JP2020166934A - Negative ion generating apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a negative ion generating apparatus in which a member constituting a plasma guide portion for guiding plasma can be protected.SOLUTION: In a negative ion generating apparatus 1, a gas supply unit 12 supplies gas as a raw material for negative ions into a chamber 10. A plasma generator 11 generates plasma P in the chamber 10, and a plasma guide unit 13 guides the plasma P. As a result, the plasma P spreads in the chamber 10. When the plasma generator 11 stops the generation of plasma P, negative ions are generated in the chamber 10. Here, in the plasma guide unit 13, a magnet 32 is arranged inside an anode 31. Therefore, the magnet 32 is protected from negative ions in the chamber 10 by the anode 31. Further, a plating layer 37 is formed on the surface of the anode 31 on the plasma generation portion 11 side. Therefore, the anode 31 is protected from negative ions in the chamber 10 by the plating layer 37.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、負イオン生成装置に関する。 The present invention relates to a negative ion generator.

従来、負イオン生成装置として、特許文献１に記載されたものが知られている。この負イオン生成装置は、チャンバ内へ負イオンの原料となるガスを供給するガス供給部と、チャンバ内において、プラズマを生成するプラズマ生成部と、を備えている。プラズマ生成部は、チャンバ内でプラズマを間欠的に生成することで負イオンを生成し、対象物へ照射している。 Conventionally, as a negative ion generator, the one described in Patent Document 1 is known. This negative ion generator includes a gas supply unit that supplies a gas that is a raw material for negative ions into the chamber, and a plasma generation unit that generates plasma in the chamber. The plasma generation unit generates negative ions by intermittently generating plasma in the chamber and irradiates the object.

特開２０１７−０２５４０７号公報JP-A-2017-025407

ここで、上述のような負イオン生成装置においては、プラズマ生成部が生成したプラズマは、プラズマ誘導部に導かれる。ここで、このようなプラズマ誘導部を構成する部材がチャンバ内の負イオンによって影響を受ける場合があった。従って、プラズマ誘導部を構成する部材を保護することが求められていた。 Here, in the negative ion generation device as described above, the plasma generated by the plasma generation unit is guided to the plasma induction unit. Here, the members constituting such a plasma inductive portion may be affected by negative ions in the chamber. Therefore, it has been required to protect the members constituting the plasma induction portion.

そこで本発明は、プラズマを導くプラズマ誘導部を構成する部材を保護することができる負イオン生成装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a negative ion generator capable of protecting a member constituting a plasma inductive portion that guides plasma.

上記課題を解決するため、本発明に係る負イオン生成装置は、負イオンを生成する負イオン生成装置であって、内部で負イオンの生成が行われるチャンバと、負イオンの原料となるガスをチャンバに供給するガス供給部と、チャンバ内において、プラズマを生成するプラズマ生成部と、陽極及び磁石を有し、プラズマを導くプラズマ誘導部と、を備え、プラズマ誘導部では、陽極の内部に磁石が配置され、陽極のプラズマ生成部側の表面には、めっき層が形成される。 In order to solve the above problems, the negative ion generator according to the present invention is a negative ion generator that generates negative ions, and uses a chamber in which negative ions are generated internally and a gas that is a raw material for negative ions. It includes a gas supply unit that supplies gas to the chamber, a plasma generation unit that generates plasma in the chamber, and a plasma induction unit that has an anode and a magnet and guides plasma. In the plasma induction unit, a magnet is provided inside the anode. Is arranged, and a plating layer is formed on the surface of the anode on the plasma generating portion side.

本発明に係る負イオン生成装置では、ガス供給部が負イオンの原料となるガスをチャンバ内に供給する。そして、プラズマ生成部は、チャンバ内にプラズマを生成し、プラズマ誘導部が当該プラズマを導く。これにより、チャンバ内でプラズマが広がる。プラズマ生成部がプラズマの生成を停止すると、チャンバ内では負イオンが生成される。ここで、プラズマ誘導部では、陽極の内部に磁石が配置されている。従って、磁石は、陽極によってチャンバ内の負イオンから保護される。また、陽極のプラズマ生成部側の表面には、めっき層が形成される。従って、陽極は、めっき層によってチャンバ内の負イオンから保護される。以上より、プラズマを導くプラズマ誘導部を構成する部材を保護することができる。 In the negative ion generator according to the present invention, the gas supply unit supplies gas as a raw material for negative ions into the chamber. Then, the plasma generation unit generates plasma in the chamber, and the plasma induction unit guides the plasma. This spreads the plasma in the chamber. When the plasma generator stops the plasma generation, negative ions are generated in the chamber. Here, in the plasma induction unit, a magnet is arranged inside the anode. Therefore, the magnet is protected from negative ions in the chamber by the anode. In addition, a plating layer is formed on the surface of the anode on the plasma generation side side. Therefore, the anode is protected from negative ions in the chamber by the plating layer. From the above, it is possible to protect the members constituting the plasma inductive portion that guides the plasma.

プラズマ誘導部は、磁石に対してプラズマ生成部と反対側に配置されるヨークを有し、ヨークは磁石を囲むように配置されてプラズマ生成部側へ突出する突出部を有してよい。この場合、ヨークの突出部が磁石による磁場をコントロールすることができるため、チャンバの外部への漏れ磁場を抑制することができる。 The plasma inductive portion may have a yoke arranged on the opposite side of the magnet from the plasma generating portion, and the yoke may have a protruding portion arranged so as to surround the magnet and projecting toward the plasma generating portion. In this case, since the protruding portion of the yoke can control the magnetic field due to the magnet, the leakage magnetic field to the outside of the chamber can be suppressed.

磁石のプラズマ生成部側の端部には、プラズマ生成部側から見て磁石よりも大きい磁性体による蓋部材が設けられていてよい。この場合、蓋部材が、磁石からの磁束を広い範囲に放射させることができる。これにより、プラズマの入射ビームの径を広げることができ、ビーム集中による陽極の過熱を抑制できる。 A lid member made of a magnetic material larger than the magnet when viewed from the plasma generating portion side may be provided at the end portion of the magnet on the plasma generating portion side. In this case, the lid member can radiate the magnetic flux from the magnet over a wide range. As a result, the diameter of the incident beam of the plasma can be widened, and overheating of the anode due to beam concentration can be suppressed.

