JPH077241A - 厚膜導体装置及びその製造方法 - Google Patents
厚膜導体装置及びその製造方法Info
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- JPH077241A JPH077241A JP14609093A JP14609093A JPH077241A JP H077241 A JPH077241 A JP H077241A JP 14609093 A JP14609093 A JP 14609093A JP 14609093 A JP14609093 A JP 14609093A JP H077241 A JPH077241 A JP H077241A
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- film conductor
- layer
- material layer
- porous
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚膜導体装置の他の導体接続部分の信頼性を
向上させること。 【構成】 ガラス成分を含む厚膜導体層１５が基板１１
上に焼成された厚膜導体装置１０において、厚膜導体層
１５に含まれるガラス成分を前記焼成時に吸収した多孔
質層１４が、厚膜導体層１５の導体接続面１５１近傍部
分に接して基板１１上に焼成されていること。
向上させること。 【構成】 ガラス成分を含む厚膜導体層１５が基板１１
上に焼成された厚膜導体装置１０において、厚膜導体層
１５に含まれるガラス成分を前記焼成時に吸収した多孔
質層１４が、厚膜導体層１５の導体接続面１５１近傍部
分に接して基板１１上に焼成されていること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜導体装置及びその
製造方法に関し、特に、他の導体接続部分の信頼性を向
上させることができる厚膜導体装置及びその製造方法に
関するものである。
製造方法に関し、特に、他の導体接続部分の信頼性を向
上させることができる厚膜導体装置及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の厚膜導体装置が実開平２−１４６
４７４号公報に開示されている。この従来例を図６に示
す。図６において、平板状アルミナ基板４１の図示上面
に印刷銅導体層４２、抵抗体層４３及びオーバーコート
層４４がスクリーン印刷及び焼成により形成されてい
る。更に、印刷銅導体層４２のオーバーコート層４４で
覆われていないはんだ付け部分上にめっき銅導体層４５
が形成されている。このめっき銅導体層４５によって、
前記焼成時に印刷銅導体層４２の表面のはんだ付け部分
にガラス成分が浮きだすことが防止され、はんだ濡れ性
を向上させることができるので、前記はんだ付け部分の
はんだ付けの信頼性を向上させることができる。
４７４号公報に開示されている。この従来例を図６に示
す。図６において、平板状アルミナ基板４１の図示上面
に印刷銅導体層４２、抵抗体層４３及びオーバーコート
層４４がスクリーン印刷及び焼成により形成されてい
る。更に、印刷銅導体層４２のオーバーコート層４４で
覆われていないはんだ付け部分上にめっき銅導体層４５
が形成されている。このめっき銅導体層４５によって、
前記焼成時に印刷銅導体層４２の表面のはんだ付け部分
にガラス成分が浮きだすことが防止され、はんだ濡れ性
を向上させることができるので、前記はんだ付け部分の
はんだ付けの信頼性を向上させることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例においては、印刷銅導体層４２を印刷する設備の
他に、めっき銅導体層４５を形成するめっき設備も必要
になるので、コスト高になるという欠点があった。した
がって、本発明の課題は、上述の従来例の欠点をなく
し、コストが安く、ボンディングワイヤ等の他の導体の
接続強度がよく、厚膜導体装置の信頼性を良くすること
