JPH0778590A - プラズマイオン源質量分析装置 - Google Patents
プラズマイオン源質量分析装置Info
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- JPH0778590A JPH0778590A JP5226098A JP22609893A JPH0778590A JP H0778590 A JPH0778590 A JP H0778590A JP 5226098 A JP5226098 A JP 5226098A JP 22609893 A JP22609893 A JP 22609893A JP H0778590 A JPH0778590 A JP H0778590A
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- mass filter
- sampling interface
- plasma
- axis
- ion
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/06—Electron- or ion-optical arrangements
- H01J49/061—Ion deflecting means, e.g. ion gates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 帯電を引き起こして分析を不安定にする膜の
付着しないイオンレンズを供給する。 【構成】 イオンレンズが、イオンのビームを９０度偏
向させる９０度偏向器を持ち、偏向器のサンプリングイ
ンターフェースの対向側を開口した。また９０度偏向器
とマスフィルターの間に少なくとも１対以上で構成され
た補正電極を設置した。 【効果】 試料中の微量不純物を効率良く検出するばか
りでなく、いつまでも安定して測定できるようにする。
付着しないイオンレンズを供給する。 【構成】 イオンレンズが、イオンのビームを９０度偏
向させる９０度偏向器を持ち、偏向器のサンプリングイ
ンターフェースの対向側を開口した。また９０度偏向器
とマスフィルターの間に少なくとも１対以上で構成され
た補正電極を設置した。 【効果】 試料中の微量不純物を効率良く検出するばか
りでなく、いつまでも安定して測定できるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料中の微量不純物
の同定・定量を行なうプラズマイオン源質量分析装置に
関する。プラズマイオン源質量分析装置とは誘導結合プ
ラズマ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳと呼ぶ）およびマイ
クロ波誘導プラズマ質量分析装置（ＭＩＰ−ＭＳと呼
ぶ）を含むものである。
の同定・定量を行なうプラズマイオン源質量分析装置に
関する。プラズマイオン源質量分析装置とは誘導結合プ
ラズマ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳと呼ぶ）およびマイ
クロ波誘導プラズマ質量分析装置（ＭＩＰ−ＭＳと呼
ぶ）を含むものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術の構成例を図４を用いて説明
する。図４において、１はプラズマ発生装置、２はプラ
ズマである。プラズマ発生装置１には、例えば「ＩＣＰ
発光分析の基礎と応用」（原口：著、講談社サイエンテ
ィフィク）に開示されている誘導結合プラズマの発生装
置や、例えば特開平1-309300号公報（USP4,933,650) に
開示されているマイクロ波誘導プラズマ発生装置があ
る。
する。図４において、１はプラズマ発生装置、２はプラ
ズマである。プラズマ発生装置１には、例えば「ＩＣＰ
発光分析の基礎と応用」（原口：著、講談社サイエンテ
ィフィク）に開示されている誘導結合プラズマの発生装
置や、例えば特開平1-309300号公報（USP4,933,650) に
開示されているマイクロ波誘導プラズマ発生装置があ
る。
【０００３】分析する試料（図示せず）は、プラズマ発
生装置１によって発生したプラズマ２に導入されてイオ
ン化する。３はサンプリングコーン、４はスキマーコー
ン、５は真空ポンプである。サンプリングコーン３は円
錐の先端に径が０．８から１．２ｍｍの穴の開いた形状
をしており、スキマーコーン４は円錐の先端に径が０．
３から０．６ｍｍの穴の開いた形状をしている。サンプ
リングインターフェースは、サンプリングコーン３とス
キマーコーン４で構成されている。サンプリングコーン
３とスキマーコーン４の間は、分析時には真空ポンプ５
（一般的にはロータリーポンプが使用される）により１
torr程度に排気される。
生装置１によって発生したプラズマ２に導入されてイオ
ン化する。３はサンプリングコーン、４はスキマーコー
ン、５は真空ポンプである。サンプリングコーン３は円
錐の先端に径が０．８から１．２ｍｍの穴の開いた形状
をしており、スキマーコーン４は円錐の先端に径が０．
３から０．６ｍｍの穴の開いた形状をしている。サンプ
リングインターフェースは、サンプリングコーン３とス
キマーコーン４で構成されている。サンプリングコーン
３とスキマーコーン４の間は、分析時には真空ポンプ５
（一般的にはロータリーポンプが使用される）により１
torr程度に排気される。
【０００４】６は真空容器、７はイオンレンズ、８はマ
スフィルター、９は検出器、１２はデータ処理部であ
る。真空容器６の内部は、別の２つの真空ポンプ５、５
により排気されており、イオンレンズ７の設置された部
屋で１０-4torr程度に、検出器９の設置された部屋で１
０-6torr程度の真空に維持される。なおこれらの真空ポ
ンプ５、５は、ターボ分子ポンプや油拡散ポンプが一般
的に使用されている。
スフィルター、９は検出器、１２はデータ処理部であ
る。真空容器６の内部は、別の２つの真空ポンプ５、５
により排気されており、イオンレンズ７の設置された部
屋で１０-4torr程度に、検出器９の設置された部屋で１
０-6torr程度の真空に維持される。なおこれらの真空ポ
ンプ５、５は、ターボ分子ポンプや油拡散ポンプが一般
的に使用されている。
【０００５】プラズマ２でイオン化した試料はプラズマ
２の光と共に、サンプリングコーン３およびスキマーコ
ーン４の穴を通過してイオンレンズ７に到達する。イオ
ンレンズ７は、到達したイオンと光のうちイオンのみを
