JPH0773915B2 - 熱インクジエツト・プリントヘツド - Google Patents
熱インクジエツト・プリントヘツドInfo
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- JPH0773915B2 JPH0773915B2 JP61291384A JP29138486A JPH0773915B2 JP H0773915 B2 JPH0773915 B2 JP H0773915B2 JP 61291384 A JP61291384 A JP 61291384A JP 29138486 A JP29138486 A JP 29138486A JP H0773915 B2 JPH0773915 B2 JP H0773915B2
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- Japan
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- ink
- substrate
- orifices
- resistive heater
- thin film
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/17—Ink jet characterised by ink handling
- B41J2/175—Ink supply systems ; Circuit parts therefor
- B41J2/17503—Ink cartridges
- B41J2/17513—Inner structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14024—Assembling head parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
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- B41J2/01—Ink jet
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- B41J2002/14387—Front shooter
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は一般的には熱インクジエツト・プリンテイング
に関し、特に、新規でかつ改良された熱インクジエツト
・プリントヘツドに関する。
に関し、特に、新規でかつ改良された熱インクジエツト
・プリントヘツドに関する。
熱インクジエツト・プリンテイングは多くの技術文献に
記載されているが、本発明に関連あるこのような文献の
１つはHewlett Packard Journal、Volume 36、Number
5、May 1985である。
記載されているが、本発明に関連あるこのような文献の
１つはHewlett Packard Journal、Volume 36、Number
5、May 1985である。
熱インクジエツト・プリンテイングの技術では、インク
排出印刷工程の間に対応する複数の隣接インクだめを加
熱する目的で共通の薄膜基板上に複数個の電気抵抗性素
子を備えることが公知である。このような構造を用い
て、隣接インクだめは通常、抵抗性素子から出る熱エネ
ルギを所定量のインクに正しく集中させるために、基板
上の障壁層に空洞として備えられる。また、複数個のイ
ンク排出オリフイスがこれら空洞上に備えられ、印刷工
程の間のインクの出口路となる。
排出印刷工程の間に対応する複数の隣接インクだめを加
熱する目的で共通の薄膜基板上に複数個の電気抵抗性素
子を備えることが公知である。このような構造を用い
て、隣接インクだめは通常、抵抗性素子から出る熱エネ
ルギを所定量のインクに正しく集中させるために、基板
上の障壁層に空洞として備えられる。また、複数個のイ
ンク排出オリフイスがこれら空洞上に備えられ、印刷工
程の間のインクの出口路となる。
上記型式のプリントヘツドアツセンブリを製造する際の
１つの方法は共通基板に垂直穴をあけて共通インクだめ
から障壁層内の個々のインクだめ空洞に至るインク流路
を与えることであつた。しかし、単一の基板に複数個の
穴（垂直円筒チヤネル）を作ることは種々の欠点を伴な