ができる厚膜導体装置及びその製造方法を提供すること
である。
従来例においては、印刷銅導体層４２を印刷する設備の
他に、めっき銅導体層４５を形成するめっき設備も必要
になるので、コスト高になるという欠点があった。した
がって、本発明の課題は、上述の従来例の欠点をなく
し、コストが安く、ボンディングワイヤ等の他の導体の
接続強度がよく、厚膜導体装置の信頼性を良くすること
ができる厚膜導体装置及びその製造方法を提供すること
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の構成は、ガラス成分を含む厚膜導体
層が基板上に焼成された厚膜導体装置において、前記厚
膜導体層に含まれるガラス成分を前記焼成時に吸収した
多孔質層が、前記厚膜導体層の導体接続面近傍部分に接
して前記基板上に焼成されていることである。更に、第
２の構成は、ガラス成分を含む厚膜導体材料層を基板上
に形成し、次に、この厚膜導体材料層を焼成して厚膜導
体層にする厚膜導体装置の製造方法において、前記厚膜
導体層における導体接続面となる部位の前記基板上に、
多孔質材料層を形成する第１工程と、前記基板上及び前
記多孔質材料層上に前記厚膜導体材料層を形成する第２
工程と、前記厚膜導体材料層及び前記多孔質材料層を焼
成することにより、前記厚膜導体材料層を前記厚膜導体
層とし、かつ前記多孔質材料層を多孔質層とするととも
に、前記厚膜導体材料層中のガラス成分を前記多孔質層
に吸収させる第３工程とを備えることである。更に、第
３の構成は、ガラス成分を含む厚膜導体材料層を基板上
に形成し、次に、この厚膜導体材料層を焼成して厚膜導
体層にする厚膜導体装置の製造方法において、前記厚膜
導体材料層を前記基板上に形成する工程と、前記厚膜導
体層における導体接続面に隣接する部位の前記基板上
に、多孔質材料層を形成する工程と、前記厚膜導体材料
層及び前記多孔質材料層を焼成することにより、前記厚
膜導体材料層を前記厚膜導体層とし、かつ前記多孔質材
料層を多孔質層とするとともに、前記厚膜導体材料層中
のガラス成分を前記多孔質層に吸収させる工程とを備え
ることである。
め、本発明の第１の構成は、ガラス成分を含む厚膜導体
層が基板上に焼成された厚膜導体装置において、前記厚
膜導体層に含まれるガラス成分を前記焼成時に吸収した
多孔質層が、前記厚膜導体層の導体接続面近傍部分に接
して前記基板上に焼成されていることである。更に、第
２の構成は、ガラス成分を含む厚膜導体材料層を基板上
に形成し、次に、この厚膜導体材料層を焼成して厚膜導
体層にする厚膜導体装置の製造方法において、前記厚膜
導体層における導体接続面となる部位の前記基板上に、
多孔質材料層を形成する第１工程と、前記基板上及び前
記多孔質材料層上に前記厚膜導体材料層を形成する第２
工程と、前記厚膜導体材料層及び前記多孔質材料層を焼
成することにより、前記厚膜導体材料層を前記厚膜導体
層とし、かつ前記多孔質材料層を多孔質層とするととも
に、前記厚膜導体材料層中のガラス成分を前記多孔質層
に吸収させる第３工程とを備えることである。更に、第
３の構成は、ガラス成分を含む厚膜導体材料層を基板上
に形成し、次に、この厚膜導体材料層を焼成して厚膜導
体層にする厚膜導体装置の製造方法において、前記厚膜
導体材料層を前記基板上に形成する工程と、前記厚膜導
体層における導体接続面に隣接する部位の前記基板上
に、多孔質材料層を形成する工程と、前記厚膜導体材料
層及び前記多孔質材料層を焼成することにより、前記厚
膜導体材料層を前記厚膜導体層とし、かつ前記多孔質材
料層を多孔質層とするとともに、前記厚膜導体材料層中
のガラス成分を前記多孔質層に吸収させる工程とを備え
ることである。
【０００５】
【作用】上記第１の構成によると、厚膜導体層の導体接
続面のガラス成分が、前記厚膜導体層の導体接続面近傍
部分に接して基板上に焼成された多孔質層によって吸収
されているため、導体接続面にガラス成分が浮きだすこ
となく、導体接続強度を向上させることができる。この
