JPH076265U - Electrode structure of plasma CVD anode - Google Patents

Electrode structure of plasma CVD anode

Info

Publication number
JPH076265U
JPH076265U JP3592193U JP3592193U JPH076265U JP H076265 U JPH076265 U JP H076265U JP 3592193 U JP3592193 U JP 3592193U JP 3592193 U JP3592193 U JP 3592193U JP H076265 U JPH076265 U JP H076265U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode
vacuum chamber
shield
plasma
plasma cvd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3592193U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2595113Y2 (en
Inventor
俊之 酒見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP1993035921U priority Critical patent/JP2595113Y2/en
Publication of JPH076265U publication Critical patent/JPH076265U/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2595113Y2 publication Critical patent/JP2595113Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラズマCVD装置において放電が阻害され
ることのない陽極を提供する。 【構成】 陽極板26の外側には真空チャンバーと同電
位に保持されるとともにプラズマビームが通過する部分
に孔部24が形成されたシールド板部22eが配置され
ている。導入路35に供給されたシールドガスは孔部か
ら真空チャンバー内に流れ出し、陽極表面と真空チャン
バー内との間に圧力勾配が生じる。孔部の近傍にはシー
ルドガスによるプラズマが発生する。これによって、陽
極面における成膜成分の堆積が防止されて放電が阻害さ
れることがなくなる。
(57) [Summary] [Object] To provide an anode in which discharge is not hindered in a plasma CVD apparatus. A shield plate portion 22e, which is held at the same potential as the vacuum chamber and has a hole portion 24 formed in a portion through which a plasma beam passes, is arranged outside the anode plate 26. The shield gas supplied to the introduction path 35 flows out from the hole into the vacuum chamber, and a pressure gradient is generated between the anode surface and the vacuum chamber. Plasma generated by the shield gas is generated near the hole. This prevents the deposition of film-forming components on the anode surface and prevents the discharge from being hindered.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案はプラズマCVD装置に関し、特に、その陽極の電極構造に関する。 The present invention relates to a plasma CVD apparatus, and more particularly to an electrode structure of its anode.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

まず、図3を参照してプラズマCVD装置について概説する。 First, the plasma CVD apparatus will be outlined with reference to FIG.

【0003】 図示のプラズマCVD装置は所謂圧力勾配型プラズマ源を用いており、真空チ ャンバー(処理槽)11内には図示のように被処理物12が配置されるとともに 陽極部13が配置される。真空チャンバー11は排気されるとともに原料ガスが 導入される。陰極部14と陽極部13との間で放電プラズマ流を発生させて、こ れによって、被処理物12に膜(絶縁膜)を形成するようにしている。The illustrated plasma CVD apparatus uses a so-called pressure gradient type plasma source, and in the vacuum chamber (processing tank) 11, an object to be processed 12 is arranged and an anode part 13 is arranged as shown in the drawing. It The vacuum chamber 11 is evacuated and the source gas is introduced. A discharge plasma flow is generated between the cathode part 14 and the anode part 13 to form a film (insulating film) on the object to be processed 12.

【0004】 ここで、図4も参照して、陽極部13の構造について概説する。Here, the structure of the anode portion 13 will be outlined with reference to FIG.

【0005】 陽極部13は陽極ブロック13aを備えており、この陽極ブロック13aは取 り付けフランジ13bに取り付けられている。そして、取り付けフランジ13b は絶縁ブロック13cによって真空チャンバー内壁に取り付けられている。The anode part 13 includes an anode block 13a, and this anode block 13a is attached to a mounting flange 13b. The mounting flange 13b is mounted on the inner wall of the vacuum chamber by the insulating block 13c.

【0006】 陽極ブロック13aと取り付けフランジ13bとによって形成される中空空間 には永久磁石13dが配置され、この中空空間には導水管13eによって冷却水 が注入される。A permanent magnet 13d is arranged in a hollow space formed by the anode block 13a and the mounting flange 13b, and cooling water is injected into this hollow space by a water conduit 13e.

