JPH0746290B2 - Three-phase high voltage controller - Google Patents

Three-phase high voltage controller

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JPH0746290B2
JPH0746290B2 JP59149863A JP14986384A JPH0746290B2 JP H0746290 B2 JPH0746290 B2 JP H0746290B2 JP 59149863 A JP59149863 A JP 59149863A JP 14986384 A JP14986384 A JP 14986384A JP H0746290 B2 JPH0746290 B2 JP H0746290B2
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JP
Japan
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phase
zero
high voltage
thyristor
scr
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Inventor
明 久芳
Original Assignee
株式会社日立メデイコ
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/12Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac
    • G05F1/40Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
    • G05F1/44Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、三相高電圧制御装置に係り、例えば三相X線
高電圧装置に適用させて好適な三相高電圧制御装置に関
する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a three-phase high voltage control device, and more particularly to a three-phase high voltage control device suitable for being applied to a three-phase X-ray high voltage device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

たとえば、一次側制御方式の三相X線高電圧制御装置に
おいて、その高電圧投入方法としては、従来、(1)三
相を同時投入し、ある一つの相のみ一定期間制動抵抗を
入れる方式と、(2)単相で投入し一定期間経過後残り
の一相も導通させて三相運転とする方式とがある。
For example, in a primary-side control three-phase X-ray high voltage control device, the conventional high voltage application method is (1) a method in which three phases are applied at the same time and a braking resistance is applied to only one phase for a certain period. (2) There is a method in which a single-phase operation is performed, and after a certain period of time has passed, the remaining one phase is also conducted to perform three-phase operation.

〔発明が解決使用とする課題〕 しかしながら、前者の(1)の方式では、X線負荷条件
により制動抵抗の抵抗値および制動時間を細かく切り換
える必要があるため、その制御回路も複雑となり、調整
も容易ではない。また、大電流を直接制御しなければな
らないという問題がある。
[Problems to be solved and used by the invention] However, in the former method (1), it is necessary to finely switch the resistance value of the braking resistor and the braking time depending on the X-ray load condition. It's not easy. In addition, there is a problem that a large current must be directly controlled.

また、後者の(2)の方式においても、三相運転に移行
する点が理論上は単相投入後90°の点が最適となるが、
実際には高圧系の浮遊容量、電源設備のインピーダンス
等の影響を受けて多少のずれが生じ、これが共振電圧の
発生の原因となって高圧側にオーバシュート電圧が発生
するという問題が指摘されるに至った。
Also in the latter method (2), the point of shifting to three-phase operation is theoretically optimal at 90 ° after single-phase injection,
Actually, it is pointed out that some deviation occurs due to the influence of stray capacitance of high voltage system, impedance of power supply equipment, etc., which causes the generation of resonance voltage and overshoot voltage occurs on the high voltage side. Came to.

本発明の目的は、簡単な構成にも拘らず、電源投入時に
過渡現象として発生する高圧側のオーバシュート電圧の
発生を防止した三相高電圧制御装置を提供することにあ
る。
It is an object of the present invention to provide a three-phase high voltage control device that prevents the occurrence of a high voltage side overshoot voltage that occurs as a transient phenomenon when the power is turned on, despite its simple configuration.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

このような目的を達成するために、本発明は、三相電源
がそれぞれの相毎に特定の向き毎に制御可能なスイッチ
ング素子を介して供給される高電圧装置であって、前記
各スイッチング素子のオン・オフを制御する制御装置を
備えてなる三相高電圧制御装置において、前記制御装置
は、前記高電圧装置への電源投入の際に、各線間電圧の
零電位の各タイミングに順次合わせて、第一の相と第二
の相の線間電圧が零のタイミングで第一の相側から第二
の相側へ電流を流し、第一の相側から第二の相側へ電流
を流した状態で第一の相と第三の相の線間電圧が零のタ
イミングで第一の相側から第三の相側へも電流を流し、
第一の相側から第二の相側へおよび第一の相側から第三
の相側へ電流を流した状態で第二の相と第三の相の線間
電圧が零のタイミングで第二の相側から第三の相側へも
電流を流すように、前記各スイッチング素子を制御する
ようになっていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention is a high-voltage device in which a three-phase power source is supplied via a switching element that can be controlled for each phase for each specific direction, and the switching element In a three-phase high voltage control device including a control device for controlling ON / OFF of the control device, the control device sequentially adjusts to each timing of zero potential of each line voltage when the high voltage device is powered on. The current from the first phase side to the second phase side at the timing when the line voltage between the first phase and the second phase is zero, and the current flows from the first phase side to the second phase side. When the line voltage of the first phase and the third phase is zero in the flowing state, a current is also flown from the first phase side to the third phase side at the timing.
When the line voltage between the second phase and the third phase is zero while the current is flowing from the first phase side to the second phase side and from the first phase side to the third phase side, Each of the switching elements is controlled so that a current also flows from the second phase side to the third phase side.

