JPH0748358B2 - Traveling wave type deflection device - Google Patents
Traveling wave type deflection deviceInfo
- Publication number
- JPH0748358B2 JPH0748358B2 JP63273903A JP27390388A JPH0748358B2 JP H0748358 B2 JPH0748358 B2 JP H0748358B2 JP 63273903 A JP63273903 A JP 63273903A JP 27390388 A JP27390388 A JP 27390388A JP H0748358 B2 JPH0748358 B2 JP H0748358B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- traveling wave
- spiral
- wave type
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は陰極線管（CRT）の進行波型偏向装置に関する
ものである。The present invention relates to a traveling wave type deflection device for a cathode ray tube (CRT).
［従来の技術］ 偏向装置を電子ビームが通過する間、偏向電圧が変化し
ないとすれば、偏向電圧の大きさに比例した電子ビーム
の偏向を得ることができる。しかし、偏向電圧の周波数
が高いために偏向装置を電子ビームが通過する間に偏向
電圧が変化すると、所望の偏向が不可能となる。[Prior Art] If the deflection voltage does not change while the electron beam passes through the deflection device, it is possible to obtain deflection of the electron beam proportional to the magnitude of the deflection voltage. However, if the deflection voltage changes while the electron beam passes through the deflector due to the high frequency of the deflection voltage, the desired deflection becomes impossible.
この問題を解決するために、進行波型偏向装置が使用さ
れている。進行波型偏向装置では、螺旋（ヘリカル）型
等の進行波型偏向導体（遅延回路）の一端から他端に伝
播する偏向電圧（偏向信号）の進行速度と電子ビームの
走行速度とをほぼ一致させる。これによって偏向作用時
間が長くなり、電子ビームを充分に偏向することがで
き、広帯域偏向装置を提供することが可能になる。In order to solve this problem, a traveling wave type deflector is used. In the traveling wave type deflection device, the traveling speed of the deflection voltage (deflection signal) propagating from one end to the other end of the traveling wave type deflection conductor (delay circuit) of the helical type and the traveling speed of the electron beam are substantially equal to each other. Let As a result, the deflection action time becomes long, the electron beam can be sufficiently deflected, and it becomes possible to provide a wide-band deflection device.
このような進行波型偏向装置を容易且つ強固に形成する
ために、長手の絶縁性基板に帯状導体を螺旋状に巻き回
すことが特公昭57−10539号公報に開示されている。In order to form such a traveling wave type deflection device easily and firmly, it is disclosed in Japanese Patent Publication No. 57-10539 that a strip-shaped conductor is spirally wound around a long insulating substrate.
［発明が解決しようとする課題］ ところで、絶縁性基板によって螺旋状導体を支持する
と、ピンで螺旋状導体を支持するものに比べて高周波の
分散特性が良好になるが、絶縁性基板の帯電現象によっ
てフォーカスボケや輝線シフトが生じるという問題があ
った。この種の問題を解決するために、実公昭52−1388
5号公報に開示されているように、絶縁性基板に凹状溝
を形成し、帯電を軽減することが考えられるが、しか
し、電子ビーム通路に対向する面全部を電子ビーム通路
から溝によって離間させることが不可能である。また、
帯電の影響を軽減するために溝を深く形成すると、絶縁
性基板の機械的強度が低下する。なお、前述の特公昭57
−10539号公報には静電容量を補正するための導電層を
絶縁性基板の溝内に設けることが開示されているが、絶
縁性基板の電子ビームの通路に対向する面は露出してい
るので、帯電現象の問題が生じる。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, when a spiral conductor is supported by an insulating substrate, high-frequency dispersion characteristics are better than those in which the spiral conductor is supported by pins, but the charging phenomenon of the insulating substrate There is a problem in that focus blurring and bright line shift occur. In order to solve this kind of problem,
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 5, it is possible to reduce the charging by forming a concave groove in the insulating substrate, but the entire surface facing the electron beam passage is separated from the electron beam passage by the groove. Is impossible. Also,
If the groove is deeply formed in order to reduce the influence of electrification, the mechanical strength of the insulating substrate decreases. In addition, the aforementioned Japanese Patent Publication Sho 57
Japanese Laid-Open Patent Publication No. 10539 discloses that a conductive layer for correcting capacitance is provided in a groove of an insulating substrate, but a surface of the insulating substrate facing the electron beam passage is exposed. Therefore, the problem of the charging phenomenon occurs.