ため、従来例のようなめっき銅導体層を形成しなくて
も、厚膜導体層に他の導体を直接接続することができ
る。更に、上記第２の構成によれば、結果的に基板及び
多孔質層を覆うように厚膜導体層を焼成するので、前記
多孔質層の上方の前記厚膜導体層の表面にガラス成分が
浮きだすことなく、ここに他の導体を強く接続すること
ができる。更に、上記第３の構成によれば、結果的に厚
膜導体層のうち導体接続面となる部分に隣接するよう
に、基板上に前記多孔質層を形成するので、導体接続面
に浮きだすガラス成分が多孔質層に吸収され、導体接続
面に他の導体を強く接続することができる。
続面のガラス成分が、前記厚膜導体層の導体接続面近傍
部分に接して基板上に焼成された多孔質層によって吸収
されているため、導体接続面にガラス成分が浮きだすこ
となく、導体接続強度を向上させることができる。この
ため、従来例のようなめっき銅導体層を形成しなくて
も、厚膜導体層に他の導体を直接接続することができ
る。更に、上記第２の構成によれば、結果的に基板及び
多孔質層を覆うように厚膜導体層を焼成するので、前記
多孔質層の上方の前記厚膜導体層の表面にガラス成分が
浮きだすことなく、ここに他の導体を強く接続すること
ができる。更に、上記第３の構成によれば、結果的に厚
膜導体層のうち導体接続面となる部分に隣接するよう
に、基板上に前記多孔質層を形成するので、導体接続面
に浮きだすガラス成分が多孔質層に吸収され、導体接続
面に他の導体を強く接続することができる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明に係わる製造方法の第１実施例を
示す。図１は（ａ）〜（ｅ）の部分からなる。まず、
（ａ）に示すように、平板状アルミナ基板１１をセット
する。次に、（ｂ）に示すように、多孔質材料層として
アルミナペースト層１２をアルミナ基板１１上にスクリ
ーン印刷により形成する。なお、アルミナペースト層１
２は、アルミナ粉末と有機ビヒクル（バインダー）によ
り構成されている。その後、５分間放置によりレベリン
グした後に、１６０℃の温度にて１０分間乾燥する。こ
のようにして形成したアルミナペースト層１２の厚さ
は、後述する厚膜導体層材料１３の厚さの１／１０であ
る。一般に、厚膜導体にはガラス成分が１０％含まれる
ので、仮に厚膜導体材料層１３の層厚を２５μｍにする
場合には、アルミナペースト層１２の層厚は２μｍ必要
になる。次に、（ｃ）に示すように、アルミナ基板１１
及びアルミナペースト層１２を覆うように厚膜導体材料
層１３をスクリーン印刷により形成する。この厚膜導体
材料層１３は、金属成分（導電材）、ガラス成分（アル
ミナ基板１１との結合材）及び有機成分（印刷及び乾燥
後から焼成前までの形状保持材であり、後述する焼成に
よって消失する。）からなる。その後、５分間放置によ
るレベリングをした後、１０分間１６０℃の温度にて乾
燥させる。このようにして形成した厚膜導体材料層１３
の厚さは、２０〜４０μm である。次に、（ｄ）に示す
ように、上述の（ｃ）の工程で製造したもの１０C をト
ンネル炉２０中にて焼成する。この焼成の温度プロファ
イルは、最大８５０℃を１０分間保持し、昇温降温含め
全体として６０分間のものである（図５参照）。この焼
成により、アルミナペースト層１２及び厚膜導体材料層
１３をアルミナ基板１１に焼き付ける。また、この焼成
によって、アルミナペースト層１２がアルミナ多孔質層
１４となり、一方厚膜導体材料層１３が厚膜導体層１５
となる。更に、この焼成により、厚膜導体材料層１３に
含まれるガラス成分がアルミナ多孔質層１４に吸収され
る。このため、アルミナ多孔質層１４近傍の厚膜導体層
１５のワイヤ接続面１５１には前記ガラス成分が存在し
ないことになる。なお、この焼成工程では、ベルトコン
ベア２１にて上述の（ｃ）の工程にて製造したもの１０
C をトンネル炉２０中に搬入し、焼成によって厚膜導体
装置１０とした後搬出する。なおトンネル炉２０内に設
けられた複数のヒーター２２がこの焼成の熱原となる。