本発明によれば、プラズマを導くプラズマ誘導部を構成する部材を保護することができる負イオン生成装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a negative ion generator capable of protecting a member constituting a plasma inductive portion that guides plasma.

本発明の実施形態に係る負イオン生成装置の構成について説明する。The configuration of the negative ion generator according to the embodiment of the present invention will be described. プラズマ誘導部の拡大断面図である。It is an enlarged cross-sectional view of a plasma induction part.

以下、添付図面を参照しながら本発明の一実施形態に係る負イオン生成装置について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, the negative ion generator according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

まず、図１を参照して、本発明の実施形態に係る負イオン生成装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る負イオン生成装置の構成を示す概略断面図である。 First, the configuration of the negative ion generator according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a negative ion generator according to the present embodiment.

図１に示すように、本実施形態の負イオン生成装置１は、プラズマによって負イオンを生成すると共に、当該負イオンを基板Ｗに照射することができる装置である。 As shown in FIG. 1, the negative ion generating device 1 of the present embodiment is a device capable of generating negative ions by plasma and irradiating the substrate W with the negative ions.

負イオン生成装置１は、チャンバ１０、プラズマ生成部１１、ガス供給部１２、プラズマ誘導部１３、基板配置部１４及び制御部２０を備えている。 The negative ion generation device 1 includes a chamber 10, a plasma generation unit 11, a gas supply unit 12, a plasma induction unit 13, a substrate arrangement unit 14, and a control unit 20.

負イオン照射の対称となる基板Ｗとして、例えば、基材の表面にＩＴＯ、ＩＷＯ、ＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＯＮなどの膜を形成したものが採用される。基材として、例えばガラス基板やプラスチック基板などの板状部材が採用される。 As the substrate W having symmetry of negative ion irradiation, for example, a substrate W having a film of ITO, IWO, ZnO, Ga 2 O 3 , AlN, GaN, SiON or the like formed on the surface of the substrate is adopted. As the base material, for example, a plate-shaped member such as a glass substrate or a plastic substrate is adopted.

チャンバ１０は、基板Ｗを収納し成膜処理を行うための部材である。チャンバ１０は、導電性の材料からなり接地電位に接続されている。チャンバ１０の内部空間は真空に保たれる。 The chamber 10 is a member for accommodating the substrate W and performing a film forming process. The chamber 10 is made of a conductive material and is connected to a ground potential. The internal space of the chamber 10 is kept in vacuum.

チャンバ１０は、例えば六面体の箱型形状を有しており、互いに対向する壁部１０ａ，１０ｂと、互いに対向する壁部１０ｃ，１０ｄと、紙面前後方向に互いに対向する一対の壁部を有する。ただし、チャンバ１０の形状は特に限定されず、円筒形のチャンバが採用されてもよい。なお、以降の説明では、壁部１０ａ，１０ｂが対向する方向をＸ軸方向とし、紙面前後方向をＹ軸方向とし、壁部１０ｃ，１０ｄが対向する方向をＺ軸方向として説明を行う場合がある。壁部１０ａがＸ軸方向の正側であり、紙面前側がＹ軸方向の正側であり、壁部１０ｃ側がＺ軸方向の正側であるものとする。 The chamber 10 has, for example, a hexahedral box shape, and has wall portions 10a and 10b facing each other, wall portions 10c and 10d facing each other, and a pair of wall portions facing each other in the front-rear direction of the paper surface. However, the shape of the chamber 10 is not particularly limited, and a cylindrical chamber may be adopted. In the following description, the direction in which the wall portions 10a and 10b face each other is the X-axis direction, the front-back direction on the paper surface is the Y-axis direction, and the direction in which the wall portions 10c and 10d face each other is the Z-axis direction. is there. It is assumed that the wall portion 10a is the positive side in the X-axis direction, the front side of the paper surface is the positive side in the Y-axis direction, and the wall portion 10c side is the positive side in the Z-axis direction.

続いて、プラズマ生成部１１の構成について詳細に説明する。プラズマ生成部１１は、チャンバ１０内において、プラズマ及び電子を生成する。プラズマ生成部１１は、プラズマガン７を有している。このプラズマガン７は、Ｘ軸方向の正側の壁部１０ａに形成されている。 Subsequently, the configuration of the plasma generation unit 11 will be described in detail. The plasma generation unit 11 generates plasma and electrons in the chamber 10. The plasma generation unit 11 has a plasma gun 7. The plasma gun 7 is formed on the wall portion 10a on the positive side in the X-axis direction.

プラズマガン７は、例えば圧力勾配型のプラズマガンであり、その本体部分が壁部１０ａのプラズマ口を介してチャンバ１０の内部空間に接続されている。プラズマガン７は、チャンバ１０内でプラズマＰを生成する。プラズマガン７において生成されたプラズマＰは、プラズマ口から内部空間へビーム状に出射される。これにより、チャンバ１０の内部空間にプラズマＰが生成される。 The plasma gun 7 is, for example, a pressure gradient type plasma gun, and its main body portion is connected to the internal space of the chamber 10 via the plasma port of the wall portion 10a. The plasma gun 7 produces plasma P in the chamber 10. The plasma P generated in the plasma gun 7 is emitted in a beam shape from the plasma port to the internal space. As a result, plasma P is generated in the internal space of the chamber 10.

プラズマガン７は、陰極６０により一端が閉塞されている。陰極６０とプラズマ口との間には、第１の中間電極６１（グリッド）と、第２の中間電極６２（グリッド）とが同心的に配置されている。第１の中間電極６１内にはプラズマＰを収束するための環状永久磁石が内蔵されている。第２の中間電極６２内にもプラズマＰを収束するため電磁石コイルが内蔵されている。 One end of the plasma gun 7 is blocked by the cathode 60. A first intermediate electrode 61 (grid) and a second intermediate electrode 62 (grid) are concentrically arranged between the cathode 60 and the plasma port. An annular permanent magnet for converging the plasma P is built in the first intermediate electrode 61. An electromagnet coil is also built in the second intermediate electrode 62 in order to converge the plasma P.

