JPH0744847B2 - Inverter drive circuit - Google Patents
Inverter drive circuitInfo
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- JPH0744847B2 JPH0744847B2 JP1289567A JP28956789A JPH0744847B2 JP H0744847 B2 JPH0744847 B2 JP H0744847B2 JP 1289567 A JP1289567 A JP 1289567A JP 28956789 A JP28956789 A JP 28956789A JP H0744847 B2 JPH0744847 B2 JP H0744847B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、インバータ装置の駆動回路に関するもので
ある。The present invention relates to a drive circuit for an inverter device.
第３図は従来のインバータ装置の駆動回路であってｎ相
の場合の一例として最も簡単なハーフブリッジの場合を
示している。図において、（１）は第１の直流電源、例
えば、直流電源である。（２）は直流電源（１）の正極
に接続される上アーム半導体スイッチング素子、例え
ば、上アームIGBTである。（３）は上アームIGBT（２）
と直列接続される下アーム半導体スイッチング素子、例
えば、下アームIGBTである。（４）は上アームオン、オ
フ信号（６）を受け上アームIGBT（２）を駆動する第２
の駆動回路、例えば、上アーム駆動回路である。（５）
は下アームオン、オフ信号（７）を受け下アームIGBT
（３）を駆動する第１の駆動回路、例えば、下アーム駆
動回路である。（８）は下アーム駆動回路（５）に接続
された第２の直流電源、例えば、下アーム駆動回路用電
源である。（９）はダイオードであり、このダイオード
（９）は下アーム駆動回路用電源（８）の正極側にアノ
ード側が接続されカソード側は蓄電器、例えば、コンデ
ンサ（10）に接続されている。FIG. 3 shows a drive circuit of a conventional inverter device, which is the simplest half-bridge case as an example of an n-phase drive circuit. In the figure, (1) is a first DC power supply, for example, a DC power supply. (2) is an upper arm semiconductor switching element connected to the positive electrode of the DC power supply (1), for example, an upper arm IGBT. (3) is the upper arm IGBT (2)
And a lower arm semiconductor switching element connected in series with the lower arm IGBT, for example, a lower arm IGBT. (4) is the second for driving the upper arm IGBT (2) by receiving the upper arm ON / OFF signal (6)
Drive circuit, for example, an upper arm drive circuit. (5)
Receives the lower arm ON / OFF signal (7) and the lower arm IGBT
A first drive circuit for driving (3), for example, a lower arm drive circuit. (8) is a second DC power supply connected to the lower arm drive circuit (5), for example, a lower arm drive circuit power supply. Reference numeral (9) is a diode. The diode (9) is connected to the positive electrode side of the lower arm drive circuit power supply (8) at the anode side thereof, and at the cathode side thereof to a capacitor, for example, a capacitor (10).
次に動作について説明する。本装置は図示しない制御装
置よりの上アームオン、オフ信号（６）及び下アームオ
ン、オフ信号（７）を受け、直流電源（１）を上アーム
IGBT（２）と下アームIGBT（３）に交互にオン、オフさ
せて出力に直流電源の正側電位、負側電位を得るように
構成されたものであり、第４図の如く単相として交流出
力を得たり、第５図の如く３相として３相交流出力を得
たりして、モータなどを回すインバータ装置に用いられ
ている。Next, the operation will be described. This device receives an upper arm ON / OFF signal (6) and a lower arm ON / OFF signal (7) from a controller (not shown), and applies a DC power supply (1) to the upper arm.
It is configured to alternately turn on and off the IGBT (2) and the lower arm IGBT (3) to obtain the positive side potential and the negative side potential of the DC power supply at the output, and as a single phase as shown in FIG. It is used in an inverter device that rotates a motor or the like by obtaining an AC output or obtaining a three-phase AC output as three phases as shown in FIG.
