JPH0738483B2 - Semiconductor laser frequency stabilizer - Google Patents
Semiconductor laser frequency stabilizerInfo
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- JPH0738483B2 JPH0738483B2 JP61284700A JP28470086A JPH0738483B2 JP H0738483 B2 JPH0738483 B2 JP H0738483B2 JP 61284700 A JP61284700 A JP 61284700A JP 28470086 A JP28470086 A JP 28470086A JP H0738483 B2 JPH0738483 B2 JP H0738483B2
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Description
【発明の詳細な説明】 概要 1.5μｍ帯波長で発振する半導体レーザの出力光の一部
を第２高調波に変換し、この第２高調波をルビジウム蒸
気が内部に封入された気体容器に透過させて、光電変換
手段で受光するように装置を構成する。半導体レーザの
発振周波数が変動すると第２高調波の周波数も変動し、
気体容器内のルビジウム蒸気の原子線吸収スペクトル
（波長0.78μｍ近辺）は一定であるから、第２高調波の
周波数変動に応じて気体容器の透過光強度が変動する。
従って、光電変換手段の出力が一定になるように半導体
レーザの発振周波数が依存するパラメータ、例えば半導
体レーザの駆動電流をフィードバック制御するパラメー
タ制御手段を前記構成に加えることにより、半導体レー
ザの発振周波数を安定化することが可能となる。DETAILED DESCRIPTION Outline A part of the output light of a semiconductor laser that oscillates at a wavelength of 1.5 μm band is converted into a second harmonic, and the second harmonic is transmitted to a gas container in which rubidium vapor is sealed. Then, the device is configured so that the photoelectric conversion means receives the light. When the oscillation frequency of the semiconductor laser fluctuates, the frequency of the second harmonic also fluctuates,
Since the atomic ray absorption spectrum (wavelength around 0.78 μm) of rubidium vapor in the gas container is constant, the transmitted light intensity of the gas container changes according to the frequency change of the second harmonic.
Therefore, the oscillation frequency of the semiconductor laser can be adjusted by adding a parameter on which the oscillation frequency of the semiconductor laser depends so that the output of the photoelectric conversion means becomes constant, for example, parameter control means for feedback controlling the driving current of the semiconductor laser. It becomes possible to stabilize.
産業上の利用分野 本発明は、コヒーレント光通信及びコヒーレント光計測
等の光源として用いるのに適した半導体レーザの周波数
安定化装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser frequency stabilizing device suitable for use as a light source for coherent optical communication and coherent optical measurement.
近年、光通信の分野においては、光の周波数使用効率の
向上及び変調速度の高速化等の要請から、光の周波数及
び位相を制御するようにしたコヒーレント光通信技術の
研究が活発化している。また、計測の分野においては、
光の可干渉性を積極的に利用して、極めて高精度の測距
及びその微小変位の測定等が実現している（コヒーレン
ト光計測）。In recent years, in the field of optical communication, coherent optical communication technology for controlling the frequency and phase of light has been actively researched due to demands for improving the efficiency of frequency use of light and increasing the modulation speed. In the field of measurement,
By actively utilizing the coherence of light, extremely accurate distance measurement and measurement of its minute displacement have been realized (coherent light measurement).
これらの用途の光源、例えばコヒーレント光通信の受信
側における局部発振器の光源としては、半導体レーザが
用いられる。この光源に要求される特性は、第１に出力
光のスペクトル幅が小さいこと、第２に出力光の周波数
が安定していることが挙げられるが、半導体レーザの発
振周波数は駆動電流及び温度等に非常に敏感であり、こ
れらのファクターを厳密に管理するだけでは、コヒーレ
ント光通信等の用途に耐え得る周波数安定性を達成する
ことが事実上困難であるとされている。このため、発振
周波数の変動を極力抑えるために、半導体レーザの周波
数安定化装置が必要になる。A semiconductor laser is used as a light source for these applications, for example, a light source of a local oscillator on the receiving side of coherent optical communication. The characteristics required for this light source are, firstly, that the spectral width of the output light is small, and secondly that the frequency of the output light is stable. The oscillation frequency of the semiconductor laser depends on the driving current, temperature, etc. It is said that it is very difficult to achieve frequency stability that can withstand applications such as coherent optical communication simply by strictly controlling these factors. Therefore, in order to suppress the fluctuation of the oscillation frequency as much as possible, a frequency stabilizing device for the semiconductor laser is required.