プラズマガン７は、負イオンを生成するときは、チャンバ１０内において間欠的にプラズマＰを生成する。具体的には、プラズマガン７は、後述の制御部２０によって間欠的にプラズマＰを生成するように制御されている。この制御については、制御部２０の説明において詳述する。 When the plasma gun 7 generates negative ions, it intermittently generates plasma P in the chamber 10. Specifically, the plasma gun 7 is controlled so as to intermittently generate plasma P by a control unit 20 described later. This control will be described in detail in the description of the control unit 20.

ガス供給部１２は、チャンバ１０の外部に配置されている。ガス供給部１２は、チャンバ１０のＸ軸方向の負側の壁部１０ｂに設けられたガス供給口２１を通し、チャンバ１０内へガスを供給する。ガス供給部１２は、負イオンの原料となるガスを供給する。ガスとして、例えば、Ｏ−などの負イオンの原料となるＯ２、ＮＨ２ −などの窒化物の負イオンの原料となるＮＨ３、その他、Ｃ−やＳｉ−などの負イオンの原料となるＣ２Ｈ６、ＳｉＨ４などが採用される。なお、ガスは、Ａｒなどの希ガスも含む。 The gas supply unit 12 is arranged outside the chamber 10. The gas supply unit 12 supplies gas into the chamber 10 through a gas supply port 21 provided on the wall portion 10b on the negative side in the X-axis direction of the chamber 10. The gas supply unit 12 supplies gas as a raw material for negative ions. As a gas, for example, O 2 which is a raw material for negative ions such as O − , NH 3 which is a raw material for negative ions of a nitride such as NH 2 − , and other raw materials for negative ions such as C − and Si − C 2 H 6 , SiH 4, etc. are adopted. The gas also includes a rare gas such as Ar.

プラズマ誘導部１３は、陽極３１及び磁石３２を有し、プラズマＰを導く部分である。プラズマ誘導部１３は、チャンバ１０のＸ軸方向の負側の壁部１０ｂに設けられている。プラズマ誘導部１３は、プラズマガン７とＸ軸方向において対向する位置に設けられている。従って、プラズマガン７で生成されたプラズマＰは、Ｘ軸方向の負側へ向かって進行し、プラズマ誘導部１３に導かれる。プラズマ誘導部１３の詳細な構成については後述する。 The plasma inductive portion 13 has an anode 31 and a magnet 32, and is a portion that guides the plasma P. The plasma inductive portion 13 is provided on the wall portion 10b on the negative side in the X-axis direction of the chamber 10. The plasma induction unit 13 is provided at a position facing the plasma gun 7 in the X-axis direction. Therefore, the plasma P generated by the plasma gun 7 travels toward the negative side in the X-axis direction and is guided to the plasma induction unit 13. The detailed configuration of the plasma induction unit 13 will be described later.

基板配置部１４は、基板Ｗを配置するための部分である。基板配置部１４は、チャンバ１０のＺ軸方向の負側の壁部１０ｄに設けられている。すなわち、基板配置部１４は、プラズマガン７とプラズマ誘導部１３とが対向する方向に対して直交する方向に配置される。基板配置部１４は、プラズマＰを回避する位置に配置される。基板配置部１４は、基板Ｗをチャンバ１０の内部空間で載置させるための載置部２２と、載置部２２と連結されてチャンバ１０の外部まで延びる導体部２３と、を備える。 The substrate arranging portion 14 is a portion for arranging the substrate W. The substrate arrangement portion 14 is provided on the wall portion 10d on the negative side in the Z-axis direction of the chamber 10. That is, the substrate arranging portion 14 is arranged in a direction orthogonal to the direction in which the plasma gun 7 and the plasma guiding portion 13 face each other. The substrate arranging portion 14 is arranged at a position where the plasma P is avoided. The substrate arranging portion 14 includes a mounting portion 22 for mounting the substrate W in the internal space of the chamber 10, and a conductor portion 23 connected to the mounting portion 22 and extending to the outside of the chamber 10.

導体部２３には、バイアス電圧印加部２４が接続されている。バイアス電圧印加部２４は、基板Ｗに正のバイアス電圧を印加するための機器である。バイアス電圧印加部２４は、基板Ｗに正のバイアス電圧（以下、単に「バイアス電圧」ともいう）を印加するための電源等を備えて構成される。バイアス電圧印加部２４は、バイアス電圧として、周期的に増減する矩形波である電圧信号（周期的電気信号）を印加する。バイアス電圧印加部２４は、印加するバイアス電圧の周波数を制御部２０の制御によって変更可能に構成されている。バイアス電圧印加部２４は、制御部２０によってバイアス電圧印加のＯＮ／ＯＦＦが切り替えられる。バイアス電圧印加部２４が基板Ｗにバイアス電圧を印加したら、チャンバ１０の内部空間にて生成された負イオンが基板Ｗ側に導かれると共に、当該基板Ｗに照射される。 A bias voltage application unit 24 is connected to the conductor unit 23. The bias voltage application unit 24 is a device for applying a positive bias voltage to the substrate W. The bias voltage application unit 24 is configured to include a power supply or the like for applying a positive bias voltage (hereinafter, also simply referred to as “bias voltage”) to the substrate W. The bias voltage application unit 24 applies a voltage signal (periodic electrical signal), which is a rectangular wave that periodically increases or decreases, as a bias voltage. The bias voltage application unit 24 is configured so that the frequency of the applied bias voltage can be changed by the control of the control unit 20. The bias voltage application unit 24 is switched ON / OFF of the bias voltage application by the control unit 20. When the bias voltage application unit 24 applies the bias voltage to the substrate W, the negative ions generated in the internal space of the chamber 10 are guided to the substrate W side and are irradiated to the substrate W.

制御部２０は、負イオン生成装置１全体を制御する装置であり、装置全体を統括的に管理するＥＣＵ[Electronic Control Unit]を備えている。ＥＣＵは、ＣＰＵ[Central Processing Unit]、ＲＯＭ[Read Only Memory]、ＲＡＭ[Random Access Memory]、ＣＡＮ［Controller Area Network］通信回路等を有する電子制御ユニットである。ＥＣＵでは、例えば、ＲＯＭに記憶されているプログラムをＲＡＭにロードし、ＲＡＭにロードされたプログラムをＣＰＵで実行することにより各種の機能を実現する。ＥＣＵは、複数の電子ユニットから構成されていてもよい。 The control unit 20 is a device that controls the entire negative ion generation device 1, and includes an ECU [Electronic Control Unit] that collectively manages the entire device. The ECU is an electronic control unit having a CPU [Central Processing Unit], a ROM [Read Only Memory], a RAM [Random Access Memory], a CAN [Controller Area Network] communication circuit, and the like. In the ECU, for example, various functions are realized by loading the program stored in the ROM into the RAM and executing the program loaded in the RAM in the CPU. The ECU may be composed of a plurality of electronic units.