下アーム駆動回路（５）は下アーム駆動回路用電源
（８）を受け、下アームオン、オフ信号（７）に基づき
下アームIGBT（３）をオン、オフする。具体的には下ア
ームオン、オフ信号（７）がオン指令の時は、下アーム
駆動回路（５）を介し下アーム駆動回路用電源（８）の
出力電圧を下アームIGBT（３）のゲート（Ｇ）に印加
し、下アームIGBT（３）をオンする。一方、下アームオ
ン、オフ信号（７）がオフ指令の時は、下アーム駆動回
路（５）は下アームIGBT（３）のゲート（Ｇ）−エミッ
タ（Ｅ）間をショートし、下アームIGBT（３）をオフす
る。The lower arm drive circuit (5) receives the lower arm drive circuit power supply (8) and turns on and off the lower arm IGBT (3) based on the lower arm on / off signal (7). Specifically, when the lower arm ON / OFF signal (7) is an ON command, the output voltage of the lower arm drive circuit power supply (8) is passed through the lower arm drive circuit (5) to the gate of the lower arm IGBT (3) ( G) to turn on the lower arm IGBT (3). On the other hand, when the lower arm ON / OFF signal (7) is an OFF command, the lower arm drive circuit (5) short-circuits the gate (G) -emitter (E) of the lower arm IGBT (3), and the lower arm IGBT ( 3) Turn off.
さて、上アームIGBT（２）のオン、オフは同様に行なわ
れるのであるが、下アームIGBT（３）とは異なり特に用
意された電源はなく以下のようにして作られる。Now, the upper arm IGBT (2) is turned on and off in the same manner, but unlike the lower arm IGBT (3), there is no specially prepared power supply and it is made as follows.
即ち、下アームIGBT（３）がオンした際に第３図点線の
如く下アーム駆動回路用電源（８）をダイオード（９）
を介してコンデンサ（10）に充電し、上アームIGBT
（２）のオンに備えるのである。That is, when the lower arm IGBT (3) is turned on, the lower arm drive circuit power source (8) is connected to the diode (9) as shown by the dotted line in FIG.
Charge the capacitor (10) via the upper arm IGBT
Be prepared to turn on (2).
つまり、このときコンデンサ（10）に蓄えられた電荷を
上アーム駆動回路（４）の電源として使うのである。In other words, the electric charge stored in the capacitor (10) at this time is used as the power source of the upper arm drive circuit (4).
上アームIGBT（２）と下アームIGBT（３）は同時にオン
しないよう相補的にオン、オフされるので、下アームIG
BT（３）がオンの時は上アームIGBT（２）はオフであ
る。よって、このとき上記のようにコンデンサ（10）に
下アーム駆動回路用電源（８）電圧を充電し（このと
き、上アームオン、オフ信号（６）はオフ指令を出して
おり、上アーム駆動回路（４）は上アームIGBT（２）の
ゲート（Ｇ）−エミッタ（Ｅ）間をショートしてい
る。） 次に、上アームオン、オフ信号（６）がオン指令を出す
と、上アーム駆動回路（４）はコンデンサ（10）の電圧
を上アームIGBT（２）のゲート（Ｇ）−エミッタ（Ｅ）
間に印加し、上アームIGBT（２）をオンさせる。Since the upper arm IGBT (2) and the lower arm IGBT (3) are turned on and off complementarily so that they are not turned on at the same time, the lower arm IG
When BT (3) is on, upper arm IGBT (2) is off. Therefore, at this time, the capacitor (10) is charged with the voltage of the lower arm drive circuit power supply (8) as described above (at this time, the upper arm ON / OFF signal (6) issues an OFF command, and the upper arm drive circuit (4) shorts the gate (G) -emitter (E) of the upper arm IGBT (2).) Next, when the upper arm ON / OFF signal (6) issues an ON command, the upper arm drive circuit (4) shows the voltage of the capacitor (10) as the gate (G) -emitter (E) of the upper arm IGBT (2).
The voltage is applied between them to turn on the upper arm IGBT (2).
以上のようにして、下アームIGBT（３）のオンにより、
下アーム駆動回路用電源（８）の出力電圧をダイオード
（９）を介してコンデンサ（10）に汲み上げ、これをも
って上アームIGBT（２）の駆動回路用電源としている。
この方式はチャージポンプ方式と呼ばれている。As described above, by turning on the lower arm IGBT (3),
The output voltage of the lower arm drive circuit power supply (8) is pumped to the capacitor (10) through the diode (9), and this is used as the drive circuit power supply of the upper arm IGBT (2).
This method is called a charge pump method.
