JPH0767047B2 - パラボラアンテナ装置 - Google Patents

パラボラアンテナ装置

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JPH0767047B2
JPH0767047B2 JP2559487A JP2559487A JPH0767047B2 JP H0767047 B2 JPH0767047 B2 JP H0767047B2 JP 2559487 A JP2559487 A JP 2559487A JP 2559487 A JP2559487 A JP 2559487A JP H0767047 B2 JPH0767047 B2 JP H0767047B2
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JP
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helical antenna
backfire
antenna device
coaxial line
conductor
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久松 中野
尚久 後藤
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、衛星放送の受信等のマイクロ波通信に使用さ
れる円偏波用パラボラアンテナ装置に関する。
(発明の概要) 本発明は、衛星放送の受信等のマイクロ波通信に使用さ
れる円偏波用パラボラアンテナ装置において、一次放射
器として単線式の円筒形状又は円筒形状端部にテーパー
もしくはフレア形状を有するバックファイヤー・ヘリカ
ルアンテナを用いたものである。
(従来の技術) 従来、この種のSHF円偏波用パラボラアンテナ装置とし
ては、特開昭56−93402号に示すように、一次放射器と
してエンドファイヤー・ヘリカルアンテナを使用したも
のがあった。第5図にこの場合の構成例を示す。この図
において、放物面反射鏡1の焦点にエンドファイヤー・
ヘリカルアンテナ2が配置され、これには同時線路3で
給電するようになっている。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、上記従来の構成であると、一次放射器として
エンドファイヤー・ヘリカルアンテナ2を用いているた
め、その給電点は放物面反射鏡1から離れた方の端部と
なり、この結果、同軸線路3は放物面反射鏡1の前面を
横断して引き出されることになる。従って、同軸線路3
によるブロッキングが生じ、また同軸線路3が長くなる
ため損失も大きい。さらに、エンドファイヤー・ヘリカ
ルアンテナ2の支持強度についても問題があった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記の点に鑑み、一次放射器としてバックフ
ァイヤー・ヘリカルアンテナを用いることにより、電力
損失及びブロッキングが少なく、機械的強度を改善する
ことが可能で同軸線路との間のインピーダンス整合の改
善を図ったパラボラアンテナ装置を提供しようとするも
のである。
本発明は、反射鏡の焦点の存在する側にバックファイヤ
ー・ヘリカルアンテナを配置し、該バックファイヤー・
ヘリカルアンテナに同軸線路を接続し、かつバックファ
イヤー・ヘリカルアンテナの諸条件を適当に設定した構
成により、上記問題点を解決している。
(作用) 本発明で用いるバックファイヤー・ヘリカルアンテナ
は、給電点側に指向性を有し、すなわちメインローブは
給電点側に向いているので、反射鏡に近い端部を給電点
とすることができる。従って、反射鏡焦点にバックファ
イヤー・ヘリカルアンテナを配置したときには、給電用
同軸線路は反射鏡中心軸上を最短距離で引き出すことが
できる。このため、同軸線路によるブロッキングは殆ど
なく、また電力損失も小さくすることができる。さら
に、構造上、バックファイヤー・ヘリカルアンテナの支
持強度を確保することも容易である。さらに、バックフ
ァイヤー・ヘリカルアンテナの諸条件を適正に設定する
ことにより、VSWRや放射量の前後比を良好にすることが
できる。
(実施例) 以下、本発明に係るパラボラアンテナ装置の実施例を図
面に従って説明する。
第1図において、放物面反射鏡1の焦点にバックファイ
ヤー・ヘリカルアンテナ5が配置され、このバックファ
イヤー・ヘリカルアンテナ5の反射鏡側の給電点に同軸
線路(例えばセミリジッドケーブル)6が接続される。
ここで、バックファイヤー・ヘリカルアンテナ5は、第
2図(イ)、(ロ)又は(ハ)のように前記同軸線路6
の外側導体6Aに接続される整合円板7の中心導体6Bに接
続される1本の螺旋状導体8とからなっている。但し、
螺旋状導体8の中心導体6B側端部(巻始め側端部)に
は、整合円板7に間隙δで対向する直線部9(螺旋中心
から螺旋の円周に達している)が形成されている。な
お、同軸線路6としてセミリジッドケーブル等を用いた
場合、中心導体6Bの延長導体部分(外側導体と絶縁被覆
を剥がして露出させた部分)を螺旋状に加工して螺旋状
導体8を中心導体6Bと一体に構成することもできる。
原理上、ヘリカルアンテナの線上を流れる電流は、ヘリ
カルアンテナの螺旋上をスムースに進行する。通常は、
螺旋の円周長{つまり、螺旋全体を円筒と見なした場
合、その円筒の円周長(以下、螺旋円周長と呼ぶ)}よ
り大きな反射板があるためにヘリカルアンテナの先端か
ら電磁波が放射されるが(エンドファイヤー・ヘリカル
アンテナ)、反射板の円周長が螺旋の円周長より若干大
きい寸法から、同じ大きさをへて、徐々に小さくなるに
従って、後方(給電端側)へ電磁波が放射されるように
なる。つまり、バックローブが生じる。バックファイヤ
ー・ヘリカルアンテナはこのバックローブを積極的に利
用する考えかたで各寸法を選んでいる。ここでは、前記
反射板を整合円板と称している。
第2図(イ)、(ロ)、(ハ)において、Sは螺旋状導
体8の円周長、αは螺旋のピッチ角、cは整合円板7の
円周長、βはフレアの開き角、8Tはテーパー、8Fはフレ
ア、δは整合円板7と直線部9との間隙である。
ここで、同軸線路6と螺旋状導体8との間の反射を少な
くし、アンテナとしてのVSWRが良好となるように、同時
線路6と螺旋状導体8との間での整合をとる必要があ
る。とくに、第2図に示すように整合円板7とこれに対
向する螺旋状導体の巻始め側端部に形成された直線部9
との間隙δは、VSWRを良好に保つ上で重要な条件であ
る。また、線径(線材の直径)dとの関係により間隙δ
に対するVSWR特性が変化し、良好なVSWRを得るための線
径dの条件が選択される。
第10図は前記間隙δ(mm)とVSWRとの関係を示す。但
し、曲線(イ)は螺旋状導体8の線径(線材の直径)d
が0.2mm、曲線(ロ)は線径dが0.3mm、曲線(ハ)は線
径dが0.4mm、曲線(ニ)は線径dが0.6mm、曲線(ホ)
は線径dが0.9mm、曲線(ヘ)は線径dが1.3mm、曲線
(ト)は線径dが1.5mm、曲線(チ)は線径dが1.7mm、
曲線(リ)は線径dが2.0mmのときを示し、波長λは25m
m(12GHz)、螺旋のピッチ角αは6度、螺旋状導体8の
円周長Sを24mm、整合円板の円周長cを22mmとして測定
した。
なお、線径dが約0.2mmより細くなると、間隙δの調整
を行ってもVSWRが1.2以下にならない。同様に、線径d
が約2.0mmより太くなると、間隙δの調整を行ってもVSW
Rが1.2以下にならない。
次に、各線径におけるVSWRの最小値を求め、線径dとVS
WR最小値との関係を第11図に示す。この図より、VSWR≦
1.2の範囲は、dが0.2mm以上及び1.75mm以下となること
がわかる。また、第11図の各線径についての曲線は、い
ずれもδ<dの領域にVSWRの最小値が存在していること
が判り、逆にd≦δの領域はVSWRが増大した領域で好ま
しくないことが判る。
さらに、製作上のδ寸法のばらつきについて考慮するた
め、各線径におけるVSWR≦1.2を満足する間隙δの許容
範囲Δδを調べると、第12図のように表される。螺旋状
導体8の製作上の技術レベルからみてΔδとして0.05mm
以上必要とするため、Δδが0.05mm以上の線径範囲はd
=0.3乃至1.7mmであり、間隙δ値の範囲は0.05mmから1.