〔作用〕[Action]

このように構成した三相高電圧制御装置は、電源投入時
において、各線間電圧が全て零の状態をスタートとして
高電圧発生装置に電源投入がなされることになる。
In the three-phase high voltage control device configured as described above, when the power is turned on, the high voltage generator is powered on starting from the state where all the line voltages are zero.

したがって、電源投入時における共振電圧の発生を抑制
できることから、高圧側におけるオーバシュート電圧の
発生を防止できるようになる。
Therefore, since the generation of the resonance voltage at the time of turning on the power can be suppressed, the generation of the overshoot voltage on the high voltage side can be prevented.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、本発明による三相高電圧制御装置の一実施例
を示す基本的構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a basic configuration showing an embodiment of a three-phase high voltage controller according to the present invention.

同図において、U−V、V−W、W−Uはそれぞれ線間
電圧、1は三相電源、S1、S2、S3は電源スイッチ、SCR
−U、SCR−V、SCR−W、SCR−X、SCR−YおよびSCR
−Zは主回路開閉用サイリスタであり、サイリスタSCR
−UとサイリスタSCR−X、サイリスタSCR−Vとサイリ
スタSCR−Y、サイリスタSCR−WとサイリスタSCR−Z
はそれぞれ逆並列に接続されている。2は高電圧発生装
置である。
In the figure, U-V, V-W, and W-U are line voltages, 1 is a three-phase power supply, S 1 , S 2 , and S 3 are power switches, SCR.
-U, SCR-V, SCR-W, SCR-X, SCR-Y and SCR
-Z is a thyristor for opening and closing the main circuit, and is a thyristor SCR
-U and thyristor SCR-X, thyristor SCR-V and thyristor SCR-Y, thyristor SCR-W and thyristor SCR-Z
Are respectively connected in antiparallel. 2 is a high voltage generator.

そして、電源スイッチS1、S2、S3を介した三相電源1か
らの線間電圧U−V、V−W、W−Uは三相高電圧制御
装置10に入力されるようになっており、この三相高電圧
制御装置10では、前記各サイリスタSCRを点弧させる信
号を作成するようになっている。
Then, the power switches S 1, S 2, the line voltage U-V from the three-phase power supply 1 via the S 3, V-W, W -U is adapted to be inputted to the three-phase high voltage controller 10 Therefore, in this three-phase high voltage control device 10, a signal for firing each of the thyristors SCR is created.

すなわち、三相高電圧制御装置10は、各線間電圧U−
V、V−W、W−Uからそれらの零電位の各タイミング
に応じたパルスを作成する零電圧検出回路10Aと、この
零電圧検出回路10Aからの各パルスから前記各サイリス
タSCRのうちから点弧させるべくサイリスタSCRを順次選
択するサイリスタ選択回路10Bとから構成されている。
That is, the three-phase high voltage control device 10 controls the line voltage U-
A zero voltage detecting circuit 10A for creating a pulse corresponding to each timing of the zero potentials from V, VW, WU, and a point from each of the thyristors SCR from each pulse from the zero voltage detecting circuit 10A. It is composed of a thyristor selection circuit 10B which sequentially selects the thyristor SCR to be turned on.

そして、このサイリスタ選択回路10Bの上記サイリスタS
CRの選択は基本的には、次のようにして行なわれるよう
になっている。
Then, the thyristor S of the thyristor selection circuit 10B is
The selection of CR is basically done as follows.

各線間電圧の零電位の各タイミングに順次合わせて、第
一の相と第二の相の線間電圧が零のタイミングで第一の
相側から第二の相側へ電流を流し、第一の相側から第二
の相側へ電流を流した状態で第一の相と第三の相の線間
電圧が零のタイミングで第一の相側から第三の相側へも
電流を流し、第一の相側から第二の相側へおよび第一の
相側から第三の相側へ電流を流した状態で第二の相と第
三の相の線間電圧が零のタイミングで第二の相側から第
三の相側へも電流を流すように、各サイリスタSCRが制
御されるようになっている。
The current is made to flow from the first phase side to the second phase side at the timing when the line voltage of the first phase and the second phase is zero, in sequence with each timing of the zero potential of each line voltage. When a current is applied from the phase side to the second phase side, the current is also applied from the first phase side to the third phase side when the line voltage of the first phase and the third phase is zero. , With the timing when the line voltage between the second phase and the third phase is zero in the state where the current flows from the first phase side to the second phase side and from the first phase side to the third phase side. Each thyristor SCR is controlled so that a current also flows from the second phase side to the third phase side.

ここで、第一の相がU相である場合には、V相が第二の
相となり、W相が第三の相となる。また、第一の相がV
相である場合には、W相が第二の相となり、U相が第三
の相となる。さらに、第一の相がW相である場合には、
U相が第二の相となり、V相が第三の相となる。
Here, when the first phase is the U phase, the V phase is the second phase and the W phase is the third phase. Also, the first phase is V
When it is a phase, the W phase is the second phase and the U phase is the third phase. Furthermore, when the first phase is the W phase,
The U phase becomes the second phase and the V phase becomes the third phase.

このように構成した三相高電圧制御装置は、電源投入時
において、各線間電圧が全て零の状態をスタートとして
高電圧発生装置に電源投入がなされることになる。
In the three-phase high voltage control device configured as described above, when the power is turned on, the high voltage generator is powered on starting from the state where all the line voltages are zero.

したがって、電源投入時における共振電圧の発生を抑制
できることから、高電圧側におけるオーバシュート電圧
の発生を防止できるようになる。
Therefore, since the generation of the resonance voltage at the time of turning on the power can be suppressed, the generation of the overshoot voltage on the high voltage side can be prevented.

次に、本発明の基本的構成からなる三相高電圧制御装置
を、X線高電圧装置に適用した場合について第2図を用
いて説明する。
Next, a case where the three-phase high voltage control device having the basic configuration of the present invention is applied to an X-ray high voltage device will be described with reference to FIG.

同図において、1PC乃至9PCはフォトカプラ、3は零位相
検出記憶回路、INTは信号反転用インバータ、3Aは微分
回路、1Cはコンデンサ、2Rは抵抗、1Dはダイオード、1S
CR乃至12SCRはサイリスタ、3Bは遅延回路、Vccは低電
圧、A乃至Fは信号入出力端子である。
In the figure, 1PC to 9PC are photocouplers, 3 is a zero phase detection memory circuit, INT is a signal inverting inverter, 3A is a differentiating circuit, 1C is a capacitor, 2R is a resistor, 1D is a diode, and 1S.
CR to 12SCR are thyristors, 3B is a delay circuit, Vcc is a low voltage, and A to F are signal input / output terminals.

a乃至fは高電圧投入相の零位相タイミング信号、ORは
高電圧投入相の零位相タイミング信号a乃至fを入力す
るオア(OR)ゲート回路、XSTは撮影開閉信号、4はア
ンド(AND)ゲート回路、5は撮影タイマ回路、6はSCR
ゲート制御回路である。
a to f are zero phase timing signals of the high voltage input phase, OR is an OR gate circuit that inputs the zero phase timing signals a to f of the high voltage input phase, XST is a shooting opening / closing signal, and 4 is an AND gate. Gate circuit, 5 is shooting timer circuit, 6 is SCR
It is a gate control circuit.