う。これらの欠点の１つとして、基板に穴をあけるのに
用いる切先が基板材料にかなりの圧力を与え、この材料
を破壊することがある。他方、レーザドリルを用いる場
合は、レーザビーム加熱の結果として側壁が破壊された
チヤネルを残し、基板構造を弱くする。
１つの方法は共通基板に垂直穴をあけて共通インクだめ
から障壁層内の個々のインクだめ空洞に至るインク流路
を与えることであつた。しかし、単一の基板に複数個の
穴（垂直円筒チヤネル）を作ることは種々の欠点を伴な
う。これらの欠点の１つとして、基板に穴をあけるのに
用いる切先が基板材料にかなりの圧力を与え、この材料
を破壊することがある。他方、レーザドリルを用いる場
合は、レーザビーム加熱の結果として側壁が破壊された
チヤネルを残し、基板構造を弱くする。
さらにシリコン基板に複数個の垂直チヤネルを形成する
こと自体でプリントヘツド構造が弱くなる。従来のプリ
ントヘツド構造のいくつかの型式では、これらのチヤン
ネルはそこから異なつた距離に配置された複数個の抵抗
性ヒータ素子へのインク流を与えるのに用いられる。こ
のような構造では、これらの異なつたインク流距離でイ
ンク流路に異なつた圧力低下が生じる。すなわち、液体
インク流路に沿つた圧力低下は流路の距離の３乗に比例
する。このため長いインク流路距離にわたつて、大きな
圧力低下が生じ、インクジエツトオリフイスからインク
ジエツト推進をおこなう時適正な気化が妨げられること
がよく起つた。
こと自体でプリントヘツド構造が弱くなる。従来のプリ
ントヘツド構造のいくつかの型式では、これらのチヤン
ネルはそこから異なつた距離に配置された複数個の抵抗
性ヒータ素子へのインク流を与えるのに用いられる。こ
のような構造では、これらの異なつたインク流距離でイ
ンク流路に異なつた圧力低下が生じる。すなわち、液体
インク流路に沿つた圧力低下は流路の距離の３乗に比例
する。このため長いインク流路距離にわたつて、大きな
圧力低下が生じ、インクジエツトオリフイスからインク
ジエツト推進をおこなう時適正な気化が妨げられること
がよく起つた。
小径の垂直チヤネルを用いてインクをインクだめに供給
する別の欠点は、それらの溝がますます高くなる要求動
作周波数で必要なインク量の要求に適切に応答できない
ことである。
する別の欠点は、それらの溝がますます高くなる要求動
作周波数で必要なインク量の要求に適切に応答できない
ことである。
共通の基板に複数個のインク流チヤネルを用いるさらに
別の欠点は、それらが導電リードを基板表面上で特別に
ひきまわす必要があることである。この要求のためにこ
の特別の経路設定に伴なうコスト増に加えて、このよう
な特別な経路を収容する表面領域が必要なので実装密度
が低下することになる。
別の欠点は、それらが導電リードを基板表面上で特別に
ひきまわす必要があることである。この要求のためにこ
の特別の経路設定に伴なうコスト増に加えて、このよう
な特別な経路を収容する表面領域が必要なので実装密度
が低下することになる。
したがつて、本発明の目的は、熱インクジエツト・プリ
ントヘツドにおいて、細長溝によりインクをヒータ抵抗
に供給し、前記の欠点を解消することである。
ントヘツドにおいて、細長溝によりインクをヒータ抵抗
に供給し、前記の欠点を解消することである。
本発明の一般的な目的は、共通のプリントヘツド基板部
材の貫通穴を用いることにともなう上記問題を除去する
新規でかつ改良された熱インクジエツト・プリントヘツ
ドアツセンブリを提供することである。この新規なアツ
センブリでは、単一の細長溝が基板にカツトされ、基板
の上面に形成された抵抗性ヒータ素子と結合した複数個
のインクだめにインク流を与える。これらのヒータは上
記溝の周囲に沿つてそこから所定の距離をおいて配置さ
れる。導電リードが基板上で各抵抗性ヒータ素子と外部
電気接続の間に備えられる。障壁層およびオリフイス板
部材は全ての抵抗性ヒータ素子を覆い、各抵抗性ヒータ
素子の上部にそれぞれのインクだめを規定構成する。
材の貫通穴を用いることにともなう上記問題を除去する
新規でかつ改良された熱インクジエツト・プリントヘツ
ドアツセンブリを提供することである。この新規なアツ
センブリでは、単一の細長溝が基板にカツトされ、基板
の上面に形成された抵抗性ヒータ素子と結合した複数個
のインクだめにインク流を与える。これらのヒータは上
記溝の周囲に沿つてそこから所定の距離をおいて配置さ
