JPH0740652B2 - 利得制御回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は信号増幅回路に係り、特に磁気記録装置の再生
信号に好適な広帯域でかつ増幅度を可変できる信号増幅
回路に関する。

〔従来の技術〕

従来用いられている利得を変えることのできる信号増幅
回路は、例えば特公昭58−683に記載しているようにト
ランジスタのエミツタに流れる電流によってエミツタ抵
抗を変化させるベース接地回路を用いて、コレクターか
ら出力を得ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

一般にトランジスタの周波数利得幅はエミツタ電流に依
存する。広帯域化を実現するには、エミツタ電流を最適
値付近に選び、固定化すべきである。しかるに前記公知
例はエミツタ電流を変化させるものであり広帯域化の点
で配慮されていない。またエミツタ電流を変えるとコレ
クタの電圧が変わる。すなわち、制御する信号そのもの
が出力に重畳され、特に信号と制御信号が同一周波数帯
の場合、分離が不能となり大きな問題となる。

本発明の目的は利得を制御でき、かつ高域の周波数特性
も良く、信号と制御信号が重畳しない利得制御回路を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明ではいわゆるPINダイオードと呼ばれる可変抵抗
素子を用いる。PINダイオードはPINダイオードに流れる
直流バイアス電流によつてその交流抵抗が変わる素子で
ある。

この可変抵抗素子とトランジスタで増幅回路を構成し、
さらに、トランジスタのエミツタ電流が一定になるよう
に構成し、広帯域でかつ利得制御できる回路を提供す
る。

〔作用〕

即ち、本発明の構成によれば、入力信号はトランジスタ
によつて増幅され、利得はコレクタ抵抗と可変抵抗素子
の交流抵抗の比で決まり、上記の交流抵抗は直流バイア
ス電流に反比例して変化する。

一方、制御電圧で可変抵抗素子の直流バイアス電流を変
えてもトランジスタの直流バイアス電流は適宜の回路構
成で一定に保つことができる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を説明する。

本実施例は第１図に示すとおりエミツタ接地の増幅回路
の差動回路を組み合わせたものである。

エミツタ接地の増幅回路はトランジスタ１、いわゆるPI
Nダイオードと呼ばれる可変抵抗素子5,抵抗７、から構
成される。トランジスタ１のエミツタ電流のうち、直流
バイアス分はトランジスタ2,3で差動的に分流する。そ
してトランジスタ４によつて該エミツタ電流は定まる。

入力信号はトランジスタ１によつて増幅される。トラン
ジスタ１のエミツタ側で信号分はインダクタンス６で阻
止されるので利得はコレクタ抵抗７の可変抵抗素子５の
交流抵抗の比で定まる。なお、トランジスタ３のコレク
タ側から見たインピーダンスは一般に可変抵抗素子５に
比べて十分大きいのでインダクタンス６はなくても良
い。イダクタンス６を設けることによつて浮遊容量が増
加することがあり、特に10MHz以上の高周波の信号を取
扱う場合には、インダクタンス６を取り除いた方が高周
波特性の点から得策である。可変抵抗素子５の交流抵抗
は可変抵抗素子５に流れる直流バイアス電流に反比例し
て変わる。具体的な特性例を述べるPINダイオードの直
流バイアス電流が1.2mAのとき交流抵抗は75Ωであり、
直流バイアス電流が0.6mAのとき交流抵抗は150［Ω］と
なる。よつて可変抵抗素子５に流れる直流バイアス電流
でトランジスタ１の利得を可変できる。

可変抵抗素子５に流す直流バイアス電流はトランジスタ
２のベースに入る制御電圧と抵抗10,11によつて設定し
たトランジスタ３のベース電圧との差によつて定めた。
制御電圧で可変抵抗素子５に流れる直流バイアス電流を
変えてもトランジスタ２と３に流れる電流の和であるト
ランジスタ１に流れる直流バイアス電流は、トランジス
タ４における抵抗12,13,14によつて設定でき、一定であ
る。

本実施例によれば制御電圧を変え、利得を変えることが
でき、また入力を増幅するトランジスタ１のエミツタ電
流を一定にでき、かつトランジスタの周波数帯域を広く
できる最適電流でトランジスタを動作させる事が可能と
なり、広帯域な利得制御回路が構成できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば信号増幅用トランジスタに流す直流電流
を一定にできるので10〔MHz〕以上の高周波帯でも利用
でき、そして、直流電流が一定なので出力の直流バイア
スは一定であるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す回路図である。 １〜４……トランジスタ、５……可変抵抗素子、６……
インダクタンス、７〜14……抵抗、15……コンデンサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 仁 東京都小平市御幸町32番地 日立電子株式 会社小金井工場内 (72)発明者 江藤 良純 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 梅本 益雄 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１のトランジスタのベースから入力信号
   が入力され、該第１のトランジスタのコレクタが抵抗を
   介して直流電源と接続され、該入力信号を増幅して上記
   第１のトランジスタのコレクタから出力信号を得るエミ
   ッタ接地形の増幅回路と、該第１のトランジスタのエミ
   ッタに接続され、第２のトランジスタ、第３のトランジ
   スタ、可変抵抗、及びコンデンサからなり、上記第２の
   トランジスタのコレクタは上記可変抵抗を介して上記第
   １のトランジスタのエミッタと接続され、上記第２のト
   ランジスタのコレクタは上記コンデンサを介して接地さ
   れ、上記第２のトランジスタのベースからは上記可変抵
   抗の直流バイアス電流を制御する制御電圧が入力されて
   おり、上記第３のトランジスタのコレクタは上記第１の
   トランジスタのエミッタに接続されている差動増幅回路
   と、上記第２及び第３のトランジスタのエミッタにコレ
   クタが接続された第４のトランジスタを有し該第４のト
   ランジスタのエミッタが直流電源と接続されて上記第１
   のトランジスタに流れる直流バイアス電流を設定する定
   電流設定手段とからなることを特徴とする利得制御回
   路。
2. 【請求項２】上記第１のトランジスタのエミッタと上記
   第３のトランジスタのコレクタとの間にインダクタンス
   を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の利得制御回路。