JPH0743273U - Wafer insulation device - Google Patents

Wafer insulation device

Info

Publication number
JPH0743273U
JPH0743273U JP7602893U JP7602893U JPH0743273U JP H0743273 U JPH0743273 U JP H0743273U JP 7602893 U JP7602893 U JP 7602893U JP 7602893 U JP7602893 U JP 7602893U JP H0743273 U JPH0743273 U JP H0743273U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
temperature
passage
wafer stage
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7602893U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
真也 米澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
Priority to JP7602893U priority Critical patent/JPH0743273U/en
Publication of JPH0743273U publication Critical patent/JPH0743273U/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は、ウェハの処理工程にて、ウェハが高
精度で温度制御され得るようにした、ウェハ保温装置を
提供することを目的とする。 【構成】ウェハ処理装置内において、ウェハを所定温度
に昇降温させ、または一定温度に保温するために、ウェ
ハ11が載置されるウェハステージ12と、該ウェハス
テージの内部に備えられた加熱保温用の加熱装置13と
を含んでいる、ウェハ保温装置10において、上記加熱
装置13が、ウェハステージ内を循環する通路13a
と、該通路内を流れる加熱制御された液体13bとから
成るように、ウェハ保温装置10を構成する。
(57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to provide a wafer heat retention apparatus capable of controlling the temperature of a wafer with high accuracy in a wafer processing step. A wafer stage 12 on which a wafer 11 is placed in order to raise or lower the temperature of the wafer to a predetermined temperature or to keep the temperature at a constant temperature in a wafer processing apparatus, and a heating and heat retaining unit provided inside the wafer stage. A heating device 13 for a wafer, the heating device 13 includes a passage 13a circulating in the wafer stage.
The wafer heat retention device 10 is configured so as to include the liquid 13b whose temperature is controlled to flow in the passage.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、ウェハ処理工程にて、ウェハ保温装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer heat insulating device in a wafer processing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

一般に、IC等の半導体装置を製造する場合、各種処理工程において、処理装 置内にて、所定の温度で、ウェハの処理が行なわれる。このため、各処理装置内 では、ウェハを所定温度に昇降温させ、または一定温度に保温するための、ウェ ハ保温装置が使用されている。 Generally, when manufacturing a semiconductor device such as an IC, in various processing steps, a wafer is processed in a processing apparatus at a predetermined temperature. For this reason, in each processing apparatus, a wafer heat retention apparatus is used for raising or lowering the temperature of the wafer to a predetermined temperature or keeping it at a constant temperature.

【0003】 このようなウェハ保温装置としては、例えば図3に示すように構成された、ウ ェハ保温装置が知られている。即ち、図3において、ウェハ保温装置1は、ウェ ハ2が載置されるウェハステージ3と、該ウェハステージ3の内部に備えられた 加熱保温用のヒーター4とから構成されている。As such a wafer heat retention device, there is known a wafer heat retention device configured as shown in FIG. 3, for example. That is, in FIG. 3, the wafer heat retention apparatus 1 is composed of a wafer stage 3 on which the wafer 2 is placed and a heater 4 for heating and heat retention provided inside the wafer stage 3.

【0004】 該ウェハステージ3は、その上面が、ウェハ2を支持するために、実質的に平 坦に形成されている。また、ヒーター4は、図示しない制御装置に接続されてお り、この制御装置によって、ウェハ2が、所定温度に昇降温され、または一定温 度に保温されるようになっている。The upper surface of the wafer stage 3 is formed substantially flat so as to support the wafer 2. The heater 4 is connected to a control device (not shown), and the control device controls the temperature of the wafer 2 to be raised or lowered to a predetermined temperature or kept at a constant temperature.

【0005】 このような構成のウェハ保温装置1によれば、先づウェハ2をウェハステージ 3の上面に載置し、制御装置によって、ヒーター4を駆動制御することにより、 ウェハステージ3全体が、加熱保温される。これにより、該ウェハステージ3の 上面に載置されたウェハ2が、所定温度に昇降温せしめられ、または一定温度に 保温され得ることになる。According to the wafer heat retention apparatus 1 having such a configuration, the wafer 2 is first placed on the upper surface of the wafer stage 3 and the heater 4 is drive-controlled by the controller, whereby the entire wafer stage 3 is Heated and kept warm. As a result, the wafer 2 placed on the upper surface of the wafer stage 3 can be raised or lowered to a predetermined temperature or kept at a constant temperature.

【0006】[0006]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかしながら、このようなウェハ保温装置1においては、ヒーター4からウェ ハステージ3への熱伝導効率が比較的低いことから、ウェハ2の温度制御の精度 が低くなってしまう。従って、ウェハ処理を所定の温度で行なうことができなく なり、処理が良好に行なわれ得なくなって、ウェハ処理の歩留まりが低下するこ とになってしまう。 However, in such a wafer heat retention apparatus 1, since the heat conduction efficiency from the heater 4 to the wafer stage 3 is relatively low, the accuracy of temperature control of the wafer 2 becomes low. Therefore, the wafer processing cannot be performed at a predetermined temperature, the processing cannot be performed well, and the yield of the wafer processing is reduced.

【0007】 本考案は、以上の点に鑑み、ウェハの処理工程にて、ウェハが高精度で温度制 御され得るようにした、ウェハ保温装置を提供することを目的としている。In view of the above points, an object of the present invention is to provide a wafer heat insulating device that can control the temperature of a wafer with high accuracy in a wafer processing step.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

上記目的は、本考案によれば、ウェハ処理装置内において、ウェハを所定温度 に昇降温させ、または一定温度に保温するために、ウェハが載置されるウェハス テージと、該ウェハステージの内部に備えられた加熱保温用の加熱装置とを含ん でいる、ウェハ保温装置において、上記加熱装置が、ウェハステージ内を循環す る通路と、該通路内を流れる加熱制御された液体とから構成されていることを特 徴とする、ウェハ保温装置により、達成される。 According to the present invention, in order to raise or lower the temperature of a wafer in a wafer processing apparatus or to keep it at a constant temperature, a wafer stage on which a wafer is placed and an inside of the wafer stage are provided. In a wafer heat retention device including a heating heat retention device provided, the heating device comprises a passage circulating in the wafer stage and a heat-controlled liquid flowing in the passage. This is achieved by the wafer heat insulation device, which is characterized by that

【0009】[0009]

【作用】[Action]

上記構成によれば、ウェハステージの内部を循環するように形成された通路内 を、加熱された液体が流れることになる。これにより、ウェハステージは、内部 を循環する液体によって、加熱・保温されることになる。従って、従来のヒータ ーによる加熱に比較して、熱伝導効率が良好となり、ウェハステージ及びウェハ が、全体に亘って均等に加熱・保温されるので、該ウェハの温度制御が高精度で 行なわれ得ることになる。 According to the above configuration, the heated liquid flows in the passage formed so as to circulate inside the wafer stage. As a result, the wafer stage is heated and kept warm by the liquid circulating inside. Therefore, as compared with the conventional heating by the heater, the heat conduction efficiency is improved, and the wafer stage and the wafer are uniformly heated and kept warm, so that the temperature control of the wafer can be performed with high accuracy. You will get it.

【0010】[0010]

【実施例】【Example】

以下、図面に示した実施例に基づいて、本考案を詳細に説明する。 図1は、本考案によるウェハ保温装置の一実施例を示している。図1において 、ウェハ保温装置10は、ウェハ11が載置されるウェハステージ12と、該ウ ェハステージ12の内部に備えられた加熱保温用の加熱装置13とから構成され ている。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a wafer heat insulating device according to the present invention. In FIG. 1, the wafer heat insulation device 10 is composed of a wafer stage 12 on which a wafer 11 is placed, and a heating device 13 for heating and heat insulation provided inside the wafer stage 12.

【0011】 該ウェハステージ12は、その上面が、実質的に平坦に形成されている。The upper surface of the wafer stage 12 is formed substantially flat.

【0012】 以上の構成は、図3に示した従来のウェハ保温装置1と同様の構成であるが、 本考案実施例によるウェハ保温装置10においては、加熱装置13は、ヒーター ではなく、ウェハステージ12の内部を循環するように形成された通路13aと 、該通路13aを流れる加熱液体とから構成されている。The above structure is similar to the conventional wafer heat retention device 1 shown in FIG. 3, but in the wafer heat retention device 10 according to the embodiment of the present invention, the heating device 13 is not a heater but a wafer stage. It is composed of a passage 13a formed so as to circulate inside 12 and a heating liquid flowing in the passage 13a.

【0013】 上記通路13aは、図示の場合、ウェハステージ12の左側から右側に向かっ て、通路長が長くなるように、ジグザグ状に配設されている。In the illustrated case, the passages 13 a are arranged in a zigzag shape so that the passage length becomes longer from the left side to the right side of the wafer stage 12.

【0014】 また、該通路13a内に流される液体は、図示しない供給源から、所定温度に 温度制御されて供給され、例えば油等の熱容量の比較的大きい液体が使用され得 る。The liquid flowing in the passage 13a is supplied from a supply source (not shown) while being temperature-controlled to a predetermined temperature, and a liquid having a relatively large heat capacity such as oil can be used.

【0015】 本考案実施例によるウェハ保温装置10は、以上のように構成されており、使 用する場合には、以下のようにして、操作が行なわれる。The wafer heat insulation apparatus 10 according to the embodiment of the present invention is configured as described above, and when used, the operation is performed as follows.

【0016】 即ち、先づウェハ11を,ウェハステージ12の上面に載置して、図示しない 供給源から通路13a内に、所定温度に温度制御された加熱液体が流される。That is, the wafer 11 is first placed on the upper surface of the wafer stage 12, and a heating liquid whose temperature is controlled to a predetermined temperature is caused to flow into the passage 13a from a supply source (not shown).

【0017】 ここで、該液体は、通路13aを通過する際に、ウェハステージ12を加熱・ 保温することになり、ウェハステージ12が所定温度に昇降温され、または一定 温度に保温される。その際、通路13aがウェハステージ12内をジグザグに循 環していることにより、ウェハステージ12は、その全体が均等に加熱され得る ことになる。これにより、ウェハステージ12上に載置されたウェハ11は、全 体に亘って均等に加熱・保温され得ることになる。Here, the liquid heats and keeps the temperature of the wafer stage 12 when passing through the passage 13a, so that the temperature of the wafer stage 12 is raised and lowered to a predetermined temperature or kept at a constant temperature. At that time, since the passage 13a circulates in the wafer stage 12 in a zigzag manner, the entire wafer stage 12 can be heated uniformly. As a result, the wafer 11 placed on the wafer stage 12 can be uniformly heated and kept warm throughout.

【0018】 従って、ウェハステージ12は、通路13aを循環する液体によって加熱・保 温されることにより、熱伝導効率が向上せしめられることになり、該ウェハ11 の温度制御が高精度で行なわれ得ることになる。かくして、ウェハ処理が正確に 所定の温度で行なうことができ、当該処理が良好に行なわれ得るので、ウェハ処 理の歩留まりが向上せしめられ得ることになる。Therefore, the wafer stage 12 is heated and kept warm by the liquid circulating in the passage 13a, so that the heat conduction efficiency is improved, and the temperature of the wafer 11 can be controlled with high accuracy. It will be. Thus, the wafer processing can be performed accurately at a predetermined temperature, and the processing can be performed satisfactorily, so that the yield of wafer processing can be improved.

【0019】 図2は、本考案に係るウェハ保温装置の変形例を示している。図中、図1と対 応する部分は同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。FIG. 2 shows a modified example of the wafer heat retention apparatus according to the present invention. In the figure, those parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

【0020】 本変形例によるウェハ保温装置20は、加熱装置13の通路13aが螺旋状に 配設されており、ステージ表面をくまなく加熱するよう工夫されている。In the wafer heat retention device 20 according to the present modification, the passage 13 a of the heating device 13 is spirally arranged, and is devised so as to heat the stage surface all over.

【0021】 尚、上述した実施例においては、通路13aに流される液体として、油が使用 されているが、これに限らず、熱容量の比較的大きな液体であれば、任意の液体 が使用され得ることは明らかである。In the above-described embodiment, oil is used as the liquid flowing in the passage 13a, but the liquid is not limited to this, and any liquid may be used as long as it has a relatively large heat capacity. That is clear.

【0022】[0022]

【考案の効果】[Effect of device]

以上述べたように、本考案によれば、ウェハの処理工程にて、ウェハが高精度 で温度制御され得るようにした、極めて優れたウェハ保温装置が提供され得るこ とになる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an extremely excellent wafer heat retaining device that enables the temperature of the wafer to be controlled with high accuracy in the wafer processing step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案によるウェハ保温装置の一実施例を示す
概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a wafer heat insulating device according to the present invention.

【図2】本考案によるウェハ保温装置の変形例を示す概
略斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a modified example of the wafer heat insulating device according to the present invention.

【図3】従来のウェハ保温装置の一例を示す概略断面図
である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional wafer heat retention device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,20 ウェハ保温装置 11 ウェハ 12 ウェハステージ 13 加熱装置 13a 通路 13b 油 10, 20 Wafer insulation device 11 Wafer 12 Wafer stage 13 Heating device 13a Passage 13b Oil

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 ウェハ処理装置内において、ウェハを所
定温度に昇降温させ、または一定温度に保温するため
に、ウェハが載置されるウェハステージと、該ウェハス
テージの内部に備えられた加熱保温用の加熱装置とを含
んでいる、ウェハ保温装置において、 上記加熱装置が、ウェハステージ内を循環する通路と、
該通路内を流れる加熱制御された液体とから構成されて
いることを特徴とする、ウェハ保温装置。
1. A wafer stage on which a wafer is placed in order to raise or lower the temperature of the wafer to a predetermined temperature or to keep the temperature at a constant temperature in a wafer processing apparatus, and a heating and heat retaining unit provided inside the wafer stage. And a heating device for heating the wafer, wherein the heating device includes a passage circulating in the wafer stage,
A wafer heat retention device, which is composed of a liquid whose temperature is controlled to flow in the passage.
JP7602893U 1993-12-29 1993-12-29 Wafer insulation device Pending JPH0743273U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7602893U JPH0743273U (en) 1993-12-29 1993-12-29 Wafer insulation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7602893U JPH0743273U (en) 1993-12-29 1993-12-29 Wafer insulation device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0743273U true JPH0743273U (en) 1995-08-18

Family

ID=13593375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7602893U Pending JPH0743273U (en) 1993-12-29 1993-12-29 Wafer insulation device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0743273U (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3188363B2 (en) Temperature controller using circulating coolant and temperature control method therefor
KR970071993A (en) Substrate Temperature Control Method, Substrate Heat Treatment Apparatus and Substrate Support Apparatus
JP3583467B2 (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
KR101994570B1 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP3933765B2 (en) Substrate heat treatment method and apparatus
JPH0743273U (en) Wafer insulation device
JPH11110053A (en) Temperature control device for substrate
KR0161013B1 (en) Apparatus and control method of washing machine having heater
JPH10189429A (en) Substrate heating apparatus
JPH08117590A (en) Temperature cycle apparatus
JPS63278227A (en) Heat treatment equipment
JP3644767B2 (en) High temperature chemical bath heating apparatus and method for semiconductor manufacturing
JPS5812714A (en) Controller for temperature of mold
JPH0742140U (en) Wafer insulation device
JP2556508Y2 (en) Double heating oven
JP2007158110A (en) Substrate treatment apparatus
JP4128318B2 (en) Heat treatment apparatus and control method for heat treatment apparatus
JPH0221005B2 (en)
JPH04102315A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JPH0454825Y2 (en)
JPS5935736A (en) Space heating device
JPS6021383Y2 (en) heat treatment furnace
JP2000130774A (en) Floor heater
KR100327907B1 (en) Temperature gradient apparatus
KR101679259B1 (en) Heat treatment apparatus of energy saving type