このような構成のうち、第1図に示した零電位検出回路
10Aは、各相間電圧U−V、V−W、W−U、からフォ
トカプラ1PC、2PC、3PCを介して矩形波からなる出力信
号を取り出し、それぞれ微分回路3Aを介してタイミング
信号aないしfを取り出す回路に相当している。
Of such a configuration, the zero potential detection circuit shown in FIG.
10A takes out an output signal composed of a rectangular wave from the interphase voltages UV, VW, WU via the photocouplers 1PC, 2PC, 3PC, and outputs the timing signals a through f via the differentiating circuit 3A, respectively. It corresponds to the circuit for taking out.

また、サイリスタ選択回路10Bは、前記タイミング信号
aないしfのうち、タイミング信号aおよびfで導通す
るサイリスタ7SCR、タイミング信号bおよびeで導通す
るサイリスタ8SCR、タイミング信号bおよびcで導通す
るサイリスタ9SCR、タイミング信号aおよびdで導通す
るサイリスタ10SCR、dおよびeで導通するサイリスタ1
1SCR、cおよびfで導通するサイリスタ12SCR、および
サイリスタ7SCRの導通によってサイリスタSCR−Uに点
弧信号を出力させるフォトカプラ4PC、サイリスタ8SCR
の導通によってサイリスタSCR−Xに点弧信号を出力さ
せるフォトカプラ5PC、サイリスタ9SCRの導通によって
サイリスタSCR−Vに点弧信号を出力させるフォトカプ
ラ6PC、サイリスタ10SCRの導通によってサイリスタSCR
−Yに点弧信号を出力させるフォトカプラ7PC、サイリ
スタ11SCRの導通によってサイリスタSCR−Wに点弧信号
を出力させるフォトカプラ8PC、サイリスタ12SCRの導通
によってサイリスタSCR−Zに点弧信号を出力させるフ
ォトカプラ9PCから構成されるSCRゲート制御回路6に相
当している。
Further, the thyristor selection circuit 10B includes a thyristor 7SCR which is conducted by the timing signals a and f, a thyristor 8SCR which is conducted by the timing signals b and e, and a thyristor 9SCR which is conducted by the timing signals b and c among the timing signals a to f. Thyristor 10 conducting with timing signals a and d SCR, thyristor 1 conducting with d and e
Thyristor 12SCR that conducts with 1SCR, c and f, and photocoupler 4PC that outputs an ignition signal to thyristor SCR-U by conduction of thyristor 7SCR, thyristor 8SCR
Photocoupler 5PC that outputs a firing signal to thyristor SCR-X by conduction of thyristor, Photocoupler 6PC that outputs a firing signal to thyristor SCR-V by conduction of thyristor 9SCR, and thyristor SCR by conduction of thyristor 10SCR
-Photo coupler 7PC that outputs an ignition signal to Y, photo coupler 8PC that outputs an ignition signal to thyristor SCR-W by conduction of thyristor 11SCR, Photo that outputs an ignition signal to thyristor SCR-Z by conduction of thyristor 12SCR It corresponds to the SCR gate control circuit 6 composed of the coupler 9PC.

次に、本実施例の動作を説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

U−V、V−W、W−Uの各線間電圧をフォトカプラ1P
C、2PC、3PCで絶縁した信号として検出する。この検出
された信号は矩形波からなるものである。そして、この
矩形波から微分回路によって構成される零位相検出回路
3によって零位相タイミングパルスが作られる。
Photocoupler 1V for each line voltage of UV, VW, WU
Detected as a signal isolated by C, 2PC, and 3PC. This detected signal consists of a rectangular wave. Then, a zero-phase timing pulse is generated from this rectangular wave by the zero-phase detection circuit 3 configured by a differentiating circuit.

この際、撮影開閉信号XSTがくるまでの間は、サイリス
タ1SCR乃至6SCRのカソードはロー(Low)電位になって
おり、導通可能な状態となっている。
At this time, the cathodes of the thyristors 1SCR to 6SCR are at a low potential until the photographing opening / closing signal XST arrives, and they are in a conductive state.