そこで、本発明の目的は、帯電現象の少ない進行波型偏
向装置を提供することにある。Therefore, it is an object of the present invention to provide a traveling wave type deflector with less charging phenomenon.
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための請求項１の発明は、電子ビー
ムの通路を挟んで対向配置された一対の絶縁性基体と、
前記一対の絶縁性基体上にそれぞれ配設された一対の螺
旋状導体とを備えている進行波型偏向装置において、前
記絶縁性基体の少なくとも前記電子ビームの通路に対向
する面に前記螺旋状導体のシート抵抗よりも大きい103
〜105Ωの範囲のシート抵抗を有する層が形成され、前
記螺旋状導体が前記層に接触するように配設されている
ことを特徴とする進行波型偏向装置に係わるものであ
る。[Means for Solving the Problems] According to the invention of claim 1 for achieving the above object, a pair of insulative bases are arranged to face each other with an electron beam passage interposed therebetween.
In a traveling wave type deflection device comprising a pair of spiral conductors respectively disposed on the pair of insulating bases, the spiral conductors are provided on at least a surface of the insulating base that faces the passage of the electron beam. Greater than the sheet resistance of 10 3
The present invention relates to a traveling wave type deflection device, wherein a layer having a sheet resistance in the range of to 10 5 Ω is formed and the spiral conductor is arranged so as to contact the layer.
また、請求項２の発明は、電子ビームの通路を挟んで対
向配置された一対の導電性を有する基体と、前記一対の
導電性を有する基体上にそれぞれ配設された一対の螺旋
状導体とを備えており、前記導電性を有する基体の抵抗
率が前記螺旋状導体の抵抗率よりも大きい103〜106Ωcm
の範囲に設定され、前記螺旋状導体が前記基体に接触し
ていることを特徴とする進行波型偏向装置に係わるもの
である。Further, the invention of claim 2 includes a pair of conductive bases which are arranged to face each other with an electron beam passage interposed therebetween, and a pair of spiral conductors which are respectively disposed on the pair of conductive bases. And the resistivity of the conductive substrate is higher than the resistivity of the spiral conductor 10 3 to 10 6 Ωcm
And the spiral conductor is in contact with the base body.
［発明の作用及び効果］ 請求項１の発明は次の作用及び効果を有する。[Operation and Effect of Invention] The invention of claim 1 has the following operation and effect.
（イ）絶縁性基体の面に103〜105Ωの範囲のシート抵抗
を有する層を設けたので、帯電を防止することができ、
且つたとえ帯電したとしても極く短時間（例えば数マイ
クロ秒）後に帯電を消滅させて信号系に影響を与えない
ようにすることができる。(A) Since a layer having a sheet resistance in the range of 10 3 to 10 5 Ω is provided on the surface of the insulating base, it is possible to prevent charging,
Moreover, even if charged, it is possible to extinguish the charge after an extremely short time (for example, several microseconds) so that the signal system is not affected.
（ロ）層のシート抵抗が、螺旋状導体のシート抵抗より
も大きく且つ103〜105Ωの範囲に設定されているので、
層に螺旋状導体を接触させることが可能になり、帯電が
防止された偏向装置を容易に構成することができる。Since the sheet resistance of the (b) layer is larger than the sheet resistance of the spiral conductor and is set in the range of 10 3 to 10 5 Ω,
It is possible to bring the spiral conductor into contact with the layer, and it is possible to easily configure a deflecting device in which charging is prevented.
また、請求項２の発明は次の作用効果を有する。Moreover, the invention of claim 2 has the following effects.
（ハ）基体の抵抗率が103〜106Ωcmの範囲であるので、
帯電を防止することができ、且つたとえ帯電したとして
も極く短時間後に帯電を消滅させて信号系に対する影響
を与えないようにすることができる。(C) Since the substrate resistivity is in the range of 10 3 to 10 6 Ωcm,
It is possible to prevent electrification, and even if electrified, the electrification is extinguished after an extremely short time so that the signal system is not affected.