0mmの間に設定する必要がある。
なお、線径が0.3mmより細いと、空芯の螺旋として自立
させるのが困難となり、1.7mmより太いと加工が面倒と
なり、かつ線材の太さが無視できなくなり、螺旋状導体
の設計に困難性を生じる。
上記第10図、第11図及び第12図の結果より、VSWR特性が
良好で実用に適した線径dの範囲は、周波数12GHz、す
なわち波長25mmにおいて、 0.3mm≦d≦1.7mm であり、間隙δの範囲は、 0.05mm≦δ≦1.0mm であり、さらにdとδの相互関係は第11図の各曲線から δ<d を満足することがVSWRを小さくするために必要である。
これらを波長λを導入して表せば、 0.3λ/25≦d≦1.7λ/25 0.05λ/25≦δ≦1.0λ/25 すなわち、 0.012λ≦d≦0.068λ 0.002λ≦δ≦0.04λ の範囲内にd及びδが存在し、 δ<d を満足することが良好なVSWRを得る上の必要条件とな
る。
なお、間隙δ部分に樹脂やワニス等の誘電体を配するこ
とにより、強度を増すことも可能である。この場合、間
隙が空気の時に比べ若干小さくなる。
さらに、バックファイヤー・ヘリカルアンテナの放射量
の前後比について考察する。
第6図はバックファイヤー・ヘリカルアンテナの螺旋円
周長Sと、バックファイヤー・ヘリカルアンテナの放射
量の前後比{log(F/B)}のdB表示との関係であり(但
し、α=6度、β=0度、c=0.9S、λは電磁波の波長
とした)、Sは0.5λ乃至1.2λで10dB以上の前後比が得
られていることがわかる。
第7図はバックファイヤー・ヘリカルアンテナの螺旋の
ピッチ角αと、バックファイヤー・ヘリカルアンテナの
放射量の前後比との関係であり(但し、S=1λ、β=
6度、c=0.9Sとした)、αは3乃至20度で10dB以上の
前後比が得られていることがわかる。
第8図はバックファイヤー・ヘリカルアンテナのフレア
8F部分の開き角βと、バックファイヤー・ヘリカルアン
テナの放射量の前後比との関係であり(但し、S=1
λ、α=6度、c=0.9Sとした)、βは0乃至45度で20
dB以上の前後比が得られることがわかる(但し、β=0
とはフレア無しを意味する。)。
第9図はバックファイヤー・ヘリカルアンテナの整合円
板の円周長cと、バックファイヤー・ヘリカルアンテナ
の放射量の前後比との関係であり(但し、S=1λ、α
=6度、β=0度とした)、cは0乃至1.2Sで10dB以上
の前後比が得られていることがわかる(但し、c=0と
は整合円板無しを意味する。)。
前記バックファイヤー・ヘリカルアンテナ5及び同軸線
路6の配置で最も好ましいのは、バックファイヤー・ヘ
リカルアンテナ5の螺旋の軸方向と同軸線路6の引き出
し方向とが反射鏡1の中心軸上に位置する場合であり、
このときのバックファイヤー・ヘリカルアンテナ5の指
向性、すなわちメインローブMBは例えば第1図点線で示
される。
次に、上記実施例の動作を受信の場合で説明する。第1
図の矢印Wの方向に入射してきた電磁波は、放物面反射
鏡1で反射されてその焦点の位置に収束し、バックファ
イヤー・ヘリカルアンテナ5の給電点側より入射する。
このとき、バックファイヤー・ヘリカルアンテナ5はメ
インローブMBを給電点側に持っているので、反射鏡1で
反射されてきた電磁波は効率的にバックファイヤー・ヘ
リカルアンテナ5で受信される。この場合、バックファ
イヤー・ヘリカルアンテナ5は、通常のエンドファイヤ
ー・ヘリカルアンテナと同様に受信電磁波が円偏波のと
きに良い特性を示す。
上記実施例に示したパラボラアンテナ装置は、反射鏡1
と組み合わせで用いる一次放射器としてバックファイヤ
ー・ヘリカルアンテナ5を用いているので、給電点を反
射鏡1に近い端部とすることができ、給電のための同軸
線路6を最短距離で引き出すことができる。このため、
電力損失を少なくでき、また同軸線路6が反射鏡1の前
面を横断する必要がなく、ブロッキングも生じない。さ
らに、同軸線路6としてセミリジッドケーブルやリジッ
ドケーブル等を採用することによりバックファイヤー・
ヘリカルアンテナ5の支持体として利用でき、支持構造
が簡単となり、しかも充分な機械的強度を確保するのも
容易である。さらに、構造が単純で、量産に適し、小型
化を図る上でも有利である。
第3図はバックファイヤー・ヘリカルアンテナの具体例
であって、同軸線路6の外側導体6Aに接続される整合円
板7と中心導体6Bに接続される1本の螺旋状導体8とを
発泡樹肢体10で覆った構成を示すものである。これによ
り、バックファイヤー・ヘリカルアンテナの防水を図
り、螺旋状導体8の変形を防止するようにしている。
第4図はバックファイヤー・ヘリカルアンテナの螺旋状
導体の具体例であり、円筒形絶縁樹脂基板(可撓性基板
を円筒形に曲げたものでもよい)20に銅等の導電パター
ン21をメッキ法、蒸着法、エッチング法等で形成した構
成を示すものである。これにより、螺旋状導体の量産性