いま、サイリスタ1SCRのゲートに高電圧投入相の零位相
タイミング信号aが送られたとすると、サイリスタ1SCR
のアノードはロー(Low)電位となる。したがって、ダ
イオードを通して接続されている信号入出力端子B、
C、D、E、Fの各点も全てロー(Low)電位となり、
高電圧投入相の零位相タイミング信号b乃至fの零位相
タイミングパルスは発生せず、高電圧投入相の零位相タ
イミング信号aのみが発生している。
Now, if the zero-phase timing signal a of the high voltage input phase is sent to the gate of thyristor 1SCR, thyristor 1SCR
The anode of has a low potential. Therefore, the signal input / output terminal B connected through the diode,
All the points C, D, E, and F also have a low potential,
The zero-phase timing pulses of the zero-phase timing signals b to f in the high-voltage applying phase are not generated, and only the zero-phase timing signal a in the high-voltage applying phase is generated.

よって、高電圧投入相の零位相タイミング信号a乃至f
の論理和(OR)をオアゲート回路ORでとって、撮影タイ
マ回路5の入力となっている高電圧投入相の零位相タイ
ミング信号として、この場合、高電圧投入相の零位相タ
イミング信号aの零位相タイミングパルスのみが現れる
ことになる。すなわち、撮影開閉信号XSTが実際に撮影
タイマ回路5に伝えられるのは、この高電圧投入相の零
位相タイミング信号aのタイミングパルスに同期して行
なわれる。
Therefore, the zero phase timing signals a to f of the high voltage application phase
Of the zero-phase timing signal a of the high-voltage input phase, which is the input of the photographing timer circuit 5, as the zero-phase timing signal of the high-voltage input phase. Only the phase timing pulse will appear. That is, the photographing opening / closing signal XST is actually transmitted to the photographing timer circuit 5 in synchronization with the timing pulse of the zero-phase timing signal a of the high voltage application phase.

そして、撮影タイマ回路5が動作し、所定の撮影時間信
号を発生すると、サイリスタ1SCR乃至6SCRのカソードが
ハイ(High)電位となり、全てのサイリスタは非導通と
なる。
Then, when the photographing timer circuit 5 operates and generates a predetermined photographing time signal, the cathodes of the thyristors 1SCR to 6SCR become high potential, and all the thyristors become non-conductive.

このサイリスタ1SCR乃至6SCRが、次に導通可能となるの
は、撮影タイマ回路5の動作が終了して一定の時間が経
過(遅れ)した後であり、その後、最初にくる高電圧投
入相の零位相タイミング信号a乃至fの零位相タイミン
グパルスにより、サイリスタ1SCR乃至6SCRのいづれか一
つが導通し、前述した例と同様に他の5個のサイリスタ
が非導通の状態に保たれる。
The thyristors 1SCR to 6SCR become conductive next time after the operation of the photographing timer circuit 5 is completed and a certain time has elapsed (delayed), and thereafter, the zero of the high-voltage application phase that comes first comes. By the zero-phase timing pulse of the phase timing signals a to f, any one of the thyristors 1SCR to 6SCR becomes conductive, and the other five thyristors are kept in the nonconductive state as in the above-mentioned example.

このような動作は、特定の相を確定するためになされる
ものであり、これにより、前回における高電圧発生装置
2における残留磁束の方向を打ち消すように作用し偏磁
化を防止できる効果を奏する。
Such an operation is performed in order to determine a specific phase, and as a result, it acts so as to cancel the direction of the residual magnetic flux in the high voltage generator 2 at the previous time and has the effect of preventing bias magnetization.

次に、撮影タイマ回路5の他方の出力は、インバータIN
Tで反転されてSCRゲート制御回路6に送られ、サイリス
タ7SCR乃至12SCRが導通可能な状態となる。
Next, the other output of the photographing timer circuit 5 is the inverter IN
It is inverted at T and sent to the SCR gate control circuit 6, and the thyristors 7SCR to 12SCR are made conductive.

いま、前述した例と同様に初期にサイリスタ1SCRがオン
(ON)しており、零位相タイミング信号aのみが発生し
ている場合を考える。
Now, let us consider a case where the thyristor 1SCR is turned on (ON) in the initial stage and only the zero-phase timing signal a is generated as in the above-described example.

サイリスタ7SCR乃至12SCRが導通可能となった時、各サ
イリスタのゲートに高電圧投入相の零位相タイミング信
号がくれば、実際にサイリスタはオンする。
When the thyristors 7SCR to 12SCR become conductive, the thyristors are actually turned on if the zero-phase timing signal of the high-voltage input phase arrives at the gate of each thyristor.

