JPH0770737B2 - Pressure sensor - Google Patents
Pressure sensorInfo
- Publication number
- JPH0770737B2 JPH0770737B2 JP59277369A JP27736984A JPH0770737B2 JP H0770737 B2 JPH0770737 B2 JP H0770737B2 JP 59277369 A JP59277369 A JP 59277369A JP 27736984 A JP27736984 A JP 27736984A JP H0770737 B2 JPH0770737 B2 JP H0770737B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- pressure
- pressure sensor
- resistance
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、感度ばらつきのない圧力センサの構造に関す
るものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a structure of a pressure sensor without variations in sensitivity.
（従来技術とその問題点） 従来、圧力センサの分野では圧力感度に関して製品間の
ばらつきを低減することが大きな課題であった。当該圧
力感度のばらつきの原因として、（１）ダイアフラムの
膜厚の違い、（２）不純物濃度のばらつき等による各感
圧素子の感度の違い、（３）ダイアフラム上の感圧素子
の位置ずれ等の要因があげられる。近年、電気化学エッ
チング等により、ダイアフラムの膜厚制御が可能とな
り、上記（１）の要因による当該感度ばらつきの低減化
に利用されている。また、半導体製造装置の進歩により
上記（２）の不純物濃度のばらつきを少なくすることも
可能となった。(Prior Art and its Problems) In the field of pressure sensors, it has been a major problem to reduce the variation in pressure sensitivity among products. The causes of the variation in the pressure sensitivity are (1) the difference in the film thickness of the diaphragm, (2) the difference in the sensitivity of each pressure sensitive element due to the variation in the impurity concentration, and (3) the displacement of the pressure sensitive element on the diaphragm. The factors are: In recent years, it has become possible to control the film thickness of the diaphragm by electrochemical etching or the like, and it is used to reduce the sensitivity variation due to the factor (1). Further, the progress of the semiconductor manufacturing apparatus has made it possible to reduce the variation in the impurity concentration in the above (2).
一方、感圧素子の位置決めは、通常、光学顕微鏡を用い
て、技術者が予め刻まれた目印に従って目合せをするこ
とにより行なっている。従がって、多少の位置ずれはこ
れを避けることができない。以下、従来例について図を
あげて説明し、同時にその欠点について述べる。On the other hand, the positioning of the pressure-sensitive element is usually performed by an technician using an optical microscope to perform alignment according to a pre-marked mark. Therefore, some displacement is unavoidable. Hereinafter, a conventional example will be described with reference to the drawings, and at the same time, its drawbacks will be described.
第７図は従来の圧力変換器の構成例であり、第８図はダ
イアフラムを上から見た図である。第７図において、拡
散型ひずみゲージ抵抗１の置かれる厚さ均一のダイアフ
ラム13と支持体14により構成されるダイアフラム型圧力
センサ３は、該圧力センサ３の線膨張係数に極めて近い
線膨張係数を有するガラス４（例えばコーニング社製77
40パイレックスガラス）に静電ボンディングによって接
着されている。FIG. 7 is a structural example of a conventional pressure converter, and FIG. 8 is a view of the diaphragm as viewed from above. In FIG. 7, a diaphragm type pressure sensor 3 constituted by a diaphragm 13 having a uniform thickness on which a diffusion type strain gauge resistor 1 is placed and a support 14 has a linear expansion coefficient very close to that of the pressure sensor 3. Glass 4 (eg Corning 77
