JPH0744050U - Housing for semiconductor device - Google Patents

Housing for semiconductor device

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JPH0744050U
JPH0744050U JP400785U JP40078590U JPH0744050U JP H0744050 U JPH0744050 U JP H0744050U JP 400785 U JP400785 U JP 400785U JP 40078590 U JP40078590 U JP 40078590U JP H0744050 U JPH0744050 U JP H0744050U
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JP
Japan
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housing
flange
flanges
semiconductor device
ring
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Application number
JP400785U
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Japanese (ja)
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ロジャー、フィルモア
デイヴィッド、チャールス、ハム
Original Assignee
ウェスティングハウス、ブレイク、アンド、シグナル、ホールディングス、リミテッド
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Publication date
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    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

(57)【要約】 【目的】考案の目的は、汚染物を生じることなく、しか
も外形寸法を最小限とした半導体装置用ハウジングを提
供することにある。 【構成】半導体装置(13)用のハウジング(1)で、
ハウジングは、電気絶縁材料製で第1フランジ(9)を
有しほぼ円筒状の部材(7)からなる第1ハウジング部
分(1B)と、第2フランジ(5Aまたは5C)を有す
る第2ハウジング部分(1A)とを備える。2つのハウ
ジング部分が第1フランジと第2フランジの結合によっ
て接合され、両フランジが前記部材の外面のいずれの地
点を越えても半径方向に突き出ない。
(57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to provide a housing for a semiconductor device in which contaminants are not generated and the external dimensions are minimized. [Structure] A housing (1) for a semiconductor device (13),
The housing is made of an electrically insulating material and has a first flange (9) and a first housing part (1B) consisting of a substantially cylindrical member (7) and a second housing part having a second flange (5A or 5C). (1A). The two housing parts are joined by a combination of a first flange and a second flange such that both flanges do not project radially beyond any point on the outer surface of the member.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

この考案は、サイリスタ及び高電力トランジスタなど半導体装置(デバイス) 用のハンジングに関する。 This invention relates to hangers for semiconductor devices such as thyristors and high-power transistors.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

半導体装置用のいわゆる「カプセル」型のハウジングはよく知られている。こ のようなハウジングは一般に、ハーメチックシールで一体に接合された2つのハ ウジング部分からなり、一方のハウジング部分はセラミックやその他の電気絶縁 材料製のリングからなり、その一方の端面に電気接点が固定され、他方の端面に 金属製フランジが固定され、該フランジによってそのハウジング部分が他方のハ ウジング部分の金属製フランジと接合可能である。ハウジングは、一方のハウジ ング部分の電気接点と他方のハウジング部分に保持された電気接点との間に挟持 する状態で、(例えば高電力のトランジスタまたはサイリスタなどの)半導体装 置と組み立てられ、ハウジングは2つのハウジング部分のフランジを一体に接合 することによって形成される − 例えば US-A-4 628 147 及び EP-A-0 324 92 9 参照。両フランジの一体接合は、例えばアーク溶接(EP-A-0 324 929など)、 冷間溶接、あるいはプラズマ溶接によって行える。 So-called "capsule" type housings for semiconductor devices are well known. Such housings typically consist of two housing parts joined together by a hermetic seal, one housing part consisting of a ring of ceramic or other electrically insulating material, with one end having electrical contacts. It is fixed and a metal flange is fixed on the other end face, by means of which the housing part can be joined with the metal flange of the other housing part. The housing is assembled with the semiconductor device (eg, a high power transistor or thyristor) with the housing sandwiched between the electrical contacts of one housing part and the electrical contacts carried by the other housing part, Is formed by joining the flanges of two housing parts together-see eg US-A-4 628 147 and EP-A-0 324 929. The two flanges can be integrally joined by, for example, arc welding (EP-A-0 324 929, etc.), cold welding, or plasma welding.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

両フランジを一体にアーク溶接またはプラズマ溶接した後、溶接の結果残され た汚染物をハウジングの内部から取り除く必要がある。これは汚染物を「焼き出 す」ためにハウジングを加熱することを含み、汚染物はハウジング内のポート管 を介して除去され、その後ポート管を密封してハウジングをハーメチックシール 状態とする。この工程は厄介である。また、セラミックやその他の電気絶縁材料 製のリングとそれに固定されたフランジとの接合部に、多量の熱が伝達される。 After arc welding or plasma welding the two flanges together, it is necessary to remove the contaminants left by the welding from the inside of the housing. This involves heating the housing to "bake out" the contaminants, which are removed via the port tube in the housing, which then seals the port tube to a hermetically sealed housing. This process is cumbersome. Also, a large amount of heat is transferred to the joint between the ring made of ceramic or other electrically insulating material and the flange fixed to the ring.