次に、（ｅ）に示すように、アルミニウム、金等のボン
ディングワイヤ１６を厚膜導体層１５のワイヤ接続面１
５１に超音波ワイヤボンディングにより直接接続する。
する。図１は、本発明に係わる製造方法の第１実施例を
示す。図１は（ａ）〜（ｅ）の部分からなる。まず、
（ａ）に示すように、平板状アルミナ基板１１をセット
する。次に、（ｂ）に示すように、多孔質材料層として
アルミナペースト層１２をアルミナ基板１１上にスクリ
ーン印刷により形成する。なお、アルミナペースト層１
２は、アルミナ粉末と有機ビヒクル（バインダー）によ
り構成されている。その後、５分間放置によりレベリン
グした後に、１６０℃の温度にて１０分間乾燥する。こ
のようにして形成したアルミナペースト層１２の厚さ
は、後述する厚膜導体層材料１３の厚さの１／１０であ
る。一般に、厚膜導体にはガラス成分が１０％含まれる
ので、仮に厚膜導体材料層１３の層厚を２５μｍにする
場合には、アルミナペースト層１２の層厚は２μｍ必要
になる。次に、（ｃ）に示すように、アルミナ基板１１
及びアルミナペースト層１２を覆うように厚膜導体材料
層１３をスクリーン印刷により形成する。この厚膜導体
材料層１３は、金属成分（導電材）、ガラス成分（アル
ミナ基板１１との結合材）及び有機成分（印刷及び乾燥
後から焼成前までの形状保持材であり、後述する焼成に
よって消失する。）からなる。その後、５分間放置によ
るレベリングをした後、１０分間１６０℃の温度にて乾
燥させる。このようにして形成した厚膜導体材料層１３
の厚さは、２０〜４０μm である。次に、（ｄ）に示す
ように、上述の（ｃ）の工程で製造したもの１０C をト
ンネル炉２０中にて焼成する。この焼成の温度プロファ
イルは、最大８５０℃を１０分間保持し、昇温降温含め
全体として６０分間のものである（図５参照）。この焼
成により、アルミナペースト層１２及び厚膜導体材料層
１３をアルミナ基板１１に焼き付ける。また、この焼成
によって、アルミナペースト層１２がアルミナ多孔質層
１４となり、一方厚膜導体材料層１３が厚膜導体層１５
となる。更に、この焼成により、厚膜導体材料層１３に
含まれるガラス成分がアルミナ多孔質層１４に吸収され
る。このため、アルミナ多孔質層１４近傍の厚膜導体層
１５のワイヤ接続面１５１には前記ガラス成分が存在し
ないことになる。なお、この焼成工程では、ベルトコン
ベア２１にて上述の（ｃ）の工程にて製造したもの１０
C をトンネル炉２０中に搬入し、焼成によって厚膜導体
装置１０とした後搬出する。なおトンネル炉２０内に設
けられた複数のヒーター２２がこの焼成の熱原となる。
次に、（ｅ）に示すように、アルミニウム、金等のボン
ディングワイヤ１６を厚膜導体層１５のワイヤ接続面１
５１に超音波ワイヤボンディングにより直接接続する。
【０００７】以上の構成によって、次のようになる。ア
ルミナ基板１１の材質が緻密なために、上述の焼成によ
って前記ガラス成分が厚膜導体層１５の表面にしみで
る。このため、前記焼成後に前記ガラス成分が厚膜導体
層１５の表面を皮膜する。このガラス成分は、ボンディ
ングワイヤ１６を厚膜導体層１５のワイヤ接続面１５１
にボンディングする際にボンディングワイヤ１６とワイ
ヤ接続面１５１との金属結合を阻害する。しかしなが
ら、上述のようにアルミナ多孔質層１４を厚膜導体層１
５のワイヤ接続面１５１の近傍部分とアルミナ基板１１
との間に形成して、このアルミナ多孔質層１４によって
前記ガラス成分を吸収しているので、厚膜導体層１５の
ワイヤ接続面１５１にガラス成分が含まれなくなる。こ
の結果、ボンディングワイヤ１６をワイヤ接続面１５１
に直接ボンディングによって接続でき、かつその接続強
度を充分なものにするとができる。また、アルミナ多孔
質層１４を厚膜導体層１５の下側に設けるので、ワイヤ
接続面１５１が前記アルミナ多孔質層１４の上方に位置
するため、焼成時にワイヤ接続面１５１の位置がずれな
い。
ルミナ基板１１の材質が緻密なために、上述の焼成によ
って前記ガラス成分が厚膜導体層１５の表面にしみで
