JPH07335593A - Dicing method - Google Patents
Dicing methodInfo
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- JPH07335593A JPH07335593A JP14701194A JP14701194A JPH07335593A JP H07335593 A JPH07335593 A JP H07335593A JP 14701194 A JP14701194 A JP 14701194A JP 14701194 A JP14701194 A JP 14701194A JP H07335593 A JPH07335593 A JP H07335593A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハをダイシング
する場合に、ウェーハ厚さのバラツキによるミスダイシ
ングを未然に防止出来るようにしたダイシング方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing method which can prevent mis-dicing due to variations in wafer thickness when dicing a wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】ダイシング装置でウェーハをダイシング
する場合には、ロット中の数枚のウェーハの厚さを測定
してその最大値をCPUに記憶させ、そのデータに基づ
いてCPUからの指令によりブレードをZ軸方向(上下
方向)に制御してウェーハのストリートに沿ってダイシ
ングする。2. Description of the Related Art When dicing a wafer with a dicing machine, the thickness of several wafers in a lot is measured, the maximum value is stored in a CPU, and the blade is instructed by the CPU based on the data. Is controlled in the Z-axis direction (vertical direction) to perform dicing along the streets of the wafer.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前記従来のダイシング
時において、CPUに記憶させたデータより厚いウェー
ハが投入されることがあり、その際従来のダイシング装
置では厚さ誤差を検知出来ず、ブレードが次のストリー
トを切削するために切削起点に戻る(X軸戻り)時にウ
ェーハの表面を擦って傷付ける等の不具合が生じる。
又、ウェーハの厚さにバラツキがあるとそれに伴って切
削深さにもバラツキが生じるという問題があった。即
ち、厚いウェーハの場合は表面からの切削深さが過度に
なり、薄いウェーハの場合は表面からの切削深さが不充
分となる。そこで、本発明はウェーハの厚さに多少のバ
ラツキがあることに起因してブレードがX軸戻りをする
際にウェーハの表面を傷付けるという問題、又は表面か
らの切削深さを均一に保持出来ないという問題を解決す
る目的でなされたものである。During the conventional dicing, a wafer thicker than the data stored in the CPU may be thrown in, and the conventional dicing device cannot detect the thickness error and the blade is When returning to the cutting starting point (X-axis return) for cutting the next street, problems such as scratching the surface of the wafer occur.
Further, if the thickness of the wafer varies, the cutting depth also varies accordingly. That is, in the case of a thick wafer, the cutting depth from the surface becomes excessive, and in the case of a thin wafer, the cutting depth from the surface becomes insufficient. Therefore, the present invention has a problem that the surface of the wafer is damaged when the blade returns to the X-axis due to a slight variation in the thickness of the wafer, or the cutting depth from the surface cannot be kept uniform. It was made for the purpose of solving the problem.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、ウェーハをダイシン
グする前にオートフォーカス等でウェーハの厚さを測定
し、その測定値に基づいてブレードのZ軸制御を遂行す
るダイシング方法を要旨とする。又、ウェーハのストリ
ートを切削したブレードが次のストリートを切削するた
めに相対的に切削起点に戻る際、ブレードによってウェ
ーハ表面を傷付けないようにウェーハ厚さの実測値に基
づいてブレードをZ軸方向に退避させること、ウェーハ
厚さの実測値に基づいて、ウェーハに対するブレードの
切り込み深さを制御すること、を要旨とするものであ
る。As a means for technically solving the above-mentioned problems, the present invention measures the thickness of a wafer by autofocus etc. before dicing the wafer, and based on the measured value The gist is a dicing method for performing Z-axis control of a blade. Also, when the blade that cuts the street of the wafer returns relatively to the cutting start point for cutting the next street, the blade is moved in the Z-axis direction based on the measured value of the wafer thickness so as not to damage the wafer surface by the blade. The purpose is to retreat to, and control the cutting depth of the blade with respect to the wafer based on the measured value of the wafer thickness.
【0005】[0005]
【作 用】ダイシングする前のアライメント時にオート
フォーカス等で各ウェーハの厚さをそれぞれ測定し、そ
の測定データに基づいてCPUからの指令によりブレー
ドのZ軸制御を行うので、ウェーハの厚さに多少のバラ
ツキがあってもブレードのX軸戻り時にZ軸方向に充分
退避させることでウェーハの表面を傷付けることがな
く、且つ表面からの切削深さを均一に保持することが出
来る。[Operation] At the time of alignment before dicing, the thickness of each wafer is measured by autofocus, etc., and the Z axis control of the blade is performed based on the measurement data according to the command from the CPU. Even if there is a variation in the above, by sufficiently retracting in the Z-axis direction when the blade returns to the X-axis, the surface of the wafer is not damaged and the cutting depth from the surface can be kept uniform.
