JPH0763102B2 - Variable wavelength light source - Google Patents

Variable wavelength light source

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JPH0763102B2
JPH0763102B2 JP25650287A JP25650287A JPH0763102B2 JP H0763102 B2 JPH0763102 B2 JP H0763102B2 JP 25650287 A JP25650287 A JP 25650287A JP 25650287 A JP25650287 A JP 25650287A JP H0763102 B2 JPH0763102 B2 JP H0763102B2
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wavelength
light source
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wavelength light
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浩二 秋山
哲 吉武
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Yokogawa Electric Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687Stabilising the frequency of the laser

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Description

【発明の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 本発明は、レーザの発振波長を変えることができる可変
波長光源の改良に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an improvement of a variable wavelength light source capable of changing the oscillation wavelength of a laser.

《従来の技術》 従来、レーザを用いた可変波長光源としては次のような
ものがあった。
<< Prior Art >> Conventionally, there is the following as a variable wavelength light source using a laser.

イ.回折格子を回転させるもの(第6図) 光増幅部LDの出力光は集光レンズLSを介して回折格子DG
に入射し、1次回折光61が光増幅部LDに戻る。62は0次
回折光である。回折格子DGを回転すると光増幅部LDへ戻
る1次回折光が変化するので、発振波長を制御すること
ができる。
I. Rotating Diffraction Grating (Fig. 6) The output light of the optical amplifier LD is transmitted through the condenser lens LS to the diffraction grating DG.
And the first-order diffracted light 61 returns to the optical amplification section LD. 62 is the 0th order diffracted light. When the diffraction grating DG is rotated, the first-order diffracted light returning to the optical amplification section LD changes, so that the oscillation wavelength can be controlled.

ロ.音響光学素子によるもの(第7図) イのように回折格子を回転する代りに、音響光学素子UM
で回折格子DGへの入射角を変化させて発振波長を制御す
る。
B. By acousto-optic element (Fig. 7) Instead of rotating the diffraction grating as shown in (a), acousto-optic element UM
The oscillation wavelength is controlled by changing the angle of incidence on the diffraction grating DG.

《発明が解決しようとする問題点》 しかしながら、上記のような構成の可変波長光源には次
のような問題点がある。
<< Problems to be Solved by the Invention >> However, the variable wavelength light source configured as described above has the following problems.

イは回折格子を機械的に動かすので、高精度化が困難
で、応答が悪く、経時変化に弱い。
Since b) mechanically moves the diffraction grating, it is difficult to achieve high precision, the response is poor, and it is weak against changes over time.

ロは光増幅部LDに戻ってくる光の波長がドップラシフト
によりわずかにずれるため、安定な発振が得られず、発
振スペクトル幅が広くなってしまう。
In B, since the wavelength of the light returning to the optical amplification section LD is slightly shifted by the Doppler shift, stable oscillation cannot be obtained and the oscillation spectrum width becomes wide.

またいずれの場合にも波長の絶対値が分らないので、校
正が必要である。
In either case, the absolute value of the wavelength is unknown, so calibration is necessary.

本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、長期安定性に秀れ、波長精度のよい可変波長光源
を実現することを目的とする。
The present invention has been made to solve such problems, and an object thereof is to realize a tunable wavelength light source having excellent long-term stability and good wavelength accuracy.

《問題点を解決するための手段》 本発明に係る可変波長光源はファブリ・ペロー・エタロ
ンの透過波長を基準波長光源の出力光の波長に制御し、
前記ファブリ・ペロー・エタロンの透過波長の1つに半
導体レーザの出力波長を制御することにより、前記半導
体レーザの電流または温度を入力として出力波長がステ
ップ的に可変となるように構成したことを特徴とする。
<< Means for Solving Problems >> The variable wavelength light source according to the present invention controls the transmission wavelength of the Fabry-Perot etalon to the wavelength of the output light of the reference wavelength light source,
The output wavelength of the semiconductor laser is controlled to be one of the transmission wavelengths of the Fabry-Perot etalon so that the output wavelength can be changed stepwise by inputting the current or temperature of the semiconductor laser. And

《作用》 ファブリ・ペロー・エタロンの複数の透過波長に半導体
レーザの出力波長を制御し、この出力波長を温度入力ま
たは電流入力で移動させることにより、上記の目的を達
成できる。
<< Operation >> The above object can be achieved by controlling the output wavelength of the semiconductor laser to a plurality of transmission wavelengths of the Fabry-Perot etalon and moving the output wavelength by temperature input or current input.

