JPH0742030Y2 - 超音波霧化装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［考案の目的］ （産業上の利用分野） 本考案は振動子とトランジスタとが設けられたチャンバ
ーベースと、振動子駆動用の励振回路を有する回路基板
と、この回路基板を囲む雑音低減用のシールドケースと
を備えた超音波霧化装置に関し、特にチャンバーベース
に回路基板とシールドケースとを取付け固定する取付構
造の改良に関する。

（従来の技術） 従来この種の超音波霧化装置は実公平１−9659号公報等
で提案されており、第６図乃至第８図に示されているよ
うに構成されている。同図において１はチャンバーベー
スであり、このチャンバーベース１には図示しない霧化
槽の底部に配される圧電振動子２が略中央に設けられ、
パワートランジスタ３が端部に設けられている。４は励
振回路を構成する励振用出力素子５が配設された回路基
板、６は下部シールドケース、6Aは上部シールドケー
ス、7,7Aは前記チャンバーベース１に前記回路基板４と
前記下部シールドケース６とを取付け固定する一対のビ
ス、８は回路基板４及び下部シールドケース６に設けら
れた孔、8Aはチャンバーベース１に設けられたビス孔で
ある。そして、組立時においては先ず第７図に示すよう
にチャンバーベース１の端部の下側に回路基板４を重ね
合せ、回路基板４の孔８を通しチャンバーベース１のビ
ス孔8Aに一対のビス7,7Aを螺着してチャンバーベース１
に回路基板４を仮止めし、この後チャンバーベース１に
設けられているパワートランジスタ３のリード3Aを回路
基板４の回路パターンに半田付けし、この後ビス7,7Aを
第７図の矢印に示すように取り外し、さらにこの後第８
図に示すように回路基板４の下側に下部シールドケース
６を重ね合せ、下部シールドケース６と回路基板４との
孔８を通しチャンバーベース１のビス孔8Aに一対のビス
7,7Aを螺着してチャンバーベース１に回路基板４及び下
部シールドケース６を取付け固定し、この後下部シール
ドケース６に上部シールドケース6Aを適宜手段により固
定するものである。この場合、前記シールドケース6,6A
と前記トランジスタ３のコレクタと前記圧電振動子２の
水側の電極とは充分な導電性をもって接続されており、
これにより雑音の低減化を図っている。

（考案が解決しようとする課題） 上記従来技術においては、チャンバーベース１に設けら
れているパワートランジスタ３を回路パターンに半田付
けするために、回路基板４をチャンバーベース１にビス
7,7Aにより仮止めし、この状態で半田付けした後第７図
のようにビス7,7Aを取り外し、再度ビス7,7Aを螺着して
第８図のようにチャンバーベース１にシールドケース６
を取付け固定していたため組立工数が多く手間がかかる
ものであった。

そこで本考案はトランジスタの半田付けのために行われ
るビスによる仮止め工程を省略することができる超音波
霧化装置を提供することを目的とする。

［考案の構成］ （課題を解決するための手段） 本考案はチャンバーベース11に振動子12とトランジスタ
13とを設け、前記チャンバーベース11の端部の下側に励
振用出力素子15が配設された回路基板14とシールドケー
ス21とを重ね合せてビス16,22により固定し、前記振動
子12の振動により水を霧化する超音波霧化装置におい
て、前記チャンバーベース11に前記回路基板14を１本の
ビス16により固定し、前記チャンバーベース11に前記回
路基板14と前記シールドケース21とを他の１本のビス22
により固定し、前記回路基板14にはビス止め箇所を含ん
でアースレベルの導電路19が形成され、この導電路19は
前記シールドケース21と導電性を有して接触してなるも
のである。

（作用） 上記構成によって１本のビス16によりチャンバーベース
11に回路基板14が固定され、この状態でトランジスタ13
が半田付けされ、この後前記ビス16を取り外すことなく
他の１本のビス22によりチャンバーベース11にシールド
ケース21が固定され、シールドケース21は回路基板14の
アースレベルの導電路19に充分な導電性を有して接続さ
れる。