マスフィルター８に導く働きをしている。マスフィルタ
ー８は、マスフィルター８に到達したイオンのうち、所
定の質量のイオンのみを通過させる働きをしている。マ
スフィルター８は例えば四重極質量分析計が使用され
る。
２の光と共に、サンプリングコーン３およびスキマーコ
ーン４の穴を通過してイオンレンズ７に到達する。イオ
ンレンズ７は、到達したイオンと光のうちイオンのみを
マスフィルター８に導く働きをしている。マスフィルタ
ー８は、マスフィルター８に到達したイオンのうち、所
定の質量のイオンのみを通過させる働きをしている。マ
スフィルター８は例えば四重極質量分析計が使用され
る。
【０００６】検出器９はマスフィルター８を通過したイ
オンを検出し、検出したイオンを電気信号としてデータ
処理部１２に送る。検出記９として、例えばガリレオ社
のチャンネルトロンが使用される。データ処理部１２で
は、検出器９で検出されたときのマスフィルター８の設
定の値から、イオンの質量を算出してイオン種の同定を
行なう。そして、データ処理部１２は、検出器９の検出
強度から同定したイオンすなわち試料中の不純物の濃度
を算出する。
オンを検出し、検出したイオンを電気信号としてデータ
処理部１２に送る。検出記９として、例えばガリレオ社
のチャンネルトロンが使用される。データ処理部１２で
は、検出器９で検出されたときのマスフィルター８の設
定の値から、イオンの質量を算出してイオン種の同定を
行なう。そして、データ処理部１２は、検出器９の検出
強度から同定したイオンすなわち試料中の不純物の濃度
を算出する。
【０００７】次にイオンレンズ７について図５を用いて
説明する。図５はイオンレンズ５を含む、その近傍の概
略断面図である。１３はサンプリングインターフェース
軸、１４ａ、１４ｂと１４ｃは電極、１５ａと１５ｂは
偏向器、１６はアパーチャ、１７はマスフィルター軸で
ある。イオンレンズ７は、電極１４ａ・１４ｂ・１４
ｃ、偏向器１５ａ・１５ｂおよびアパーチャ１６で構成
されている。
説明する。図５はイオンレンズ５を含む、その近傍の概
略断面図である。１３はサンプリングインターフェース
軸、１４ａ、１４ｂと１４ｃは電極、１５ａと１５ｂは
偏向器、１６はアパーチャ、１７はマスフィルター軸で
ある。イオンレンズ７は、電極１４ａ・１４ｂ・１４
ｃ、偏向器１５ａ・１５ｂおよびアパーチャ１６で構成
されている。
【０００８】サンプリングインターフェース軸１３はサ
ンプリングコーン３の穴とスキマーコーン４の穴の中心
を外挿したもので、スキマーコーン４の穴を通過したイ
オンのビームはサンプリングインターフェース軸１３に
沿ってイオンレンズに到達する。収束レンズは３つの電
極１４ａ、１４ｂ、１４ｃにより構成されており、それ
ぞれはサンプリングインターフェース軸１３を中心に穴
の明いた板状の形状をしている。電極１４ａ、１４ｂ、
１４ｃの各々に適当な電圧を印加するとイオンのビーム
は収束する。この様な収束レンズは、アインツェルレン
ズと呼ばれる。
ンプリングコーン３の穴とスキマーコーン４の穴の中心
を外挿したもので、スキマーコーン４の穴を通過したイ
オンのビームはサンプリングインターフェース軸１３に
沿ってイオンレンズに到達する。収束レンズは３つの電
極１４ａ、１４ｂ、１４ｃにより構成されており、それ
ぞれはサンプリングインターフェース軸１３を中心に穴
の明いた板状の形状をしている。電極１４ａ、１４ｂ、
１４ｃの各々に適当な電圧を印加するとイオンのビーム
は収束する。この様な収束レンズは、アインツェルレン
ズと呼ばれる。
【０００９】マスフィルター軸１７はマスフィルター８
に収束されたイオンビームが到達する光軸に相当する。
マスフィルター軸１７は、サンプリングインターフェー
ス軸１３とは１０ｍｍ程度の間隔で平行に位置する。ア
パーチャ１６はマスフィルター軸１７を中心とする穴の
開いた板状の形状をしており、適当な電圧を印加するこ
とによりマスフィルター８に対して適当なエネルギーの
イオンのビームを送り込む働きをしている。このアパー
チャ１６は１枚とは限らず、数枚で構成されることもあ
る。偏向器１５ａ・１５ｂは例えば各々平行平板型のデ
ィフレクターで構成されている。そして偏向器１５ａ・
１５ｂはサンプリングインターフェース軸１３に沿って
通る収束されたイオンビームをマスフィルター軸１７に
沿って通るようにするものである。つまり、収束された
イオンビームを偏向させるものである。
に収束されたイオンビームが到達する光軸に相当する。
マスフィルター軸１７は、サンプリングインターフェー
ス軸１３とは１０ｍｍ程度の間隔で平行に位置する。ア
パーチャ１６はマスフィルター軸１７を中心とする穴の
開いた板状の形状をしており、適当な電圧を印加するこ
とによりマスフィルター８に対して適当なエネルギーの
イオンのビームを送り込む働きをしている。このアパー
チャ１６は１枚とは限らず、数枚で構成されることもあ
る。偏向器１５ａ・１５ｂは例えば各々平行平板型のデ
ィフレクターで構成されている。そして偏向器１５ａ・
１５ｂはサンプリングインターフェース軸１３に沿って
通る収束されたイオンビームをマスフィルター軸１７に
沿って通るようにするものである。つまり、収束された
イオンビームを偏向させるものである。
【００１０】このように構成されたイオンレンズ７で
は、上に述べたように検出すべきイオンのビームはマス
フィルター８に導く働きをすると共に、検出器９に対し
てバックグランドノイズとして悪影響を及ぼすプラズマ
２の光はイオンレンズ７の中で直進してアパーチャ１６
に衝突してマスフィルター８以降には至らせない働きを
している。
は、上に述べたように検出すべきイオンのビームはマス
フィルター８に導く働きをすると共に、検出器９に対し
てバックグランドノイズとして悪影響を及ぼすプラズマ
２の光はイオンレンズ７の中で直進してアパーチャ１６
に衝突してマスフィルター８以降には至らせない働きを
している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スキマ
ーコーン４の穴を通過するものとして、上述したイオン
とプラズマ２の光の他に、プラズマ２でイオン化しきれ
なかった中性成分が存在するために、以下のような課題
が生じている。中性成分はイオンレンズ７の中では光と
同様に直進してアパーチャ１６に衝突して膜として付着
する。この中性成分の主成分は試料の構成成分であり、
アパーチャ１６に付着した膜は殆どの場合電気伝導性を
持たない。そしてこの膜は帯電しその表面の電位は不安
定になる。即ちこの膜が付着すると、イオンレンズ７の
