JPH0787347B2 - Monostable multi vibrator - Google Patents

Monostable multi vibrator

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JPH0787347B2
JPH0787347B2 JP61036618A JP3661886A JPH0787347B2 JP H0787347 B2 JPH0787347 B2 JP H0787347B2 JP 61036618 A JP61036618 A JP 61036618A JP 3661886 A JP3661886 A JP 3661886A JP H0787347 B2 JPH0787347 B2 JP H0787347B2
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transistor
voltage
emitter
transistors
emitter follower
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法男 小路
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Sony Corp
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、入力信号の立上がり及び立下がりでトリガ
ーされるモノステーブルマルチバイブレータに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a monostable multivibrator triggered by rising and falling of an input signal.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

この発明は、入力信号の立上がり及び立下がりでトリガ
ーされるモノステーブルマルチバイブレータにおいて、
入力信号が供給される差動回路の一対の出力端子にエミ
ッタフォロワトランジスタを接続し、このエミッタフォ
ロワトランジスタの夫々に接続する電流源の値を外付け
抵抗により設定し、このエミッタフォロワトランジスタ
のエミッタ間にコンデンサを接続し、このコンデンサの
両端電圧を利用して出力信号を形成することにより、素
子を削減し、良好な温度特性を得られるようにしたもの
である。
This invention is a monostable multivibrator triggered by rising and falling of an input signal,
An emitter follower transistor is connected to a pair of output terminals of the differential circuit to which the input signal is supplied, and the value of the current source connected to each of the emitter follower transistors is set by an external resistor. A capacitor is connected to the capacitor, and an output signal is formed by using the voltage across the capacitor to reduce the number of elements and obtain good temperature characteristics.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

入力パルス信号の立上がり及び立下がりでトリガーされ
るバイ−ディレクショナルモノステーブルマルチバイブ
レータ(以下バイ−ディレクショナルモノマルチと略称
する)は、従来、第6図に示すように構成されていた。
A bi-directional monostable multivibrator (hereinafter abbreviated as bi-directional monostable multi-vibrator) triggered by rising and falling of an input pulse signal has conventionally been configured as shown in FIG.

第6図において、入力端子101から微分回路102に入力信
号が供給され、この入力信号の立上がり及び立下がりで
微分回路102から微分パルスが出力される。この微分パ
ルスがモノマルチ103に供給され、この微分パルスによ
りモノマルチ103がトリガーされる。モノマルチ103の出
力が出力端子104から取り出される。
In FIG. 6, an input signal is supplied to the differentiating circuit 102 from the input terminal 101, and a differentiating pulse is output from the differentiating circuit 102 at the rising and falling edges of this input signal. This differential pulse is supplied to the monomulti 103, and the monomulti 103 is triggered by this differential pulse. The output of the monomulti 103 is taken out from the output terminal 104.

入力端子101に第7図Aに示す入力信号が供給される
と、この入力信号の立上がり及び立下がりで微分回路10
2から第7図Bに示すような微分パルスが出力される。
モノマルチ103がこの微分パルスによりトリガーされ、
第9図Cに示すように、所定のパルス幅τ50の出力が出
力端子104から出力される。
When the input signal shown in FIG. 7A is supplied to the input terminal 101, the differentiating circuit 10 rises and falls at the input signal.
The differential pulse is output from 2 as shown in FIG. 7B.
Mono Multi 103 is triggered by this differential pulse,
As shown in FIG. 9C, an output having a predetermined pulse width τ 50 is output from the output terminal 104.

微分回路102は、第8図に示すように構成される。第8
図において、EX−ORゲート105の一方の入力端子には、
入力端子106からの入力信号が供給され、EX−ORゲート1
05の他方の入力端子には、入力端子106から遅延回路107
を介して微少な遅延時間τ60だけ遅延された入力信号が
供給される。EX−ORゲート105の出力が出力端子108から
出力される。
The differentiating circuit 102 is configured as shown in FIG. 8th
In the figure, one input terminal of the EX-OR gate 105 is
The input signal from the input terminal 106 is supplied, and the EX-OR gate 1
The other input terminal of 05 is connected to the delay circuit 107 from the input terminal 106.
An input signal delayed by a minute delay time τ 60 is supplied via the. The output of the EX-OR gate 105 is output from the output terminal 108.

入力端子106に第9図Aに示す入力信号が供給される
と、EX−ORゲート106の一方の入力端子にはこの第9図
Aに示す入力信号が供給され、EX−ORゲート106の他方
の入力端子には、第9図Bに示すように、この入力信号
がτ60だけ遅れて供給される。したがって、第9図Cに
示すように、パルス幅τ60の微分パルスが出力端子108
から出力される。
When the input signal shown in FIG. 9A is supplied to the input terminal 106, the input signal shown in FIG. 9A is supplied to one input terminal of the EX-OR gate 106, and the other of the EX-OR gate 106 is supplied. As shown in FIG. 9B, this input signal is supplied to the input terminal of with a delay of τ 60 . Therefore, as shown in FIG. 9C, the differential pulse having the pulse width τ 60 is output terminal 108.
Is output from.

上述の微分回路102を、差動回路を基本とするECLで実現
すると第10図に示すような構成となる。
When the above-mentioned differentiating circuit 102 is realized by ECL based on a differential circuit, a configuration as shown in FIG. 10 is obtained.

第10図において、111及び112がトランジスタを示し、ト
ランジスタ111及び112の互いのエミッタが共通接続さ
れ、この接続点が電流源113の一端に接続される。電流
源113の他端が接地端子114に接続される。トランジスタ
111のベースが入力端子115に接続される。トランジスタ
112のベースが入力端子116に接続される。
In FIG. 10, 111 and 112 denote transistors, the emitters of the transistors 111 and 112 are commonly connected, and this connection point is connected to one end of the current source 113. The other end of the current source 113 is connected to the ground terminal 114. Transistor
The base of 111 is connected to the input terminal 115. Transistor
The base of 112 is connected to the input terminal 116.

トランジスタ111のコレクタが抵抗117を介して直流電圧
Vccの直流電源端子119に接続される。トランジスタ112
のコレクタが抵抗118を介して電源端子119に接続され
る。トランジスタ111のコレクタとトランジスタ112のコ
レクタとの間にコンデンサ120が接続される。
The collector of the transistor 111 receives a DC voltage via the resistor 117.
Connected to Vcc DC power supply terminal 119. Transistor 112
Is connected to the power supply terminal 119 via the resistor 118. The capacitor 120 is connected between the collector of the transistor 111 and the collector of the transistor 112.

トランジスタ121及び122の互いのエミッタが共通接続さ
れ、この接続点が電流源123の一端に接続される。電流
源123の他単が接地端子114に接続される。トランジスタ
121のベースが入力端子115に接続される。トランジスタ
122のベースが入力端子116に接続される。
The emitters of the transistors 121 and 122 are commonly connected, and this connection point is connected to one end of the current source 123. The other unit of the current source 123 is connected to the ground terminal 114. Transistor
The base of 121 is connected to the input terminal 115. Transistor
The base of 122 is connected to the input terminal 116.

トランジスタ121のコレクタがトランジスタ124及びトラ
ンジスタ125のエミッタに接続される。トランジスタ122
のコレクタがトランジスタ126及びトランジスタ127のエ
ミッタに接続される。トランジスタ124及びトランジス
タ127のベースが互いに共通接続され、この接続点がト
ランジスタ112のコレクタに接続される。トランジスタ1
25及びトランジスタ126のベースが互いに共通接続さ
れ、この接続点がトランジスタ111のコレクタに接続さ
れる。
The collector of the transistor 121 is connected to the emitters of the transistor 124 and the transistor 125. Transistor 122
Is connected to the emitters of the transistors 126 and 127. The bases of the transistor 124 and the transistor 127 are commonly connected to each other, and this connection point is connected to the collector of the transistor 112. Transistor 1
25 and the base of the transistor 126 are commonly connected to each other, and this connection point is connected to the collector of the transistor 111.

トランジスタ124のコレクタ及びトランジスタ126のコレ
クタ互いに共通接続され、この接続点が抵抗128を介し
て電源端子119に接続される。トランジスタ125のコレク
タ及びトランジスタ127のコレクタが共通接続され、こ
の接続点が抵抗129を介して電源端子119に接続されると
共に、トランジスタ130のベースに接続される。
The collector of the transistor 124 and the collector of the transistor 126 are commonly connected to each other, and this connection point is connected to the power supply terminal 119 via the resistor 128. The collector of the transistor 125 and the collector of the transistor 127 are commonly connected, and this connection point is connected to the power supply terminal 119 via the resistor 129 and the base of the transistor 130.

トランジスタ130のコレクタが電源端子119に接続され
る。トランジスタ130のエミッタが電流源131の一端に接
続されると共に、出力端子132に接続される。電流源131
の他端が接地端子114に接続される。
The collector of the transistor 130 is connected to the power supply terminal 119. The emitter of the transistor 130 is connected to one end of the current source 131 and the output terminal 132. Current source 131
The other end of is connected to the ground terminal 114.

トランジスタ111及び112からなる差動回路と、コンデン
サ120により遅延回路が構成される。即ち、例えば入力
端子115に供給される入力信号がローレベルからハイレ
ベルに変化し、入力端子116に供給される入力端子がハ
イレベルからローレベルに変化する時、直ちにトランジ
スタ111がオンし、トランジスタ112がオフするが、トラ
ンジスタ112のコレクタ電圧は、抵抗118を介して流れる
電流によりコンデンサ120を充電することにより、徐々
に上昇していく。したがって、入力端子115及び116に供
給される入力信号の変化に対して、トランジスタ111及
びトランジスタ112のコレクタから出力される出力電圧
が所定のレベルまで達する時間は、コンデンサ120の時
定数に関連して遅れる。
A delay circuit is configured by the differential circuit including the transistors 111 and 112 and the capacitor 120. That is, for example, when the input signal supplied to the input terminal 115 changes from a low level to a high level and the input terminal supplied to the input terminal 116 changes from a high level to a low level, the transistor 111 immediately turns on and the transistor Although 112 is turned off, the collector voltage of the transistor 112 gradually rises by charging the capacitor 120 with the current flowing through the resistor 118. Therefore, the time required for the output voltage output from the collectors of the transistors 111 and 112 to reach a predetermined level with respect to changes in the input signals supplied to the input terminals 115 and 116 is related to the time constant of the capacitor 120. Be late.

トランジスタ124及び125からなる差動回路と、トランジ
スタ126及び127からなる差動回路と、これらの差動回路
に接続されたトランジスタ121及び122からなる差動回路
とにより、二重平衡接続のEX−ORゲートが構成されてい
る。
The differential circuit composed of the transistors 124 and 125, the differential circuit composed of the transistors 126 and 127, and the differential circuit composed of the transistors 121 and 122 connected to these differential circuits form a double balanced connection EX- The OR gate is configured.

