JPH07326800A - 熱電冷却素子及びこれを用いた熱電冷却装置 - Google Patents
熱電冷却素子及びこれを用いた熱電冷却装置Info
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- JPH07326800A JPH07326800A JP6120159A JP12015994A JPH07326800A JP H07326800 A JPH07326800 A JP H07326800A JP 6120159 A JP6120159 A JP 6120159A JP 12015994 A JP12015994 A JP 12015994A JP H07326800 A JPH07326800 A JP H07326800A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱剪断応力に起因した欠陥を解消することの
できる熱電冷却装置を提供すること。 【構成】 一対の対向壁を有する導電性の熱伝達管１１
の前記対向壁の一方の外面にＮ型半導体薄板１２−Ｎ
を、他方の外面にはＰ型半導体薄板１２−Ｐを設けて対
向させた半導体素子対を含む熱電冷却素子１を複数個用
いる。これら複数個の熱電冷却素子を、冷媒流通用のメ
インパイプ２の外周に前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半
導体薄板とが交互に並ぶように配列する。そして、各熱
電冷却素子における一対の前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ
型半導体薄板との直列接続体を、前記メインパイプを間
にした互いに反対側の位置で交互に順に電気的に直列接
続することにより、すべての前記Ｎ型半導体薄板と前記
Ｐ型半導体薄板とが交互になる状態で直列接続されるよ
うにした。
できる熱電冷却装置を提供すること。 【構成】 一対の対向壁を有する導電性の熱伝達管１１
の前記対向壁の一方の外面にＮ型半導体薄板１２−Ｎ
を、他方の外面にはＰ型半導体薄板１２−Ｐを設けて対
向させた半導体素子対を含む熱電冷却素子１を複数個用
いる。これら複数個の熱電冷却素子を、冷媒流通用のメ
インパイプ２の外周に前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半
導体薄板とが交互に並ぶように配列する。そして、各熱
電冷却素子における一対の前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ
型半導体薄板との直列接続体を、前記メインパイプを間
にした互いに反対側の位置で交互に順に電気的に直列接
続することにより、すべての前記Ｎ型半導体薄板と前記
Ｐ型半導体薄板とが交互になる状態で直列接続されるよ
うにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペルチェ効果を利用して
電気エネルギーを熱エネルギーに変換する素子を使用し
た熱電冷却素子及びこれを用いた熱電冷却装置に関す
る。
電気エネルギーを熱エネルギーに変換する素子を使用し
た熱電冷却素子及びこれを用いた熱電冷却装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】冷凍冷蔵庫、空調機器等の冷却媒体とし
て利用されているクロロフロロカーボン（ＣＦＣｓ：通
称フロン）の製造は、１９９５年以降、禁止される事が
国際会議で決定された。その結果、冷凍冷蔵庫、空調機
器等の業界は、上記フロンに代わる新しい冷却媒体、或
いは新しい冷却システムの開発をしなければならなくな
った。
て利用されているクロロフロロカーボン（ＣＦＣｓ：通
称フロン）の製造は、１９９５年以降、禁止される事が
国際会議で決定された。その結果、冷凍冷蔵庫、空調機
器等の業界は、上記フロンに代わる新しい冷却媒体、或
いは新しい冷却システムの開発をしなければならなくな
った。
【０００３】熱電冷却方式による冷却装置は、環境に対
して非常にクリーンであり、地球環境を汚染しないとい
うことから、最近フロンを使用する冷凍冷蔵庫、空調機
器等の代替品の一つとして非常に有望視されている。
して非常にクリーンであり、地球環境を汚染しないとい
うことから、最近フロンを使用する冷凍冷蔵庫、空調機
器等の代替品の一つとして非常に有望視されている。
【０００４】（Ｂｉ，Ｓｂ）2 （Ｔｅ，Ｓｅ）3 半導体
