JPH0766149A - Production of silicon wafer - Google Patents
Production of silicon waferInfo
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- JPH0766149A JPH0766149A JP23248093A JP23248093A JPH0766149A JP H0766149 A JPH0766149 A JP H0766149A JP 23248093 A JP23248093 A JP 23248093A JP 23248093 A JP23248093 A JP 23248093A JP H0766149 A JPH0766149 A JP H0766149A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスの製
造に使用されるシリコンウェーハの製造方法に関し、詳
しくは、シリコンウェーハに中性子を照射して、原子空
孔を形成するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a silicon wafer used for manufacturing a semiconductor device, and more specifically, to irradiating a silicon wafer with neutrons to form atomic vacancies.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種のシリコンウェーハの製造
方法としては、熱中性子線量を高速中性子線量で除した
値が１０００の重水炉によって、シリコンウェーハに中
性子を照射し、シリコンウェーハの厚さ方向に一様な抵
抗分布を得ようとしたものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of manufacturing a silicon wafer of this type, a heavy water reactor having a value obtained by dividing a thermal neutron dose by a fast neutron dose is 1000, and the silicon wafer is irradiated with neutrons to measure the thickness direction of the silicon wafer. There is an attempt to obtain a uniform resistance distribution.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなシリコンウェーハの製造方法にあっては、シリコン
ウェーハの表面近傍に半導体デバイスを形成すると、半
導体デバイスの特性が著しく劣化し、半導体デバイスの
収率が大きく低下するという課題を有していた。However, in such a method for manufacturing a silicon wafer, when a semiconductor device is formed near the surface of the silicon wafer, the characteristics of the semiconductor device are significantly deteriorated and the yield of the semiconductor device is increased. Has a problem that it greatly decreases.
【０００４】すなわち、熱中性子線量を高速中性子線量
で除した値が１０００の重水炉で照射する中性子は、高
速中性子線量が少ないため、シリコンウェーハに取り込
まれる原子空孔は減少する。このため、熱処理を施して
も、シリコンウェーハの内部の酸素の析出が促進され難
い。この結果、シリコンウェーハの内部の酸素析出層が
形成されにくく、この酸素析出層に起因する結晶欠陥が
減少する。したがって、シリコンウェーハの表面近傍に
半導体デバイスを形成すると、その内部の結晶欠陥はＩ
Ｇ層として機能し難くなった。よって、シリコンウェー
ハの表面近傍に半導体デバイスを形成すると、半導体デ
バイスの特性が著しく劣化し、半導体デバイスの製造歩
留まりが低下するものであった。That is, the neutrons irradiated in the heavy water reactor whose thermal neutron dose is divided by the fast neutron dose is 1000, and the fast neutron dose is small, so that the number of atomic vacancies taken into the silicon wafer is reduced. Therefore, even if the heat treatment is performed, it is difficult to promote the precipitation of oxygen inside the silicon wafer. As a result, it is difficult to form an oxygen precipitation layer inside the silicon wafer, and crystal defects due to this oxygen precipitation layer are reduced. Therefore, when a semiconductor device is formed in the vicinity of the surface of a silicon wafer, crystal defects inside the device are
It became difficult to function as a G layer. Therefore, when the semiconductor device is formed near the surface of the silicon wafer, the characteristics of the semiconductor device are significantly deteriorated and the manufacturing yield of the semiconductor device is reduced.
【０００５】[0005]
【発明の目的】そこで、この発明の目的は、ＮＴＤ（中
性子照射）シリコンウェーハにおいて、その表面近傍に
無欠陥層を形成することができ、その内部にＩＧ層とし
て機能する結晶欠陥を形成することができるシリコンウ
ェーハの製造方法を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to form a defect-free layer in the vicinity of the surface of an NTD (neutron irradiation) silicon wafer and to form a crystal defect functioning as an IG layer therein. It is to provide a method for manufacturing a silicon wafer capable of performing the above.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、酸素濃度が
０．６〜１．３×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（旧ＡＳＴ
Ｍ，以下同様）のシリコンウェーハを使用し、熱中性子
線量を高速中性子線量で除した値が１００〜６００の重
水炉でこのシリコンウェーハに中性子を照射し、その
後、６００〜１２００℃、１時間以上の熱処理を施した
シリコンウェーハの製造方法である。According to the present invention, the oxygen concentration is 0.6 to 1.3 × 10 18 atoms / cm 3 (former AST
M, the same shall apply hereinafter), and the value obtained by dividing the thermal neutron dose by the fast neutron dose is 100 to 600, and the silicon wafer is irradiated with neutrons in the heavy water reactor, and then 600 to 1200 ° C. for 1 hour or more. Is a method for manufacturing a silicon wafer that has been subjected to the heat treatment of.