従来のインバータ装置の駆動回路は以上のように構成さ
れているので、下アームIGBT（３）のコレクタ・エミッ
タ間電圧VCE（sat）増大時のコンデンサ（10）の端子電
圧低下は、上アームIGBT（２）のゲート電圧不足を招
き、上アームIGBT（２）のVCE（sat）が増大して破損に
至る。即ち、上アームIGBT（２）のゲート電圧は概ねコ
ンデンサ（10）の端子電圧Vpと考えられるから、下アー
ム駆動回路用電源（８）の電圧をVN、下アームIGBT
（３）のVCE（sat）をVCE（sat）（Ｎ）とし、ダイオー
ド（９）のドロップをVFとすると、Vpはコンデンサ（1
0）が十分充電された状態では Vp＝VN−VCE（sat）（Ｎ）−VF…（１） で表わされる。今、何らかの原因、たとえば負荷電流の
増大で下アームIGBT（３）のVCE（sat）（Ｎ）が増大す
ると、（１）式からわかるようにVpは減少し、上アーム
IGBT（２）のゲート電圧が不足してしまい、上アームIG
BT（２）のVCE（sat）が下アームIGBT（３）に比べて非
常に大きくなってしまい、最悪の事態では破損に至るこ
とがあった。これを防ぐにはあらかじめ下アームIGBT
（３）のVCE（sat）（Ｎ）の増加を予想し、下アーム駆
動回路用電源（８）の電圧を高めにするという方法が考
えられるが、よく知られているようにゲート電圧を上げ
ると、負荷が誤ってショーとされたような時に破壊しな
い耐量即ちIGBTの短絡耐量が減少してしまい、両者都合
よく協調をとることははなはだ困難であった。Since the drive circuit of the conventional inverter device is configured as described above, the terminal voltage drop of the capacitor (10) when the collector-emitter voltage V CE (sat) of the lower arm IGBT (3) increases This causes the gate voltage of the IGBT (2) to become insufficient, and V CE (sat) of the upper arm IGBT (2) increases, resulting in damage. That is, since the gate voltage of the upper arm IGBT (2) is considered to be approximately the terminal voltage Vp of the capacitor (10), the voltage of the lower arm drive circuit power supply (8) is VN and the lower arm IGBT is
If V CE (sat) of (3) is V CE (sat) (N) and the drop of the diode (9) is VF, Vp is the capacitor (1
0) is a sufficiently charged state represented by Vp = VN-V CE (sat ) (N) -VF ... (1). Now, if V CE (sat) (N) of the lower arm IGBT (3) increases due to some cause, for example, an increase in load current, Vp decreases as seen from equation (1), and the upper arm decreases.
The gate voltage of IGBT (2) becomes insufficient, and the upper arm IG
The V CE (sat) of BT (2) was much larger than that of the lower arm IGBT (3), which could lead to damage in the worst case. To prevent this, in advance the lower arm IGBT
A possible method is to increase the voltage of the lower arm drive circuit power supply (8) by anticipating an increase in V CE (sat) (N) of (3). When the load is raised, the withstand capability that does not destroy when the load is mistakenly shown, that is, the short circuit withstand capability of the IGBT, is reduced, and it is extremely difficult to cooperate with each other.
また、何らかの原因で下アームIGBT（３）のオン巾が異
常に短く、上アームIGBT（２）のオン巾が異常に長くな
ると、上記同様Vpが減少し同様の不具合が発生するとい
う解決すべき課題があった。In addition, if the ON width of the lower arm IGBT (3) is abnormally short for some reason and the ON width of the upper arm IGBT (2) is abnormally long, Vp will decrease and the same problem will occur as described above. There were challenges.
この発明は上記の様な課題を解決する為になされたもの
で、蓄電器の端子電圧が低下しても半導体スイッチング
素子の破壊を生じさせないインバータ装置の駆動回路を
得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a drive circuit for an inverter device that does not cause damage to a semiconductor switching element even if the terminal voltage of a battery is lowered.
この発明に係るインバータ装置の駆動回路は、直列に接
続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイ
ッチング素子からなる直列体を、第１の直流電源の正・
負極間に少なくとも１回路接続してなる出力部と、上記
第１の直流電源の負極側に接続された半導体スイッチン
グ素子をオン・オフ駆動する第１の駆動回路と、上記第
１の直流電源の正極側に接続された半導体スイッチング
素子をオン・オフ駆動する第２の駆動回路と、上記第１
の駆動回路に半導体スイッチング素子駆動用電圧を供給
する第２の直流電源と、上記第１の直流電源の負極側に
接続された半導体スイッチング素子のオン期間中に、該
半導体スイッチング素子を介して上記第２の直流電源か
ら電荷を充電し、上記第２の駆動回路に半導体スイッチ
ング素子駆動用電圧を供給する蓄電器とを備えたものに
おいて、上記蓄電器の端子間に接続され、上記蓄電器の
端子電圧が所定のレベルに低下した時点で上記第２の駆
動回路の動作を停止させる電圧監視回路を備えたもので
ある。In the drive circuit of the inverter device according to the present invention, a series body composed of a pair of semiconductor switching elements connected in series and complementarily driven on / off is connected to the positive / negative side of the first DC power source.