【0007】[0007]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

ところで、上述のプラズマCVD装置では処理槽内部に陽極部が配置されてい る関係上絶縁膜が陽極部表面にも形成され、その結果、放電が阻害されてしまう という問題点がある。そして、このような不具合を減少させるためには、導電性 被膜又は蒸発しやすい絶縁性被膜のみを成膜する必要がある。 By the way, in the above-mentioned plasma CVD apparatus, there is a problem that an insulating film is formed on the surface of the anode part because the anode part is arranged inside the processing tank, and as a result, the discharge is hindered. Then, in order to reduce such a problem, it is necessary to form only a conductive film or an insulating film that easily evaporates.

【0008】 本考案の目的は放電が阻害されることのないプラズマCVD用陽極を提供する ことにある。An object of the present invention is to provide an anode for plasma CVD that does not disturb discharge.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案によれば、真空チャンバーを備え直流アーク放電によるプラズマビーム を用いて被処理物上に膜を形成するプラズマCVD装置に用いられ、前記真空チ ャンバー内に位置する陽極部と、該陽極部に前記プラズマビームをガイドするた めの磁場を発生する磁石手段と、前記陽極部の外側を遮蔽する位置に配置され前 記真空チャンバーと同電位に保持されるとともに前記プラズマビームが通過する 部分に孔部が形成されたシールド電極部と、前記孔部からシールドガスを前記真 空チャンバー内に流出させるシールドガス流出手段とを有することを特徴とする プラズマCVD用陽極の電極構造が得られる。 According to the present invention, an anode part is provided in the vacuum chamber, which is used in a plasma CVD apparatus having a vacuum chamber for forming a film on an object to be processed by using a plasma beam generated by a DC arc discharge, and the anode part. And a magnet means for generating a magnetic field for guiding the plasma beam, and a portion which is placed at a position that shields the outside of the anode part and is held at the same potential as the vacuum chamber and through which the plasma beam passes. An electrode structure for a plasma CVD anode is obtained, which has a shield electrode portion having a hole formed therein and a shield gas outflow means for causing a shield gas to flow out into the vacuum chamber from the hole.

【0010】[0010]

【作用】[Action]

本考案では陽極部を遮蔽する位置にシールド電極部を設けてこのシールド電極 部に形成された孔部からアルゴンガス等のシールドガスを流出させるようにした から、陽極表面と真空チャンバー内との間には圧力勾配が生じることになる。ま た、シールド電極部付近にはシールドガスによるプラズマが発生する。従って、 成膜分子の陽イオン及びラジカル粒子等はシールドガス流れ及び電界によって陽 極表面に到達することができず、この結果、陽極面への成膜分子の堆積を抑制す ることができる。 In the present invention, a shield electrode portion is provided at a position that shields the anode portion, and a shield gas such as argon gas is allowed to flow out through a hole formed in the shield electrode portion. There will be a pressure gradient across. Further, plasma is generated by the shield gas near the shield electrode part. Therefore, the cations and radical particles of the film forming molecules cannot reach the positive electrode surface due to the flow of the shielding gas and the electric field, and as a result, the deposition of the film forming molecules on the anode surface can be suppressed.

【0011】[0011]

【実施例】【Example】

以下本発明について実施例によって説明する。 The present invention will be described below with reference to examples.