つまり、トランジスタ121のベースにハイレベルが供給
され、トランジスタ122のベースにローレベルが供給さ
れると、トランジスタ121がオンし、トランジスタ122が
オフする。この時、トランジスタ125及び126のベースに
ハイレベルが供給され、トランジスタ124及び127のベー
スにはローレベルが供給されると、トランジスタ125が
オンし、トランジスタ124がオフする。このため、トラ
ンジスタ125及び127のコレクタの接続点がローレベルに
なり、トランジスタ124及び126のコレクタの接続点がハ
イレベルになる。
That is, when a high level is supplied to the base of the transistor 121 and a low level is supplied to the base of the transistor 122, the transistor 121 is turned on and the transistor 122 is turned off. At this time, when a high level is supplied to the bases of the transistors 125 and 126 and a low level is supplied to the bases of the transistors 124 and 127, the transistor 125 is turned on and the transistor 124 is turned off. Therefore, the connection point of the collectors of the transistors 125 and 127 becomes low level, and the connection point of the collectors of the transistors 124 and 126 becomes high level.

トランジスタ121がオンし、トランジスタ122がオフして
いる時、トランジスタ124及び127のベースにハイレベル
が供給され、トランジスタ125及び126のベースにローレ
ベルが供給されると、トランジスタ124がオンし、トラ
ンジスタ125がオフする。このため、トランジスタ124及
び126のコレクタの接続点がローレベルになり、トラン
ジスタ125及び127のコレクタの接続点がハイレベルにな
る。
When the transistor 121 is on and the transistor 122 is off, a high level is supplied to the bases of the transistors 124 and 127, and a low level is supplied to the bases of the transistors 125 and 126. 125 turns off. Therefore, the connection point of the collectors of the transistors 124 and 126 becomes low level, and the connection point of the collectors of the transistors 125 and 127 becomes high level.

トランジスタ122のベースにハイレベルが供給され、ト
ランジスタ121のベースにローレベルが供給されると、
トランジスタ122がオンし、トランジスタ121がオフす
る。この時、トランジスタ125及び126のベースにハイレ
ベルが供給され、トランジスタ124及び127のベースにロ
ーレベルが供給されると、トランジスタ126がオンし、
トランジスタ127がオフする。このため、トランジスタ1
24及び126のコレクタの接続点がローレベルになり、ト
ランジスタ125及び127のコレクタの接続点がハイレベル
になる。
When a high level is supplied to the base of the transistor 122 and a low level is supplied to the base of the transistor 121,
The transistor 122 is turned on and the transistor 121 is turned off. At this time, when a high level is supplied to the bases of the transistors 125 and 126 and a low level is supplied to the bases of the transistors 124 and 127, the transistor 126 is turned on,
The transistor 127 is turned off. Therefore, transistor 1
The connection point of the collectors of 24 and 126 goes low, and the connection point of the collectors of transistors 125 and 127 goes high.

トランジスタ122がオンし、トランジスタ121がオフして
いる時、トランジスタ124及び127のベースにハイレベル
が供給され、トランジスタ125及び126のベースにローレ
ベルが供給されると、トランジスタ127がオンし、トラ
ンジスタ126がオフする。このため、トランジスタ125及
び127のコレクタの接続点がローレベルになり、トラン
ジスタ124及び126のコレクタの接続点がハイレベルにな
る。
When the transistor 122 is on and the transistor 121 is off, a high level is supplied to the bases of the transistors 124 and 127, and when a low level is supplied to the bases of the transistors 125 and 126, the transistor 127 is turned on and the transistor 126 turns off. Therefore, the connection point of the collectors of the transistors 125 and 127 becomes low level, and the connection point of the collectors of the transistors 124 and 126 becomes high level.

トランジスタ121及び122のベースには、入力端子115及
び116から入力信号が供給される。トランジスタ124及び
127のベースの接続点とトランジスタ125及び126のベー
スの接続点には、トランジスタ111及びトランジスタ112
のコレクタの出力が夫々供給される。トランジスタ111
及び112のコレクタの出力は、前述したように、コンデ
ンサ120の充放電により徐々に変化する。このため、入
力端子115及び116に第9図Aに示す入力信号及びその反
転入力信号を供給すると、第9図Cに示す出力信号が出
力端子132から取り出される。
Input signals are supplied to the bases of the transistors 121 and 122 from the input terminals 115 and 116. Transistor 124 and
The connection point of the base of 127 and the connection point of the bases of the transistors 125 and 126 are the transistor 111 and the transistor 112.
The outputs of the collectors of are respectively supplied. Transistor 111
The outputs of the collectors of 112 and 112 gradually change as the capacitor 120 is charged and discharged, as described above. Therefore, when the input signal shown in FIG. 9A and its inverted input signal are supplied to the input terminals 115 and 116, the output signal shown in FIG. 9C is taken out from the output terminal 132.

この出力端子132をモノマルチのトリガー入力端子に接
続すれば、これにより、バイ−ディレクショナルモノマ
ルチが構成される。
By connecting the output terminal 132 to the trigger input terminal of the mono-multi, a bi-directional mono-multi is constructed.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

バイ−ディレクショナルモノマルチを実現するために、
入力信号の微分パルスを形成する微分回路をECLで構成
すると、第10図に示すように、非常に多くの素子が必要
となる。したがって、この微分回路にモノマルチを接続
してなるバイ−ディレクショナルモノマルチは、回路規
模が非常に大きくなるという問題がある。
In order to realize bi-directional mono-multi,
If the differentiating circuit that forms the differential pulse of the input signal is composed of ECL, a very large number of elements are required as shown in FIG. Therefore, there is a problem that the circuit scale of the bi-directional mono-multi which is formed by connecting the mono-multi to the differentiating circuit becomes very large.

この第10図に示す回路で、コンデンサ120の時定数を適
当に設定すれば、入力端子115及び116に供給される入力
信号の立上がり及び立下がりで、出力端子132から所定
幅のパルスが出力される。このようにして、バイ−ディ
レクショナルモノマルチを構成することも考えられる。
In the circuit shown in FIG. 10, if the time constant of the capacitor 120 is appropriately set, a pulse having a predetermined width is output from the output terminal 132 at the rising and falling edges of the input signals supplied to the input terminals 115 and 116. It In this way, it is conceivable to construct a bi-directional mono-multi.

しかしながら、コンデンサ120の充電電流は、抵抗117又
は抵抗118を介して流れる。集積回路内では、抵抗値は
ばらつきが大きく、良好な温度特性が得られない。この
ため、コンデンサ120の時定数を変化させてバイ−ディ
レクショナルモノマルチを構成しても、良好な特性は得
られない。
However, the charging current of the capacitor 120 flows through the resistor 117 or the resistor 118. Within the integrated circuit, the resistance value varies widely, and good temperature characteristics cannot be obtained. Therefore, even if the time constant of the capacitor 120 is changed to form the bi-directional mono-multi, good characteristics cannot be obtained.

したがって、この発明の目的は、特に集積回路化して好
適な、素子数が少なく、温度特性が良好な、入力信号の
立上がり及び立下がりでトリガーされる構成のモノステ
ーブルマルチバイブレータを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a monostable multivibrator, which is suitable for integration into an integrated circuit, has a small number of elements, and has a good temperature characteristic and which is triggered by rising and falling of an input signal. .

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明は、入力信号が供給される差動回路の一対の出
力端子をエミッタフォロワトランジスタに夫々接続し、
エミッタフォロワトランジスタのエミッタ間にコンデン
サを接続し、エミッタフォロワトランジスタの夫々のエ
ミッタに同一の電流値を有する電流源を接続し、電流源
の電流値を外付けの抵抗で設定し、コンデンサの両端の
電圧を利用して入力パルスの立上がり及び立下がりエッ
ジからコンデンサと外付け抵抗とで定まる所定のパルス
幅の出力信号を形成するようにしたモノステーブルマル
チバイブレータである。
The present invention connects a pair of output terminals of a differential circuit to which an input signal is supplied to an emitter follower transistor,
Connect a capacitor between the emitters of the emitter-follower transistor, connect a current source with the same current value to each emitter of the emitter-follower transistor, set the current value of the current source with an external resistor, and connect both ends of the capacitor. It is a monostable multivibrator that utilizes a voltage to form an output signal having a predetermined pulse width determined by a capacitor and an external resistor from the rising and falling edges of an input pulse.

〔作用〕[Action]

入力信号が供給される差動回路の出力端子の夫々にエミ
ッタフォロワトランジスタが接続され、このエミッタフ
ォロワトランジスタのエミッタ間にコンデンサが接続さ
れる。このコンデンサの端子電圧により、入力信号が変
化した時、一方のエミッタフォロワトランジスタがオフ
し、一方のエミッタフォロワトランジスタのエミッタ電
圧が他方のエミッタフォロワトランジスタのエミッタ電
圧よりこのコデンサの端子電圧分高い電圧に引き上げら
れる。このコンデンサに蓄えられていた電荷が徐々に放
電され、一方のエミッタフォロワトランジスタのエミッ
タ電圧が所定のレベルまで下降する時間により、出力さ
れるパルスのパルス幅が決定される。
An emitter follower transistor is connected to each of the output terminals of the differential circuit to which the input signal is supplied, and a capacitor is connected between the emitters of the emitter follower transistor. When the input signal changes due to the terminal voltage of this capacitor, one emitter follower transistor turns off, and the emitter voltage of one emitter follower transistor becomes higher than the emitter voltage of the other emitter follower transistor by a voltage equal to the terminal voltage of this capacitor. Be lifted. The pulse width of the output pulse is determined by the time when the electric charge stored in the capacitor is gradually discharged and the emitter voltage of one emitter follower transistor falls to a predetermined level.

〔実施例〕〔Example〕

この発明の実施例について以下の順序に従って説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described in the following order.

a.一実施例の構成 b.一実施例の動作説明 c.他の実施例の構成 d.他の実施例の動作説明 a.一実施例の構成 第1図はこの発明の一実施例を示すものである。第1図
において、1及び2がトランジスタを示し、トランジス
タ1及び2の互いのエミッタが共通接続され、この接続
点が定電流源として動作するトランジスタ3のコレクタ
に接続される。トランジスタ3のベースが基準電圧Vrの
電源端子4に接続される。トランジスタ3のエミッタが
抵抗5を介して接続端子6に接続される。
Structure of one embodiment b. Description of operation of one embodiment c. Structure of another embodiment d. Description of operation of another embodiment a. Structure of one embodiment FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. It is shown. In FIG. 1, reference numerals 1 and 2 denote transistors, the emitters of the transistors 1 and 2 are commonly connected, and the connection point is connected to the collector of the transistor 3 that operates as a constant current source. The base of the transistor 3 is connected to the power supply terminal 4 of the reference voltage Vr. The emitter of the transistor 3 is connected to the connection terminal 6 via the resistor 5.

トランジスタ1のベースが入力端子7に接続される。ト
ランジスタ2のベースが入力端子8に接続される。トラ
ンジスタ1のコレクタが抵抗9を介して直流電圧Vccの
電源端子11に接続されると共に、エミッタフォロワトラ
ンジスタ12のベースに接続される。トランジスタ2のコ
レクタが抵抗10を介して電源端子11に接続されると共
に、エミッタフォロワトランジスタ13のベースに接続さ
れる。抵抗9及び10の抵抗値は等しい値に設定されてい
る。
The base of the transistor 1 is connected to the input terminal 7. The base of the transistor 2 is connected to the input terminal 8. The collector of the transistor 1 is connected to the power supply terminal 11 of the DC voltage Vcc through the resistor 9 and the base of the emitter follower transistor 12. The collector of the transistor 2 is connected to the power supply terminal 11 via the resistor 10 and the base of the emitter follower transistor 13. The resistance values of the resistors 9 and 10 are set to the same value.