制御部２０は、チャンバ１０の外部に配置されている。また、制御部２０は、プラズマ生成部１１、ガス供給部１２、及びバイアス電圧印加部２４と電気的に接続されている。制御部２０は、ガス供給部１２によるガス供給を制御し、プラズマ生成部１１によるプラズマＰの生成を制御し、バイアス電圧印加部２４によるバイアス電圧の印加を制御する。 The control unit 20 is arranged outside the chamber 10. Further, the control unit 20 is electrically connected to the plasma generation unit 11, the gas supply unit 12, and the bias voltage application unit 24. The control unit 20 controls the gas supply by the gas supply unit 12, controls the generation of plasma P by the plasma generation unit 11, and controls the application of the bias voltage by the bias voltage application unit 24.

制御部２０は、ガス供給部１２を制御して、チャンバ１０内にガスを供給する。続いて、制御部２０は、プラズマガン７からのプラズマＰをチャンバ１０の内部空間で間欠的に生成するようにプラズマ生成部１１を制御する。例えば、制御部２０によって、スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態が所定間隔で切り替えられることにより、プラズマガン７からのプラズマＰがチャンバ１０の内部空間で間欠的に生成される。 The control unit 20 controls the gas supply unit 12 to supply gas into the chamber 10. Subsequently, the control unit 20 controls the plasma generation unit 11 so as to intermittently generate the plasma P from the plasma gun 7 in the internal space of the chamber 10. For example, the control unit 20 switches the ON / OFF state of the switch at predetermined intervals, so that the plasma P from the plasma gun 7 is intermittently generated in the internal space of the chamber 10.

プラズマガン７からのプラズマＰがチャンバ１０内に出射される状態では、チャンバ１０の内部空間にプラズマＰが生成される。プラズマＰは、中性粒子、正イオン、負イオン（酸素ガスなどの負性気体が存在する場合）、及び電子を構成物質としている。従って、チャンバ１０の内部空間には、電子が生成されることとなる。プラズマガン７からのプラズマＰがチャンバ１０内に出射されない状態では、チャンバ１０の内部空間におけるプラズマＰの電子温度が急激に低下する。このため、チャンバ１０の内部空間に供給されたガスの粒子に、電子が付着し易くなる。これにより、チャンバ１０の内部空間では、負イオンが効率的に生成される。 In the state where the plasma P from the plasma gun 7 is emitted into the chamber 10, the plasma P is generated in the internal space of the chamber 10. Plasma P contains neutral particles, positive ions, negative ions (when a negative gas such as oxygen gas is present), and electrons as constituent substances. Therefore, electrons are generated in the internal space of the chamber 10. When the plasma P from the plasma gun 7 is not emitted into the chamber 10, the electron temperature of the plasma P in the internal space of the chamber 10 drops sharply. Therefore, electrons are likely to adhere to the gas particles supplied to the internal space of the chamber 10. As a result, negative ions are efficiently generated in the internal space of the chamber 10.

制御部２０は、バイアス電圧印加部２４によるバイアス電圧の印加を制御する。制御部２０は、所定のタイミングにて、バイアス電圧印加部２４によるバイアス電圧を印加する。なお、バイアス電圧印加部２４によるバイアス電圧の印加を開始するタイミングは、制御部２０にて予め設定される。バイアス電圧印加部２４によって基板Ｗに正のバイアス電圧が付与されることで、チャンバ１０内の負イオンが基板Ｗへ導かれる。これにより、負イオンが基板Ｗへ照射される。また、チャンバ１０内に電子が存在している場合は、電子も基板Ｗへ導かれる。 The control unit 20 controls the application of the bias voltage by the bias voltage application unit 24. The control unit 20 applies the bias voltage by the bias voltage application unit 24 at a predetermined timing. The timing at which the bias voltage application unit 24 starts applying the bias voltage is preset by the control unit 20. By applying a positive bias voltage to the substrate W by the bias voltage applying unit 24, negative ions in the chamber 10 are guided to the substrate W. As a result, negative ions are irradiated to the substrate W. Further, when electrons are present in the chamber 10, the electrons are also guided to the substrate W.

次に、図２を参照して、プラズマ誘導部１３の詳細な構成について説明する。図２は、プラズマ誘導部１３の拡大断面図である。図２に示すように、プラズマ誘導部１３は、チャンバ１０の壁部１０ｂに形成された開口部１０ｅに設けられている。プラズマ誘導部１３は、陽極３１と、磁石３２と、ヨーク３３と、を主に備えている。なお、プラズマ誘導部１３は、流路等を除き、Ｘ軸方向に延びる中心軸線ＣＬを基準として回転対称な構成を有しているため、中心軸線ＣＬを基準として説明を行う場合がある。 Next, a detailed configuration of the plasma induction unit 13 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the plasma induction unit 13. As shown in FIG. 2, the plasma inductive portion 13 is provided in the opening 10e formed in the wall portion 10b of the chamber 10. The plasma inductive portion 13 mainly includes an anode 31, a magnet 32, and a yoke 33. Since the plasma induction unit 13 has a configuration that is rotationally symmetric with respect to the central axis CL extending in the X-axis direction, except for the flow path and the like, the description may be made with reference to the central axis CL.

陽極３１は、プラズマＰを受けるための部材である。陽極３１は、端壁部３１ａと、側壁部３１ｂと、フランジ部３１ｃと、を備える。陽極３１は、例えば、無酸素銅、その他アルミニウム、ＳＵＳ３０４などの材料によって構成される。 The anode 31 is a member for receiving the plasma P. The anode 31 includes an end wall portion 31a, a side wall portion 31b, and a flange portion 31c. The anode 31 is made of, for example, oxygen-free copper, other materials such as aluminum and SUS304.