【0012】 図1を参照して、真空チャンバー壁には開口部21が形成されており、この開 口部21には筒状のシールドフランジ22が挿入される。そして、このシールド フランジ22はO−リング22aを介してボルト22bによって真空チャンバー 壁に固定される。図示のようにシールドフランジ22には軸方向(縦方向)に延 びる中空部22cが形成されており、この中空部22cの予め定められた位置に はリング状の電磁コイル23が配設されている。さらに、シールドフランジ22 には冷却水導入口22dが形成され、この冷却水導入口22dは中空部22cに 連通している。With reference to FIG. 1, an opening 21 is formed in the wall of the vacuum chamber, and a cylindrical shield flange 22 is inserted into this opening 21. The shield flange 22 is fixed to the vacuum chamber wall by bolts 22b via the O-ring 22a. As shown in the figure, the shield flange 22 is formed with a hollow portion 22c extending in the axial direction (longitudinal direction), and a ring-shaped electromagnetic coil 23 is arranged at a predetermined position of the hollow portion 22c. There is. Further, a cooling water introduction port 22d is formed in the shield flange 22, and the cooling water introduction port 22d communicates with the hollow portion 22c.

【0013】 シールドフランジ22の上端には中心方向に延びるシールド板部22eが備え られており、シールド板部22eにはその中心部(プラズマビームが通過する部 分)に孔部24が形成されている。シールド板部22eの孔部24には耐熱スリ ーブ25が取り付けられている。そして、シールド板部22eの内側には、後述 する陽極板26がシールド板部22eに遮蔽されるように配設されている。A shield plate portion 22e extending toward the center is provided at the upper end of the shield flange 22, and a hole portion 24 is formed in the center portion (a portion through which the plasma beam passes) of the shield plate portion 22e. There is. A heat resistant sleeve 25 is attached to the hole 24 of the shield plate 22e. An anode plate 26, which will be described later, is arranged inside the shield plate portion 22e so as to be shielded by the shield plate portion 22e.

【0014】 本考案による陽極は平板状の陽極板(銅製)26を備えており、この陽極板2 6はO−リング26aを介して陽極ブロック27に取り付けられて陽極板26と 陽極ブロック27とによって中空部28が形成される。中空部28において陽極 板26の下面には永久磁石29が取り付けられている。そして、中空部28内に は冷却水導入管30及び31が挿入されている。陽極ブロック27の下端にはO −リング27aを介して絶縁ブロック32が配置され、絶縁ブロック32の下端 にはO−リング32aを介して取り付けフランジ33が配置されている。そして 、これら絶縁ブロック32及び取り付けフランジ33はボルト33aによって陽 極ブロック27に固定されて陽極本体部34が形成される。The anode according to the present invention comprises a flat anode plate (made of copper) 26, and this anode plate 26 is attached to an anode block 27 via an O-ring 26a to connect the anode plate 26 and the anode block 27. The hollow portion 28 is formed by. A permanent magnet 29 is attached to the lower surface of the anode plate 26 in the hollow portion 28. The cooling water introducing pipes 30 and 31 are inserted in the hollow portion 28. An insulating block 32 is arranged at the lower end of the anode block 27 via an O-ring 27a, and a mounting flange 33 is arranged at the lower end of the insulating block 32 via an O-ring 32a. Then, the insulating block 32 and the mounting flange 33 are fixed to the positive electrode block 27 by the bolts 33a to form the anode main body portion 34.

【0015】 図示のように陽極本体部34はシールドフランジ22内に挿入されO−リング 34aを介してボルト34bによってシールドフランジ22は取り付けフランジ 33に固定される。この際、シールドフランジ22と陽極本体部34との間には 図示のように空間(導入路)35が形成され、この導入路35にはシールドガス 導入管36が連結されている。また、陽極本体部34はシールドフランジ22内 に挿入された際には、永久磁石29は電磁コイル23で取り囲まれる位置にある 。As shown, the anode main body 34 is inserted into the shield flange 22, and the shield flange 22 is fixed to the mounting flange 33 by the bolt 34b via the O-ring 34a. At this time, a space (introduction passage) 35 is formed between the shield flange 22 and the anode main body 34 as shown in the drawing, and a shield gas introduction pipe 36 is connected to the introduction passage 35. Further, when the anode main body 34 is inserted into the shield flange 22, the permanent magnet 29 is in a position surrounded by the electromagnetic coil 23.