《実施例》 以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。<Example> The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明に係る可変波長光源の一実施例を示す構
成ブロック図である。図において、光路を帯状の信号線
で表し、電気信号と区別している。1は例えばCsやRb等
の原子吸収線に半導体レーザの波長を制御したもの等を
用いた波長の非常に安定な基準波長光源、2はこの基準
波長光源1の出力光を入射する偏光ビームスプリッタ、
3はこの偏光ビームスプリッタ2の出力光を入射するビ
ームスプリッタ、4はこのビームスプリッタ3の出力光
を入射するファブリ・ペロー・エタロン、5はこのファ
ブリ・ペロー・エタロン4の出力光を入射する偏光ビー
ムスプリッタ、6はこの偏光ビームスプリッタ5の透過
光を入射するフォトダイオード等の受光素子、7はこの
受光素子6の電気出力を入力するロックインアンプ等で
構成される制御回路、8はこの制御回路7に参照信号を
与える発振器、9は制御回路7の出力に発振器8の出力
を変調信号として加算した信号を入力してファブリ・ペ
ロー・エタロン4を駆動するPZT等の圧電素子、10は半
導体レーザ、11はこの半導体レーザ10の出力光を平行に
するレンズ、13はこのレンズ11の出力光をビームスプリ
ッタ12,偏光ビームスプリッタ2,ビームスプリッタ3,フ
ァブリ・ペロー・エタロン4および偏光ビームスプリッ
タ5を介して入射するフォトダイオード等の受光素子、
14はこの受光素子13の電気出力を入力しその出力で半導
体レーザ10の注入電流を制御するとともに発振器8の出
力を参照信号とするロックインアンプ等で構成される制
御回路、15は受光素子13の出力を入力するカウンタ(計
数器)、16はビームスプリッタ3からの反射光を入射し
て基準波長光源1の出力光と半導体レーザ10の出力光の
ビート信号を電気出力するフォトダイオード等の受光素
子、17はこの受光素子16の電気出力を入力する帯域フィ
ルタ、18はこの帯域フィルタ17の出力を入力してその出
力がカウンタ15のリセット入力端子に加わるダイオード
ブリッジ等の検波器である。基準波長光源1としては、
例えば同一出願人による特願昭61-11894号に記載の装置
等を用いることができる。
FIG. 1 is a configuration block diagram showing an embodiment of a variable wavelength light source according to the present invention. In the figure, the optical path is represented by a band-shaped signal line to distinguish it from an electric signal. Reference numeral 1 is a reference wavelength light source having a very stable wavelength, which uses a semiconductor laser whose wavelength is controlled by an atomic absorption line such as Cs or Rb. Reference numeral 2 is a polarization beam splitter for injecting the output light of the reference wavelength light source 1. ,
Reference numeral 3 is a beam splitter which makes the output light of the polarization beam splitter 2 incident, 4 is the Fabry-Perot etalon which makes the output light of the beam splitter 3 incident, and 5 is polarization which makes the output light of the Fabry-Perot etalon 4 enter. A beam splitter, 6 is a light receiving element such as a photodiode that receives the transmitted light of the polarization beam splitter 5, 7 is a control circuit including a lock-in amplifier that inputs the electric output of the light receiving element 6, and 8 is this control. An oscillator for giving a reference signal to the circuit 7, a piezoelectric element 9 such as a PZT for driving the Fabry-Perot etalon 4 by inputting a signal obtained by adding the output of the oscillator 8 as a modulation signal to the output of the control circuit 7, 10 is a semiconductor A laser, 11 is a lens for collimating the output light of the semiconductor laser 10, and 13 is an output light of the lens 11 for a beam splitter 12 and a polarization beam splitter. A light receiving element such as a photodiode, which is incident through the shutter 2, the beam splitter 3, the Fabry-Perot etalon 4 and the polarization beam splitter 5,
Reference numeral 14 is a control circuit which receives the electric output of the light receiving element 13, controls the injection current of the semiconductor laser 10 with the output, and is composed of a lock-in amplifier which uses the output of the oscillator 8 as a reference signal. A counter (counter) for inputting the output of 16 receives a reflected light from the beam splitter 3 and receives a light such as a photodiode for electrically outputting a beat signal of the output light of the reference wavelength light source 1 and the output light of the semiconductor laser 10. An element, 17 is a bandpass filter for inputting the electric output of the light receiving element 16, and 18 is a detector such as a diode bridge for inputting the output of the bandpass filter 17 and applying the output to the reset input terminal of the counter 15. As the reference wavelength light source 1,
For example, an apparatus described in Japanese Patent Application No. 61-11894 by the same applicant can be used.