An output unit having at least one circuit connected between the negative electrodes, a first drive circuit for on / off driving the semiconductor switching element connected to the negative side of the first DC power supply, and the first DC power supply. A second drive circuit for on / off driving a semiconductor switching element connected to the positive electrode side;
And a second DC power supply for supplying a semiconductor switching element driving voltage to the drive circuit of the above, and the semiconductor switching element connected to the negative side of the first DC power supply during the ON period, In a battery equipped with a battery for charging a charge from a second DC power supply and supplying a semiconductor switching element driving voltage to the second drive circuit, the battery is connected between terminals of the battery, and the terminal voltage of the battery is It is provided with a voltage monitoring circuit for stopping the operation of the second drive circuit when the voltage drops to a predetermined level.
この発明においては、直列に接続され相補的にオン・オ
フ駆動される一対の半導体スイッチング素子からなる直
列体を、第１の直流電源の正・負極間に少なくとも１回
路接続してなる出力部と、上記第１の直流電源の負極側
に接続された半導体スイッチング素子をオン・オフ駆動
する第１の駆動回路と、上記第１の直流電源の正極側に
接続された半導体スイッチング素子をオン・オフ駆動す
る第２の駆動回路と、上記第１の駆動回路に半導体スイ
ッチング素子駆動用電圧を供給する第２の直流電源と、
上記第１の直流電源の負極側に接続された半導体スイッ
チング素子のオン期間中に、該半導体スイッチング素子
を介して上記第２の直流電源から電荷を充電し、上記第
２の駆動回路に半導体スイッチング素子駆動用電圧を供
給する蓄電器とを備えたインバータ装置の駆動回路にお
いて、上記蓄電器の端子間に接続された電圧監視回路が
上記蓄電器の端子電圧が所定のレベルに低下した時点で
上記第２の駆動回路の動作を停止させる。According to the present invention, at least one circuit is connected between the positive and negative electrodes of the first DC power supply, and a series body composed of a pair of semiconductor switching elements connected in series and driven complementarily on and off is connected to an output section. A first drive circuit for turning on / off a semiconductor switching element connected to the negative side of the first direct current power source, and turning on / off a semiconductor switching element connected to the positive side of the first direct current power source A second drive circuit for driving; a second DC power supply for supplying a semiconductor switching element drive voltage to the first drive circuit;
During the ON period of the semiconductor switching element connected to the negative electrode side of the first DC power supply, electric charge is charged from the second DC power supply through the semiconductor switching element, and the second drive circuit is subjected to semiconductor switching. In a drive circuit of an inverter device including a capacitor for supplying a voltage for driving an element, the voltage monitoring circuit connected between the terminals of the capacitor has a second voltage when the terminal voltage of the capacitor drops to a predetermined level. Stop the operation of the drive circuit.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は直流電源、（２）は直流電源の正
極に接続される上アームIGBT、（３）は上アームIGBTと
直列接続される下アームIGBT、（４）は上アームオン、
オフ信号（６）を受け上アームIGBT（２）を駆動する上
アーム駆動回路、（５）は下アームオン、オフ信号
（７）を受け下アームIGBT（３）を駆動する下アーム駆
動回路、（８）は下アーム駆動回路（５）に接続された
下アーム駆動回路用電源、（９）は下アーム駆動回路用
電源（８）の正極側にアノード側が接続され、カソード
側がコンデンサ（10）に接続されたダイオード、（11）
はコンデンサ（10）の両端に接続されコンデンサ（10）
両端の電圧低下を監視する電圧監視回路、（12）は電圧
監視回路（11）の出力で上アーム駆動回路（４）へと送
出される電圧低下信号である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
In the figure, (1) is a DC power supply, (2) is an upper arm IGBT connected to the positive electrode of the DC power supply, (3) is a lower arm IGBT connected in series with the upper arm IGBT, and (4) is an upper arm ON,
An upper arm drive circuit for driving the upper arm IGBT (2) receiving an off signal (6), (5) a lower arm drive circuit for driving a lower arm on / off signal (7) and driving a lower arm IGBT (3), ( 8) is a lower arm drive circuit power source connected to the lower arm drive circuit (5), and (9) is a lower arm drive circuit power source (8) with the anode side connected to the positive electrode side and the cathode side to the capacitor (10). Connected diodes, (11)
Is connected to both ends of the capacitor (10)
A voltage monitor circuit for monitoring the voltage drop at both ends, and (12) is a voltage drop signal sent to the upper arm drive circuit (4) at the output of the voltage monitor circuit (11).