従来の技術 従来、半導体レーザの周波数安定化装置としては、原子
あるいは分子の吸収線を利用したものが提案されてい
る。第４図はこの種の安定化装置の一例を示すものであ
る。11は所定波長の光を出力する半導体レーザ、14は半
導体レーザ11の一部の出力光軸上に配置される受光器で
ある。12,13は当該光軸上の共焦点位置に設けられるレ
ンズ系であり、半導体レーザ11の出力光をコリメートし
た後に受光器14に結合する。レンズ系12,13間には、該
出力光を透過する材質からなる気体容器15が配置され、
この気体容器15内には、所定波長の光を吸収する気体が
所定圧力で封入されている。16は半導体レーザ11の駆動
電流制御回路であり、この駆動電流制御回路16は、受光
器14の受光光強度に応じた出力信号が一定に保たれるよ
うに、半導体レーザ11の駆動電流をフィードバック制御
するものである。2. Description of the Related Art Conventionally, as a frequency stabilizing device for a semiconductor laser, a device utilizing absorption lines of atoms or molecules has been proposed. FIG. 4 shows an example of this type of stabilizing device. Reference numeral 11 is a semiconductor laser that outputs light of a predetermined wavelength, and 14 is a light receiver that is arranged on a part of the output optical axis of the semiconductor laser 11. Lens systems 12 and 13 are provided at confocal positions on the optical axis, and are coupled to the photodetector 14 after collimating the output light of the semiconductor laser 11. A gas container 15 made of a material that transmits the output light is disposed between the lens systems 12 and 13.
In the gas container 15, a gas that absorbs light of a predetermined wavelength is sealed at a predetermined pressure. Reference numeral 16 is a drive current control circuit for the semiconductor laser 11, and this drive current control circuit 16 feeds back the drive current of the semiconductor laser 11 so that the output signal according to the intensity of the received light of the photodetector 14 is kept constant. To control.
このような周波数安定化装置において、気体容器15内で
の吸収波長が半導体レーザ11の発振波長にほぼ一致する
ように、封入する気体原子あるいは分子を選択しておく
と、半導体レーザ11の出力光は、気体容器15を透過する
際に吸収波長で吸収されて、所定強度で受光器14に受光
されることになる。温度等の変動により半導体レーザ11
の発振周波数が変動すると、これに応じて気体容器15に
おける吸収量も変動するので、受光器14の出力信号の変
化に応じて、半導体レーザ11の駆動電流をフィードバッ
ク制御することにより、受光器14の出力信号が一定に保
たれる、つまり半導体レーザ11の発振周波数が一定に保
たれるものである。In such a frequency stabilizer, if the gas atoms or molecules to be enclosed are selected so that the absorption wavelength in the gas container 15 substantially matches the oscillation wavelength of the semiconductor laser 11, the output light of the semiconductor laser 11 Is absorbed at the absorption wavelength when passing through the gas container 15, and is received by the light receiver 14 with a predetermined intensity. Semiconductor laser 11 due to fluctuations in temperature, etc.
If the oscillation frequency fluctuates, the absorption amount in the gas container 15 also fluctuates accordingly. Therefore, by feedback controlling the drive current of the semiconductor laser 11 according to the change in the output signal of the photodetector 14, the photodetector 14 Output signal is kept constant, that is, the oscillation frequency of the semiconductor laser 11 is kept constant.