40 Pyrex glass) by electrostatic bonding.
さらに当該ガラス４はパッケージ６に金・スズあるいは
金・シリコンの共晶合金５によって接着されている。ま
た、該パッケージ６は、キャップ９によって封止されて
いる。以下に当該圧力変換器の動作原理を記する。圧力
の測定される気体10が導通管８を通して供給され、一方
キャップ９につけられた導通管12を通して参照となる気
体11が供給される。12は大気中に開放される場合もあ
る。圧力センサ３のダイアフラム13には、上面と下面の
気体の圧力の差によりひずみが生じ、ダイアフラム13上
につくられ、ゲージ抵抗により構成されたホイートスト
ンブリッジ回路において、当該ブリッジ回路の出力電圧
変化が検出される。当該ブリッジの励起電圧及び出力電
圧は、金属細線２を介してリード７より入力あるいは出
力第８図のダイアフラム13は通常、シリコンの（100）
面を利用しており、当該ダイアフラムの周辺は＜110＞
方向に向けられている。かかる場合には、ゲージ抵抗１
の抵抗変化率ΔR/Rはピエゾ抵抗効果の関係式を用いて
（１）式のように表わせる。Further, the glass 4 is bonded to the package 6 with a eutectic alloy 5 of gold / tin or gold / silicon. The package 6 is sealed by a cap 9. The operating principle of the pressure converter will be described below. A gas 10 whose pressure is to be measured is supplied through a conduit 8 while a reference gas 11 is supplied through a conduit 12 attached to a cap 9. 12 may be released to the atmosphere. Distortion occurs in the diaphragm 13 of the pressure sensor 3 due to the difference in gas pressure between the upper surface and the lower surface, and in the Wheatstone bridge circuit that is formed on the diaphragm 13 and is composed of a gauge resistance, the output voltage change of the bridge circuit is detected. To be done. The excitation voltage and the output voltage of the bridge are input or output from the lead 7 through the thin metal wire 2. The diaphragm 13 in FIG. 8 is usually made of silicon (100).
The area around the diaphragm is <110>.
Is oriented. In such a case, gauge resistance 1
The resistance change rate ΔR / R can be expressed as in equation (1) using the relational expression of the piezoresistance effect.
ΔR/R＝πｌσｌ＋πｔσｔ （１） 式中、σｌは抵抗の長さ方向に働く法線応力、σｔは抵
抗の長さ方向と垂直に働く法線応力を表わしており、π
l,πｔはそれぞれの応力にかかる比例定数である。この
ゲージ抵抗１をボロン等の拡散により形成した場合に
は、πl,πｔの間に（２）式の近似がなりたつ。ΔR / R = π l σ l + π t σ t (1) where σ l is the normal stress acting in the length direction of the resistance, and σ t is the normal stress acting perpendicular to the length direction of the resistance. Cage, π
l and π t are proportional constants applied to the respective stresses. When the gauge resistance 1 is formed by diffusion of boron or the like, the approximation of the equation (2) is established between π l and π t .
πｌ−πｔ （２） 従って、（２）式を用いて（１）式を変形すると ΔR/Rπｌ（σｌ−σｔ） （３） の関係式が得られる。第９図は、（３）式をもとにして
ダイアフラム上面に正の圧力が印加されたとき中心線上
（第８図Ａ−Ａ′）に生じる抵抗変化率の分布を示した
ものである。図中30はゲージ抵抗１のおかれる位置を示
しており、通常、感度が最も大きくなる位置が選ばれ
る。しかし、同図に明らかなように、当該位置30では、
抵抗変化率の位置による変化は特に急である。従って、
従来の構造を持つ圧力センサでは、先に述べたようなゲ
ージ抵抗の位置決めの際に不可避的に生ずる目合せのい
ずれに対して感度が大きく変動し、結局、圧力センサの
感度ばらつきが発生するという欠点があった。π l −π t (2) Therefore, if the formula (1) is modified using the formula (2), the relational expression of ΔR / Rπ l (σ l −σ t ) (3) is obtained. FIG. 9 shows the distribution of the resistance change rate generated on the center line (A-A 'in FIG. 8) when a positive pressure is applied to the upper surface of the diaphragm based on the equation (3). In the figure, reference numeral 30 indicates the position where the gauge resistance 1 is placed, and the position where the sensitivity is maximized is usually selected. However, as is clear from the figure, at the position 30,
The change in resistance change rate with position is particularly rapid. Therefore,
In the pressure sensor having the conventional structure, the sensitivity greatly changes with respect to any of the alignments that are inevitably generated when the gauge resistance is positioned as described above, and eventually the sensitivity of the pressure sensor varies. There was a flaw.
（発明の目的） 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去せしめて、
感度ばらつきの少ない圧力センサの構造を提供すること
にある。(Object of the Invention) An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art.
