JPH0766330A - Mounting connector for semiconductor element - Google Patents

Mounting connector for semiconductor element

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JPH0766330A
JPH0766330A JP16152393A JP16152393A JPH0766330A JP H0766330 A JPH0766330 A JP H0766330A JP 16152393 A JP16152393 A JP 16152393A JP 16152393 A JP16152393 A JP 16152393A JP H0766330 A JPH0766330 A JP H0766330A
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semiconductor chip
connector
substrate
chip
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Ippei Fujiyama
一平 藤山
Tetsuya Shimada
哲也 島田
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make a semiconductor chip which can reduce heat stresses which act on the chip when the chip is mounted on a substrate, such as the printed board, etc., and a connector used for mounting the chip on the substrate programmable. CONSTITUTION:In a semiconductor element mounting connector 3 provided with electrodes 2 connected to a semiconductor chip 1 on one surface and electrodes 4 which are electrically connected to the electrodes, provided on the other surface of the connector 3, and connected to a substrate 5, the electrodes 4 connected to the substrate 5 are formed near the central part of the connector 3 in a concentrating state. In addition, the connector 3 is a programmable inter-connector.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は,半導体チップ(半導体
素子)をプリント基板等の基板へ実装するためのコネク
タに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connector for mounting a semiconductor chip (semiconductor element) on a board such as a printed board.

【0002】半導体チップは基板へ実装し,各半導体チ
ップ間の接続および電源端子,外部入出力信号端子等へ
接続をとる必要がある。
It is necessary to mount semiconductor chips on a substrate and to connect the semiconductor chips to each other and to connect them to power supply terminals, external input / output signal terminals and the like.

【0003】[0003]

【従来の技術】図9は従来の半導体チップと基板への実
装構造を示す。(a) は半導体チップを示す。(b) は実装
構造を示す。
2. Description of the Related Art FIG. 9 shows a conventional mounting structure on a semiconductor chip and a substrate. (a) shows a semiconductor chip. (b) shows the mounting structure.

【0004】図において,1は半導体チップである。2
は電極であって,半導体チップ1と基板5を電気的に接
続するものである。
In the figure, 1 is a semiconductor chip. Two
Is an electrode for electrically connecting the semiconductor chip 1 and the substrate 5.

【0005】5は基板であって,プリント基板等であ
る。20はパッドであって,半導体チップ1の電極を構
成するものである。電極部分の拡大図において,20は
パッドであって,半導体チップ1の電極である。
Reference numeral 5 denotes a substrate, such as a printed circuit board. Reference numeral 20 denotes a pad, which constitutes an electrode of the semiconductor chip 1. In the enlarged view of the electrode portion, 20 is a pad, which is an electrode of the semiconductor chip 1.

【0006】21はバンプであって,半導体チップ1の
パッド20と基板5のパッド22を電気的に結合すると
ともに機械的に結合するハンダ等により構成されるもの
である。
Reference numeral 21 denotes a bump, which is composed of solder or the like for electrically and mechanically coupling the pad 20 of the semiconductor chip 1 and the pad 22 of the substrate 5.

【0007】22はパッドであって,基板5の電極を構
成するものである。半導体チップ1のパッド20は,図
示のように半導体チップ1の周辺部に設けられる。そし
て,半導体チップ1の基板5への実装は,図示のように
半導体チップ1のパッド20と基板5の対応するパッド
22をハンダ等のバンプ21により電気的に接続をとる
とともに機械的に固定する。
Reference numeral 22 denotes a pad, which constitutes an electrode of the substrate 5. The pads 20 of the semiconductor chip 1 are provided in the peripheral portion of the semiconductor chip 1 as shown in the figure. The semiconductor chip 1 is mounted on the substrate 5 by electrically connecting the pads 20 of the semiconductor chip 1 and the corresponding pads 22 of the substrate 5 with bumps 21 such as solder as shown in the figure, and mechanically fixing them. .

【0008】図10は従来の半導体チップに作用する応
力の説明図である。(a) は半導体チップに熱が加えられ
ような場合に生じる応力(熱応力)を示す。
FIG. 10 is an explanatory diagram of stress acting on a conventional semiconductor chip. (a) shows the stress (thermal stress) generated when heat is applied to the semiconductor chip.

【0009】図において,1は半導体チップ,2は電
極,5は基板である。
In the figure, 1 is a semiconductor chip, 2 is an electrode, and 5 is a substrate.

【0010】Oは半導体チップの中心である。k1,k
2はそれぞれ半導体チップ1の横方向,縦方向の中心線
である。120は応力F1であって,中心線k1に並行
な方向の半導体チップの辺の中心に近い付近の熱歪み等
の応力を表わす。
O is the center of the semiconductor chip. k1, k
Reference numerals 2 are horizontal and vertical centerlines of the semiconductor chip 1, respectively. A stress F1 is stress F1 and represents stress such as thermal strain near the center of the side of the semiconductor chip in the direction parallel to the center line k1.