内部の電場が不安定になり、検出すべきイオンのビーム
の軌道が一定せず、その結果安定した測定ができなくな
ってしまう。従来の技術では、この膜による悪影響が顕
著になると、装置を止めてイオンレンズを取り出し、分
解して洗浄を行うという煩わしい作業を行わねばならな
かった。
ーコーン４の穴を通過するものとして、上述したイオン
とプラズマ２の光の他に、プラズマ２でイオン化しきれ
なかった中性成分が存在するために、以下のような課題
が生じている。中性成分はイオンレンズ７の中では光と
同様に直進してアパーチャ１６に衝突して膜として付着
する。この中性成分の主成分は試料の構成成分であり、
アパーチャ１６に付着した膜は殆どの場合電気伝導性を
持たない。そしてこの膜は帯電しその表面の電位は不安
定になる。即ちこの膜が付着すると、イオンレンズ７の
内部の電場が不安定になり、検出すべきイオンのビーム
の軌道が一定せず、その結果安定した測定ができなくな
ってしまう。従来の技術では、この膜による悪影響が顕
著になると、装置を止めてイオンレンズを取り出し、分
解して洗浄を行うという煩わしい作業を行わねばならな
かった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するためになされたもので、試料中の微量不純物の同
定・定量をする目的として、前記試料をプラズマ中でイ
オン化するプラズマイオン源と、生成したイオンを真空
容器内に導くサンプリングインターフェースと、前記真
空容器内に設置されたイオンレンズおよびマスフィルタ
ーおよび検出器を有するプラズマイオン源質量分析装置
において、前記サンプリングインターフェースの軸と前
記マスフィルターの軸を９０度の角度をもって配置し、
前記イオンレンズが前記サンプリングインターフェース
を通過した前記イオンのビームを９０度偏向させる９０
度偏向器を持ち、前記９０度偏向器が前記サンプリング
インターフェースの対向側を開口にしたことを特徴とす
るプラズマイオン源質量分析装置である。
決するためになされたもので、試料中の微量不純物の同
定・定量をする目的として、前記試料をプラズマ中でイ
オン化するプラズマイオン源と、生成したイオンを真空
容器内に導くサンプリングインターフェースと、前記真
空容器内に設置されたイオンレンズおよびマスフィルタ
ーおよび検出器を有するプラズマイオン源質量分析装置
において、前記サンプリングインターフェースの軸と前
記マスフィルターの軸を９０度の角度をもって配置し、
前記イオンレンズが前記サンプリングインターフェース
を通過した前記イオンのビームを９０度偏向させる９０
度偏向器を持ち、前記９０度偏向器が前記サンプリング
インターフェースの対向側を開口にしたことを特徴とす
るプラズマイオン源質量分析装置である。
【００１３】また前記９０度偏向器が四重極場をつくる
四重極電極を有し、前記サンプリングインターフェース
を通過した前記イオンのビームを前記四重極場の１つの
軸Ａから入射させて前記軸Ａに対して９０度の方向に存
在する軸Ｂから出射させ、前記マスフィルターに導いた
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマイオン源質量
分析装置である。
四重極電極を有し、前記サンプリングインターフェース
を通過した前記イオンのビームを前記四重極場の１つの
軸Ａから入射させて前記軸Ａに対して９０度の方向に存
在する軸Ｂから出射させ、前記マスフィルターに導いた
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマイオン源質量
分析装置である。
【００１４】さらに 前記イオンレンズにおいて、前記
９０度偏向器と前記マスフィルターの間に少なくとも１
対以上で構成された補正電極を設置し、前記補正電極に
補正電圧を印加することにより前記９０度偏向器から出
射した前記イオンのビームを前記マスフィルターの所定
の位置に正確に導いたことを特徴とする請求項１記載の
プラズマイオン源質量分析装置である。
９０度偏向器と前記マスフィルターの間に少なくとも１
対以上で構成された補正電極を設置し、前記補正電極に
補正電圧を印加することにより前記９０度偏向器から出
射した前記イオンのビームを前記マスフィルターの所定
の位置に正確に導いたことを特徴とする請求項１記載の
プラズマイオン源質量分析装置である。
【００１５】
【作用】本発明のプラズマイオン源質量分析装置による
と、分析すべき試料のイオンはサンプリングインターフ
ェースを通過した後、９０度偏向器で９０度偏向されて
マスフィルターに入射し、質量分離されて検出される。
対してプラズマの光およびプラズマでイオン化しきれな
かった中性成分は９０度偏向器内で直進し、９０度偏向
器のサンプリングインターフェースの対向側にある開口
からイオンレンズの外に出て行く。そのためバックグラ
ンドノイズとして働くプラズマの光がマスフィルターを
通して検出器に到達することがなくなるばかりでなく、
中性成分がイオンレンズ内で衝突して帯電を引き起こす
膜を形成することもなくなる。
と、分析すべき試料のイオンはサンプリングインターフ
ェースを通過した後、９０度偏向器で９０度偏向されて
マスフィルターに入射し、質量分離されて検出される。
対してプラズマの光およびプラズマでイオン化しきれな
かった中性成分は９０度偏向器内で直進し、９０度偏向
器のサンプリングインターフェースの対向側にある開口
からイオンレンズの外に出て行く。そのためバックグラ
ンドノイズとして働くプラズマの光がマスフィルターを
通して検出器に到達することがなくなるばかりでなく、
中性成分がイオンレンズ内で衝突して帯電を引き起こす
膜を形成することもなくなる。
【００１６】また９０度偏向器とマスフィルターの間に
少なくとも１対以上で構成された補正電極を設置し、補
正電極に補正電圧を印加することにより、イオンのビー
ムをマスフィルターの所定の位置に点状に収束させて正
確に導くことが可能になる。その結果、イオンを効率良
く安定して検出することが出来るようになり信頼性の高
い分析が出来るようになる。
少なくとも１対以上で構成された補正電極を設置し、補
正電極に補正電圧を印加することにより、イオンのビー
ムをマスフィルターの所定の位置に点状に収束させて正
確に導くことが可能になる。その結果、イオンを効率良
く安定して検出することが出来るようになり信頼性の高
い分析が出来るようになる。
【００１７】
【実施例】次に本発明の実施例を図を用いて詳細に述べ