発明が解決しようとする問題点 ところで、石英系光ファイバにおける最も伝送損失の小
さな波長域は1.5μｍ帯であるとされ、近年この波長域
で十分実用に耐え得る半導体レーザが開発されるに至
り、伝送波長は1.3μｍ帯以下のものから1.5μｍ帯に移
行してきている。Problems to be Solved by the Invention By the way, it is said that the wavelength band with the smallest transmission loss in the silica optical fiber is the 1.5 μm band, and in recent years, a semiconductor laser that can withstand practical use in this wavelength band has been developed. The transmission wavelength is shifting from 1.3 μm band or less to 1.5 μm band.
しかし、1.5μｍ帯の発振波長の半導体レーザに前述し
た周波数安定化装置を適用する場合には、この波長帯に
吸収波長を有する適当な原子線がないので、H2O及びNH3
等の分子線吸収を利用せざるを得ない。分子線吸収は、
原子のエネルギー準位変化に伴う原子線吸収と異なり、
分子の回転・振動運動等に伴うものであるので、一般に
吸収量が少なく、信頼性の高い周波数安定化装置を提供
しようとすると、気体容器が大型化すると共に制御回路
が複雑化するという問題が生じる。However, when the above-mentioned frequency stabilizer is applied to a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 1.5 μm band, since there is no suitable atomic beam having an absorption wavelength in this wavelength band, H 2 O and NH 3
There is no choice but to use molecular beam absorption such as. Molecular beam absorption is
Unlike atomic beam absorption that accompanies changes in the energy levels of atoms,
Since it is accompanied by molecular rotation / vibration motion, etc., generally, when trying to provide a highly reliable frequency stabilizer with a small amount of absorption, there is a problem that the gas container becomes large and the control circuit becomes complicated. Occurs.
また、分子線吸収を用いる場合には、多数の吸収線が存
在するために、所望の絶対波長を設定することが困難で
あるという問題もある。Further, when molecular beam absorption is used, there is a problem that it is difficult to set a desired absolute wavelength because there are many absorption lines.
本発明は、上記分子線吸収を利用することに起因する問
題を排除した半導体レーザの周波数安定化装置を提供す
ることを目的としている。An object of the present invention is to provide a frequency stabilizing device for a semiconductor laser, which eliminates the problems caused by utilizing the molecular beam absorption.
問題点を解決するための手段 第１図は本発明の周波数安定化装置の基本構成図であ
り、この周波数安定化装置は、1.5μｍ帯波長で発振す
る半導体レーザ１と、その内部にルビジウム蒸気が封入
され0.8μｍ帯波長の光をルビジウム原子吸収線により
吸収する気体容器３と、半導体レーザ１の出力光の一部
が入射されたときにこの入射光の第２高調波の0.8μｍ
帯波長の光を発生させ、該0.8μｍ帯波長の光を気体容
器３に入射させる第２高調波発生手段２と、気体容器３
を透過した0.8μｍ帯波長の光を受光してその強度に応
じた電気信号を出力する光電変換手段４と、光電変換手
段４の出力信号が一定に保たれるように、半導体レーザ
１の発振周波数が依存するパラメータをフィードバック
制御するパラメータ制御手段５とを備えている。Means for Solving Problems FIG. 1 is a basic configuration diagram of a frequency stabilizing device of the present invention. This frequency stabilizing device includes a semiconductor laser 1 oscillating at a wavelength of 1.5 μm band and a rubidium vapor inside thereof. And a gas container 3 that absorbs light having a wavelength of 0.8 μm band by a rubidium atomic absorption line, and 0.8 μm of the second harmonic of the incident light when a part of the output light of the semiconductor laser 1 is incident.
Second harmonic generating means 2 for generating light of a band wavelength and making the light of the 0.8 μm band wavelength incident on the gas container 3, and a gas container 3
The photoelectric conversion means 4 that receives the light of the 0.8 μm band wavelength that has passed through and outputs an electric signal corresponding to its intensity, and the oscillation of the semiconductor laser 1 so that the output signal of the photoelectric conversion means 4 is kept constant. And a parameter control means 5 for feedback-controlling the parameter on which the frequency depends.