【0011】121は応力F2であって,中心線k1に
並行な方向の半導体チップの辺の周辺に近い付近の熱歪
み等の応力を表わす。122は電極に作用する応力F3
であって,半導体チップ1と基板5の熱膨張係数の違い
等により生じる応力を表わす。
Reference numeral 121 denotes a stress F2, which represents a stress such as thermal strain near the periphery of the side of the semiconductor chip in the direction parallel to the center line k1. 122 is the stress F3 acting on the electrode
That is, the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip 1 and the substrate 5 is represented.

【0012】123は電極に作用する応力F4であっ
て,半導体チップ1と基板5の熱膨張係数の違いにより
生じる応力(以後,熱応力と称する)を表わす。図10
の(a) に示すように,半導体チップ1に加えられる応力
(熱応力)は基板の周辺において大きくなり,中心部に
おいて小さくなる。
Reference numeral 123 denotes a stress F4 acting on the electrode, which is a stress (hereinafter referred to as a thermal stress) caused by a difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip 1 and the substrate 5. Figure 10
As shown in (a) of the above, the stress (thermal stress) applied to the semiconductor chip 1 increases at the periphery of the substrate and decreases at the center.

【0013】(b) は従来の半導体チップと基板の実装構
造における電極付近に作用する応力(熱応力)を示す。
半導体チップ1と基板5の熱膨張係数の違いにより生じ
る応力F3(半導体チップ1の中心方向の向きに作用す
る応力),応力F4(半導体チップ1の外方向の向きに
作用する応力)は,それぞれ半導体チップ1の周辺部に
作用する応力であるので半導体チップ1の中心付近に作
用する応力に比較して大きいものである。
(B) shows the stress (thermal stress) acting in the vicinity of the electrodes in the conventional mounting structure of the semiconductor chip and the substrate.
The stress F3 (stress acting in the direction toward the center of the semiconductor chip 1) and the stress F4 (stress acting in the direction toward the outside of the semiconductor chip 1) caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the semiconductor chip 1 and the substrate 5 are respectively Since the stress acts on the peripheral portion of the semiconductor chip 1, it is larger than the stress acting on the vicinity of the center of the semiconductor chip 1.

【0014】図11は従来の半導体チップとプログラマ
ブルインターコネクタの実装方法を示す。図において,
5は基板,10はプログラマブルインターコネクタであ
って,内部配線を外部から設定できるものである。例え
ば,マトリックスに配置されたヒューズ等の内部配線素
子56を切断することにより配線をする。あるいは,内
部に設けられたSRAM等の内部配線素子56に外部信
号(1もしくは0)を設定することにより内部接続を決
定するようなものである。
FIG. 11 shows a conventional method of mounting a semiconductor chip and a programmable interconnector. In the figure,
Reference numeral 5 is a substrate, 10 is a programmable interconnector, and internal wiring can be set from the outside. For example, wiring is performed by cutting internal wiring elements 56 such as fuses arranged in a matrix. Alternatively, the internal connection is determined by setting an external signal (1 or 0) to the internal wiring element 56 such as SRAM provided inside.

【0015】22はパッドである。50は配線である。
51,52,53は半導体チップである。
Reference numeral 22 is a pad. 50 is a wiring.
Reference numerals 51, 52 and 53 are semiconductor chips.

【0016】55は内部配線であって,プログラマブル
インターコネクタ10の内部配線を表わす。56は内部
配線素子であって,例えばマトリックスに配置されたヒ
ューズ,SRAM等であり,内部配線55の接続を定め
るものである。
Reference numeral 55 denotes internal wiring, which represents internal wiring of the programmable interconnector 10. Reference numeral 56 is an internal wiring element, which is, for example, a fuse or SRAM arranged in a matrix, and determines the connection of the internal wiring 55.

【0017】従来は半導体チップ51,52,53,プ
ログラマブルインターコネクタ10が基板5の上にそれ
ぞれ配置され,あらかじめ内部配線素子56により内部
配線55を設定しておいたプログラマブルインターコネ
クタ10を介して各半導体チップ51,52,53間の
接続をとるようにしていた。
Conventionally, the semiconductor chips 51, 52 and 53 and the programmable interconnector 10 are arranged on the substrate 5, respectively, and the internal interconnect 55 is set in advance by the internal interconnect element 56. The semiconductor chips 51, 52 and 53 are connected to each other.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体チップ1
の基板5への実装構造(図9)は,図10に示すように
半導体チップ1の周辺部に設けられた電極2が直接基板
5に固定されるようにされ,半導体チップ1と基板5の
材料も異なっていた。そのため,半導体チップ1と基板
5の熱膨張率が異なり,そのために生じる電極2付近の
熱応力が大きいものであった。
Conventional semiconductor chip 1
The mounting structure (FIG. 9) on the substrate 5 is such that the electrodes 2 provided in the peripheral portion of the semiconductor chip 1 are directly fixed to the substrate 5 as shown in FIG. The materials were also different. Therefore, the thermal expansion coefficients of the semiconductor chip 1 and the substrate 5 are different, and the thermal stress in the vicinity of the electrode 2 caused by that is large.