【０００７】[0007]
【作用】酸素濃度が０．６〜１．３×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3のシリコンウェーハは、例えば、チョクラルス
キ法で引き上げたシリコン単結晶棒から形成される。こ
のシリコンウェーハに、熱中性子線量を高速中性子線量
で除した値が１００〜６００の重水炉で所定量の中性子
を照射する。この中性子の照射により、シリコンウェー
ハには点欠陥（原子空孔）がその厚さ方向に均一に取り
込まれる。このシリコンウェーハに、６００〜１２００
℃の温度にて１時間以上の熱処理を施す。このとき、シ
リコンウェーハの内部および表面近傍には、酸素が析出
する。このシリコンウェーハの内部の酸素の析出は、上
記原子空孔の存在によって促進される。この結果、シリ
コンウェーハの内部には、酸素析出層が形成される。一
方、シリコンウェーハの表面近傍には、上記熱処理によ
り原子空孔が外方拡散する。このため、シリコンウェー
ハの表面近傍においては、酸素の析出が促進されない。
この結果、シリコンウェーハの表面近傍には、無欠陥層
が形成される。[Function] Oxygen concentration is 0.6 to 1.3 × 10 18 atoms
The silicon wafer of / cm 3 is formed from, for example, a silicon single crystal ingot pulled by the Czochralski method. This silicon wafer is irradiated with a predetermined amount of neutrons in a heavy water reactor whose value obtained by dividing the thermal neutron dose by the fast neutron dose is 100 to 600. By this irradiation of neutrons, point defects (atomic vacancies) are uniformly taken into the silicon wafer in the thickness direction. On this silicon wafer, 600-1200
Heat treatment is performed for 1 hour or more at a temperature of ° C. At this time, oxygen precipitates inside and near the surface of the silicon wafer. The precipitation of oxygen inside the silicon wafer is promoted by the existence of the atomic vacancies. As a result, an oxygen precipitation layer is formed inside the silicon wafer. On the other hand, near the surface of the silicon wafer, atomic vacancies diffuse outward due to the heat treatment. Therefore, precipitation of oxygen is not promoted in the vicinity of the surface of the silicon wafer.
As a result, a defect-free layer is formed near the surface of the silicon wafer.
【０００８】このようにして製造されたシリコンウェー
ハの表面近傍の無欠陥層にｐｎ接合等を有する半導体デ
バイスを形成する。このとき、シリコンウェーハの内部
の酸素析出層に起因する結晶欠陥はＩＧ層として機能す
る。この結果、このシリコンウェーハはその製造歩留ま
りを大幅に向上させる。A semiconductor device having a pn junction or the like is formed in the defect-free layer near the surface of the silicon wafer thus manufactured. At this time, the crystal defect resulting from the oxygen precipitation layer inside the silicon wafer functions as an IG layer. As a result, this silicon wafer greatly improves its manufacturing yield.
【０００９】そして、本発明の範囲外である酸素濃度が
０．６×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満のシリコンウェ
ーハに、熱中性子線量を高速中性子線量で除した値が１
００〜６００の重水炉で中性子を照射し、６００〜１２
００℃の温度にて１時間以上の熱処理を施す。このと
き、シリコンウェーハの酸素濃度が少ないため、内部の
酸素の析出量は減少する。この結果、原子空孔の存在に
よって酸素の析出が促進されても、シリコンウェーハの
内部の酸素析出層が形成されにくく、この酸素析出層に
起因する結晶欠陥が減少する。したがって、シリコンウ
ェーハの表面近傍に半導体デバイスを形成すると、その
内部の結晶欠陥はＩＧ層として機能し難くなり、半導体
デバイスの製造歩留まりが低下する。A value obtained by dividing the thermal neutron dose by the fast neutron dose is 1 for a silicon wafer having an oxygen concentration of less than 0.6 × 10 18 atoms / cm 3 which is outside the scope of the present invention.