It is to provide a structure of a pressure sensor with less variation in sensitivity.
（発明の構成） 上記目的を達成するために、本発明は、印加した圧力に
応答する感圧素子と、前記感圧素子が置かれ（100）方
向に主面がある正方形のシリコンからなるダイアフラム
と、前記ダイアフラムの周囲を固定する支持体とを備え
たシリコン圧力センサにおいて、一辺に平行な方向にお
いて中央部を周辺部よりも厚くし、かつ、他の一辺に平
行な方向において厚さが周辺部と中央部がともに均一な
形状になるように前記ダイアフラムを構成し、前記ダイ
アフラムの中央部に前記感圧素子を少なくとも一個置い
たのである。(Structure of the Invention) In order to achieve the above object, the present invention provides a pressure-sensitive element responsive to an applied pressure, and a diaphragm made of square silicon having the main surface in the (100) direction in which the pressure-sensitive element is placed. And a support for fixing the periphery of the diaphragm, wherein the central portion is thicker than the peripheral portion in the direction parallel to one side, and the thickness is peripheral in the direction parallel to the other side. The diaphragm is configured so that both the central part and the central part have a uniform shape, and at least one pressure-sensitive element is placed in the central part of the diaphragm.
（実施例） 本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。以下、本発明について実施例を示す図面
を参照して説明する。(Example) The present invention has solved the problems of the prior art by adopting the above-mentioned configuration. Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings illustrating an embodiment.
第１図および第２図は、本発明の一実施例を示す図で、
第２図は第１図のシリコンダイアフラム40を上から見た
平面図である。これらの図において、第７図および第８
図と同一番号は同一構成要素を示している。第１図と従
来例の第７図とはダイアフラム40の構造の違いを除いて
ほぼ同一構成であり、以下当該ダイアフラム40について
説明を行ない、他の要素についてはこれを省く。1 and 2 are views showing an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the silicon diaphragm 40 of FIG. 1 seen from above. In these figures, Figures 7 and 8
The same reference numerals as those in the figure indicate the same components. FIG. 1 and FIG. 7 of the conventional example have almost the same configuration except for the difference in the structure of the diaphragm 40. The diaphragm 40 will be described below, and other elements will be omitted.
ダイアフラム40では中央部42は厚さが周辺部41の２倍あ
り、ゲージ抵抗１は当該中央部42におかれている。ま
た、当該ゲージ抵抗１は第２図に示すように互いに垂直
な方向をなす二種類の方向に配置され、ブリッジ回路を
構成する（図示せず）。In the diaphragm 40, the central portion 42 is twice as thick as the peripheral portion 41, and the gauge resistance 1 is placed in the central portion 42. Further, the gauge resistor 1 is arranged in two kinds of directions which are perpendicular to each other as shown in FIG. 2 and constitutes a bridge circuit (not shown).
ダイアフラム40を作製するには、例えば第一のマスクを
支持体14の下面に用いてパターニングし、これをSiO2等
により保護した後、エッチングにより中央部42を作り、
続いて第二のマスクを支持体14および中央部42の下面に
用いて周辺部41を作製するという方法を用いると良い。
なお、当該エッチングを行なう際には、ダイアフラム40
の上面を常に保護して当該エッチングを受けないように
しなれけばいけない。また、当該エッチングの技術とし
て、化学エッチング、放電加工等を用いることができ
る。In order to manufacture the diaphragm 40, for example, patterning is performed by using the first mask on the lower surface of the support 14, and this is protected by SiO 2 or the like, and then the central portion 42 is formed by etching,
Then, it is preferable to use a method of forming the peripheral portion 41 by using the second mask on the lower surfaces of the support 14 and the central portion 42.
When performing the etching, the diaphragm 40
You must always protect the upper surface of the so as not to receive the etching. Further, as the etching technique, chemical etching, electric discharge machining, or the like can be used.
第３図は、圧力が印加された際にダイアフラム40の中心
線上（第２図Ａ−Ａ′）に生じた応力により、当該エー
ジ抵抗１で抵抗の長さ方向が中心線と垂直な方向をもつ
抵抗の抵抗変化率を位置に対して示したものである。図
中60は、感圧素子で例えばゲージ抵抗１の置かれる位置
を示している。同図は、従来例の第９図と異なり、当該
感圧素子の置かれる位置で感度の位置に対する変化が著
しく小さい。従がって、本実施例の構造をもつ圧力セン
サでは、当該感圧素子の位置ずれにより生ずる感度ばら
つきを低減することが可能である。FIG. 3 shows that due to the stress generated on the center line of the diaphragm 40 (A-A 'in FIG. 2) when the pressure is applied, the length direction of the resistance in the age resistor 1 is perpendicular to the center line. The rate of change in resistance of the resistance is shown with respect to position. In the figure, reference numeral 60 denotes a pressure sensitive element, for example, a position where the gauge resistor 1 is placed. Unlike FIG. 9 of the conventional example, this figure shows a significantly small change in sensitivity with respect to the position where the pressure sensitive element is placed. Therefore, in the pressure sensor having the structure of this embodiment, it is possible to reduce the sensitivity variation caused by the displacement of the pressure sensitive element.
（実施例２〜５） 第４図（ａ）〜（ｄ）に前記第１図の圧力センサ３の他
の実施例を示す。図において、第１図と同一番号は同一
構成要素を示している。本実施例において、ダイアフラ
ム40の中央部42の形状が、同図（ａ）では中央が厚いテ
ーパに、同図（ｂ）では周辺が厚いテーパ形状になって
いる。また、同図（ｃ）では、中央部42が二段の階段形
状により形成されている。同図（ｄ）では、中央部42よ
り漸次周辺に薄いテーパにより当該ダイアフラム40が形
成されている。Siダイアフラムならば異方性エッチング
でこのテーパを形成できる。また放電加工でもよい。上
記の実施例の他に、当該中央部42が、二段以上の段階形
状あるいはテーパからなる構成を持っても良い。また、
上記階段形状とテーパおよび同図（ｄ）等を任意に組み
合せた構成も本発明に含まれる。(Examples 2 to 5) FIGS. 4A to 4D show other examples of the pressure sensor 3 of FIG. In the figure, the same numbers as in FIG. 1 indicate the same components. In the present embodiment, the shape of the central portion 42 of the diaphragm 40 is a thick taper at the center in the figure (a) and a thick taper at the periphery in the figure (b). Further, in FIG. 7C, the central portion 42 is formed in a two-step staircase shape. In the same figure (d), the diaphragm 40 is formed around the central portion 42 gradually with a thin taper. With a Si diaphragm, this taper can be formed by anisotropic etching. Further, electric discharge machining may be used. In addition to the above-mentioned embodiment, the central portion 42 may have a configuration having two or more stages or a taper. Also,
The present invention also includes a configuration in which the above step shape, the taper, and FIG.
（実施例６〜８） 第５〜６図は本発明の他の実施例を示す図である。図に
おいて、第１図と同一番号は同一構成要素を示してい
る。(Embodiments 6 to 8) FIGS. 5 to 6 are views showing other embodiments of the present invention. In the figure, the same numbers as in FIG. 1 indicate the same components.
第5,6図の実施例は、ゲージ抵抗１を薄肉の周辺部41に
も置いたことを特徴とする圧力センサの実施例であり、
前者ではゲージ抵抗１がダイアフラム40の辺近くに置か
れている。後者では、ゲージ抵抗１をダイアフラム40の
中央近くに配置している。後者の場合、第３図に明らか
なように周辺部41におかれた抵抗の抵抗値変化率の値は
中央部42に置かれたゲージ抵抗１と反対の符号をもつ。
また、位置による抵抗変化率の値の変化が小さく、抵抗
位置の目合せずれによる影響が小さい。The embodiment shown in FIGS. 5 and 6 is an embodiment of the pressure sensor characterized in that the gauge resistance 1 is also placed on the thin peripheral portion 41.
In the former case, gauge resistance 1 is placed near the side of diaphragm 40. In the latter case, the gauge resistor 1 is arranged near the center of the diaphragm 40. In the latter case, as is apparent from FIG. 3, the resistance change rate of the resistance placed in the peripheral portion 41 has the opposite sign to the gauge resistance 1 placed in the central portion 42.
Further, the change in the value of the resistance change rate depending on the position is small, and the influence due to the misalignment of the resistance positions is small.
以上、本発明について例を挙げ詳細な説明を行なった。
なお、本発明の構成は、前記実施例第１図のダイアフラ
ム40（周辺部41と中央部42を含む）を除く他の構成要素
について何ら制限されず、通常用いられる全ての構成が
本発明に含まれる。The present invention has been described in detail above with reference to examples.
The configuration of the present invention is not limited to the other components except the diaphragm 40 (including the peripheral portion 41 and the central portion 42) of FIG. included.
また、シリコン等半導体よりなる前記ダイアフラムの表
面をシリコン等の酸化膜、窒化膜等で保護した構成、及
び、該表面上に周辺回路を形成した構成も本発明に含ま
れる。The present invention also includes a configuration in which the surface of the diaphragm made of a semiconductor such as silicon is protected by an oxide film such as silicon, a nitride film or the like, and a peripheral circuit is formed on the surface.
なお、上記実施例において中央部の領域および厚さを大
きくする程、当該ゲージ抵抗に働く応力の分布は緩やか
になり、従がって、感度ばらつきが減少する。しかし、
この場合には、同時に当該応力の絶対値が減少すること
により、感度が小さくなる。従って、圧力センサを設計
する際には、以上の効果を考慮して、感度および感度ば
らつきを最適にするようにダイアフラム中央部の寸法を
決めなければならない。It should be noted that in the above-described embodiment, the larger the central region and thickness, the more gradual the distribution of stress acting on the gauge resistance, and therefore the variation in sensitivity decreases. But,
In this case, the sensitivity decreases because the absolute value of the stress decreases at the same time. Therefore, when designing the pressure sensor, the size of the central portion of the diaphragm must be determined in consideration of the above effects so as to optimize the sensitivity and the sensitivity variation.
（発明の効果） 以上、本発明の構成をとることにより、感度ばらつきの
少ない圧力センサを供給することが可能となった。本発
明による品質の向上および製造コストを低減することの
できる効果は大きいものである。(Advantages of the Invention) As described above, by adopting the configuration of the present invention, it becomes possible to supply a pressure sensor with little sensitivity variation. The effect of improving the quality and reducing the manufacturing cost according to the present invention is great.
第１図は、本発明の実施例の断面の構成を示す図であ
り、第２図は、第１図のダイアフラム40を上から見た平
面図である。また、第３図は、第２図Ａ−Ａ′に沿って
生じる本発明の実施例による抵抗変化率の分布を示す図
である。第４図（ａ）〜（ｄ）は、第１図の圧力センサ
３の他の実施例の構成を示す図であり、第２図のＡ−
Ａ′に沿って切った図である。第５図および第６図は、
第１図のダイアフラム40の構成を示す他の実施例の平面
図である。第７図、第８図は、従来の圧力変換器の構成
を示す図であり、第９図は、第８図のＡ−Ａ′に沿って
生ずる抵抗変化率の値を示す図である。 １……ゲージ抵抗、２……金属細線、 ３……圧力センサ、４……ガラス、 ５……金・スズ等の共晶合金、 ６……パッケージ、７……リード、 8,12……導通管、９……キャップ、 10,11……気体、13……ダイアフラム、 14……支持体、 30,60……ゲージ抵抗の置かれる位置、 40……ダイアフラム、41……周辺部、 42……中央部、80……くびれFIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the diaphragm 40 of FIG. 1 seen from above. FIG. 3 is a diagram showing the distribution of the rate of change in resistance according to the embodiment of the present invention, which is generated along the line AA ′ in FIG. FIGS. 4 (a) to 4 (d) are views showing the configuration of another embodiment of the pressure sensor 3 of FIG. 1, and are A- of FIG.