【0019】また,従来のプログラマブルインターコネ
クタを介して半導体チップ間を接続する半導体チップと
プログラマブルインターコネクタの実装は,それぞれを
基板上に実装する構成であったので,実装面積が大きく
なり,装置の小型化を妨げていた。
Further, since the semiconductor chip and the programmable interconnector for connecting the semiconductor chips via the conventional programmable interconnector are mounted on the board respectively, the mounting area becomes large and the device It was hindering miniaturization.

【0020】本発明は,半導体チップに作用する熱応力
が小さくなるように半導体チップを実装することのでき
る半導体チップの実装コネクタを提供することを目的と
する。また,半導体チップを基板に接続するコネクタが
プログラマブルである半導体素子実装コネクタを提供す
ることを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a semiconductor chip mounting connector capable of mounting a semiconductor chip so that the thermal stress acting on the semiconductor chip becomes small. Another object is to provide a semiconductor element mounting connector in which a connector for connecting a semiconductor chip to a substrate is programmable.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明は,半導体チップ
と基板を接続するのに,半導体チップを搭載したコネク
タを設け,コネクタを基板に接続することにより半導体
チップと基板の接続をとるとともに,基板と接続する側
のコネクタの電極はコネクタの中央部付近に集中して形
成することにより,基板との熱膨張係数の違いにより加
えられる応力が小さくなるようにした(本発明の基本構
成(1) )。
According to the present invention, in order to connect a semiconductor chip and a substrate, a connector on which the semiconductor chip is mounted is provided, and the connector is connected to the substrate to connect the semiconductor chip and the substrate. By forming the electrodes of the connector on the side to be connected to the substrate in a concentrated manner near the center of the connector, the stress applied due to the difference in the thermal expansion coefficient from the substrate is reduced (the basic configuration of the present invention (1 )).

【0022】また,半導体チップ間の接続を外部から設
定できるコネクタ(プログラマブルインターコネクタ)
に半導体チップ搭載用の電極と配線を設けるようにし
て,そのコネクタに直接半導体チップが取り付けられる
ようにした(本発明の基本構成(2) )。
Also, a connector (programmable interconnector) capable of externally setting the connection between semiconductor chips
The semiconductor chip mounting electrodes and wiring are provided on the connector so that the semiconductor chip can be directly attached to the connector (basic configuration (2) of the present invention).

【0023】図1は本発明の基本構成(1) を示す図であ
る。図において,1は半導体チップであって,半導体素
子である。
FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration (1) of the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor chip, which is a semiconductor element.

【0024】2は電極であって,半導体チップ1とチッ
プコネクタ3を電気的に接合するとともに固定する電極
である。3はチップコネクタ(半導体素子実装コネク
タ)であって,半導体チップ1と基板5との電気的接続
をとるとともに固定するものである。
Reference numeral 2 denotes an electrode which electrically joins and fixes the semiconductor chip 1 and the chip connector 3 together. Reference numeral 3 denotes a chip connector (semiconductor element mounting connector) for electrically connecting and fixing the semiconductor chip 1 and the substrate 5.

【0025】4は電極であって,チップコネクタ3と基
板5を電気的に接続するとともに固定する電極である。
電極4はチップコネクタ3の中央付近に設けられ,電極
2と配線により電気的に接続される。
Reference numeral 4 denotes an electrode which electrically connects and fixes the chip connector 3 and the substrate 5.
The electrode 4 is provided near the center of the chip connector 3 and is electrically connected to the electrode 2 by wiring.

【0026】20はパッドであって,半導体チップ(半
導体素子)1の電極2となるものである。21’はパッ
ドであって,半導体チップ1を接続するチップコネクタ
(半導体素子実装コネクタ)3のパッドであり,電極2
となるものである。
Reference numeral 20 denotes a pad, which serves as the electrode 2 of the semiconductor chip (semiconductor element) 1. Reference numeral 21 'is a pad, which is a pad of a chip connector (semiconductor element mounting connector) 3 for connecting the semiconductor chip 1, and an electrode 2
It will be.

【0027】22はパッドであって,基板5と接続する
チップコネクタ(半導体素子実装コネクタ)3のパッド
(電極)である。図の構成の作用説明は後述する。
Reference numeral 22 denotes a pad, which is a pad (electrode) of the chip connector (semiconductor element mounting connector) 3 connected to the substrate 5. A description of the operation of the configuration of the figure will be given later.

【0028】図2は本発明の基本構成(2) である。図に
おいて,1は半導体チップであって,半導体素子であ
る。
FIG. 2 shows the basic configuration (2) of the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor chip, which is a semiconductor element.

【0029】2は電極であって,半導体チップ1とプロ
グラマブルインターコネクタ(半導体素子実装コネク
タ)10を電気的に接続するとともに固定するものであ
る。10は半導体チップ間の電気的接続を外部から設定
できるコネクタ(プログラマブルインターコネクタ)で
あって,半導体素子実装コネクタである。
Reference numeral 2 denotes an electrode for electrically connecting and fixing the semiconductor chip 1 and the programmable interconnector (semiconductor element mounting connector) 10. Reference numeral 10 denotes a connector (programmable interconnector) capable of externally setting electrical connection between semiconductor chips, which is a semiconductor element mounting connector.