の向上を図ることができる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明のパラボラアンテナ装置に
よれば、反射鏡の焦点の存在する側にバックファイヤー
・ヘリカルアンテナを配意し、該バックファイヤー・ヘ
リカルアンテナに同軸線路を接続して、そのバックファ
イヤー・ヘリカルアンテナを一次放射器として用い、バ
ックファイヤー・ヘリカルアンテナの螺旋状導体等の諸
条件を適当に設定したので、放射特性やVSWRが良好で、
電力損失及びブロッキングが少なく、機械的強度を改善
することが可能であり、しかも構造が簡単で、量産にも
適するので実用上の効率は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明に係るパラボラアンテナ装置の実施例を
示す側断面図、第2図(イ)、(ロ)、(ハ)は実施例
で用いたバックファイヤー・ヘリカルアンテナをそれぞ
れ示す側断面図、第3図はバックファイヤー・ヘリカル
アンテナの具体例を示す側断面図、第4図はバックファ
イヤー・ヘリカルアンテナにおける螺旋状導体の具体例
を示す斜視図、第5図は従来のパラボラアンテナ装置の
側断面図、第6図はバックファイヤー・ヘリカルアンテ
ナの円周長Sとバックファイヤー・ヘリカルアンテナの
前後比との関係を示すグラフ、第7図はバックファイヤ
ー・ヘリカルアンテナのピッチ角αとバックファイヤー
・ヘリカルアンテナの前後比との関係を示すグラフ、第
8図はバックファイヤー・ヘリカルアンテナのフレア部
の開き角βとバックファイヤー・ヘリカルアンテナの前
後比との関係を示すグラフ、第9図は整合円板の円周長
cとバックファイヤー・ヘリカルアンテナの前後比との
関係を示すグラフ、第10図は整合円板とこれに対向する
螺旋状導体の直線部との間隙δとVSWRとの関係を示すグ
ラフ、第11図は線径dとVSWR最小値との関係を示すグラ
フ、第12図は線径dとVSWR≦1.2を満足する間隙δの許
容範囲Δδとの関係を示すグラフである。 1……放物面反射鏡、5……バックファイヤー・ヘリカ
ルアンテナ、6……同軸線路、7……整合円板、8……
螺旋状導体、8F……フレア、8T……テーパー、9……直
線部、10……発泡樹脂体、20……円筒形絶縁樹脂基板、
21……導電パターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 尚久 神奈川県川崎市宮前区土橋6丁目15番1号 (72)発明者 石野 健 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特公 平5−33842(JP,B2)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】反射鏡の焦点の存在する側に、単線式の円
    筒形状又は円筒形状端部にテーパーもしくはフレア形状
    を有するバックファイヤー・ヘリカルアンテナを配置
    し、該バックファイヤー・ヘリカルアンテナに同軸線路
    を接続してなるパラボラアンテナ装置であって、前記バ
    ックファイヤー・ヘリカルアンテナは、前記同軸線路の
    外側導体に接続される整合円板と中心導体に接続される
    1本の螺旋状導体とからなり、前記螺旋状導体の巻始め
    側端部に形成された直線部と前記整合円板との間隙を
    δ、前記直線部を含む螺旋状導体の線径をd、電磁波の
    波長をλとしたとき、 δ<d 0.002λ≦δ≦0.04λ 0.012λ≦d≦0.068λ であることを特徴とするパラボラアンテナ装置。
  2. 【請求項2】前記バックファイヤー・ヘリカルアンテナ
    は前記反射鏡の焦点あるいは焦点近傍に位置し、前記同
    軸線路は前記反射鏡の中心軸上に設置されている特許請
    求の範囲第1項記載のパラボラアンテナ装置。
  3. 【請求項3】前記バックファイヤー・ヘリカルアンテナ
    が発泡体で覆われている特許請求の範囲第1項又は第2
    項記載のパラボラアンテナ装置。
  4. 【請求項4】前記螺旋状導体が、円筒形絶縁基板に導電
    パターンを形成したものである特許請求の範囲第1項又
    は第2項記載のパラボラアンテナ装置。
JP2559487A 1987-02-07 1987-02-07 パラボラアンテナ装置 Expired - Lifetime JPH0767047B2 (ja)

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JPS63194403A JPS63194403A (ja) 1988-08-11
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JP2711310B2 (ja) * 1988-09-27 1998-02-10 久松 中野 パラボラアンテナ装置
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