JPH0751800Y2 - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPH0751800Y2 JPH0751800Y2 JP1988122049U JP12204988U JPH0751800Y2 JP H0751800 Y2 JPH0751800 Y2 JP H0751800Y2 JP 1988122049 U JP1988122049 U JP 1988122049U JP 12204988 U JP12204988 U JP 12204988U JP H0751800 Y2 JPH0751800 Y2 JP H0751800Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- resin
- conversion chip
- chip
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この考案は、ホトダイオードや発光ダイオード等の光電
変換素子に関する。
変換素子に関する。
（ロ）従来の技術 光電変換素子には、発光ダイオードなどの発光素子、及
びホトトランジスタ、ホトダイオード等の受光素子が含
まれている。従来の光電変換素子、例えばホトダイオー
ドは、第４図に示すものが知られている。16は、金属製
のケースで、その内部にホトダイオードチップ14が収納
されている。金属製ケース16の開口部16aには、レンズ1
7が取付けられており、外部よりの光はこのレンズに集
光されて、チップ14に入射する。チップ14の受光信号
は、リード12、13によりケース外部に導き出される。
びホトトランジスタ、ホトダイオード等の受光素子が含
まれている。従来の光電変換素子、例えばホトダイオー
ドは、第４図に示すものが知られている。16は、金属製
のケースで、その内部にホトダイオードチップ14が収納
されている。金属製ケース16の開口部16aには、レンズ1
7が取付けられており、外部よりの光はこのレンズに集
光されて、チップ14に入射する。チップ14の受光信号
は、リード12、13によりケース外部に導き出される。
（ハ）考案が解決しようとする課題 上記従来の光電変換素子では、レンズを使用するため
に、レンズの集点距離の分、レンズとチップとを離す必
要があり、パッケージが大型化してしまう問題点があっ
た。
に、レンズの集点距離の分、レンズとチップとを離す必
要があり、パッケージが大型化してしまう問題点があっ
た。
この考案は、上記に鑑みなされたもので、パッケージの
小型化を図れる光電変換素子の提供を目的としている。
小型化を図れる光電変換素子の提供を目的としている。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用 この考案の光電変換素子の構成を、一実施例に対応する
第１図及び第２図を用いて説明すると、光電変換チップ
４と、この光電変換チップ４に導通するリード２・３
と、前記光電変換チップ４及び前記リード先端部2a・3a
をモールドし、前記光電変換チップ背面4b側を入射面6a
とすると共に光電変換チップ背面4b側に露出する第１の
樹脂６と、この第１の樹脂６の屈折率n1より小さき屈折
率n2（＜n1）を有し、前記第１の樹脂６の光電変換チッ
プ背面4b側以外をモールドする第２の樹脂７とを備え、
この第１の樹脂６と第２の樹脂７との境界面８を、前記
光電変換チップ正面4aに対向する凹面としてなるもので
ある。
第１図及び第２図を用いて説明すると、光電変換チップ
４と、この光電変換チップ４に導通するリード２・３
と、前記光電変換チップ４及び前記リード先端部2a・3a
をモールドし、前記光電変換チップ背面4b側を入射面6a
とすると共に光電変換チップ背面4b側に露出する第１の
樹脂６と、この第１の樹脂６の屈折率n1より小さき屈折
率n2（＜n1）を有し、前記第１の樹脂６の光電変換チッ
プ背面4b側以外をモールドする第２の樹脂７とを備え、
この第１の樹脂６と第２の樹脂７との境界面８を、前記
光電変換チップ正面4aに対向する凹面としてなるもので
ある。
この考案の光電変換素子では、入射面6aより入射した光
ｌは、第１の樹脂６内を進行して境界面８に到達する。
境界面８では、第２の樹脂７の屈折率n2が、第１の樹脂
６の屈折率n1よりも小さいから、光が全反射して、光電
変換チップ正面4aに集中する。よって、この考案の光電
変換素子は、レンズを用いることなく、入射光を光電変
換チップに集光させることができ、その小型化を図るこ
とが可能となる。
ｌは、第１の樹脂６内を進行して境界面８に到達する。
境界面８では、第２の樹脂７の屈折率n2が、第１の樹脂
６の屈折率n1よりも小さいから、光が全反射して、光電
変換チップ正面4aに集中する。よって、この考案の光電
変換素子は、レンズを用いることなく、入射光を光電変
換チップに集光させることができ、その小型化を図るこ
とが可能となる。
（ホ）実施例 この考案の一実施例を、第１図乃至第３図に基づいて以
下に説明する。
下に説明する。
この実施例は、本考案をホトダイオードに適用したもの
であり、第１図は、実施例ホトダイオード１の横断面
図、第２図及び第３図は、それぞれ同ホトダイオード１
の正面及び外観斜視図である。
であり、第１図は、実施例ホトダイオード１の横断面
図、第２図及び第３図は、それぞれ同ホトダイオード１
の正面及び外観斜視図である。
リード２の先端部2aには、ホトダイオードチップ（光電
変換チップ、以下単にチップという）４がダイボンディ
ングされる。また、チップ４は、リード３の先端部3aと
ワイヤ５によりボンディングされる。
変換チップ、以下単にチップという）４がダイボンディ
ングされる。また、チップ４は、リード３の先端部3aと
ワイヤ５によりボンディングされる。
チップ４及びリード先端部2a、3aは、第１の樹脂６でモ
ールドされ、さらに第２の樹脂７でモールドされてい
る。第１の樹脂６の屈折率n1は、第２の樹脂７の屈折率
n2より大きくされており、チップ４の背面4b側が入射面
6aとされている。また、第２の樹脂７は、入射面6aを除
いて第１の樹脂６をモールドしており、第１の樹脂６と