この基準波長光源1の出力光は偏光ビームスプリッタ2
およびビームスプリッタ3を介してファブリ・ペロー・
エタロン4に入射する。ファブリ・ペロー・エタロン4
は発振器8からの変調信号により共振器長を周期的に変
化させるので、その透過光強度が変調を受ける。偏光ビ
ームスプリッタ5を介して透過光を受光素子6で検出
し、制御回路7において同期整流し、圧電素子9の印加
電圧に帰還し、ファブリ・ペロー・エタロン4の透過波
長のうちいずれか一つのピークを基準波長光源1の発振
波長に制御する。第2図はファブリ・ペロー・エタロン
4の透過信号強度を周波数に対して表した特性曲線図
で、例えば透過波長のピークaOを基準波長光源1の発振
波長に合せる。半導体レーザ10の出力光はレンズ11によ
って平行光となりビームスプリッタ12を透過後、偏光ビ
ームスプリッタ2で反射されて基準波長光と同一の光路
に入り、ビームスプリッタ3を介してファブリ・ペロー
・エタロン4に入射して基準波長光と同様に変調を受
け、その透過光が偏光ビームスプリッタ5で反射して基
準波長光から分離され、受光素子13に入射する。基準波
長光源1の出力光と半導体レーザ10の出力光の偏光方向
が互いに垂直となるようにし、前者を透過し後者を反射
するように偏光ビームスプリッタ2,5を置くことによ
り、両光の合成,分離が可能となる。受光素子13の出力
は制御回路14で同期整流された後半導体レーザ10の注入
電流に帰還され、半導体レーザ10の発振波長をファブリ
・ペロー・エタロン4の透過波長の一つ、例えば第2図
のピークa1に制御する。ビームスプリッタ12により半導
体レーザ10の出力光の一部が反射され、本装置の可変波
長光出力となる。この状態で半導体レーザ10の温度を変
えてゆくと、半導体レーザ10の波長を制御する制御ルー
プが働いているうちは温度による波長変化を電流に負帰
還して修正動作を行うので、波長は一定であるが、制御
ループが飽和してループが切れるとファブリ・ペロー・
エタロン4の次の透過波長ピークに波長がジャンプす
る。この動作を繰返すことにより、第3図に示すよう
に、レーザ温度により波長をステップ状に変化させるこ
とができる。ここで波長の平坦な部分はファブリ・ペロ
ー・エタロン4の透過波長ピークで、第2図のピークa
1,a2,a3に対応し、ピーク間隔はファブリ・ペロー・エ
タロン4のFSR(Free Spectrum Range)によって決ま
り、また、Rb等の標準物質の吸収線を基準にしているの
で、精度が非常に秀れている。カウンタ15は受光素子13
の出力を入力して、ファブリ・ペロー・エタロン4の透
過特性のピークの回数を計数する。受光素子16は半導体
レーザ10と基準波長光源1の発振波長の一致を検出し、
帯域フィルタ17および検波回路18を介してカウンタ15を
リセットする。すなわち、電源をオンにすると半導体レ
ーザ10の発振波長は基準波長光源1の発振波長(第2図
のピークaO)に制御されてカウンタ15をリセットする。
レーザ温度を変えて半導体レーザ10の発振波長をファブ
リ・ペロー・エタロン4の透過波長(第2図のピークa
1,a2,a3,…)にステップ状に制御してゆけば、カウンタ
15にはステップ数、すなわち基準の透過波長(第2図の
ピークaO)から何番目にあるかが示され、この値から出
力光の絶対波長を正確に読取ることができる。
The output light of the reference wavelength light source 1 is the polarization beam splitter 2
And Fabry-Perot via beam splitter 3
It is incident on the etalon 4. Fabry Perot Etalon 4
Since the resonator length is periodically changed by the modulation signal from the oscillator 8, the transmitted light intensity is modulated. The transmitted light is detected by the light receiving element 6 via the polarization beam splitter 5, synchronously rectified by the control circuit 7, returned to the applied voltage of the piezoelectric element 9, and transmitted by any one of the transmitted wavelengths of the Fabry-Perot etalon 4. The peak is controlled to the oscillation wavelength of the reference wavelength light source 1. FIG. 2 is a characteristic curve diagram showing the transmission signal intensity of the Fabry-Perot etalon 4 with respect to frequency. For example, the peak aO of the transmission wavelength is matched with the oscillation wavelength of the reference wavelength light source 1. The output light of the semiconductor laser 10 becomes parallel light by the lens 11, passes through the beam splitter 12, is reflected by the polarization beam splitter 2, enters the same optical path as the reference wavelength light, and passes through the beam splitter 3 to the Fabry-Perot etalon 4 And is modulated in the same manner as the reference wavelength light, and the transmitted light is reflected by the polarization beam splitter 5 to be separated from the reference wavelength light and enters the light receiving element 13. By arranging the polarization beamsplitters 2 and 5 so that the output light of the reference wavelength light source 1 and the output light of the semiconductor laser 10 are perpendicular to each other and the former is transmitted and the latter is reflected, both lights are combined. , Separation is possible. The output of the light receiving element 13 is synchronously rectified by the control circuit 14 and then fed back to the injection current of the semiconductor laser 10 to change the oscillation wavelength of the semiconductor laser 10 to one of the transmission wavelengths of the Fabry-Perot etalon 4, for example, as shown in FIG. Control to peak a1. A part of the output light of the semiconductor laser 10 is reflected by the beam splitter 12 and becomes the variable wavelength light output of this device. If the temperature of the semiconductor laser 10 is changed in this state, while the control loop for controlling the wavelength of the semiconductor laser 10 is operating, the wavelength change due to temperature is negatively fed back to the current to perform the correction operation, so that the wavelength is constant. However, if the control loop saturates and the loop breaks, Fabry-Perot
The wavelength jumps to the next transmission wavelength peak of etalon 4. By repeating this operation, the wavelength can be changed stepwise by the laser temperature as shown in FIG. Here, the flat part of the wavelength is the transmission wavelength peak of Fabry-Perot Etalon 4, which is the peak a in Fig. 2.
Corresponding to 1, a2, a3, the peak interval is determined by the FSR (Free Spectrum Range) of Fabry-Perot Etalon 4, and since it is based on the absorption line of a standard substance such as Rb, the accuracy is very excellent. Has been. The counter 15 is the light receiving element 13
The output of is input and the number of peaks of the transmission characteristics of the Fabry-Perot etalon 4 is counted. The light receiving element 16 detects the coincidence of the oscillation wavelengths of the semiconductor laser 10 and the reference wavelength light source 1,
The counter 15 is reset via the bandpass filter 17 and the detection circuit 18. That is, when the power is turned on, the oscillation wavelength of the semiconductor laser 10 is controlled to the oscillation wavelength of the reference wavelength light source 1 (peak aO in FIG. 2) and the counter 15 is reset.
The oscillation wavelength of the semiconductor laser 10 is changed by changing the laser temperature, and the transmission wavelength of the Fabry-Perot etalon 4 (peak a in FIG.
1, a2, a3, ...) can be controlled in steps
15 shows the number of steps, that is, the order from the reference transmission wavelength (peak aO in FIG. 2), and the absolute wavelength of the output light can be accurately read from this value.