【0016】 ここで、図3も参照して、上述の陽極をプラズマCVD装置に用いた場合の動 作について説明する。まず、冷却水導入口22dから中空部22cに冷却水が流 入されるとともに中空部28内には冷却水管30及び31を介して冷却水が循環 する。また、電磁コイル23に通電が行われ、導入路35にはシールドガス導入 管36からアルゴンガス等のシールドガスが供給される。なお、シールドフラン ジ22は真空チャンバーと同電位に保たれる。Here, also referring to FIG. 3, an operation when the above-described anode is used in a plasma CVD apparatus will be described. First, the cooling water is introduced from the cooling water inlet 22d into the hollow portion 22c, and the cooling water circulates in the hollow portion 28 via the cooling water pipes 30 and 31. Further, the electromagnetic coil 23 is energized, and a shield gas such as argon gas is supplied to the introduction path 35 from the shield gas introduction pipe 36. The shield flange 22 is kept at the same potential as the vacuum chamber.

【0017】 プラズマビームは電磁コイル23によって形成される磁力線に沿って陽極付近 に導かれる。この際、永久磁石29による磁力線によってプラズマビームは孔部 24を通って陽極板26の中央部に到達する。つまり、永久磁石29によってプ ラズマビームのピント合わせが行われることになる。The plasma beam is guided near the anode along the lines of magnetic force formed by the electromagnetic coil 23. At this time, the plasma beam reaches the central portion of the anode plate 26 through the hole 24 due to the lines of magnetic force generated by the permanent magnet 29. That is, the plasma beam is focused by the permanent magnet 29.

【0018】 一方、導入路35に供給されたシールドガスは孔部24から真空チャンバー内 に流れ出す。この結果、陽極表面と真空チャンバー内との間に圧力勾配が生じる 。さらに、孔部24の近傍にはシールドガスによるプラズマ(以下シールドプラ ズマと呼ぶ)が発生する。On the other hand, the shield gas supplied to the introduction path 35 flows out from the hole 24 into the vacuum chamber. This results in a pressure gradient between the anode surface and the vacuum chamber. Further, plasma (hereinafter referred to as shield plasma) due to shield gas is generated near the hole 24.

【0019】 プラズマビームによって生成された成膜分子の陽イオン及びラジカル粒子等は 陽極表面に到達する際シールドガスの流れ及び孔部24付近の電界に逆らって飛 行する必要がある。従って、上述の構成の陽極を用いることによって陽極面にお ける成膜成分の堆積を極力防止することができる。The cations and radical particles of the film-forming molecules generated by the plasma beam must fly against the flow of the shield gas and the electric field near the hole 24 when reaching the anode surface. Therefore, by using the anode having the above-mentioned structure, it is possible to prevent the deposition of film-forming components on the anode surface as much as possible.

【0020】 ところで、酸素等の陰イオンは電解に沿って陽極表面に流れ込むことになるか ら、この結果、陽極表面が酸化されやすくなる。このため、陽極表面を白金でコ ーティングしておくことが望ましい。By the way, anions such as oxygen flow into the surface of the anode along with the electrolysis, and as a result, the surface of the anode is easily oxidized. Therefore, it is desirable to coat the anode surface with platinum.

【0021】 次に図2を参照して、本考案による他の実施例について説明する。Next, another embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0022】 図2(a)に示すように、台状の陽極板41が絶縁体部42にO−リング41 aを介して固定支持されている。下部フランジ43上には鉄心44が配設され、 この鉄心44上には所定の間隔をおいて複数の永久磁石45が配置されている。 そして、永久磁石45上には各永久磁石を連絡するようにして鉄心46が配設さ れている。As shown in FIG. 2A, a trapezoidal anode plate 41 is fixedly supported by an insulator portion 42 via an O-ring 41 a. An iron core 44 is arranged on the lower flange 43, and a plurality of permanent magnets 45 are arranged on the iron core 44 at predetermined intervals. An iron core 46 is arranged on the permanent magnet 45 so as to connect the permanent magnets.