（ニ）基体の抵抗率が螺旋状導体のそれよりも大きく且
つ103〜106Ωcmの範囲に設定されているので、基体に螺
旋状導体を接触させることが可能になり、帯電が防止さ
れた偏向装置を容易に構成することができる。(D) Since the resistivity of the base is higher than that of the spiral conductor and is set in the range of 10 3 to 10 6 Ωcm, it is possible to bring the spiral conductor into contact with the base and prevent charging. The deflecting device can be easily configured.
［第１の実施例］ 次に、第１図〜第４図に参照して本発明の第１の実施例
に係わるオシロスコープのCRTを説明する。[First Embodiment] Next, a CRT of an oscilloscope according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
このCRT1は、第４図に示すように、排気した管体２と、
この中に組み込まれた陰極線管用電極構体３と、蛍光ス
クリーン４とから成る。As shown in FIG. 4, this CRT 1 has an evacuated pipe body 2,
It is composed of a cathode ray tube electrode assembly 3 and a fluorescent screen 4 incorporated therein.
陰極線管用電極構体３は、カソードと制御グリッドとの
組立体５とアノード６とから成る電子銃７、第１の四極
レンズ８、第２の四極レンズ９、本発明に関係する垂直
偏向装置10、第３の四極レンズ11、水平偏向装置12及び
偏向拡大電子レンズ13を備えており、これ等は共通の絶
縁支持体14、15に支持されている。The cathode ray tube electrode assembly 3 includes an electron gun 7 composed of an assembly 5 of a cathode and a control grid and an anode 6, a first quadrupole lens 8, a second quadrupole lens 9, a vertical deflection device 10 relating to the present invention, It comprises a third quadrupole lens 11, a horizontal deflection device 12 and a deflection magnifying electron lens 13, which are supported on common insulating supports 14, 15.
蛍光スクリーン４は、フェスプレート16と、蛍光物質層
17と導体層18とから成る。導体層18は、偏向拡大電子レ
ンズ13の近傍まで延在する後段加速電極19に接続されて
いる。The fluorescent screen 4 includes a festival plate 16 and a fluorescent material layer.
It consists of 17 and a conductor layer 18. The conductor layer 18 is connected to the post-acceleration electrode 19 extending to the vicinity of the deflection magnifying electron lens 13.
本発明に係わる垂直偏向装置10は、第１図及び第４図か
ら明らかなように、ビーム通路20を挟むように配置され
た第１及び第２の偏向体21、22を備えている。第１の偏
向体21は、第１の絶縁性基体23と、第１の螺旋状導体24
と、一対の第１のアース導体25a、25bとを備え、ビーム
走行方向（Ｚ軸方向）に延びるように配置されている。
第２の偏向体22も同様に、第２の絶縁性基体26と、第２
の螺旋状導体27と、一対の第２のアース導体28a、28bと
を備え、ビーム走行方向（Ｚ軸方向）に延びるように配
置されている。As is apparent from FIGS. 1 and 4, the vertical deflecting device 10 according to the present invention includes first and second deflecting bodies 21 and 22 arranged so as to sandwich the beam passage 20. The first deflector 21 includes a first insulating substrate 23 and a first spiral conductor 24.
And a pair of first ground conductors 25a and 25b, and are arranged so as to extend in the beam traveling direction (Z-axis direction).
Similarly, the second deflector 22 has a second insulating base 26 and a second insulating base 26.
The spiral conductor 27 and the pair of second ground conductors 28a and 28b are arranged so as to extend in the beam traveling direction (Z-axis direction).
