JPH0762601B2 - 表面計測装置 - Google Patents
表面計測装置Info
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- JPH0762601B2 JPH0762601B2 JP6563786A JP6563786A JPH0762601B2 JP H0762601 B2 JPH0762601 B2 JP H0762601B2 JP 6563786 A JP6563786 A JP 6563786A JP 6563786 A JP6563786 A JP 6563786A JP H0762601 B2 JPH0762601 B2 JP H0762601B2
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- Japan
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- sample
- needle
- magnetic field
- vacuum
- pointed
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体表面の計測装置に係り、特に、表面の微
細構造などの三次元の計測ならびに表面電位を測定する
のに好適な表面計測装置に関する。
細構造などの三次元の計測ならびに表面電位を測定する
のに好適な表面計測装置に関する。
走査型トンネル顕微鏡（Scanning Tunneling Microscop
y;以下STMと省略）なる測定装置がある。（例えばジー
・ビニングらによるフイジカル レビユー レター（Ph
ys.Rev.Lett）49 No.1 pp57〜61（1982）。第５図に
その概念を表す略図を示す。タングステンからなる尖針
１の微小な曲率半径（〜100Å）の突起と試料２の間隔
を10Å程度という微小な大きさに保つとき、尖針１と試
料２の間に電源５から数Ｖ以下の電圧をかけることによ
つて、尖針１という金属および試料２という金属の間に
は、真空という媒質をトンネル現象によつて電子が流れ
る。
y;以下STMと省略）なる測定装置がある。（例えばジー
・ビニングらによるフイジカル レビユー レター（Ph
ys.Rev.Lett）49 No.1 pp57〜61（1982）。第５図に
その概念を表す略図を示す。タングステンからなる尖針
１の微小な曲率半径（〜100Å）の突起と試料２の間隔
を10Å程度という微小な大きさに保つとき、尖針１と試
料２の間に電源５から数Ｖ以下の電圧をかけることによ
つて、尖針１という金属および試料２という金属の間に
は、真空という媒質をトンネル現象によつて電子が流れ
る。
試料２を圧電素子からなる試料走査装置４によつて移動
するとき、トンネル電流を検出器６および増幅器７で検
出増幅し試料２の表面の微細な凹凸に対応してトンネル
電流が一定になるように尖針１を圧電素子からなる尖針
駆動装置３によつて上下させる。このとき、例えば尖針
駆動装置３を駆動させる電圧は、試料表面の凹凸の信号
を増幅したものであり、Ｘ−Ｙレコーダー等でＹ軸に上
記電圧信号、Ｘ軸に試料微動量を表示することによつて
試料表面上のある直線部分での表面形状を得ることがで
きる。さらに上記を二次元の領域で走査することによつ
て試料表面の該当する領域での形状を得ることができ
る。
するとき、トンネル電流を検出器６および増幅器７で検
出増幅し試料２の表面の微細な凹凸に対応してトンネル
電流が一定になるように尖針１を圧電素子からなる尖針
駆動装置３によつて上下させる。このとき、例えば尖針
駆動装置３を駆動させる電圧は、試料表面の凹凸の信号
を増幅したものであり、Ｘ−Ｙレコーダー等でＹ軸に上
記電圧信号、Ｘ軸に試料微動量を表示することによつて
試料表面上のある直線部分での表面形状を得ることがで
きる。さらに上記を二次元の領域で走査することによつ
て試料表面の該当する領域での形状を得ることができ
る。
一方、上記STMの原型とみなされるトポグラフアイナー
（Topografiner）と称される装置が文献３に示されてい
る。上記STMが真空トンネル領域であるのに対して、こ
の装置では、振動対策の困難さ故に上記STMにおける金
属尖針１と試料２間の間隔10Åが達成できず、100〜100