【0023】 上述の下部フランジ43はO−リング42aを介して絶縁体部42に固定され 、これによって絶縁体部42は下部フランジ43に支持される。これら陽極板4 1、絶縁体部42、及び下部フランジ43によって密閉空間47が形成され、永 久磁石45はこの密閉空間47内に配置されることになる。The above-mentioned lower flange 43 is fixed to the insulator portion 42 via the O-ring 42 a, whereby the insulator portion 42 is supported by the lower flange 43. A closed space 47 is formed by the anode plate 41, the insulator portion 42, and the lower flange 43, and the permanent magnet 45 is arranged in the closed space 47.

【0024】 下部フランジ43には孔部43a及び43bが形成され、これら孔部43a及 び43bにはそれぞれ冷却水管48及び49が連結されている。これによって、 密閉空間内に冷却水が循環することになる。Holes 43a and 43b are formed in the lower flange 43, and cooling water pipes 48 and 49 are connected to the holes 43a and 43b, respectively. As a result, cooling water circulates in the enclosed space.

【0025】 陽極板41の上側にはシールド板50が配置され(このシールド板50は真空 チャンバーと同電位に保たれる)、このシールド板50は支持体部51によって 下部フランジ43に支持される。A shield plate 50 is arranged on the upper side of the anode plate 41 (this shield plate 50 is kept at the same potential as the vacuum chamber), and this shield plate 50 is supported by the lower flange 43 by the support portion 51. .

【0026】 図2(b)に示すように、シールド板50には永久磁石45の配列方向に延び るスリット52が形成されている。As shown in FIG. 2B, the shield plate 50 is provided with slits 52 extending in the arrangement direction of the permanent magnets 45.

【0027】 図2(c)を参照して、陽極板41の側方にはシールドガス導入管53が配置 され、このシールドガス導入管53は支持部材54によって支持体部51に支持 される。なお、陽極板41、シールド板50、及び支持体部51によって空間が 形成され、シールドガス導入管53からこの空間へ供給されたシールドガスは他 に漏れることなくスリット52に導かれる。また、上記の空間内に位置して図2 (b)に示すようにシールド板50の下面には冷却水管55が敷設され、冷却水 管55内には冷却水が循環する。With reference to FIG. 2C, a shield gas introduction pipe 53 is arranged on the side of the anode plate 41, and the shield gas introduction pipe 53 is supported by the support portion 51 by a support member 54. A space is formed by the anode plate 41, the shield plate 50, and the support member 51, and the shield gas supplied from the shield gas introduction pipe 53 to this space is guided to the slit 52 without leaking to the other. 2B, a cooling water pipe 55 is laid on the lower surface of the shield plate 50, and the cooling water circulates in the cooling water pipe 55.

【0028】 この実施例では、永久磁石の磁力線によってプラズマビームがスリット52を を通って陽極板41に達する。図1に示す実施例と同様に、シールドガスがスリ ット52から真空チャンバー内に流れだし、これによって、陽極表面と真空チャ ンバー内との間には圧力勾配が生じることになる。また、スリット52付近には シールドガスによるプラズマが発生する。従って、図1の陽極と同様に成膜分子 の陽イオン及びラジカル粒子等はシールドガス流れ及び電界によって陽極表面に 到達することができず、この結果、陽極面への成膜分子の堆積を抑制することが できる。なお、酸化防止のため陽極板表面を白金でコーティングしておくことが 望ましい。In this embodiment, the plasma beam passes through the slit 52 and reaches the anode plate 41 by the lines of magnetic force of the permanent magnet. Similar to the embodiment shown in FIG. 1, the shield gas starts flowing from the slit 52 into the vacuum chamber, which causes a pressure gradient between the anode surface and the vacuum chamber. In addition, plasma generated by the shield gas is generated near the slit 52. Therefore, as in the case of the anode in FIG. 1, cations and radical particles of film forming molecules cannot reach the anode surface due to the flow of the shielding gas and the electric field, and as a result, the deposition of film forming molecules on the anode surface is suppressed. can do. It is desirable to coat the surface of the anode plate with platinum to prevent oxidation.