エミッタフォロワトランジスタ12のコレクタが電源端子
11に接続される。エミッタフォロワトランジスタ12のエ
ミッタが定電流源として動作するトランジスタ14のコレ
クタに接続される。エミッタフォロワトランジスタ13の
コレクタが電源端子11に接続される。エミッタフォロワ
トランジスタ13のエミッタが定電流源として動作するト
ランジスタ15のコレクタに接続される。エミッタフォロ
ワトランジスタ12及び13の互いのエミッタ間にコンデン
サ16が接続される。
The collector of the emitter follower transistor 12 is the power supply terminal
Connected to 11. The emitter of the emitter follower transistor 12 is connected to the collector of the transistor 14 which operates as a constant current source. The collector of the emitter follower transistor 13 is connected to the power supply terminal 11. The emitter of the emitter follower transistor 13 is connected to the collector of the transistor 15 which operates as a constant current source. A capacitor 16 is connected between the emitters of the emitter follower transistors 12 and 13.

トランジスタ14のベース及びトランジスタ15のベースが
電源端子4に接続される。トランジスタ14のエミッタ及
びトランジスタ15のエミッタが抵抗取付端子17に接続さ
れる。抵抗取付端子17に外部抵抗18が外付けされる。
The base of the transistor 14 and the base of the transistor 15 are connected to the power supply terminal 4. The emitter of the transistor 14 and the emitter of the transistor 15 are connected to the resistance mounting terminal 17. An external resistor 18 is externally attached to the resistor mounting terminal 17.

トランジスタ21及び22の互いのエミッタが共通接続さ
れ、この接続点が定電流源として動作するトランジスタ
23のコレクタに接続される。トランジスタ23のベースが
電源端子4に接続される。トランジスタ23のエミッタが
抵抗24を介して接地端子6に接続される。
Transistors in which the emitters of the transistors 21 and 22 are commonly connected and the connection point operates as a constant current source
Connected to 23 collectors. The base of the transistor 23 is connected to the power supply terminal 4. The emitter of the transistor 23 is connected to the ground terminal 6 via the resistor 24.

トランジスタ21のコレクタがトランジスタ25及び26のエ
ミッタに接続され、トランジスタ22のコレクタがトラン
ジスタ27及び28のエミッタに接続される。トランジスタ
25のベースとトランジスタ28のベースが共通接続され、
この接続点がエミッタフォロワトランジスタ12のベース
に接続される。トランジスタ26のベースとトランジスタ
27のベースが共通接続され、この接続点がエミッタフォ
ロワトランジスタ13のベースに接続される。
The collector of transistor 21 is connected to the emitters of transistors 25 and 26, and the collector of transistor 22 is connected to the emitters of transistors 27 and 28. Transistor
The base of 25 and the base of the transistor 28 are commonly connected,
This connection point is connected to the base of the emitter follower transistor 12. Base of transistor 26 and transistor
The bases of 27 are commonly connected, and this connection point is connected to the base of the emitter follower transistor 13.

トランジスタ25のコレクタ及びトランジスタ27のコレク
タが共通接続され、この接続点が抵抗29を介して電源端
子11に接続されると共に、この接続点から出力端子31が
導出される。トランジスタ26のコレクタ及びトランジス
タ28のコレクタが共通接続され、この接続点が抵抗30を
介して電源端子11に接続されると共に、この接続点から
出力端子32が導出される。
The collector of the transistor 25 and the collector of the transistor 27 are commonly connected, this connection point is connected to the power supply terminal 11 via the resistor 29, and the output terminal 31 is derived from this connection point. The collector of the transistor 26 and the collector of the transistor 28 are commonly connected, this connection point is connected to the power supply terminal 11 via the resistor 30, and the output terminal 32 is derived from this connection point.

b.一実施例の動作説明 この一実施例の動作について説明する。b. Description of Operation of One Embodiment The operation of this one embodiment will be described.

トランジスタ1及び2からなる差動回路の出力は、エミ
ッタフォロワトランジスタ12及び13に夫々供給される。
エミッタフォロワトランジスタ12及び13の互いのエミッ
タ間にはコンデンサ16が接続されていて、これらトラン
ジスタ1及び2,エミッタフォロワトランジスタ12及び1,
コンデンサ16により遅延回路が構成されている。
The output of the differential circuit composed of the transistors 1 and 2 is supplied to the emitter follower transistors 12 and 13, respectively.
A capacitor 16 is connected between the emitters of the emitter follower transistors 12 and 13, and these transistors 1 and 2 and the emitter follower transistors 12 and 1,
The capacitor 16 constitutes a delay circuit.

トランジスタ25及び26から構成される差動回路と、トラ
ンジスタ27及び28から構成される差動回路と、これらの
差動回路に接続されたトランジスタ21及び22からなる差
動回路とにより、二重平衡接続のEX−ORゲートが構成さ
れている。
Double balanced by a differential circuit composed of transistors 25 and 26, a differential circuit composed of transistors 27 and 28, and a differential circuit composed of transistors 21 and 22 connected to these differential circuits. The connected EX-OR gate is configured.

第2図において、時刻t01に達する前では、入力端子7
にハイレベルが供給され、入力端子8にローレベルが供
給されている。このため、第2図Aに示すように、トラ
ンジスタ1のベース電圧V1がハイレベルとなり、トラン
ジスタ2のベース電圧V2がローレベルとなり、トランジ
スタ1がオンし、トランジスタ2がオフしている。これ
により、第2図Bに示すように、トランジスタ2のコレ
クタ電圧V3がハイレベルになり、トランジスタ1のコレ
クタ電圧V4がローレベルになる。
In FIG. 2, before reaching time t 01 , input terminal 7
Is supplied to the input terminal 8 and a low level is supplied to the input terminal 8. Therefore, as shown in FIG. 2A, the base voltage V 1 of the transistor 1 becomes high level, the base voltage V 2 of the transistor 2 becomes low level, the transistor 1 is turned on, and the transistor 2 is turned off. As a result, as shown in FIG. 2B, the collector voltage V 3 of the transistor 2 becomes high level and the collector voltage V 4 of the transistor 1 becomes low level.

この時のトランジスタ2のコレクタ電圧V3は、トランジ
スタ2がオフしているので、電源端子11に供給される電
源電圧をVccとすると、 V3=Vcc である。一方、トランジスタ1のコレクタ電圧V4は、抵
抗9の抵抗値をR9、トランジスタ3及び抵抗5で設定さ
れる電流値をI1とすると、 V4=Vcc−I1R9 となる。
Since the transistor 2 is off, the collector voltage V 3 of the transistor 2 at this time is V 3 = Vcc, where Vcc is the power supply voltage supplied to the power supply terminal 11. On the other hand, the collector voltage V 4 of the transistor 1, the resistance value of the resistor 9 R 9, when the current value set by the transistors 3 and the resistor 5 and I 1, the V 4 = Vcc-I 1 R 9.

この時のエミッタフォロワトランジスタ12及び13のエミ
ッタ電圧V6及びV5は、トランジスタ1及び2のコレクタ
電圧V4及びV3よりエミッタフォロワトランジスタ12及び
13のベース・エミッタ間電圧VBEだけ低い電圧、 V6=Vcc−I1R9−VBE V5=Vcc−VBE となる。
At this time, the emitter voltages V 6 and V 5 of the emitter follower transistors 12 and 13 are greater than those of the collector voltages V 4 and V 3 of the transistors 1 and 2, respectively.
A voltage lower than the base-emitter voltage V BE of 13 is V 6 = Vcc−I 1 R 9 −V BE V 5 = Vcc−V BE .

エミッタフォロワトランジスタ12及び13の互いのエミッ
タ間には、コンデンサ16が接続されていて、このコンデ
ンサ16には電荷が蓄えられている。このコンデンサ16の
両端電圧Vcは、エミッタフォロワトランジスタ12及び13
のエミッタ電圧V6及びV5の電位差により求まり、この両
端電圧Vcは、 Vc=V5−V6=I1R9 である。
A capacitor 16 is connected between the emitters of the emitter follower transistors 12 and 13, and the capacitor 16 stores electric charges. The voltage Vc across the capacitor 16 is the emitter follower transistors 12 and 13
It is found by the potential difference between the emitter voltages V 6 and V 5 of V.sub.2, and the voltage Vc across this is Vc = V 5 −V 6 = I 1 R 9 .

エミッタフォロワトランジスタ13のエミッタ電圧V5
(V5=Vcc−VBE)で、エミッタフォロワトランジスタ12
のエミッタ電圧V6が(V6=Vcc−I1R9−VBE)の時には、
トランジスタ21がオンし、トランジスタ22がオフする。
また、トランジスタ2のコレクタ電圧V3が(V3=Vcc)
で、トランジスタ1のコレクタ電圧V4が(V4=Vcc−I1R
9)の時には、トランジスタ26がオンし、トランジスタ2
5がオフする。このため、第2図Dに示すように、時刻t
01に達する前では、出力端子32から取り出される出力Q
がローレベルで、出力端子31から取り出される出力が
ハイレベルである。
The emitter follower transistor 13 has an emitter voltage V 5 (V 5 = Vcc−V BE ), and the emitter follower transistor 12
When the emitter voltage V 6 is (V 6 = Vcc-I 1 R 9 -V BE) of,
The transistor 21 turns on and the transistor 22 turns off.
Moreover, the collector voltage V 3 of the transistor 2 is (V 3 = Vcc)
Then, the collector voltage V 4 of the transistor 1 becomes (V 4 = Vcc−I 1 R
9 ), transistor 26 turns on and transistor 2 turns on.
5 turns off. Therefore, as shown in FIG.
Before reaching 01 , output Q taken from output terminal 32
Is low level, and the output taken out from the output terminal 31 is high level.

時刻t01で入力が変化し、入力端子7にローレベルが供
給され、入力端子8にハイレベルが供給されると、第2
図Aに示すように、トランジスタ1のベース電圧V1がロ
ーレベルになり、トランジスタ2のベース電圧V2がハイ
レベルになり、トランジスタ1がオフし、トランジスタ
2がオンする。このため、抵抗10の抵抗値をR10(=
R9)とすると、第2図Bに示すように、トランジスタ2
のコレクタ電圧V3が V3=Vcc−I1R10 になり、トランジスタ1のコレクタ電圧V4が V4=Vcc になる。
When the input changes at time t 01 , a low level is supplied to the input terminal 7 and a high level is supplied to the input terminal 8, the second
As shown in FIG. A, the base voltage V 1 of the transistor 1 becomes low level, the base voltage V 2 of the transistor 2 becomes high level, the transistor 1 is turned off, and the transistor 2 is turned on. Therefore, the resistance value of the resistor 10 is changed to R 10 (=
R 9 ), as shown in FIG. 2B, the transistor 2
The collector voltage V 3 of the transistor becomes V 3 = Vcc-I 1 R 10 , and the collector voltage V 4 of the transistor 1 becomes V 4 = Vcc.

