JPH0778860B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0778860B2 JPH0778860B2 JP63262018A JP26201888A JPH0778860B2 JP H0778860 B2 JPH0778860 B2 JP H0778860B2 JP 63262018 A JP63262018 A JP 63262018A JP 26201888 A JP26201888 A JP 26201888A JP H0778860 B2 JPH0778860 B2 JP H0778860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- insulating layer
- organic insulating
- magnetic head
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘツド、特に、高密度記録用薄膜磁
気ヘツドに関するものである。
気ヘツドに関するものである。
コンピユータ等で高密度磁気ヘツドとして用いられる薄
膜磁気ヘツドの要部の断面は第２図に示すようになつて
いる。この図で、1a,1bは磁性膜、２は透明無機ガラス
よりなる磁気ギヤツプ、３はコイル、４は磁性膜1a,1b
とコイル３との間に充填されている有機絶縁層、５は磁
性膜1a,1bの外側をおおう無機材料よりなる保護膜、６
は基板、７は浮上面を示している。
膜磁気ヘツドの要部の断面は第２図に示すようになつて
いる。この図で、1a,1bは磁性膜、２は透明無機ガラス
よりなる磁気ギヤツプ、３はコイル、４は磁性膜1a,1b
とコイル３との間に充填されている有機絶縁層、５は磁
性膜1a,1bの外側をおおう無機材料よりなる保護膜、６
は基板、７は浮上面を示している。
この薄膜磁気ヘツドで、コイル３に電流を与えると、磁
束が磁性膜1a,1bに集束されて磁気ギヤツプ２の先端部
に強い磁界を発生させる。この磁界で、浮上面７に対向
して置かれるデイスク（図示せず）上に情報を記録す
る。また、デイスク上に磁化されて記録された情報が、
磁気ギヤツプ２の先端を横切ると磁性膜1a,1b内に磁束
の変化が生じコイル３に起電圧が発生し、これにより情
報を読み取ることができる。
束が磁性膜1a,1bに集束されて磁気ギヤツプ２の先端部
に強い磁界を発生させる。この磁界で、浮上面７に対向
して置かれるデイスク（図示せず）上に情報を記録す
る。また、デイスク上に磁化されて記録された情報が、
磁気ギヤツプ２の先端を横切ると磁性膜1a,1b内に磁束
の変化が生じコイル３に起電圧が発生し、これにより情
報を読み取ることができる。
このような薄膜磁気ヘツドの形状は、例えば、川上：大
型磁気デイスク用薄膜磁気ヘツド，エレクトロニツク
パツケツジング テクノロジ（Electronic Packaging T
echnology）,Vol.1No.2（1985,7）pp110〜117に記載さ
れており、特開昭52−92709号公報には、ポール厚み
（磁性膜厚）がｐ、記録波長がλＷ、磁気ギヤツプ長が
ｂであるとき、ｂ≦λＷ−2pによつて磁気ギヤツプ長の
上限が与えられる旨記載されている。
型磁気デイスク用薄膜磁気ヘツド，エレクトロニツク
パツケツジング テクノロジ（Electronic Packaging T
echnology）,Vol.1No.2（1985,7）pp110〜117に記載さ
れており、特開昭52−92709号公報には、ポール厚み
（磁性膜厚）がｐ、記録波長がλＷ、磁気ギヤツプ長が
ｂであるとき、ｂ≦λＷ−2pによつて磁気ギヤツプ長の
上限が与えられる旨記載されている。
高密度磁気デイスク装置用の磁気ヘツドは、ギヤツプ深
さ寸法精度として0.8±0.7μｍを電磁変換特性上要求さ
れており、ギヤツプ深さ上限値は1.5μｍ、下限値は0.1
μｍである。このうち、上限値は磁気ギヤツプが形成さ
れたことを顕微鏡観察すれば判断できる。しかし、下限
値の検査においては有機絶縁層が磁気ギヤツプ表面に露
出していないことを検査する必要があるが、これを可能
とする適切な方法がなかつた。そして、磁気ギヤツプ長
の上限値は、前述したように与えられていたが、下限値
は与えられていなかつた。
さ寸法精度として0.8±0.7μｍを電磁変換特性上要求さ
れており、ギヤツプ深さ上限値は1.5μｍ、下限値は0.1
μｍである。このうち、上限値は磁気ギヤツプが形成さ
れたことを顕微鏡観察すれば判断できる。しかし、下限
値の検査においては有機絶縁層が磁気ギヤツプ表面に露
出していないことを検査する必要があるが、これを可能