【0029】[0029]

【考案の効果】[Effect of device]

以上説明したように本考案では陽極表面に成膜分子が堆積することを抑止でき 、その結果、放電が阻害されることがなく、安定して成膜を行うことができると いう効果がある。 As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the deposition of film forming molecules on the surface of the anode, and as a result, it is possible to stably form a film without inhibiting discharge.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案によるプラズマCVD用陽極の一実施例
を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a plasma CVD anode according to the present invention.

【図2】本考案によるプラズマCVD用陽極の他の実施
例を示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は平面
図、(c)は側面断面図である。
2A and 2B are views showing another embodiment of the plasma CVD anode according to the present invention, wherein FIG. 2A is a front sectional view, FIG. 2B is a plan view, and FIG. 2C is a side sectional view.

【図3】プラズマCVD装置を概略的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a plasma CVD apparatus.

【図4】従来のプラズマCVD用陽極を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conventional plasma CVD anode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 真空チャンバー(処理槽) 12 被処理物 13 陽極部 14 陰極部 21 開口部 22 シールドフランジ 23 電磁コイル 24 孔部24 25 耐熱スリーブ 26,41 陽極板 27 陽極ブロック 28 中空部 29,45 永久磁石 30,31 冷却水管 32 絶縁ブロック 33 取り付けフランジ 34 陽極本体部 35 空間(導入路) 36,53 シールドガス導入管 42 絶縁体部 43 下部フランジ 44,46 鉄心 47 密閉空間 48,49,55 冷却水管 50 シールド板 51 支持体部 52 スリット 54 支持部材 11 Vacuum Chamber (Treatment Tank) 12 Workpiece 13 Anode 14 Cathode 21 Opening 22 Shield Flange 23 Electromagnetic Coil 24 Hole 24 25 Heat Resistant Sleeve 26, 41 Anode Plate 27 Anode Block 28 Hollow 29, 45 Permanent Magnet 30 , 31 Cooling water pipe 32 Insulating block 33 Mounting flange 34 Anode body part 35 Space (introduction path) 36, 53 Shield gas introducing pipe 42 Insulator part 43 Lower flange 44, 46 Iron core 47 Sealed space 48, 49, 55 Cooling water pipe 50 Shield Plate 51 support part 52 slit 54 support member

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 真空チャンバーを備え直流アーク放電に
よるプラズマビームを用いて被処理物上に膜を形成する
プラズマCVD装置に用いられ、前記真空チャンバー内
に位置する陽極部と、該陽極部に前記プラズマビームを
ガイドするための磁場を発生する磁石手段と、前記陽極
部の外側を遮蔽する位置に配置され前記真空チャンバー
と同電位に保持されるとともに前記プラズマビームが通
過する部分に孔部が形成されたシールド電極部と、前記
孔部からシールドガスを前記真空チャンバー内に流出さ
せるシールドガス流出手段とを有することを特徴とする
プラズマCVD用陽極の電極構造。
1. An anode part, which is used in a plasma CVD apparatus provided with a vacuum chamber for forming a film on an object to be processed by using a plasma beam by a DC arc discharge, and an anode part located in the vacuum chamber, A magnet means for generating a magnetic field for guiding the plasma beam, and a hole portion is formed at a position that shields the outside of the anode portion and is held at the same potential as the vacuum chamber and through which the plasma beam passes. And a shield gas outflow means for outflowing the shield gas into the vacuum chamber from the hole, the electrode structure of the plasma CVD anode.
【請求項2】 請求項1に記載されたプラズマCVD用
陽極の電極構造において、前記陽極部の表面は白金でコ
ーティングされていることを特徴とするプラズマCVD
用陽極の電極構造。
2. The plasma CVD anode electrode structure according to claim 1, wherein the surface of the anode portion is coated with platinum.
Structure of the anode for automobile.
JP1993035921U 1993-06-30 1993-06-30 Electrode structure of anode for plasma CVD Expired - Fee Related JP2595113Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1993035921U JP2595113Y2 (en) 1993-06-30 1993-06-30 Electrode structure of anode for plasma CVD