【0030】21’はパッドであって,プログラマブル
インターコネクタ(半導体素子実装コネクタ)10の電
源端子,入出力信号端子となる外部接続電極を構成する
ものである。
Reference numeral 21 'is a pad, which constitutes an external connection electrode which serves as a power supply terminal and an input / output signal terminal of the programmable interconnector (semiconductor element mounting connector) 10.

【0031】13は配線結合素子であって,ヒューズ素
子,メモリ素子等で構成され,マトリックスに配置され
て内部配線12間の接続をとるもしくは接続しないかを
外部から設定するようにするものである。
Reference numeral 13 denotes a wiring coupling element, which is composed of a fuse element, a memory element, etc., and is arranged in a matrix to externally set whether or not the internal wirings 12 are connected. .

【0032】12は内部配線であって,プログラマブル
インターコネクタ10の内部配線であって,配線結合素
子13によりそれぞれの配線結合が定められ,パッド2
1’,半導体チップ間の配線を定めるものである。
Reference numeral 12 denotes an internal wiring, which is an internal wiring of the programmable interconnector 10, in which each wiring coupling is determined by the wiring coupling element 13, and the pad 2
1 ', which defines the wiring between semiconductor chips.

【0033】なお,配線結合素子13とパッド21’と
の接続は,例えば,配線結合素子13を半導体のメモリ
素子で構成したような場合には,半導体集積回路におけ
る電極技術を用いて行うことができる。
Note that the connection between the wiring coupling element 13 and the pad 21 'can be performed by using the electrode technology in the semiconductor integrated circuit, for example, when the wiring coupling element 13 is composed of a semiconductor memory element. it can.

【0034】図2の構成の作用は後述する。The operation of the configuration of FIG. 2 will be described later.

【0035】[0035]

【作用】図1の基本構成の作用を説明する。半導体チッ
プ1はチップコネクタ3に搭載されて,電極2によりチ
ップコネクタ3と電気的に接続される。半導体チップ1
とチップコネクタ3は同一材料(シリコン)で構成され
る。そのため,両者の熱膨張係数が同じなので電極2に
作用する熱応力は小さい。
The operation of the basic configuration of FIG. 1 will be described. The semiconductor chip 1 is mounted on the chip connector 3 and electrically connected to the chip connector 3 by the electrodes 2. Semiconductor chip 1
And the chip connector 3 are made of the same material (silicon). Therefore, since the thermal expansion coefficients of both are the same, the thermal stress acting on the electrode 2 is small.

【0036】一方,チップコネクタ3は電極4により基
板5に結合されるとともに機械的に固定される。電極2
と電極4はチップコネクタ3に設けた配線により電気的
に接続されているので,半導体チップ1と基板5との電
気的接続はチップコネクタ3を介してなされる。
On the other hand, the chip connector 3 is joined to the substrate 5 by the electrode 4 and mechanically fixed. Electrode 2
Since the electrode 4 and the electrode 4 are electrically connected by the wiring provided in the chip connector 3, the semiconductor chip 1 and the substrate 5 are electrically connected via the chip connector 3.

【0037】本発明の基本構成(1) における電極に加え
られる応力について図3により説明をする。図3の(a)
は本発明の場合であり,(b) は従来の場合を示す。
The stress applied to the electrodes in the basic structure (1) of the present invention will be described with reference to FIG. Figure 3 (a)
Shows the case of the present invention, and (b) shows the conventional case.

【0038】図において,1は半導体チップ,2は電極
であって,半導体チップ1と基板5の電気的接続をとる
とともに固定する電極である。
In the figure, 1 is a semiconductor chip, and 2 is an electrode, which is an electrode for electrically connecting and fixing the semiconductor chip 1 and the substrate 5.

【0039】3はチップコネクタである。4は電極であ
って,チップコネクタ3と基板5の電気的接続をとると
ともに固定する電極である。
Reference numeral 3 is a chip connector. Reference numeral 4 denotes an electrode, which is an electrode for electrically connecting and fixing the chip connector 3 and the substrate 5.

【0040】5は基板である。基板5とチップコネクタ
3とは,通常は異なる材料で構成されるので,熱膨張係
数が異なる。しかし,本発明においては,電極4がチッ
プコネクタ3の中央付近に集中して設けられているの
で,(a) に示すように電極4に作用する熱応力は小さ
い。そのため,チップコネクタ3が受ける熱による歪み
は小さく,チップコネクタ3と基板5との接続は安定で
ある。これに対して,従来の場合には,半導体チップ1
の周辺部に設けられた電極2が基板5に結合され,しか
も,両者の熱膨張係数が異なるので,(b) に示すように
電極に作用する熱応力が大きく,電極が機械的ダメージ
を受けやすかった。
Reference numeral 5 is a substrate. Since the board 5 and the chip connector 3 are usually made of different materials, they have different coefficients of thermal expansion. However, in the present invention, since the electrodes 4 are concentrated near the center of the chip connector 3, the thermal stress acting on the electrodes 4 is small as shown in (a). Therefore, the distortion caused by heat applied to the chip connector 3 is small, and the connection between the chip connector 3 and the substrate 5 is stable. On the other hand, in the conventional case, the semiconductor chip 1
Since the electrode 2 provided on the periphery of the electrode is coupled to the substrate 5 and the thermal expansion coefficients of both are different, the thermal stress acting on the electrode is large as shown in (b) and the electrode is mechanically damaged. It was easy.