0Åとなつたために、電界放出領域であり、尖針１が陰
極となり、電界放出させたトンネル電子を陽極たる試料
２に入射させている。
（Topografiner）と称される装置が文献３に示されてい
る。上記STMが真空トンネル領域であるのに対して、こ
の装置では、振動対策の困難さ故に上記STMにおける金
属尖針１と試料２間の間隔10Åが達成できず、100〜100
0Åとなつたために、電界放出領域であり、尖針１が陰
極となり、電界放出させたトンネル電子を陽極たる試料
２に入射させている。
すなわち、STMでは尖針１と試料２間の真空ギヤツプが3
0Å以下の場合であり、尖針１と試料２に印加する電圧
の極性によらないで行われるのに対して、トポグラフア
イナーでは、上記真空ギヤツプが100〜1000Å程度であ
り、尖針１には必ず負の極性を印加するようにすなわち
尖針１を陰極として行われる。試料走査装置および走査
像のとり方に関してはSTMと同等である。
0Å以下の場合であり、尖針１と試料２に印加する電圧
の極性によらないで行われるのに対して、トポグラフア
イナーでは、上記真空ギヤツプが100〜1000Å程度であ
り、尖針１には必ず負の極性を印加するようにすなわち
尖針１を陰極として行われる。試料走査装置および走査
像のとり方に関してはSTMと同等である。
分解能に関しては、STMおよびトポグラフアイナーとも
に、試料表面に垂直な方向では１と２間の真空ギヤツプ
の1/100程度、試料表面内の二次元では真空ギヤツプと
同程度の値がそれぞれ大よその限界と考えられている。
すなわち、上記の従来技術では分解能を支配するものは
尖針１と試料２間の真空ギヤツプであり、分解能を向上
させようとすれば、〜10Åという微小ギヤツプにしなけ
ればならないし、逆に〜1000Åという比較的大きいギヤ
ツプにすると、分解能の低下を余儀なくされた。
に、試料表面に垂直な方向では１と２間の真空ギヤツプ
の1/100程度、試料表面内の二次元では真空ギヤツプと
同程度の値がそれぞれ大よその限界と考えられている。
すなわち、上記の従来技術では分解能を支配するものは
尖針１と試料２間の真空ギヤツプであり、分解能を向上
させようとすれば、〜10Åという微小ギヤツプにしなけ
ればならないし、逆に〜1000Åという比較的大きいギヤ
ツプにすると、分解能の低下を余儀なくされた。
一方、実用上計測しようとする試料の表面の凹凸は、
10Åオーダーであることは少なく、当然のことながら10
0〜1000Åにおよぶ場合が多数である。これらの表面を
例えばSTMで計測することは以下の理由によつて殆ど不
可能である。すなわち、STMにおける試料表面に垂直な
（Ｚ）方向での大よその分解能は〜1/10Åであることを
述べたが、それは、Ｚ方向で1/10Å以下の安定性をもつ
て圧電素子を制御しているためである。その制御を満足
させるためには、尖針駆動装置３の駆動範囲を数10Å以
内にしなければならない。したがつて、試料の走査によ
つて試料表面にある〜1000Åの段差に尖針駆動装置３が
追従して、なおかつ、1/10Åの分解能をもつことは非常
に困難である。
10Åオーダーであることは少なく、当然のことながら10
0〜1000Åにおよぶ場合が多数である。これらの表面を
例えばSTMで計測することは以下の理由によつて殆ど不
可能である。すなわち、STMにおける試料表面に垂直な
（Ｚ）方向での大よその分解能は〜1/10Åであることを
述べたが、それは、Ｚ方向で1/10Å以下の安定性をもつ
て圧電素子を制御しているためである。その制御を満足
させるためには、尖針駆動装置３の駆動範囲を数10Å以
内にしなければならない。したがつて、試料の走査によ
つて試料表面にある〜1000Åの段差に尖針駆動装置３が
追従して、なおかつ、1/10Åの分解能をもつことは非常
に困難である。
上記で詳細に説明したように、従来技術では、尖針と試
料間の真空ギヤツプを大きくすると（トポグラフアイナ
ー）、分解能が悪くなり、分解能を向上させるためには
真空ギヤツプを小さくする（STM）しかなかつた。
料間の真空ギヤツプを大きくすると（トポグラフアイナ
ー）、分解能が悪くなり、分解能を向上させるためには
真空ギヤツプを小さくする（STM）しかなかつた。
本発明の目的は、実用上の観点から大きい真空ギヤツプ
に対して分解能を向上させる手段を提供することにあ
る。