【0006】[0006]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説する。図1において、1はカセット載置領域2に載
置されたカセットであり、このカセット1内には複数枚
のウェーハが収納されており、搬出入手段3によってウ
ェーハが1枚ずつ待機領域4に搬出される。搬出された
ウェーハは、旋回アームを有する搬送手段5によってチ
ャックテーブル6上に搬送されると共に吸着固定され、
その後チャックテーブル6を移動してアライメント手段
7の真下に位置付けられる。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a cassette placed in a cassette placing area 2, and a plurality of wafers are stored in the cassette 1. The carrying-in / out means 3 places the wafers one by one in a standby area 4. Be shipped. The carried-out wafer is carried on the chuck table 6 by the carrying means 5 having a turning arm and is fixed by suction,
After that, the chuck table 6 is moved to be positioned directly below the alignment means 7.
【0007】アライメント手段7は、CCDカメラ等の
公知の光学的手段を用いてウェーハのストリートをアラ
イメントすると共に、オートフォーカス等でウェーハの
厚さを測定し、その測定データをCPU8に入力して記
憶させる。The alignment means 7 aligns the streets of the wafer by using a known optical means such as a CCD camera, measures the thickness of the wafer by auto focus, etc., and inputs the measured data to the CPU 8 for storage. Let
【0008】ウェーハのアライメント及び厚さ測定後
に、チャックテーブル6を移動させて切削手段9のスピ
ンドル9aの先端に取り付けたブレード10によりウェ
ーハのダイシングが遂行される。After the wafer alignment and the thickness measurement, the chuck table 6 is moved and the wafer 10 is diced by the blade 10 attached to the tip of the spindle 9a of the cutting means 9.
【0009】ダイシングの切削方向は、図2に示すよう
にブレード10の回転方向との関係でウェーハWの各ス
トリートSに沿って一定方向(図例では右から左)に限
定される。切削方向に対してブレード10の回転方向が
ウェーハWに対して下から上に巻き上げる方向である
と、切削時にチッピングと称する欠けが多く発生して具
合が悪いからである。The cutting direction of the dicing is limited to a fixed direction (right to left in the illustrated example) along each street S of the wafer W in relation to the rotating direction of the blade 10 as shown in FIG. This is because if the rotation direction of the blade 10 is the direction in which the wafer W is rolled up from the bottom with respect to the cutting direction, chipping called chipping often occurs during cutting, which is unsatisfactory.
【0010】従って、ブレード10は次のストリートを
切削する際にY軸方向にストリートの間隔分割り出し移
動されながらX軸方向に切削起点まで戻される。このブ
レード10のX軸戻り時に、図3に示すようにブレード
10がZ軸方向上向きに退避され、ウェーハWの表面に
接触して傷付けないようにする。Therefore, when cutting the next street, the blade 10 is returned to the cutting start point in the X-axis direction while being moved in the Y-axis direction while dividing the street into spaces. When the blade 10 returns to the X-axis, the blade 10 is retracted upward in the Z-axis direction as shown in FIG. 3 so as not to contact the surface of the wafer W and damage it.
【0011】このブレード10のZ軸方向の上げ量P
(退避量)は、生産性を高めるために最少にする必要が
あり、その最少値は前記CPUから切削手段9に指令さ
れ、その指令信号に基づいてZ軸駆動機構(図示せず)
を駆動することによりブレード10に伝達される。Raising amount P of this blade 10 in the Z-axis direction
The (retraction amount) needs to be minimized in order to improve productivity, and the minimum value is instructed to the cutting means 9 from the CPU, and a Z-axis drive mechanism (not shown) based on the instruction signal.
Is transmitted to the blade 10 by driving.
【0012】このようにして、ブレード10の最少退避
量は各ウェーハ毎にCPU8から指令されるため、ウェ
ーハの厚さにバラツキがあっても特に厚いウェーハが投
入されても、ブレード10のX軸戻り時のウェーハ表面
の傷付きを未然に防止することが出来る。In this way, since the minimum retreat amount of the blade 10 is instructed from the CPU 8 for each wafer, the X-axis of the blade 10 is maintained even if the thickness of the wafer varies or a particularly thick wafer is loaded. It is possible to prevent scratches on the wafer surface when returning.
【0013】X軸戻り後に次のストリートを切削するに
は、図3に示すようにCPU8の指令によりブレード1
0を前記最少退避量に相当する量PだけZ軸方向下向き
に移動して遂行される。尚、この場合にはブレード10
をX軸方向に動かして切削する例を説明したが、前記チ
ャックテーブル5の方をX軸方向に動かして切削するよ
うにしても良く、要するに両者の相対的な移動とする。To cut the next street after returning to the X-axis, the blade 1 is instructed by the CPU 8 as shown in FIG.
0 is moved downward by the amount P corresponding to the minimum retracted amount in the Z-axis direction. In this case, the blade 10
Although the example in which the tool is moved in the X-axis direction to perform cutting has been described, the chuck table 5 may be moved in the X-axis direction to perform cutting, that is, relative movement between the two.
【0014】一方、図4に示すようにウェーハW′の中
には表面から一定の深さDだけ切削しなければならない
ものがある。例えば、シリコン層とガラス層とからなる
2層構造のウェーハがそれに該当する。このような切削
を遂行するに当たり、従来は切削深さがDとなるように
ブレード10を下降し一定に保っていた。しかし、ウェ
ーハW′の厚さにバラツキがあると、それに伴って切削
深さにもバラツキが生じた。On the other hand, as shown in FIG. 4, some wafers W'have to be cut to a certain depth D from the surface. For example, a wafer having a two-layer structure including a silicon layer and a glass layer corresponds to this. In performing such cutting, conventionally, the blade 10 was lowered and kept constant so that the cutting depth was D. However, if the thickness of the wafer W ′ varies, the cutting depth also varies accordingly.
【0015】本発明においては、各ウェーハ毎に厚さを
測定し、その測定データをCPU8に記憶させ、ダイシ
ング時にはCPU8からの指令により各ウェーハの厚さ
に対応して切削深さが常にDとなるようにブレード10
のZ軸制御を遂行するので、ウェーハW′に厚さのバラ
ツキがあっても切削深さにバラツキが生じることはな
い。In the present invention, the thickness is measured for each wafer, the measured data is stored in the CPU 8, and the cutting depth is always D corresponding to the thickness of each wafer by a command from the CPU 8 during dicing. Blade 10
Since the Z-axis control is performed, the cutting depth does not vary even if the wafer W ′ varies in thickness.
【0016】尚、ウェーハの厚さ測定手段としては、ア
ライメント手段のオートフォーカス等の光学的方法によ
ることで測定手段を別に設けなくても良いというメリッ
トがあるものの、レーザ光等による測定手段、接触タイ
プの測定手段等の適宜の厚さ測定手段を用いることが可
能である。As the wafer thickness measuring means, there is an advantage that the measuring means does not need to be separately provided by an optical method such as auto-focusing of the alignment means. It is possible to use suitable thickness measuring means such as type measuring means.
【0017】[0017]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングの前に各ウェーハの厚さを測定し、その測定
データをCPUに記憶させ、ダイシング時にCPUから
の指令によってブレードのZ軸方向の制御を遂行するの
で、ウェーハの厚さに多少のバラツキがあってもブレー
ドのX軸戻り時にウェーハの表面を傷付けることがな
く、且つ表面からの切削深さを常に均一に保持出来る等
の優れた効果を奏する。As described above, according to the present invention,
The thickness of each wafer is measured before dicing, the measured data is stored in the CPU, and the blade is controlled in the Z-axis direction according to a command from the CPU during dicing, so that there is some variation in the thickness of the wafer. Even if there is, it has an excellent effect that the surface of the wafer is not damaged when the blade returns to the X-axis and the cutting depth from the surface can be always kept uniform.
【図1】 本発明の一実施例を示す全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】 ウェーハのダイシング要領を示す説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a procedure for dicing a wafer.
【図3】 同、ブレードの動きを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing the movement of the blade.
【図4】 ウェーハの切削深さを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a cutting depth of a wafer.
1…カセット 2…カセット載置領域 3…搬出入
手段 4…待機領域 5…搬送手段 6…チャックテーブル 7…アライ
メント手段 8…CPU 9…切削手段 9a…
スピンドル 10…ブレードDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cassette 2 ... Cassette mounting area 3 ... Carrying in / out means 4 ... Standby area 5 ... Conveying means 6 ... Chuck table 7 ... Alignment means 8 ... CPU 9 ... Cutting means 9a ...
Spindle 10 ... Blade
Claims (3)
ォーカス等でウェーハの厚さを測定し、その測定値に基
づいてブレードのZ軸制御を遂行するダイシング方法。1. A dicing method in which the thickness of a wafer is measured by autofocus or the like before dicing the wafer and Z-axis control of a blade is performed based on the measured value.
ドが次のストリートを切削するために相対的に切削起点
に戻る際、ブレードによってウェーハ表面を傷付けない
ようにウェーハ厚さの実測値に基づいてブレードをZ軸
方向に退避させる、請求項1記載のダイシング方法。2. When a blade that has cut a street of a wafer returns relatively to the starting point for cutting the next street, the blade is cut based on an actual measurement value of the wafer thickness so as not to scratch the wafer surface by the blade. The dicing method according to claim 1, wherein the dicing method is retracted in the Z-axis direction.
ーハに対するブレードの切り込み深さを制御する、請求
項1記載のダイシング方法。3. The dicing method according to claim 1, wherein the cutting depth of the blade with respect to the wafer is controlled based on an actually measured value of the wafer thickness.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14701194A JPH07335593A (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | Dicing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14701194A JPH07335593A (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | Dicing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07335593A true JPH07335593A (en) | 1995-12-22 |
Family
ID=15420537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14701194A Pending JPH07335593A (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | Dicing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07335593A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007331049A (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutter operating method |
JP2009054904A (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting method and cutting device |
JP2012024895A (en) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Disco Corp | Cutting method |
JP2013110141A (en) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting method |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP14701194A patent/JPH07335593A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007331049A (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutter operating method |
JP2009054904A (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting method and cutting device |
JP2012024895A (en) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Disco Corp | Cutting method |
JP2013110141A (en) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting method |
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