第１及び第２の絶縁性基体23、26は本発明に従う導電性
を有する層29、30を表面にそれぞれ有する。この導電性
を有する層29、30は導電性を有する材料を蒸着すること
により形成されている。なお、この導電性を有する層2
9、30を抵抗ペースト等の導電性を有する物質をスクリ
ーン印刷又はハケ塗り等で塗布し、その後焼成すること
によって形成してもよい。導電性を有する層29、30のシ
ート抵抗値はＣ102〜109Ωであることが望ましい。導電
性を有する層29、30の抵抗値が高すぎると、帯電防止効
果が少なくなり、低すぎると第１及び第２の螺旋状導体
24、27と第１及び第２のアース導体25a、25b、28a、28b
との間に漏れ電流が流れ、偏向信号の減衰が生じる。The first and second insulating substrates 23 and 26 respectively have conductive layers 29 and 30 according to the present invention on their surfaces. The conductive layers 29 and 30 are formed by depositing a conductive material. Note that this conductive layer 2
9 and 30 may be formed by applying a conductive substance such as a resistance paste by screen printing or brush coating and then firing. The sheet resistance of the conductive layers 29 and 30 is preferably C10 2 to 10 9 Ω. If the resistance value of the conductive layers 29, 30 is too high, the antistatic effect is reduced, and if it is too low, the first and second spiral conductors are formed.
24, 27 and first and second ground conductors 25a, 25b, 28a, 28b
Leakage current flows between and, which causes attenuation of the deflection signal.
第１及び第２のアース導体25a、25b、28a、28bは第１及
び第２の絶縁性基体23、26と第１及び第２の螺旋状導体
24、27とを支持することが可能な強度を有する帯状金属
板から成り、ビーム走行方向（Ｚ軸方向）に延びるよう
に第１及び第２の絶縁性基体23、26に設けられた溝31、
32内に配置されている。The first and second ground conductors 25a, 25b, 28a, 28b are the first and second insulating bases 23, 26 and the first and second spiral conductors.
A groove 31 formed of a band-shaped metal plate having a strength capable of supporting 24 and 27 and provided in the first and second insulating bases 23 and 26 so as to extend in the beam traveling direction (Z-axis direction). ,
Located within 32.
第１の絶縁性基体23は第３図に示すようにビーム通路に
対向する第１の面（下面）33と、この反対向の第２の面
（上面）34と、第１及び第２の面33、34の相互間の第
３、第４、第５及び第６の面35、36、37、38とを有する
６面体であり、ビームの走行方向（Ｚ軸方向）に延びる
ように長手に形成され、第１及び第２の面33、34に形成
された溝31も長手方向に延びている。第３及び第４の面
（側面）35、36には帯状金属板から成る螺旋状導体24を
位置決めするための溝39が設けられている。第２の絶縁
性基体26も第１の絶縁性基体23と同様に形成されてい
る。As shown in FIG. 3, the first insulative substrate 23 has a first surface (lower surface) 33 facing the beam passage, a second surface (upper surface) 34 opposite to the first surface, and a first and a second surface. It is a hexahedron having third, fourth, fifth and sixth surfaces 35, 36, 37, 38 between the surfaces 33, 34, and is long so as to extend in the beam traveling direction (Z-axis direction). The groove 31 formed in the first and second surfaces 33 and 34 also extends in the longitudinal direction. The third and fourth surfaces (side surfaces) 35, 36 are provided with grooves 39 for positioning the spiral conductor 24 made of a strip-shaped metal plate. The second insulating base 26 is also formed similarly to the first insulating base 23.
［動作］ この垂直偏向装置10における第１及び第２の螺旋状導体
24、27の１ターン当りのインダクタンスをそれぞれＬ、
第１及び第２の螺旋状導体24、27の１ターン当りの対向
容量C1の２倍と第１及び第２の螺旋状導体24、27とアー
ス導体25a、25b、28a、28bとの間のそれぞれの容量C2と
の和をＣ、第１及び第２の螺旋状導体24、27の１ターン
当りの隣接間容量をC0、角周波数をωとしたときの第１
及び第２の偏向体21、22に基づく遅延回路の特性インピ
ーダンスZOと位相速度ｖは次式で与えられる。[Operation] First and second spiral conductors in the vertical deflection device 10
Inductance per turn of 24 and 27 is L,
Twice the opposing capacitance C 1 per turn of the first and second spiral conductors 24, 27 and between the first and second spiral conductors 24, 27 and the ground conductors 25a, 25b, 28a, 28b. of the sum of the respective capacitance C 2 C, C 0 adjacent capacitance per turn of the first and second helical conductors 24 and 27, first when the angular frequency is ω
Also, the characteristic impedance Z O and the phase velocity v of the delay circuit based on the second deflectors 21 and 22 are given by the following equations.
（１）（２）式の角周波数ωに依存する第２項以下は分
散項と呼ばれ、できる限り小さいことが望ましい。この
実施例ではC0を小さくすることが可能になり、第２項以
下を小さくすることができる。また、C2を小さくするこ
とができるので設計の自由度が大きくなる。 The second term and the following terms that depend on the angular frequency ω in equations (1) and (2) are called dispersion terms, and it is desirable that they are as small as possible. In this embodiment, C 0 can be reduced, and the second term and the following can be reduced. Further, since C 2 can be reduced, the degree of freedom in design is increased.
また、絶縁性基体23、26の帯電を防止することができる
ので、帯電に基づくフォーカスボケや輝線シフトを防ぐ
ことができる。Further, since it is possible to prevent the insulating substrates 23 and 26 from being charged, it is possible to prevent focus blurring and bright line shift due to charging.
［第２の実施例］ 次に、第５図を参照して第２の実施例に係わる偏向装置
を説明する。第５図には垂直偏向装置10の一方の偏向体
21aのみが示されている。この偏向体21aは断面形状矩形
の絶縁性基体23aを有し、この全表面に導電性を有する
層29が設けられ、この上に螺旋状導体24が設けられてい
る。第５図の導電性を有する層29のシート抵抗は比較的
小さく（103〜105Ω）設定されている。また、絶縁性基
体23はアース導体を配置するための溝を有していない。[Second Embodiment] Next, a deflecting device according to a second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows one deflector of the vertical deflector 10.
Only 21a is shown. The deflecting body 21a has an insulating base 23a having a rectangular cross section, a conductive layer 29 is provided on the entire surface thereof, and a spiral conductor 24 is provided thereon. The sheet resistance of the conductive layer 29 shown in FIG. 5 is set to be relatively small (10 3 to 10 5 Ω). Further, the insulating base 23 does not have a groove for disposing the ground conductor.
この実施例では、螺旋状導体24とアース電極との間の容
量結合がないので、（１）（２）式のＣの大きさを決め
るC2が小さくなる。また、絶縁性基体23aの帯電は第１
の実施例と同様に防止される。In this embodiment, since there is no capacitive coupling between the spiral conductor 24 and the ground electrode, C 2 which determines the magnitude of C in the equations (1) and (2) becomes small. In addition, the charging of the insulating substrate 23a is the first
This is prevented in the same manner as in the above embodiment.
［第３の実施例］ 第６図は第３の実施例の偏向体21bを示す。この偏向体2
1bは導電性を有する基体41の上に螺旋状導体24を設けた
ものである。なお、基体41にはBN複合体（チッ化ボロ
ン）が使用されている。この基体41の体積抵抗率は103
〜109Ωcmであることが望ましい。第６図の偏向装置は
第５図と同様な作用効果を得ることができる。[Third Embodiment] FIG. 6 shows a deflector 21b according to a third embodiment. This deflector 2
Reference numeral 1b denotes a spiral conductor 24 provided on a conductive base 41. A BN composite (boron nitride) is used for the base 41. The volume resistivity of this substrate 41 is 10 3
It is desirable to be ~ 10 9 Ωcm. The deflecting device of FIG. 6 can obtain the same effects as those of FIG.
［第４の実施例］ 第７図は第４の実施例の偏向装置の螺旋状導体を除去し
た状態の導電性を有する基体41aを示す。この導電性を
有する基体41aは第１図〜第３図の場合と同様に溝31を
有し、ここにアース導体25a、25bが配置されている。溝
31及びアース導体25a、25bはビームの進行方向に進むに
従って徐々に幅広になっている。この様に構成すると、
第４図に示すように一対の偏向体21、22の間隔がビーム
進行方向に進むに従って広くなるとによる対向容量の減
少を補償することができる。[Fourth Embodiment] FIG. 7 shows a conductive base body 41a of the deflecting device of the fourth embodiment with the spiral conductors removed. The conductive base 41a has a groove 31 as in the case of FIGS. 1 to 3, and the ground conductors 25a and 25b are arranged therein. groove
The 31 and the ground conductors 25a and 25b are gradually widened as the beam travels in the traveling direction. With this configuration,
As shown in FIG. 4, it is possible to compensate for the decrease in the facing capacitance caused by the distance between the pair of deflecting bodies 21 and 22 becoming wider in the beam traveling direction.
［第５の実施例］ 第８図に示す実施例の基体41bは抵抗率が10〜103Ωcmの
ように低い物質層42とこれよりも抵抗率の高い物質層43
との組み合せから成る。このように構成しても第１〜第
４の実施例と同様な効果を得ることができる。[Fifth Embodiment] A substrate 41b of the embodiment shown in FIG. 8 has a material layer 42 having a resistivity as low as 10 to 10 3 Ωcm and a material layer 43 having a resistivity higher than that.
Combining with. Even with this configuration, the same effects as those of the first to fourth embodiments can be obtained.
［変形例］ 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。[Modification] The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the following modifications are possible, for example.
（１）第１及び第２の螺旋状導体24、27の中央に一枚の
アース導体（アース板）を配置するようにしてもよい。
この場合には、例えば、第１及び第２の絶縁性基体23、
26を積層構造の基体とし、この中心にアース導体を埋設
する。(1) One earth conductor (earth plate) may be arranged at the center of the first and second spiral conductors 24, 27.
In this case, for example, the first and second insulating bases 23,
26 is used as the base of the laminated structure, and the earth conductor is embedded in the center of the base.
（２）第１及び第２の螺旋状導体24、27を金属板で構成
する代わりに、導電塗料の塗布焼付層又はメッキ層又は
蒸着層で形成してもよい。(2) Instead of forming the first and second spiral conductors 24 and 27 with metal plates, they may be formed with a coating / baking layer of conductive paint, a plating layer, or a vapor deposition layer.
（３）導電性を有する基体41としてBN以外のセラミック
ス等を使用してもよい。(3) Ceramics other than BN may be used as the conductive base 41.
（４）導電性を有する層29、30及び第８図の層43を抵抗
ペーストを塗布し、焼付けることによって形成してもよ
い。(4) The conductive layers 29 and 30 and the layer 43 shown in FIG. 8 may be formed by applying a resistance paste and baking.
第１図は本発明の第１の実施例に係わる進行波型偏向装
置を第４図のＩ−Ｉ線を切断して示す断面図、 第２図は第１図の偏向体を示す一部切欠斜視図、 第３図は第１図の絶縁性基体の一部切欠斜視図、 第４図はCRTの一部切欠側面図、 第５図は本発明の第２の実施例の偏向体を示す断面図、 第６図は本発明の第３の実施例の偏向体を示す断面図、 第７図は本発明の第４の実施例の螺旋状導体を支持する
基体を示す一部切欠斜視図、 第８図は本発明の第５の実施例の偏向体を示す断面図で
ある。 21…第１の偏向体、22…第２の偏向体、23…第１の絶縁
性基体、24…第１の螺旋状導体、26…第２の絶縁性基
体、27…第２の螺旋状導体、29…導電性を有する層、41
…導電性を有する基体。FIG. 1 is a sectional view showing a traveling wave type deflecting device according to a first embodiment of the present invention by cutting line II in FIG. 4, and FIG. 2 is a part showing the deflecting body of FIG. Fig. 3 is a cutaway perspective view, Fig. 3 is a partially cutaway perspective view of the insulating substrate of Fig. 1, Fig. 4 is a partially cutaway side view of a CRT, and Fig. 5 is a deflector according to a second embodiment of the present invention. 6 is a sectional view showing a deflecting body according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a partially cutaway perspective view showing a base body supporting a spiral conductor according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 8 and FIG. 8 are sectional views showing a deflector according to a fifth embodiment of the present invention. 21 ... 1st deflector, 22 ... 2nd deflector, 23 ... 1st insulating base, 24 ... 1st spiral conductor, 26 ... 2nd insulating base, 27 ... 2nd spiral Conductor, 29 ... Conductive layer, 41
... Substrate having conductivity.