【0004】 「カプセル」型のハウジングをできるだけ緻密に実装するためには、それらハ ウジングの外形寸法を小さくするのが望ましい。従来、セラミックやその他の材 料製リングは、ハウジングとその内部に含まれたデバイスの冷却を容易とするた め外側へ延出したフィンを備え、一般に2つのハウジング部分のフランジはフィ ンの最外部を越えて半径方向に突き出ている。EP-A-0 324 929では、2つのハウ ジング部分のフランジがフィンの最外部を越えて半径方向に突き出ていないが、 両者を一体にアーク溶接できるようにリングの残部を越えて半径方向に突き出て いる。しかし、リングの外形寸法を減らすためフィンを省けば、両フランジは一 体にアーク溶接可能なように、リングの外面を越えて半径方向に付き出ているこ とになる。In order to mount the “capsule” type housing as closely as possible, it is desirable to reduce the outer dimensions of these housings. Traditionally, ceramic and other material rings have been provided with fins that extend outwards to facilitate cooling of the housing and the devices contained within it, and generally the flanges of the two housing parts are at the top of the fin. It protrudes radially beyond the outside. In EP-A-0 324 929, the flanges of the two housings do not project radially beyond the outermost part of the fins, but they are radially beyond the rest of the ring so that they can be arc welded together. It is sticking out. However, if the fins were omitted to reduce the outer dimensions of the ring, then both flanges would project radially beyond the outer surface of the ring so that they could be arc welded together.

【0005】 従って本考案の目的は、汚染物を生じることなく、しかも外形寸法を最小限と した半導体装置用ハウジングを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a housing for a semiconductor device which does not generate contaminants and has a minimum external dimension.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案の一観点によれば、半導体装置用のハウジングにおいて、ハウジングが 、電気絶縁材料製で第1フランジを有しほぼ円筒状の部材からなる第1ハウジン グ部分と、第2フランジを有する第2ハウジング部分とを備え、両ハウジング部 分が第1フランジと第2フランジの結合によって接合され、前記両フランジが前 記部材の外面のいずれの地点を越えても半径方向に突き出ていないハウジングが 提供される。 According to one aspect of the present invention, in a housing for a semiconductor device, the housing includes a first housing made of an electrically insulating material and having a first flange, and a first housing having a substantially cylindrical member and a second flange. 2 housing parts, both housing parts are joined by the coupling of the first flange and the second flange, and the both flanges do not protrude radially beyond any point on the outer surface of the member. Provided.

【0007】 本考案の別の観点によれば、半導体装置用のハウジングを製造する方法におい て、ハウジングが、電気絶縁材料製で第1フランジを有しほぼ円筒状の部材から なる第1ハウジング部分と、第2フランジを有する第2ハウジング部分とを備え 、前記両フランジが前記部材の外面のいずれの地点を越えても半径方向に突き出 ないように、第1及び第2フランジを一体結合することを含む方法が提供される 。According to another aspect of the present invention, in a method for manufacturing a housing for a semiconductor device, the first housing portion is made of an electrically insulating material and has a first flange and is a substantially cylindrical member. And a second housing portion having a second flange, wherein the first and second flanges are integrally joined so that both flanges do not project radially beyond any point on the outer surface of the member. A method including is provided.

【0008】 好ましくは、前記フランジが冷間溶接によって相互に結合されている。Preferably, the flanges are connected to each other by cold welding.

【0009】 あるいは、第1フランジが第2フランジの周囲に巻き付けられ、2つのフラン ジが抱き込み合って密封する関係とされる。この場合好ましくは、フランジの一 方が他方のフランジの素材よりも硬い素材からなる。Alternatively, the first flange is wrapped around the second flange and the two flanges are in a snug and sealing relationship. In this case, preferably one of the flanges is made of a harder material than the material of the other flange.