また、第２図に上記電圧監視回路（12）の具体的回路を
示す。図において、抵抗（13）及び抵抗（14）は直列に
接続され、コンデンサ（10）の両端に接続されるととも
にコンパレータ（17）の反転入力端子（−）に入力さ
れ、抵抗（15）とツエナーダイオード（16）は直列に接
続されコンデンサ（10）の両端に接続されるとともにコ
ンパレータ（17）の非反転端子入力（＋）に入力され
る。Further, FIG. 2 shows a specific circuit of the voltage monitoring circuit (12). In the figure, a resistor (13) and a resistor (14) are connected in series, connected to both ends of a capacitor (10) and input to an inverting input terminal (-) of a comparator (17), and a resistor (15) and a zener are connected. The diode (16) is connected in series, is connected to both ends of the capacitor (10), and is input to the non-inverting terminal input (+) of the comparator (17).
次に動作について説明する。なお、通常時における上ア
ームIGBT（２）、下アームIGBT（３）のオン、オフ動作
及びチャージポンプの動作は従来例と同一であるのでそ
の説明は省略し、電圧監視回路（11）の動作について以
下に説明する。Next, the operation will be described. The ON / OFF operation of the upper arm IGBT (2) and the lower arm IGBT (3) and the operation of the charge pump in the normal state are the same as those of the conventional example, and therefore the description thereof is omitted and the operation of the voltage monitoring circuit (11) is omitted. Will be described below.
さてここで電圧監視回路（11）はコンデンサ（10）の端
子電圧を監視しており、コンデンサ（10）の端子電圧が
あらかじめ設定した一定電圧以下のとき、電圧低下信号
（12）を上アーム駆動回路（４）に送出する。上アーム
駆動回路（４）は電圧低下信号（12）を受けると、上ア
ームオン、オフ信号（６）の指令のいかんによらず、上
アームIGBT（２）のゲート（Ｇ）−エミッタ（Ｅ）間を
ショートしてオフ状態となるように働く。Now, the voltage monitoring circuit (11) monitors the terminal voltage of the capacitor (10), and when the terminal voltage of the capacitor (10) is below a preset constant voltage, the voltage drop signal (12) drives the upper arm. Send to circuit (4). When the upper arm drive circuit (4) receives the voltage drop signal (12), the gate (G) -emitter (E) of the upper arm IGBT (2) regardless of the command of the upper arm ON / OFF signal (6). It works by making a short circuit and turning it off.
ここで、先に述べたあらかじめ設定された一定電圧と
は、上アームIGBT（２）が想定されるコレクタ電流下で
十分VCE（sat）が低い領域にあるようなゲート電圧とな
るような電圧に設定する。Here, the above-mentioned preset constant voltage is a voltage such that the upper arm IGBT (2) has a gate voltage in a region where V CE (sat) is sufficiently low under the assumed collector current. Set to.
これを具体化したものが第６図であり、コンデンサ（1
0）の端子電圧を抵抗（13）と抵抗（14）で分圧し、コ
ンパレータ（17）の反転入力端子（−）に入力し常に監
視している。コンパレータ（17）の監視レベルは（即
ち、先に述べた一定電圧であり）、抵抗（15）とツエナ
ーダイオード（16）により作られ、コンパレータ（17）
の非反転入力端子（＋）に入力されている。さて、コン
パレータ（17）はコンデンサ（10）の端子電圧が低下す
ると、反転入力端子（−）電圧も比例して低下するの
で、非反転入力端子（＋）に入力されている監視レベル
以下に低下すると、電圧低下信号（12）としてハイレベ
ルの信号を出力して上アーム駆動回路（４）を動作停止
状態にし、これをもって上アームIGBT（２）を保護する
のである。A concrete example of this is shown in FIG.