Irradiation with neutrons in a heavy water reactor of 00-600, 600-12
Heat treatment is performed at a temperature of 00 ° C. for 1 hour or more. At this time, since the oxygen concentration of the silicon wafer is low, the amount of oxygen deposited inside decreases. As a result, even if the precipitation of oxygen is promoted by the presence of atomic vacancies, it is difficult to form an oxygen precipitation layer inside the silicon wafer, and the crystal defects due to this oxygen precipitation layer are reduced. Therefore, when a semiconductor device is formed in the vicinity of the surface of a silicon wafer, the crystal defect inside the silicon wafer becomes difficult to function as an IG layer, and the manufacturing yield of the semiconductor device is reduced.
【００１０】また、本発明の範囲外である酸素濃度が
１．３×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3を超えるシリコンウ
ェーハに、熱中性子線量を高速中性子線量で除した値が
１００〜６００の重水炉で中性子を照射し、６００〜１
２００℃の温度にて１時間以上の熱処理を施す。このと
き、シリコンウェーハの酸素濃度が多いため、シリコン
ウェーハの表面近傍の酸素の析出が増大する。このた
め、シリコンウェーハの表面近傍において、原子空孔の
外方拡散があっても、析出に十分な酸素が残存する。こ
の結果、シリコンウェーハの表面近傍には、酸素に起因
した結晶欠陥が発生する。したがって、シリコンウェー
ハの表面近傍に半導体デバイスを形成すると、半導体デ
バイスの製造歩留まりが低下する。Further, in a heavy water reactor in which the value obtained by dividing the thermal neutron dose by the fast neutron dose is 100 to 600 on a silicon wafer having an oxygen concentration exceeding 1.3 × 10 18 atoms / cm 3 which is outside the scope of the present invention. Irradiate with neutrons, 600-1
Heat treatment is performed at a temperature of 200 ° C. for 1 hour or more. At this time, since the oxygen concentration of the silicon wafer is high, the precipitation of oxygen near the surface of the silicon wafer increases. Therefore, in the vicinity of the surface of the silicon wafer, even if there is outward diffusion of atomic vacancies, sufficient oxygen remains for precipitation. As a result, crystal defects caused by oxygen occur near the surface of the silicon wafer. Therefore, when a semiconductor device is formed near the surface of a silicon wafer, the manufacturing yield of the semiconductor device decreases.
【００１１】また、本発明の範囲外である熱中性子線量
を高速中性子線量で除した値が６００を超える重水炉で
中性子を、酸素濃度が０．６〜１．３×１０18ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3のシリコンウェーハに照射すると、高速中性
子線量が少ないため、シリコンウェーハに取り込まれる
原子空孔は減少する。このため、６００〜１２００℃の
温度にて１時間以上の熱処理を施しても、シリコンウェ
ーハの内部の酸素の析出が促進され難い。この結果、シ
リコンウェーハの内部の酸素析出層が形成されにくく、
この酸素析出層に起因する結晶欠陥が減少する。したが
って、シリコンウェーハの表面近傍の無欠陥層に半導体
デバイスを形成すると、その内部の結晶欠陥はＩＧ層と
して機能し難くなり、半導体デバイスの製造歩留まりが
低下する。Further, in a heavy water reactor whose thermal neutron dose, which is outside the scope of the present invention, divided by the fast neutron dose exceeds 600, the neutrons have an oxygen concentration of 0.6 to 1.3 × 10 18 atom.
When a silicon wafer of s / cm 3 is irradiated, the fast neutron dose is small, so the number of atomic vacancies taken into the silicon wafer is reduced. Therefore, even if the heat treatment is performed at a temperature of 600 to 1200 ° C. for 1 hour or more, it is difficult to promote the precipitation of oxygen inside the silicon wafer. As a result, it is difficult to form an oxygen precipitation layer inside the silicon wafer,
Crystal defects due to this oxygen precipitate layer are reduced. Therefore, when a semiconductor device is formed in the defect-free layer near the surface of the silicon wafer, the crystal defects inside the layer hardly function as the IG layer, and the manufacturing yield of the semiconductor device decreases.
【００１２】また、本発明の範囲外である熱中性子線量
を高速中性子線量で除した値が１００未満の重水炉で中
性子を、酸素濃度が０．６〜１．３×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3のシリコンウェーハに照射すると、中性子照射
による照射ダメージが大きく、すなわち、高速中性子線
量が多い。このため、シリコンウェーハに取り込まれる
原子空孔は増加する。このため、６００〜１２００℃の
温度にて１時間以上の熱処理を施しても、シリコンウェ
ーハの表面近傍において、原子空孔の外方拡散によって
も、原子空孔が残存する。この原子空孔は、シリコンウ
ェーハの表面近傍の酸素の析出を促進させる。この結
果、シリコンウェーハの表面近傍において、この酸素に
起因した結晶欠陥の発生量が多くなり過ぎる。したがっ
て、シリコンウェーハの表面近傍に半導体デバイスを形
成すると、半導体デバイスの製造歩留まりが低下する。Further, in a heavy water reactor having a value obtained by dividing a thermal neutron dose which is outside the scope of the present invention by a fast neutron dose, the neutrons are introduced into a heavy water reactor with an oxygen concentration of 0.6 to 1.3 × 10 18 atoms.
Irradiating a silicon wafer of / cm 3 causes a large irradiation damage due to neutron irradiation, that is, a large amount of fast neutron dose. Therefore, the number of atomic vacancies taken into the silicon wafer increases. Therefore, even if heat treatment is performed at a temperature of 600 to 1200 ° C. for 1 hour or more, atomic vacancies remain in the vicinity of the surface of the silicon wafer due to outward diffusion of atomic vacancies. The atomic vacancies promote the precipitation of oxygen near the surface of the silicon wafer. As a result, in the vicinity of the surface of the silicon wafer, the amount of crystal defects caused by this oxygen becomes too large. Therefore, when a semiconductor device is formed near the surface of a silicon wafer, the manufacturing yield of the semiconductor device decreases.
【００１３】また、酸素濃度が０．６〜１．３×１０18
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のシリコンウェーハに、熱中性子線
量を高速中性子線量で除した値が１００〜６００の重水
炉で所定量の中性子を照射する。このシリコンウェーハ
に、本発明の範囲外である６００℃未満の温度にて１時
間以上の熱処理を施す。このとき、熱処理温度が低いた
め、シリコンウェーハの内部の酸素の析出量は減少す
る。この結果、原子空孔の存在によって酸素の析出が促
進されても、シリコンウェーハの内部の酸素析出層が形
成されにくく、この酸素析出層に起因する結晶欠陥が減
少する。したがって、シリコンウェーハの表面近傍に半
導体デバイスを形成すると、その内部の結晶欠陥はＩＧ
層として機能し難くなり、半導体デバイスの製造歩留ま
りが低下する。The oxygen concentration is 0.6 to 1.3 × 10 18.
A predetermined amount of neutrons is irradiated on a silicon wafer of atoms / cm 3 in a heavy water reactor whose value obtained by dividing thermal neutron dose by fast neutron dose is 100 to 600. This silicon wafer is subjected to heat treatment for 1 hour or more at a temperature below 600 ° C., which is outside the scope of the present invention. At this time, since the heat treatment temperature is low, the amount of oxygen deposited inside the silicon wafer decreases. As a result, even if the precipitation of oxygen is promoted by the presence of atomic vacancies, the oxygen precipitation layer inside the silicon wafer is difficult to form, and the crystal defects due to this oxygen precipitation layer are reduced. Therefore, when a semiconductor device is formed near the surface of a silicon wafer, crystal defects inside the
It becomes difficult to function as a layer, and the manufacturing yield of semiconductor devices decreases.
【００１４】また、酸素濃度が０．６〜１．３×１０18
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のシリコンウェーハに、熱中性子線
量を高速中性子線量で除した値が１００〜６００の重水
炉で所定量の中性子を照射する。このシリコンウェーハ
に、本発明の範囲外である１２００℃より高い温度にて
１時間以上の熱処理を施す。このとき、熱処理温度が高
いので、酸素の過飽和量が少なくなり、酸素析出層が形
成されにくくなる。このため酸素析出層に起因する結晶
欠陥が減少する。したがって、シリコンウェーハの表面
近傍に半導体デバイスを形成すると、その内部の結晶欠
陥はＩＧ層として機能し難くなり、半導体デバイスの製
造歩留まりが低下する。The oxygen concentration is 0.6 to 1.3 × 10 18.
A predetermined amount of neutrons is irradiated on a silicon wafer of atoms / cm 3 in a heavy water reactor whose value obtained by dividing thermal neutron dose by fast neutron dose is 100 to 600. This silicon wafer is subjected to heat treatment for 1 hour or more at a temperature higher than 1200 ° C., which is outside the scope of the present invention. At this time, since the heat treatment temperature is high, the amount of oxygen supersaturation is reduced, and it becomes difficult to form an oxygen precipitation layer. Therefore, crystal defects due to the oxygen precipitate layer are reduced. Therefore, when a semiconductor device is formed in the vicinity of the surface of a silicon wafer, the crystal defect inside the silicon wafer becomes difficult to function as an IG layer, and the manufacturing yield of the semiconductor device is reduced.
【００１５】また、酸素濃度が０．６〜１．３×１０18
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のシリコンウェーハに、熱中性子線
量を高速中性子線量で除した値が１００〜６００の重水
炉で所定量の中性子を照射する。このシリコンウェーハ
に、６００〜１２００℃の温度にて、本発明の範囲外で
ある１時間より短い熱処理を施す。このとき、熱処理時
間が短いので、シリコンウェーハの表面近傍において、
原子空孔が充分に外方に拡散しない。このため、シリコ
ンウェーハの表面近傍に原子空孔が残存する。この原子
空孔は、シリコンウェーハの表面近傍の酸素の析出を促
進させる。この結果、シリコンウェーハの表面近傍にお
いて、この酸素に起因した結晶欠陥の発生量が多くなり
過ぎる。したがって、シリコンウェーハの表面近傍に半
導体デバイスを形成すると、半導体デバイスの製造歩留
まりが低下する。The oxygen concentration is 0.6 to 1.3 × 10 18.
A predetermined amount of neutrons is irradiated on a silicon wafer of atoms / cm 3 in a heavy water reactor whose value obtained by dividing thermal neutron dose by fast neutron dose is 100 to 600. This silicon wafer is subjected to a heat treatment at a temperature of 600 to 1200 ° C. for a time shorter than 1 hour, which is outside the scope of the present invention. At this time, since the heat treatment time is short, near the surface of the silicon wafer,
The atomic vacancies do not diffuse sufficiently outward. Therefore, atomic vacancies remain near the surface of the silicon wafer. The atomic vacancies promote the precipitation of oxygen near the surface of the silicon wafer. As a result, in the vicinity of the surface of the silicon wafer, the amount of crystal defects caused by this oxygen becomes too large. Therefore, when a semiconductor device is formed near the surface of a silicon wafer, the manufacturing yield of the semiconductor device decreases.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。まず、
チョクラルスキ法（ＣＺ法）によりシリコン単結晶棒を
成長させる。そして、このシリコン単結晶棒からシリコ
ンウェーハを形成する。このシリコンウェーハの酸素濃
度［Ｏｉ］は０．６〜１．３×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3となるように引上条件等を設定する。EXAMPLE An example of the present invention will be described below. First,
A silicon single crystal ingot is grown by the Czochralski method (CZ method). Then, a silicon wafer is formed from this silicon single crystal ingot. The oxygen concentration [Oi] of this silicon wafer is 0.6 to 1.3 × 10 18 atoms / cm 3.
Set pulling conditions, etc. to be 3 .
【００１７】そして、熱中性子線量を高速中性子線量で
除した値が４００の重水炉によって、このシリコンウェ
ーハに中性子を照射する。その後、このシリコンウェー
ハに対して１０００℃にて、６４時間以上の熱処理を施
す。Then, the silicon wafer is irradiated with neutrons by a heavy water reactor whose value obtained by dividing the thermal neutron dose by the fast neutron dose is 400. Then, the silicon wafer is subjected to heat treatment at 1000 ° C. for 64 hours or more.
【００１８】この結果のシリコンウェーハの劈開断面を
図１に示す。図１は図面代用写真であり、熱中性子線量
を高速中性子線量で除した値が４００の重水炉によるも
のである。同図にて（Ａ）はシリコンウェーハの中心
部、（Ｂ）はそのＲ（半径）／２の位置の部分、（Ｃ）
はその周辺部（外周部）を、それぞれ示している。形成
されるＤＺの厚さは５０〜１００μｍである。The resulting cleaved cross section of the silicon wafer is shown in FIG. FIG. 1 is a photograph as a substitute for a drawing, which is obtained by a heavy water reactor whose value obtained by dividing thermal neutron dose by fast neutron dose is 400. In the figure, (A) is the central portion of the silicon wafer, (B) is the portion at the R (radius) / 2 position, and (C).
Indicates the peripheral portion (outer peripheral portion) thereof. The formed DZ has a thickness of 50 to 100 μm.
【００１９】これに対して図２には、比較例である熱中
性子線量を高速中性子線量で除した値が１０００の重水
炉での中性子照射を行い、その後、このシリコンウェー
ハに対して１０００℃にて、６４時間以上の熱処理を行
った場合のシリコンウェーハの劈開断面を示す図面代用
写真を示している。同図（Ａ）はシリコンウェーハの中
心部、（Ｂ）は半径の約半分の位置、（Ｃ）は周辺部
（外周部）をそれぞれ示している。On the other hand, in FIG. 2, neutron irradiation in a heavy water reactor having a value obtained by dividing the thermal neutron dose by the fast neutron dose, which is a comparative example, is 1000, and then the silicon wafer is heated to 1000.degree. 4B is a drawing-substituting photograph showing a cleaved cross section of a silicon wafer when heat treatment is performed for 64 hours or more. In the figure, (A) shows the central portion of the silicon wafer, (B) shows the position of about half the radius, and (C) shows the peripheral portion (outer peripheral portion).
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明によれば、シリコンウェーハの表
面近傍に無欠陥層（ＤＺ）が、内部にＩＧ層が、それぞ
れ形成される。この結果、半導体デバイスの製造を高歩
留まりに行うことができる。According to the present invention, a defect-free layer (DZ) is formed near the surface of a silicon wafer, and an IG layer is formed inside. As a result, semiconductor devices can be manufactured with high yield.
【図１】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの劈
開面の組織を示す図面代用写真である。FIG. 1 is a drawing-substituting photograph showing a structure of a cleavage plane of a silicon wafer according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の比較例を示す図１と同様の図面代用写
真である。FIG. 2 is a drawing-substitute photograph similar to FIG. 1, showing a comparative example of the present invention.
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年６月７日[Submission date] June 7, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの劈
開面の結晶構造を示すその図面代用写真である。FIG. 1 is a drawing-substitute photograph showing a crystal structure of a cleavage plane of a silicon wafer according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の比較例を示す図１と同様の結晶構造を
示す図面代用写真である。FIG. 2 shows a crystal structure similar to that of FIG. 1 showing a comparative example of the present invention.
It is a drawing substitute photograph shown .
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高嶋 孝一郎 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 安田 弘 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koichiro Takashima 3-8-16 Iwamoto-cho, Chiyoda-ku, Tokyo Sanryo Material Silicon Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Yasuda 3--8 Iwamoto-cho, Chiyoda-ku, Tokyo No. 16 Sanritsu Material Silicon Co., Ltd.
Claims (1)
ｏｍｓ／ｃｍ3（旧ＡＳＴＭ）のシリコンウェーハを使
用し、 熱中性子線量を高速中性子線量で除した値が１００〜６
００の重水炉でこのシリコンウェーハに中性子を照射
し、 その後、６００〜１２００℃、１時間以上の熱処理を施
したことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。1. An oxygen concentration of 0.6 to 1.3 × 10 18 at
The value obtained by dividing the thermal neutron dose by the fast neutron dose is 100 to 6 using a silicon wafer of oms / cm 3 (formerly ASTM).
This silicon wafer was irradiated with neutrons in a heavy water reactor No. 00, and then heat-treated at 600 to 1200 ° C. for 1 hour or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23248093A JP2854786B2 (en) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | Silicon wafer manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP23248093A JP2854786B2 (en) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | Silicon wafer manufacturing method |
Publications (2)
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| JPH0766149A true JPH0766149A (en) | 1995-03-10 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2854786B2 (en) |
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| JP2854786B2 (en) | 1999-02-03 |
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