端壁部３１ａは、壁部１０ｂの開口部１０ｅに対応する位置に配置され、中心軸線ＣＬと直交する方向へ広がる円形の部材である。図２では、Ｘ軸方向において、端壁部３１ａ及び壁部１０ｂは、チャンバ１０の内部空間側の端面が略一致するような位置に配置されている。ただし、端壁部３１ａのＸ軸方向の位置は特に限定されず、チャンバ１０の内部空間まではみ出してよく、開口部１０ｅ内に収まっていてもよい。なお、チャンバ１０には、ＳＵＳ３０４などによって形成されるシールド板３９が設けられる。シールド板３９は、中心軸線ＣＬを中心とする円環状の板材であり、チャンバ１０の壁部１０ｂのＸ軸方向の正側に固定される。シールド板３９は、開口部１０ｅの内周面と端壁部３１ａの外周側の縁部との間に形成される空間を塞ぐ。 The end wall portion 31a is a circular member arranged at a position corresponding to the opening 10e of the wall portion 10b and extending in a direction orthogonal to the central axis CL. In FIG. 2, in the X-axis direction, the end wall portion 31a and the wall portion 10b are arranged at positions so that the end faces on the internal space side of the chamber 10 substantially coincide with each other. However, the position of the end wall portion 31a in the X-axis direction is not particularly limited, and may extend beyond the internal space of the chamber 10 and may be contained within the opening 10e. The chamber 10 is provided with a shield plate 39 formed of SUS304 or the like. The shield plate 39 is an annular plate material centered on the central axis CL, and is fixed to the positive side of the wall portion 10b of the chamber 10 in the X-axis direction. The shield plate 39 closes the space formed between the inner peripheral surface of the opening 10e and the outer peripheral edge of the end wall portion 31a.

側壁部３１ｂは、端壁部３１ａの外周縁からＸ軸方向の負側へ向かって延びる円筒状の部材である。側壁部３１ｂは、中心軸線ＣＬを中心としてチャンバ１０の外部まで延びる。フランジ部３１ｃは、側壁部３１ｂのＸ軸方向の負側の端部から外周側へ向かって広がる。フランジ部３１ｃは、中心軸線ＣＬを中心として、当該中心軸線ＣＬと直交する方向へ広がる円環状の部材である。 The side wall portion 31b is a cylindrical member extending from the outer peripheral edge of the end wall portion 31a toward the negative side in the X-axis direction. The side wall portion 31b extends to the outside of the chamber 10 about the central axis CL. The flange portion 31c extends from the end on the negative side of the side wall portion 31b in the X-axis direction toward the outer peripheral side. The flange portion 31c is an annular member that extends in a direction orthogonal to the central axis CL with the central axis CL as the center.

陽極３１のフランジ部３１ｃのＸ軸方向の負側の面には、陽極ベース３６が固定される。陽極ベース３６は、中心軸線ＣＬを中心として、当該中心軸線ＣＬと直交する方向へ広がる円板状の部材である。陽極ベース３６は、側壁部３１ｂのＸ軸方向の負側に形成される開口部を塞ぐことができる。これにより、陽極３１には、端壁部３１ａ、側壁部３１ｂ、及び陽極ベース３６によって囲まれる領域に、内部空間が形成される。陽極ベース３６の材料として、ＳＵＳ３０４などの材料が採用される。 The anode base 36 is fixed to the negative side surface of the flange portion 31c of the anode 31 in the X-axis direction. The anode base 36 is a disk-shaped member that extends in a direction orthogonal to the central axis CL with the central axis CL as the center. The anode base 36 can close the opening formed on the negative side of the side wall portion 31b in the X-axis direction. As a result, an internal space is formed in the anode 31 in the region surrounded by the end wall portion 31a, the side wall portion 31b, and the anode base 36. As the material of the anode base 36, a material such as SUS304 is adopted.

陽極３１は、支持部材３４及び絶縁スペーサ３５を介して、壁部１０ｂの外部側の面に固定される。具体的には、壁部１０ｂのＸ軸方向の負側の面には、陽極３１を取り囲む支持部材３４が設けられる。また、支持部材３４のＸ軸方向の負側の面には、陽極３１を取り囲む絶縁スペーサ３５が設けられる。支持部材３４及び絶縁スペーサ３５は、中心軸線ＣＬを中心として、当該中心軸線ＣＬと直交する方向へ広がる円環状の部材である。陽極３１は、フランジ部３１ｃのＸ軸方向の正側の面において、絶縁スペーサ３５のＸ軸方向の負側の面に固定される。これにより、陽極３１は、絶縁スペーサ３５によってチャンバ１０との絶縁性が確保された状態にて、当該チャンバ１０に固定される。なお、絶縁スペーサ３５の材料として、ＰＴＦＥ、その他アルミナセラミックスなどの材料が採用される。 The anode 31 is fixed to the outer surface of the wall portion 10b via the support member 34 and the insulating spacer 35. Specifically, a support member 34 surrounding the anode 31 is provided on the negative side surface of the wall portion 10b in the X-axis direction. Further, an insulating spacer 35 surrounding the anode 31 is provided on the negative side surface of the support member 34 in the X-axis direction. The support member 34 and the insulating spacer 35 are annular members that extend in a direction orthogonal to the central axis CL with the central axis CL as the center. The anode 31 is fixed to the surface of the flange portion 31c on the positive side in the X-axis direction and the surface of the insulating spacer 35 on the negative side in the X-axis direction. As a result, the anode 31 is fixed to the chamber 10 in a state where the insulating property with the chamber 10 is ensured by the insulating spacer 35. As the material of the insulating spacer 35, a material such as PTFE or other alumina ceramics is adopted.

プラズマ誘導部１３では、陽極３１のプラズマ誘導部１３側の表面には、めっき層３７が形成される。ここで、プラズマ誘導部１３側の表面とは、プラズマＰが存在するチャンバ１０の内部空間に面する方の表面である。ここでは、めっき層３７は、端壁部３１ａのＸ軸方向の正側の表面、側壁部３１ｂの外周側の表面に形成されている。なお、フランジ部３１ｃのＸ軸方向の正側の表面のうち、絶縁スペーサ３５で覆われていない部分にも、めっき層３７が形成される。めっき層３７として、イオン化傾向の小さい金めっき、白金めっきなどが採用される。なお、陽極３１のプラズマ誘導部１３と反対側の表面、すなわち陽極３１の内部空間に面する表面には、めっき層が形成されていなくてよい。 In the plasma inductive portion 13, a plating layer 37 is formed on the surface of the anode 31 on the plasma inductive portion 13 side. Here, the surface on the plasma inductive portion 13 side is the surface facing the internal space of the chamber 10 in which the plasma P exists. Here, the plating layer 37 is formed on the surface on the positive side of the end wall portion 31a in the X-axis direction and the surface on the outer peripheral side of the side wall portion 31b. The plating layer 37 is also formed on the surface of the flange portion 31c on the positive side in the X-axis direction, which is not covered with the insulating spacer 35. As the plating layer 37, gold plating, platinum plating, or the like having a low ionization tendency is adopted. The plating layer does not have to be formed on the surface of the anode 31 opposite to the plasma induction portion 13, that is, the surface facing the internal space of the anode 31.