【0010】[0010]

【作用】[Action]

フランジは前記部材の外面のいずれの地点を越えても半径方向に突出さないた め、2つ(またはそれより多い)ハウジングを従来のハウジングより緻密にまと めて実装できる。また、ハウジングの組み立て前に、汚染物の発生する作業を全 て行ってからハウジング部品を洗浄できるため、ハウジング部品の組み立て時に 汚染物は実質上発生せず、組み立て後のハウジング内部に実質上汚染物は含まれ ない。 Since the flange does not project radially beyond any point on the outer surface of the member, two (or more) housings can be packed together more closely than conventional housings. In addition, before the housing is assembled, all the work to generate contaminants can be performed before cleaning the housing parts, so that virtually no contaminants are generated when assembling the housing parts, and the inside of the housing after assembly is substantially free from contamination. The thing is not included.

【0011】[0011]

【実施例】【Example】

本考案のより明瞭な理解のため、また本考案がいかに実施されるかを示すため 、以下添付の図面を参照し例示としてのみ説明する。 For a clearer understanding of the present invention and to show how the present invention may be implemented, reference will now be made by way of example only to the accompanying drawings.

【0012】 図1に示したハウジング部分1Aは段付きの銅製ディスク2からなり、その縮 径部2Aに直径方向のスロット3と中央の円形凹部4が設けられ、ディスク2の 大径部2Bに終端している。大径部2Bの外周に沿って、図示例では鋼製の金属 フランジ形成部5が、例えばろう付けによって固定されている。断面図において 見ると、フランジ形成部5はディスク2から外側へ延びるにつれ、ストレス溝5 Bを含む外側を向いたフランジ5Aと、ディスク2と同心円状で、縮径部2Aか ら離れる方向に延びた円筒状フランジ5Cとを備えている。フランジ形成部5に 用いる鋼は、例えばニッケル被覆鋼でもよい。The housing portion 1A shown in FIG. 1 comprises a stepped copper disc 2 having a reduced diameter portion 2A provided with a diametrical slot 3 and a central circular recess 4 and a large diameter portion 2B of the disc 2 It is terminated. A metal flange forming portion 5 made of steel in the illustrated example is fixed along the outer circumference of the large diameter portion 2B by brazing, for example. As seen in the cross-sectional view, as the flange forming portion 5 extends outward from the disc 2, the flange 5A facing outward including the stress groove 5B and the disk 2 are concentric with the disc 2 and extend in a direction away from the reduced diameter portion 2A. And a cylindrical flange 5C. The steel used for the flange forming portion 5 may be nickel-coated steel, for example.

【0013】 第2図に示したハウジング部分1Bは、金属製リング8(この実施例では銅) によってセラミックやその他の電気絶縁材料製のリング7内の中心に保持された 銅製ディスク6からなり、金属製リング8はディスク6の外周とリング7の一端 面とに固定され、ディスク6とリング7の間にストレス溝8Aを有する。ハウジ ング部分1Bは、銅製ディスク6と銅製リング8によって一端が閉じられ、他端 が開放された収納容器を構成している。ハウジング部分1Bの開放端側であるリ ング7の他端面には、リング7と同軸状の円筒状金属製フランジ9が固定されて おり、フランジ9は前記フランジ形成部5の素材よりも軟質で、メッキされてい てもまたはいなくともよい素材(この実施例では銅)からなる。リング7の一点 に、金属製接点10が固定されている。接点ピン11は、リング7内にハーメチ ックシールされている。ピン11の縦方向凹部12は、ハウジング部分1Bの内 部に開放している。The housing portion 1B shown in FIG. 2 comprises a copper disc 6 centered within a ring 7 made of ceramic or other electrically insulating material by a metal ring 8 (copper in this example), The metal ring 8 is fixed to the outer circumference of the disk 6 and one end surface of the ring 7, and has a stress groove 8A between the disk 6 and the ring 7. The housing portion 1B constitutes a storage container whose one end is closed and the other end is opened by the copper disk 6 and the copper ring 8. A cylindrical metal flange 9 coaxial with the ring 7 is fixed to the other end surface of the ring 7, which is the open end side of the housing portion 1B, and the flange 9 is softer than the material of the flange forming portion 5. , Made of a material that may or may not be plated (copper in this example). A metal contact 10 is fixed to one point of the ring 7. The contact pin 11 is hermetically sealed in the ring 7. The longitudinal recess 12 of the pin 11 is open to the inside of the housing part 1B.

【0014】 2つのハウジング部分1A、1Bの各構成部品の所望なメッキは、それらがま だ組み立てられていない状態で全て行われ、その後各部品は洗浄される。The desired plating of the components of the two housing parts 1A, 1B is all done in the unassembled state, after which the components are cleaned.

【0015】 組み立てはまず、収納すべき半導体装置13(この例ではサイリスタ)をハウ ジング部分1Bの銅製ディスク6上に置き、その半導体装置13を電気絶縁性の カラー21によって所定の位置に位置決めすることによって行われる。次に、銀 製キャップ14がディスク2の一部2A上にくるように置き、ゲートバネ接点1 5を半導体装置13上に置き、該接点15の一端がピン11の凹部12内に挿入 されそこに固着される。接点15は、凹部12から前記一部2A中心の電気絶縁 性リング17内へと延びる電気絶縁性の筒状スリーブ16を備え、接点15がリ ング17内に延びて半導体装置13のゲート接点に接触している。つまり半導体 装置13のゲート接点は、ゲートバネ接点15によってピン11へ電気的に接続 されている。First, the semiconductor device 13 to be housed (thyristor in this example) is placed on the copper disk 6 of the housing portion 1B, and the semiconductor device 13 is positioned at a predetermined position by the electrically insulating collar 21. Done by. Next, the silver cap 14 is placed on the part 2A of the disk 2 and the gate spring contact 15 is placed on the semiconductor device 13, and one end of the contact 15 is inserted into the recess 12 of the pin 11 and placed there. It is fixed. The contact 15 includes an electrically insulating cylindrical sleeve 16 extending from the recess 12 into the electrically insulating ring 17 centered on the part 2A, and the contact 15 extends into the ring 17 to serve as a gate contact of the semiconductor device 13. Are in contact. That is, the gate contact of the semiconductor device 13 is electrically connected to the pin 11 by the gate spring contact 15.

【0016】 次に、ハウジング部分1Aをハウジング部分1B内に装入し、鋼製フランジ形 成部5のフランジ5Cが入れ子状配置で銅製フランジ9内に受け入れられる。キ ャップ14が銅製ディスク2の縮径部2Aを包含し、絶縁リング17が凹部4内 に受け入れられ、スリーブ16が溝3内に受け入れられる。こうして、2つのハ ウジング部分1A、1Bは一体に固定されてハウジング1を完成する準備が整い 、完成後ハウジングのディスク2は半導体装置13の外部陰極接点となり、ディ スク6は外部陽極接点となる。Next, the housing part 1A is loaded into the housing part 1B and the flange 5C of the steel flange forming part 5 is received in the copper flange 9 in a nested arrangement. A cap 14 contains the reduced diameter portion 2A of the copper disk 2, an insulating ring 17 is received in the recess 4 and a sleeve 16 is received in the groove 3. In this way, the two housing parts 1A and 1B are fixed together and ready to complete the housing 1. After completion, the disk 2 of the housing becomes the external cathode contact of the semiconductor device 13, and the disk 6 becomes the external anode contact. .

【0017】 2つのハウジング部分1A、1Bの一体固定化は、銅製フランジ9を半径方向 内側に、次いで軸方法そして半径方向逆側へと丸める一方、半径方向内側へ押さ れる鋼製フランジ5Cに対してフランジ9を押し付けることによって行われる。 この結果図4及び5に最も明瞭に示すように、銅製フランジ9が鋼製フランジ5 Cの半径方向内側に湾曲した部分の周囲に巻き付けられ、2つのフランジが2つ のハウジング部分の全周に沿って少なくとも部分的に面接触(図5の18)する と共に、鋼製フランジ5Cが2つのハウジング部分の全周に沿って銅製フランジ 9内へと食い込む(図5の19)という効果が達成される。従って、2つのハウ ジング部分は機械的に一体係止され、組み立て後のハウジング1の内部は実質上 ハーメチックシールされる。前記面接触は、フランジ9の外縁がフランジ5Cに 対して半径方向外側に作用するゾーンで少なくとも生じ、フランジ9が該ゾーン における面接触を維持するように働く。図5に最も明瞭に示すように、フランジ 9とフランジ5Cとの間に狭いギャップ20が形成され、このギャップは18と 19で表した2つの接点領域の間に位置する。所望なら、フランジ9をフランジ 5Cの周囲に巻き込む前に、例えばポリテトラフルオロエチレン(テフロン)な どのシーリング材を両フランジ9と5Cの対向面間に封入することもできる。The integral fixing of the two housing parts 1A, 1B is achieved by rounding the copper flange 9 radially inwards, then axially and radially in the opposite direction, while the steel flange 5C being pushed radially inwards. And the flange 9 is pressed against it. As a result, as can be seen most clearly in FIGS. 4 and 5, a copper flange 9 is wrapped around the radially inwardly curved part of the steel flange 5 C, with two flanges around the entire circumference of the two housing parts. Along with at least partial surface contact (18 in FIG. 5), the effect of the steel flange 5C biting into the copper flange 9 along the entire circumference of the two housing parts (19 in FIG. 5) is achieved. It Therefore, the two housing parts are mechanically locked together, and the interior of the housing 1 after assembly is substantially hermetically sealed. The surface contact occurs at least in the zone where the outer edge of the flange 9 acts radially outwardly with respect to the flange 5C, and the flange 9 serves to maintain the surface contact in that zone. As shown most clearly in FIG. 5, a narrow gap 20 is formed between the flange 9 and the flange 5C, which gap lies between the two contact areas designated 18 and 19. If desired, a sealing material such as polytetrafluoroethylene (Teflon) can be enclosed between the opposing faces of both flanges 9 and 5C before wrapping flange 9 around flange 5C.