The terminal voltage of (0) is divided by the resistance (13) and the resistance (14), input to the inverting input terminal (-) of the comparator (17), and constantly monitored. The monitoring level of the comparator (17) (that is, the constant voltage mentioned above) is made by the resistor (15) and the Zener diode (16), and the comparator (17)
Is input to the non-inverting input terminal (+) of. Now, when the terminal voltage of the capacitor (10) drops in the comparator (17), the inverting input terminal (-) voltage also drops in proportion, so it drops below the monitoring level input to the non-inverting input terminal (+). Then, a high level signal is output as the voltage drop signal (12) to stop the operation of the upper arm drive circuit (4), thereby protecting the upper arm IGBT (2).
なお、上記実施例では駆動素子にIGBTを用いたが例えば
パワーMOS−FETなど他の素子であっても上記実施例と同
様の効果を奏する。Although the IGBT is used as the driving element in the above-mentioned embodiment, the same effect as that in the above-mentioned embodiment can be obtained even if another element such as a power MOS-FET is used.
また、上記実施例ではハーフブリッジ構成のインバータ
について示したが単相ブリッジあるいは３相ブリッジで
も上記実施例と同様の効果を奏することは言うまでもな
い。Further, in the above-mentioned embodiment, the half-bridge type inverter has been shown, but it goes without saying that a single-phase bridge or a three-phase bridge also has the same effect as that of the above-mentioned embodiment.
更に上記実施例では下アーム駆動回路用電源（８）が１
つの場合を示したが、その個数に限定されないことは言
うまでもない。Further, in the above embodiment, the power supply (8) for the lower arm drive circuit is 1
Although two cases are shown, it goes without saying that the number is not limited.
以上の様に、この発明によれば直列に接続され相補的に
オン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子か
らなる直列体を、第１の直流電源の正・負極間に少なく
とも１回路接続してなる出力部と、上記第１の直流電源
の負極側に接続された半導体スイッチング素子をオン・
オフ駆動する第１の駆動回路と、上記第１の直流電源の
正極側に接続された半導体スイッチング素子をオン・オ
フ駆動する第２の駆動回路と、上記第１の駆動回路に半
導体スイッチング素子駆動用電圧を供給する第２の直流
電源と、上記第１の直流電源の負極側に接続された半導
体スイッチング素子のオン期間中に、該半導体スイッチ
ング素子を介して上記第２の直流電源から電荷を充電
し、上記第２の駆動回路に半導体スイッチング素子駆動
用電圧を供給する蓄電器とを備えたインバータ装置の駆
動回路において、上記蓄電器の端子間に接続された電圧
監視回路により上記蓄電器の端子電圧が所定のレベルに
低下した時点で上記第２の駆動回路の動作を停止させる
様に構成したので、蓄電器の端子電圧が低下しても半導
体スイッチング素子の破壊を生じさせることのないもの
が得られるという効果がある。As described above, according to the present invention, at least one circuit is connected between the positive and negative electrodes of the first DC power supply, and the series body composed of a pair of semiconductor switching elements connected in series and driven complementarily on and off is connected. And the semiconductor switching element connected to the negative side of the first DC power supply.
A first driving circuit for driving off, a second driving circuit for driving on / off a semiconductor switching element connected to the positive electrode side of the first DC power source, and a semiconductor switching element driving for the first driving circuit. During the ON period of the second DC power supply for supplying the working voltage and the semiconductor switching element connected to the negative side of the first DC power supply, electric charges are charged from the second DC power supply through the semiconductor switching element. In a drive circuit of an inverter device that is charged and that supplies a voltage for driving a semiconductor switching element to the second drive circuit, a voltage monitoring circuit connected between the terminals of the power storage device controls the terminal voltage of the power storage device. Since the operation of the second drive circuit is stopped when the voltage drops to a predetermined level, even if the terminal voltage of the capacitor decreases, the semiconductor switching element Those without causing a breakdown there is an effect that is obtained.