第２の樹脂７との境界面８は、チップ４の正面4aに向か
う凹面とされている。
ールドされ、さらに第２の樹脂７でモールドされてい
る。第１の樹脂６の屈折率n1は、第２の樹脂７の屈折率
n2より大きくされており、チップ４の背面4b側が入射面
6aとされている。また、第２の樹脂７は、入射面6aを除
いて第１の樹脂６をモールドしており、第１の樹脂６と
第２の樹脂７との境界面８は、チップ４の正面4aに向か
う凹面とされている。
この実施例ホトダイオード１では、第１図に示すよう
に、入射面6aより入射した光ｌは、第１の樹脂６内を進
行し、境界面８に至る。屈折率n1は屈折率n2よりも大き
いから（n1＞n2）光ｌは、境界面８で全反射して、チッ
プ正面4aに集光される。このように、境界面８で全反射
して集光されるから、ホトダイオード１の感度も向上さ
せることもできる。
に、入射面6aより入射した光ｌは、第１の樹脂６内を進
行し、境界面８に至る。屈折率n1は屈折率n2よりも大き
いから（n1＞n2）光ｌは、境界面８で全反射して、チッ
プ正面4aに集光される。このように、境界面８で全反射
して集光されるから、ホトダイオード１の感度も向上さ
せることもできる。
なお、上記実施例では、ホトダイオードについて説明し
たが、この考案はホトトランジスタや発光ダイオード等
の各種光電変換素子に広く適用可能なものである。
たが、この考案はホトトランジスタや発光ダイオード等
の各種光電変換素子に広く適用可能なものである。
（ヘ）考案の効果 以上説明したように、この考案の光電変換素子は、光電
変換チップと、この光電変換チップに導通するリード
と、前記光電変換チップ及び前記リード先端部とをモー
ルドし、前記光電変換チップ背面側を入射面とすると共
に光電変換チップ背面側に露出する第１の樹脂と、この
第１の樹脂の屈折率より小さい屈折率を有し、前記第１
の樹脂の光電変換チップ背面側以外をモールドする第２
の樹脂とを備え、この第１の樹脂と第２の樹脂との境界
面を、前記光電変換チップ正面に対向する凹面としたも
のであるから、パッケージを小型化できる利点を有して
いる。また、境界面で光を全反射して集光することによ
り、光感度を向上できる利点をも有している。
変換チップと、この光電変換チップに導通するリード
と、前記光電変換チップ及び前記リード先端部とをモー
ルドし、前記光電変換チップ背面側を入射面とすると共
に光電変換チップ背面側に露出する第１の樹脂と、この
第１の樹脂の屈折率より小さい屈折率を有し、前記第１
の樹脂の光電変換チップ背面側以外をモールドする第２
の樹脂とを備え、この第１の樹脂と第２の樹脂との境界
面を、前記光電変換チップ正面に対向する凹面としたも
のであるから、パッケージを小型化できる利点を有して
いる。また、境界面で光を全反射して集光することによ
り、光感度を向上できる利点をも有している。
第１図は、この考案の一実施例に係るホトダイオードの
横断面図、第２図は、同ホトダイオードの正面図、第３
図は、同ホトダイオードの外観斜視図、第４図は、従来
のホトダイオードの中央縦断面図である。 ２・3:リード、4:ホトダイオードチップ、6:第１の樹
脂、6a:入射面、7:第２の樹脂、8:境界面。
横断面図、第２図は、同ホトダイオードの正面図、第３
図は、同ホトダイオードの外観斜視図、第４図は、従来
のホトダイオードの中央縦断面図である。 ２・3:リード、4:ホトダイオードチップ、6:第１の樹
脂、6a:入射面、7:第２の樹脂、8:境界面。
Claims (1)
- 【請求項１】光電変換チップと、この光電変換チップに
導通するリードと、前記光電変換チップ及び前記リード
先端部とをモールドし、前記光電変換チップ背面側を入
射面とすると共に光電変換チップ背面側に露出する第１
の樹脂と、この第１の樹脂の屈折率より小さい屈折率を
有し、前記第１の樹脂の光電変換チップ背面側以外をモ
ールドする第２の樹脂とを備え、この第１の樹脂と第２
の樹脂との境界面を、前記光電変換チップ正面に対向す
る凹面とした光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988122049U JPH0751800Y2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988122049U JPH0751800Y2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242448U JPH0242448U (ja) | 1990-03-23 |
| JPH0751800Y2 true JPH0751800Y2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=31369614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988122049U Expired - Lifetime JPH0751800Y2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751800Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55158681A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solar cell both sides of which are illuminated |
| JPS6079756U (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-03 | 三洋電機株式会社 | 光半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP1988122049U patent/JPH0751800Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0242448U (ja) | 1990-03-23 |
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