【0041】次に,本発明の基本構成(2) の作用を説明
する。半導体チップ1は電極2を介して,プログラマブ
ルインターコネクタ(半導体素子実装コネクタ)10の
内部配線に接続される。そして,配線結合素子13によ
りあらかじめ設定した内部配線により各半導体チップ間
の接続をする。配線結合素子13はヒューズ素子,メモ
リ素子等を内部配線12の交点に設け,ヒューズ素子で
あれば配線を分離する箇所のヒューズを切断することに
より配線を設定する。また,メモリ素子であれば,外部
より1もしくは0の値をセットすることにより配線間の
接続もしくは分離をし,配線を定める。
Next, the operation of the basic configuration (2) of the present invention will be described. The semiconductor chip 1 is connected to the internal wiring of the programmable interconnector (semiconductor element mounting connector) 10 via the electrode 2. Then, each semiconductor chip is connected by the internal wiring set in advance by the wiring coupling element 13. In the wiring coupling element 13, a fuse element, a memory element, or the like is provided at the intersection of the internal wiring 12, and in the case of the fuse element, the wiring is set by cutting the fuse at the location where the wiring is separated. In the case of a memory device, the value of 1 or 0 is externally set to connect or disconnect the wires to determine the wires.

【0042】プログラマブルインターコネクタ(半導体
素子実装コネクタ)10はプリント基板等に実装され
る。あるいは,プログラマブルインターコネクタ(実装
コネクタ)10をマウント基板上に固定し,パッド2
1’(外部接続電極)を外部リード線等に接続しモジュ
ール化する。
The programmable interconnector (semiconductor element mounting connector) 10 is mounted on a printed circuit board or the like. Alternatively, the programmable interconnector (mounting connector) 10 is fixed on the mount board, and the pad 2
1 '(external connection electrode) is connected to an external lead wire or the like to form a module.

【0043】本発明の基本構成(2) によれば,半導体チ
ップ1がプログラマブルインターコネクタ(半導体素子
実装コネクタ)10上に直接固定されているので,基板
の配線変更を行うことなく半導体チップ間の配線変更を
行うことができる。そのため,線変更を容易に行うこと
ができるとともに,基板に対する実装面積を少なくで
き,装置を小型化することができる。さらに,半導体チ
ップ1とプログラマブルインターコネクタ(半導体素子
実装コネクタ)10は同一材料(シリコン)で構成され
るので,熱歪みによる機械的ダメージを受けることがな
い。
According to the basic configuration (2) of the present invention, since the semiconductor chip 1 is directly fixed on the programmable interconnector (semiconductor element mounting connector) 10, the wiring between the semiconductor chips is not changed without changing the wiring of the substrate. Wiring can be changed. Therefore, the line can be easily changed, the mounting area on the substrate can be reduced, and the device can be downsized. Further, since the semiconductor chip 1 and the programmable interconnector (semiconductor element mounting connector) 10 are made of the same material (silicon), they are not mechanically damaged by thermal strain.

【0044】[0044]

【実施例】図4は本発明の基本構成(1) の実施例を示
す。図において,1は半導体チップである。
EXAMPLE FIG. 4 shows an example of the basic configuration (1) of the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor chip.

【0045】2は半導体チップ1とチップコネクタ3を
電気的に接続するとともに固定する電極である。3はチ
ップコネクタである。
Reference numeral 2 is an electrode for electrically connecting and fixing the semiconductor chip 1 and the chip connector 3. 3 is a chip connector.

【0046】4はチップコネクタ3と基板5を電気的に
接続するとともに固定する電極である。27は配線であ
る。
Reference numeral 4 is an electrode for electrically connecting and fixing the chip connector 3 and the substrate 5. 27 is a wiring.

【0047】28は配線孔であって,内部の面に配線層
を設けたものである。電極の拡大図Aにおいて,20は
半導体チップ1のパッドである。
A wiring hole 28 is provided with a wiring layer on its inner surface. In the enlarged view A of the electrode, 20 is a pad of the semiconductor chip 1.

【0048】21はバンプである。22はチップコネク
タ3のパッドである。電極の拡大図Bにおいて,24は
チップコネクタ3のバッドである。
Reference numeral 21 is a bump. Reference numeral 22 is a pad of the chip connector 3. In the enlarged view B of the electrodes, 24 is a pad of the chip connector 3.

【0049】25はバンプである。26は基板5のバッ
ドである。半導体チップ1とチップコネクタ3は電極2
により電気的に接続されるとともに機械的に結合され
る。チップコネクタ3と基板5は電極4により電気的に
接続されるとともに機械的に結合される。
Reference numeral 25 is a bump. Reference numeral 26 is a pad of the substrate 5. Semiconductor chip 1 and chip connector 3 have electrodes 2
Is electrically connected and mechanically coupled. The chip connector 3 and the substrate 5 are electrically connected and mechanically coupled by the electrode 4.