化合物が最も優れた熱電冷却特性を示す事は古くからよ
く知られており、ここ４０年間近く、室温近傍でこれを
凌駕する特性をもつ材料は未だ発見されていない。現在
も、上記化合物組成をもつ素子が熱電冷却モジュールに
使用されている。
化合物が最も優れた熱電冷却特性を示す事は古くからよ
く知られており、ここ４０年間近く、室温近傍でこれを
凌駕する特性をもつ材料は未だ発見されていない。現在
も、上記化合物組成をもつ素子が熱電冷却モジュールに
使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の熱電冷却モジュ
ールは、Ｎ型半導体板とＰ型半導体板とをそれらの一方
の面で接続したπ字型の接続構造を採っており、この構
造は多くの半田接合点を持っていることから、熱剪断応
力によって破壊し易いという欠陥をもっている。また、
従来の熱電冷却モジュールは、モジュールの表面から熱
を平面的に一様に吸収する構造を採っているため、冷却
能力に制約がある。
ールは、Ｎ型半導体板とＰ型半導体板とをそれらの一方
の面で接続したπ字型の接続構造を採っており、この構
造は多くの半田接合点を持っていることから、熱剪断応
力によって破壊し易いという欠陥をもっている。また、
従来の熱電冷却モジュールは、モジュールの表面から熱
を平面的に一様に吸収する構造を採っているため、冷却
能力に制約がある。
【０００６】以上のような問題点に鑑み、本発明の主た
る課題は、従来のような熱剪断応力に起因した欠陥を解
消することのできる熱電冷却素子及びこれを用いた熱電
冷却装置を提供することにある。
る課題は、従来のような熱剪断応力に起因した欠陥を解
消することのできる熱電冷却素子及びこれを用いた熱電
冷却装置を提供することにある。
【０００７】本発明の他の課題は、従来のような平面的
な熱吸収構造によらない熱吸収構造による熱電冷却装置
を提供することにある。
な熱吸収構造によらない熱吸収構造による熱電冷却装置
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一対の
対向壁を有する導電性の熱伝達管の前記対向壁の一方の
外面にＮ型半導体薄板を、他方の外面にはＰ型半導体薄
板を設けて対向させた半導体素子対を含むことを特徴と
する熱電冷却素子が得られる。
対向壁を有する導電性の熱伝達管の前記対向壁の一方の
外面にＮ型半導体薄板を、他方の外面にはＰ型半導体薄
板を設けて対向させた半導体素子対を含むことを特徴と
する熱電冷却素子が得られる。
【０００９】本発明によればまた、上記熱電冷却素子を
複数個、冷媒流通用のパイプの外周に、前記Ｎ型半導体
薄板と前記Ｐ型半導体薄板とが交互に並ぶように配列す
ると共に、各熱電冷却素子における一対の前記Ｎ型半導
体薄板と前記Ｐ型半導体薄板との直列接続体を、前記パ
イプを間にした互いに反対側の位置で交互に順に電気的
に直列接続することにより、すべての前記Ｎ型半導体薄
板と前記Ｐ型半導体薄板とが交互になる状態で直列接続
されるようにしたことを特徴とする熱電冷却装置が得ら
れる。
複数個、冷媒流通用のパイプの外周に、前記Ｎ型半導体
薄板と前記Ｐ型半導体薄板とが交互に並ぶように配列す
ると共に、各熱電冷却素子における一対の前記Ｎ型半導
体薄板と前記Ｐ型半導体薄板との直列接続体を、前記パ
イプを間にした互いに反対側の位置で交互に順に電気的
に直列接続することにより、すべての前記Ｎ型半導体薄
板と前記Ｐ型半導体薄板とが交互になる状態で直列接続
されるようにしたことを特徴とする熱電冷却装置が得ら
れる。
【００１０】本発明によれば更に、一対の対向壁を有す
る冷媒流通用のパイプの前記対向壁の外面側にそれぞ
れ、Ｎ型半導体薄板とＰ型半導体薄板とを交互に配列
し、隣接しあう前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半導体薄
板とをそれらの内面側及び外面側において交互に電気的
に接続することにより、前記一対の対向壁のそれぞれの
側における前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半導体薄板と
を交互に直列接続し、かつ前記一対の対向壁のそれぞれ
の側における前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半導体薄板
との直列接続体を直列に接続したことを特徴とする熱電
冷却装置が得られる。
る冷媒流通用のパイプの前記対向壁の外面側にそれぞ