It is the figure cut along A '. 5 and 6 show
It is a top view of another Example which shows the structure of the diaphragm 40 of FIG. 7 and 8 are diagrams showing the configuration of a conventional pressure converter, and FIG. 9 is a diagram showing the value of the resistance change rate occurring along the line AA 'in FIG. 1 ... Gauge resistance, 2 ... Metal wire, 3 ... Pressure sensor, 4 ... Glass, 5 ... Eutectic alloy such as gold / tin, 6 ... Package, 7 ... Lead, 8, 12 ... Continuity tube, 9 ... Cap, 10,11 ... Gas, 13 ... Diaphragm, 14 ... Support, 30,60 ... Position where gauge resistance is placed, 40 ... Diaphragm, 41 ... Peripheral part, 42 ...... Central part, 80 ...... constriction
Claims (1)
感圧素子が置かれ（100）方向に主面がある正方形のシ
リコンからなるダイアフラムと、前記ダイアフラムの周
囲を固定する支持体とを備えたシリコン圧力センサにお
いて、一辺に平行な方向において中央部を周辺部よりも
厚くし、かつ、他の一辺に平行な方向において厚さが周
辺部と中央部がともに均一な形状になるように前記ダイ
アフラムを構成し、前記ダイアフラムの中央部に前記感
圧素子を少なくとも一個置いたことを特徴とする圧力セ
ンサ。1. A pressure-sensitive element responsive to an applied pressure, a diaphragm made of square silicon on which the pressure-sensitive element is placed and having a main surface in a (100) direction, and a support for fixing the periphery of the diaphragm. In the silicon pressure sensor equipped with, the central part is made thicker than the peripheral part in the direction parallel to one side, and the peripheral part and the central part are uniform in thickness in the direction parallel to the other side. The pressure sensor, wherein the diaphragm is formed in the diaphragm, and at least one pressure-sensitive element is placed in a central portion of the diaphragm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277369A JPH0770737B2 (en) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277369A JPH0770737B2 (en) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Pressure sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154179A JPS61154179A (en) | 1986-07-12 |
| JPH0770737B2 true JPH0770737B2 (en) | 1995-07-31 |
Family
ID=17582561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59277369A Expired - Lifetime JPH0770737B2 (en) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770737B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5454628B2 (en) * | 2012-06-29 | 2014-03-26 | 株式会社デンソー | Pressure sensor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162491A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pressure transducer |
| JPS5688371A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Toshiba Corp | Semiconductor pressure converter |
| JPS56133877A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor diaphragm type sensor |
| JPS5882138A (en) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Hitachi Ltd | Semiconductor measurement diaphragm |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59277369A patent/JPH0770737B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61154179A (en) | 1986-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5012677A (en) | Differential pressure transmitter | |
| EP3364166A1 (en) | Microelectromechanical scalable bulk-type piezoresistive force/pressure sensor | |
| US5537882A (en) | Semiconductor sensor for detecting physical amount without thermal hypsteresis where output wiring is disposed in a stress insensitive direction | |
| EP0316343A4 (en) | Media isolated differential pressure sensors | |
| JPS6341080A (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
| JPH07113647B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
| EP0225095A2 (en) | Biaxial strain gage systems | |
| JP3114006B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| CN100334453C (en) | Acceleration transducer | |
| JPH0758795B2 (en) | Pressure sensor | |
| EP0080186B1 (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JPH0770737B2 (en) | Pressure sensor | |
| JP3330831B2 (en) | Strain detection sensor | |
| CN100422697C (en) | Acceleration transducer | |
| JPH0750788B2 (en) | Pressure sensor | |
| JPH0419495B2 (en) | ||
| JPH0269630A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JPH06296032A (en) | Force conversion element | |
| JPH0571148B2 (en) | ||
| JP2864700B2 (en) | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing the same | |
| JP2512220B2 (en) | Multi-function sensor | |
| JPH0770738B2 (en) | Pressure sensor | |
| JPH05340956A (en) | Acceleration sensor | |
| JPS6155263B2 (en) | ||
| JPH10142086A (en) | Semiconductor pressure sensor, its manufacturing method, and differential pressure transmitter using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |