JPH0746329B2 - Micro computer device - Google Patents

Micro computer device

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JPH0746329B2
JPH0746329B2 JP61080108A JP8010886A JPH0746329B2 JP H0746329 B2 JPH0746329 B2 JP H0746329B2 JP 61080108 A JP61080108 A JP 61080108A JP 8010886 A JP8010886 A JP 8010886A JP H0746329 B2 JPH0746329 B2 JP H0746329B2
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memory
parity
ram
address
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久幸 丸山
精一 安元
貞生 溝河
雅人 佐竹
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリとしてROMを有するマイクロコンピユー
タ装置に係り、特にメモリのデータチエツクを行うに好
適なマイクロコンピユータ装置に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micro computer device having a ROM as a memory, and more particularly to a micro computer device suitable for performing a data check of a memory.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のメモリとしてROMを有するマイクロコンピユータ
装置のデータチエツクを行うには、例えば特開昭60−10
8944号公報に示されるように、電源投入時にROMのデー
タに対応したアドレスをアドレス発生回路で発生させ、
ROMからのデータパターンによりパリテイジエネレータ
でパリテイビツトを生成して、このパリテイビツトをRA
Mに記憶させることにより、これ以降にROMのデータをパ
リテイチエツクするようにしていた。
To perform a data check of a conventional microcomputer computer having a ROM as a memory, for example, JP-A-60-10
As shown in Japanese Patent No. 8944, when the power is turned on, the address corresponding to the ROM data is generated by the address generation circuit,
A parity bit is generated by the parity generator using the data pattern from the ROM, and this parity bit is RA.
By storing the data in M, the data in the ROM was parity checked after this.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上記従来技術のデータチエツクでは、ROMのデータパタ
ーンによりパリテイビツトを生成するので、メモリ空間
としてはROMの実装エリアだけに限られていた。仮りに
従来技術のデータチエツクをメモリ空間の全エリアに適
用すると、メモリ素子の未実装エリアにおいてパリテイ
チエツクができないか、あるいはメモリ非実装エリアの
ランダムなパターン(通常のメモリ非実装エリアのパタ
ーンはall“1")によりパリテイビツトが生成されるの
で、もしメモリ非実装エリアをアクセスしてもパリテイ
エラーにならないなどの問題点があつた。
In the above-mentioned conventional data check, since parity bit is generated by the data pattern of ROM, the memory space is limited to only the ROM mounting area. If the conventional data check is applied to the entire area of the memory space, the parity check cannot be performed in the non-mounted area of the memory element, or the random pattern of the memory non-mounted area (the pattern of the normal memory non-mounted area is Since a parity bit is generated by all “1”), there is a problem that a parity error does not occur even if the memory non-mounted area is accessed.

本発明の目的は、メモリ空間の全エリアについてパリテ
イチエツク可能なパリテイビツトをメモリ素子のパター
ンにより生成し記憶してパリテイチエツクを行うことの
できるマイクロプロセツサ装置を提供するにある。
An object of the present invention is to provide a microprocessor device capable of performing parity check by generating and storing a parity bit capable of parity check for all areas of a memory space by a pattern of a memory element.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記問題点は、メモリ非実装エリアについてはメモリが
非実装であるという情報を1つのアドレスに対して読み
出し(データA),書き込み(データB),次に瞬時に
読み出し(データC),最後に時間をおいて再び読み出
して(データD)、それらのデータを比較して得ること
により解決される。
As for the above-mentioned problem, regarding the memory non-mounted area, information that the memory is not mounted is read (data A), written (data B) to one address, then instantaneously read (data C), and finally It is solved by reading again (data D) after a while and comparing and obtaining those data.

〔作用〕[Action]

上記手段によればそれぞれのデータが次のような関係に
ある場合、メモリがROMかRAMか非実装かが検出される。
すなわち、 (i)データA=D andデータB≠C のときはROMエリア、 (ii)データB=C=D のときはRAMエリア、 (iii)データA=D andデータB=C andデータB≠D のときはメモリ非実装、 である。
According to the above means, when the respective data have the following relationships, it is detected whether the memory is ROM, RAM or not mounted.
(I) ROM area when data A = D and data B ≠ C, (ii) RAM area when data B = C = D, (iii) data A = D and data B = C and data B When ≠ D, the memory is not mounted.

〔実施例〕〔Example〕

以下に本発明の一実施例を第1図ないし第7図により説
明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 7.

第1図は本発明によるマイクロコンピユータ装置の一実
施例を示すハードウエア構成図である。第1図におい
て、1はマイクロプロセツサMPU、2はMPU1のプログラ
ムを格納するプログラムメモリROMで、全メモリ空間中
にメモリ素子のROMとRAMの実装エリアとメモリ素子の未
実装エリアを有する。3はROM2のデータをチエツクする
ための各メモリアドレスのデータに応じたパリテイビツ
トを各メモリアドレスに対応したアドレスに記憶するパ
リテイメモリRAMで、4はROM2の各メモリアドレスにメ
モリ素子が実装されているか否かの実装状態情報を各メ
モリアドレスに対応したアドレスに記憶する実装状態表
示メモリRAMである。
FIG. 1 is a hardware configuration diagram showing an embodiment of a microcomputer computer according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 is a microprocessor MPU, 2 is a program memory ROM for storing a program of the MPU 1, and has ROM and RAM mounting areas of memory elements and non-mounting areas of memory elements in the entire memory space. 3 is a parity memory RAM that stores parity bits corresponding to the data of each memory address for checking the data of ROM 2 at an address corresponding to each memory address, and 4 is a memory element mounted at each memory address of ROM 2. A mounting state display memory RAM that stores mounting state information indicating whether or not each memory address is present.

5はMPU1のMR(メモリリード)信号1aによりRAM MR(メ
モリリード)信号5aまたはRAM MW(メモリライト)信号
5bおよびDATA CTL(データコントロール)信号5cを出力
するRAM WRITE CTL(ライトコントロール)回路で、6
はパワーオン(POWER ON)検出器、7はマニアルによる
信号発生装置(MANUAL)である。8はRAM WRITE CTL5の
信号5cによりデータバス15とデータバス18を切り離し
て、データバス18にMPU1がノーオペレーシヨンになるデ
ータパターン(実行が伴わない命令語:スキツプ)を強
制的に出力するDATA CTL(データコントロール)回路
で、9はこの場合のノーオペレーシヨンになる“0"デー
タパターンを発生する“0"GEN(ジエネレータ)であ
る。
5 is RAM MR (memory read) signal 5a or RAM MW (memory write) signal depending on MR (memory read) signal 1a of MPU1
RAM WRITE CTL (write control) circuit that outputs 5b and DATA CTL (data control) signal 5c.
Is a power-on detector, and 7 is a manual signal generator (MANUAL). DATA 8 forcibly outputs to the data bus 18 a data pattern (instruction word without execution: skip) in which the MPU 1 is in no operation by disconnecting the data bus 15 and the data bus 18 by the signal 5c of the RAM WRITE CTL5. A CTL (data control) circuit 9 is a "0" GEN (generator) for generating a "0" data pattern which is no operation in this case.

10はアドレスバスによりROM2の全メモリ空間のアドレス
を順次にデコードするアドレスデコーダ(ADDR DECOD
E)である。11はROM2から出力されるデータに応じてパ
リテイビツトを生成するパリテイチエツカー・ジエネレ
ータ(PTY CHECK GEN)である。12はROM2から出力され
るデータに応じてメモリ素子のROMかRAMかまたはメモリ
素子の未実装かを検出するメモリ実装検出回路(MOUNT
DET)である。13はパリテイエラー検出回路(PTY ERR D
ET)、14はエラー処理回路(ERR)である。15はデータ
バス、16はアドレスバス、17はORゲート、18はデータバ
スである。
10 is an address decoder (ADDR DECOD) that sequentially decodes the addresses of all memory spaces of ROM2 by the address bus.
E). Reference numeral 11 is a parity check generator (PTY CHECK GEN) that generates parity bits according to the data output from ROM2. Reference numeral 12 is a memory mounting detection circuit (MOUNT) for detecting whether the memory device is ROM or RAM or not mounted according to the data output from ROM2.
DET). 13 is a parity error detection circuit (PTY ERR D
ET) and 14 are error processing circuits (ERR). Reference numeral 15 is a data bus, 16 is an address bus, 17 is an OR gate, and 18 is a data bus.

第2図は第1図のRAM WRITE CTL5の詳細構成例図であ
る。第2図において、20はフリツプフロツプ(FF)、21
は遅延回路、22はEX−OR回路、23はNAND回路、24,25は
インバータ回路、26はトライステートゲート回路、27は
プルアツプ(PULL UP)抵抗である。第3図は第2図のR
AM WRITE CTL5内信号のタイムチヤートである。第4図
は第1図のDATA CTL8の詳細構成例図である。第4図に
おいて、41,42はインバータ回路、43,44はNAND回路、4
5,46,47はトライステートゲート回路である。
FIG. 2 is a detailed structural example diagram of the RAM WRITE CTL5 of FIG. In FIG. 2, 20 is a flip-flop (FF), 21
Is a delay circuit, 22 is an EX-OR circuit, 23 is a NAND circuit, 24 and 25 are inverter circuits, 26 is a tri-state gate circuit, and 27 is a pull-up resistor. Fig. 3 shows R in Fig. 2
AM WRITE CTL5 This is a time chart for signals. FIG. 4 is a detailed configuration example diagram of the DATA CTL 8 of FIG. In FIG. 4, 41 and 42 are inverter circuits, 43 and 44 are NAND circuits, 4
Reference numerals 5,46,47 are tristate gate circuits.

第5図は第1図のROM2、RAM3,4のメモリ構成例を表わす
概念図である。第5図において、ROM2の全メモリ空間
(0番地〜N番地)中にメモリ素子のROMとRAMを実装す
るエリアと、メモリ素子のROMもRAMも実装されていない
メモリ未実装エリアを有する。つまりROM2にはメモリ未
実装エリアとしてメモリ素子のROMもRAMも存在しないエ
リアが存在するが、回路上にはソケツトあるいは端等が
存在するものとして該ソケツトなどにROMもRAMも実装し
ていないイメージである。第6図は第1図のメモリ実装
検出回路12のROM2のROMかRAMか未実装エリアか判定する
タイムチヤートである。また第7図は第1図の動作を説
明するフローチヤートである。
FIG. 5 is a conceptual diagram showing a memory configuration example of the ROM2, RAM3, 4 in FIG. In FIG. 5, there is an area in which the ROM and RAM of the memory element are mounted and an unmounted area in which neither the ROM nor the RAM of the memory element is mounted in the entire memory space (address 0 to address N) of the ROM2. In other words, ROM2 has an area where neither memory element ROM nor RAM exists as a memory unmounted area, but it is assumed that neither a socket nor an edge exists on the circuit, and neither ROM nor RAM is mounted on the socket. Is. FIG. 6 is a time chart for determining whether the ROM2, the RAM, or the unmounted area of the ROM2 of the memory mounting detection circuit 12 of FIG. Further, FIG. 7 is a flow chart for explaining the operation of FIG.

いま、第1図のマイクロプロセツサ装置に電源が投入さ
れると、パワーオン(POWER ON)検出器6による検出信
号6aまたはマニユアルによる信号発生装置(MANUAL)7
による信号7aをORゲート17を介して、信号17aによりRAM
WRITE CTL5に伝える。RAM WRITE CTL5は電源投入によ
り動作開始したMPU1により出力されたMR(メモリリー
ド)信号1aを次のように加工する。
Now, when power is turned on to the microprocessor device of FIG. 1, the detection signal 6a by the power-on (POWER ON) detector 6 or the signal generator (MANUAL) 7 by the manual 7
The signal 7a by means of the OR gate 17 and the signal 17a by the RAM
Tell WRITE CTL5. The RAM WRITE CTL5 processes the MR (memory read) signal 1a output by the MPU1 which started operation when the power was turned on as follows.

第2図のRAM WRITE CTL5でパワーオンの信号17aはFF20
にラツチされ、DATA CTL信号5cを出力する。一方のMPU1
からのMR(▲▼)信号1aはDATA CTL信号5cによつ
て、そのまま 5aになるかあるいは加工されて 5bになるか決定される。このときインバータ回路25,プ
ルアツプ抵抗27などの回路によつて、RAM MR信号5aとRA
M MW信号5bは必ずどちらかに選択される。RAM MW信号5b
は遅延回路21,EX−OR回路22,インバータ回路24,NAND回
路23により、第3図のRAM WRITE CTL5内信号のタイムチ
ヤートで のようにMPU1からの▲▼信号1aの後縁より時間Tだ
け早く の後縁が立ち上るように加工される。この第3図のRAM
WRITE CTL5内信号のタイムチヤートには、パワーオン
(POWER ON)後に、MPU1からのMR(▲▼)信号が 5aまたは 5bに変換されるタイミングと、第1図のアドレスデコー
ダ(ADDR DECODE)10からの信号10aによりRAM3,4に対す
るREAD(リード)とWRITE(ライト)のモードを制御し
ているタイミングが示される。
In RAM WRITE CTL5 in Fig. 2, the power-on signal 17a is FF20.
The data CTL signal 5c is output. One MPU1
The MR (▲ ▼) signal 1a from the Becoming 5a or processed It will be decided whether it will be 5b. At this time, the RAM MR signal 5a and RA are controlled by the inverter circuit 25 and pull-up resistor 27.
M MW signal 5b is always selected to be either. RAM MW signal 5b
The delay circuit 21, the EX-OR circuit 22, the inverter circuit 24, and the NAND circuit 23 are used for the time chart of the signal in the RAM WRITE CTL5 of FIG. As shown by, the time T is earlier than the trailing edge of ▲ ▼ signal 1a from MPU1. It is processed so that the trailing edge of it rises. The RAM in Figure 3
The MR (▲ ▼) signal from MPU1 is displayed after the power is turned on (POWER ON) for the time chart of the signal in WRITE CTL5. 5a or The timing of conversion to 5b and the timing of controlling the READ (write) and WRITE (write) modes for the RAMs 3 and 4 by the signal 10a from the address decoder (ADDR DECODE) 10 in FIG. 1 are shown.

いまRAMへRAS情報をライトするモード(RAM WRITEモー
ド)では、第1図のMPU1が動作開始して出力したMR信号
1aによりROM2をリードし、MPU1によりROM2のアドレツシ
ング可能な全メモリ空間に対応したアドレスを0番地か
らスタートして順次に出力されるアドレスバス16上のア
ドレスに従つたメモリの内容をデータバス15に出力す
る。この出力データのパターンに応じてパリテイチエツ
カー・ジエネレータ(PTY CHECK GEN)11によりパリテ
イビツトが生成される。一方でMPUから出力したMR信号1
aは上記のRAM WRITE CTL5により加工されたRAM WRITE信
号1bとしてRAM3に入力する。これにより上記のパリテイ
チエツカー・ジエネレータ11からのパリテイビツトがRA
M3に記憶される。
In the mode to write RAS information to RAM (RAM WRITE mode), MR signal output by MPU1 in Fig. 1 starts operation.
The ROM2 is read by 1a, the address corresponding to the entire addressable memory space of the ROM2 is started from address 0 by the MPU1, and the contents of the memory according to the addresses on the address bus 16 are sequentially output to the data bus 15. Output. A parity bit is generated by the parity check generator (PTY CHECK GEN) 11 according to the pattern of the output data. Meanwhile, MR signal output from MPU 1
a is input to RAM3 as a RAM WRITE signal 1b processed by the above RAM WRITE CTL5. As a result, the parity bit from the parity checker / generator 11 is RA.
Memorized in M3.

このパリテイRAM3にROM2のデータパターンに応じたパリ
テイビツトをライトしている時に、DATA CTL8はRAM WRI
TE CTL5の信号5cにより、データバス15とデータバス18
を切り離して、データバス18にMPU1がノーオペレーシヨ
ンになるデータパターンを強制的に出力する。第4図の
DATA CTL8ではデータバス15,18のうちの1本の回路を示
していて、RAM WRITE CTL5のDATA CTL信号5cの制御によ
り強制的に“0"GEN9で発生した“0"データパターンをデ
ータバス18上に流す。これによりMPU1はノーオペレーシ
ヨンの命令を検出し、実行を行わずにROM2の次のアドレ
スをリードするためアドレスを1へ進めて再度MR信号1a
を出力する。このようにしてMPU1によりROM2の全メモリ
空間のアドレスをすべて出し終わると、パリテイRAM3に
はパリテイビツト情報を全メモリ空間について記憶され
る。
While writing parity bit according to the data pattern of ROM2 to this parity RAM3, DATA CTL8 is RAM WRI
Data bus 15 and data bus 18 by signal 5c of TE CTL5
The MPU1 is forcibly output to the data bus 18 by disconnecting the data pattern. Of FIG.
DATA CTL8 shows one of the data buses 15 and 18, and the "0" data pattern generated by "0" GEN9 is forcibly controlled by the DATA CTL signal 5c of RAM WRITE CTL5. Pour on. As a result, the MPU1 detects the no-operation instruction and advances the address to 1 to read the next address of ROM2 without executing it.
Is output. In this way, when the MPU 1 finishes outputting all the addresses of all the memory spaces of the ROM 2, the parity RAM 3 stores the parity bit information for all the memory spaces.

つぎにアドレスデコーダ10はROM2の全メモリ空間の最終
アドレスをアドレスバス16よりデコードして、信号10a
によりRAM WRITE CTL5に伝える。これにより第2図のRA
M WRITE CTL5のFF20の状態を切り換えてDATA CTL信号5c
を制御することにより、MPU1のMR信号1aをRAM WRITE CT
L5からRAM MR信号5aとしてRAM3,4へ出力させる。またRA
M WRITE CTL5からのDATA CTL信号5cにより、第4図のDA
TA CTL8はデータバス15とデータバス18を接続する。
Next, the address decoder 10 decodes the final address of the entire memory space of ROM2 from the address bus 16 and outputs the signal 10a.
To RAM WRITE CTL5. This makes RA in Fig. 2
DATA CTL signal 5c by switching the state of FF20 of M WRITE CTL5
By controlling the MR signal 1a of MPU1 to RAM WRITE CT.
Output from L5 to RAM3,4 as RAM MR signal 5a. Also RA
The DATA CTL signal 5c from M WRITE CTL5 causes DA in FIG.
TA CTL8 connects the data bus 15 and the data bus 18.

いま上記の信号切換えを行つた後のRAMのリード専用モ
ード(RAM READモード)では、MPU1は再びMR信号1aによ
りROM2の全メモリ空間に対応したアドレスを0番地から
スタートして順次に出力されるアドレスバス16上のアド
レスに従い、マイクロプログラムによりROM2の全メモリ
空間の全てのアドレスについて各アドレスごとに第6図
のタイミングでそれぞれ書込み(ライト)および読出し
(リード)を繰り返して、それぞれのデータパターンの
比較によりメモリ素子がROMかRAMか未実装かの判定をメ
モリ実装検出回路(MOUNT DET)12により次のように行
う。すなわち、 初めに1つのアドレスに対してメモリの内容を読み
出して記憶し(データAとする)、 次にデータA以外のデータBを同一アドレスのメモ
リに書き込むと共に記憶し(データB)、 瞬時のうちに同一アドレスのメモリの内容を読み出
して記憶し(データC)、 時間をおいて再び同一アドレスのメモリの内容を読
み出す(データD)。
In the RAM read-only mode (RAM READ mode) after the above signal switching, the MPU1 restarts the address corresponding to the entire memory space of the ROM2 from the address 0 by the MR signal 1a, and sequentially outputs the addresses. In accordance with the address on the address bus 16, the microprogram repeats writing (writing) and reading (reading) for all addresses in the entire memory space of the ROM 2 at the timing of FIG. The memory mounting detection circuit (MOUNT DET) 12 determines whether the memory element is ROM, RAM, or not mounted by comparison as follows. That is, first, the content of the memory is read and stored for one address (data A), and then data B other than data A is written and stored in the memory of the same address (data B). The contents of the memory at the same address are read out and stored therein (data C), and after a while, the contents of the memory at the same address are read out again (data D).

これによりメモリ実装検出回路12は次の関係式によりメ
モリ実装状態を判定する。すなわち、 (i)データA=D andデータB≠C のときはROM実装エリア、 (ii)データB=C=D のときはRAM実装エリア、 (iii)データA=D andデータB=C andデータB≠D のときはメモリ非実装エリア、 とする(“and"は論理積のand条件である)。
Accordingly, the memory mounting detection circuit 12 determines the memory mounting state by the following relational expression. That is, (i) ROM mounting area when data A = D and data B ≠ C, (ii) RAM mounting area when data B = C = D, (iii) data A = D and data B = C and When the data B ≠ D, the memory non-mounting area is set (“and” is the AND condition of AND).

なお上記の関係式はメモリ未実装エリアについてはで
書き込んだデータBが浮遊容量により一時的に保存され
る特性(ダイナミツクRAMの原理)を利用している。つ
まりメモリ未実装エリアの特性として、メモリ素子のRO
MかRAMかが実装されていないので回路的にはオープン状
態であるが、しかし浮遊容量などのわずかな容量が存在
する。したがつて第6図のタイミングにより、上記の
であるデータBをメモリの未実装エリアにライトし、
で即座に同じエリアをリードするとそのときのデータC
としては浮遊容量などの容量により蓄えられた電荷によ
りでライトしたデータBのパターンが読める(データ
B=C)。しかしで時間をおいて同じエリアをリード
してもそのときのデータDとしては浮遊容量などの容量
に蓄えられた電荷が放電しているのででライトしたデ
ータBのパターンは消失して読めない(通常はall
“1")(パターンB≠D)。かくして上記のメモリ素子
がROMかRAMか未実装かを判定する関係式は、(i)ROM
実装エリアの場合にはデータA=D(ROMの読出しデー
タは不変)かつデータB≠C(ROMへの書込みは不可)
となる。(ii)RAM実装エリアの場合にはデータB=C
=D(RAMへ書き込んだデータはすぐ読み出しても時間
をおいて読み出しても書き込んだデータのパターンと同
じ)となる。また(iii)メモリ未実装エリアの場合に
はデータA=D=固定パターン(時間をおいて安定した
時に読み出したデータはメモリ未実装ゆえ通常の固定パ
ターンall“1"になる)で、かつデータB=Cかつデー
タB≠D(上記の未実装エリアの特性による)となる。
Note that the above relational expression uses the characteristic (principle of dynamic RAM) that the data B written in is temporarily stored by the floating capacitance in the memory unmounted area. In other words, the RO of the memory element is
The circuit is open because M or RAM is not mounted, but there is a slight capacitance such as stray capacitance. Therefore, according to the timing shown in FIG. 6, the above data B is written in the unmounted area of the memory,
When the same area is immediately read with, the data C at that time
As a result, the pattern of the data B written by the electric charge accumulated by the capacitance such as the floating capacitance can be read (data B = C). However, even if the same area is read after a certain period of time, as the data D at that time, the charge accumulated in the capacitance such as the stray capacitance is discharged, so the pattern of the written data B disappears and cannot be read ( Usually all
“1”) (pattern B ≠ D). Thus, the relational expression for determining whether the above memory device is ROM, RAM or not mounted is (i) ROM
In case of mounting area, data A = D (read data of ROM is unchanged) and data B ≠ C (writing to ROM is impossible)
Becomes (Ii) Data B = C in case of RAM mounting area
= D (the data written to the RAM is the same as the pattern of the written data even if it is read immediately or after a while). (Iii) In the case of the memory unmounted area, the data is A = D = fixed pattern (the data read when it is stable over time becomes the normal fixed pattern all “1” because the memory is not mounted), and the data B = C and data B ≠ D (depending on the characteristics of the above unmounted area).

上記によりメモリ実装検出回路12がROM2の全メモリ空間
についてメモリエリアがROM実装エリアかRAM実装エリア
かメモリ未実装エリアかを検出すると、それらのメモリ
状態を示すメモリ状態表示ビツトをメモリ実装状態表示
ROM4に記憶するとともに、メモリ未実装エリアのアドレ
スについてはパリテイRAM3にパリテイエラーを検出する
ようなパリテイビツトをパリテイチエツカー・ジエネレ
ータ11より書き込む。
When the memory mounting detection circuit 12 detects whether the memory area is the ROM mounting area, the RAM mounting area, or the memory non-mounting area for the entire memory space of ROM2 as described above, the memory status display bit indicating the memory status is displayed.
At the same time as storing in the ROM4, the parity bit for detecting the parity error is written from the parity checker / generator 11 to the parity RAM3 for the address of the memory unmounted area.

ついで通常のプログラムを実行して、パリテイRAM3の出
力データ3aとメモリ実装状態表示RAM4の出力データ4aと
ROM2の出力データパターンをパリテイチエツカー・ジエ
ネレータ11で比較してROM2のデータをチエツクすること
により、 メモリの実装エリアにおいてパリテイエラーが発生
した場合、 メモリの非実装エリアのアドレスをアクセスした場
合、 において、パリテイチエツカー・ジエネレータ11の信号
11aによつてパリテイエラー検出回路(PTY ERR DET)13
にデータが入力され、さらにエラー処理回路(ERR)14
に伝えることによりパリテイエラー処理される。
Then run a normal program to output the output data 3a of parity RAM3 and the output data 4a of memory mounting status display RAM4.
By comparing the output data pattern of ROM2 with the parity checker / generator 11 and checking the data of ROM2, if a parity error occurs in the mounted area of the memory, or if the address of the non-mounted area of the memory is accessed, Signal of the Parity Chez Car Generator 11 at
Parity error detection circuit (PTY ERR DET) 13
Data is input to the error processing circuit (ERR) 14
Parity error processing is performed by informing.

以上のように本実施例によれば、マイクロコンピユータ
を備えた装置(マイクロコンピユータ装置)のメモリの
パリテイチエツクにおいて、電源投入時にメモリの最初
のアドレスから最終アドレスまでを順次に読み出し、そ
の読出しパターンによりパリテイビツトを生成してメモ
リのアドレスに対応した1ビツトのパリテイRAMに書き
込むとともに、メモリの未実装エリアについては未実装
であるという情報を1ビツトのメモリ実装状態表示メモ
リに書き込むことにより、ROMで構成されたメモリ空間
に対するパリテイチエツク用ROMを不要とするととも
に、メモリ未実装エリアについては必ずパリテイチエツ
クエラーが検出できる。
As described above, according to the present embodiment, in a memory parity check of a device (microcomputer device) equipped with a microcomputer, the first address to the last address of the memory are sequentially read at power-on, and the read pattern is read. To generate a parity bit and write it to the 1-bit parity RAM corresponding to the address of the memory, and to write the information that the unmounted area of the memory is not mounted to the 1-bit memory mounting status display memory. A parity check ROM for the configured memory space is not required, and a parity check error can be detected in the memory unmounted area.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上の説明のように本発明によれば、マイクロコンピユ
ータ装置のROMで構成されたメモリ空間に対するパリテ
イチエツク用ROMが不要となるうえ、メモリ非実装エリ
アについては必ずパリテイチエツクエラーを検出可能と
なる。
As described above, according to the present invention, the parity check ROM for the memory space configured by the ROM of the microcomputer device is not necessary, and the parity check error can be detected in the memory non-mounted area without fail. Become.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明によるマイクロコンピユータ装置の一実
施例を示すハードウエア構成図、第2図は第1図のRAM
WRITEコントロール回路の詳細構成図、第3図は第2図
の信号タイムチヤート、第4図は第1図のDATAコントロ
ール回路の詳細構成図、第5図は第1図のROM,RAMのメ
モリ構成例図、第6図は第1図のメモリ実装検出回路の
判定タイムチヤート、第7図は第1図の動作フローチヤ
ートである。 1……MPU、2……ROM、3……パリテイRAM、4……実
装状態表示メモリ、5……RAM WRITEコントロール回
路、6……パワーオン検出器、8……DATAコントロール
回路、9……“0"発生回路、10……アドレスデコーダ、
11……パリテイチエツカー・ジエネレータ、12……メモ
リ実装検出回路、13……パリテイエラー検出回路、14…
…エラー処理回路。
FIG. 1 is a hardware configuration diagram showing an embodiment of the microcomputer device according to the present invention, and FIG. 2 is the RAM of FIG.
Detailed configuration diagram of the WRITE control circuit, FIG. 3 is a signal timing chart of FIG. 2, FIG. 4 is a detailed configuration diagram of the DATA control circuit of FIG. 1, and FIG. 5 is a memory configuration of the ROM and RAM of FIG. An example diagram, FIG. 6 is a determination time chart of the memory mounting detection circuit of FIG. 1, and FIG. 7 is an operation flow chart of FIG. 1 ... MPU, 2 ... ROM, 3 ... Parity RAM, 4 ... Mounting status display memory, 5 ... RAM WRITE control circuit, 6 ... Power-on detector, 8 ... DATA control circuit, 9 ... "0" generation circuit, 10 ... Address decoder,
11 ... Parity checker / generator, 12 ... Memory mounting detection circuit, 13 ... Parity error detection circuit, 14 ...
… Error processing circuit.

フロントページの続き (72)発明者 佐竹 雅人 茨城県日立市大みか町5丁目2番1号 株 式会社日立製作所大みか工場内 (56)参考文献 特開 昭60−108944(JP,A) 特開 昭58−125125(JP,A) 特開 昭56−134397(JP,A) 特開 昭57−117187(JP,A)Front Page Continuation (72) Inventor Masato Satake 5-2-1 Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Hitachi Ltd. Omika Plant (56) References JP-A-60-108944 (JP, A) JP-A 58-125125 (JP, A) JP-A-56-134397 (JP, A) JP-A-57-117187 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】メモリエリアにアクセスして読み出したデ
ータパターンに基づきパリティビットを生成してパリテ
ィ記憶手段に書き込む書込手段と、前記パリティ記憶手
段に書き込まれているパリティビットでメモリエリアの
パリティチェックを行うパリティチェック手段とを備え
るマイクロコンピュータ装置において、 メモリエリアの各アドレスに対し初めそのアドレスのデ
ータを読出してデータAとし次にデータA以外のデータ
を同アドレスに書き込んでデータBとすると共に瞬時の
うちに同アドレスのデータを読出してデータCとしその
後に時間をおいて再び同アドレスのデータを読出してデ
ータDとし A=D 及び B≠Cのとき ROM実装 B=C=Dのとき RAM実装 A=D 及び B=C 及び B≠Dのとき メモリ非
実装 と判定する判定手段を備え、 前記書込手段は、前記判定手段がメモリ非実装と判定し
たメモリエリアのアドレスについてはパリティエラーと
なるパリティビットを生成して前記パリティ記憶手段に
書き込むことを特徴とするマイクロコンピュータ装置。
1. A parity check of a memory area by writing means for generating a parity bit based on a data pattern read by accessing the memory area and writing the parity bit in the parity storage means, and a parity bit written in the parity storage means. In a microcomputer device including a parity check means for performing the above, for each address in the memory area, the data at that address is first read to be data A, and then data other than data A is written to the same address to be data B, and instantaneously. The data of the same address is read out as data C, and after a while, the data of the same address is read again as data D. When A = D and B ≠ C, ROM is mounted. When B = C = D, RAM is mounted. When A = D and B = C and B ≠ D, the judgment method for judging the memory non-mounting Wherein the writing means, the determining means microcomputer system, characterized in that to generate parity bits as a parity error for the address of the memory area where it is determined that the memory unimplemented written in the parity storage means.
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