れ、Ｎ型半導体薄板とＰ型半導体薄板とを交互に配列
し、隣接しあう前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半導体薄
板とをそれらの内面側及び外面側において交互に電気的
に接続することにより、前記一対の対向壁のそれぞれの
側における前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半導体薄板と
を交互に直列接続し、かつ前記一対の対向壁のそれぞれ
の側における前記Ｎ型半導体薄板と前記Ｐ型半導体薄板
との直列接続体を直列に接続したことを特徴とする熱電
冷却装置が得られる。
【００１１】なお、いずれの発明においても、前記各半
導体薄板の断面積Ｓと板厚Ｌの比Ａ（＝Ｓ／Ｌ）は、２
以上であることが望ましい。
導体薄板の断面積Ｓと板厚Ｌの比Ａ（＝Ｓ／Ｌ）は、２
以上であることが望ましい。
【００１２】
【作用】ｎ個の熱電冷却素子から成る熱電冷却装置（あ
るいは熱電冷却モジュール）を使用する冷却システムを
考えると、ｎ個の熱電冷却素子の表面からの最大吸熱量
ｑC MAX は次の数式１で与えられる。
るいは熱電冷却モジュール）を使用する冷却システムを
考えると、ｎ個の熱電冷却素子の表面からの最大吸熱量
ｑC MAX は次の数式１で与えられる。
【００１３】
【数１】
【００１４】ここにおいて、α：半導体素子材のゼーベ
ック係数、σ：電気伝導率、Ａ（＝Ｓ／Ｌ）：半導体薄
板形状比（半導体薄板の断面積Ｓと半導体薄板厚Ｌとの
比）、κ：熱伝導率、ΔＴ：素子両端の温度差、ＴCJ：
熱電冷却素子の低温側表面温度である。
ック係数、σ：電気伝導率、Ａ（＝Ｓ／Ｌ）：半導体薄
板形状比（半導体薄板の断面積Ｓと半導体薄板厚Ｌとの
比）、κ：熱伝導率、ΔＴ：素子両端の温度差、ＴCJ：
熱電冷却素子の低温側表面温度である。
【００１５】上記数式１から明らかなように、ｎ個の熱
電冷却素子の表面からの最大吸熱量ｑC MAX は、物性定
数であるα、κ及びσによって定まる項と、熱電冷却素
子の構造で決まるＡ及びｎによって定まる項と、任意に
外的条件として与えられるΔＴ及びＴCJによって定まる
項との３つの項によって決定される。したがって、半導
体素子材の化合物組成が決定されている時、ｎ個の熱電
冷却素子表面からの最大吸熱量ｑC MAX をできるだけ大
きくするには、ΔＴを可能な限り小さく、Ａを大きくと
り得るような構造をもつ熱電冷却装置を設計すればよ
い。
電冷却素子の表面からの最大吸熱量ｑC MAX は、物性定
数であるα、κ及びσによって定まる項と、熱電冷却素
子の構造で決まるＡ及びｎによって定まる項と、任意に
外的条件として与えられるΔＴ及びＴCJによって定まる
項との３つの項によって決定される。したがって、半導
体素子材の化合物組成が決定されている時、ｎ個の熱電
冷却素子表面からの最大吸熱量ｑC MAX をできるだけ大
きくするには、ΔＴを可能な限り小さく、Ａを大きくと
り得るような構造をもつ熱電冷却装置を設計すればよ
い。
【００１６】そこで、熱電冷却素子を複数個、Ｎ型半導
体薄板とＰ型半導体薄板とが交互に並ぶように一列に配
列して、すべてのＮ型半導体薄板及びＰ型半導体薄板を
電気的に直列に接続し、しかも一列に並んだ複数個の熱
伝達管により冷媒流通用のメインパイプを包むように構
成して、直列に接続したＮ型半導体薄板とＰ型半導体薄
板に直流電流を流すと、メインパイプ内の冷媒はペルチ
ェ効果に基づき、冷却される。
体薄板とＰ型半導体薄板とが交互に並ぶように一列に配
列して、すべてのＮ型半導体薄板及びＰ型半導体薄板を
電気的に直列に接続し、しかも一列に並んだ複数個の熱
伝達管により冷媒流通用のメインパイプを包むように構
成して、直列に接続したＮ型半導体薄板とＰ型半導体薄
板に直流電流を流すと、メインパイプ内の冷媒はペルチ
ェ効果に基づき、冷却される。
【００１７】しかも、メインパイプ内を流れる冷媒は、
メインパイプの一方の流入口から他方の流出口に移動す
るに従って、次第に冷却能力を高める。この冷媒をメイ
ンパイプを通して断熱室に移動させ、その断熱室の熱を
奪うように構成することにより、冷凍冷蔵庫や冷凍庫と
しての機能を果たさせることができる。
メインパイプの一方の流入口から他方の流出口に移動す
るに従って、次第に冷却能力を高める。この冷媒をメイ
ンパイプを通して断熱室に移動させ、その断熱室の熱を
奪うように構成することにより、冷凍冷蔵庫や冷凍庫と
しての機能を果たさせることができる。
【００１８】
【実施例】図１を参照して、熱電冷却素子１は、断面四
角形の導電性材料であって熱伝導率の良好な材料による
熱伝達管１１の一対の対向壁の外面にそれぞれ、Ｎ型半
導体薄板１２−Ｎ、Ｐ型半導体薄板１２−Ｐを固着し、
Ｎ型半導体薄板１２−Ｎ、Ｐ型半導体薄板１２−Ｐの外
側には更に電極板１３，１４を設けて成る。その結果、
Ｎ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとは
熱伝達管１１を介して直列接続されることとなる。
角形の導電性材料であって熱伝導率の良好な材料による
熱伝達管１１の一対の対向壁の外面にそれぞれ、Ｎ型半
導体薄板１２−Ｎ、Ｐ型半導体薄板１２−Ｐを固着し、
Ｎ型半導体薄板１２−Ｎ、Ｐ型半導体薄板１２−Ｐの外
側には更に電極板１３，１４を設けて成る。その結果、
Ｎ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとは
熱伝達管１１を介して直列接続されることとなる。
【００１９】図２は、この熱電冷却素子１を複数個用い
て冷媒流通用のメインパイプ２と共に熱電冷却装置を構
成した例を示している。図２において、複数の熱電冷却
素子１を、隣接する半導体薄板の導電型が交互に逆導電
性になるように、絶縁材１５を介してメインパイプ２の
外周に配列固定する。複数の熱電冷却素子１の電気的接
続は、隣接しあうＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体
薄板１２−Ｐとをその外面側において金属接合板１６で
接続することにより行われる。特に、この金属接合板１
６がメインパイプ２を間にして交互に反対側に位置する
ようにして接続することにより、すべてのＮ型半導体薄
板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとが交互になる状
態で直列接続されるようになっている。
て冷媒流通用のメインパイプ２と共に熱電冷却装置を構
成した例を示している。図２において、複数の熱電冷却
素子１を、隣接する半導体薄板の導電型が交互に逆導電
性になるように、絶縁材１５を介してメインパイプ２の
外周に配列固定する。複数の熱電冷却素子１の電気的接
続は、隣接しあうＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体
薄板１２−Ｐとをその外面側において金属接合板１６で
接続することにより行われる。特に、この金属接合板１
６がメインパイプ２を間にして交互に反対側に位置する
ようにして接続することにより、すべてのＮ型半導体薄
板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとが交互になる状
態で直列接続されるようになっている。
【００２０】言い換えれば、各熱電冷却素子における一
対のＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐ
との直列接続体が金属接合板１６により順に直列接続さ
れるようになっている。最外側のＰ型半導体薄板１２−
Ｐに設けられた電極板１３とＮ型半導体薄板１２−Ｎに
設けられた電極板１４には直流電源（図示せず）が接続
され、すべてのＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄
板１２−Ｐとの直列接続体に直流電流が流される。その
結果、メインパイプ２内の冷媒は、各熱電冷却素子によ
り順に冷却され、冷却度が高められてゆくので、冷媒は
メインパイプ２の一方の流入口から他方の流出口へ移動
するに従い、冷却能力が高められることとなる。
対のＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐ
との直列接続体が金属接合板１６により順に直列接続さ
れるようになっている。最外側のＰ型半導体薄板１２−
Ｐに設けられた電極板１３とＮ型半導体薄板１２−Ｎに
設けられた電極板１４には直流電源（図示せず）が接続
され、すべてのＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄
板１２−Ｐとの直列接続体に直流電流が流される。その
結果、メインパイプ２内の冷媒は、各熱電冷却素子によ
り順に冷却され、冷却度が高められてゆくので、冷媒は
メインパイプ２の一方の流入口から他方の流出口へ移動
するに従い、冷却能力が高められることとなる。