れる。導電リードが基板上で各抵抗性ヒータ素子と外部
電気接続の間に備えられる。障壁層およびオリフイス板
部材は全ての抵抗性ヒータ素子を覆い、各抵抗性ヒータ
素子の上部にそれぞれのインクだめを規定構成する。
上記溝つき幾何学構造によつて共通のプリントヘツド基
板上のヒータ抵抗の実装密度が大きく増大する。実装密
度が増大するというのは、従来の複数穴プリントヘツド
構造では、個々の抵抗素子に対する導電性トレースを穴
のまわりに設定しなければならず、それによつて要求さ
れる基板面積が増大するという事実があつたことに一部
起因している。こうして、従来構造における垂直穴の代
りに本発明の細長溝構造を用いることによつて、8:1か
ら10:1の実装密度増加を達成することができる。
板上のヒータ抵抗の実装密度が大きく増大する。実装密
度が増大するというのは、従来の複数穴プリントヘツド
構造では、個々の抵抗素子に対する導電性トレースを穴
のまわりに設定しなければならず、それによつて要求さ
れる基板面積が増大するという事実があつたことに一部
起因している。こうして、従来構造における垂直穴の代
りに本発明の細長溝構造を用いることによつて、8:1か
ら10:1の実装密度増加を達成することができる。
オリフイス板およびそれに関連した障壁層部材が薄膜基
板上に固定された後、その基板はヘツダマニホールド部
材にダイボンドされる。このマニホールド部材はその中
に細長溝を有し、ヘツダマニホールドの井戸部から基板
穴を通つて、障壁層およびオリフイス板部材の個々のイ
ンクだめにインクを通過させる。
板上に固定された後、その基板はヘツダマニホールド部
材にダイボンドされる。このマニホールド部材はその中
に細長溝を有し、ヘツダマニホールドの井戸部から基板
穴を通つて、障壁層およびオリフイス板部材の個々のイ
ンクだめにインクを通過させる。
本発明の新規な特徴は、共通のインク供給源から薄膜抵
抗構造の単一穴、さらに共通のインク流路を通つてプリ
ントヘツドアツセンブリの複数個のインクだめに同時に
流れるインク流の圧力の制御を改良するところにもあ
る。
抗構造の単一穴、さらに共通のインク流路を通つてプリ
ントヘツドアツセンブリの複数個のインクだめに同時に
流れるインク流の圧力の制御を改良するところにもあ
る。
第２図には、その上に金属オリフイス板12を備えた熱イ
ンクジエツト・プリンタ用の薄膜抵抗基板10が示されて
いる。オリフイス板12は通常ニツケルでできており、第
１図の点線で示されたインク送り穴（細長溝）16の端部
の周囲に均一に点在した複数個のインク排出穴（ノズ
ル）14を有している。
ンクジエツト・プリンタ用の薄膜抵抗基板10が示されて
いる。オリフイス板12は通常ニツケルでできており、第
１図の点線で示されたインク送り穴（細長溝）16の端部
の周囲に均一に点在した複数個のインク排出穴（ノズ
ル）14を有している。
第１図について説明する。まず、薄膜抵抗基板10がヘツ
ダマニホールド20の上面Ｉ字形表面上にマウントされ
る。ヘツダマニホールド20は、その内部にインク送り穴
22と連絡するインクだめ（図示せず）を備えている。穴
22は薄膜抵抗基板10内の細長溝16と整合する。ヘツダマ
ニホールド20はさらに、輪郭壁24を備え、その輪郭壁24
は、完全に組立てられたとき、第１図のプリントヘツド
を受容するためインクジエツト・プリンタカートリツジ
アツセンブリ（図示せず）の対応する輪郭壁と整合する
様に形づくられている。
ダマニホールド20の上面Ｉ字形表面上にマウントされ
る。ヘツダマニホールド20は、その内部にインク送り穴
22と連絡するインクだめ（図示せず）を備えている。穴
22は薄膜抵抗基板10内の細長溝16と整合する。ヘツダマ
ニホールド20はさらに、輪郭壁24を備え、その輪郭壁24
は、完全に組立てられたとき、第１図のプリントヘツド
を受容するためインクジエツト・プリンタカートリツジ
アツセンブリ（図示せず）の対応する輪郭壁と整合する
様に形づくられている。
このプリントヘツド構造が完成され、第１図に示された
全ての部分が合体された後、薄膜抵抗板10はヘツダマニ
ホールド20の上面18上に直接配置され、フレキシブルな
テープ自動化ボンド（TAB）回路26が薄膜抵抗基板10の
上面の導電性トレースと電気接続される。複数個の薄膜
導電性リード28がヘツダマニホールド20の輪郭壁24の上
にかぶせられる。TAB回路26の内部リード30は、Gray E.