（実施例） 以下、本考案の一実施例を添付図面を参照して説明す
る。

第１図乃至第５図において、11はチャンバーベースであ
り、この略中央には圧電振動子12が設けられているとと
もに端部の上側にはパワートランジスタ13が設けられて
いる。14は励振回路を構成する励振用出力素子15群が配
設された回路基板であり、この回路基板14の端部が第２
図に示すように前記チャンバーベース11の端部の下側に
重ね合わされて１本のビス16により固定されている。こ
のビス16は回路基板14の孔17に挿通しチャンバーベース
11のネジ孔18に螺着されている。この回路基板14の下面
端部には第５図に示すようにアースレベルの導電路19が
形成され、この導電路19にはパワートランジスタ13のコ
レクタリード13Aが半田付けされていると共に、回路パ
ターン20には前記パワートランジスタ13の他のリード13
B,13Cが半田付けされている。21は下部シールドケース
であり、この端部が第４図に示すように前記回路基板14
の下面端部のアースレベルの導電路19に重ね合わされた
状態で他の１本のビス22により固定されている。このビ
ス22は下部シールドケース21の孔23と回路基板14の孔24
に挿通しチャンバーベース11のネジ孔25に螺着されてい
る。また下部シールドケース21には前記ビス16の頭部16
Aを嵌入する孔26が設けられている。27は上部シールド
ケースであり、前記下部シールドケース21に設けた突条
28と係合する条溝29を設け下部シールドケース21に上部
シールドケース27を嵌合し結合されている。この場合、
アースレベルの導電路19はビス22によるビス止め箇所を
含んで形成されていると共に、シールドケース21,27は
アルミ、銅、鉄等の高周波の伝導の良好な材質からなっ
ている。

そして、組立時においては先ず第２図に示すようにチャ
ンバーベース11の端部の下側に回路基板14を１本のビス
16により固定し、この後チャンバーベース11に設けられ
ているパワートランジスタ13のリード13A,13B,13Cを回
路基板14の導電路19を含む回路パターン20に半田付け
し、この後ビス16を外すことなく、第４図に示すように
他の１本のビス22により下部シールドケース21を回路基
板14の下側に重ね合せた状態でチャンバーベース11に固
定するものである。このため、従来のものに比べてトラ
ンジスタの半田付けのために必要としたビスによる回路
基板の仮止め工程が省略されるため組立作業の簡略化を
図ることができるとともに、ビス22によりシールドケー
ス21をチャンバーベース11に固定することによってアー
スレベルの導電路19を介してシールドケース21がアース
レベルに接続され雑音低減効果が得られる。

なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく本
考案の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能であ
る。例えば、シールドケースの材質又は構造は適宜選定
すればよい。

［考案の効果］ 本考案はチャンバーベースに振動子とトランジスタとを
設け、前記チャンバーベースの端部の下側に励振用出力
素子が配設された回路基板とシールドケースとを重ね合
せてビスにより固定し、前記振動子の振動により水を霧
化する超音波霧化装置において、前記チャンバーベース
に前記回路基板を１本のビスにより固定し、前記チャン
バーベースに前記回路基板と前記シールドケースとを他
の１本のビスにより固定し、前記回路基板にはビス止め
箇所を含んでアースレベルの導電路が形成され、この導
電路は前記シールドケースと導電性を有して接触してな
り、トランジスタの半田付けのために必要とした回路基
板の仮止め工程を省略することができるとともに雑音の
低減化を図ることのできる超音波霧化装置を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図は本考案の一実施例を示し、第１図は
分解斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図
は組立状態を示す斜視図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線断
面図、第５図は回路基板の回路パターンを示す正面図、
第６図乃至第８図は従来例を示し、第６図は分解斜視
図、第７図は第６図のＣ−Ｃ線断面図、第８図は組立状
態を示す断面図である。 11…チャンバーベース 12…圧電振動子（振動子） 13…パワートランジスタ（トランジスタ） 14…回路基板 15…励振用出力素子 16…ビス 19…導電路 21,27…シールドケース 22…ビス

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】チャンバーベースに振動子とトランジスタ
   とを設け、前記チャンバーベースの端部の下側に励振用
   出力素子が配設された回路基板とシールドケースとを重
   ね合せてビスにより固定し、前記振動子の振動により水
   を霧化する超音波霧化装置において、前記チャンバーベ
   ースに前記回路基板を１本のビスにより固定し、前記チ
   ャンバーベースに前記回路基板と前記シールドケースと
   を他の１本のビスにより固定し、前記回路基板にはビス
   止め箇所を含んでアースレベルの導電路が形成され、こ
   の導電路は前記シールドケースと導電性を有して接触し
   てなることを特徴とする超音波霧化装置。