【0050】チップコネクタ3のパッド22とパッド2
4は配線27と配線孔28の内部配線により電気的に接
続される。従って,半導体チップ1は電極2−配線27
−配線孔28の内部配線−電極4−基板5により電気的
に接続される。
Pad 22 and pad 2 of chip connector 3
The wiring 4 is electrically connected to the wiring 27 by the internal wiring of the wiring hole 28. Therefore, the semiconductor chip 1 has the electrode 2-wiring 27.
-Internal wiring of the wiring hole 28-Electrode 4-Electrically connected by the substrate 5.

【0051】図5は本発明の基本構成(1) の電極パター
ンの実施例を示す。図において,1は半導体チップ,3
はチップコネクタである。
FIG. 5 shows an embodiment of the electrode pattern of the basic constitution (1) of the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor chip, 3
Is a chip connector.

【0052】20は半導体チップ1のパッドである。2
4はチップコネクタの基板と接続される側のパッドであ
る。(a) は半導チップの例である。400ピンの電極が
20mm角のシリコンチップに構成された半導体チップ
1の例を示す。
Reference numeral 20 is a pad of the semiconductor chip 1. Two
Reference numeral 4 is a pad on the side of the chip connector that is connected to the substrate. (a) is an example of a semiconductor chip. An example of the semiconductor chip 1 in which a 400-pin electrode is formed on a 20 mm square silicon chip is shown.

【0053】(b) は(a) の400ピンの電極の半導体チ
ップを搭載するチップコネクタの例である。400ピン
の半導体チップ1に対して,チップコネクタ3のバッド
24は一辺2mmの正方形の領域に0.1mmに構成す
ることができる。
(B) is an example of a chip connector on which the semiconductor chip of the 400-pin electrode of (a) is mounted. For the 400-pin semiconductor chip 1, the pad 24 of the chip connector 3 can be configured to have a square area of 2 mm on each side of 0.1 mm.

【0054】(c) は,チップコネクタの例であって,基
板と接続する側のパッド24を千鳥状に配置した場合を
示す。図6は本発明の基本構成(1) の配線パターンの実
施例を示す。
(C) is an example of a chip connector and shows a case where the pads 24 on the side connected to the substrate are arranged in a zigzag pattern. FIG. 6 shows an embodiment of the wiring pattern of the basic configuration (1) of the present invention.

【0055】図はチップコネクタの配線パターンを示
す。(a)はチップコネクタの両面に配線パターンを設け
た例である。(b)は (a)のチップコネクタ3の平面図で
ある。
The figure shows the wiring pattern of the chip connector. (a) is an example in which wiring patterns are provided on both sides of the chip connector. (b) is a plan view of the chip connector 3 of (a).

【0056】(c)は,配線29をチップコネクタ3の側
面に配設して両面のパッド22とパッド26を接続する
ようにしたものである。図において,3はチップコネク
タである。
In FIG. 6C, the wiring 29 is arranged on the side surface of the chip connector 3 to connect the pads 22 and the pads 26 on both sides. In the figure, 3 is a chip connector.

【0057】22は半導体チップを結合するパッドであ
る。26は基板と結合するパッドである。27はパッド
22のある面に配設した配線である。
Reference numeral 22 is a pad for connecting a semiconductor chip. Reference numeral 26 is a pad that is connected to the substrate. Reference numeral 27 is a wiring arranged on the surface having the pad 22.

【0058】28’はパッド26のある面に配設した配
線である。29はチップコネクタの上面,側面,下面を
介してパッド22とパッド26を接続する配線である。
28 'is a wiring provided on the surface having the pad 26. Reference numeral 29 is wiring for connecting the pad 22 and the pad 26 via the upper surface, the side surface and the lower surface of the chip connector.

【0059】30は配線孔であって,内側の面に配線層
を備え,上部パッドと下部配線層を電気的に接続するも
のである。(a), (b)の構成では,配線27,配線2
8’のように,配線をチップコネクタ3の両面に分けて
構成しているので,配線の幅を大きく取ることができ,
配線に余裕を持たせることができる。
Reference numeral 30 denotes a wiring hole, which has a wiring layer on its inner surface and electrically connects the upper pad and the lower wiring layer. In the configurations of (a) and (b), the wiring 27 and the wiring 2
Since the wiring is divided into both sides of the chip connector 3 as in 8 ', the width of the wiring can be widened,
Wiring can be afforded.

【0060】(c)のように,チップコネクタの側面を介
して,上部のパッド22と下部のパッド26を接続する
ようにしても良い。図7は基本構成(2) の実施例(1) を
示す。
As shown in (c), the upper pad 22 and the lower pad 26 may be connected via the side surface of the chip connector. FIG. 7 shows an embodiment (1) of the basic configuration (2).

【0061】図において,1は半導体チップ,2は電極
であって,半導体チップ1とプログラマブルインターコ
ネクタ10を電気的に接続するとともに固定するもので
ある。
In the figure, 1 is a semiconductor chip, and 2 is an electrode for electrically connecting and fixing the semiconductor chip 1 and the programmable interconnector 10.

【0062】4は電極であって,プログラマブルインタ
ーコネクタ10と基板5を電気的に接続するとともに固
定するものである。5は基板であって,プリント基板等
である。
Reference numeral 4 is an electrode for electrically connecting and fixing the programmable interconnector 10 and the substrate 5. Reference numeral 5 denotes a substrate, such as a printed circuit board.

【0063】10はプログラマブルインターコネクタで
ある。電極の拡大図Aにおいて,20は半導体チップの
パッドである。
Reference numeral 10 is a programmable interconnector. In the enlarged view A of the electrode, 20 is a pad of the semiconductor chip.

【0064】21はパッド20とパッド22を結合する
バンプである。22はプログラマブルインターコネクタ
10のパッドである。電極の拡大図Bにおいて,24プ
ログラマブルインターコネクタのパッドである。
Reference numeral 21 is a bump for connecting the pad 20 and the pad 22. Reference numeral 22 is a pad of the programmable interconnector 10. In enlarged view B of the electrode, it is a pad of a 24 programmable interconnector.

【0065】25はバンプである。26は基板5のパッ
ドである。(a)はプログラマブルインターコネクタ10
と基板5を一体化する方法を示す(半導体チップ1を搭
載した面をフェースダウンして基板に一体化する場合で
ある)。
Reference numeral 25 is a bump. Reference numeral 26 is a pad of the substrate 5. (a) is a programmable interconnector 10
And a method of integrating the substrate 5 (in the case where the surface on which the semiconductor chip 1 is mounted is faced down to be integrated with the substrate).

【0066】プログラマブルインターコネクタ10に半
導体チップ1を搭載する。そして,プログラマブルイン
ターコネクタ10のパッド24が基板5のパッド26に
重ねられるようにそれぞれをバンプ25により結合し
(電極の拡大図B参照),基板5とプログラマブルイン
ターコネクタ10を電気的に接続するとともに固定す
る。また,半導体チップ1とプログラマブルインターコ
ネクタ10の結合は電極の拡大図Aに示すように,半導
体チップ1のパッド20とプログラマブルインターコネ
クタ10のパッド22をバンプ21により電気的に接続
するとともに固定することにより行う。
The semiconductor chip 1 is mounted on the programmable interconnector 10. Then, the pads 24 of the programmable interconnector 10 are connected by the bumps 25 so that the pads 24 of the programmable interconnector 10 are superposed on the pads 26 of the substrate 5 (see the enlarged view B of the electrode), and the substrate 5 and the programmable interconnector 10 are electrically connected. Fix it. The semiconductor chip 1 and the programmable interconnector 10 are coupled to each other by electrically connecting the pad 20 of the semiconductor chip 1 and the pad 22 of the programmable interconnector 10 with the bump 21 and fixing them, as shown in the enlarged view A of the electrode. By.

【0067】(b)はプログラマブルインターコネクタ1
0と基板5が一体化された状態を示す。図8は本発明の
基本構成(2) の実施例(2) を示す。
(B) is a programmable interconnector 1
The state where 0 and the substrate 5 are integrated is shown. FIG. 8 shows an embodiment (2) of the basic configuration (2) of the present invention.

【0068】図において,1は半導体チップである。2
は電極である。
In the figure, 1 is a semiconductor chip. Two
Is an electrode.

【0069】5は基板であって,プリント基板,マウン
ト等である。24はプログラマブルインターコネクタ1
0のパッドであって,電源端子,入出力信号端子となる
ものである。
Reference numeral 5 denotes a substrate, which is a printed circuit board, a mount, or the like. 24 is a programmable interconnector 1
The pad of 0 serves as a power supply terminal and an input / output signal terminal.

【0070】26は基板のパッドである。42はワイヤ
ーであって,パッド24とパッド26を電気的に接続す
るものである。
Reference numeral 26 is a pad on the substrate. 42 is a wire for electrically connecting the pad 24 and the pad 26.

【0071】本発明は, (b)のように半導体チップ1を
搭載したプログラマブルインターコネクタ10をマウン
ト等の基板5に固定し,ワイヤー42に基板5の電極と
電気的に接続した後に気密に封じる等によりモジール化
することができる。
According to the present invention, the programmable interconnector 10 having the semiconductor chip 1 mounted thereon is fixed to the substrate 5 such as a mount as shown in (b), and the wire 42 is electrically connected to the electrode of the substrate 5 and then hermetically sealed. It can be made into a module by using the above method.

【0072】[0072]

【発明の効果】本発明の基本構成(1) によれば,基板と
コネクタの熱膨張係数の違いによりコネクタが受ける応
力を小さくすることができる。そのため,半導体チップ
の構成を変更することなく,熱歪みによる機械的なダメ
ージを受けることのない半導チップと基板との一体化構
造を得ることができる。
According to the basic configuration (1) of the present invention, the stress applied to the connector due to the difference in the thermal expansion coefficient between the board and the connector can be reduced. Therefore, it is possible to obtain an integrated structure of the semiconductor chip and the substrate which is not mechanically damaged by thermal strain without changing the configuration of the semiconductor chip.