第１図はこの発明の一実施例によるインバータ装置の駆
動回路を示す回路図、第２図はこの発明の一実施例によ
るインバータ装置の駆動回路における電圧監視回路を示
す回路図、第３図は従来のインバータ装置の駆動回路を
示す回路図、第４図は単相形インバータ装置を示す図、
第５図は三相形インバータ装置を示す図である。 図において、（１）は直流電源、（２）は上アームIGB
T、（３）は下アームIGBT、（４）は上アーム駆動回
路、（５）は下アーム駆動回路、（８）は下アーム駆動
回路用電源、（９）はダイオード、（10）はコンデン
サ、（11）は電圧監視回路、（12）は電圧低下信号であ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。FIG. 1 is a circuit diagram showing a drive circuit of an inverter device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a voltage monitoring circuit in a drive circuit of an inverter device according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing a drive circuit of a conventional inverter device, FIG. 4 is a diagram showing a single-phase inverter device,
FIG. 5 is a diagram showing a three-phase type inverter device. In the figure, (1) is a DC power supply, and (2) is an upper arm IGBT.
T, (3) lower arm IGBT, (4) upper arm drive circuit, (5) lower arm drive circuit, (8) lower arm drive circuit power supply, (9) diode, (10) capacitor , (11) is a voltage monitoring circuit, and (12) is a voltage drop signal. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
れる一対の半導体スイッチング素子からなる直列体を、
第１の直流電源の正・負極間に少なくとも１回路接続し
てなる出力部と、上記第１の直流電源の負極側に接続さ
れた半導体スイッチング素子をオン・オフ駆動する第１
の駆動回路と、上記第１の直流電源の正極側に接続され
た半導体スイッチング素子をオン・オフ駆動する第２の
駆動回路と、上記第１の駆動回路に半導体スイッチング
素子駆動用電圧を供給する第２の直流電源と、上記第１
の直流電源の負極側に接続された半導体スイッチング素
子のオン期間中に、該半導体スイッチング素子を介して
上記第２の直流電源から電荷を充電し、上記第２の駆動
回路に半導体スイッチング素子駆動用電圧を供給する蓄
電器とを備えたインバータ装置の駆動回路において、上
記蓄電器の端子間に接続され、上記蓄電器の端子電圧が
所定のレベルに低下した時点で上記第２の駆動回路の動
作を停止させる電圧監視回路を備えたことを特徴とする
インバータ装置の駆動回路。1. A series body comprising a pair of semiconductor switching elements connected in series and being driven on / off complementarily,
An output unit formed by connecting at least one circuit between the positive and negative electrodes of a first DC power source, and a first ON / OFF driving semiconductor switching element connected to the negative electrode side of the first DC power source.
Drive circuit, a second drive circuit for ON / OFF driving the semiconductor switching element connected to the positive electrode side of the first DC power supply, and a semiconductor switching element drive voltage is supplied to the first drive circuit. A second direct current power supply and the first
During the ON period of the semiconductor switching element connected to the negative side of the DC power source, the second DC power source charges electric charge through the semiconductor switching element to drive the semiconductor switching element in the second drive circuit. In a drive circuit of an inverter device including a power storage device that supplies a voltage, the operation is performed between the terminals of the power storage device, and the operation of the second drive circuit is stopped when the terminal voltage of the power storage device drops to a predetermined level. A drive circuit for an inverter device comprising a voltage monitoring circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289567A JPH0744847B2 (en) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | Inverter drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289567A JPH0744847B2 (en) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | Inverter drive circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150075A JPH03150075A (en) | 1991-06-26 |
| JPH0744847B2 true JPH0744847B2 (en) | 1995-05-15 |
Family
ID=17744900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1289567A Expired - Lifetime JPH0744847B2 (en) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | Inverter drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744847B2 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3813755B2 (en) * | 1999-01-26 | 2006-08-23 | 三菱電機株式会社 | Switching device |
| JP4426129B2 (en) * | 2001-04-17 | 2010-03-03 | 三菱電機株式会社 | Power module |
| JP5786629B2 (en) * | 2011-10-12 | 2015-09-30 | トヨタ自動車株式会社 | Power converter |
| JP6559970B2 (en) * | 2014-11-05 | 2019-08-14 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Converter device, inverter device and AC machine drive device |
| WO2017183209A1 (en) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | Power conversion device |
| CN108684213B (en) * | 2016-08-18 | 2021-08-27 | 富士电机株式会社 | Semiconductor module, method for selecting switching element used in semiconductor module, and method for designing chip of switching element |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0736476Y2 (en) * | 1987-09-18 | 1995-08-16 | 三洋電機株式会社 | Power MOS / FET drive circuit |
| JPH074487A (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Ouken Seiko Kk | Crank driving mechanism |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP1289567A patent/JPH0744847B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03150075A (en) | 1991-06-26 |
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