【0018】 このように両フランジ5Cと9を抱き合わせて得られるシールは、ハウジング 内への漏れが大気圧下で約3x10-6cc/sとなり、この値は、ハウジング1 が他の構成部品と共に更に別の密封環境内に装着される場合適切なものであるこ とが認められている。In the seal obtained by tying both the flanges 5C and 9 together, the leakage into the housing is about 3 × 10 −6 cc / s under atmospheric pressure, which is a value that the housing 1 further increases together with other components. It has been found to be suitable when installed in another sealed environment.

【0019】 図6の変更例は、前述したキャップ14よりも全径が大きい銀製キャップ14 を用い、電気絶縁性のカラー21を省いた点を除けば、前記の実施例と同様であ る。The modification of FIG. 6 is the same as the above-described embodiment except that the silver cap 14 having a larger overall diameter than the cap 14 described above is used and the electrically insulating collar 21 is omitted.

【0020】 図3及び6の各例において、フランジ9(フランジ5よりも長く、それよりも 柔らかい素材で形成されている)をディスク2で保持し、フランジ形成部5をリ ング7で保持してもよく、この場合にはフランジ9がフランジ5Cの内側に位置 するため、フランジ9は外側方向へ向かってフランジ5Cを抱き込むように丸め られる。In each example of FIGS. 3 and 6, the flange 9 (which is longer than the flange 5 and made of a softer material) is held by the disc 2, and the flange forming portion 5 is held by the ring 7. However, in this case, since the flange 9 is located inside the flange 5C, the flange 9 is rounded so as to hold the flange 5C toward the outside.

【0021】 また、ハウジングを3部品ハウジングとし、2つの外側ハウジング部分を各々 中間のハウジング部分に対して、それぞれ上記のような密封形成部9/5Cによ って接合してもよい。Alternatively, the housing may be a three-part housing, and the two outer housing parts may be joined to the intermediate housing parts by the above-described sealing forming part 9 / 5C.

【0022】 銅製フランジ9を丸め込むためのツール22を、図7及び8に示す。このツー ルは円筒状のブロックで、その一端面に入れ子状の両フランジ9と5Cを受け入 れるように寸法決めされた環状の溝23を有する。2つの直径方向に対向したゾ ーン24と25で、溝23の深さが浅くなっている。銅製フランジ9を丸め込む ためには、入れ子状の両フランジ9と5Cが溝23内に受け入れられるように、 ツール22が組み立て後のハウジング部分1A、1B上に置かれる。その後、入 れ子状の両フランジ9と5Cに対して押し下げながらツールが回転され、フラン ジ9と5Cが所望の抱合せ及び密封構成となるように変形されるまで、上記の動 作が続けられる。A tool 22 for rolling the copper flange 9 is shown in FIGS. 7 and 8. The tool is a cylindrical block having at one end thereof an annular groove 23 dimensioned to receive both nested flanges 9 and 5C. In the two diametrically opposed zones 24 and 25, the depth of the groove 23 is shallow. To roll up the copper flange 9, the tool 22 is placed on the assembled housing parts 1A, 1B such that both nested flanges 9 and 5C are received in the groove 23. The tool is then rotated, pressing down against the two nesting flanges 9 and 5C, and the above operation is continued until the flanges 9 and 5C are deformed to the desired mating and sealing configuration. .