【0073】また,本発明の基本構成(2) によれば,プ
ログラマブルインターコネクタと半導体チップの材料は
同じであるので,両者の熱歪みは小さく機械的ダメージ
を受けることがない。また,各半導体チップ間の配線は
プログラマブルインターコネクタの内部配線によりとる
ので,半導体チップ間に配線変更を生じても,基板の配
線を変更することなくプログラマブルインターコネクタ
の配線変更を行うだけで容易に配線変更を行うことがで
きる。
Further, according to the basic configuration (2) of the present invention, since the programmable interconnector and the semiconductor chip are made of the same material, thermal strain between them is small and mechanical damage is not caused. Further, since the wiring between the semiconductor chips is made by the internal wiring of the programmable interconnector, even if the wiring is changed between the semiconductor chips, it is easy to change the wiring of the programmable interconnector without changing the wiring of the substrate. Wiring can be changed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の基本構成(1) を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration (1) of the present invention.

【図2】本発明の基本構成(2) を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a basic configuration (2) of the present invention.

【図3】本発明の基本構成(1) の作用説明図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the basic configuration (1) of the present invention.

【図4】本発明の基本構成(1) の実施例を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of the basic configuration (1) of the present invention.

【図5】本発明の基本構成(1) の電極パターンの実施例
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of an electrode pattern of the basic configuration (1) of the present invention.

【図6】本発明の基本構成(1) の配線パターンの実施例
を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example of a wiring pattern of the basic configuration (1) of the present invention.

【図7】本発明の基本構成(2) の実施例(1) を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing an embodiment (1) of the basic configuration (2) of the present invention.

【図8】本発明の基本構成(2) の実施例(2) を示す図で
ある。
FIG. 8 is a diagram showing an embodiment (2) of the basic configuration (2) of the present invention.

【図9】従来の半導体チップと実装構造を示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing a conventional semiconductor chip and a mounting structure.

【図10】従来の半導体チップに作用する応力の説明図
である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of stress acting on a conventional semiconductor chip.

【図11】従来の半導体チップとプログラマブルインタ
ーコネクタの実装方法を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a conventional method of mounting a semiconductor chip and a programmable interconnector.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:半導体チップ(半導体素子) 2:電極 3:チップコネクタ(半導体素子実装コネクタ) 4:電極 5:基板 10:プログラマブルインターコネクタ 12:内部配線 13:配線結合素子 1: Semiconductor chip (semiconductor element) 2: Electrode 3: Chip connector (semiconductor element mounting connector) 4: Electrode 5: Board 10: Programmable interconnector 12: Internal wiring 13: Wiring coupling element

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップ(1) を接続する電極(2) を
備えた面と,該面の電極(2) と電気的に接続される該面
と異なる面に設けられて基板(5) に接続する電極(4) を
備えた半導体素子実装コネクタ(3) において, 基板(5) と接続する該電極(4) は,該半導体素子実装コ
ネクタ(3) の中央部付近に集中して形成したものである
ことを特徴とする半導体素子実装コネクタ。
1. A substrate (5) provided on a surface provided with an electrode (2) for connecting a semiconductor chip (1) and on a surface different from the surface electrically connected to the electrode (2) on the surface. In a semiconductor device mounting connector (3) having an electrode (4) connected to the substrate, the electrode (4) connected to the substrate (5) is formed near the center of the semiconductor device mounting connector (3). A semiconductor element mounting connector characterized in that
【請求項2】 複数の半導体チップ(1) を接続する電極
(2) と,該電極(2)に接続される外部接続電極(21)と,
半導体チップ(1) を接続する該電極(2) と該外部接続電
極(21)との接続をとる配線結合素子(13)を備え,該配線
結合素子(13)の配線を変更することにより半導体チップ
(1) を接続する該電極(2) と該外部接続電極(21)との電
気的接続を接続変更可能にした半導体素子実装コネク
タ。
2. An electrode for connecting a plurality of semiconductor chips (1)
(2) and an external connection electrode (21) connected to the electrode (2),
A semiconductor device is provided with a wiring coupling element (13) for connecting the electrode (2) connecting the semiconductor chip (1) and the external connection electrode (21), and changing the wiring of the wiring coupling element (13). Tip
A semiconductor element mounting connector capable of changing the electrical connection between the electrode (2) for connecting (1) and the external connection electrode (21).
【請求項3】 請求項2において,半導体素子実装コネ
クタ(10)はプログラマブルインターコネクタであること
を特徴とする半導体素子実装コネクタ。
3. The semiconductor element mounting connector according to claim 2, wherein the semiconductor element mounting connector (10) is a programmable interconnector.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0974149A (en) * 1995-09-04 1997-03-18 Oki Electric Ind Co Ltd Small package and manufacture
EP0778723A1 (en) * 1995-12-07 1997-06-11 Sagem S.A. Assembling electronic cards, and process for manufacturing such an assembly
JP2011160009A (en) * 1996-03-28 2011-08-18 Intel Corp Method of reducing stress due to thermal expansion difference between board and integrated circuit die mounted on first surface of the same
JP2013187347A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Mitsubishi Electric Corp Substrate connection structure and substrate module

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