作用 波長1.5μｍ帯で発振する半導体レーザ１の出力光Ａの
一部は、第２高調波発生手段２に入射され、２倍の周波
数の、即ち1/2の波長の出力光Ｂとなって、気体容器３
を透過して光電変換手段４に入射される。半導体レーザ
１の発振周波数が変動するとこれに応じて第２高調波発
生手段２の出力光Ｂの周波数も変動し、気体容器３内の
ルビジウム蒸気の原子線吸収スペクトル（波長0.78μｍ
近辺）は一定であるから、出力光Ｂの周波数変動に応じ
て気体容器３の透過光強度が変動する。従って、該透過
光強度に応じた電気信号を出力する光電変換手段４の出
力が一定に保たれるように、半導体レーザ１の発振周波
数が依存するパラメータ、例えば半導体レーザ１の駆動
電流をフィードバック制御することにより、半導体レー
ザ１の出力光Ａの周波数を安定化することが可能とな
る。Action A part of the output light A of the semiconductor laser 1 that oscillates in the wavelength band of 1.5 μm is incident on the second harmonic generation means 2 and becomes the output light B having a double frequency, that is, a half wavelength. , Gas container 3
And is incident on the photoelectric conversion means 4. When the oscillation frequency of the semiconductor laser 1 fluctuates, the frequency of the output light B of the second harmonic generation means 2 also fluctuates accordingly, and the atomic beam absorption spectrum (wavelength 0.78 μm) of rubidium vapor in the gas container 3 changes.
Since (around) is constant, the transmitted light intensity of the gas container 3 varies according to the frequency variation of the output light B. Therefore, a feedback control of a parameter on which the oscillation frequency of the semiconductor laser 1 depends, for example, a drive current of the semiconductor laser 1 is feedback-controlled so that the output of the photoelectric conversion means 4 which outputs an electric signal according to the transmitted light intensity is kept constant. By doing so, the frequency of the output light A of the semiconductor laser 1 can be stabilized.
実施例 以下、本発明の実施例を図面にもとづいて詳細に説明す
る。Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第２図は、本発明の望ましい実施例を示す半導体レーザ
の周波数安定化装置のブロック構成図である。21は半導
体レーザであり、波長1.5μｍ帯の光をコリメートレン
ズ26,26を介して出力する。22は第２高調波発生手段と
しての非線形光学素子であり、例えばニオブ酸リチウム
等の電気光学結晶からなる。この非線形光学素子22は、
半導体レーザ21からの光を受けて、透過光に第２高調波
成分を生じるものである。23は赤外光に対して透過性の
石英等の材質からなる密閉可能な気体容器であり、この
気体容器23内には、波長0.78μｍ近辺に吸収原子線を有
するルビジウム（Rb）蒸気が、場合によっては中性の緩
衝用ガスと共に所定圧力で封入されている。24はレンズ
27を介して気体容器23の透過光を受光する受光器であ
り、通常の光電変換素子からなる。25は半導体レーザ21
の駆動電流制御回路であり、受光器24の出力信号が一定
に保たれるように、例えば該出力信号と基準電源28の与
える電位差との差分を検知して、図示しない駆動回路を
介して半導体レーザ21の駆動電流をフィードバック制御
する。この種の制御は従来の安定化装置等において広く
実施されているので、その詳細についての説明は省略す
る。FIG. 2 is a block diagram of a frequency stabilizing device for a semiconductor laser showing a preferred embodiment of the present invention. Reference numeral 21 denotes a semiconductor laser, which outputs light in the wavelength band of 1.5 μm through the collimator lenses 26, 26. Reference numeral 22 is a non-linear optical element as a second harmonic generation means, which is made of an electro-optic crystal such as lithium niobate. This nonlinear optical element 22 is
The second harmonic component is generated in the transmitted light by receiving the light from the semiconductor laser 21. Reference numeral 23 denotes a gas container that can be hermetically sealed and is made of a material such as quartz that is transparent to infrared light. In the gas container 23, rubidium (Rb) vapor having an absorption atomic beam near a wavelength of 0.78 μm, In some cases, it is sealed at a predetermined pressure together with a neutral buffer gas. 24 is a lens
It is a light receiver that receives the transmitted light of the gas container 23 via 27, and is composed of a normal photoelectric conversion element. 25 is a semiconductor laser 21
Drive current control circuit for detecting the difference between the output signal of the photodetector 24 and the potential difference provided by the reference power source 28 so that the output signal of the light receiver 24 is kept constant, and a semiconductor is provided via a drive circuit (not shown). The drive current of the laser 21 is feedback-controlled. Since this type of control is widely implemented in conventional stabilizing devices and the like, detailed description thereof will be omitted.
半導体レーザ21の発振周波数は、温度等の変化により容
易に変動するものであり、これに応じて気体容器23を透
過する第２高調波の周波数も変動する。従って、第２高
調波の波長を気体容器23における吸収波長に一致させて
おくことにより、第２高調波の周波数が変動したとき
に、この周波数変動を気体容器23の透過光強度の変動と
して、受光器24により検知することができる。受光器24
により検知された第２高調波の周波数変動は、駆動電流
制御回路25により半導体レーザ21の駆動電流にフィード
バックされ、半導体レーザ21の出力光の周波数が一定に
保たれるように通常のフィードバック制御がなされる。The oscillation frequency of the semiconductor laser 21 easily fluctuates due to changes in temperature and the like, and the frequency of the second harmonic wave that passes through the gas container 23 also fluctuates accordingly. Therefore, by making the wavelength of the second harmonic match the absorption wavelength in the gas container 23, when the frequency of the second harmonic changes, this frequency change is regarded as a change in the transmitted light intensity of the gas container 23. It can be detected by the light receiver 24. Receiver 24
The frequency fluctuation of the second harmonic detected by is fed back to the drive current of the semiconductor laser 21 by the drive current control circuit 25, and normal feedback control is performed so that the frequency of the output light of the semiconductor laser 21 is kept constant. Done.
この実施例では、半導体レーザ21を構成する共振器長手
方向端側の一方からの出射光を周波数安定化の制御に用
い、他方からの出射光を光源としての用途に用いるよう
にしているが、この構成に限定されることなく、例えば
ハーフミラー等の分配手段を用いて、半導体レーザ21の
出力光の一部を周波数安定化制御に供するようにしても
よい。In this embodiment, the light emitted from one of the resonator longitudinal direction end sides constituting the semiconductor laser 21 is used for controlling frequency stabilization, and the light emitted from the other is used for the application as a light source. Without being limited to this configuration, a part of the output light of the semiconductor laser 21 may be used for frequency stabilization control by using a distribution means such as a half mirror.
また、半導体レーザ21のフィードバック制御対象は、温
度等の他のパラメータであってもよい。Further, the feedback control target of the semiconductor laser 21 may be another parameter such as temperature.
第４図は本発明の他の望ましい実施例を示すもので、こ
の場合、第２高調波発生器33は、位相変調器34と共に電
気光学結晶基板31上に形成されている。電気光学結晶基
板31は、例えばニオブ酸リチウムからなり、この表面近
傍には導波路32が形成されている。導波路32の一端には
半導体レーザ35が結合され、導波路32の分岐された他の
側には、それぞれ第２高調波発生器33及び位相変調器が
通常の方法で形成されている。FIG. 4 shows another preferred embodiment of the present invention, in which the second harmonic generator 33 is formed on the electro-optic crystal substrate 31 together with the phase modulator 34. The electro-optic crystal substrate 31 is made of, for example, lithium niobate, and a waveguide 32 is formed near its surface. A semiconductor laser 35 is coupled to one end of the waveguide 32, and a second harmonic generator 33 and a phase modulator are respectively formed on the other branched side of the waveguide 32 by a usual method.
半導体レーザ35の出力光は、一方で第２高調波発生器3
3、レンズ36、気体容器37、及びレンズ36をこの順で介
して受光器38に受光され、他方で位相変調器34を介し
て、出力光として外部に取り出される。受光器38により
検出された気体容器37の透過光強度の変動は駆動電流制
御回路39に送られ、前実施例同様に半導体レーザ35の駆
動電流がフィードバック制御される。On the other hand, the output light of the semiconductor laser 35 is the second harmonic generator 3
3, the lens 36, the gas container 37, and the lens 36 are received in this order by the light receiver 38, and on the other hand, they are taken out as output light via the phase modulator 34. The fluctuation of the transmitted light intensity of the gas container 37 detected by the light receiver 38 is sent to the drive current control circuit 39, and the drive current of the semiconductor laser 35 is feedback-controlled as in the previous embodiment.
このように、本発明実施例では第２高調波発生手段とし
て非線形光学素子（具体的には電気光学結晶）を用いて
いるので、上記したように例えば位相変調器と共に同一
基板上に形成することができ、装置の小型化が可能とな
る。また、同様の理由により、電気光学結晶等を用いて
構成される偏波制御器と第２高調波発生手段を一体化さ
せることもできる。As described above, in the embodiment of the present invention, since the non-linear optical element (specifically, the electro-optic crystal) is used as the second harmonic generation means, it is necessary to form it on the same substrate together with the phase modulator as described above. Therefore, the device can be downsized. Further, for the same reason, the polarization controller configured by using an electro-optic crystal or the like and the second harmonic generation means can be integrated.
発明の効果 以上詳述したように、本発明の半導体レーザの周波数安
定化装置よれば、半導体レーザの発振波長帯が、基本発
振波長帯に吸収原子線を有していない1.5μｍであるに
もかかわらず、第２高調波を利用することにより、吸収
量の大きなルビジウム原子吸収線を適用することが可能
となり、分子線吸収を適用していた従来の周波数安定化
装置と比較して、気体容器の透過距離を小さくすること
ができ、装置の小型化が達成されると共に、複雑な制御
回路が不要になるという効果を奏する。また、多数の吸
収線の存在する分子線吸収の場合と比較して、安定化さ
せるべき周波数の設定が容易になるという効果もある。EFFECTS OF THE INVENTION As described above in detail, according to the frequency stabilizing device for a semiconductor laser of the present invention, the oscillation wavelength band of the semiconductor laser is 1.5 μm which does not have an absorption atomic beam in the fundamental oscillation wavelength band. Nevertheless, by using the second harmonic, it becomes possible to apply a rubidium atomic absorption line having a large absorption amount, and compared with a conventional frequency stabilizer that applies molecular beam absorption, a gas container The transmission distance can be reduced, the size of the device can be reduced, and a complicated control circuit is not required. Further, there is an effect that the frequency to be stabilized can be easily set as compared with the case of molecular beam absorption in which many absorption lines exist.
第１図は、本発明の半導体レーザの周波数安定化装置の
基本構成図、 第２図は、本発明の望ましい実施例を示す半導体レーザ
の周波数安定化装置のブロック構成図、 第３図は、本発明の他の望ましい実施例を示す半導体レ
ーザの周波数安定化装置の構成図、 第４図は、半導体レーザの周波数安定化装置の従来例を
示す図である。 1,11,21,35……半導体レーザ、２……第２高調波発生手
段、3,15,23,37……気体容器、４……光電変換手段、５
……パラメータ制御手段、14,24,38……受光器、16,25,
39……駆動電流制御回路、22……非線形光学素子、31…
…電気光学結晶基板、32……導波路、33……第２高調波
発生器。FIG. 1 is a basic configuration diagram of a semiconductor laser frequency stabilizing device of the present invention, FIG. 2 is a block configuration diagram of a semiconductor laser frequency stabilizing device showing a preferred embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a configuration diagram of a frequency stabilizing device for a semiconductor laser showing another preferred embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing a conventional example of a frequency stabilizing device for a semiconductor laser. 1,11,21,35 ... Semiconductor laser, 2 ... Second harmonic generation means, 3,15,23,37 ... Gas container, 4 ... Photoelectric conversion means, 5
...... Parameter control means, 14,24,38 …… Receiver, 16,25,
39 ... Drive current control circuit, 22 ... Non-linear optical element, 31 ...
… Electro-optic crystal substrate, 32 …… Waveguide, 33 …… Second harmonic generator.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寿山 益夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 宮田 英之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−30088（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−52891（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−41584（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masuo Koyama 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Hideyuki Miyata 1015, Kamedotachu, Nakahara-ku, Kawasaki, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited ( 56) References JP-A-61-30088 (JP, A) JP-A-58-52891 (JP, A) JP-A-47-41584 (JP, A)
Claims (3)
（１）と、 その内部にルビジウム蒸気が封入され0.8μｍ帯波長の
光をルビジウム原子吸収線により吸収する気体容器
（３）と、 前記半導体レーザ（１）の出力光の一部が入射されたと
きにこの入射光の第２高調波の0.8μｍ帯波長の光を発
生させ、該0.8μｍ帯波長の光を前記気体容器（３）に
入射させる第２高調波発生手段（２）と、 前記気体容器（３）を透過した0.8μｍ帯波長の光を受
光してその強度に応じた電気信号を出力する光電変換手
段（４）と、 該光電変換手段（４）の出力信号が一定に保たれるよう
に、前記半導体レーザ（１）の発振周波数が依存するパ
ラメータをフィードバック制御するパラメータ制御手段
（５）とから構成されることを特徴とする半導体レーザ
の周波数安定化装置。1. A semiconductor laser (1) which oscillates at a wavelength of 1.5 μm band, a gas container (3) which is filled with rubidium vapor and absorbs light at a wavelength of 0.8 μm band by a rubidium atomic absorption line, and the semiconductor. When a part of the output light of the laser (1) is made incident, a light of 0.8 μm band wavelength of the second harmonic of the incident light is generated, and the light of 0.8 μm band wavelength is introduced into the gas container (3). Second harmonic generation means (2) for making incident, photoelectric conversion means (4) for receiving the light of 0.8 μm band wavelength transmitted through the gas container (3) and outputting an electric signal according to its intensity, A parameter control means (5) for feedback-controlling a parameter on which the oscillation frequency of the semiconductor laser (1) depends so that the output signal of the photoelectric conversion means (4) is kept constant. Frequency stability of semiconductor laser Apparatus.
学素子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体レーザの周波数安定化装置。2. The frequency stabilizing device for a semiconductor laser according to claim 1, wherein the second harmonic wave generating means (2) is a non-linear optical element.
の駆動電流であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載の半導体レーザの周波数安定化装
置。3. The semiconductor laser (1), wherein the parameter is the semiconductor laser (1).
Claim 1 is a drive current of
The frequency stabilizing device for a semiconductor laser according to item 2 or item 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284700A JPH0738483B2 (en) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | Semiconductor laser frequency stabilizer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284700A JPH0738483B2 (en) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | Semiconductor laser frequency stabilizer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137494A JPS63137494A (en) | 1988-06-09 |
| JPH0738483B2 true JPH0738483B2 (en) | 1995-04-26 |
Family
ID=17681840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284700A Expired - Fee Related JPH0738483B2 (en) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | Semiconductor laser frequency stabilizer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738483B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02292885A (en) * | 1989-05-01 | 1990-12-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Oscillation wavelength stabilized semiconductor laser device |
| JPH0334484A (en) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Hamamatsu Photonics Kk | Stabilized light source |
| US4926429A (en) * | 1989-07-13 | 1990-05-15 | At&T Bell Laboratories | Lightwave communication system having sources independently synchronized to an absolute frequency standard |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130088A (en) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61284700A patent/JPH0738483B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63137494A (en) | 1988-06-09 |
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