に対して分解能を向上させる手段を提供することにあ
る。
上記真空ギヤツプを大きくすることは、既に述べたよう
にトンネル現象の形態としては、尖針からの電界放出電
子を用いることになる。
にトンネル現象の形態としては、尖針からの電界放出電
子を用いることになる。
第６図の略図に示すように、電界放出用尖針１から陽極
たる試料２に放出される放射角αは、尖針の金属の種
類、尖針の先端形状等に依存するが、一般に1rad程度で
ある。したがつて、尖針１と試料２間の真空ギヤツプｄ
と、試料２における放射電子（電流）分布の広がりD
0は、大よそ等しい。ｄとして１μｍのギヤツプを定め
るとＤ〜１μｍであり、前記トポグラフアイナーの例で
述べたように試料表面上の分解能としては、〜１μｍし
か得られない。
たる試料２に放出される放射角αは、尖針の金属の種
類、尖針の先端形状等に依存するが、一般に1rad程度で
ある。したがつて、尖針１と試料２間の真空ギヤツプｄ
と、試料２における放射電子（電流）分布の広がりD
0は、大よそ等しい。ｄとして１μｍのギヤツプを定め
るとＤ〜１μｍであり、前記トポグラフアイナーの例で
述べたように試料表面上の分解能としては、〜１μｍし
か得られない。
そこで、D0を小さくする方法として何らかの電子に対す
るレンズ作用を応用して、尖針１から〜1rad程度に広が
つて放射された電子を集束させることが考えられる。こ
の場合、尖針１と試料２間の真空ギヤツプの近傍には電
場を乱すようなどんな電極があつてもならないから電子
レンズとして静電型レンズは不適当であり、磁界型レン
ズを用いなけれなならない。また通常の電子光学系では
電子ビームの光路の最もレンズ作用を必要とする領域で
強い磁界がかけられるが、上記静電レンズに対するのと
同様の理由および、〜１μｍという微小ギヤツプから従
来用いられているような磁極の構成は不可能である。
るレンズ作用を応用して、尖針１から〜1rad程度に広が
つて放射された電子を集束させることが考えられる。こ
の場合、尖針１と試料２間の真空ギヤツプの近傍には電
場を乱すようなどんな電極があつてもならないから電子
レンズとして静電型レンズは不適当であり、磁界型レン
ズを用いなけれなならない。また通常の電子光学系では
電子ビームの光路の最もレンズ作用を必要とする領域で
強い磁界がかけられるが、上記静電レンズに対するのと
同様の理由および、〜１μｍという微小ギヤツプから従
来用いられているような磁極の構成は不可能である。
第１図は、本発明の原理を示す図で、尖針１の外周空間
に導線で作るコイル８を設け、直流の電流を通ずること
により尖針の軸方向に平行な磁界を発生させる。試料２
に対して尖針１に負の適当な電圧を印加することにより
尖針１から電界放出電子を放射させる。コイル８に通電
しないときの放射領域D0に対し、通電したときの領域は
D1と小さくなる。この場合、１〜２間の真空ギヤツプへ
の電界の影響を小さくするため、コイル８の下端は尖針
１よりも真空ギヤツプ側にあつてはならない。Ｄの大き
さとしては、尖針先端の曲率半径が〜50ÅのときD0すな
わち真空ギヤツプの〜1/10程度が得られる。
に導線で作るコイル８を設け、直流の電流を通ずること
により尖針の軸方向に平行な磁界を発生させる。試料２
に対して尖針１に負の適当な電圧を印加することにより
尖針１から電界放出電子を放射させる。コイル８に通電
しないときの放射領域D0に対し、通電したときの領域は
D1と小さくなる。この場合、１〜２間の真空ギヤツプへ
の電界の影響を小さくするため、コイル８の下端は尖針
１よりも真空ギヤツプ側にあつてはならない。Ｄの大き
さとしては、尖針先端の曲率半径が〜50ÅのときD0すな
わち真空ギヤツプの〜1/10程度が得られる。
本発明における磁界の集束作用について以下に詳しく説
明する。一般に磁場中を運動する電子はローレンツカに
よつて磁束に巻き付くように運動し、その回転半径Ｒ
は、 で表される。ここでＢは磁束密度。したがつて電子のエ
ネルギーが一定であれば磁束密度が大きい程小さい回転
半径をもつ。例として第２図に示すように、先端の曲率
半径（ｒ）として大きい500Å程度の尖針１が陽極と１
μｍ程度の真空ギヤツプで対向していて、100Vの電圧で
電子が引き出されるとき、尖針の先端のほぼ半球面から
放出された電子は、初速から数Ｖないし数10V程度に加