る。このため、前記焼成後に前記ガラス成分が厚膜導体
層１５の表面を皮膜する。このガラス成分は、ボンディ
ングワイヤ１６を厚膜導体層１５のワイヤ接続面１５１
にボンディングする際にボンディングワイヤ１６とワイ
ヤ接続面１５１との金属結合を阻害する。しかしなが
ら、上述のようにアルミナ多孔質層１４を厚膜導体層１
５のワイヤ接続面１５１の近傍部分とアルミナ基板１１
との間に形成して、このアルミナ多孔質層１４によって
前記ガラス成分を吸収しているので、厚膜導体層１５の
ワイヤ接続面１５１にガラス成分が含まれなくなる。こ
の結果、ボンディングワイヤ１６をワイヤ接続面１５１
に直接ボンディングによって接続でき、かつその接続強
度を充分なものにするとができる。また、アルミナ多孔
質層１４を厚膜導体層１５の下側に設けるので、ワイヤ
接続面１５１が前記アルミナ多孔質層１４の上方に位置
するため、焼成時にワイヤ接続面１５１の位置がずれな
い。
【０００８】図２は、本発明に係わる厚膜導体装置の第
１実施例（上述の製造方法の第１実施例によって製造さ
れたもの）に係わる厚膜導体装置１０の断面構造を示
す。図２において、上述のように形成された厚膜導体装
置１０においては、アルミナ基板１１上にアルミナ多孔
質層１４が形成され、更に、アルミナ基板１１及びアル
ミナ多孔質層１２を覆うように厚膜導体層１５が形成さ
れている。そして、厚膜導体層１５のワイヤ接続面１５
１にボンディングワイヤ１６が接続されている。また、
矢印１７は、厚膜導体層１５に含まれるガラス成分がア
ルミナ多孔質層１４に吸収される方向を示す。以上の構
成によって、厚膜導体装置１０において、上述のように
ボンディングワイヤ１６をワイヤ接続面１５１に直接ボ
ンディングによって接続でき、かつその接続強度を充分
なものにすることができる。
１実施例（上述の製造方法の第１実施例によって製造さ
れたもの）に係わる厚膜導体装置１０の断面構造を示
す。図２において、上述のように形成された厚膜導体装
置１０においては、アルミナ基板１１上にアルミナ多孔
質層１４が形成され、更に、アルミナ基板１１及びアル
ミナ多孔質層１２を覆うように厚膜導体層１５が形成さ
れている。そして、厚膜導体層１５のワイヤ接続面１５
１にボンディングワイヤ１６が接続されている。また、
矢印１７は、厚膜導体層１５に含まれるガラス成分がア
ルミナ多孔質層１４に吸収される方向を示す。以上の構
成によって、厚膜導体装置１０において、上述のように
ボンディングワイヤ１６をワイヤ接続面１５１に直接ボ
ンディングによって接続でき、かつその接続強度を充分
なものにすることができる。
【０００９】図３は、本発明に係わる製造方法の第２実
施例によって製造された厚膜導体装置の断面構造を示
す。なお図３においては、上述の図１と共通する部分は
除かれている。まず、アルミナ基板１１上に厚膜導体材
料層をスクリーン印刷によって形成する。次に、厚膜導
体層１５ａのうちワイヤ接続面１５３の近傍部分１５４
に隣接するように、アルミナ基板１１上にアルミナペー
スト層をスクリーン印刷によって形成する。次に、上述
の第１実施例と同様に焼成して、厚膜導体層１５ａ及び
アルミナ多孔質層１４ａを焼成し、厚膜導体装置１０ａ
を完成する。以上の構成によって、ボンディングワイヤ
１６をワイヤ接続面１５３に強固にボンデイングするこ
とができるとともに、厚膜導体層１５ａの図示下側にア
ルミナ多孔質層１４ａを形成する必要がないので、厚膜
導体層１５ａの表面１５２（前記ワイヤ接続面１５３を
含む。）を平らにすることができる。
施例によって製造された厚膜導体装置の断面構造を示
す。なお図３においては、上述の図１と共通する部分は
除かれている。まず、アルミナ基板１１上に厚膜導体材
料層をスクリーン印刷によって形成する。次に、厚膜導
体層１５ａのうちワイヤ接続面１５３の近傍部分１５４
に隣接するように、アルミナ基板１１上にアルミナペー
スト層をスクリーン印刷によって形成する。次に、上述
の第１実施例と同様に焼成して、厚膜導体層１５ａ及び