とする適切な方法がなかつた。そして、磁気ギヤツプ長
の上限値は、前述したように与えられていたが、下限値
は与えられていなかつた。
本発明は、薄膜磁気ヘツドの磁気ギヤツプの適否の判定
が容易、確実に可能な薄膜磁気ヘツドを提供することを
目的とするものである。
が容易、確実に可能な薄膜磁気ヘツドを提供することを
目的とするものである。
上述の課題を解決するためにとられた本発明の構成は、 （１）基板と、先端部に透明無機ガラスよりなる磁気ギ
ャップを介して平行部分が形成されている磁性膜と、該
磁性膜間に充填されその中にコイルが埋設される有機絶
縁層とを有し、前記磁気ギャップが前記磁性膜の厚み及
び記録波長が、それぞれ、ｐ及びλＷである場合、ｂ≦
λＷ−2pの関係を満足する磁気ギャップ長ｂを有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁層を構成する絶縁
物がその発生する螢光の波長λがλ＜πb/1.2（Ｐ偏光
透過率がＳ偏光透過率より相対的に小さくなる）なる関
係を満足する絶縁物よりなることを特徴とする。
ャップを介して平行部分が形成されている磁性膜と、該
磁性膜間に充填されその中にコイルが埋設される有機絶
縁層とを有し、前記磁気ギャップが前記磁性膜の厚み及
び記録波長が、それぞれ、ｐ及びλＷである場合、ｂ≦
λＷ−2pの関係を満足する磁気ギャップ長ｂを有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁層を構成する絶縁
物がその発生する螢光の波長λがλ＜πb/1.2（Ｐ偏光
透過率がＳ偏光透過率より相対的に小さくなる）なる関
係を満足する絶縁物よりなることを特徴とする。
（２）基板と、先端部に透明無機ガラスよりなる磁気ギ
ャップを介して平行部分が形成されている磁性膜と、該
磁性膜間に充填されその中にコイルが埋設される有機絶
縁物とを有し、前記磁気ギヤツプが前記磁気膜の厚み及
び記録波長が、それぞれ、ｐ及びλＷである場合、ｂ≦
λＷ−2pの関係を満足する磁気ギャップ長ｂを有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁層を構成する絶縁
物がその発生する螢光の波長λがほぼπb/1.8（Ｓ偏光
透過率が最大となりＰ偏光透過率が相対的に最も小さく
なる）なる関係を満足する絶縁物よりなることを特徴と
する。
ャップを介して平行部分が形成されている磁性膜と、該
磁性膜間に充填されその中にコイルが埋設される有機絶
縁物とを有し、前記磁気ギヤツプが前記磁気膜の厚み及
び記録波長が、それぞれ、ｐ及びλＷである場合、ｂ≦
λＷ−2pの関係を満足する磁気ギャップ長ｂを有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁層を構成する絶縁
物がその発生する螢光の波長λがほぼπb/1.8（Ｓ偏光
透過率が最大となりＰ偏光透過率が相対的に最も小さく
なる）なる関係を満足する絶縁物よりなることを特徴と
する。
（３）（１）または（２）において、前記絶縁物がポリ
イミド樹脂であることを特徴とする。
イミド樹脂であることを特徴とする。
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁気ギヤツプに光を照射
し、有機絶縁層より発生する蛍光が磁気ギヤツプを透過
した後のＳ及びＰ偏光のエネルギ透過率を測定する。こ
れは有機絶縁層が発する蛍光は、スリツト形状の磁気ギ
ヤツプ部を通過する際に、Ｐ偏光強度とＳ偏光強度の比
率が変化するという偏光特性を有し、この比率はスリツ
トの間げき長に相当する磁気ギヤツプ長の値により変化
し、磁気ギヤツプ長がある一定値（下限値）以上では上
記比率は殆ど変化せず一定値に収れんする性質を有する
点を利用するものである。
し、有機絶縁層より発生する蛍光が磁気ギヤツプを透過
した後のＳ及びＰ偏光のエネルギ透過率を測定する。こ
れは有機絶縁層が発する蛍光は、スリツト形状の磁気ギ
ヤツプ部を通過する際に、Ｐ偏光強度とＳ偏光強度の比
率が変化するという偏光特性を有し、この比率はスリツ
トの間げき長に相当する磁気ギヤツプ長の値により変化
し、磁気ギヤツプ長がある一定値（下限値）以上では上
記比率は殆ど変化せず一定値に収れんする性質を有する
点を利用するものである。
そして、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップに隣
接して形成される有機絶縁層が、磁気ギャップ長との関
係において、露出判定法の信頼性が得られるような有機
絶縁物を用いて構成されているので、磁気ギャップに隣
接して形成される有機絶縁物が浮上面に露出しているか
どうかの判定を容易、確実に可能とするものである。
接して形成される有機絶縁層が、磁気ギャップ長との関
係において、露出判定法の信頼性が得られるような有機
絶縁物を用いて構成されているので、磁気ギャップに隣
接して形成される有機絶縁物が浮上面に露出しているか
どうかの判定を容易、確実に可能とするものである。
以下、本発明の一実施例のコンピユータ用薄膜磁気ヘツ
ドについて説明する。
ドについて説明する。
通常の磁気ヘツドの浮上面７の加工においては、第２図
に示すように、磁極膜1a,1bの先端の平行部分の寸法ｄ
が正の値となるようにＡ−Ａ′まで加工が行なわれる
が、誤まつて第２図のＢ−Ｂ′の位置まで加工し過ぎた
場合には、有機絶縁層４が浮上面７に露出してしまい、
対向して置かれている磁気デイスクの回転起動及び停止
時に、有機絶縁層４を構成する有機物がデイスク表面に
接触・付着して、磁気ヘツドの浮上特性に支障をきたす
ことになるため、加工終了後有機絶縁層４がヘツド浮上
面７に露出しているか否かの判定が行なわれる。
に示すように、磁極膜1a,1bの先端の平行部分の寸法ｄ
が正の値となるようにＡ−Ａ′まで加工が行なわれる
が、誤まつて第２図のＢ−Ｂ′の位置まで加工し過ぎた
場合には、有機絶縁層４が浮上面７に露出してしまい、
対向して置かれている磁気デイスクの回転起動及び停止
時に、有機絶縁層４を構成する有機物がデイスク表面に
接触・付着して、磁気ヘツドの浮上特性に支障をきたす
ことになるため、加工終了後有機絶縁層４がヘツド浮上
面７に露出しているか否かの判定が行なわれる。
第１図は、有機絶縁層４がヘツド浮上面７に露出してい
るか否かの判定で行なう装置を原理的に示す説明図であ
る。この図で、８は薄膜磁気ヘツド、９は光源、10はダ
イクロイツクミラ、11は対物レンズ、12は偏光ビームス
プリツタ、15,16は結像レンズ、17,18は受光素子、19は
演算処理装置を示している。
るか否かの判定で行なう装置を原理的に示す説明図であ
る。この図で、８は薄膜磁気ヘツド、９は光源、10はダ
イクロイツクミラ、11は対物レンズ、12は偏光ビームス
プリツタ、15,16は結像レンズ、17,18は受光素子、19は
演算処理装置を示している。
この装置で、光源９より出た光はダイクロイツクミラ10
を透過して特定波長の光となり対物レンズ11により薄膜
磁気ヘツド８に集光される。すると、薄膜磁気８ヘツド
を有機絶縁層４（第２図参照）は、照射された光の波長
とは異なりより長波長領域の特定波長の蛍光を発する。
蛍光は磁気ギヤツプ２の狭いスリツトを通つて浮上面７
に出射するが、この時に偏光特性を生じる。第３図は第
２図のＸ方向から視た平面図で、スリツトの長手方向に
振動するＳ偏光とこれと直角方向に振動するＰ偏光とに
わかれる状態が示してあり、各々の偏光の強度がIS,IP
で示してある。出射された蛍光はダイクロイツクミラ10
で反射後、偏光ビームスプリツタ12でＳ偏光とＰ偏光と
に分かれた後、それぞれ結像レンズ15,16により、受光
素子17にＳ偏光が、受光素子18にＰ偏光が入射する。受
光素子17,18で各々の偏光強度IS,IPに応じた電圧が出力
され、強度比IS/IPを演算処理装置19により求め、有機
絶縁層４の露出の有無を判定する。
を透過して特定波長の光となり対物レンズ11により薄膜
磁気ヘツド８に集光される。すると、薄膜磁気８ヘツド
を有機絶縁層４（第２図参照）は、照射された光の波長
とは異なりより長波長領域の特定波長の蛍光を発する。
蛍光は磁気ギヤツプ２の狭いスリツトを通つて浮上面７
に出射するが、この時に偏光特性を生じる。第３図は第
２図のＸ方向から視た平面図で、スリツトの長手方向に
振動するＳ偏光とこれと直角方向に振動するＰ偏光とに
わかれる状態が示してあり、各々の偏光の強度がIS,IP
で示してある。出射された蛍光はダイクロイツクミラ10
で反射後、偏光ビームスプリツタ12でＳ偏光とＰ偏光と
に分かれた後、それぞれ結像レンズ15,16により、受光
素子17にＳ偏光が、受光素子18にＰ偏光が入射する。受
光素子17,18で各々の偏光強度IS,IPに応じた電圧が出力
され、強度比IS/IPを演算処理装置19により求め、有機
絶縁層４の露出の有無を判定する。
有機絶縁層４の発する蛍光が磁気ギヤツプ２のスリツト
を透過する際のエネルギ透過率は、Ｐ偏光及びＳ偏光に
対してそれぞれ第４図及び第５図に示すようになる。こ
れらの図で横軸，縦軸にはそれぞれka、透過率がとつて
ある。ここで、 であり、ａは磁気ギヤツプ長ｂ（＝2a）の半分に相当す
る（第２図参照）。
を透過する際のエネルギ透過率は、Ｐ偏光及びＳ偏光に
対してそれぞれ第４図及び第５図に示すようになる。こ
れらの図で横軸，縦軸にはそれぞれka、透過率がとつて
ある。ここで、 であり、ａは磁気ギヤツプ長ｂ（＝2a）の半分に相当す
る（第２図参照）。
第４図よりＰ偏光透過率は１＜kaにおいてはほぼ１の値
を示すが、ka＜１においては透過率は急激に増大する。
また、第５図よりＳ偏光透過率は1.3＜kaにおいてほぼ
１以上の値を示すが、ka＜1.3においては急激に減少す
る。
を示すが、ka＜１においては透過率は急激に増大する。
また、第５図よりＳ偏光透過率は1.3＜kaにおいてほぼ
１以上の値を示すが、ka＜1.3においては急激に減少す
る。
次に、この偏光透過率特性を利用して有機絶縁層４の露
出の有無の判定を行なう方法について説明する。
出の有無の判定を行なう方法について説明する。
第２図でBB′まで加工が行なわれると、有機絶縁層４は
直接浮上面７に露出する。すなわち、有機絶縁層４で形
成された極く狭いスリツトから直接出射する蛍光部分が
生じ、この狭いスリツトでは、第４図及び第５図でka
０の偏光透過率特性となるためＰ偏光が強く検出され、
Ｓ偏光は殆ど検出されない。一方、透明無機ガラスで薄
膜形成された磁気ギヤツプ２によるスリツトを出射する
蛍光部分は、有機絶縁層４の露出有無に拘らずほぼ一定
であり、その偏光透過率特性は第４図及び第５図のkaで
決まる。
直接浮上面７に露出する。すなわち、有機絶縁層４で形
成された極く狭いスリツトから直接出射する蛍光部分が
生じ、この狭いスリツトでは、第４図及び第５図でka
０の偏光透過率特性となるためＰ偏光が強く検出され、
Ｓ偏光は殆ど検出されない。一方、透明無機ガラスで薄
膜形成された磁気ギヤツプ２によるスリツトを出射する
蛍光部分は、有機絶縁層４の露出有無に拘らずほぼ一定
であり、その偏光透過率特性は第４図及び第５図のkaで
決まる。
従つて、磁気ギヤツプ２におけるＰ偏光透過光強度をＳ
偏光に対し相対的に弱い状態にしておけば、有機絶縁層
４が浮上面７に露出した場合のＰ偏光を強く検出するこ
とができ、有機絶縁層４の路を高感度に検出可能とな
る。このための磁気ギヤツプ２の最適な形状は、第４
図，第５図より1.2＜kaであり、この領域ではＳ偏光透
過率はほぼ１以上と大きく、またＰ偏光透過率はほぼ１
であり、Ｐ偏光は相対的に弱められる。
偏光に対し相対的に弱い状態にしておけば、有機絶縁層
４が浮上面７に露出した場合のＰ偏光を強く検出するこ
とができ、有機絶縁層４の路を高感度に検出可能とな
る。このための磁気ギヤツプ２の最適な形状は、第４
図，第５図より1.2＜kaであり、この領域ではＳ偏光透
過率はほぼ１以上と大きく、またＰ偏光透過率はほぼ１
であり、Ｐ偏光は相対的に弱められる。
以上の結果、磁気ギヤツプ長ｂ＝2aの最適形状は、1.2
＜kaより として与えられる。また、第５図よりka≒1.8ではＳ偏
光透過率が最大となり、Ｐ偏光が相対的に最も弱くなり
IP/ISが最小となることから、有機絶縁層４露出時のIP
の強度増大を検出するのに最適な状態といえる。そし
て、このための磁気ギヤツプ長は となる。
＜kaより として与えられる。また、第５図よりka≒1.8ではＳ偏
光透過率が最大となり、Ｐ偏光が相対的に最も弱くなり
IP/ISが最小となることから、有機絶縁層４露出時のIP
の強度増大を検出するのに最適な状態といえる。そし
て、このための磁気ギヤツプ長は となる。
例えば、有機絶縁層４としてPIQ（ポリイミド樹脂）を
用いた場合、第１図のダイクロイツクミラ10で緑色の光
を磁気ヘツド８に当てると、PIQは波長λが0.6〜0.7μ
ｍの赤色の蛍光を発する。従つてこの場合の磁気ギヤツ
プｂの最適形状は0.23〜0.27μｍ＜ｂとなる。またこの
中でｂ≒0.34〜0.40μｍが、PIQ露出によるIP強度変化
を最も高感度に検出できる最適形状となる。
用いた場合、第１図のダイクロイツクミラ10で緑色の光
を磁気ヘツド８に当てると、PIQは波長λが0.6〜0.7μ
ｍの赤色の蛍光を発する。従つてこの場合の磁気ギヤツ
プｂの最適形状は0.23〜0.27μｍ＜ｂとなる。またこの
中でｂ≒0.34〜0.40μｍが、PIQ露出によるIP強度変化
を最も高感度に検出できる最適形状となる。
従つて、磁極平行部分のｄ寸法が正となるように、磁気
ヘツドの品質管理を行なうことが可能となり、磁気特性
の安定性を向上させることができる。
ヘツドの品質管理を行なうことが可能となり、磁気特性
の安定性を向上させることができる。
本発明は、薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップの適否の判定
が容易、確実に可能な薄膜磁気ヘッドを提供可能とする
もので、産業上の効果の大なるものである。
が容易、確実に可能な薄膜磁気ヘッドを提供可能とする
もので、産業上の効果の大なるものである。
第１図は本発明の薄膜磁気ヘツドの磁気ギヤツプの検査
方法の説明図、第２図は薄膜磁気ヘツドの要部断面図、
第３図は第２図のＸ方向から視た要部平面図、第４図及
び第５図はそれぞれ本発明の薄膜磁気ヘツドの磁気ギヤ
ツプを検査する場合におけるＰ偏光及びＳ偏光の透過率
の説明図である。 1a,1b……磁性膜、２……磁気ギヤツプ、４……有機絶
縁層、７……浮上面、８……薄膜磁気ヘツド、９……光
源、10……ダイクロイツクミラ、12……偏向ビームスプ
リツタ、17,18……受光素子、19……演算処理装置。
方法の説明図、第２図は薄膜磁気ヘツドの要部断面図、
第３図は第２図のＸ方向から視た要部平面図、第４図及
び第５図はそれぞれ本発明の薄膜磁気ヘツドの磁気ギヤ
ツプを検査する場合におけるＰ偏光及びＳ偏光の透過率
の説明図である。 1a,1b……磁性膜、２……磁気ギヤツプ、４……有機絶
縁層、７……浮上面、８……薄膜磁気ヘツド、９……光
源、10……ダイクロイツクミラ、12……偏向ビームスプ
リツタ、17,18……受光素子、19……演算処理装置。
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、先端部に透明無機ガラスよりなる
磁気ギャップを介して平行部分が形成されている磁性膜
と、該磁性膜間に充填されその中にコイルが埋設される
有機絶縁層とを有し、前記磁気ギャップが、前記磁気膜
の厚み及び記録波長が、それぞれ、ｐ及びλＷである場
合、ｂ≦λＷ−2pの関係を満足する磁気ギャップ長ｂを
有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁層を構成
する絶縁物がその発生する螢光の波長λがλ＜πb/1.2
なる関係を満足する絶縁物よりなることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】基板と、先端部に透明無機ガラスよりなる
磁気ギャップを介して平行部分が形成されている磁性膜
と、該磁性膜間に充填されその中にコイルが埋設される
有機絶縁層とを有し、前記磁気ギャップが、前記磁性膜
の厚み及び記録波長が、それぞれ、ｐ及びλＷである場
合、ｂ≦λＷ−2pの関係を満足する磁気ギャップ長ｂを
有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁層を構成
する絶縁物がその発生する螢光の波長λがほぼπb/1.8
なる関係を満足する絶縁物よりなることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記絶縁物がポリイミド樹脂である請求項
１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262018A JPH0778860B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262018A JPH0778860B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108211A JPH02108211A (ja) | 1990-04-20 |
| JPH0778860B2 true JPH0778860B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=17369875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63262018A Expired - Lifetime JPH0778860B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778860B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0785294B2 (ja) * | 1986-10-17 | 1995-09-13 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツドの有機絶縁物露出判定法 |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63262018A patent/JPH0778860B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02108211A (ja) | 1990-04-20 |
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