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1993035921U JP2595113Y2 (en) 1993-06-30 1993-06-30 Electrode structure of anode for plasma CVD

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH076265U true JPH076265U (en) 1995-01-27
JP2595113Y2 JP2595113Y2 (en) 1999-05-24

Family

ID=12455504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1993035921U Expired - Fee Related JP2595113Y2 (en) 1993-06-30 1993-06-30 Electrode structure of anode for plasma CVD

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2595113Y2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180412U (en) * 1984-05-09 1985-11-30 サンデンタル株式会社 Reamer, file handle
JP2007002272A (en) * 2005-06-21 2007-01-11 Stanley Electric Co Ltd Plasma cvd system
JP2020166934A (en) * 2019-03-28 2020-10-08 住友重機械工業株式会社 Negative ion generating apparatus
JP2021523515A (en) * 2018-05-04 2021-09-02 東京エレクトロン株式会社 Radical source containing plasma

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180412U (en) * 1984-05-09 1985-11-30 サンデンタル株式会社 Reamer, file handle
JP2007002272A (en) * 2005-06-21 2007-01-11 Stanley Electric Co Ltd Plasma cvd system
JP4683418B2 (en) * 2005-06-21 2011-05-18 スタンレー電気株式会社 Plasma CVD equipment
JP2021523515A (en) * 2018-05-04 2021-09-02 東京エレクトロン株式会社 Radical source containing plasma
JP2020166934A (en) * 2019-03-28 2020-10-08 住友重機械工業株式会社 Negative ion generating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2595113Y2 (en) 1999-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3730867B2 (en) Plasma deposition method and apparatus with magnetic bucket and concentric plasma and material source
KR0177590B1 (en) Wafer accounting and processing system
EP0275021B1 (en) Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
US5942854A (en) Electron-beam excited plasma generator with side orifices in the discharge chamber
US5308417A (en) Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers
TW523794B (en) Magnetron with a rotating center magnet for a vault shaped sputtering target
US6511585B1 (en) Enhanced macroparticle filter and cathode arc source
EP0660372A1 (en) Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam
JPH04124273A (en) Method and device for plasma cvd treatment inside surface of pipe
JP2595113Y2 (en) Electrode structure of anode for plasma CVD
JP4567979B2 (en) Plasma processing system and plasma processing method
JPH0845846A (en) Sputtering method and apparatus
US5235160A (en) Heat-plasma-jet generator capable of conducting plasma spray or heat-plasma cvd coating in a relatively wide area
US5168197A (en) Ion beam generating apparatus, film-forming apparatus, and method for formation of film
US5948294A (en) Device for cathodic cleaning of wire
JP2003264098A (en) Sheet plasma treatment apparatus
JPH05106051A (en) Plasma treating apparatus
JP3041509B2 (en) Anode structure of plasma processing equipment
JP3493670B2 (en) Plasma processing equipment
KR0159039B1 (en) Electron beam excited plasma system
JP3030420B2 (en) Ion plating equipment
KR100456043B1 (en) Metal Sputter Ion Beam System
JP2002270395A (en) Center electrode structure of pressure gradient plasma generating equipment
JPS62292276A (en) Plasma torch
TW390912B (en) Ionizing sputtering device

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990210

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees