JPH0748484B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH0748484B2 JPH0748484B2 JP29299987A JP29299987A JPH0748484B2 JP H0748484 B2 JPH0748484 B2 JP H0748484B2 JP 29299987 A JP29299987 A JP 29299987A JP 29299987 A JP29299987 A JP 29299987A JP H0748484 B2 JPH0748484 B2 JP H0748484B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- resist film
- treatment
- mask
- etched
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 フォトマスクの製造工程における遮光パターンのエッチ
ング方法の改良に関し、 微細な遮光パターンのエッチングが可能なエッチング方
法の提供を目的とし、 被エッチング膜の表面に形成したレジスト膜の露光，現
像処理後、該レジスト膜をマスクとして前記被エッチン
グ膜をエッチングするにあたり、前記被エッチング膜の
表面へのエッチング液処理と水洗処理とを交互に反復し
て行った後、主とするエッチング処理を行うよう構成す
る。
ング方法の改良に関し、 微細な遮光パターンのエッチングが可能なエッチング方
法の提供を目的とし、 被エッチング膜の表面に形成したレジスト膜の露光，現
像処理後、該レジスト膜をマスクとして前記被エッチン
グ膜をエッチングするにあたり、前記被エッチング膜の
表面へのエッチング液処理と水洗処理とを交互に反復し
て行った後、主とするエッチング処理を行うよう構成す
る。
本発明は、フォトマスクの製造方法に係り、特に遮光パ
ターンのエッチング方法の改良に関するものである。
ターンのエッチング方法の改良に関するものである。
クロムマスクの透明基板上のクロムよりなる遮光パター
ンのパターニングに用いる電子ビーム露光描画用のレジ
ストは一般的に水の濡れ性が悪い。
ンのパターニングに用いる電子ビーム露光描画用のレジ
ストは一般的に水の濡れ性が悪い。
このためレジストを露光，現像後、スプレー或いは滴下
により遮光パターンのエッチングを行う際に、薬液の表
面張力のためレジストの表面で薬液が玉状となり、クロ
ムマスクが微細パターンの場合には、遮光パターンのエ
ッチングが行われないことが生じる。
により遮光パターンのエッチングを行う際に、薬液の表
面張力のためレジストの表面で薬液が玉状となり、クロ
ムマスクが微細パターンの場合には、遮光パターンのエ
ッチングが行われないことが生じる。
以上のような状況から遮光パターンの微細パターンのエ
ッチングが可能なエッチング方法が要望されている。
ッチングが可能なエッチング方法が要望されている。
従来のエッチング方法をクロムマスクの場合について第
３図により説明する。
３図により説明する。
図に示すように、EBレジストからなるレジスト膜12の露
出，現像処理を行って形成されたレジスト膜12のパター
ンをマスクとし、スプレー又は滴下により硝酸第２セリ
ウムアンモンと過塩素酸の混合物である、例えば長瀬産
業（株）製のLEC−B3などのエッチング液をクロムマス
ク11の面上に供給し、透明基板11aに設けられている遮
光パターン11bのエッチングを行っているが、レジスト
膜12のパターンが微細な場合にはエッチング液のレジス
ト膜12に対する濡れ性が悪いため、エッチング液が図示
のように玉状になり、エッチング液が遮光パターン11b
に接触しないことがあり、遮光パターン11bがエッチン
グされないことがある。
出，現像処理を行って形成されたレジスト膜12のパター
ンをマスクとし、スプレー又は滴下により硝酸第２セリ
ウムアンモンと過塩素酸の混合物である、例えば長瀬産
業（株）製のLEC−B3などのエッチング液をクロムマス
ク11の面上に供給し、透明基板11aに設けられている遮
光パターン11bのエッチングを行っているが、レジスト
膜12のパターンが微細な場合にはエッチング液のレジス
ト膜12に対する濡れ性が悪いため、エッチング液が図示
のように玉状になり、エッチング液が遮光パターン11b
に接触しないことがあり、遮光パターン11bがエッチン
グされないことがある。
以上説明の従来のエッチング方法で問題となるのは、エ
ッチング液のレジスト膜に対する濡れ性が悪いため、エ
ッチング液が玉状になり遮光パターンの微細パターンの
エッチングが行われないことである。
ッチング液のレジスト膜に対する濡れ性が悪いため、エ
ッチング液が玉状になり遮光パターンの微細パターンの
エッチングが行われないことである。
本発明は以上のような状況から容易に実施できる微細な
遮光パターンのエッチングが可能なクロムマスクのエッ
チング方法の提供を目的としたものである。
遮光パターンのエッチングが可能なクロムマスクのエッ
チング方法の提供を目的としたものである。
上記問題点は、被エッチング膜の表面に形成したレジス
ト膜の露光，現像処理後、このレジスト膜をマスクとし
てこの被エッチング膜をエッチングするにあたり、この
被エッチング膜の表面へのエッチング液処理と水洗処理
とを交互に反復して行った後、主とするエッチング処理
を行う本発明によるエッチング方法によって解決され
る。
ト膜の露光，現像処理後、このレジスト膜をマスクとし
てこの被エッチング膜をエッチングするにあたり、この
被エッチング膜の表面へのエッチング液処理と水洗処理
とを交互に反復して行った後、主とするエッチング処理
を行う本発明によるエッチング方法によって解決され
る。
即ち本発明においては、主とするエッチング処理を行う
前に、被エッチング膜の表面にエッチング液処理と水洗
処理とを反復して行うので、クロムマスクの表面に形成
したレジスト膜のパターン面が軽くエッチングされて濡
れ性が良くなり、主とするエッチング処理の際にエッチ
ング液がレジスト膜の微細なパターンの中にも浸入し易
くなり、確実なエッチング処理を行うことが可能とな
る。
前に、被エッチング膜の表面にエッチング液処理と水洗
処理とを反復して行うので、クロムマスクの表面に形成
したレジスト膜のパターン面が軽くエッチングされて濡
れ性が良くなり、主とするエッチング処理の際にエッチ
ング液がレジスト膜の微細なパターンの中にも浸入し易
くなり、確実なエッチング処理を行うことが可能とな
る。
この主とするエツチング処理の前のエッチング液処理を
３秒以上行うと、レジスト膜の状態が変化し、後に行う
主とするエッチング処理に影響するので注意が必要であ
る。
３秒以上行うと、レジスト膜の状態が変化し、後に行う
主とするエッチング処理に影響するので注意が必要であ
る。
以上クロムマスクの場合の本発明の一実施例を第１図に
ついて、他の実施例を第２図について説明する。
ついて、他の実施例を第２図について説明する。
第１図に示すように、EBレジストからなるレジスト膜２
の露光，現像処理を行って形成されたレジスト膜２のパ
ターンをマスクとして遮光パターン1bのエッチングを行
うには、クロムマスク１を回転ステージ３の上に真空吸
着して250回転／分で回転させながら先ず、スプレーノ
ズル４により水を10秒間クロムマスク１の表面に吹き付
けた後、硝酸第２セリウムアンモンと過塩素酸の混合物
である、例えば長瀬産業（株）製のLEC−B3などのエッ
チング液をスプレーノズル４により２秒間吹き付ける。
の露光，現像処理を行って形成されたレジスト膜２のパ
ターンをマスクとして遮光パターン1bのエッチングを行
うには、クロムマスク１を回転ステージ３の上に真空吸
着して250回転／分で回転させながら先ず、スプレーノ
ズル４により水を10秒間クロムマスク１の表面に吹き付
けた後、硝酸第２セリウムアンモンと過塩素酸の混合物
である、例えば長瀬産業（株）製のLEC−B3などのエッ
チング液をスプレーノズル４により２秒間吹き付ける。
このスプレーノズル４による10秒間の水の吹き付けと、
２秒間のエッチング液の吹き付けとを交互に、それぞれ
３回行った後、スプレーノズル４による10秒間の水の吹
き付けによる水洗を行い前処理を終わる。
２秒間のエッチング液の吹き付けとを交互に、それぞれ
３回行った後、スプレーノズル４による10秒間の水の吹
き付けによる水洗を行い前処理を終わる。
以上の前処理は、水洗とエッチング液処理を連続して行
ったが、前処理の水洗とエッチング液処理との間で回転
ステージ３を回転し、クロムマスク１の表面の液を軽く
スピンオフすることも可能である。
ったが、前処理の水洗とエッチング液処理との間で回転
ステージ３を回転し、クロムマスク１の表面の液を軽く
スピンオフすることも可能である。
この後、30〜60秒間の主たるエッチング液による処理を
スプレーノズル４により行い、スプレーノズル４による
10秒間の水洗を行って、最後にクロムマスク１を載置し
た回転ステージ３を1,500回転／分で高速回転させて水
を吹き飛ばすスピン乾燥を行い、クロムマスクのエッチ
ングが完了する。
スプレーノズル４により行い、スプレーノズル４による
10秒間の水洗を行って、最後にクロムマスク１を載置し
た回転ステージ３を1,500回転／分で高速回転させて水
を吹き飛ばすスピン乾燥を行い、クロムマスクのエッチ
ングが完了する。
以上の実施例では、水及びエッチング液のクロムマスク
１への供給はスプレーノズル４により行ったが、第２図
に示す他の実施例のように、回転ステージ３の回転を停
止してエッチング液をエッチング液ノズル６によりクロ
ムマスク１上に滴下した後、その状態でエッチングを行
い、エッチング液のスピンオフと滴下を反復して行う滴
下エッチングによりエッチングを行い、水洗はシャワー
５により行うことも可能である。
１への供給はスプレーノズル４により行ったが、第２図
に示す他の実施例のように、回転ステージ３の回転を停
止してエッチング液をエッチング液ノズル６によりクロ
ムマスク１上に滴下した後、その状態でエッチングを行
い、エッチング液のスピンオフと滴下を反復して行う滴
下エッチングによりエッチングを行い、水洗はシャワー
５により行うことも可能である。
このように、主たるエッチング処理を行う前に短時間の
エッチング液による処理と水洗を交互に反復して行うこ
とにより、レジスト膜２の表面を軽くエッチングしてレ
ジスト膜２の濡れ性をよくするから、後に行うエッチン
グ処理の際にエッチング液がレジスト膜２の微細なパタ
ーンの中にも浸入するようになり、エッチング液が遮光
パターン1bと接触するようになるので、遮光パターン1b
の微細パターンのエッチングを行うことが可能となる。
エッチング液による処理と水洗を交互に反復して行うこ
とにより、レジスト膜２の表面を軽くエッチングしてレ
ジスト膜２の濡れ性をよくするから、後に行うエッチン
グ処理の際にエッチング液がレジスト膜２の微細なパタ
ーンの中にも浸入するようになり、エッチング液が遮光
パターン1bと接触するようになるので、遮光パターン1b
の微細パターンのエッチングを行うことが可能となる。
このクロムマスクのエッチング方法を実施する前には、
数十万パターンの内数十パターンのエッチング不良が発
生していたが、本発明の実施により不良は皆無となっ
た。〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な処理を主たるエッチング処理の前に行うことによ
り、微細なレジスト膜のパターンにもエッチング液を浸
入させることが可能となり、クロムマスクの透明基板上
の微細な遮光パターンの形成が可能となる等の利点があ
り、著しい信頼性向上の効果が期待でき工場的には極め
て有用なものである。
数十万パターンの内数十パターンのエッチング不良が発
生していたが、本発明の実施により不良は皆無となっ
た。〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な処理を主たるエッチング処理の前に行うことによ
り、微細なレジスト膜のパターンにもエッチング液を浸
入させることが可能となり、クロムマスクの透明基板上
の微細な遮光パターンの形成が可能となる等の利点があ
り、著しい信頼性向上の効果が期待でき工場的には極め
て有用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す図、 第２図は本発明による他の実施例を示す図、 第３図は従来のエッチング方法を示す図、 である。 図において、 １クロムマスク、1aは透明基板、1bは遮光パターン、２
はレジスト膜、３は回転ステージ、４はスプレーノズ
ル、５はシャワー、６はエッチング液ノズル、 を示す。
はレジスト膜、３は回転ステージ、４はスプレーノズ
ル、５はシャワー、６はエッチング液ノズル、 を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】被エッチング膜（１）の表面に形成したレ
ジスト膜（２）の露光，現像処理後、該レジスト膜
（２）をマスクとして前記被エッチング膜（１）をエッ
チングするにあたり、前記被エッチング膜（１）の表面
へのエッチング液処理と水洗処理とを交互に反復して行
った後、主とするエッチング処理を行うことを特徴とす
るエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29299987A JPH0748484B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29299987A JPH0748484B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133324A JPH01133324A (ja) | 1989-05-25 |
| JPH0748484B2 true JPH0748484B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=17789167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29299987A Expired - Lifetime JPH0748484B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748484B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19806406C1 (de) * | 1998-02-17 | 1999-07-29 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren zum Rauhätzen einer Halbleiter-Oberfläche |
| JP4438709B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2010-03-24 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | ウェーハの枚葉式エッチング方法 |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP29299987A patent/JPH0748484B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01133324A (ja) | 1989-05-25 |
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