磁石３２は、陽極３１の内部に配置される。磁石３２は、陽極３１の内部空間において、ヨーク３３を介して蓋部材３１ｄに固定される。磁石３２は、中心軸線ＣＬを中心とした円柱状の形状を有する。また、磁石３２のＸ軸方向の正側の端部は、端壁部３１ａからＸ軸方向の負側へ離間するように配置される。磁石３２は、プラズマ生成部１１側（Ｘ軸方向の正側）がＳ極であり、プラズマ生成部１１と反対側（Ｘ軸方向の負側）がＮ極となるように配置される。なお、磁石３２は、外周側において樹脂製のマグネットカバー４４に支持されている。 The magnet 32 is arranged inside the anode 31. The magnet 32 is fixed to the lid member 31d via the yoke 33 in the internal space of the anode 31. The magnet 32 has a columnar shape centered on the central axis CL. Further, the end portion of the magnet 32 on the positive side in the X-axis direction is arranged so as to be separated from the end wall portion 31a on the negative side in the X-axis direction. The magnet 32 is arranged so that the plasma generation unit 11 side (positive side in the X-axis direction) has an S pole and the side opposite to the plasma generation unit 11 (negative side in the X-axis direction) has an N pole. The magnet 32 is supported by a resin magnet cover 44 on the outer peripheral side.

磁石３２のプラズマ生成部１１側の端部３２ａには、磁石３２よりも径が大きい磁性体による蓋部材３８が設けられている。蓋部材３８は、中心軸線ＣＬを中心とする円板状の部材である。蓋部材３８の外周面は、磁石３２の端部３２ａからＸ軸方向の正側へ向かうに従って径が大きくなるように傾斜している。蓋部材３８は、磁石３２の端部３２ａよりも大きい径を有することで、当該端部３２ａよりも広範囲に磁束ＭＬを放射させることができる。これにより、蓋部材３８は、プラズマＰの入射ビームの径を広げることができる。 A lid member 38 made of a magnetic material having a diameter larger than that of the magnet 32 is provided at the end 32a of the magnet 32 on the plasma generation portion 11 side. The lid member 38 is a disk-shaped member centered on the central axis CL. The outer peripheral surface of the lid member 38 is inclined so that the diameter increases from the end 32a of the magnet 32 toward the positive side in the X-axis direction. Since the lid member 38 has a diameter larger than that of the end portion 32a of the magnet 32, the magnetic flux ML can be radiated in a wider range than the end portion 32a. As a result, the lid member 38 can increase the diameter of the incident beam of the plasma P.

ヨーク３３は、磁石３２による磁場分布を調整するための部材である。ヨーク３３は、磁石３２に対してプラズマ生成部１１と反対側、すなわちＸ軸方向の負側に配置される部材である。具体的には、ヨーク３３は、底部４１と、突出部４２と、を備えており、底部４１が、磁石３２に対してＸ軸方向の負側に配置される。底部４１は、陽極３１の内部空間において、陽極ベース３６のＸ軸方向の正側の面に対して固定されている。底部４１は、中心軸線ＣＬを中心として、当該中心軸線ＣＬと直交する方向へ広がる円板状の部材である。底部４１の外周面は、陽極３１の側壁部３１ｂの内周面と径方向に離間して対向するように配置される。また、底部４１のＸ軸方向の正側の面には磁石３２が固定される。 The yoke 33 is a member for adjusting the magnetic field distribution by the magnet 32. The yoke 33 is a member arranged on the side opposite to the plasma generating unit 11 with respect to the magnet 32, that is, on the negative side in the X-axis direction. Specifically, the yoke 33 includes a bottom portion 41 and a protruding portion 42, and the bottom portion 41 is arranged on the negative side in the X-axis direction with respect to the magnet 32. The bottom portion 41 is fixed to the positive side surface of the anode base 36 in the X-axis direction in the internal space of the anode 31. The bottom portion 41 is a disk-shaped member that extends in a direction orthogonal to the central axis CL with the central axis CL as the center. The outer peripheral surface of the bottom portion 41 is arranged so as to face the inner peripheral surface of the side wall portion 31b of the anode 31 so as to be separated in the radial direction. Further, the magnet 32 is fixed to the surface of the bottom portion 41 on the positive side in the X-axis direction.

突出部４２は、磁石３２を囲むように配置されてプラズマ生成部１１側（Ｘ軸方向の正側）へ突出する部材である。突出部４２は、底部４１の外周側の縁部から、Ｘ軸方向の正側へ向かって延びる。突出部４２は、中心軸線ＣＬを中心とする円筒状の形状を有しており、磁石３２の側面と径方向において互いに離間して対向するように配置され、側壁部３１ｂの内周面と径方向において互いに離間して対向するように配置される。突出部４２のＸ軸方向の正側の端部は、Ｘ軸方向において、端壁部３１ａから負側へ離間して対向するように配置される。 The projecting portion 42 is a member arranged so as to surround the magnet 32 and projecting toward the plasma generating portion 11 side (positive side in the X-axis direction). The protrusion 42 extends from the outer peripheral edge of the bottom 41 toward the positive side in the X-axis direction. The protruding portion 42 has a cylindrical shape centered on the central axis CL, is arranged so as to face the side surface of the magnet 32 so as to be separated from each other in the radial direction, and has a diameter with the inner peripheral surface of the side wall portion 31b. They are arranged so as to be separated from each other in the direction and face each other. The positive end of the protruding portion 42 in the X-axis direction is arranged so as to face the end wall portion 31a on the negative side in the X-axis direction.