このような構成の可変波長光源によれば、基準波長光源
が量子標準であるため長期安定性に秀れ、波長精度良く
ステップ的に可変できる可変波長光源を実現できる。
According to the variable wavelength light source having such a configuration, since the reference wavelength light source is a quantum standard, it is possible to realize a variable wavelength light source that is excellent in long-term stability and that can be varied stepwise with wavelength accuracy.

第4図は第1図装置の変形例で、基準波長光源が変調出
力である場合を示す構成ブロック図である。第1図と同
じ部分には同一の記号を付して説明を省略する。カウン
タ関係の回路も第1図と同様であるが図では省略してい
る。基準波長光源1が無変調出力である第1図の場合と
異なり、基準波長光源1は発振器8出力により変調され
るので、ファブリ・ペロー・エタロン4に変調をかけず
に中心透過波長を基準波長光源1の発振波長に制御する
ことができる。基準波長光源1を変調するには内部の出
力半導体レーザの注入電流に変調信号を重畳したり、出
力光を変調器に通せばよい。半導体レーザ10の発振波長
をファブリ・ペロー・エタロン4の透過波長に制御する
場合、ファブリ・ペロー・エタロン4に変調がかかって
いないため、同期検波する代りに増幅器19を用いて帰還
する。この結果、第5図のb1,b2,b3,…に示すように透
過信号の肩の部分に制御することになる。肩の位置は増
幅器19の比較設定値により定められる。
FIG. 4 is a block diagram showing a modification of the apparatus shown in FIG. 1 and showing a case where the reference wavelength light source is a modulation output. The same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Circuits related to the counter are similar to those in FIG. 1, but are omitted in the figure. Unlike the case of FIG. 1 in which the reference wavelength light source 1 has an unmodulated output, since the reference wavelength light source 1 is modulated by the output of the oscillator 8, the Fabry-Perot etalon 4 is not modulated and the central transmission wavelength is set to the reference wavelength. The oscillation wavelength of the light source 1 can be controlled. To modulate the reference wavelength light source 1, a modulation signal may be superimposed on the injection current of the internal output semiconductor laser or the output light may be passed through a modulator. When the oscillation wavelength of the semiconductor laser 10 is controlled to the transmission wavelength of the Fabry-Perot etalon 4, since the Fabry-Perot etalon 4 is not modulated, the amplifier 19 is fed back instead of the synchronous detection. As a result, as shown by b1, b2, b3, ... In FIG. 5, the shoulder portion of the transmission signal is controlled. The position of the shoulder is defined by the comparison set point of the amplifier 19.

