794114A (en) 1993-09-27 1993-09-27 X-ray image pickup tube

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JP23860293A JPH0794114A (en) 1993-09-27 1993-09-27 X-ray image pickup tube

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