速される領域で磁場による影響を強くうけて磁束と平行
方向に進行方向を変える。その後、磁束密度の低下と電
子の運動エネルギーの増大によつて再び広がる。（実際
には、電子は回転しながら進むが、図ではＺ座標でもつ
電子の動径でのみ示してある。）この集束作用による集
束の形態は、尖針の曲率半径，磁束密度，電界放射電圧
および真空ギヤツプのそれぞれの値によつて異なるが、
試料面上での広がりD1は、尖針の先端部直径の２倍程度
すなわち上記例で2000Å程度にすることができる。
明する。一般に磁場中を運動する電子はローレンツカに
よつて磁束に巻き付くように運動し、その回転半径Ｒ
は、 で表される。ここでＢは磁束密度。したがつて電子のエ
ネルギーが一定であれば磁束密度が大きい程小さい回転
半径をもつ。例として第２図に示すように、先端の曲率
半径（ｒ）として大きい500Å程度の尖針１が陽極と１
μｍ程度の真空ギヤツプで対向していて、100Vの電圧で
電子が引き出されるとき、尖針の先端のほぼ半球面から
放出された電子は、初速から数Ｖないし数10V程度に加
速される領域で磁場による影響を強くうけて磁束と平行
方向に進行方向を変える。その後、磁束密度の低下と電
子の運動エネルギーの増大によつて再び広がる。（実際
には、電子は回転しながら進むが、図ではＺ座標でもつ
電子の動径でのみ示してある。）この集束作用による集
束の形態は、尖針の曲率半径，磁束密度，電界放射電圧
および真空ギヤツプのそれぞれの値によつて異なるが、
試料面上での広がりD1は、尖針の先端部直径の２倍程度
すなわち上記例で2000Å程度にすることができる。
この集束作用を強めるためには、試料に近づく程加速さ
れる電子のエネルギーに合せて磁束密度を大きくするこ
とである。すなわち、第３図に示すように試料２の近傍
で磁束を集中させることによつて試料２上での広がりD2
としてさらに小さな値とすることができる。第２図と同
様の配置で、D2として50Å近傍まで集束することができ
る。すなわち、尖針の先端部曲率半径（ｒ）が〜50Åで
あるとき、D2として〜10Åが得られる。この値は、真空
ギヤツプを１μｍ程度にしてもSTMと同様の分解能が得
られることを示している。
れる電子のエネルギーに合せて磁束密度を大きくするこ
とである。すなわち、第３図に示すように試料２の近傍
で磁束を集中させることによつて試料２上での広がりD2
としてさらに小さな値とすることができる。第２図と同
様の配置で、D2として50Å近傍まで集束することができ
る。すなわち、尖針の先端部曲率半径（ｒ）が〜50Åで
あるとき、D2として〜10Åが得られる。この値は、真空
ギヤツプを１μｍ程度にしてもSTMと同様の分解能が得
られることを示している。
以下、本発明の一実施例を第４図により説明する。円柱
状の永久磁石10の中心部に尖針１の支持棒９を設け、こ
の支持棒９および永久磁石10は、圧電素子からなる尖針
駆動装置３と結合させる。非磁性体からなる試料台13
は、尖針１と垂直をなすように尖針駆動装置３と結合す
る（図中省略）。試料２は試料台13状に固定し尖針１と
１μｍ程度の真空ギヤツプを保つようにする。試料台13
の尖針に対向する位置の試料２と接する側で円錐形をな
し、反対側で円柱状のパーマロイなどの強磁性体からな
る磁極11および円柱状部分の外周に絶縁被覆導線からな
るコイル12を配置し、直流電源（図示せず）からコイル
12に通電して磁極11の作る磁界が試料２の表面に垂直な
方向となるようにする。この場合、永久磁石10の作る尖
針側の磁極と、磁極11の円錐状先端部の磁極は互に反対
極性となるようにコイル12に通電する。
状の永久磁石10の中心部に尖針１の支持棒９を設け、こ
の支持棒９および永久磁石10は、圧電素子からなる尖針
駆動装置３と結合させる。非磁性体からなる試料台13
は、尖針１と垂直をなすように尖針駆動装置３と結合す
る（図中省略）。試料２は試料台13状に固定し尖針１と
１μｍ程度の真空ギヤツプを保つようにする。試料台13
の尖針に対向する位置の試料２と接する側で円錐形をな
し、反対側で円柱状のパーマロイなどの強磁性体からな
る磁極11および円柱状部分の外周に絶縁被覆導線からな
るコイル12を配置し、直流電源（図示せず）からコイル
12に通電して磁極11の作る磁界が試料２の表面に垂直な
方向となるようにする。この場合、永久磁石10の作る尖
針側の磁極と、磁極11の円錐状先端部の磁極は互に反対
極性となるようにコイル12に通電する。
本実施例において、電源５から尖針１および試料２の間
に電圧を印加（尖針側に負）して電界出電子を放射させ
るとき、その集束作用は第３図で説明したようになる。
すなわち、永久磁石10からの磁束は、電磁石たる磁極11
の円錐状部分の先端に集中するため、試料表面２に入射
する電子は、試料表面に近づくほど強い集束作用をうけ
る。尖針１と試料２間の真空ギヤツプおよび試料２の厚
さが異なる場合、試料表面上で集束電子の径が最も小さ
くなるように電源によつてコイル12への通電電流値を制
御する。尚磁極11の円錐状部分の先端での磁束密度が飽
和することがあるので、磁極11はできるだけ飽和磁束密
度の高い物質を選択する方が良い。なお、試料走査装置
については従来と同様であるので省略する。
に電圧を印加（尖針側に負）して電界出電子を放射させ
るとき、その集束作用は第３図で説明したようになる。
すなわち、永久磁石10からの磁束は、電磁石たる磁極11
の円錐状部分の先端に集中するため、試料表面２に入射
する電子は、試料表面に近づくほど強い集束作用をうけ
る。尖針１と試料２間の真空ギヤツプおよび試料２の厚
さが異なる場合、試料表面上で集束電子の径が最も小さ
くなるように電源によつてコイル12への通電電流値を制
御する。尚磁極11の円錐状部分の先端での磁束密度が飽
和することがあるので、磁極11はできるだけ飽和磁束密
度の高い物質を選択する方が良い。なお、試料走査装置
については従来と同様であるので省略する。
本実施例で、先端の曲率半径50Åの尖針を用いて、尖針
１と試料２間の真空ギヤツプを１μｍ程度に設定したと
き、試料面内の分解能として前記の如くおよそ10Åが得
られる。試料面に垂直な方向の分解能としては、ほぼ同
じ10Å程度である。
１と試料２間の真空ギヤツプを１μｍ程度に設定したと
き、試料面内の分解能として前記の如くおよそ10Åが得
られる。試料面に垂直な方向の分解能としては、ほぼ同
じ10Å程度である。
本実施例を用いて、従来のSTMと同様の表面形状観察，
表面電位測定が可能であり、真空ギヤツプが大きいだけ
実用性が高い。
表面電位測定が可能であり、真空ギヤツプが大きいだけ
実用性が高い。
以上、詳述したように本発明によれば、真空ギヤツプを
１μｍ程度の大きい間隔に保つても、試料面内での分解
能を真空ギヤツプの1/10〜1/100とすることができ、従
来のSTMで10Å程度の真空ギヤツプに保たなければ実現
できなかつた分解能を得ることができる。
１μｍ程度の大きい間隔に保つても、試料面内での分解
能を真空ギヤツプの1/10〜1/100とすることができ、従
来のSTMで10Å程度の真空ギヤツプに保たなければ実現
できなかつた分解能を得ることができる。
また真空ギヤツプを１μｍという大きい間隔に保てると
いうことは、尖針駆動装置の駆動範囲を、例えば0.1〜
１μｍという大きい値に予め設定することができ、その
ため実用上、試料表面の凹凸，段差等の観察が容易とな
り、対象とする試料の種類が拡大される。
いうことは、尖針駆動装置の駆動範囲を、例えば0.1〜
１μｍという大きい値に予め設定することができ、その
ため実用上、試料表面の凹凸，段差等の観察が容易とな
り、対象とする試料の種類が拡大される。
第１図は、本発明の原理を示す概念図、第２図および第
３図は本発明の作用を説明するための概念図、第４図は
本発明の一実施例を示す縦断面図、第５図は従来例の原
理を示す概念図、第６図は電界放出電子の放射角分布を
説明する説明図。 １……尖針、２……試料、３……尖針駆動装置、５……
電源、６……検出器、７……増幅器、８……コイル、９
……支持棒、10……永久磁石、11……磁極、12……コイ
ル。
３図は本発明の作用を説明するための概念図、第４図は
本発明の一実施例を示す縦断面図、第５図は従来例の原
理を示す概念図、第６図は電界放出電子の放射角分布を
説明する説明図。 １……尖針、２……試料、３……尖針駆動装置、５……
電源、６……検出器、７……増幅器、８……コイル、９
……支持棒、10……永久磁石、11……磁極、12……コイ
ル。
Claims (4)
- 【請求項１】尖針と、上記尖針に対向して配置された試
料と、上記尖針を試料上で走査する手段と、上記尖針の
軸方向に磁界を発生する手段と、上記尖針から試料に放
出される電子流を検出する手段とからなる表面計測装置
において、上記尖針の軸方向に平行磁界を発生し、磁界
を発生するコイルの下端が上記尖針の先端より内部にあ
ることを特徴とする表面計測装置。 - 【請求項２】試料内部に上記尖針の位置に対向する位置
に試料表面に垂直な方向に磁界を発生する手段を付加し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の表面
計測装置。 - 【請求項３】上記磁界を発生する手段が、パーマロイか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項および第
２項いずれか記載の表面計測装置。 - 【請求項４】上記磁界を発生する手段の磁界が、上記尖
針の軸方向に設けられた磁界とは反対の極性になること
を特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項いずれか
記載の表面計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6563786A JPH0762601B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 表面計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6563786A JPH0762601B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 表面計測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62223602A JPS62223602A (ja) | 1987-10-01 |
| JPH0762601B2 true JPH0762601B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=13292737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6563786A Expired - Lifetime JPH0762601B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 表面計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762601B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0161604U (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | ||
| JPH01127903A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-19 | Jeol Ltd | 試料移動機構を備えた走査トンネル顕微鏡 |
| JP2590146B2 (ja) * | 1987-11-16 | 1997-03-12 | 株式会社日立製作所 | イオン加工装置 |
| JP2610953B2 (ja) * | 1988-08-11 | 1997-05-14 | 株式会社日立製作所 | 微小距離測定方法および装置 |
| JP2547440B2 (ja) * | 1988-09-28 | 1996-10-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッドスライダ浮上量測定装置 |
| JP2700696B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-01-21 | 花王株式会社 | 表面形状の測定方法および装置 |
-
1986
- 1986-03-26 JP JP6563786A patent/JPH0762601B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62223602A (ja) | 1987-10-01 |
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