なお上記の各実施例ではレーザ注入電流を帰還して制御
ループを構成し、レーザ温度を入力として発振波長を変
えているが、この逆に、レーザ温度を帰還して制御ルー
プを構成し、レーザ注入電流を入力として発振波長を変
えてもよい。
In each of the above embodiments, the laser injection current is fed back to form the control loop, and the oscillation temperature is changed by inputting the laser temperature. On the contrary, the laser temperature is fed back to form the control loop, and the laser loop is formed. The oscillation wavelength may be changed by using the injected current as an input.

またファブリ・ペロー・エタロン4の共振器長を変える
ために圧電素子を用いる代りに、ファブリ・ペロー・エ
タロン4のミラー間に電気光学素子を配置してその電圧
に帰還してもよい。
Further, instead of using the piezoelectric element for changing the resonator length of the Fabry-Perot etalon 4, an electro-optical element may be arranged between the mirrors of the Fabry-Perot etalon 4 to feed back the voltage.

《発明の効果》 以上述べたように本発明によれば、長期安定性に秀れ、
波長精度のよい可変波長光源を簡単な構成で実現するこ
とができる。
<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, excellent long-term stability,
A variable wavelength light source with good wavelength accuracy can be realized with a simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明に係る可変波長光源の1実施例を示す構
成ブロック図、第2図および第3図は第1図装置の動作
を説明するための説明図、第4図は第1図装置の変形例
を示す構成ブロック図、第5図は第4図装置の動作を説
明するための説明図、第6図および第7図は可変波長光
源の従来例を示す構成ブロック図である。 1…基準波長光源、4…ファブリ・ペロー・エタロン、
10…半導体レーザ。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a variable wavelength light source according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are explanatory views for explaining the operation of the apparatus, and FIG. 4 is FIG. FIG. 5 is a configuration block diagram showing a modified example of the device, FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the operation of the device, and FIGS. 6 and 7 are configuration block diagrams showing a conventional example of a variable wavelength light source. 1 ... Reference wavelength light source, 4 ... Fabry-Perot etalon,
10 ... Semiconductor laser.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ファブリ・ペロー・エタロンの透過波長を
基準波長光源の出力光の波長に制御し、前記ファブリ・
ペロー・エタロンの透過波長の1つに半導体レーザの出
力波長を制御することにより、前記半導体レーザの電流
または温度を入力として出力波長がステップ的に可変と
なるように構成したことを特徴とする可変波長光源。
1. A transmission wavelength of a Fabry-Perot etalon is controlled to a wavelength of an output light of a reference wavelength light source,
A variable structure characterized in that by controlling the output wavelength of the semiconductor laser to one of the transmission wavelengths of the Perot etalon, the output wavelength can be changed stepwise by inputting the current or temperature of the semiconductor laser. Wavelength light source.
【請求項2】基準波長光源としてCsまたはRbの原子吸収
線に波長を制御した半導体レーザを用いた特許請求の範
囲第1項記載の可変波長光源。
2. The variable wavelength light source according to claim 1, wherein a semiconductor laser whose wavelength is controlled by an atomic absorption line of Cs or Rb is used as the reference wavelength light source.
【請求項3】半導体レーザの出力波長のステップ変化に
対応する信号をカウンタで計数し、基準波長光源の出力
光と半導体レーザの出力光のビート信号により前記カウ
ンタをリセットするように構成した特許請求の範囲第1
項記載の可変波長光源。
3. A structure in which a signal corresponding to a step change in the output wavelength of a semiconductor laser is counted by a counter, and the counter is reset by a beat signal of the output light of a reference wavelength light source and the output light of a semiconductor laser. Range 1st
Variable wavelength light source according to the item.
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