突出部４２の突出量、すなわち突出部４２のＸ軸方向の正側の端部は、チャンバ１０の内部空間への磁場分布、及びチャンバ１０の外部への漏れ磁場を調整するように、適宜設定すればよい。例えば、突出部４２を設けなかった場合のチャンバ１０内への磁場分布を「中」とし、チャンバ１０の外部への漏れ磁場を「大」とする。また、磁束ＭＬが放射される面（すなわち、蓋部材３８のＸ軸方向の正側の面）の底部４１に対する高さを「Ｌ」とする。このとき、突出部４２の高さを０．５Ｌ〜０．８Ｌ程度の範囲に設定すると、チャンバ１０内への磁場分布を「大」とし、チャンバ１０の外部への漏れ磁場を「小」とすることができる。勿論、突出部４２の突出量は当該範囲に限定されない。例えば、突出部４２の高さを上記範囲より大きくしてＬ程度の高さに設定すると、チャンバ１０内への磁場分布を「小」はとなるが、チャンバ１０の外部への漏れ磁場を「小」とすることができる。突出部４２の高さは上記範囲より小さくてよい。 The amount of protrusion of the protrusion 42, that is, the positive end of the protrusion 42 in the X-axis direction, is appropriately set so as to adjust the magnetic field distribution in the internal space of the chamber 10 and the leakage magnetic field to the outside of the chamber 10. do it. For example, the magnetic field distribution in the chamber 10 when the protrusion 42 is not provided is set to "medium", and the magnetic field leakage to the outside of the chamber 10 is set to "large". Further, the height of the surface on which the magnetic flux ML is radiated (that is, the surface of the lid member 38 on the positive side in the X-axis direction) with respect to the bottom portion 41 is defined as “L”. At this time, when the height of the protruding portion 42 is set in the range of about 0.5 L to 0.8 L, the magnetic field distribution in the chamber 10 is set to "large" and the magnetic field leakage to the outside of the chamber 10 is set to "small". can do. Of course, the amount of protrusion of the protrusion 42 is not limited to this range. For example, if the height of the protruding portion 42 is set to a height of about L by making it larger than the above range, the magnetic field distribution in the chamber 10 becomes "small", but the leakage magnetic field to the outside of the chamber 10 becomes "small". It can be "small". The height of the protrusion 42 may be smaller than the above range.

なお、陽極３１の内部空間で、冷却水が循環する。陽極ベース３６には、冷却水の流路４６ａ，４６ｂが形成される。冷却水は流路４６ａから供給されて、流路４６ｂから排出される。また、支持部材３４には、ガス供給部１２（図１参照）からのガスを通過させるガス供給口２１が形成される。 Cooling water circulates in the internal space of the anode 31. Cooling water channels 46a and 46b are formed in the anode base 36. The cooling water is supplied from the flow path 46a and discharged from the flow path 46b. Further, the support member 34 is formed with a gas supply port 21 through which the gas from the gas supply unit 12 (see FIG. 1) passes.

次に、本実施形態に係る負イオン生成装置１の作用・効果について説明する。 Next, the action / effect of the negative ion generator 1 according to the present embodiment will be described.

まず、比較例に係る負イオン生成装置について説明する。比較例に係る負イオン生成装置として、イオンプレーティング式の成膜装置の構成を負イオン生成装置として機能させたものが挙げられる。この場合、成膜装置における主ハース（銅部材）に成膜材料の代わりに耐熱材料であるタングステンの材料を配置して、プラズマを生成することで負イオンを生成する。当該装置において、例えば酸素負イオンの照射を行った場合、酸化力の強い酸素負イオンが、正電位である陽極としてのタングステン、主ハース及び輪ハースに引き込まれ、これらの部材が酸化して絶縁化する場合がある。このような酸化が生じると、放電が不安定となる。また、タングステンの酸化物は昇華しやすいため、冷却が十分で無いことにより昇華温度まで達すると、昇華したタングステン酸化物が、負イオン照射の対象物の中に不純物として入る可能性がある。また、成膜装置では、昇華した成膜材料がプラズマガン側に飛来することを防止するため、プラズマを９０°曲げているが、負イオン照射の際には当該機能は必要なく、放電効率を向上することが求められる。また、陽極には、効率よくビームを導くために磁石が用いられるが、チャンバの外部への漏れ磁場が大きくなる場合もある。 First, a negative ion generator according to a comparative example will be described. Examples of the negative ion generator according to the comparative example include one in which the configuration of the ion plating type film forming apparatus functions as a negative ion generator. In this case, a tungsten material, which is a heat-resistant material, is placed on the main hearth (copper member) of the film forming apparatus instead of the film forming material, and negative ions are generated by generating plasma. In the apparatus, for example, when oxygen negative ions are irradiated, oxygen negative ions having strong oxidizing power are drawn into tungsten as an anode having a positive potential, main hearth and ring hearth, and these members are oxidized and insulated. It may become. When such oxidation occurs, the discharge becomes unstable. Further, since the tungsten oxide is easily sublimated, when the sublimation temperature is reached due to insufficient cooling, the sublimated tungsten oxide may enter the object to be irradiated with negative ions as an impurity. Further, in the film forming apparatus, the plasma is bent by 90 ° in order to prevent the sublimated film forming material from flying to the plasma gun side, but this function is not necessary when irradiating negative ions, and the discharge efficiency is improved. It is required to improve. Further, although a magnet is used for the anode to guide the beam efficiently, the magnetic leakage magnetic field to the outside of the chamber may become large.