Claims (2)
一対の絶縁性基体と、前記一対の絶縁性基体上にそれぞ
れ配設された一対の螺旋状導体とを備えている進行波型
偏向装置において、 前記絶縁性基体の少なくとも前記電子ビームの通路に対
向する面に前記螺旋状導体のシート抵抗よりも大きい10
3〜105Ωの範囲のシート抵抗を有する層が形成され、前
記螺旋状導体が前記層に接触するように配設されている
ことを特徴とする進行波型偏向装置。1. A traveling wave type deflection device comprising: a pair of insulative bases arranged opposite to each other with an electron beam passage interposed therebetween; and a pair of spiral conductors respectively disposed on the pair of insulative bases. In the device, at least the surface of the insulating substrate facing the passage of the electron beam is larger than the sheet resistance of the spiral conductor 10
A traveling wave type deflection device, wherein a layer having a sheet resistance in the range of 3 to 10 5 Ω is formed, and the spiral conductor is arranged so as to be in contact with the layer.
一対の導電性を有する基体と、前記一対の導電性を有す
る基体上にそれぞれ配設された一対の螺旋状導体とを備
えており、前記導電性を有する基体の抵抗率が前記螺旋
状導体の抵抗率よりも大きい103〜106Ωcmの範囲に設定
され、前記螺旋状導体が前記基体に接触していることを
特徴とする進行波型偏向装置。2. A pair of conductive bases, which are opposed to each other with an electron beam passage interposed therebetween, and a pair of spiral conductors, which are respectively disposed on the pair of conductive bases. The resistivity of the conductive substrate is set to a range of 10 3 to 10 6 Ωcm, which is higher than the resistivity of the spiral conductor, and the spiral conductor is in contact with the substrate. Traveling wave deflector.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63273903A JPH0748358B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Traveling wave type deflection device |
| US07/427,733 US5038075A (en) | 1988-10-28 | 1989-10-26 | Traveling-wave deflection system in a cathode-ray tube with conducting core on helical conductor. |
| NL8902667A NL192648C (en) | 1988-10-28 | 1989-10-27 | Running wave deflection system for a cathode ray tube and cathode ray tube provided with a running wave deflection system. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63273903A JPH0748358B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Traveling wave type deflection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02121236A JPH02121236A (en) | 1990-05-09 |
| JPH0748358B2 true JPH0748358B2 (en) | 1995-05-24 |
Family
ID=17534180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63273903A Expired - Fee Related JPH0748358B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Traveling wave type deflection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748358B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007077726A (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Flooring |
| JP2007077763A (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Flooring |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710539A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bidirectional signal transmitter of distribution line carrier system |
| JPS6354241U (en) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63273903A patent/JPH0748358B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02121236A (en) | 1990-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1041217A (en) | Electron gun with means for expanding the focussing lens field | |
| US2681426A (en) | Deflection system | |
| CA1088992A (en) | Traveling wave deflector for electron beams | |
| JPH05205651A (en) | Cathode-ray tube | |
| US5831399A (en) | Color picture tube apparatus | |
| KR910009245B1 (en) | Resistors for cathode ray tube | |
| JPH0748358B2 (en) | Traveling wave type deflection device | |
| RU2095878C1 (en) | Electron gun of color cathode-ray tube (options) | |
| JP3552860B2 (en) | Cathode ray tube | |
| JPS60212943A (en) | Resistor installed in cathode-ray tube | |
| US4812707A (en) | Traveling wave push-pull electron beam deflection structure having voltage gradient compensation | |
| US5038075A (en) | Traveling-wave deflection system in a cathode-ray tube with conducting core on helical conductor. | |
| US6005472A (en) | Inner resistor for cathode-ray tube | |
| CA1143774A (en) | Simplified resistive lens electron gun with compound linear voltage profile | |
| JP3409799B2 (en) | Traveling wave deflector | |
| JPH0675379B2 (en) | Traveling wave type deflection device | |
| JPS63231847A (en) | Color cathode ray tube | |
| US4305018A (en) | Electron gun structure with electrical contact spring for color television display tube | |
| GB2179784A (en) | Cathode ray tube | |
| EP0501584A1 (en) | Cathode ray tube comprising an electron gun having a plane-parallel optical system | |
| JPS6129049A (en) | Cathode-ray tube of electrostatic deflection type | |
| JP2646578B2 (en) | Built-in cathode ray tube low resistance | |
| JP3660488B2 (en) | Cathode ray tube | |
| JPH046737A (en) | Traveling wave type deflection device | |
| JPH02121237A (en) | Progressive wave type deflection device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |