JPH06175175A - Second higher harmonic generator - Google Patents
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- JPH06175175A JPH06175175A JP4326693A JP32669392A JPH06175175A JP H06175175 A JPH06175175 A JP H06175175A JP 4326693 A JP4326693 A JP 4326693A JP 32669392 A JP32669392 A JP 32669392A JP H06175175 A JPH06175175 A JP H06175175A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基本波の光源として半
導体レーザを使用する第二高調波発生装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a second harmonic generation device using a semiconductor laser as a light source of a fundamental wave.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光情報処理等の分野において、長寿命な
短波長光が必要とされている。現在、半導体レーザがコ
ヒーレント光源として用いられているが、大出力が容易
に得られるのは赤外領域から可視赤色領域にかけてであ
る。従って、第二高調波発生（ＳＨＧ：Second Harmoni
c Generation）を利用した波長変換素子を用いて短波長
光を得ている。2. Description of the Related Art In the field of optical information processing, short-wavelength light having a long life is required. Currently, a semiconductor laser is used as a coherent light source, but a large output can be easily obtained from the infrared region to the visible red region. Therefore, second harmonic generation (SHG: Second Harmoni)
Short wavelength light is obtained by using a wavelength conversion element utilizing (c Generation).
【０００３】この種の波長変換素子として、例えば、Ｓ
ＨＧのために必要な位相整合をとる方法として擬似位相
整合（ＱＰＭ：Quasi Phase Matching）を利用したもの
が知られている。この擬似位相整合を利用した波長変換
素子は、位相整合条件をドメイン反転周期長により設定
できるために、ＳＨＧの波長幅を大幅に広げることが可
能である。更に、非線形光学材料の表面の一部（数ミク
ロン）をドメイン反転するだけで高効率が実現できる光
導波路型ＳＨＧ素子を作製できるという特徴がある。As a wavelength conversion element of this type, for example, S
A method using quasi phase matching (QPM: Quasi Phase Matching) is known as a method for achieving the phase matching necessary for HG. In the wavelength conversion element using the quasi phase matching, the phase matching condition can be set by the domain inversion period length, so that the wavelength width of the SHG can be significantly widened. Furthermore, there is a feature that an optical waveguide type SHG element capable of realizing high efficiency can be manufactured only by domain inversion of a part (several microns) of the surface of the nonlinear optical material.
【０００４】この種のＳＨＧ素子をモジュール化したも
のとして、図１０に示した第二高調波発生装置がある。
これは、平成３年秋季応用物理学会予稿集 １１ｐ−Ｚ
Ｎ−９に「半導体レーザを用いた分極反転形ＬｉＴａＯ
3 ＳＨＧ素子によるブルー光発生」として記載されたも
ので、光源に半導体レーザを使用し、分極反転形ＬｉＴ
ａＯ3 のＳＨＧ素子５により構成している。As a module of this kind of SHG element, there is a second harmonic generator shown in FIG.
This is the 1991 Autumn Applied Physics Society Proceedings 11p-Z
N-9 says, "Polarized inversion type LiTaO using a semiconductor laser.
3 SHG device which has been described as a blue light generating "by, using semiconductor laser as a light source, polarization inversion type LiT
It is composed of the SHG element 5 of aO 3 .
【０００５】この図１０の構成では、半導体レーザ１よ
り波長λ＝８７３ｎｍ，出力６０ｍＷのレーザ光を出射
し、擬似位相整合方式のＳＨＧ素子（分極反転層周期は
３．７μｍ，材質ＬｉＴａＯ3 ）５により、波長λ＝４
３７ｎｍ，０．７ｍＷのレーザ光を得るようにしてい
る。この装置によれば、光源として半導体レーザを用い
ているので、装置全体を小型にすることができるという
利点を有している。In the structure shown in FIG. 10, a semiconductor laser 1 emits laser light having a wavelength λ = 873 nm and an output of 60 mW, and a quasi-phase matching SHG element (polarization inversion layer period 3.7 μm, material LiTaO 3 ) 5 is used. Therefore, the wavelength λ = 4
Laser light of 37 nm and 0.7 mW is obtained. According to this device, since the semiconductor laser is used as the light source, there is an advantage that the entire device can be downsized.
【０００６】しかし、分極反転層の周期は数十ｎｍオー
ダの精度で制御する必要があり、現在のリソグラフィ技
術では極めて困難であり、歩留りが悪い問題を有してい
る。また、半導体レーザの出力波長のゆらぎを抑えるた
めに、温度制御をプラスマイナス０．５度以下で行わな
ければならない。すなわち、ＳＨＧ素子の分極反転層の
寸法若しくは半導体レーザが発生するレーザ光の波長が
少しでもずれると、位相整合が十分でなくなり、第二高
調波の変換効率が低下し、第二高調波の強度が低下する
ことになる。However, it is necessary to control the period of the domain inversion layer with an accuracy of the order of several tens of nm, which is extremely difficult with the current lithography technology, and there is a problem of poor yield. Also, in order to suppress fluctuations in the output wavelength of the semiconductor laser, temperature control must be performed within ± 0.5 degrees. That is, if the dimension of the polarization inversion layer of the SHG element or the wavelength of the laser light generated by the semiconductor laser deviates even a little, the phase matching becomes insufficient, the conversion efficiency of the second harmonic decreases, and the intensity of the second harmonic increases. Will be reduced.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように位相整合が
不安定となる従来技術を解決するものとして、図１１に
示す第二高調波発生装置がある。これは、平成３年秋季
応用物理学会予稿集 １１ｐ−ＺＮ−８に「分極反転形
ＬｉＴａＯ3 ＳＨＧ素子の高効率化」として記載された
もので、光源にチタンサファイヤレーザを使用し、分極
反転形ＬｉＴａＯ 3 のＳＨＧ素子５により構成してい
る。Thus, the phase matching is
As a solution to the unstable conventional technique, FIG.
There is a second harmonic generator shown. This is the fall of 1991
Proceedings of the Japan Society of Applied Physics 11p-ZN-8
LiTaO3 Higher efficiency of SHG device ”
With a titanium sapphire laser as the light source,
Inverted LiTaO 3 The SHG element 5 of
It
【０００８】この図１１の構成では、チタンサファイヤ
レーザ１より波長λ＝８６６ｎｍ，出力１４５ｍＷのレ
ーザ光を出射し、擬似位相整合方式のＳＨＧ素子（分極
反転層周期は３．６μｍ，材質ＬｉＴａＯ3 ）５によ
り、波長λ＝４３３ｎｍ，１５ｍＷのレーザ光を得るよ
うにしている。この装置によれば、チタンサファイヤレ
ーザが波長可変型であるので、分極反転層の周期寸法の
精度を高くする必要が無くなる。このため、位相整合の
誤差を波長可変により補正することができ、歩留まりが
向上する利点を有している。In the structure shown in FIG. 11, a titanium sapphire laser 1 emits laser light having a wavelength λ = 866 nm and an output of 145 mW, and a quasi-phase matching SHG element (polarization inversion layer period 3.6 μm, material LiTaO 3 ) is used. 5, laser light with a wavelength λ = 433 nm and 15 mW is obtained. According to this device, since the titanium sapphire laser is a wavelength variable type, it is not necessary to increase the precision of the periodic dimension of the domain inversion layer. Therefore, the phase matching error can be corrected by wavelength tunability, which has the advantage of improving the yield.
【０００９】しかし、チタンサファイヤレーザ自体が大
型であり、第二高調波発生装置全体を小型化することが
困難になる欠点を有している。また、位相整合が不安定
となる従来技術を解決するものとして、図１２に示す外
部共振器構造を用いた第二高調波発生装置が特開平４−
１０７５３６号公報に記載されている。However, the titanium sapphire laser itself is large in size and has a drawback that it is difficult to downsize the entire second harmonic wave generating device. Further, as a solution to the conventional technique in which the phase matching becomes unstable, a second harmonic generation device using an external resonator structure shown in FIG.
No. 107536.
【００１０】この図１２の構成では、光学手段４０の位
置制御により、半導体レーザ２０の高反射端２４と光学
手段４０との間で共振器を構成し、波長可変を実現する
ものである。この装置によれば、半導体レーザで波長可
変が実現できるので、分極反転層の周期寸法の精度を高
くする必要が無い。このため、位相整合の誤差を波長可
変により補正することができ、歩留まりが向上する利点
を有している。In the configuration of FIG. 12, a resonator is formed between the high reflection end 24 of the semiconductor laser 20 and the optical means 40 by controlling the position of the optical means 40 to realize wavelength tunability. According to this device, since it is possible to realize wavelength tunability with the semiconductor laser, it is not necessary to increase the precision of the periodic dimension of the domain inversion layer. Therefore, the phase matching error can be corrected by wavelength tunability, which has the advantage of improving the yield.
【００１１】しかし、レーザの共振器内に光学系及びＳ
ＨＧ素子を有しているので、伝搬ロスのためにレーザの
出力光が小さくなる問題を有している。また、機械的構
造が複雑になるため、小型化に適していない不具合もあ
る。However, the optical system and the S
Since it has an HG element, there is a problem that the output light of the laser becomes small due to propagation loss. In addition, the mechanical structure becomes complicated, which is not suitable for miniaturization.
【００１２】更に、位相整合が不安定となる従来技術を
解決するものとして、図１３に示すＳＨＧ素子に加工を
加えたものが特開平３−３１８２８号公報に記載されて
いる。このＳＨＧ素子５０では、光導波路５１の導波路
パラメータが導波路方向に連続的に変化しているため、
周期的分極反転領域５２の少なくとも一ヵ所で位相整合
が実現されるものである。従って、位相整合条件に余裕
ができ、分極反転層の周期寸法の精度を厳密に管理する
必要がなくなる。従って、歩留りが低下することもなく
なる。Further, as a solution to the prior art in which the phase matching becomes unstable, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-31828 discloses an SHG element shown in FIG. 13 which is processed. In this SHG element 50, since the waveguide parameter of the optical waveguide 51 continuously changes in the waveguide direction,
The phase matching is realized in at least one place of the periodically poled region 52. Therefore, there is a margin in the phase matching condition, and it becomes unnecessary to strictly control the precision of the periodic dimension of the domain inversion layer. Therefore, the yield does not decrease.
【００１３】しかし、このような場合、波長変換素子の
一部分で位相整合を行っているために、変換効率が低
く、第二高調波の出力が極めて小さい欠点を有してい
る。以上説明したように、ＳＨＧ素子の反転領域の周期
の管理の困難さや歩留りの低下を補うものがいくつか提
案されているが、いずれのものも、装置が大型化した
り、低出力であるといった問題を抱えている。However, in such a case, since the phase matching is performed in a part of the wavelength conversion element, the conversion efficiency is low and the output of the second harmonic is extremely small. As described above, some proposals have been made to compensate for the difficulty of controlling the cycle of the inversion region of the SHG element and the decrease in yield. However, in any of them, there is a problem that the device becomes large and the output is low. Have a
【００１４】本発明は上記の各種課題を解決するために
なされたものであって、その目的は、分極反転層の周期
の寸法精度によらず歩留りを向上させることができ、小
型、高出力、低コストであり、安定性が良い第二高調波
発生装置を実現することにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned various problems, and the object thereof is to improve the yield regardless of the dimensional accuracy of the period of the domain inversion layer, and to reduce the size, the high output, It is to realize a low-cost, high-stability second harmonic generation device.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する手
段は、半導体レーザを基本波光源とし、擬似位相整合方
式を用いた第二高調波発生装置において、発振波長が変
化する波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザ
が発振するレーザ光を受ける擬似位相整合方式のＳＨＧ
素子とを備えたことを特徴とするものである。A means for solving the above-mentioned problems is to use a semiconductor laser as a fundamental wave light source and a tunable semiconductor laser whose oscillation wavelength changes in a second harmonic generator using a quasi phase matching method. And a quasi-phase matching SHG that receives laser light oscillated by a wavelength tunable semiconductor laser
And an element.
【００１６】[0016]
【作用】この発明において、波長可変半導体レーザが発
生するレーザ光の波長が可変であり、ＳＨＧ素子の分極
反転層の寸法に合致したものとすることができる。In the present invention, the wavelength of the laser light generated by the wavelength tunable semiconductor laser is variable, and it can be made to match the dimensions of the polarization inversion layer of the SHG element.
【００１７】また、ＳＨＧ素子の出力の一部を基準にし
て波長可変半導体レーザのレーザ光の波長を制御するこ
とで、レーザ光の波長とＳＨＧ素子の分極反転層との寸
法の不一致が解消され、最大出力の第二高調波を安定し
て取り出すことが可能になる。Further, by controlling the wavelength of the laser light of the wavelength tunable semiconductor laser with reference to a part of the output of the SHG element, the size mismatch between the wavelength of the laser light and the polarization inversion layer of the SHG element is eliminated. , It becomes possible to stably take out the second harmonic with the maximum output.
【００１８】[0018]
【実施例】以下図面を参照して、本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明の第一の実施例の構成を示す
構成図である。この図において、波長可変型の半導体レ
ーザ１は、活性領域１ａと位相制御領域１ｂとから構成
されており、位相制御領域１ｂに外部から注入される電
流により発生するレーザ光の波長が変化するものであ
る。また、半導体レーザ１は、それぞれの領域の端面に
形成された反射鏡１ｃ，１ｄにより共振器構造を形成し
ている。活性領域に供給された電流により半導体レーザ
１は発光し、共振器構造によりレーザ発光する。このと
き位相制御領域１ｂには外部より所定の電流が注入され
ており、この注入電流値により位相制御領域１ｂの光導
波路の屈折率が決定される。この屈折率により、位相制
御領域を伝播している光の位相が変化し、レーザ光の波
長が変化するものである。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention. In this figure, a wavelength tunable semiconductor laser 1 is composed of an active region 1a and a phase control region 1b, and the wavelength of laser light generated by an external current injected into the phase control region 1b changes. Is. Further, the semiconductor laser 1 has a resonator structure formed by the reflecting mirrors 1c and 1d formed on the end faces of the respective regions. The semiconductor laser 1 emits light by the current supplied to the active region, and the semiconductor laser 1 emits laser light by the resonator structure. At this time, a predetermined current is injected into the phase control region 1b from the outside, and the injected current value determines the refractive index of the optical waveguide in the phase control region 1b. This refractive index changes the phase of light propagating in the phase control region, and changes the wavelength of laser light.
【００１９】半導体レーザ１から出射したレーザ光はレ
ンズ２によりコリメートされて平行光とされた後、１／
２波長板３で偏光面が９０°回転させられる。これによ
りＴＭモードでレーザ光を入射でき、入射効率を向上さ
せることができる。The laser light emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by the lens 2 to be parallel light, and then 1 /
The polarization plane is rotated by 90 ° by the two-wave plate 3. As a result, the laser light can be incident in the TM mode, and the incidence efficiency can be improved.
【００２０】ＳＨＧ素子５に入射された光は、光導波路
５ａを伝播しつつ第二高調波になる。また、この第二高
調波は擬似位相整合方式によって位相整合が行われる。
実際には、ＳＨＧ素子５の出力端からは基本波と第二高
調波とが出力されている。この光をレンズ６でコリメー
トして平行光とし、フィルタ７で第二高調波のみを外部
に出力するようになる。The light incident on the SHG element 5 becomes the second harmonic while propagating through the optical waveguide 5a. Further, the second harmonic is phase-matched by the quasi-phase matching method.
Actually, the fundamental wave and the second harmonic are output from the output terminal of the SHG element 5. The light is collimated by the lens 6 into parallel light, and the filter 7 outputs only the second harmonic wave to the outside.
【００２１】ここで、制御部８から半導体レーザ１の位
相制御領域１ｂへの注入電流を調整することにより第二
高調波の波長を調整し、ＳＨＧ素子５における擬似位相
整合条件 Ｎ（２ω）−Ｎ（ω）＝λ（２ω）／Λ ここで、Ｎ：実行屈折率 λ（２ω）：第二高調波の波長 Λ：ＳＨＧ素子５の分極反転層の周期 を満足するようになる。Here, the wavelength of the second harmonic is adjusted by adjusting the injection current from the control unit 8 to the phase control region 1b of the semiconductor laser 1, and the quasi phase matching condition N (2ω) − in the SHG element 5 is adjusted. N (ω) = λ (2ω) / Λ where N: effective refractive index λ (2ω): wavelength of the second harmonic Λ: period of the polarization inversion layer of the SHG element 5 is satisfied.
【００２２】この擬似位相整合条件を満足している状態
においては、ＳＨＧ素子５での第二高調波変換効率が最
も良くなる。このため、ＳＨＧ素子５の分極反転層のト
リミングの寸法精度が低く、個々にばらつきを有してい
るような場合であっても、位相制御領域１ｂへの制御部
８からの注入電流を調節することで第二高調波変換効率
を最大に保つことができる。従って、ＳＨＧ素子５の分
極反転層の精度が低くても何ら問題は発生しない。When the quasi-phase matching condition is satisfied, the second harmonic conversion efficiency of the SHG element 5 is maximized. Therefore, even when the dimensional accuracy of the trimming of the domain inversion layer of the SHG element 5 is low and there are individual variations, the injection current from the control unit 8 to the phase control region 1b is adjusted. Therefore, the second harmonic conversion efficiency can be kept to the maximum. Therefore, even if the precision of the domain inversion layer of the SHG element 5 is low, no problem occurs.
【００２３】図２は本発明の第二実施例の構成を示す構
成図である。この図において、図１と同一物には同一番
号を付してある。ここでは、フィルタ７を通過した第二
高調波の一部をビームスプリッタ９で９０°反射させ、
フォトダイオード１０に導く。そして、フォトダイオー
ド１０の出力を電流制御部１１に供給し、この電流制御
部１１が位相制御領域１ｂの注入電流を調節する。FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. Here, a part of the second harmonic that has passed through the filter 7 is reflected by the beam splitter 9 by 90 °,
It leads to the photodiode 10. Then, the output of the photodiode 10 is supplied to the current control unit 11, and this current control unit 11 adjusts the injection current of the phase control region 1b.
【００２４】一般的には、使用中の温度変化（温度上
昇）により半導体レーザ１が出射するレーザ光の波長の
変化は一定方向であるので、フォトダイオード１０での
検出値が変化した時点で、その変化を相殺できるように
位相制御領域１ｂに対する注入電流を制御することが好
ましい。また、その注入電流の制御によってもフォトダ
イオード１０の検出値が一定しないような場合は、注入
電流の制御を逆方向にするように予め設定しておく。In general, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 1 changes in a fixed direction due to the temperature change (temperature rise) during use, so that when the detection value of the photodiode 10 changes, It is preferable to control the injection current to the phase control region 1b so as to cancel the change. Further, if the detection value of the photodiode 10 is not constant due to the control of the injection current, the control of the injection current is set in the reverse direction in advance.
【００２５】このように波長可変することで、半導体レ
ーザ１が発生するレーザ光の波長のゆらぎ等の経時的な
要因にも瞬時に対応でき、常時最大出力の第二高調波を
取り出すことが可能になる。By changing the wavelength in this way, it is possible to instantaneously deal with a temporal factor such as fluctuation of the wavelength of the laser beam generated by the semiconductor laser 1, and it is possible to take out the second harmonic wave of the maximum output at all times. become.
【００２６】従って、半導体レーザ１の温度制御を行わ
なくとも一定の波長のレーザ光を出力できる。このた
め、ＳＨＧ素子５の寸法精度の問題だけでなく、温度制
御も問題も解決できる。これにより、装置全体を小型化
できる利点もある。Therefore, it is possible to output laser light having a constant wavelength without controlling the temperature of the semiconductor laser 1. Therefore, not only the dimensional accuracy problem of the SHG element 5 but also the temperature control problem can be solved. As a result, there is also an advantage that the entire apparatus can be downsized.
【００２７】図３は本発明の第三の実施例の全体構成を
示す構成図である。この図に示す構成では、ＳＨＧ素子
５の出力直後にフィルタ７を設けて基本波をカットして
いる。このフィルタ７を透過した第二高調波は広がりな
がらレンズ６に入射し、レンズ６により平行光にされ
る。この時、レンズ６の入射面側であって、レンズ６の
有効径外（なるべく光に近い部分）にフォトダイオード
１０を設置する。そして、第二高調波の強度の変化を検
出し、フォトダイオード１０の出力を電流制御部１１に
供給し、この電流制御部１１が位相制御領域１ｂの注入
電流を調節する。このように波長可変することで、上記
の第一の実施例の効果に加えて、出力光を低下させずに
検出及びフィードバックが可能になるというメリットを
有する。FIG. 3 is a block diagram showing the overall structure of the third embodiment of the present invention. In the configuration shown in this figure, the filter 7 is provided immediately after the output of the SHG element 5 to cut the fundamental wave. The second harmonic wave that has passed through the filter 7 enters the lens 6 while spreading and is collimated by the lens 6. At this time, the photodiode 10 is installed on the incident surface side of the lens 6 and outside the effective diameter of the lens 6 (a portion as close to light as possible). Then, a change in the intensity of the second harmonic is detected, the output of the photodiode 10 is supplied to the current control unit 11, and this current control unit 11 adjusts the injection current of the phase control region 1b. By varying the wavelength in this way, in addition to the effect of the first embodiment, there is an advantage that detection and feedback can be performed without reducing the output light.
【００２８】図４は本発明の第四の実施例の全体構成を
示す構成図である。この図に示す構成では、ＳＨＧ素子
５の出力直後にレンズ６でコリメートする。そして、レ
ンズ６からの平行光をプリズム１２で分光し、第二高調
波と基本光とに分離する。そして、プリズムで分光され
た基本波を干渉フィルタ１３に透過させ、フォトダイオ
ード１０に導くようにする。この干渉フィルタ１３は透
過率がある特定の波長にピークを持つものであり、擬似
位相整合条件を満たす基本波の波長を透過率ピークに一
致するように設定する。半導体レーザ１の波長のゆらぎ
等の原因により位相整合条件から基本波の波長がずれた
場合、干渉フィルタ１３を透過する光の強度が弱くな
り、フォトダイオード１０の出力が小さくなる。このよ
うにして基本波の波長の変化をフォトダイオード１０の
出力の変化に変換する。フォトダイオード１０の出力は
電流制御部１１に供給され、このフォトダイオード１０
の出力が常に最大になるように電流制御部１１から位相
制御領域１ｂのへ注入電流を調節する。このように波長
可変することで、出力光に一切影響を与えずに基本波の
波長の変化を検出し、常にフィードバックが可能にな
る。従って、半導体レーザが発生するレーザ光の波長の
ゆらぎ等の経時的な要因にも瞬時に対応でき、常時最大
出力の第二高調波を取り出すことが可能になる。FIG. 4 is a block diagram showing the overall structure of the fourth embodiment of the present invention. In the configuration shown in this figure, the lens 6 performs collimation immediately after the output of the SHG element 5. Then, the parallel light from the lens 6 is dispersed by the prism 12 and separated into the second harmonic and the fundamental light. Then, the fundamental wave separated by the prism is transmitted through the interference filter 13 and guided to the photodiode 10. The interference filter 13 has a peak at a certain wavelength having a transmittance, and the wavelength of the fundamental wave satisfying the quasi phase matching condition is set so as to match the transmittance peak. When the wavelength of the fundamental wave deviates from the phase matching condition due to the wavelength fluctuation of the semiconductor laser 1 or the like, the intensity of light passing through the interference filter 13 becomes weak and the output of the photodiode 10 becomes small. In this way, changes in the wavelength of the fundamental wave are converted into changes in the output of the photodiode 10. The output of the photodiode 10 is supplied to the current controller 11,
The injection current is adjusted from the current control unit 11 to the phase control region 1b so that the output of the above is always maximized. By changing the wavelength in this way, it is possible to detect the change in the wavelength of the fundamental wave without affecting the output light at all, and always provide feedback. Therefore, it is possible to instantaneously deal with temporal factors such as fluctuations in the wavelength of the laser light generated by the semiconductor laser, and it is possible to always extract the second harmonic wave having the maximum output.
【００２９】図５は本発明の第五の実施例の構成を示す
構成図である。この図において、図２と同一物には同一
番号を付してある。ここでは、ＳＨＧ素子５の出力直後
にレンズ６でコリメートする。そしてフィルタ７を通過
した第二高調波の一部をビームスプリッタ９で９０°反
射させ、干渉フィルタ１３に透過させ、フォトダイオー
ド１０に導くようにする。この干渉フィルタ１３は透過
率がある特定の波長にピークを持つものであり、擬似位
相整合条件を満たす基本波の半分の波長を透過率ピーク
に一致するように設定する。半導体レーザ１の波長のゆ
らぎ等の原因により位相整合条件から基本波の波長がず
れた場合、第二高調波の波長もずれるので干渉フィルタ
１３を透過する光の強度が弱くなり、フォトダイオード
１０の出力が小さくなる。このようにして第二高調波の
波長の変化をフォトダイオード１０の出力の変化に変換
する。フォトダイオード１０の出力は電流制御部１１に
供給され、このフォトダイオード１０の出力が常に最大
になるように電流制御部１１から位相制御領域１ｂのへ
注入電流を調節する。このように第二高調波の成分の所
望の波長の光を用いて波長可変することで、半導体レー
ザ１が発生するレーザ光の波長のゆらぎ等の経時的な要
因にも瞬時に対応でき、常時最大出力の第二高調波を取
り出すことが可能になる。FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the fifth embodiment of the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. Here, collimation is performed by the lens 6 immediately after the output of the SHG element 5. Then, a part of the second harmonic wave that has passed through the filter 7 is reflected by the beam splitter 9 at 90 °, transmitted through the interference filter 13, and guided to the photodiode 10. The interference filter 13 has a peak at a specific wavelength having a transmittance, and the half wavelength of the fundamental wave satisfying the quasi phase matching condition is set so as to match the transmittance peak. When the wavelength of the fundamental wave deviates from the phase matching condition due to the fluctuation of the wavelength of the semiconductor laser 1 or the like, the wavelength of the second harmonic also shifts, so that the intensity of the light passing through the interference filter 13 becomes weak and the photodiode 10 Output becomes smaller. In this way, the change in the wavelength of the second harmonic is converted into the change in the output of the photodiode 10. The output of the photodiode 10 is supplied to the current controller 11, and the injection current is adjusted from the current controller 11 to the phase control region 1b so that the output of the photodiode 10 is always maximized. As described above, the wavelength is tuned by using the light of the desired wavelength of the second harmonic component, so that it is possible to instantaneously deal with a temporal factor such as the fluctuation of the wavelength of the laser light generated by the semiconductor laser 1. It becomes possible to extract the second harmonic with the maximum output.
【００３０】図６は本発明の第六の実施例の全体構成を
示す構成図である。この図に示す構成では、ＳＨＧ素子
５の出力直後にレンズ６でコリメートする。そして、レ
ンズ６からの平行光をプリズム１２で分光し、第二高調
波と基本光とに分離する。そして、プリズムで分光され
た基本波を干渉フィルタ１３に透過させ、フォトダイオ
ード１０に導くようにする。この干渉フィルタ１３は透
過率がある特定の波長にピークを持つものであり、擬似
位相整合条件を満たす基本波の波長を透過率ピークに一
致するように設定する。半導体レーザ１の波長のゆらぎ
等の原因により位相整合条件から基本波の波長がずれた
場合、干渉フィルタ１３を透過する光の強度が弱くな
り、フォトダイオード１０の出力が小さくなる。このよ
うにして基本波の波長の変化をフォトダイオード１０の
出力の変化に変換する。フォトダイオード１０の出力は
電流制御部１１に供給され、このフォトダイオード１０
の出力が常に最大になるように電流制御部１１から位相
制御領域１ｂのへ注入電流を調節する。このように波長
可変することで、出力光に一切影響を与えずに基本波の
波長の変化を検出し、常にフィードバックが可能にな
る。従って、半導体レーザが発生するレーザ光の波長の
ゆらぎ等の経時的な要因にも瞬時に対応でき、常時最大
出力の第二高調波を取り出すことが可能になる。更に、
半導体レーザの反射鏡１ｃ側にフォトダイオード１４を
配置して基本波の強度を検出し、この検出結果を第二制
御手段を構成する電流制御部１５に供給し、フォトダイ
オード１４の出力が一定になるように電流制御部１５が
活性領域１ａへの供給電流を調節する。これにより、半
導体レーザの発振出力の制御も同時に行うことができ、
常時一定の出力を得ることができ、波長調整前後の出力
の変動を抑えることが可能になる。従って、一定かつ最
大出力の第二高調波を得ることができる。FIG. 6 is a block diagram showing the entire structure of the sixth embodiment of the present invention. In the configuration shown in this figure, the lens 6 performs collimation immediately after the output of the SHG element 5. Then, the parallel light from the lens 6 is dispersed by the prism 12 and separated into the second harmonic and the fundamental light. Then, the fundamental wave separated by the prism is transmitted through the interference filter 13 and guided to the photodiode 10. The interference filter 13 has a peak at a certain wavelength having a transmittance, and the wavelength of the fundamental wave satisfying the quasi phase matching condition is set so as to match the transmittance peak. When the wavelength of the fundamental wave deviates from the phase matching condition due to the wavelength fluctuation of the semiconductor laser 1 or the like, the intensity of light passing through the interference filter 13 becomes weak and the output of the photodiode 10 becomes small. In this way, changes in the wavelength of the fundamental wave are converted into changes in the output of the photodiode 10. The output of the photodiode 10 is supplied to the current controller 11,
The injection current is adjusted from the current control unit 11 to the phase control region 1b so that the output of the above is always maximized. By changing the wavelength in this way, it is possible to detect the change in the wavelength of the fundamental wave without affecting the output light at all, and always provide feedback. Therefore, it is possible to instantaneously deal with temporal factors such as fluctuations in the wavelength of the laser light generated by the semiconductor laser, and it is possible to always extract the second harmonic wave having the maximum output. Furthermore,
The photodiode 14 is arranged on the side of the reflecting mirror 1c of the semiconductor laser to detect the intensity of the fundamental wave, and the detection result is supplied to the current control unit 15 constituting the second control means so that the output of the photodiode 14 becomes constant. The current controller 15 adjusts the current supplied to the active region 1a so that This makes it possible to control the oscillation output of the semiconductor laser at the same time,
It is possible to obtain a constant output at all times, and suppress fluctuations in output before and after wavelength adjustment. Therefore, a constant and maximum output second harmonic can be obtained.
【００３１】図７は本発明の第七の実施例の構成を示す
構成図である。この図に示す構成では、ＳＨＧ素子５の
出力直後にレンズ６でコリメートする。そして、フィル
タ７を通過した第二高調波の一部をビームスプリッタ９
で９０°反射させ、干渉フィルタ１３に透過させ、フォ
トダイオード１０に導くようにする。この干渉フィルタ
１３は透過率がある特定の波長にピークを持つものであ
り、擬似位相整合条件を満たす基本波の半分の波長を透
過率ピークに一致するように設定する。半導体レーザ１
の波長のゆらぎ等の原因により位相整合条件から基本波
の波長がずれた場合、第二高調波の波長もずれるので干
渉フィルタ１３を透過する光の強度が弱くなり、フォト
ダイオード１０の出力が小さくなる。このようにして第
二高調波の波長の変化をフォトダイオード１０の出力の
変化に変換する。フォトダイオード１０の出力は電流制
御部１１に供給され、このフォトダイオード１０の出力
が常に最大になるように電流制御部１１から位相制御領
域１ｂのへ注入電流を調節する。このように第二高調波
の成分の所望の波長の光を用いて波長可変することで、
半導体レーザ１が発生するレーザ光の波長のゆらぎ等の
経時的な要因にも瞬時に対応でき、常時最大出力の第二
高調波を取り出すことが可能になる。更に、ビームスプ
リッタ９と干渉フィルタ１３との間にビームスプリッタ
９′を配置して一部の光をフォトダイオード１６側に反
射させるようにする。これにより第二高調波の光の強度
を検出し、この検出結果を第二制御手段を構成する電流
制御部１７に供給し、フォトダイオード１６の出力が一
定になるように電流制御部１７が活性領域１ａへの供給
電流を調節する。これにより、半導体レーザの発振出力
の制御も同時に行うことができ、常時一定の出力を得る
ことができ、波長調整前後の出力の変動を抑えることが
可能になる。従って、一定かつ最大出力の第二高調波を
得ることができる。FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the seventh embodiment of the present invention. In the configuration shown in this figure, the lens 6 performs collimation immediately after the output of the SHG element 5. Then, a part of the second harmonic that has passed through the filter 7 is converted into a beam splitter 9
The light is reflected by 90 ° at, is transmitted through the interference filter 13, and is guided to the photodiode 10. The interference filter 13 has a peak at a specific wavelength having a transmittance, and the half wavelength of the fundamental wave satisfying the quasi phase matching condition is set so as to match the transmittance peak. Semiconductor laser 1
When the wavelength of the fundamental wave is deviated from the phase matching condition due to the fluctuation of the wavelength of the above, the intensity of the light passing through the interference filter 13 becomes weak because the wavelength of the second harmonic wave also shifts, and the output of the photodiode 10 becomes small. Become. In this way, the change in the wavelength of the second harmonic is converted into the change in the output of the photodiode 10. The output of the photodiode 10 is supplied to the current controller 11, and the injection current is adjusted from the current controller 11 to the phase control region 1b so that the output of the photodiode 10 is always maximized. In this way, by tuning the wavelength using the light of the desired wavelength of the second harmonic component,
It is possible to instantaneously deal with temporal factors such as fluctuations in the wavelength of the laser light generated by the semiconductor laser 1, and it is possible to always extract the second harmonic wave of maximum output. Further, a beam splitter 9'is arranged between the beam splitter 9 and the interference filter 13 so that a part of the light is reflected to the photodiode 16 side. With this, the intensity of the light of the second harmonic is detected, the detection result is supplied to the current control unit 17 constituting the second control means, and the current control unit 17 is activated so that the output of the photodiode 16 becomes constant. The supply current to the area 1a is adjusted. As a result, the oscillation output of the semiconductor laser can be controlled at the same time, a constant output can be obtained at all times, and variations in output before and after wavelength adjustment can be suppressed. Therefore, a constant and maximum output second harmonic can be obtained.
【００３２】図８は本発明の第八の実施例の構成を示す
構成図である。この図に示す構成では、ＳＨＧ素子５の
出力直後にレンズ６でコリメートする。そしてフィルタ
７を通過した第二高調波の一部をビームスプリッタ９で
９０°反射させ、干渉フィルタ１３に透過させ、フォト
ダイオード１０に導くようにする。この干渉フィルタ１
３は透過率がある特定の波長にピークを持つものであ
り、擬似位相整合条件を満たす基本波の半分の波長を透
過率ピークに一致するように設定する。半導体レーザ１
の波長のゆらぎ等の原因により位相整合条件から基本波
の波長がずれた場合、第二高調波の波長もずれるので干
渉フィルタ１３を透過する光の強度が弱くなり、フォト
ダイオード１０の出力が小さくなる。このようにして第
二高調波の波長の変化をフォトダイオード１０の出力の
変化に変換する。フォトダイオード１０の出力は電流制
御部１１に供給され、このフォトダイオード１０の出力
が常に最大になるように電流制御部１１から位相制御領
域１ｂのへ注入電流を調節する。このように第二高調波
の成分の所望の波長の光を用いて波長可変することで、
半導体レーザ１が発生するレーザ光の波長のゆらぎ等の
経時的な要因にも瞬時に対応でき、常時最大出力の第二
高調波を取り出すことが可能になる。更に、半導体レー
ザの反射鏡１ｃ側にフォトダイオード１４を配置して基
本波の強度を検出し、この検出結果を第二制御手段を構
成する電流制御部１５に供給し、フォトダイオード１４
の出力が一定になるように電流制御部１５が活性領域１
ａへの供給電流を調節する。これにより、半導体レーザ
の発振出力の制御も同時に行うことができ、常時一定の
出力を得ることができ、波長調整前後の出力の変動を抑
えることが可能になる。従って、一定かつ最大出力の第
二高調波を得ることができる。FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the eighth embodiment of the present invention. In the configuration shown in this figure, the lens 6 performs collimation immediately after the output of the SHG element 5. Then, a part of the second harmonic wave that has passed through the filter 7 is reflected by the beam splitter 9 at 90 °, transmitted through the interference filter 13, and guided to the photodiode 10. This interference filter 1
No. 3 has a peak at a certain wavelength with a certain transmittance, and the wavelength of half the fundamental wave satisfying the quasi phase matching condition is set so as to coincide with the transmittance peak. Semiconductor laser 1
When the wavelength of the fundamental wave is deviated from the phase matching condition due to the fluctuation of the wavelength of the above, the intensity of the light passing through the interference filter 13 becomes weak because the wavelength of the second harmonic wave also shifts, and the output of the photodiode 10 becomes small. Become. In this way, the change in the wavelength of the second harmonic is converted into the change in the output of the photodiode 10. The output of the photodiode 10 is supplied to the current controller 11, and the injection current is adjusted from the current controller 11 to the phase control region 1b so that the output of the photodiode 10 is always maximized. In this way, by tuning the wavelength using the light of the desired wavelength of the second harmonic component,
It is possible to instantaneously deal with temporal factors such as fluctuations in the wavelength of the laser light generated by the semiconductor laser 1, and it is possible to always extract the second harmonic wave of maximum output. Further, the photodiode 14 is arranged on the side of the reflecting mirror 1c of the semiconductor laser to detect the intensity of the fundamental wave, and the detection result is supplied to the current control unit 15 which constitutes the second control means.
Of the active region 1 so that the output of the
Adjust the supply current to a. As a result, the oscillation output of the semiconductor laser can be controlled at the same time, a constant output can be obtained at all times, and variations in output before and after wavelength adjustment can be suppressed. Therefore, a constant and maximum output second harmonic can be obtained.
【００３３】図９は本発明の第九の実施例の全体構成を
示す構成図である。この図に示す構成では、ＳＨＧ素子
５の出力直後にレンズ６でコリメートする。そして、レ
ンズ６からの平行光をプリズム１２で分光し、第二高調
波と基本光とに分離する。そして、プリズムで分光され
た基本波を干渉フィルタ１３に透過させ、フォトダイオ
ード１０に導くようにする。この干渉フィルタ１３は透
過率がある特定の波長にピークを持つものであり、擬似
位相整合条件を満たす基本波の波長を透過率ピークに一
致するように設定する。半導体レーザ１の波長のゆらぎ
等の原因により位相整合条件から基本波の波長がずれた
場合、干渉フィルタ１３を透過する光の強度が弱くな
り、フォトダイオード１０の出力が小さくなる。このよ
うにして基本波の波長の変化をフォトダイオード１０の
出力の変化に変換する。フォトダイオード１０の出力は
電流制御部１１に供給され、このフォトダイオード１０
の出力が常に最大になるように電流制御部１１から位相
制御領域１ｂのへ注入電流を調節する。このように波長
可変することで、出力光に一切影響を与えずに基本波の
波長の変化を検出し、常にフィードバックが可能にな
る。更に、プリズム１２から出力される第二高調波の光
路にビームスプリッタ９を配置して、一部の光をフォト
ダイオード１６側に反射させるようにする。これによ
り、第二高調波の強度を検出し、この検出欠課を電流制
御部１７に供給し、フォトダイオード１６の出力が一定
になるように電流制御部１７が活性領域１ａへの供給電
流を調節する。これにより、半導体レーザの発振出力の
制御も同時に行うことができ、常時一定の出力を得るこ
とができ、波長調整前後の出力の変動を抑えることが可
能になる。従って、一定かつ最大出力の第二高調波を得
ることができる。FIG. 9 is a block diagram showing the overall structure of the ninth embodiment of the present invention. In the configuration shown in this figure, the lens 6 performs collimation immediately after the output of the SHG element 5. Then, the parallel light from the lens 6 is dispersed by the prism 12 and separated into the second harmonic and the fundamental light. Then, the fundamental wave separated by the prism is transmitted through the interference filter 13 and guided to the photodiode 10. The interference filter 13 has a peak at a certain wavelength having a transmittance, and the wavelength of the fundamental wave satisfying the quasi phase matching condition is set so as to match the transmittance peak. When the wavelength of the fundamental wave deviates from the phase matching condition due to the wavelength fluctuation of the semiconductor laser 1 or the like, the intensity of light passing through the interference filter 13 becomes weak and the output of the photodiode 10 becomes small. In this way, changes in the wavelength of the fundamental wave are converted into changes in the output of the photodiode 10. The output of the photodiode 10 is supplied to the current controller 11,
The injection current is adjusted from the current control unit 11 to the phase control region 1b so that the output of the above is always maximized. By changing the wavelength in this way, it is possible to detect the change in the wavelength of the fundamental wave without affecting the output light at all, and always provide feedback. Further, the beam splitter 9 is arranged in the optical path of the second harmonic output from the prism 12 so that a part of the light is reflected to the photodiode 16 side. Thereby, the intensity of the second harmonic is detected, this detection defect is supplied to the current control unit 17, and the current control unit 17 adjusts the supply current to the active region 1a so that the output of the photodiode 16 becomes constant. To do. As a result, the oscillation output of the semiconductor laser can be controlled at the same time, a constant output can be obtained at all times, and variations in output before and after wavelength adjustment can be suppressed. Therefore, a constant and maximum output second harmonic can be obtained.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明で
は、波長可変型の半導体レーザを用い、ＳＨＧ素子の出
力を用いて半導体レーザの波長を制御するようにしてい
るので、小型，低コストで、ＳＨＧ素子の分極反転層の
周期の寸法精度が低くとも対応でき、レーザ光の波長の
ゆらぎにも瞬時に安定して対応でき、最大出力の第二高
調波を安定した状態で取り出すことが可能になる。As described above in detail, in the present invention, the wavelength tunable semiconductor laser is used, and the wavelength of the semiconductor laser is controlled by using the output of the SHG element. Therefore, even if the dimensional accuracy of the period of the polarization inversion layer of the SHG element is low, it can respond to fluctuations in the wavelength of the laser light instantly and stably, and the second harmonic wave of maximum output can be taken out in a stable state. It will be possible.
【図１】本発明の第一の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第二の実施例の動作説明のための説明
図である。FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the operation of the second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第三の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 3 is a configuration diagram showing a configuration of a third exemplary embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第四の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 4 is a configuration diagram showing a configuration of a fourth exemplary embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第五の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 5 is a configuration diagram showing a configuration of a fifth exemplary embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第六の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 6 is a configuration diagram showing a configuration of a sixth exemplary embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第七の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 7 is a configuration diagram showing a configuration of a seventh embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第八の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 8 is a configuration diagram showing a configuration of an eighth embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第九の実施例の構成を示す構成図であ
る。FIG. 9 is a configuration diagram showing a configuration of a ninth exemplary embodiment of the present invention.
【図１０】従来装置の構成を示す構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram showing a configuration of a conventional device.
【図１１】従来装置の構成を示す構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram showing a configuration of a conventional device.
【図１２】従来装置の構成を示す構成図である。FIG. 12 is a configuration diagram showing a configuration of a conventional device.
【図１３】従来装置の構成を示す構成図である。FIG. 13 is a configuration diagram showing a configuration of a conventional device.
１ 半導体レーザ １ａ 活性領域 １ｂ 位相制御領域 １ｃ 反射鏡 １ｄ 反射鏡 ２ レンズ ３ １／２波長板 ４ レンズ ５ ＳＨＧ素子 ５ａ 光導波路 ６ レンズ ７ フィルタ ８ 制御部 ９ ビームスプリッタ １０ フォトダイオード １１ 電流制御部 １２ プリズム １３ 干渉フィルタ 1 semiconductor laser 1a active region 1b phase control region 1c reflecting mirror 1d reflecting mirror 2 lens 3 1/2 wavelength plate 4 lens 5 SHG element 5a optical waveguide 6 lens 7 filter 8 control unit 9 beam splitter 10 photodiode 11 current control unit 12 Prism 13 interference filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 良夫 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshio Takeuchi 1 Sakura-cho, Hino-shi, Tokyo Konica Stock Company
Claims (6)
相整合方式を用いた第二高調波発生装置において、 発振波長が変化する波長可変半導体レーザと、 波長可変半導体レーザが発振するレーザ光を受ける擬似
位相整合方式の第二高調波発生素子とを備えたことを特
徴とする第二高調波発生装置。1. A second harmonic generation device using a semiconductor laser as a fundamental wave light source and using a quasi phase matching method, wherein a tunable semiconductor laser whose oscillation wavelength changes and a laser light oscillated by the tunable semiconductor laser are received. A second harmonic generation device comprising: a quasi phase matching type second harmonic generation element.
相整合方式を用いた第二高調波発生装置において、 発振波長が変化する波長可変半導体レーザと、 波長可変半導体レーザが発振するレーザ光を受ける擬似
位相整合方式の第二高調波発生素子と、 第二高調波発生素子が発生する第二高調波の一部に基づ
いて波長可変半導体レーザの発振波長を制御する制御手
段とを備えたことを特徴とする第二高調波発生装置。2. A second harmonic generation device using a semiconductor laser as a fundamental wave light source and using a quasi phase matching method, wherein a tunable semiconductor laser whose oscillation wavelength changes and a laser light oscillated by the tunable semiconductor laser are received. A quasi phase matching type second harmonic generation element, and a control means for controlling the oscillation wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser based on a part of the second harmonic generated by the second harmonic generation element. Characteristic second harmonic generator.
相整合方式を用いた第二高調波発生装置において、 発振波長が変化する波長可変半導体レーザと、 波長可変半導体レーザが発振するレーザ光を受ける擬似
位相整合方式の第二高調波発生素子と、 第二高調波発生素子を通過する基本波の一部に基づいて
波長可変半導体レーザの発振波長を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする第二高調波発生装置。3. A second harmonic generation device using a semiconductor laser as a fundamental wave light source and using a quasi phase matching method, wherein a wavelength tunable semiconductor laser whose oscillation wavelength changes and a laser light oscillated by the wavelength tunable semiconductor laser are received. A quasi phase matching type second harmonic generation element, and a control means for controlling the oscillation wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser based on a part of the fundamental wave passing through the second harmonic generation element, Second harmonic generator.
相整合方式を用いた第二高調波発生装置において、 発振波長が変化する波長可変半導体レーザと、 波長可変半導体レーザが発振するレーザ光を受ける擬似
位相整合方式の第二高調波発生素子と、 第二高調波発生素子を通過する基本波の一部に基づいて
波長可変半導体レーザの発振波長を制御する第一制御手
段と、 半導体レーザからの基本波の一部に基づいて波長可変半
導体レーザの発振出力を制御する第二制御手段とを備え
たことを特徴とする第二高調波発生装置。4. A second harmonic generator using a semiconductor laser as a fundamental wave light source and using a quasi phase matching method, which receives a wavelength tunable semiconductor laser whose oscillation wavelength changes and a laser beam which the wavelength tunable semiconductor laser oscillates. A quasi phase matching type second harmonic generation element, a first control means for controlling the oscillation wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser based on a part of the fundamental wave passing through the second harmonic generation element, and a semiconductor laser A second harmonic generation device comprising: a second control means for controlling the oscillation output of the wavelength tunable semiconductor laser based on a part of the fundamental wave.
相整合方式を用いた第二高調波発生装置において、 発振波長が変化する波長可変半導体レーザと、 波長可変半導体レーザが発振するレーザ光を受ける擬似
位相整合方式の第二高調波発生素子と、 第二高調波発生素子が発生する第二高調波の一部に基づ
いて波長可変半導体レーザの発振波長を制御する第一制
御手段と、 第二高調波発生素子が発生する第二高調波の一部に基づ
いて波長可変半導体レーザの発振出力を制御する第二制
御手段とを備えたことを特徴とする第二高調波発生装
置。5. A second harmonic generation device using a semiconductor laser as a fundamental wave light source and using a quasi phase matching method, which receives a wavelength tunable semiconductor laser whose oscillation wavelength changes and a laser beam oscillated by the wavelength tunable semiconductor laser. A quasi phase matching type second harmonic generating element, first control means for controlling the oscillation wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser based on a part of the second harmonic generated by the second harmonic generating element, A second harmonic generation device, comprising: a second control means for controlling the oscillation output of the wavelength tunable semiconductor laser based on a part of the second harmonic generated by the harmonic generation element.
相整合方式を用いた第二高調波発生装置において、 発振波長が変化する波長可変半導体レーザと、 波長可変半導体レーザが発振するレーザ光を受ける擬似
位相整合方式の第二高調波発生素子と、 第二高調波発生素子を通過する基本波の一部に基づいて
波長可変半導体レーザの発振波長を制御する第一制御手
段と、 第二高調波発生素子が発生する第二高調波の一部に基づ
いて波長可変半導体レーザの発振出力を制御する第二制
御手段とを備えたことを特徴とする第二高調波発生装
置。6. A second harmonic generation device using a semiconductor laser as a fundamental wave light source and using a quasi phase matching method, wherein a tunable semiconductor laser whose oscillation wavelength changes and a laser light oscillated by the tunable semiconductor laser are received. A quasi phase matching type second harmonic generation element, first control means for controlling the oscillation wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser based on part of the fundamental wave passing through the second harmonic generation element, and second harmonic And a second control means for controlling the oscillation output of the wavelength tunable semiconductor laser based on a part of the second harmonic generated by the generating element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326693A JPH06175175A (en) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | Second higher harmonic generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326693A JPH06175175A (en) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | Second higher harmonic generator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06175175A true JPH06175175A (en) | 1994-06-24 |
Family
ID=18190613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4326693A Pending JPH06175175A (en) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | Second higher harmonic generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06175175A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104878A (en) * | 1995-11-09 | 2000-08-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Failure detection apparatus for storing and displaying the nature of the failure and the time of its occurrence |
| US6496299B2 (en) | 1994-09-14 | 2002-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same |
| CN102200743A (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 夏普株式会社 | Laser fixing device, image forming apparatus having the same, and image forming method using the image forming apparatus |
-
1992
- 1992-12-07 JP JP4326693A patent/JPH06175175A/en active Pending
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