【0023】 ツール22のブロックは、そのブロックの作用面を過度に摩耗することなく、 所望の変形を達成するのに充分な硬さの素材で形成されるべきことは自明であろ う。この点で適切であると共に、その使用によって銅がツールに密着して付着す る傾向を最小限とし得る素材は、米国の Stoody Deloro Stellite, Inc. 及び英 国の Deloro Stellite Limited製の“STELLITE HS6”として知られるコバルトベ ースの素材である。It will be appreciated that the block of tool 22 should be formed of a material that is sufficiently hard to achieve the desired deformation without undue wear of the working surface of the block. A material that is suitable in this regard, and whose use may minimize the tendency for copper to stick to the tool, adheres to the "STELLITE HS6" from Stoody Deloro Stellite, Inc. of the United States and Deloro Stellite Limited of the United Kingdom. It is a cobalt-based material known as ".

【0024】 深さを浅くしたゾーン24と25を有する溝23の代わりに、例えば一対の直 径方向に対向したローラなど、適切な形状としたローラを溝23内に保持しても よい。Instead of the groove 23 having the shallower zones 24 and 25, an appropriately shaped roller may be retained in the groove 23, for example a pair of radially opposed rollers.

【0025】 大量生産のためには、接合する用意の整った状態にあるハウジング部分1A、 1Bに対してツールを押し下げる自動プレス装置の形でツールを設置する。次い で、所望の結合が達成されたことを圧力のフィードバック値が示すまで、圧力を 維持しながらツールが回転駆動される。結合が達成されると、回転が自動的に停 止され、新たに完成したハウジングからツールが解放される。For mass production, the tool is installed in the form of an automatic press which pushes the tool down against the housing parts 1A, 1B ready to be joined. The tool is then driven to rotate while maintaining pressure until the pressure feedback indicates that the desired bond has been achieved. Once the bond is achieved, rotation is automatically stopped and the tool is released from the newly completed housing.

【0026】 図9、10及び11に示した変更例を、以下説明する。図9、10及び11に おいて、図6の部材と対応する部材は図6と同じ参照番号で示してある。The modified examples shown in FIGS. 9, 10 and 11 will be described below. 9, 10 and 11, members corresponding to those in FIG. 6 are designated by the same reference numerals as in FIG.

【0027】 ハウジング部分1Aは、ストレス溝5Bを含む外側を向いたフランジ5Aを備 えている。ハウジング部分1Bは外側を向いた部分9Aを備えたフランジ9を含 み、両フランジ5Aと9はニッケル被覆銅である。The housing portion 1A comprises an outwardly facing flange 5A which includes a stress groove 5B. The housing portion 1B includes a flange 9 with an outwardly facing portion 9A, both flanges 5A and 9 being nickel coated copper.

【0028】 ハウジング内に収納しようとする構成部品は前記と同様に組み立てられ、その 後ハウジング部分1Aの外側を向いたフランジ5Aがハウジング部分1Bのフラ ンジ9の外側を向いた部分9Aと一致するように、ハウジング部分1Aがハウジ ング部分1B内に装入される。2つのハウジング部分1Aと1Bの一体化固定は 、外側を向いたフランジ5Aとフランジ部分9Aを一体プレスし、両者の間で冷 間溶接接合を生ぜしめることによって行われる。図12は、外側を向いたフラン ジ5Aとフランジ部分9Aを冷間溶接するのに適したツールの一部を示し、参照 番号26はアンビル、27はツールの押し込み機をそれぞれ示す。また冷間溶接 は、アンビル26を別の押し込み機と置き換え、2つの押し込み機を用いて行う こともできる。フランジ9は、使用する冷間溶接ツールを受け入れられるように 、リング7の軸方向に充分長く延びている。両フランジ5Aと9の厚さは、例え ば 0.25から0.40 mm の範囲とし得る。The components to be housed in the housing are assembled in the same way as described above, after which the outwardly facing flange 5A of the housing part 1A coincides with the outwardly facing part 9A of the flange 9 of the housing part 1B. Thus, the housing part 1A is loaded into the housing part 1B. The two housing parts 1A and 1B are integrally fixed to each other by pressing the outwardly facing flange 5A and flange part 9A together to form a cold weld joint between them. FIG. 12 shows a part of a tool suitable for cold-welding the outwardly facing flange 5A and flange portion 9A, reference numeral 26 denotes an anvil and 27 denotes a tool pusher, respectively. Alternatively, cold welding can be performed using two pushers, replacing the anvil 26 with another pusher. The flange 9 extends sufficiently long in the axial direction of the ring 7 to receive the cold welding tool used. The thickness of both flanges 5A and 9 can range, for example, from 0.25 to 0.40 mm.

【0029】 図11に示した変更例は、図3に示したハウジングと同様内側方向にも構成し 得ることは自明であろう。It will be appreciated that the modification shown in FIG. 11 can be configured inward as well as the housing shown in FIG.

【0030】[0030]

【考案の効果】[Effect of device]

前述した全ての例において、フランジはリング7の外面のいずれの地点を越え ても半径方向に突出しないため、2つ(またはそれより多い)ハウジングを従来 のハウジングより緻密にまとめて実装できる。また、本考案によればハウジング 1の組み立て前に、汚染物の発生する作業を全て行ってから、ハウジング部品を 洗浄することができる。そのため、ハウジング部品の組み立て時に汚染物は実質 上発生せず、組み立て後のハウジング内部に実質上汚染物は含まれない。 In all of the examples described above, the flange does not project radially beyond any point on the outer surface of the ring 7 so that two (or more) housings can be packed together more closely than conventional housings. Further, according to the present invention, before the assembly of the housing 1, it is possible to perform all the work of generating the contaminants and then wash the housing parts. Therefore, substantially no contaminant is generated when the housing parts are assembled, and substantially no contaminant is contained inside the housing after assembly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】半導体装置用2部品ハウジングの一方の部分の
側断面図である。
FIG. 1 is a side sectional view of one portion of a two-component housing for a semiconductor device.

【図2】2部品式ハウジングの他方の部分の側断面図で
ある。
FIG. 2 is a side sectional view of the other part of the two-part housing.

【図3】図1及び2より大きい尺度の側断面図で、半導
体装置が内部に収納されたハウジングアセンブリを示
す。
FIG. 3 is a side cross-sectional view of a larger scale than FIGS. 1 and 2, showing a housing assembly having a semiconductor device housed therein.

【図4】組み立て後のハウジングの詳細の概略図であ
る。
FIG. 4 is a detailed schematic view of the housing after assembly.

【図5】図4に示した部分の詳細の概略図である。5 is a schematic diagram of details of the portion shown in FIG. 4. FIG.

【図6】図3と同様な側断面図であるが、変更例を示
す。
6 is a side sectional view similar to FIG. 3, but showing a modification.

【図7】ハウジングの組み立てに使われるツールの断面
図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a tool used to assemble a housing.

【図8】図7に示した工具の下側から見た平面図であ
る。
8 is a plan view seen from the lower side of the tool shown in FIG. 7. FIG.

【図9】図3と同様な側断面図で、半導体装置用2部品
ハウジングの別の態様の一方の部分を示す。
FIG. 9 is a side sectional view similar to FIG. 3, showing one portion of another aspect of the two-part housing for a semiconductor device.

【図10】図2と同様な側断面図で、2部品ハウジング
の別の態様の他方の部分を示す。
FIG. 10 is a side sectional view similar to FIG. 2, showing the other part of the alternative embodiment of the two-part housing.

【図11】図9及び10のハウジング部分を示す側断面
図で、間に半導体装置を挟んで組み立てられている。
FIG. 11 is a side sectional view showing the housing portion of FIGS. 9 and 10, assembled with a semiconductor device interposed therebetween.

【図12】図9及び10に示した部分のフランジを接合
するのに適した冷間溶接ツールを示す。
FIG. 12 shows a cold welding tool suitable for joining the flanges of the parts shown in FIGS. 9 and 10.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ハウジング 1A、1B 第2、第1ハウジング 5A、5C 第2フランジ 7 円筒状部材(リング) 9 第1フランジ 13 半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Housing 1A, 1B 2nd, 1st housing 5A, 5C 2nd flange 7 Cylindrical member (ring) 9 1st flange 13 Semiconductor device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 デイヴィッド、チャールス、ハム イギリス(連合王国)、ウィルトシャイア ー、エスエヌ15、1エイエル、チッペンハ ム、グリーンウェイガーデンズ40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventors David, Charles, Ham United Kingdom (United Kingdom), Wiltshire, SN15, 1AEL, Chippenham, Greenway Gardens 40

Claims (9)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】半導体装置(13)用のハウジング(1)
において、ハウジングが、電気絶縁材料製で第1フラン
ジ(9)を有しほぼ円筒状の部材(7)からなる第1ハ
ウジング部分(1B)と、第2フランジ(5Aまたは5
C)を有する第2ハウジング部分(1A)とを備え、両
ハウジング部分が第1フランジと第2フランジの結合に
よって接合され、前記両フランジが前記部材の外面のい
ずれの地点を越えても半径方向に突き出ていないハウジ
ング。
1. A housing (1) for a semiconductor device (13).
In which the housing is made of an electrically insulating material and has a first flange (9) and a first housing part (1B) consisting of a substantially cylindrical member (7) and a second flange (5A or 5).
A second housing part (1A) having C), wherein both housing parts are joined by a connection of a first flange and a second flange, the two flanges extending radially beyond any point on the outer surface of the member. Housing not sticking out.
【請求項2】前記フランジ(9、5A)が冷間溶接によ
って相互に結合されている請求項1記載のハウジング。
2. A housing according to claim 1, wherein the flanges (9, 5A) are joined together by cold welding.
【請求項3】前記第1フランジ(9)が前記第2フラン
ジ(5C)の周囲に巻き付けられ、2つのフランジが抱
き込み合って密封する関係となる請求項1記載のハウジ
ング。
3. The housing of claim 1, wherein said first flange (9) is wrapped around said second flange (5C) such that the two flanges are in a snug, sealing relationship.
【請求項4】前記フランジの一方(5C)が他方のフラ
ンジ(9)の素材よりも硬い素材からなる請求項3記載
のハウジング。
4. A housing according to claim 3, wherein one of the flanges (5C) is made of a material harder than the material of the other flange (9).
【請求項5】前記第1フランジ(9)が前記第2フラン
ジ(5C)によって食い込まれるように2つのフランジ
(5C、9)の性質が選定されている請求項4記載のハ
ウジング。
5. The housing according to claim 4, wherein the properties of the two flanges (5C, 9) are chosen such that the first flange (9) is bitten by the second flange (5C).
【請求項6】前記ハウジング部分の一方(1B)が、半
導体装置(13)を受け入れ、他方のハウジング部分
(1A)によって一端が閉じられる収納容器であり、前
記フランジの一方(9)が前記一方のハウジング部分の
前記一端側で周壁の端部に沿って他方のハウジング部分
を取り囲むように延びており、前記フランジの他方(5
Aまたは5C)が一方のフランジと係合するように他方
のハウジング部分から延びている前記いずれかの請求項
記載のハウジング。
6. One of the housing parts (1B) is a container for receiving a semiconductor device (13) and one end of which is closed by the other housing part (1A), and one of the flanges (9) is the one part. At one end of the housing portion of the flange extending along the end of the peripheral wall so as to surround the other housing portion, and the other (5
A housing as claimed in any one of the preceding claims, wherein A or 5C) extends from the other housing part to engage one flange.
【請求項7】半導体装置(13)用のハウジングを製造
する方法において、ハウジングが、電気絶縁材料製で第
1フランジ(9)を有しほぼ円筒状の部材(7)からな
る第1ハウジング部分(1B)と、第2フランジ(5A
または5C)を有する第2ハウジング部分(1A)とを
備え、前記両フランジが前記部材の外面のいずれの地点
を越えても半径方向に突き出ないように、第1及び第2
フランジを一体結合することを含む方法。
7. A method for manufacturing a housing for a semiconductor device (13), the housing comprising a substantially cylindrical member (7) made of an electrically insulating material and having a first flange (9). (1B) and the second flange (5A
Or 2C) having a second housing part (1A), the first and second flanges so that the flanges do not project radially beyond any point on the outer surface of the member.
A method comprising integrally joining flanges.
【請求項8】前記フランジ(5A、9)が冷間溶接によ
って一体結合されている請求項7記載の方法。
8. A method according to claim 7, wherein the flanges (5A, 9) are integrally joined by cold welding.
【請求項9】前記第1フランジ(9)が前記第2フラン
ジ(5C)の周囲に、両者が抱き込み合って密封する関
係となるように巻き付けられた請求項7記載の方法。
9. The method of claim 7, wherein said first flange (9) is wrapped around said second flange (5C) in a snug and sealing relationship therebetween.
JP400785U 1989-12-18 1990-12-17 Housing for semiconductor device Pending JPH0744050U (en)

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GB8928492-1 1989-12-18
GB898928492A GB8928492D0 (en) 1989-12-18 1989-12-18 Housings for semiconductor devices

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