Hansonによる、米国出願第801034号において開示された
方法によつて薄膜抵抗基板10上の導電性トレース熱圧着
される。さらに、オリフイス板12は、Chanetalによる米
国出願第801169号に開示されたオリフイス板・障壁層製
造方法によつて薄膜抵抗基板10と整列される。
全ての部分が合体された後、薄膜抵抗板10はヘツダマニ
ホールド20の上面18上に直接配置され、フレキシブルな
テープ自動化ボンド（TAB）回路26が薄膜抵抗基板10の
上面の導電性トレースと電気接続される。複数個の薄膜
導電性リード28がヘツダマニホールド20の輪郭壁24の上
にかぶせられる。TAB回路26の内部リード30は、Gray E.
Hansonによる、米国出願第801034号において開示された
方法によつて薄膜抵抗基板10上の導電性トレース熱圧着
される。さらに、オリフイス板12は、Chanetalによる米
国出願第801169号に開示されたオリフイス板・障壁層製
造方法によつて薄膜抵抗基板10と整列される。
第3A図および第3B図について説明する。薄膜抵抗基板10
は通常、シリコン基板32を有し、その上にはその表面を
パツシベートして絶縁するため二酸化シリコンでできた
薄膜34が堆積されている。複数個のヒータ抵抗36、38は
二酸化シリコン（SiO2）層34の上面に形成され、通常は
アルミニウムタンタルか五酸化タンタルでできており、
公知のフオトリソグラフイマスク・エツチング法によつ
て製造される。アルミニウム導体40はヒータ抵抗36、38
と電気接触し、インクジエツトプリント動作の間にそこ
に電気パルスを印加する。また、これら導体は従来の金
属蒸着法を用いてシリコン層34の上面に前もつて堆積さ
れたアルミニウム導体40から形成される。
は通常、シリコン基板32を有し、その上にはその表面を
パツシベートして絶縁するため二酸化シリコンでできた
薄膜34が堆積されている。複数個のヒータ抵抗36、38は
二酸化シリコン（SiO2）層34の上面に形成され、通常は
アルミニウムタンタルか五酸化タンタルでできており、
公知のフオトリソグラフイマスク・エツチング法によつ
て製造される。アルミニウム導体40はヒータ抵抗36、38
と電気接触し、インクジエツトプリント動作の間にそこ
に電気パルスを印加する。また、これら導体は従来の金
属蒸着法を用いてシリコン層34の上面に前もつて堆積さ
れたアルミニウム導体40から形成される。
アルミニウム導体40が形成された後、通常、炭化硅素か
窒化硅素でできた表面障壁層（以下炭化硅素層と呼称す
る）42が導体40の上面およびヒータ抵抗36、38に堆積さ
れ、これらの部材をキヤビテーシヨン摩耗やインク腐食
から保護する（表面障壁層がないと、インク腐食がこれ
らヒータ抵抗の直上のインクだめにある高腐食性のイン
クによつて生じることになるだろう）。前述したSiO2層
34、抵抗36、38およびアルミニウム導体40とともに炭化
硅素層42も、熱インクジエツト半導体処理技術について
の当業者にとつては周知の半導体処理方法を用いて形成
される。それ故、ここでは詳細には説明しない。この半
導体処理工程のさらに詳細については、上記文献、Hewl
ett Packard Journal.Volume 36.Number 5.May 1985を
参照されたい。
窒化硅素でできた表面障壁層（以下炭化硅素層と呼称す
る）42が導体40の上面およびヒータ抵抗36、38に堆積さ
れ、これらの部材をキヤビテーシヨン摩耗やインク腐食
から保護する（表面障壁層がないと、インク腐食がこれ
らヒータ抵抗の直上のインクだめにある高腐食性のイン
クによつて生じることになるだろう）。前述したSiO2層
34、抵抗36、38およびアルミニウム導体40とともに炭化
硅素層42も、熱インクジエツト半導体処理技術について
の当業者にとつては周知の半導体処理方法を用いて形成
される。それ故、ここでは詳細には説明しない。この半
導体処理工程のさらに詳細については、上記文献、Hewl
ett Packard Journal.Volume 36.Number 5.May 1985を
参照されたい。
ニツケルオリフイス板44は図示のように炭化硅素層42上
に配置され、水平溝（細長溝）16を介してインクを受け
るためにヒータ抵抗36、38の直上に位置したインクだめ
領域46、48を有している。これらのインクだめ46、48は
図示のように基板10の上方へ延び、収束輪郭壁50、52に
よつて画定された出口インク排出オリフイスに連結す
る。これらの輪郭壁50、52は、上記Chan etalによる米
国出願第801169号に詳細に説明されているように、イン
クジエツト・プリント動作の間のキヤビテーシヨン摩耗
を減少させガルピング（gulping）を防ぐように設計さ
れている。
に配置され、水平溝（細長溝）16を介してインクを受け
るためにヒータ抵抗36、38の直上に位置したインクだめ
領域46、48を有している。これらのインクだめ46、48は
図示のように基板10の上方へ延び、収束輪郭壁50、52に
よつて画定された出口インク排出オリフイスに連結す
る。これらの輪郭壁50、52は、上記Chan etalによる米
国出願第801169号に詳細に説明されているように、イン
クジエツト・プリント動作の間のキヤビテーシヨン摩耗
を減少させガルピング（gulping）を防ぐように設計さ
れている。
インクジエツト・プリント動作の間に、インクは矢印54
に示された経路に沿つて、また経路56に沿つて横方向に
流れ、インク流ポート58、60、62、64、66および68に流
入する（第3A図および第3B図の構造の左側部参照）。同
様にして、インクは第3B図の構造の右側部のインク流ポ
ート70、72、74、76、78および80に入る。共通のインク
だめから上記複数個のインク流ポートにインクを流入さ
せることによつて、インク送り穴16から36、38のような
個々のヒータ抵抗に至るインクの圧力低下が等しく、そ
れによつて、インクジエツト・プリント動作の間の適正
なインク泡蒸発、射出が保証される。従来技術に対する
本発明のこの特徴の利点は前述した通りである。
に示された経路に沿つて、また経路56に沿つて横方向に
流れ、インク流ポート58、60、62、64、66および68に流
入する（第3A図および第3B図の構造の左側部参照）。同
様にして、インクは第3B図の構造の右側部のインク流ポ
ート70、72、74、76、78および80に入る。共通のインク
だめから上記複数個のインク流ポートにインクを流入さ
せることによつて、インク送り穴16から36、38のような
個々のヒータ抵抗に至るインクの圧力低下が等しく、そ
れによつて、インクジエツト・プリント動作の間の適正
なインク泡蒸発、射出が保証される。従来技術に対する
本発明のこの特徴の利点は前述した通りである。
以上詳述した本発明の１実施例から明らかなように、本
発明の実施によつて、インク排出オリフイスへのインク
流入圧力が均一化される。そのうえ、オリフイスとイン
クだめの実装密度が高まるので、高品質の印字が行え
る。また、共通インクだめとオリフイスとの距離が短く
とれるので高速印字も可能であり、実用に供して有用で
ある。
発明の実施によつて、インク排出オリフイスへのインク
流入圧力が均一化される。そのうえ、オリフイスとイン
クだめの実装密度が高まるので、高品質の印字が行え
る。また、共通インクだめとオリフイスとの距離が短く
とれるので高速印字も可能であり、実用に供して有用で
ある。
第１図は、本発明の１実施例における完全な熱インクジ
エツト・プリントヘツドの分解図である。 第２図は本発明の１実施例において用いられる穴あき抵
抗ダイ（基板）の等角図である。 第3A図および第3B図は、上記プリントヘツド構造の新規
な穴および横方向インク送り部の、部分拡大平面図およ
び断面図である。 10:薄膜抵抗基板;12、44:オリフイス板;14:インク排出
穴;16:細長溝;18:ヘツダ20の上面;20:ヘツダマニホール
ド;22:インク送り穴;24:輪郭壁;26:TAB回路;28:薄膜導
電性リード;30:内部リード;32:シリコン基板;34:2酸化
シリコン層、36、38:ヒータ抵抗;40:アルミニユーム導