この後、最初にくるパルスは高電圧投入相の零位相タイ
ミング信号aであり、この高電圧投入相の零位相タイミ
ング信号aはサイリスタ7SCRおよび10SCRのゲートのみ
に送られる。このため、フォトカプラ4PC及び7PCのみが
オンする。これらフォトカプラ4PC及び7PC(他のフォト
カプラも同様)は、図示しない受光素子の受光信号によ
って第1図に示す回路開閉用サイリスタのうち、サイリ
スタSCR−UおよびSCR−Yのみが導通する。また、引き
続いてくる高電圧投入相の零位相タイミング信号fのタ
イミングパルスでサイリスタSCR−Zが導通し、高電圧
投入相の零位相タイミング信号cとのタイミングでサイ
リスタSCR−Vも導通して完全な三相運転になる。
After this, the first pulse is the zero-phase timing signal a of the high voltage input phase, and the zero-phase timing signal a of the high voltage input phase is sent only to the gates of the thyristors 7SCR and 10SCR. Therefore, only the photo couplers 4PC and 7PC are turned on. In these photo couplers 4PC and 7PC (similar to other photo couplers), only the thyristors SCR-U and SCR-Y of the circuit opening / closing thyristors shown in FIG. Further, the thyristor SCR-Z is rendered conductive by the timing pulse of the zero-phase timing signal f of the high voltage input phase that follows, and the thyristor SCR-V is also rendered conductive at the timing of the zero phase timing signal c of the high voltage input phase. It becomes a three-phase operation.

第3図は、三相線間電圧、タイミング信号、およびサイ
リスタSCRの点弧信号との関係を示した説明図である。
同図の場合は、まず、タイミング信号aが最初に検出さ
れた場合を示し、これにより、サイリスタSCR−Uおよ
びSCR−Yとがオンし、U−Vの線間電圧がその零のタ
イミングでU相側からV相側へ電流が流れることにな
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the relationship between the three-phase line voltage, the timing signal, and the firing signal of the thyristor SCR.
In the case of the same figure, first, the case where the timing signal a is first detected is shown, whereby the thyristors SCR-U and SCR-Y are turned on, and the line voltage of U-V is at its zero timing. A current will flow from the U-phase side to the V-phase side.

そして、U相側からV相側へ電流を流した状態でU−W
の線間電圧がその零のタイミングでU相側からW相側へ
も電流が流れる。
Then, in the state where the current is passed from the U-phase side to the V-phase side, U-W
A current also flows from the U-phase side to the W-phase side at the timing when the line voltage of is zero.

さらに、U相側からV相側へおよびU相側からW相側へ
電流を流した状態でV−Wの線間電圧がその零のタイミ
ングでV相側からW相側へも電流が流れる。
Further, current flows from the V-phase side to the W-phase side at the timing when the line voltage of V-W is zero while the current is flowing from the U-phase side to the V-phase side and from the U-phase side to the W-phase side. .

したがって、三相の各線は完全な導通状態にはならず、
逆並列につながれた主回路開閉用サイリスタのうちの一
方のみが導通状態となり、電流の向きに制限が加えられ
る。
Therefore, the three-phase wires are not in perfect conduction,
Only one of the main circuit opening / closing thyristors connected in anti-parallel becomes conductive, and the direction of current is limited.

ただし、これはもちろん電源投入初期のみであって、三
相運転に移行した後は、第3図に示したように、逆並列
の主回路開閉用サイリスタが同時に導通する期間が存在
し、各線は見かけ上完全な導通状態になっている。
However, this is, of course, only in the initial stage of power-on, and after shifting to the three-phase operation, as shown in FIG. 3, there is a period in which the antiparallel main circuit switching thyristors are simultaneously conducted, and each line is Apparently completely conductive.