アルミナ多孔質層１４ａを焼成し、厚膜導体装置１０ａ
を完成する。以上の構成によって、ボンディングワイヤ
１６をワイヤ接続面１５３に強固にボンデイングするこ
とができるとともに、厚膜導体層１５ａの図示下側にア
ルミナ多孔質層１４ａを形成する必要がないので、厚膜
導体層１５ａの表面１５２（前記ワイヤ接続面１５３を
含む。）を平らにすることができる。
【００１０】図４は、上述の製造方法の各実施例に使用
する印刷機の正面を示す。図４において、印刷機３０
は、アルミナ基板１１を載置するベース３１、このアル
ミナ基板１１の図示上面に接するスクリーン３２、この
スクリーン３２の両端を固定するスクリーン枠３３、前
記スクリーン３２を前記アルミナ基板１１に印圧するス
キージ３４及びインク返し３５からなる。スクリーン３
２には印刷用パターンが形成されている。スクリーン３
２のメッシュは２５０メッシュである。またクリーン３
２の張力は１０kg／in2 、スキージ３４の移動速度は１
００mm／sec である。なお、スキージ３４で印圧されて
いないときのスクリーン３２を二点鎖線で示す。また、
インク３６は印刷材料である。なお、アルミナペースト
層１２を印刷するときには、インク３６はアルミナペー
ストであり、厚膜導体材料層１３を印刷するときには、
インク３６は厚膜導体材料である。矢印３７はスクリー
ン印刷時のスキージ移動方向を示し、矢印３８は前記印
圧方向を示す。以上の構成によって、スクリーン印刷す
るときは、まずスクリーン３２の図示上面にインクを薄
く塗布し、次にスキージ３４でスクリーン３２の図示上
面を矢印３８方向にに印圧しつつ、スキージ３４を矢印
３６方向に移動させる。このようにすると、インク３６
がベース３１上のアルミナ基板１１の図示上面に印刷さ
れる。次に、印刷終了時にインク返し３５をスクリーン
３２の図示上面に接触させつつ、スキージ３４及びイン
ク返し３５を図示左方向（矢印３７と反対方向）に移動
させて、スキージ３４及びインク返し３５を印刷開始直
前の位置まで戻す。この過程において、インク３６はイ
ンク返し３５によってスクリーン３２の図示上面に薄く
延ばされる。このため、次回の印刷を連続して行うこと
ができる。
する印刷機の正面を示す。図４において、印刷機３０
は、アルミナ基板１１を載置するベース３１、このアル
ミナ基板１１の図示上面に接するスクリーン３２、この
スクリーン３２の両端を固定するスクリーン枠３３、前
記スクリーン３２を前記アルミナ基板１１に印圧するス
キージ３４及びインク返し３５からなる。スクリーン３
２には印刷用パターンが形成されている。スクリーン３
２のメッシュは２５０メッシュである。またクリーン３
２の張力は１０kg／in2 、スキージ３４の移動速度は１
００mm／sec である。なお、スキージ３４で印圧されて
いないときのスクリーン３２を二点鎖線で示す。また、
インク３６は印刷材料である。なお、アルミナペースト
層１２を印刷するときには、インク３６はアルミナペー
ストであり、厚膜導体材料層１３を印刷するときには、
インク３６は厚膜導体材料である。矢印３７はスクリー
ン印刷時のスキージ移動方向を示し、矢印３８は前記印
圧方向を示す。以上の構成によって、スクリーン印刷す
るときは、まずスクリーン３２の図示上面にインクを薄
く塗布し、次にスキージ３４でスクリーン３２の図示上
面を矢印３８方向にに印圧しつつ、スキージ３４を矢印
３６方向に移動させる。このようにすると、インク３６
がベース３１上のアルミナ基板１１の図示上面に印刷さ
れる。次に、印刷終了時にインク返し３５をスクリーン
３２の図示上面に接触させつつ、スキージ３４及びイン
ク返し３５を図示左方向（矢印３７と反対方向）に移動
させて、スキージ３４及びインク返し３５を印刷開始直
前の位置まで戻す。この過程において、インク３６はイ
ンク返し３５によってスクリーン３２の図示上面に薄く
延ばされる。このため、次回の印刷を連続して行うこと
ができる。
【００１１】図５は、上述の製造方法の各実施例におけ
る焼成工程の温度プロファイルを示す。図５のグラフに
おいて、縦軸は温度を示し、横軸は時間を示す。なお、
上述のガラス成分吸収用多孔質材料層として、アルミペ
ースト層の代わりに酸化珪素ＳｉＯ2 、窒化アルミニウ
ムＡｌＮ、炭化珪素ＳｉＣ等のセラミックス系粉末をペ
ースト状にしたものを使用できる。また鉄粉等の金属粉
末をペースト状にしたものでも融点が焼成温度（８５０
℃）よりも高いものであれば使用可能である。また、上
述のボンデイングワイヤの代わりにチップ部品の電極用
導体等をワイヤ接続面に接続することもできる。
る焼成工程の温度プロファイルを示す。図５のグラフに
おいて、縦軸は温度を示し、横軸は時間を示す。なお、
上述のガラス成分吸収用多孔質材料層として、アルミペ
ースト層の代わりに酸化珪素ＳｉＯ2 、窒化アルミニウ
ムＡｌＮ、炭化珪素ＳｉＣ等のセラミックス系粉末をペ
ースト状にしたものを使用できる。また鉄粉等の金属粉
末をペースト状にしたものでも融点が焼成温度（８５０
℃）よりも高いものであれば使用可能である。また、上
述のボンデイングワイヤの代わりにチップ部品の電極用
導体等をワイヤ接続面に接続することもできる。
【００１２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の厚
膜導体装置及びその製造方法によれば、厚膜導体層のボ
ンディングワイヤ等の他の導体接続面に直接ボンディン
グワイヤ等の他の導体を接続することができ、かつその
接続強度を充分なものにすることができる。このため、
厚膜導体装置の信頼性を向上させることができる。ま
た、従来例のようなめっき設備が不要となるので、厚膜
導体装置を安価なものにすることができる。更に、多孔
質層及び基板を覆うように厚膜導体層を形成することに
よって、厚膜導体層のワイヤ接続面の位置がずれないよ
うにすることができる。更に、基板上に形成された厚膜
導体層のうちワイヤ接続面近傍部分に隣接するように、
基板上に多孔質層を形成することによって、厚膜導体層
の表面（ワイヤ接続面を含む）を平らにすることができ
る。
膜導体装置及びその製造方法によれば、厚膜導体層のボ
ンディングワイヤ等の他の導体接続面に直接ボンディン
グワイヤ等の他の導体を接続することができ、かつその
接続強度を充分なものにすることができる。このため、
厚膜導体装置の信頼性を向上させることができる。ま
た、従来例のようなめっき設備が不要となるので、厚膜
導体装置を安価なものにすることができる。更に、多孔
質層及び基板を覆うように厚膜導体層を形成することに
よって、厚膜導体層のワイヤ接続面の位置がずれないよ
うにすることができる。更に、基板上に形成された厚膜
導体層のうちワイヤ接続面近傍部分に隣接するように、
基板上に多孔質層を形成することによって、厚膜導体層
の表面（ワイヤ接続面を含む）を平らにすることができ
る。
【図１】本発明に係わる製造方法の第１実施例の説明図
である。
である。
【図２】本発明に係わる厚膜導体装置の第１実施例の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係わる製造方法の第２実施例の説明図
である。
である。
【図４】前記製造方法の各実施例に使用する印刷機の正
面図である。
面図である。
【図５】前記製造方法の各実施例の焼成の温度プロファ
イルを示すグフフである。
イルを示すグフフである。
【図６】従来例の製造方法の説明図である。
１０ 厚膜導体装置 １１ アルミナ基板 １２ アルミナペースト層 １３ 厚膜導体材料層 １４、１４ａ アルミナ多孔質層 １５、１５ａ 厚膜導体層 １５１、１５３ ワイヤ接続面 １６ ボンディングワイヤ １７ 矢印
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス成分を含む厚膜導体層が基板上に
焼成された厚膜導体装置において、 前記厚膜導体層に含まれるガラス成分を前記焼成時に吸
収した多孔質層が、前記厚膜導体層の導体接続面近傍部
分に接して前記基板上に焼成されていることを特徴とす