体;42:炭化硅素層;46、48:インクだめ領域;50、52:収束
輪郭壁;54、56:インク流;58、60、62、64、66、68、7
0、72、74、76、78、80:インク流ポート。
エツト・プリントヘツドの分解図である。 第２図は本発明の１実施例において用いられる穴あき抵
抗ダイ（基板）の等角図である。 第3A図および第3B図は、上記プリントヘツド構造の新規
な穴および横方向インク送り部の、部分拡大平面図およ
び断面図である。 10:薄膜抵抗基板;12、44:オリフイス板;14:インク排出
穴;16:細長溝;18:ヘツダ20の上面;20:ヘツダマニホール
ド;22:インク送り穴;24:輪郭壁;26:TAB回路;28:薄膜導
電性リード;30:内部リード;32:シリコン基板;34:2酸化
シリコン層、36、38:ヒータ抵抗;40:アルミニユーム導
体;42:炭化硅素層;46、48:インクだめ領域;50、52:収束
輪郭壁;54、56:インク流;58、60、62、64、66、68、7
0、72、74、76、78、80:インク流ポート。
Claims (2)
- 【請求項１】以下の（イ）〜（ハ）を有する熱インクジ
ェット・プリントヘッド。 （イ）インク送り穴と共通インク溜めを有するヘッダに
実装され、前記インク送り穴に整合した細長溝を有して
該細長溝により前記共通インク溜めからインクを受け取
る基板。 （ロ）前記基板上面の対応する複数の導体にそれぞれ接
続され、前記細長溝の周辺に配置された複数の抵抗性ヒ
ータ素子。 （ハ）前記各抵抗性ヒータ素子に対応して設けられた複
数のオリフィスと、前記各抵抗性ヒータ素子および各オ
リフィスに整合して前記細長溝からのインクを受け取っ
て前記オリフィスから吐出させるための複数のインクジ
ェット用インク溜めと、前記細長溝からインクを前記複
数のインク溜めに流入させる略一定の流路長さを有する
複数のインク流路を有する前記導体上の障壁層およびオ
リフィス板を構成する部材。 - 【請求項２】以下の（イ）〜（ニ）の工程を有する熱イ
ンクジェット・プリントヘッドの製造方法。 （イ）基板上に、細長溝状のインク送り開口を形成し、
かつ該インク送り開口の周辺に複数の抵抗性ヒータ素子
を実装して薄膜抵抗基板を形成する工程と、 （ロ）前記薄膜抵抗基板の表面で、前記各抵抗性ヒータ
素子に導線をボンディングする工程と、 （ハ）前記薄膜抵抗基板の表面にオリフィス板を取り付
ける工程であって、該オリフィス板が、前記各抵抗性ヒ
ータ素子に対応して設けられた複数のオリフィスと、前
記各抵抗性ヒータおよび各オリフィスに整合して前記細
長溝からのインクを受け取って前記オリフィスから吐出
させるための複数のインクジェット用インク溜めと、前
記細長溝からインクを前記複数のインク溜めに流入させ
る略一定の流路長さを有する複数のインク流路を有する
ものと、 （ニ）前記薄膜抵抗基板のインク送り開口に対応するイ
ンク送り開口を備えたヘッダへ、前記薄膜抵抗基板をボ
ンディングする工程。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US80629485A | 1985-12-06 | 1985-12-06 | |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134268A JPS62134268A (ja) | 1987-06-17 |
| JPH0773915B2 true JPH0773915B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP61291384A Expired - Lifetime JPH0773915B2 (ja) | 1985-12-06 | 1986-12-05 | 熱インクジエツト・プリントヘツド |
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-
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