これらに対し、本実施形態に係る負イオン生成装置１では、ガス供給部１２が負イオンの原料となるガスをチャンバ１０内に供給する。そして、プラズマ生成部１１は、チャンバ１０内にプラズマＰを生成し、プラズマ誘導部１３が当該プラズマＰを導く。これにより、チャンバ１０内でプラズマＰが広がる。プラズマ生成部１１がプラズマＰの生成を停止すると、チャンバ１０内では負イオンが生成される。ここで、プラズマ誘導部１３では、陽極３１の内部に磁石３２が配置されている。従って、磁石３２は、陽極３１によってチャンバ１０内の負イオンから保護される。また、陽極３１のプラズマ生成部１１側の表面には、めっき層３７が形成される。従って、陽極３１は、めっき層３７によってチャンバ１０内の負イオンから保護される。以上より、プラズマＰを導くプラズマ誘導部１３を構成する部材を保護することができる。 On the other hand, in the negative ion generation device 1 according to the present embodiment, the gas supply unit 12 supplies gas as a raw material for negative ions into the chamber 10. Then, the plasma generation unit 11 generates the plasma P in the chamber 10, and the plasma induction unit 13 guides the plasma P. As a result, the plasma P spreads in the chamber 10. When the plasma generation unit 11 stops the generation of plasma P, negative ions are generated in the chamber 10. Here, in the plasma induction unit 13, the magnet 32 is arranged inside the anode 31. Therefore, the magnet 32 is protected from negative ions in the chamber 10 by the anode 31. Further, a plating layer 37 is formed on the surface of the anode 31 on the plasma generation portion 11 side. Therefore, the anode 31 is protected from negative ions in the chamber 10 by the plating layer 37. From the above, it is possible to protect the members constituting the plasma inductive portion 13 that guides the plasma P.

なお、プラズマ誘導部１３は、プラズマガン７とＸ軸方向に対向する位置に設けられているため、プラズマガン７から出射されたプラズマＰは、チャンバ１０内で真っ直ぐに延びることができる。これにより、放電効率を向上することができる。 Since the plasma induction unit 13 is provided at a position facing the plasma gun 7 in the X-axis direction, the plasma P emitted from the plasma gun 7 can extend straight in the chamber 10. Thereby, the discharge efficiency can be improved.

プラズマ誘導部１３は、磁石３２に対してプラズマ生成部１１と反対側に配置されるヨーク３３を有し、ヨーク３３は磁石３２を囲むように配置されてプラズマ生成部１１側へ突出する突出部４２を有する。この場合、ヨーク３３の突出部４２が磁石３２による磁場をコントロールすることができるため、チャンバ１０の外部への漏れ磁場を抑制することができる。 The plasma induction unit 13 has a yoke 33 arranged on the opposite side of the magnet 32 from the plasma generation unit 11, and the yoke 33 is arranged so as to surround the magnet 32 and protrudes toward the plasma generation unit 11. It has 42. In this case, since the protruding portion 42 of the yoke 33 can control the magnetic field due to the magnet 32, the leakage magnetic field to the outside of the chamber 10 can be suppressed.

磁石３２のプラズマ生成部１１側の端部３２ａには、磁石３２よりも径が大きい磁性体による蓋部材３８が設けられている。この場合、蓋部材３８が、磁石３２からの磁束ＭＬを広い範囲に放射させることができる。これにより、プラズマＰの入射ビームの径を広げることができ、ビーム集中による陽極３１の過熱を抑制できる。 A lid member 38 made of a magnetic material having a diameter larger than that of the magnet 32 is provided at the end 32a of the magnet 32 on the plasma generation portion 11 side. In this case, the lid member 38 can radiate the magnetic flux ML from the magnet 32 over a wide range. As a result, the diameter of the incident beam of the plasma P can be widened, and overheating of the anode 31 due to beam concentration can be suppressed.

本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、プラズマ誘導部の構成は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更してもよい。例えば、プラズマ誘導部は、必ずしもプラズマ生成部１１と水平をなすように対向する位置に配置されていなくともよく、水平からずれた位置に配置されてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the configuration of the plasma induction unit may be appropriately changed as long as the gist of the present invention is not deviated. For example, the plasma inductive unit does not necessarily have to be arranged at a position facing the plasma generating unit 11 so as to be horizontal, and may be arranged at a position deviated from the horizontal.

また、ヨークの突出部や磁石の蓋部材は、適宜省略されてもよい。その他、陽極の固定のための構造も、適宜変更されてよい。 Further, the protruding portion of the yoke and the lid member of the magnet may be omitted as appropriate. In addition, the structure for fixing the anode may be changed as appropriate.

１…負イオン生成装置、１０…チャンバ、１１…プラズマ生成部、１２…ガス供給部、１３…プラズマ誘導部、３１…陽極、３２…磁石、３３…ヨーク、３７…めっき層、４２…突出部。 1 ... Negative ion generator, 10 ... Chamber, 11 ... Plasma generation part, 12 ... Gas supply part, 13 ... Plasma induction part, 31 ... Anode, 32 ... Magnet, 33 ... Yoke, 37 ... Plating layer, 42 ... Protruding part ..

Claims (3)

負イオンを生成する負イオン生成装置であって、
内部で前記負イオンの生成が行われるチャンバと、
前記負イオンの原料となるガスを前記チャンバに供給するガス供給部と、
前記チャンバ内において、プラズマを生成するプラズマ生成部と、
陽極及び磁石を有し、前記プラズマを導くプラズマ誘導部と、を備え、
前記プラズマ誘導部では、
前記陽極の内部に前記磁石が配置され、前記陽極の前記プラズマ生成部側の表面には、めっき層が形成される、負イオン生成装置。 A negative ion generator that generates negative ions.
A chamber in which the negative ions are generated inside,
A gas supply unit that supplies gas as a raw material for the negative ions to the chamber,
In the chamber, a plasma generating unit that generates plasma and
It has an anode and a magnet, and includes a plasma inductive portion that guides the plasma.
In the plasma induction unit,
A negative ion generator in which the magnet is arranged inside the anode and a plating layer is formed on the surface of the anode on the plasma generating portion side. 前記プラズマ誘導部は、前記磁石に対して前記プラズマ生成部と反対側に配置されるヨークを有し、前記ヨークは前記磁石を囲むように配置されて前記プラズマ生成部側へ突出する突出部を有する、請求項１に記載の負イオン生成装置。 The plasma inductive portion has a yoke arranged on the side opposite to the plasma generating portion with respect to the magnet, and the yoke is arranged so as to surround the magnet and has a protruding portion protruding toward the plasma generating portion. The negative ion generating apparatus according to claim 1. 前記磁石の前記プラズマ生成部側の端部には、前記プラズマ生成部側から見て前記磁石よりも大きい磁性体による蓋部材が設けられている、請求項１または２に記載の負イオン生成装置。 The negative ion generating apparatus according to claim 1 or 2, wherein a lid member made of a magnetic material larger than the magnet when viewed from the plasma generating portion side is provided at an end portion of the magnet on the plasma generating portion side. ..
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