この入力が変化した直後の時刻t01では、第3図に示す
ように、コンデンサ16に時刻t01以前に蓄えられていた
電荷が残っている。エミッタフォロワトランジスタ12の
エミッタ電圧V6は、トランジスタ1のコレクタ電圧V4
(V4=Vcc)であるから、この電圧V4よりエミッタフォ
ロワトランジスタ12のベース・エミッタ間電圧VBEだけ
低い電圧、 V6=Vcc−VBE となる。一方、エミッタフォロワトランジスタ13のエミ
ッタ電圧V5は、コンデンサ16に電荷が蓄えられているの
で、その分エミッタフォロワトランジスタ12のエミッタ
電圧V6より高くなる。コンデンサ16の両端電圧Vcは、前
述したように(Vc=I1R9)であるから、エミッタフォロ
ワトランジスタ13のエミッタ電圧V5は、 V5=V6+Vc=Vcc−VBE+I1R9 となる。
At time t 01 immediately after this input changes, as shown in FIG. 3, the electric charge accumulated before the time t 01 remains in the capacitor 16. The emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 is lower than this voltage V 4 by the base-emitter voltage V BE of the emitter follower transistor 12 because the collector voltage V 4 of the transistor 1 is (V 4 = Vcc). V 6 = Vcc-V BE . On the other hand, the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 becomes higher than the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 by that amount because the charge is stored in the capacitor 16. Since the voltage Vc across the capacitor 16 is (Vc = I 1 R 9 ) as described above, the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 is V 5 = V 6 + Vc = Vcc−V BE + I 1 R 9 Becomes

このエミッタフォロワトランジスタ13のエミッタ電圧V5
は、この時のエミッタフォロワトランジスタ13のベース
に加えられるトランジスタ2のコレクタ電圧V3(V3=Vc
c−I1R10)より高い。このため、入力が変化した直後で
はエミッタフォロワトランジスタ13はオフする。
The emitter voltage V 5 of this emitter follower transistor 13
Is the collector voltage V 3 (V 3 = Vc) of the transistor 2 applied to the base of the emitter follower transistor 13 at this time.
c-I 1 R 10 ) higher. Therefore, the emitter follower transistor 13 is turned off immediately after the input is changed.

この入力が変化した直後の時刻t01では、エミッタフォ
ロワトランジスタ12のエミッタ電圧V6が(V6=Vcc−
VBE)で、エミッタフォロワトランジスタ13のエミッタ
電圧V5が(V5=Vcc−VBE+I1R9)であるから、トランジ
スタ21がオンし、トランジスタ22がオフする。トランジ
スタ2のコレクタ電圧V3が(V3=Vcc−I1R10)で、トラ
ンジスタ1のコレクタ電圧V4が(V4=Vcc)であるか
ら、トランジスタ25がオンし、トランジスタ26がオフす
る。このため、第2図Dに示すように、出力Qがハイレ
ベルに変化し、出力がローレベルに変化する。
At time t 01 immediately after this input changes, the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 becomes (V 6 = Vcc−
V BE ), the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 is (V 5 = Vcc−V BE + I 1 R 9 ), so that the transistor 21 is turned on and the transistor 22 is turned off. Since the collector voltage V 3 of the transistor 2 is (V 3 = Vcc-I 1 R 10 ) and the collector voltage V 4 of the transistor 1 is (V 4 = Vcc), the transistor 25 is turned on and the transistor 26 is turned off. . Therefore, as shown in FIG. 2D, the output Q changes to the high level and the output changes to the low level.

時刻(t01〜t03)では、エミッタフォロワトランジスタ
13はオフしていて、コンデンサ16に蓄えられていた電荷
が第3図に示すように、トランジスタ15を流れる電流I3
により放電される。このため、エミッタフォロワトラン
ジスタ13のエミッタ電圧V5が徐々に下降していく。時刻
(t01〜t03)の間の時刻t02でエミッタフォロワトラン
ジスタ13のエミッタ電圧V5がエミッタフォロワトランジ
スタ12のエミッタ電圧V6より低くなると、トランジスタ
22がオンし、トランジスタ21がオフする。この時、トラ
ンジスタ2のコレクタ電圧V3は(V3=Vcc−I1R10)で、
トランジスタ1のコレクタ電圧V4は(V4=Vcc)である
から、トランジスタ28がオンし、トランジスタ27がオフ
する。これにより、時刻t02で出力Qがローレベルに変
化し、出力がハイレベルに変化する。
At the time (t 01 to t 03 ), the emitter follower transistor
13 is off, and the electric charge stored in the capacitor 16 is the current I 3 flowing through the transistor 15 as shown in FIG.
Is discharged by. Therefore, the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 gradually drops. When the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 becomes lower than the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 at the time t 02 between the times (t 01 to t 03 ), the transistor
22 turns on and transistor 21 turns off. At this time, the collector voltage V 3 of the transistor 2 is (V 3 = Vcc−I 1 R 10 ),
Since the collector voltage V 4 of the transistor 1 is (V 4 = Vcc), the transistor 28 turns on and the transistor 27 turns off. As a result, the output Q changes to the low level and the output changes to the high level at time t 02 .

時刻t03でエミッタフォロワトランジスタ13がオンする
と、エミッタフォロワトランジスタ13のエミッタ電圧V5
が、第2図Cに示すように、(V5=Vcc−VBE−I1R10
になり、コンデンサ16に電荷が蓄えられる。
When the emitter follower transistor 13 is turned on at time t 03 , the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13
However, as shown in FIG. 2C, (V 5 = Vcc−V BE −I 1 R 10 ).
And the electric charge is stored in the capacitor 16.

時刻t04で入力が変化し、トランジスタ1のベース電圧V
1がハイレベルになり、トランジスタ2のベース電圧V2
がローレベルになると、トランジスタ2のコレクタ電圧
V3が(V3=Vcc)になり、トランジスタ1のコレクタ電
圧V4が(V4=Vcc−I1R9)になる。そして、エミッタフ
ォロワトランジスタ13のエミッタ電圧V5が(V5=Vcc−V
BE)になり、エミッタフォロワトランジスタ12のエミッ
タ電圧V6が、コンデンサ16に電荷が蓄えられているの
で、エミッタフォロワトランジスタ13のエミッタ電圧V5
よりコンデンサ16の端子電圧Vc(Vc=I1R10)分高い電
圧の(V6=Vcc−VBE−I1R10)になる。このため、エミ
ッタフォロワトランジスタ12がオフする。
At time t 04 , the input changes and the base voltage of transistor 1, V
1 goes high and the base voltage V 2 of transistor 2
Goes low, the collector voltage of transistor 2
V 3 becomes (V 3 = Vcc), and the collector voltage V 4 of the transistor 1 becomes (V 4 = Vcc−I 1 R 9 ). Then, the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 becomes (V 5 = Vcc−V
BE ) and the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 is stored in the capacitor 16, so that the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 is
The more the capacitor 16 terminal voltage Vc (Vc = I 1 R 10 ) increased by a voltage (V 6 = Vcc-V BE -I 1 R 10). Therefore, the emitter follower transistor 12 is turned off.

エミッタフォロワトランジスタ12のエミッタ電圧V6
(V6=Vcc−VBE−I1R10)で、エミッタフォロワトラン
ジスタ13のエミッタ電圧V5が(V5=Vcc−VBE)であるか
ら、トランジスタ22がオンし、トランジスタ21がオフす
る。トランジスタ2のコレクタ電圧V3が(V3=Vcc)
で、トランジスタ1のコレクタ電圧V4が(V4=Vcc−I1R
9)であるから、トランジスタ27がオンし、トランジス
タ28がオフする。このため、時刻t04で出力Qがハイレ
ベルに変化し、出力がハイレベルに変化する。
Since the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 is (V 6 = Vcc−V BE −I 1 R 10 ), and the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 is (V 5 = Vcc−V BE ), 22 turns on and transistor 21 turns off. The collector voltage V 3 of transistor 2 is (V 3 = Vcc)
Then, the collector voltage V 4 of the transistor 1 becomes (V 4 = Vcc−I 1 R
9 ), transistor 27 turns on and transistor 28 turns off. Therefore, at time t 04 , the output Q changes to the high level and the output changes to the high level.

エミッタフォロワトランジスタ12のエミッタ電圧V6は、
トランジスタ14を流れる電流I2により徐々に下降してい
く。この電圧V6がエミッタフォロワトランジスタ13のエ
ミッタ電圧V5(V5=Vcc−VBE)より低くなると、トラン
ジスタ21がオンし、トランジスタ22がオフする。この
時、トランジスタ2のコレクタ電圧V3は(V3=Vcc)
で、トランジスタ1のコレクタ電圧V4は(V4=Vcc−I1R
9)であるから、トランジスタ26がオンし、トランジス
タ25がオフする。このため、エミッタフォロワトランジ
スタ12のエミッタ電圧V6がエミッタフォロワトランジス
タ13のエミッタ電圧V5より低くなる時刻t05で出力Qが
ローレベルに変化し、出力がハイレベルに変化する。
The emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 is
The current I 2 flowing through the transistor 14 gradually decreases. When this voltage V 6 becomes lower than the emitter voltage V 5 (V 5 = Vcc−V BE ) of the emitter follower transistor 13, the transistor 21 turns on and the transistor 22 turns off. At this time, the collector voltage V 3 of the transistor 2 is (V 3 = Vcc)
Then, the collector voltage V 4 of the transistor 1 is (V 4 = Vcc−I 1 R
9 ), transistor 26 turns on and transistor 25 turns off. Therefore, at time t 05 when the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 becomes lower than the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13, the output Q changes to the low level and the output changes to the high level.

時刻t06でエミッタフォロワトランジスタ12のエミッタ
電圧V6が(V6=Vcc−VBE−I1R9)まで下降すると、エミ
ッタフォロワトランジスタ12がオンする。そして、エミ
ッタフォロワトランジスタ12のエミッタ電圧V6が(V6
Vcc−VBE−I1R9)に保持され、コンデンサ16に電荷が蓄
えられる。
When the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 drops to (V 6 = Vcc−V BE −I 1 R 9 ) at time t 06 , the emitter follower transistor 12 turns on. Then, the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 becomes (V 6 =
Vcc−V BE −I 1 R 9 ) and the electric charge is stored in the capacitor 16.

同様にして、持続t07で入力が変化し、トランジスタ1
のベース電圧V1がローレベルになり、トランジスタ2の
ベース電圧V2がハイレベルになると、出力端子32から出
力される出力Qがローレベルからハイレベルに変化し、
出力端子31から出力される出力がハイレベルからロー
レベルに変化する。
Similarly, the input changes at sustain t 07 , and transistor 1
Base voltages V 1 goes low, the base voltage V 2 of the transistor 2 becomes high level, the output Q to be output from the output terminal 32 is changed from low level to high level,
The output output from the output terminal 31 changes from high level to low level.

このように、入力端子7に供給される入力信号がローレ
ベルからハイレベルに立上がり、入力端子8に供給され
る入力信号がハイレベルからローレベルに立下がると、
出力端子32及び出力端子31からパルス幅τのパルス出
力及びその反転パルス出力が現れる。また、入力端子7
に供給される入力信号がハイレベルからローレベルに立
下がり、入力端子8に供給される入力信号がローレベル
からハイレベルに立上がると、出力端子32及び出力端子
31からパルス幅τのパルス出力及びその反転パルス出
力が現れる。
In this way, when the input signal supplied to the input terminal 7 rises from the low level to the high level and the input signal supplied to the input terminal 8 falls from the high level to the low level,
From the output terminals 32 and 31, a pulse output having a pulse width τ 1 and its inverted pulse output appear. Also, input terminal 7
When the input signal supplied to the input terminal 8 falls from the high level to the low level and the input signal supplied to the input terminal 8 rises from the low level to the high level, the output terminal 32 and the output terminal 32
A pulse output having a pulse width τ 1 and its inverted pulse output appear from 31.

この出力パルスのパルス幅τは、以下のようにして求
められる。
The pulse width τ 1 of this output pulse is obtained as follows.

第2図において、時刻t01で入力信号が変化すると、時
刻(t01〜t02)までの間、パルス幅τのパルスが出力
される。このパルス幅τは、入力信号が変化してか
ら、エミッタフォロワトランジスタ13のエミッタ電圧V5
がエミッタフォロワトランジスタ12のエミッタ電圧V6
り低くなるまでの時間に等しい。エミッタフォロワトラ
ンジスタ13のエミッタ電圧V5は、(V5=Vcc−VBE−I
1R9)からトランジスタ15を流れる電流I3により徐々に
下降し、エミッタフォロワトランジスタ12のエミッタ電
圧V6は、(V6=Vcc−VBE)に保持されている。したがっ
て、コンデンサ16の静電容量をC1とすると、 C1×I1R9=I3×τ である。故に、パルス幅τは、 τ=C1I1R9/I3 …… により求められる。
In FIG. 2, when the input signal changes at time t 01 , a pulse having a pulse width τ 1 is output during the time (t 01 to t 02 ). This pulse width τ 1 is the emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 after the input signal changes.
Is equal to the time until it becomes lower than the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12. The emitter voltage V 5 of the emitter follower transistor 13 is (V 5 = Vcc−V BE −I
The current I 3 flowing from 1 R 9 ) to the transistor 15 gradually decreases, and the emitter voltage V 6 of the emitter follower transistor 12 is held at (V 6 = Vcc−V BE ). Therefore, assuming that the capacitance of the capacitor 16 is C 1 , C 1 × I 1 R 9 = I 3 × τ 1 . Therefore, the pulse width τ 1 is obtained by τ 1 = C 1 I 1 R 9 / I 3 ...

電流I1は、トランジスタ3及び抵抗5で設定され、この
電流I1は、抵抗5の抵抗値をR5、電源端子4からの基準
電圧をVr、トランジスタ3のベース・エミッタ間電圧を
VBEとすると、 I1=(Vr−VBE)/R5 である。電流I3は、外部抵抗18の抵抗値をRe18、トラン
ジスタ15のベース・エミッタ間電圧をVBEとすると、 I5=(Vr−VBE)/Re18 である。(Vr−VBE=Vr′)とすると、 I1=Vr′/R5 …… I3=Vr′/Re18 …… となる。この式式,式で求められる電流I1及びI3
式に代入すると、 τ=C1Re18R9/R5 …… となる。
The current I 1 is set by the transistor 3 and the resistor 5. The current I 1 is the resistance value of the resistor 5 R 5 , the reference voltage from the power supply terminal 4 is Vr, and the base-emitter voltage of the transistor 3 is
Letting V BE , I 1 = (Vr−V BE ) / R 5 . Current I 3, when the resistance of the external resistor 18 Re 18, the base-emitter voltage of the transistor 15 and V BE, is I 5 = (Vr-V BE ) / Re 18. If (Vr-V BE = Vr '), then I 1 = Vr' / R 5 ...... I 3 = Vr '/ Re 18 ...... Substituting this equation equation, the current I 1 and I 3 obtained by the formula in the formula, the τ 1 = C 1 Re 18 R 9 / R 5 .......

外部抵抗18の抵抗値Re18を適当に設定することにより、
所望のパルス幅τの出力が得られる。
By setting the resistance value Re 18 of the external resistor 18 appropriately,
An output having a desired pulse width τ 1 is obtained.

式に示すように、パルス幅τは、静電容量C1と、抵
抗比R9/R5と、抵抗値Re18とにより決定される。集積回
路化した場合、集積回路内の抵抗のばらつきは等しく、
同様な温度特性を持っている。このため、抵抗比R9/R5
は、略々一定である。また、集積回路内のコンデンサ
は、一般的にMOS容量やMIS容量が用いられ、良好な温度
特性を有している。抵抗値(Re18は、外付け抵抗18の抵
抗値であるから、良好な温度特性である。したがって、
パルス幅τは、温度が変化しても殆ど変化することが
ない。また、式に示すように、パルス幅τは、基準
電圧Vrに全く依存しない。このため、基準電圧Vrが変化
してもパルス幅τは変化しない。
As shown in the equation, the pulse width τ 1 is determined by the electrostatic capacitance C 1 , the resistance ratio R 9 / R 5, and the resistance value Re 18 . When integrated into an integrated circuit, the variations in resistance within the integrated circuit are equal,
It has similar temperature characteristics. Therefore, the resistance ratio R 9 / R 5
Is approximately constant. Further, MOS capacitors and MIS capacitors are generally used for the capacitors in the integrated circuit and have good temperature characteristics. The resistance value (Re 18 is the resistance value of the external resistor 18 and thus has good temperature characteristics.
The pulse width τ 1 hardly changes even if the temperature changes. Further, as shown in the equation, the pulse width τ 1 does not depend on the reference voltage Vr at all. Therefore, the pulse width τ 1 does not change even if the reference voltage Vr changes.

c.他の実施例の構成 第4図はこの発明の他の実施例を示すものである。第4
図において51及び52がトランジスタを示し、トランジス
タ51及び52の互いのエミッタが共通接続され、この接続
点が定電流源として動作するトランジスタ53のコレクタ
に接続される。トランジスタ53のベースが基準電圧の電
源端子54に接続される。トランジスタ53のエミッタが抵
抗55を介して接地端子56に接続される。
c. Structure of another embodiment FIG. 4 shows another embodiment of the present invention. Fourth
In the figure, 51 and 52 represent transistors, the emitters of the transistors 51 and 52 are commonly connected, and this connection point is connected to the collector of the transistor 53 that operates as a constant current source. The base of the transistor 53 is connected to the power supply terminal 54 of the reference voltage. The emitter of the transistor 53 is connected to the ground terminal 56 via the resistor 55.

トランジスタ51のベースが入力端子57に接続される。ト
ランジスタ52のベースが入力端子58に接続される。トラ
ンジスタ51のコレクタが抵抗59を介して電源端子61に接
続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ62のベ
ースに接続される。トランジスタ52のコレクタが抵抗60
を介して電源端子61に接続されると共に、エミッタフォ
ロワトランジスタ63のベースに接続される。抵抗59及び
60は同じ抵抗値に設定されている。
The base of the transistor 51 is connected to the input terminal 57. The base of the transistor 52 is connected to the input terminal 58. The collector of the transistor 51 is connected to the power supply terminal 61 via the resistor 59, and is also connected to the base of the emitter follower transistor 62. The collector of transistor 52 is resistor 60
And the base of the emitter follower transistor 63. Resistance 59 and
60 is set to the same resistance value.

エミッタフォロワトランジスタ62のコレクタが電源端子
61に接続される。エミッタフォロワトランジスタ63のコ
レクタが電源端子61に接続される。エミッタフォロワト
ランジスタ62及び63の互いのエミッタ間に、コンデンサ
64が接続される。
The collector of the emitter follower transistor 62 is the power supply terminal
Connected to 61. The collector of the emitter follower transistor 63 is connected to the power supply terminal 61. A capacitor is placed between the emitters of the emitter follower transistors 62 and 63.
64 is connected.

エミッタフォロワトランジスタ62のエミッタがダイオー
ド接続されたトランジスタ65のベース及びコレクタに接
続される。トランジスタ65のエミッタが定電流源として
動作するトランジスタ66のコレクタに接続されると共
に、トランジスタ68のベースに接続される。トランジス
タ66のベースが電源端子54に接続される。
The emitter of the emitter follower transistor 62 is connected to the base and collector of a diode-connected transistor 65. The emitter of the transistor 65 is connected to the collector of the transistor 66 which operates as a constant current source and the base of the transistor 68. The base of the transistor 66 is connected to the power supply terminal 54.

エミッタフォロワトランジスタ63のエミッタが定電流源
として動作するトランジスタ67のコレクタに接続され
る。トランジスタ67のベースが電源端子54に接続され
る。
The emitter of the emitter follower transistor 63 is connected to the collector of the transistor 67 which operates as a constant current source. The base of the transistor 67 is connected to the power supply terminal 54.

トランジスタ68及び69の互いのエミッタが共通接続さ
れ、この接続点が定電流源として動作するトランジスタ
73のコレクタに接続される。トランジスタ73のベースが
電源端子54に接続される。トランジスタ73のエミッタが
抵抗74を介して接地端子56に接続される。
Transistors in which the emitters of the transistors 68 and 69 are commonly connected and the connection point operates as a constant current source
Connected to 73 collectors. The base of the transistor 73 is connected to the power supply terminal 54. The emitter of the transistor 73 is connected to the ground terminal 56 via the resistor 74.

トランジスタ68のコレクタがトランジスタ70及び71のエ
ミッタに接続される。トランジスタ69のコレクタがトラ
ンジスタ71のコレクタに接続される。トランジスタ70の
コレクタが抵抗75を介して電源端子61に接続されると共
に、トランジスタ70のコレクタから出力端子85が導出さ
れる。トランジスタ71のコレクタが抵抗76を介して電源
端子61に接続されると共に、トランジスタ71のコレクタ
から出力端子86が導出される。抵抗75及び76は、同じ抵
抗値に設定されている。
The collector of transistor 68 is connected to the emitters of transistors 70 and 71. The collector of the transistor 69 is connected to the collector of the transistor 71. The collector of the transistor 70 is connected to the power supply terminal 61 via the resistor 75, and the output terminal 85 is derived from the collector of the transistor 70. The collector of the transistor 71 is connected to the power supply terminal 61 via the resistor 76, and the output terminal 86 is led out from the collector of the transistor 71. The resistors 75 and 76 are set to the same resistance value.

トランジスタ71のベースがトランジスタ77のエミッタに
接続されると共に、ダイオード接続されたトランジスタ
78のコレクタ及びベースに接続される。トランジスタ77
のコレクタが電源端子61に接続される。トランジスタ77
のベースと電源端子61との間に抵抗79が接続される。
The base of the transistor 71 is connected to the emitter of the transistor 77, and the diode-connected transistor is connected.
Connected to 78 collectors and bases. Transistor 77
Is connected to the power supply terminal 61. Transistor 77
A resistor 79 is connected between the base of and the power supply terminal 61.

トランジスタ77のベースと抵抗79の接続点が定電流源と
して動作するトランジスタ80のコレクタに接続される。
トランジスタ80のベースが電源端子54に接続される。ト
ランジスタ80のエミッタが抵抗81を介して接地端子56に
接続される。
The connection point between the base of the transistor 77 and the resistor 79 is connected to the collector of the transistor 80 that operates as a constant current source.
The base of the transistor 80 is connected to the power supply terminal 54. The emitter of the transistor 80 is connected to the ground terminal 56 via the resistor 81.

ダイオード接続されたトランジスタ78のエミッタが定電
流源として動作するトランジスタ82のコレクタに接続さ
れる。トランジスタ82のベースが電源端子54に接続され
る。
The emitter of the diode-connected transistor 78 is connected to the collector of the transistor 82 which operates as a constant current source. The base of the transistor 82 is connected to the power supply terminal 54.

定電流源として動作するトランジスタ66,67,82のエミッ
タが共通接続され、この接続点が外部抵抗取付端子83に
接続される。外部抵抗取付端子83に外部抵抗84が接続さ
れる。
The emitters of the transistors 66, 67 and 82 that operate as constant current sources are commonly connected, and this connection point is connected to the external resistance mounting terminal 83. An external resistor 84 is connected to the external resistor mounting terminal 83.

d.他の実施例の動作説明 トランジスタ51及び52からなる差動回路の出力は、エミ
ッタフォロワトランジスタ62及び63により取り出され
る。トランジスタ70,71及び68,69によりANDゲートが構
成される。エミッタフォロワトランジスタ62及び63の互
いのエミッタ間にはコンデンサ64が接続されていて、エ
ミッタフォロワトランジスタ62の出力がダイオード接続
のトランジスタ65を介してこのANDゲートの一方の入力
端子に供給され、エミッタフォロワトランジスタ63の出
力がこのANDゲートの他方の入力端子に供給される。
d. Description of Operation of Other Embodiments The output of the differential circuit including the transistors 51 and 52 is taken out by the emitter follower transistors 62 and 63. The transistors 70, 71 and 68, 69 form an AND gate. A capacitor 64 is connected between the emitters of the emitter follower transistors 62 and 63, and the output of the emitter follower transistor 62 is supplied to one input terminal of this AND gate via a diode-connected transistor 65. The output of the transistor 63 is supplied to the other input terminal of this AND gate.

第5図において、時刻t11に達する前では、入力端子57
にハイレベルが供給され、入力端子58にローレベルが供
給されている。このため、第5図Aに示すように、トラ
ンジスタ51のベース電圧V11がハイレベルとなり、トラ
ンジスタ52のベース電圧V12がローレベルとなり、トラ
ンジスタ51がオンし、トランジスタ52がオフしている。
これにより、第5図Bに示すように、トランジスタ52の
コレクタ電圧V13がハイレベルになり、トランジスタ51
のコレクタ電圧V14がローレベルる。この時のトランジ
スタ52のコレクタ電圧V13は、電源端子61に供給される
電圧をVccとすると、 V13=Vcc である。一方、トランジスタ51のコレクタ電圧V14は、
抵抗59の抵抗値R59,トランジスタ53及び抵抗55で設定さ
れる電流値をI11とすると、 V14=Vcc−I11R59 となる。
In FIG. 5, before reaching time t 11 , the input terminal 57
Is supplied with a high level, and the input terminal 58 is supplied with a low level. Therefore, as shown in FIG. 5A, the base voltage V 11 of the transistor 51 becomes high level, the base voltage V 12 of the transistor 52 becomes low level, the transistor 51 is turned on, and the transistor 52 is turned off.
As a result, the collector voltage V 13 of the transistor 52 becomes high level as shown in FIG.
The collector voltage V 14 of goes low. The collector voltage V 13 of the transistor 52 at this time is V 13 = Vcc, where Vcc is the voltage supplied to the power supply terminal 61. On the other hand, the collector voltage V 14 of the transistor 51 is
When the resistance value R 59 of the resistor 59 and the current value set by the transistor 53 and the resistor 55 is I 11 , V 14 = Vcc−I 11 R 59 .

この時のエミッタフォロワトランジスタ62及び63のエミ
ッタ電圧V16及びV15は、エミッタフォロワトランジスタ
62及び63のベース・エミッタ間電圧をVBEとすると、 V16=Vcc−I11R59−VBE V15=Vcc−VBE となる。
At this time, the emitter voltages V 16 and V 15 of the emitter follower transistors 62 and 63 are
If the base-emitter voltage of 62 and 63 is V BE , then V 16 = Vcc-I 11 R 59 -V BE V 15 = Vcc-V BE .

エミッタフォロワトランジスタ62及び63の互いのエミッ
タ間には、コンデンサ64が接続されていて、このコンデ
ンサ64には電荷が蓄えられている。このコンデンサ64の
両端電圧Vc10は、エミッタフォロワトランジスタ62及び
63のエミッタ電圧V16及びV15の電位差により求まり、こ
の両端電圧Vc10は、 Vc10=V15−V16=I11R59 である。
A capacitor 64 is connected between the emitters of the emitter follower transistors 62 and 63, and an electric charge is stored in the capacitor 64. The voltage Vc 10 across the capacitor 64 is the emitter follower transistor 62 and
It is determined by the potential difference between the emitter voltages V 16 and V 15 of 63, and this both-end voltage Vc 10 is Vc 10 = V 15 −V 16 = I 11 R 59 .

エミッタフォロワトランジスタ63のエミッタ電圧V
15は、トランジスタ70のベースに供給される。エミッタ
フォロワトランジスタ62のエミッタ電圧V16は、ダイオ
ード接続のトランジスタ65により、VBEだけレベルシフ
トされてトランジスタ68のベースに供給される。したが
って、トランジスタ68のベース電圧V17は、 V17=Vcc−2VBE−I11R59 である。
Emitter follower transistor 63 emitter voltage V
15 is supplied to the base of the transistor 70. The emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 is level-shifted by V BE by the diode-connected transistor 65 and supplied to the base of the transistor 68. Therefore, the base voltage V 17 of the transistor 68 is V 17 = Vcc−2V BE −I 11 R 59 .

トランジスタ71のベースには、トランジスタ77のエミッ
タ電圧V19が供給される。トランジスタ69のベースに
は、トランジスタ77のエミッタ電圧V19がダイオード接
続されたトランジスタ78によりVBEだけレベルシフトさ
れた電圧V20(V20=V19−VBE)が供給されている。
The emitter voltage V 19 of the transistor 77 is supplied to the base of the transistor 71. A voltage V 20 (V 20 = V 19 −V BE ) obtained by level-shifting the emitter voltage V 19 of the transistor 77 by V BE by the diode-connected transistor 78 is supplied to the base of the transistor 69.

このトランジスタ77のエミッタ電圧V17は、(Vcc−
VBE)と、(Vcc−VBE−I11R59)の間の略々中央のレベ
ルに設定されている。トランジスタ69のベース電圧V20
は、この電圧V19よりVBEだけ低い、(Vcc−2VBE)と(V
cc−2VBE−I11R59)の間の略々中央のレベルが供給され
ている。
The emitter voltage V 17 of this transistor 77 is (Vcc-
V BE ) and (Vcc-V BE- I 11 R 59 ) are set at a level approximately in the center. Base voltage of transistor 69 V 20
Is lower than this voltage V 19 by V BE , (Vcc−2V BE ) and (V
A level approximately midway between cc-2V BE- I 11 R 59 ) is provided.

電圧V19は、トランジスタ80を流れる電流をI15,抵抗79
の抵抗値をR79とすると、 V19=Vcc−I15R79−VBE である。電圧V20は、この電圧V19よりVBEだけ低い、 V20=Vcc−I15R79−2VBE である。
The voltage V 19 causes the current flowing through the transistor 80 to be I 15 , the resistance 79
Assuming that the resistance value of R 79 is R 79 , V 19 = Vcc−I 15 R 79 −V BE . The voltage V 20 is V BE lower than this voltage V 19 by V BE , that is, V 20 = Vcc−I 15 R 79 −2V BE .

時刻t11に達する前では、トランジスタ70のベースに
は、(V15=Vcc−VBE)が供給され、トランジスタ68の
ベースには、(V16−VBE=Vcc−2VBE−I11R59)が供給
されている。このため、トランジスタ68がオフし、トラ
ンジスタ69がオンする。トランジスタ68がオフであるか
ら、トランジスタ70及び71はオフである。したがって、
第5図Eに示すように、出力端子85からの出力がハイ
レベルで、出力端子86からの出力Qがローレベルであ
る。
Before the time t 11 , the base of the transistor 70 is supplied with (V 15 = Vcc−V BE ), and the base of the transistor 68 is (V 16 −V BE = Vcc−2V BE −I 11 R 59 ) is being supplied. Therefore, the transistor 68 is turned off and the transistor 69 is turned on. Since transistor 68 is off, transistors 70 and 71 are off. Therefore,
As shown in FIG. 5E, the output from the output terminal 85 is at a high level and the output Q from the output terminal 86 is at a low level.

時刻t11で入力が変化し、入力端子57にローレベルが供
給され、入力端子58にハイレベルが供給されると、第5
図Aに示すように、トランジスタ51のベース電圧V11
ローレベルになり、トランジスタ52のベース電圧V12
ハイレベルになり、トランジスタ52がオンし、トランジ
スタ51がオフする。このため、トランジスタ51のコレク
タ電圧V14が(V14=Vcc)になり、トランジスタ52のコ
レクタ電圧V13が抵抗60の抵抗値をR60とすると(V13=V
cc−I11R60)になる。
At time t 11 , the input changes, the low level is supplied to the input terminal 57, and the high level is supplied to the input terminal 58.
As shown in FIG. A, the base voltage V 11 of the transistor 51 becomes low level, the base voltage V 12 of the transistor 52 becomes high level, the transistor 52 is turned on, and the transistor 51 is turned off. Therefore, if the collector voltage V 14 of the transistor 51 becomes (V 14 = Vcc), and the collector voltage V 13 of the transistor 52 becomes the resistance value of the resistor 60 R 60 (V 13 = Vcc
cc-I 11 R 60 ).

エミッタフォロワトランジスタ62のエミッタ電圧V
16は、エミッタフォロワトランジスタ62のベースにはト
ランジスタ51のコレクタ電圧V14(V14=Vcc)が加えら
れているので、この電圧V14よりエミッタフォロワトラ
ンジスタ62のベース・エミッタ間電圧VBEだけ低い電圧 V16=Vcc−VBE になる。一方、エミッタフォロワトランジスタ63のエミ
ッタ電圧V15は、コンデンサ64に電荷が蓄えられている
ので、その分エミッタフォロワトランジスタ62のベース
電圧V16より高くなる。コンデンサン64の両端電圧Vc10
は(Vc10=I11R59であるから、エミッタフォロワトラン
ジスタ63のエミッタ電圧V15は、 V15=Vcc−VBE−I11R59 になる。
Emitter follower transistor 62 emitter voltage V
Since the collector voltage V 14 (V 14 = Vcc) of the transistor 51 is applied to the base of the emitter follower transistor 62, the 16 is lower than this voltage V 14 by the base-emitter voltage V BE of the emitter follower transistor 62. The voltage V 16 = Vcc-V BE . On the other hand, the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 is higher than the base voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 by that amount because the charge is stored in the capacitor 64. Voltage across capacitor 64 Vc 10
Since is (Vc 10 = I 11 R 59 , emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 will V 15 = Vcc-V BE -I 11 R 59.

このエミッタフォロワトランジスタ63のエミッタ電圧V
15は、この時のエミッタフォロワトランジスタ63のベー
スに加えられるトランジスタ62のコレクタ電圧V13(V13
=Vcc−I11R60)より高くなる。このため、入力が変化
した直後ではエミッタフォロワトランジスタ63はオフす
る。
The emitter voltage V of this emitter follower transistor 63
15 is the collector voltage of the transistor 62 applied to the base of the emitter follower transistor 63 at this time V 13 (V 13
= Vcc-I 11 R 60 ). Therefore, the emitter follower transistor 63 is turned off immediately after the input is changed.

この入力が変化した直後の時刻t11では、エミッタフォ
ロワトランジスタ62のエミッタ電圧V16が(V16=Vcc−V
BE)で、エミッタフォロワトランジスタ63のエミッタ電
圧V15が(V15=Vcc−VBE+I11R59)である。このため、
トランジスタ70のベースには、エミッタフォロワトラン
ジスタ63のエミッタ電圧V15(V15=Vcc−VBE+I11R59
が供給され、トランジスタ68のベースには、電圧V16
りVBEだけ低いダイオード接続のトランジスタ65のエミ
ッタ電圧V17(V17=Vcc−2VBE)が供給される。
At time t 11 immediately after this input changes, the emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 becomes (V 16 = Vcc−V
BE ), the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 is (V 15 = Vcc−V BE + I 11 R 59 ). For this reason,
The emitter follower transistor 63 has an emitter voltage V 15 (V 15 = Vcc-V BE + I 11 R 59 ) at the base of the transistor 70.
Is supplied to the base of the transistor 68, which is supplied with the emitter voltage V 17 (V 17 = Vcc−2V BE ) of the diode-connected transistor 65, which is lower than the voltage V 16 by V BE .

トランジスタ71のベース電圧V19は、この時のエミッタ
フォロワトランジスタ63のエミッタ電圧V15(V15=Vcc
−VBE+I11R59)より低く、トランジスタ68のベース電
圧V20は、この時のトランジスタ65のエミッタ電圧V
17(V17=Vcc−2VBE)より低い。このため、トランジス
タ68がオン、トランジスタ69がオフし、トランジスタ70
がオン、トランジスタ71がオフする。これにより、第5
図Eに示すように、出力端子85から取り出される出力
がローレベルに変化し、出力端子86から取り出される出
力Qがハイレベルに変化する。
The base voltage V 19 of the transistor 71 is the emitter voltage V 15 (V 15 = Vcc of the emitter follower transistor 63 at this time).
-V BE + I 11 R 59 ), the base voltage V 20 of the transistor 68 is the emitter voltage V of the transistor 65 at this time.
It is lower than 17 (V 17 = Vcc-2V BE ). This causes transistor 68 to turn on, transistor 69 to turn off, and transistor 70 to turn off.
Turns on and the transistor 71 turns off. As a result, the fifth
As shown in FIG. E, the output taken from the output terminal 85 changes to the low level, and the output Q taken from the output terminal 86 changes to the high level.

コンデンサ64に蓄えられていた電荷は、エミッタフォロ
ワトランジスタ63がオフしているので、トランジスタ67
を流れる電流I13により放電される。このため、エミッ
タフォロワトランジスタ63のエミッタ電圧V15は、第5
図Cに示すように、徐々に下降していく。ダイオード接
続のトランジスタ65のエミッタ電圧V17は、第5図Dに
示すように、エミッタフォロワトランジスタ62がオンし
ているので、(V17=Vcc−2VBE)で一定である。エミッ
タフォロワトランジスタ63のエミッタ電圧V15がトラン
ジスタ71のベース電圧V19より低くなると、トランジス
タ70がオフし、トランジスタ71がオンする。このため、
第5図Eに示すように、時刻t12で出力端子85から取り
出される出力がハイレベルに変化し、出力端子86から
取り出される出力Qがローレベルに変化する。
Since the emitter follower transistor 63 is off, the charge stored in the capacitor 64 is
It is discharged by the current I 13 flowing through it. Therefore, the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 is
As shown in FIG. C, it gradually descends. The emitter voltage V 17 of the diode-connected transistor 65 is constant (V 17 = Vcc−2V BE ) because the emitter follower transistor 62 is on, as shown in FIG. 5D. When the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 becomes lower than the base voltage V 19 of the transistor 71, the transistor 70 turns off and the transistor 71 turns on. For this reason,
As shown in FIG. 5E, at time t 12 , the output taken from the output terminal 85 changes to high level, and the output Q taken from the output terminal 86 changes to low level.

時刻t13でエミッタフォロワトランジスタ63のエミッタ
電圧V15が、第5図Cに示すように、(V15=Vcc−VBE
I11R60)まで、下降すると、エミッタフォロワトランジ
スタ63がオンし、エミッタフォロワトランジスタ63のエ
ミッタ電圧V15がこの電圧に保持される。そして、コン
デンサ64に電荷が蓄えられる。
At time t 13 , the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 becomes (V 15 = Vcc−V BE − as shown in FIG. 5C.
When it drops to (I 11 R 60 ), the emitter follower transistor 63 is turned on, and the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 is held at this voltage. Then, the electric charge is stored in the capacitor 64.

時刻t14で入力が変化し、入力端子57にハイレベルが供
給され、入力端子58にローレベルが供給されると、第5
図Aに示すように、トランジスタ51のベース電圧V11
ハイレベルになり、トランジスタ52のベース電圧V12
ローレベルになり、トランジスタ51がオンし、トランジ
スタ52がオフする。このため、トランジスタ51のコレク
タ電圧V14が(V14=Vcc−I11R59)になり、トランジス
タ52のコレクタ電圧V13が(V13=Vcc)になる。
At time t 14 , the input changes, the high level is supplied to the input terminal 57, and the low level is supplied to the input terminal 58.
As shown in FIG. A, the base voltage V 11 of the transistor 51 goes high, the base voltage V 12 of the transistor 52 goes low, and the transistor 51 is turned on and the transistor 52 is turned off. Therefore, the collector voltage V 14 of the transistor 51 becomes (V 14 = Vcc-I 11 R 59 ) and the collector voltage V 13 of the transistor 52 becomes (V 13 = Vcc).

エミッタフォロワトランジスタ63のエミッタ電圧V
15は、エミッタフォロワトランジスタ63のベースにはト
ランジスタ52のコレクタ電圧V13(V13=Vcc)が加えら
れているので、この電圧V13よりエミッタフォロワトラ
ンジスタ63のベース・エミッタ間電圧VBEだけ低い電圧 V15=Vcc−VBE になる。一方、エミッタフォロワトランジスタ62のエミ
ッタ電圧V16は、コンデンサ64に電荷が蓄えられている
ので、その分エミッタフォロワトランジスタ63のベース
電圧V15より高くなる。コンデンサ64の両端電圧Vc10
(Vc10=I11R60であるから、エミッタフォロワトランジ
スタ62のエミッタ電圧V16は、 V16=Vcc−VBE+I11R60 になる。
Emitter follower transistor 63 emitter voltage V
Since the collector voltage V 13 (V 13 = Vcc) of the transistor 52 is applied to the base of the emitter follower transistor 63, 15 is lower than this voltage V 13 by the base-emitter voltage V BE of the emitter follower transistor 63. It becomes the voltage V 15 = Vcc-V bE. On the other hand, the emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 becomes higher than the base voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 by that amount because the charge is stored in the capacitor 64. Since the voltage across Vc 10 of the capacitor 64 is (Vc 10 = I 11 R 60 , emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 will V 16 = Vcc-V BE + I 11 R 60.

このエミッタフォロワトランジスタ62のエミッタ電圧V
16は、この時のエミッタフォロワトランジスタ62のベー
スに加えられるトランジスタ51のコレクタ電圧V14(V14
=Vcc−I11R59)より高くなる。このため、入力が変化
した直後ではエミッタフォロワトランジスタ62はオフす
る。
The emitter voltage V of this emitter follower transistor 62
16 is the collector voltage V 14 of the transistor 51 (V 14 which is added to the base of the emitter follower transistor 62 at this time).
= Vcc-I 11 R 59 ). Therefore, the emitter follower transistor 62 is turned off immediately after the input is changed.

この入力が変化した直後の時刻t14では、エミッタフォ
ロワトランジスタ63のエミッタ電圧V15が(V15=Vcc−V
BE)で、エミッタフォロワトランジスタ62のエミッタ電
圧V16が(V16=Vcc−VBE+I11R60)である。このため、
トランジスタ70のベースには、エミッタフォロワトラン
ジスタ63のエミッタ電圧V15(V15=Vcc−VBE)が供給さ
れ、トランジスタ68のベースには、電圧V16よりダイオ
ード接続のトランジスタ65のベース・エミッタ間電圧V
BEだけ低いトランジスタ65のエミッタ電圧V17(V17=Vc
c−2VBE+I11R60)が供給される。
At time t 14 immediately after this input changes, the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 becomes (V 15 = Vcc−V
BE ), the emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 is (V 16 = Vcc−V BE + I 11 R 60 ). For this reason,
The emitter voltage V 15 (V 15 = Vcc-V BE ) of the emitter follower transistor 63 is supplied to the base of the transistor 70, and the base of the transistor 68 is connected between the base and the emitter of the transistor 65, which is diode-connected, from the voltage V 16 to the base of the transistor 68. Voltage V
The emitter voltage of the transistor 65 which is lower than BE by V 17 (V 17 = Vc
c-2V BE + I 11 R 60 ) is supplied.

トランジスタ71のベース電圧V19は、この時のエミッタ
フォロワトランジスタ63のエミッタ電圧V15(V15=Vcc
−VBE)より低く、トランジスタ68のベース電圧V20は、
この時のトランジスタ65のエミッタ電圧V17(V17=Vcc
−2VBE+I11R60)より低い。このため、トランジスタ68
がオン、トランジスタ69がオフし、トランジスタ70がオ
ン、トランジスタ71がオフする。これにより、第5図E
に示すように、出力端子85から取り出される出力がロ
ーレベルに変化し、出力端子86から取り出される出力Q
がハイレベルに変化する。
The base voltage V 19 of the transistor 71 is the emitter voltage V 15 (V 15 = Vcc of the emitter follower transistor 63 at this time).
-V BE ), the base voltage V 20 of transistor 68 is
The emitter voltage of the transistor 65 at this time V 17 (V 17 = Vcc
Lower than −2V BE + I 11 R 60 ). Therefore, the transistor 68
Is on, the transistor 69 is off, the transistor 70 is on, and the transistor 71 is off. As a result, FIG.
As shown in, the output Q from the output terminal 85 changes to the low level, and the output Q from the output terminal 86 is output.
Changes to high level.

コンデンサ64に蓄えられていた電荷は、エミッタフォロ
ワトランジスタ62がオフしているので、トランジスタ66
を流れる電流I12により放電される。このため、エミッ
タフォロワトランジスタ62のエミッタ電圧V16は、徐々
に下降し、ダイオード接続のトランジスタ65のエミッタ
電圧V17は、第5図Dに示すように、これに伴って下降
していく。トランジスタ65のエミッタ電圧V17がトラン
ジスタ69のベース電圧V20より低くなると、トランジス
タ68がオフし、トランジスタ69がオンする。
Since the emitter follower transistor 62 is off, the charge stored in the capacitor 64 is
It is discharged by the current I 12 flowing through it. Therefore, the emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 gradually decreases, and the emitter voltage V 17 of the diode-connected transistor 65 gradually decreases as shown in FIG. 5D. When the emitter voltage V 17 of the transistor 65 becomes lower than the base voltage V 20 of the transistor 69, the transistor 68 turns off and the transistor 69 turns on.

一方、エミッタフォロワトランジスタ63のエミッタ電圧
V15は、第5図Cに示すように、(V15=Vcc−VBE)で一
定である。このため、トランジスタ68がオフし、トラン
ジスタ69がオンする時刻t15で、第5図Eに示すよう
に、出力端子85から取り出される出力がハイレベルに
変化し、出力端子86から取り出される出力Qがローレベ
ルに変化する。
On the other hand, the emitter voltage of the emitter follower transistor 63
V 15 is constant at (V 15 = Vcc−V BE ) as shown in FIG. 5C. Thus, at time t 15 the transistor 68 is turned off, the transistor 69 is turned on, as shown in FIG. 5 E, the output Q of output taken from the output terminal 85 is changed to the high level, it is taken out from the output terminal 86 Changes to low level.

時刻t16でエミッタフォロワトランジスタ62のエミッタ
電圧V16が(V16=Vcc−VBE−I11R59)まで下降し、トラ
ンジスタ65のエミッタ電圧V17が(V17=Vcc−2VBE−I11
R59)まで下降すると、エミッタフォロワトランジスタ6
2がオンし、エミッタフォロワトランジスタ62のエミッ
タ電圧V16が一定電圧に保たれる。そして、コンデンサ6
4に電荷が蓄えられる。
Lowered emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 to (V 16 = Vcc-V BE -I 11 R 59) at time t 16, the emitter voltage V 17 of the transistor 65 is (V 17 = Vcc-2V BE -I 11
R 59 ), the emitter follower transistor 6
2 is turned on and the emitter voltage V 16 of the emitter follower transistor 62 is maintained at a constant voltage. And capacitor 6
Electric charge is stored in 4.

この出力パルス幅τ11は、以下のように求められる。This output pulse width τ 11 is obtained as follows.

第5図において、時刻t11で入力信号が変化すると、時
刻(t11〜t12)までの間、パルス幅τ11のパルスが出力
される。このパルス幅τ11は、第5図Cに示すように、
入力信号が変化してから、エミッタフォロワトランジス
タ63のエミッタ電圧V15がトランジスタ71のベース電圧V
19より低くなるまでの時間に等しい。入力信号が変化し
た直後のエミッタフォロワトランジスタ63のエミッタ電
圧V15は、(V15=Vcc−VBE+I11R59)である。したがっ
て、入力変化直後のエミッタフォロワトランジスタ63の
エミッタ電圧V15とトランジスタ71のベース電圧V19との
電位差は、トランジスタ80を流れる電流をI15、抵抗79
の抵抗値R79とすると、 V15−V19 =(Vcc−VBE+I11R59)−(Vcc−I15R79−VBE) =I11R59+I15R79 である。よって、コンデンサ64の静電容量をC11とする
と、パルス幅τ11は、 τ11=C11(I11R59+I15R79)/I13 …… で求められる。
In FIG. 5, when the input signal changes at time t 11 , a pulse having a pulse width τ 11 is output during the time (t 11 to t 12 ). This pulse width τ 11 is, as shown in FIG. 5C,
After the input signal changes, the emitter follower transistor 63 emitter voltage V 15
It is equal to the time until it becomes lower than 19 . The emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 immediately after the change of the input signal is (V 15 = Vcc−V BE + I 11 R 59 ). Therefore, the potential difference between the emitter voltage V 15 of the emitter follower transistor 63 and the base voltage V 19 of the transistor 71 immediately after the input is changed is that the current flowing through the transistor 80 is I 15 , the resistance 79 is
The resistance value of R 79 is V 15 −V 19 = (Vcc−V BE + I 11 R 59 ) − (Vcc−I 15 R 79 −V BE ) = I 11 R 59 + I 15 R 79 . Therefore, assuming that the capacitance of the capacitor 64 is C 11 , the pulse width τ 11 can be obtained by τ 11 = C 11 (I 11 R 59 + I 15 R 79 ) / I 13 ...

時刻t14で入力信号が変化して出力されるパルスのパル
ス幅は、入力信号が変化してからトランジスタ65のエミ
ッタ電圧V17がトランジスタ71のベース電圧V19より低く
なるまでの時間に等しい。トランジスタ66を流れる電流
I12、トランジスタ67を流れる電流I13、トランジスタ82
を流れる電流I14は、等しい。したがって、パルス幅
は、式で同様に求められる。
The pulse width of the pulse output when the input signal changes at time t 14 is equal to the time from when the input signal changes until the emitter voltage V 17 of the transistor 65 becomes lower than the base voltage V 19 of the transistor 71. Current flowing through transistor 66
I 12 , current through transistor 67 I 13 , transistor 82
The currents I 14 flowing through are equal. Therefore, the pulse width is similarly obtained by the equation.

、電流I11,I13と同様に、電流I15も電源端子54に供給さ
れる基準電圧Vrから形成される。
Similarly to the currents I 11 and I 13 , the current I 15 is also formed from the reference voltage Vr supplied to the power supply terminal 54.

Vr′=Vr−VBE とし、抵抗55,外部抵抗84,抵抗84の抵抗値を夫々R55,Re
84,R81とすると、電流I11,I13,I15は、夫々、 I11=Vr′/R55,I13=Vr′/Re84,I15=Vr′/R81 で示される。これらを、式に代入すると、 t11=C11((R59/R55)+(R79/R81))Re84 …… となる。式に示されるように、パルス幅τ11は、コン
デンサ64の静電容量C11と、抵抗比R59/R55,R79/R84と、
外部抵抗84の抵抗値Re84により決まる。よって、温度特
性の影響を殆ど受けず、一定幅のパルスが得られる。
Let Vr ′ = Vr−V BE, and set the resistance values of the resistor 55, external resistor 84, and resistor 84 to R 55 and Re, respectively.
84 and R 81 , the currents I 11 , I 13 and I 15 are shown by I 11 = Vr ′ / R 55 , I 13 = Vr ′ / Re 84 and I 15 = Vr ′ / R 81 , respectively. Substituting these into the equation gives t 11 = C 11 ((R 59 / R 55 ) + (R 79 / R 81 )) Re 84 ……. As shown in the equation, the pulse width τ 11 is the capacitance C 11 of the capacitor 64, the resistance ratio R 59 / R 55 , R 79 / R 84 ,
Determined by the resistance value Re 84 of the external resistor 84. Therefore, a pulse having a constant width can be obtained with almost no influence of temperature characteristics.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

この発明に依れば、素子数が少なく、簡単な構成で入力
信号の立上がり及び立下がりでトリガーされるバイ−デ
ィレクショナルモノステーブルマルチバイブレータが構
成できる。また、この発明に依れば、集積回路化した場
合、パルス幅が外付け抵抗と集積回路内のコンデンサの
静電容量と集積回路内の抵抗比により決まる。このた
め、バラツキが少なく、温度特性が極めて良好である。
According to the present invention, a bi-directional monostable multivibrator having a small number of elements and having a simple configuration and triggered by rising and falling of an input signal can be constructed. Further, according to the present invention, when integrated into a circuit, the pulse width is determined by the external resistance, the capacitance of the capacitor in the integrated circuit, and the resistance ratio in the integrated circuit. Therefore, there is little variation and the temperature characteristics are extremely good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例の接続図、第2図はこの発
明の一実施例の説明に用いる波形図、第3図はこの発明
の一実施例の説明に用いる接続図、第4図はこの発明の
他の実施例の接続図、第5図はこの発明の他の実施例の
説明に用いる波形図、第6図は従来のモノマルチのブロ
ック図、第7図は従来のモノマルチの説明に用いる波形
図、第8図は従来のモノマルチにおける微分回路の一例
のブロック図、第9図は従来のモノマルチにおける微分
回路の説明に用いる波形図、第10図は従来のモノマルチ
における微分回路の一例の接続図である。 図面における主要な符号の説明 7,8,57,58:入力端子、1,2,51,52:差動回路を構成するト
ランジスタ、12,13,62,63:エミッタフォロワトランジス
タ、16,64:コンデンサ、31,32,85,86:出力端子。
FIG. 1 is a connection diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a waveform diagram used to explain one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a connection diagram used to explain one embodiment of the present invention. FIG. 7 is a connection diagram of another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a waveform diagram used to explain another embodiment of the present invention, FIG. 6 is a block diagram of a conventional mono-multi, and FIG. 7 is a conventional mono-multi. FIG. 8 is a waveform diagram used for explaining the multi, FIG. 8 is a block diagram of an example of a differentiation circuit in the conventional mono-multi, FIG. 9 is a waveform diagram used for explaining the differentiation circuit in the conventional mono-multi, and FIG. 10 is a conventional mono-multi. It is a connection diagram of an example of a differentiation circuit in the multi. Description of main symbols in the drawings 7,8,57,58: Input terminals, 1,2,51,52: Transistors that make up a differential circuit, 12,13,62,63: Emitter follower transistors, 16,64: Capacitors, 31, 32, 85, 86: output terminals.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】互いのエミッタが共通接続された第1及び
第2のトランジスタからなる差動回路と、 上記第1及び第2のトランジスタのベースから導出され
た入力端子と、 上記第1及び第2のトランジスタのコレクタにそのベー
スが接続され、エミッタフォロワ回路を構成する第3及
び第4のトランジスタと、 上記第3及び第4のトランジスタに所定の電流を流し、
その電流値が外付け抵抗で設定される電流源と、 上記第3及び第4のトランジスタのエミッタ間に接続さ
れたコンデンサと、 上記コンデンサの両端の出力が供給され、上記コンデン
サの両端電圧の変化に応じたパルス幅のパルスを形成す
るパルス形成回路と、 上記パルス形成回路から導出された出力端子と からなり、 上記入力端子に入力パルスを与え、上記コンデンサの両
端の電圧を上記パルス形成回路に供給して、上記入力パ
ルスの立上がり及び立下がりのエッジから上記コンデン
サと外付け抵抗とで定まる所定のパルス幅の出力信号を
形成する ようにしたモノステーブルマルチバイブレータ。
1. A differential circuit comprising first and second transistors whose emitters are commonly connected, an input terminal derived from the bases of the first and second transistors, and the first and second transistors. The base of the second transistor is connected to the collector of the second transistor, and a predetermined current flows through the third and fourth transistors that form the emitter follower circuit and the third and fourth transistors,
A current source whose current value is set by an external resistor, a capacitor connected between the emitters of the third and fourth transistors, and outputs of both ends of the capacitor are supplied to change the voltage across the capacitor. It consists of a pulse forming circuit that forms a pulse with a pulse width according to the above, and an output terminal that is derived from the above pulse forming circuit.An input pulse is applied to the above input terminal and the voltage across the capacitor is applied to the above pulse forming circuit. A monostable multivibrator which is supplied to form an output signal having a predetermined pulse width determined by the capacitor and an external resistor from rising and falling edges of the input pulse.
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