る厚膜導体装置。 - 【請求項２】 ガラス成分を含む厚膜導体材料層を基板
上に形成し、次に、この厚膜導体材料層を焼成して厚膜
導体層にする厚膜導体装置の製造方法において、 前記厚膜導体層における導体接続面となる部位の前記基
板上に、多孔質材料層を形成する第１工程と、 前記基板上及び前記多孔質材料層上に前記厚膜導体材料
層を形成する第２工程と、 前記厚膜導体材料層及び前記多孔質材料層を焼成するこ
とにより、前記厚膜導体材料層を前記厚膜導体層とし、
かつ前記多孔質材料層を多孔質層とするとともに、前記
厚膜導体材料層中のガラス成分を前記多孔質層に吸収さ
せる第３工程とを備えることを特徴とする厚膜導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 ガラス成分を含む厚膜導体材料層を基板
上に形成し、次に、この厚膜導体材料層を焼成して厚膜
導体層にする厚膜導体装置の製造方法において、 前記厚膜導体材料層を前記基板上に形成する工程と、 前記厚膜導体層における導体接続面に隣接する部位の前
記基板上に、多孔質材料層を形成する工程と、 前記厚膜導体材料層及び前記多孔質材料層を焼成するこ
とにより、前記厚膜導体材料層を前記厚膜導体層とし、
かつ前記多孔質材料層を多孔質層とするとともに、前記
厚膜導体材料層中のガラス成分を前記多孔質層に吸収さ
せる工程とを備えることを特徴とする厚膜導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14609093A JP3180511B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 厚膜導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14609093A JP3180511B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 厚膜導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077241A true JPH077241A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3180511B2 JP3180511B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=15399912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14609093A Expired - Fee Related JP3180511B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 厚膜導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3180511B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011046036A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 株式会社小糸製作所 | 回路装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP14609093A patent/JP3180511B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011046036A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 株式会社小糸製作所 | 回路装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3180511B2 (ja) | 2001-06-25 |
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