また、撮影タイマ回路5からの終了信号より、零位相検
出記憶回路3により、次回の投入相を記憶し、上述した
ように高電圧発生装置2における残留磁束の方向を打ち
消すための逆位相投入を行ない得るようになっている。
Further, based on the end signal from the photographing timer circuit 5, the zero-phase detection storage circuit 3 stores the next closing phase, and the reverse phase closing for canceling the direction of the residual magnetic flux in the high voltage generator 2 is performed as described above. I am supposed to get involved.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したことから明らかなように、本発明による三
相高電圧制御装置によれば、簡単な構成にも拘らず、電
源投入時に過渡現象として発生する高電圧側のオーバシ
ュート電圧の発生を防止することができるようになる。
As is apparent from the above description, according to the three-phase high voltage control device of the present invention, the overshoot voltage on the high voltage side, which occurs as a transient phenomenon when the power is turned on, is prevented from occurring despite the simple configuration. You will be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明による三相高電圧制御装置の一実施例
を示す基本ブロック構成図である。 第2図は、本発明による三相高電圧制御装置をX線高電
圧装置に適用した場合の実施例を示す回路図である。 第3図は、本発明による三相高電圧制御装置の動作を示
すタイムチャートである。 符号の説明 1……三相電源、SCR−U、SCR−V、SCR−W、SCR−
X、SCR−YおよびSCR−Z……主回路開閉用サイリス
タ、2……高電圧発生装置、3……零位相検出記憶回
路、4……アンドゲート回路、5……撮影タイマ回路、
6……SCRゲート制御回路。
FIG. 1 is a basic block diagram showing an embodiment of a three-phase high voltage controller according to the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment in which the three-phase high voltage control device according to the present invention is applied to an X-ray high voltage device. FIG. 3 is a time chart showing the operation of the three-phase high voltage controller according to the present invention. Explanation of symbols 1 ... Three-phase power supply, SCR-U, SCR-V, SCR-W, SCR-
X, SCR-Y and SCR-Z ... Main circuit opening / closing thyristor, 2 ... High voltage generator, 3 ... Zero phase detection memory circuit, 4 ... AND gate circuit, 5 ... Shooting timer circuit,
6 ... SCR gate control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】三相電源がそれぞれの相毎に特定の向き毎
に制御可能なスイッチング素子を介して供給される高電
圧装置であって、前記各スイッチング素子のオン・オフ
を制御する制御装置を備えてなる三相高電圧制御装置に
おいて、 前記制御装置は、前記高電圧装置への電源投入の際に、
各線間電圧の零電位の各タイミングに順次合わせて、第
一の相と第二の相の線間電圧が零のタイミングで第一の
相側から第二の相側へ電流を流し、第一の相側から第二
の相側へ電流を流した状態で第一の相と第三の相の線間
電圧が零のタイミングで第一の相側から第三の相側へも
電流を流し、第一の相側から第二の相側へおよび第一の
相側から第三の相側へ電流を流した状態で第二の相と第
三の相の線間電圧が零のタイミングで第二の相側から第
三の相側へも電流を流すように、前記各スイッチング素
子を制御するようになっていることを特徴とする三相高
電圧制御装置。
1. A high-voltage device in which a three-phase power supply is supplied via a switching element that can be controlled for each phase for each phase, and a control device that controls ON / OFF of each switching element. In a three-phase high voltage control device comprising, the control device, when the power supply to the high voltage device,
The current is made to flow from the first phase side to the second phase side at the timing when the line voltage of the first phase and the second phase is zero, in sequence with each timing of the zero potential of each line voltage. When a current is applied from the phase side to the second phase side, the current is also applied from the first phase side to the third phase side when the line voltage of the first phase and the third phase is zero. , With the timing when the line voltage between the second phase and the third phase is zero in the state where the current flows from the first phase side to the second phase side and from the first phase side to the third phase side. A three-phase high-voltage control device, wherein each of the switching elements is controlled so that a current also flows from the second phase side to the third phase side.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS538753A (en) * 1976-07-13 1978-01-26 Chino Works Ltd Threeephase power regulator circuit
JPS5399445A (en) * 1977-02-14 1978-08-30 Toshiba Corp Three-phase ac power unit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS538753A (en) * 1976-07-13 1978-01-26 Chino Works Ltd Threeephase power regulator circuit
JPS5399445A (en) * 1977-02-14 1978-08-30 Toshiba Corp Three-phase ac power unit

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