る。図１は本発明のイオンレンズの概観図である。図１
において、１３はサンプリングインターフェース軸、１
７はマスフィルター軸、１８ａ・１８ｂ・１８ｃは電
極、１９は入口アパーチャ、２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・
２０ｄは四重極電極、２１ａ・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄ
は補正電極である。イオンレンズは、電極１８ａ・１８
ｂ・１８ｃ、入口アパーチャ１９、四重極電極２０ａ・
２０ｂ・２０ｃ・２０ｄおよび補正電極２１ａ・２１ｂ
・２１ｃ・２１ｄで構成されている。電極１８ａ・１８
ｂ・１８ｃにはサンプリングインターフェース軸１３を
中心とする穴が開いておりアインツェルレンズを形成し
ている。電極１８ａ・１８ｂ・１８ｃに適当な電圧を印
加することにより、サンプリングインターフェース軸１
３に沿って入射したイオンのビームはマスフィルター８
（図示せず）の入口近傍の距離で焦点を結ぶように収束
させることができる。四重極電極２０ａ・２０ｂ・２０
ｃ・２０ｄは円筒を４分の１に縦割りしてその曲面を内
側に向かい合わせて平行に並べた配置をしている。９０
度偏向器は、四重極電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・２０
ｄで構成される。そして四重極電極２０ａ・２０ｂ・２
０ｃ・２０ｄに印加する電圧を各々Ｖ２０ａ・Ｖ２０ｂ
・Ｖ２０ｃ・Ｖ２０ｄとして、 Ｖ２０ａ＝Ｖ２０ｃ Ｖ２０ｂ＝Ｖ２０ｄ なる条件で各々の四重極電極に電圧を印加して内部に四
重極場を形成する。尚、四重極電極の内側の曲面は直角
双曲面が理想的であるが、本実施例の様に円筒面の電極
で近似することも可能である。また形成された四重極場
の１つの軸Ａはサンプリングインターフェース軸１３と
一致し、軸Ａに対して９０度の方向に存在する四重極場
の軸Ｂはマスフィルター軸１７と一致するようにサンプ
リングインターフェース（図示せず）、イオンレンズお
よびマスフィルター（図示せず）が配置されている。そ
して電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・２０ｄに印加する電
圧の平均をＶavとしたとき、電極２０ａおよび２０ｃに
０．２Ｖav、電極２０ｂおよび２０ｄに１．８Ｖav程度
の電圧を印加すると、サンプリングインターフェース軸
１３（軸Ａ）に沿って四重極場に入射したイオンのビー
ムは９０度偏向されてマスフィルター軸１７（軸Ｂ）に
沿って出射しする。
る。図１は本発明のイオンレンズの概観図である。図１
において、１３はサンプリングインターフェース軸、１
７はマスフィルター軸、１８ａ・１８ｂ・１８ｃは電
極、１９は入口アパーチャ、２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・
２０ｄは四重極電極、２１ａ・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄ
は補正電極である。イオンレンズは、電極１８ａ・１８
ｂ・１８ｃ、入口アパーチャ１９、四重極電極２０ａ・
２０ｂ・２０ｃ・２０ｄおよび補正電極２１ａ・２１ｂ
・２１ｃ・２１ｄで構成されている。電極１８ａ・１８
ｂ・１８ｃにはサンプリングインターフェース軸１３を
中心とする穴が開いておりアインツェルレンズを形成し
ている。電極１８ａ・１８ｂ・１８ｃに適当な電圧を印
加することにより、サンプリングインターフェース軸１
３に沿って入射したイオンのビームはマスフィルター８
（図示せず）の入口近傍の距離で焦点を結ぶように収束
させることができる。四重極電極２０ａ・２０ｂ・２０
ｃ・２０ｄは円筒を４分の１に縦割りしてその曲面を内
側に向かい合わせて平行に並べた配置をしている。９０
度偏向器は、四重極電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・２０
ｄで構成される。そして四重極電極２０ａ・２０ｂ・２
０ｃ・２０ｄに印加する電圧を各々Ｖ２０ａ・Ｖ２０ｂ
・Ｖ２０ｃ・Ｖ２０ｄとして、 Ｖ２０ａ＝Ｖ２０ｃ Ｖ２０ｂ＝Ｖ２０ｄ なる条件で各々の四重極電極に電圧を印加して内部に四
重極場を形成する。尚、四重極電極の内側の曲面は直角
双曲面が理想的であるが、本実施例の様に円筒面の電極
で近似することも可能である。また形成された四重極場
の１つの軸Ａはサンプリングインターフェース軸１３と
一致し、軸Ａに対して９０度の方向に存在する四重極場
の軸Ｂはマスフィルター軸１７と一致するようにサンプ
リングインターフェース（図示せず）、イオンレンズお
よびマスフィルター（図示せず）が配置されている。そ
して電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・２０ｄに印加する電
圧の平均をＶavとしたとき、電極２０ａおよび２０ｃに
０．２Ｖav、電極２０ｂおよび２０ｄに１．８Ｖav程度
の電圧を印加すると、サンプリングインターフェース軸
１３（軸Ａ）に沿って四重極場に入射したイオンのビー
ムは９０度偏向されてマスフィルター軸１７（軸Ｂ）に
沿って出射しする。
【００１８】ところでサンプリングインターフェースの
軸とマスフィルターの軸の配置やイオンレンズには、個
々の部品の加工や組み立ての誤差があって、９０度偏向
器を出射したイオンのビームがマスフィルターの所定の
位置に確実に到達するとは限らない。またイオンレンズ
には意図しない場所に電場のしみだし（フリンジングフ
ィールドと呼ぶ）が生じて、９０度偏向器を出射したイ
オンのビームがマスフィルターの位置で点状に集束する
とは限らない。そこで９０度偏向器とマスフィルターの
間に補正電極２１ａ・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄを設置し
てイオンのビーム位置およびビーム形状の補正を行っ
て、マスフィルターの所定の位置に点状に集束させる。
補正電極２１ａと２１ｂはおよび補正電極２１ｃと２１
ｄは各々向かい合って対になっている。補正電極２１ａ
・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄに印加する電圧を各々Ｖ２１
ａ、Ｖ２１ｂ、Ｖ２１ｃ、Ｖ２１ｄとすると、 Ｖ２１ａ ＝Ｖａｖ＋Ｄｘ＋Ｓｘ Ｖ２１ｂ ＝Ｖａｖ−Ｄｘ＋Ｓｘ Ｖ２１ｃ ＝Ｖａｖ＋Ｄｙ＋Ｓｙ Ｖ２１ｄ ＝Ｖａｖ−Ｄｙ＋Ｓｙ なる条件で補正電圧Ｄx・Ｄy・Ｓx・Ｓyを印加する。補
正電圧ＤxおよびＤyは各々補正電極２１ａから２１ｂの
方向および２１ｃから２１ｄの方向のイオンのビームの
偏向の補正を行なう。また補正電圧ＳxおよびＳyは各々
補正電極２１ａから２１ｂの方向および２１ｃから２１
ｄの方向のイオンのビームの形状の補正を行なう。図１
に示した補正電極は２対で構成したが、図３ａに示した
様に補正電極を２１ｅと２１ｆの１対で構成したり、図
３ｂの様に２１ｇと２１ｈ、２１ｉと２１ｊ、２１ｋと
２１ｌ、２１ｍと２１ｎの４対で構成しても良い。この
場合、対の数が増えるほど厳密な補正ができ、対の数が
減るほど補正の作業が容易になる。補正電極の対の数
は、装置を構成する個々の部品の加工精度や組み立て精
度、あるいはイオンが入射すべきマスフィルターの所定
の位置（四重極質量分析計ではアクセプタンスエリアと
呼ぶ）の広さに応じて選べば良い。また補正電極の互い
に向かい合う面は、平面であっても、円筒面であっても
本発明の意図するところは変わらない。
軸とマスフィルターの軸の配置やイオンレンズには、個
々の部品の加工や組み立ての誤差があって、９０度偏向
器を出射したイオンのビームがマスフィルターの所定の
位置に確実に到達するとは限らない。またイオンレンズ
には意図しない場所に電場のしみだし（フリンジングフ
ィールドと呼ぶ）が生じて、９０度偏向器を出射したイ
オンのビームがマスフィルターの位置で点状に集束する
とは限らない。そこで９０度偏向器とマスフィルターの
間に補正電極２１ａ・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄを設置し
てイオンのビーム位置およびビーム形状の補正を行っ
て、マスフィルターの所定の位置に点状に集束させる。
補正電極２１ａと２１ｂはおよび補正電極２１ｃと２１
ｄは各々向かい合って対になっている。補正電極２１ａ
・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄに印加する電圧を各々Ｖ２１
ａ、Ｖ２１ｂ、Ｖ２１ｃ、Ｖ２１ｄとすると、 Ｖ２１ａ ＝Ｖａｖ＋Ｄｘ＋Ｓｘ Ｖ２１ｂ ＝Ｖａｖ−Ｄｘ＋Ｓｘ Ｖ２１ｃ ＝Ｖａｖ＋Ｄｙ＋Ｓｙ Ｖ２１ｄ ＝Ｖａｖ−Ｄｙ＋Ｓｙ なる条件で補正電圧Ｄx・Ｄy・Ｓx・Ｓyを印加する。補
正電圧ＤxおよびＤyは各々補正電極２１ａから２１ｂの
方向および２１ｃから２１ｄの方向のイオンのビームの
偏向の補正を行なう。また補正電圧ＳxおよびＳyは各々
補正電極２１ａから２１ｂの方向および２１ｃから２１
ｄの方向のイオンのビームの形状の補正を行なう。図１
に示した補正電極は２対で構成したが、図３ａに示した
様に補正電極を２１ｅと２１ｆの１対で構成したり、図
３ｂの様に２１ｇと２１ｈ、２１ｉと２１ｊ、２１ｋと
２１ｌ、２１ｍと２１ｎの４対で構成しても良い。この
場合、対の数が増えるほど厳密な補正ができ、対の数が
減るほど補正の作業が容易になる。補正電極の対の数
は、装置を構成する個々の部品の加工精度や組み立て精
度、あるいはイオンが入射すべきマスフィルターの所定
の位置（四重極質量分析計ではアクセプタンスエリアと
呼ぶ）の広さに応じて選べば良い。また補正電極の互い
に向かい合う面は、平面であっても、円筒面であっても
本発明の意図するところは変わらない。
【００１９】次に本発明におけるイオンのビームおよび
光や中性成分の軌道について述べる。図２は図１に示し
たイオンレンズ回りの上面図である。図２において、マ
スフィルター８、サンプリングインターフェース軸１
３、アパーチャ１６、マスフィルター軸１７、電極１８
ａ・１８ｂ・１８ｃ、入口アパーチャ１９、四重極電極
２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・２０ｄは前述したので説明を
省略する。２２はサンプリングインターフェースで、従
来の技術で説明したようにサンプリングコーンとスキマ
ーコーンで構成される。サンプリングインターフェース
２２とマスフィルター８は、サンプリングインターフェ
ース軸１３とマスフィルター軸１７が９０度の角度を持
つように配置されている。２１は補正電極で、図１で説
明した補正電極２１ａ・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄで構成
されている。２３は開口部で、四重極電極２０ｃと２０
ｄの隙間であり、四重極電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・
２０ｄで構成された９０度偏向器のサンプリングインタ
ーフェース２２の対向側の開口に相当する。２４はイオ
ンのビームの軌道、２５は光および中性成分の軌道であ
る。検出すべき試料中の微量不純物は、プラズマ（図示
せず）中でイオン化し、サンプリングインターフェース
２２を通して真空容器内にイオンのビームとなってサン
プリングインターフェース軸１３に沿ってイオンレンズ
に入射する。イオンレンズ内ではイオンのビームの軌道
２４に沿って収束、９０度偏向、補正されて効率よくマ
スフィルター８に導かれる。そして質量分離されて検出
される。対してプラズマの光およびプラズマ中でイオン
化しきれなかった中性成分は、サンプリングインターフ
ェース軸１３に沿ってイオンレンズに入射するが、静電
的な力を受けないため、光および中性成分の軌道２５で
示したように直進して開口部２３を通して系の外に出て
ゆく。この様に中性成分はイオンレンズの中でイオンレ
ンズの構成部品と衝突することがないため、イオンレン
ズ内で帯電を引き起こす膜を形成することがなくなり、
イオンのビームの軌道２４は安定する。
光や中性成分の軌道について述べる。図２は図１に示し
たイオンレンズ回りの上面図である。図２において、マ
スフィルター８、サンプリングインターフェース軸１
３、アパーチャ１６、マスフィルター軸１７、電極１８
ａ・１８ｂ・１８ｃ、入口アパーチャ１９、四重極電極
２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・２０ｄは前述したので説明を
省略する。２２はサンプリングインターフェースで、従
来の技術で説明したようにサンプリングコーンとスキマ
ーコーンで構成される。サンプリングインターフェース
２２とマスフィルター８は、サンプリングインターフェ
ース軸１３とマスフィルター軸１７が９０度の角度を持
つように配置されている。２１は補正電極で、図１で説
明した補正電極２１ａ・２１ｂ・２１ｃ・２１ｄで構成
されている。２３は開口部で、四重極電極２０ｃと２０
ｄの隙間であり、四重極電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ・
２０ｄで構成された９０度偏向器のサンプリングインタ
ーフェース２２の対向側の開口に相当する。２４はイオ
ンのビームの軌道、２５は光および中性成分の軌道であ
る。検出すべき試料中の微量不純物は、プラズマ（図示
せず）中でイオン化し、サンプリングインターフェース
２２を通して真空容器内にイオンのビームとなってサン
プリングインターフェース軸１３に沿ってイオンレンズ
に入射する。イオンレンズ内ではイオンのビームの軌道
２４に沿って収束、９０度偏向、補正されて効率よくマ
スフィルター８に導かれる。そして質量分離されて検出
される。対してプラズマの光およびプラズマ中でイオン
化しきれなかった中性成分は、サンプリングインターフ
ェース軸１３に沿ってイオンレンズに入射するが、静電
的な力を受けないため、光および中性成分の軌道２５で
示したように直進して開口部２３を通して系の外に出て
ゆく。この様に中性成分はイオンレンズの中でイオンレ
ンズの構成部品と衝突することがないため、イオンレン
ズ内で帯電を引き起こす膜を形成することがなくなり、
イオンのビームの軌道２４は安定する。
【００２０】
【発明の効果】本発明によると、分析すべき試料中の微
量不純物を効率よく検出することが可能であるばかりで
なく、従来の技術で課題となっていた帯電を引き起こす
膜がイオンレンズ内に付着することがないため、いつま
でも安定して検出することができる。その結果、信頼性
の高い分析が可能になる。
量不純物を効率よく検出することが可能であるばかりで
なく、従来の技術で課題となっていた帯電を引き起こす
膜がイオンレンズ内に付着することがないため、いつま
でも安定して検出することができる。その結果、信頼性
の高い分析が可能になる。
【図１】本発明のイオンレンズの構成図
【図２】本発明のイオンレンズとその周囲を示した上面
図
図
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、補正電極の構
成を補足説明する図
成を補足説明する図
【図４】プラズマイオン源質量分析装置の構成例を示し
た図
た図
【図５】従来の技術のイオンレンズの概略構成図
１ プラズマ発生装置 ２ プラズマ ３ サンプリングコーン ４ スキマーコーン ５ 真空ポンプＡ ６ 真空容器 ７ イオンレンズ ８ マスフィルター ９ 検出器 １０ 真空ポンプＢ １１ 真空ポンプＣ １２ データ処理部 １３ サンプリングインターフェース軸 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ 電極 １５ａ，１５ｂ 偏向器 １６ アパーチャ １７ マスフィルター軸 １８ａ，１８ｂ，１８ｃ 電極 １９ 入口アパーチャ ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ 四重極電極 ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２
１ｇ 補正電極 ２１ｈ，２１ｉ，２１ｊ，２１ｋ，２１ｌ，２１ｍ，２
１ｎ 補正電極 ２２ サンプリングインターフェース ２３ 開口部 ２４ イオンのビームの軌道 ２５ 光および中性成分の軌道
１ｇ 補正電極 ２１ｈ，２１ｉ，２１ｊ，２１ｋ，２１ｌ，２１ｍ，２
１ｎ 補正電極 ２２ サンプリングインターフェース ２３ 開口部 ２４ イオンのビームの軌道 ２５ 光および中性成分の軌道
Claims (3)
- 【請求項１】 試料中の微量不純物の同定・定量をする
目的として、前記試料をプラズマ中でイオン化するプラ
ズマイオン源と、生成したイオンを真空容器内に導くサ
ンプリングインターフェースと、前記真空容器内に設置
されたイオンレンズおよびマスフィルターおよび検出器
を有するプラズマイオン源質量分析装置において、前記
サンプリングインターフェースの軸と前記マスフィルタ
ーの軸を９０度の角度をもって配置し、前記イオンレン
ズが前記サンプリングインターフェースを通過した前記
イオンのビームを９０度偏向させる９０度偏向器を持
ち、前記９０度偏向器が前記サンプリングインターフェ
ースの対向側を開口にしたことを特徴とするプラズマイ
オン源質量分析装置。 - 【請求項２】 前記９０度偏向器が四重極場をつくる四
重極電極を有し、前記サンプリングインターフェースを
通過した前記イオンのビームを前記四重極場の１つの軸
Ａから入射させて前記軸Ａに対して９０度の方向に存在
する軸Ｂから出射させ、前記マスフィルターに導いたこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマイオン源質量分
析装置。 - 【請求項３】 前記イオンレンズにおいて、前記９０度
偏向器と前記マスフィルターの間に少なくとも１対以上
で構成された補正電極を設置し、前記補正電極に補正電
圧を印加することにより前記９０度偏向器から出射した
前記イオンのビームを前記マスフィルターの所定の位置
に正確に導いたことを特徴とする請求項１記載のプラズ
マイオン源質量分析装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22609893A JP3188794B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | プラズマイオン源質量分析装置 |
| US08/302,503 US5559337A (en) | 1993-09-10 | 1994-09-08 | Plasma ion source mass analyzing apparatus |
| US08/585,953 US5773823A (en) | 1993-09-10 | 1996-01-16 | Plasma ion source mass spectrometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22609893A JP3188794B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | プラズマイオン源質量分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778590A true JPH0778590A (ja) | 1995-03-20 |
| JP3188794B2 JP3188794B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=16839799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22609893A Expired - Lifetime JP3188794B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | プラズマイオン源質量分析装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5559337A (ja) |
| JP (1) | JP3188794B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586730B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-07-01 | Hitachi, Ltd. | Plasma ion source mass spectrometer |
| JP2004507875A (ja) * | 2000-08-30 | 2004-03-11 | エムディーエス インコーポレイテッド ドゥーイング ビジネス アズ エムディーエス サイエックス | 質量分析において反応／衝突セルへのイオン源ガスの進入を防止するための装置及び方法 |
| JP2006190653A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-07-20 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 高電流密度粒子ビームシステム |
| JP2015501068A (ja) * | 2011-11-30 | 2015-01-08 | アジレント・テクノロジーズ・インクＡｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | イオン化装置 |
| JP2015128032A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | アジレント・テクノロジーズ・インクＡｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | プラズマ質量分析装置用イオン光学システム |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5773823A (en) * | 1993-09-10 | 1998-06-30 | Seiko Instruments Inc. | Plasma ion source mass spectrometer |
| JPH09115476A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Seiko Instr Inc | プラズマイオン質量分析装置 |
| JP3424431B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2003-07-07 | 株式会社日立製作所 | 質量分析装置 |
| JP3492081B2 (ja) * | 1996-05-15 | 2004-02-03 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | プラズマイオン源質量分析装置 |
| JP3648906B2 (ja) * | 1997-02-14 | 2005-05-18 | 株式会社日立製作所 | イオントラップ質量分析計を用いた分析装置 |
| US5947053A (en) * | 1998-01-09 | 1999-09-07 | International Business Machines Corporation | Wear-through detector for multilayered parts and methods of using same |
| EP1116258B1 (en) | 1998-09-23 | 2015-12-09 | Analytik Jena AG | Ion optical system for a mass spectrometer |
| GB2349270B (en) | 1999-04-15 | 2002-02-13 | Hitachi Ltd | Mass analysis apparatus and method for mass analysis |
| US6153880A (en) * | 1999-09-30 | 2000-11-28 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for performance improvement of mass spectrometers using dynamic ion optics |
| US7154382B2 (en) * | 1999-12-30 | 2006-12-26 | Ambient Corporation | Arrangement of inductive couplers for data communication |
| US6759807B2 (en) | 2002-04-04 | 2004-07-06 | Veeco Instruments, Inc. | Multi-grid ion beam source for generating a highly collimated ion beam |
| EP3561071B1 (en) * | 2006-02-13 | 2020-12-16 | Fluidigm Canada Inc. | Gene expression assays conducted by elemental analysis |
| CA2658787C (en) | 2006-08-15 | 2013-04-09 | Alexei Antonov | Apparatus and method for elemental analysis of particles by mass spectrometry |
| CN103311087A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-09-18 | 复旦大学 | 一种离子偏转传输系统 |
| CN104851773A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-08-19 | 合肥美亚光电技术股份有限公司 | 一种离子偏转传输装置及使用该装置的质谱仪器 |
| GB2541383B (en) | 2015-08-14 | 2018-12-12 | Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh | Mirror lens for directing an ion beam |
| JP6646150B2 (ja) * | 2016-07-14 | 2020-02-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
| EP4089716A1 (en) | 2021-05-12 | 2022-11-16 | Analytik Jena GmbH | Mass spectrometry apparatus |
| EP4089713A1 (en) | 2021-05-12 | 2022-11-16 | Analytik Jena GmbH | Hybrid mass spectrometry apparatus |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3626178A (en) * | 1970-02-20 | 1971-12-07 | Franklin Gno Corp | Gas or liquid chromatograph with detector employing ion-molecule reactions and ion drift |
| US3786249A (en) * | 1971-12-20 | 1974-01-15 | Stanford Research Inst | Negative ion duoplasmatron mass spectrometer for isotope ratio analysis |
| US4963735A (en) * | 1988-11-11 | 1990-10-16 | Hitachi, Ltd. | Plasma source mass spectrometer |
| JP2765890B2 (ja) * | 1988-12-09 | 1998-06-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマイオン源微量元素質量分析装置 |
| JP2543761B2 (ja) * | 1989-03-23 | 1996-10-16 | セイコー電子工業株式会社 | 誘導結合プラズマ質量分析装置 |
| US5153433A (en) * | 1991-09-10 | 1992-10-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Portable mass spectrometer with one or more mechanically adjustable electrostatic sectors and a mechanically adjustable magnetic sector all mounted in a vacuum chamber |
| DE4239866A1 (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-05 | Forschungszentrum Juelich Gmbh |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP22609893A patent/JP3188794B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-08 US US08/302,503 patent/US5559337A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586730B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-07-01 | Hitachi, Ltd. | Plasma ion source mass spectrometer |
| JP2004507875A (ja) * | 2000-08-30 | 2004-03-11 | エムディーエス インコーポレイテッド ドゥーイング ビジネス アズ エムディーエス サイエックス | 質量分析において反応／衝突セルへのイオン源ガスの進入を防止するための装置及び方法 |
| JP2006190653A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-07-20 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 高電流密度粒子ビームシステム |
| JP2015501068A (ja) * | 2011-11-30 | 2015-01-08 | アジレント・テクノロジーズ・インクＡｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | イオン化装置 |
| JP2015128032A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | アジレント・テクノロジーズ・インクＡｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | プラズマ質量分析装置用イオン光学システム |
| US9418826B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-08-16 | Agilent Technologies, Inc. | Ion optical system for mass spectrometer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5559337A (en) | 1996-09-24 |
| JP3188794B2 (ja) | 2001-07-16 |
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