【００２１】図３は熱電冷却装置の他の例を示し、Ｎ型
半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとを金属
接合板２０を介してセラミック製のメインパイプ２外面
に固着し、隣接しあうＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半
導体薄板１２−Ｐとの外面側の電気的な接続も金属接合
板２１により行うようにしている。
半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとを金属
接合板２０を介してセラミック製のメインパイプ２外面
に固着し、隣接しあうＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半
導体薄板１２−Ｐとの外面側の電気的な接続も金属接合
板２１により行うようにしている。
【００２２】すなわち、図３では、一対の対向壁を有す
る冷媒流通用のメインパイプ２の前記対向壁の外面側に
それぞれ、Ｎ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１
２−Ｐとを交互に配列し、隣接しあうＮ型半導体薄板１
２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとをそれらの内面側及
び外面側において金属接合板２０、２１により交互に電
気的に接続している。このことにより、前記一対の対向
壁のそれぞれの対向壁におけるすべてのＮ型半導体薄板
１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとが直列接続され
る。しかも、メインパイプ２の一端側において前記一対
の対向壁のそれぞれの側の金属接合板２０を短絡接続す
ることにより、前記一対の対向壁のそれぞれの対向壁に
おけるＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−
Ｐとの直列接続体が直列に接続される。メインパイプ２
の他端側においては、一方の対向壁の金属接合板２０に
電源の＋側が、他方の対向壁の金属接合板２０には−側
が接続されている。
る冷媒流通用のメインパイプ２の前記対向壁の外面側に
それぞれ、Ｎ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１
２−Ｐとを交互に配列し、隣接しあうＮ型半導体薄板１
２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとをそれらの内面側及
び外面側において金属接合板２０、２１により交互に電
気的に接続している。このことにより、前記一対の対向
壁のそれぞれの対向壁におけるすべてのＮ型半導体薄板
１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−Ｐとが直列接続され
る。しかも、メインパイプ２の一端側において前記一対
の対向壁のそれぞれの側の金属接合板２０を短絡接続す
ることにより、前記一対の対向壁のそれぞれの対向壁に
おけるＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１２−
Ｐとの直列接続体が直列に接続される。メインパイプ２
の他端側においては、一方の対向壁の金属接合板２０に
電源の＋側が、他方の対向壁の金属接合板２０には−側
が接続されている。
【００２３】なお、いずれの実施例においても、半導体
薄板の材料としては、既に良く知られているＢｉ2 Ｔｅ
3 系化合物の焼結板を用いた。その化合物の組成は次の
通りである。
薄板の材料としては、既に良く知られているＢｉ2 Ｔｅ
3 系化合物の焼結板を用いた。その化合物の組成は次の
通りである。
【００２４】Ｐ型半導体化合物：Ｂｉ0.5 Ｓｂ1.5 Ｔｅ
3 ＋０．０５ｗｔ％Ｐｂ Ｎ型半導体化合物：Ｂｉ2 Ｔｅ2.7 Ｓｅ0.3 ＋０．２０
ｗｔ％Ｓ 熱電冷却素子の冷却効率を上げるためには、前述した通
り、ΔＴを可能な限り小さくし、Ａを１より可能な限り
大きくする事が好ましい。本実施例では、半導体薄板の
断面積Ｓと板厚Ｌとの比Ａ＝Ｓ／Ｌを３．９とした。そ
の結果、熱電冷却素子表面温度−３０℃を得た。
3 ＋０．０５ｗｔ％Ｐｂ Ｎ型半導体化合物：Ｂｉ2 Ｔｅ2.7 Ｓｅ0.3 ＋０．２０
ｗｔ％Ｓ 熱電冷却素子の冷却効率を上げるためには、前述した通
り、ΔＴを可能な限り小さくし、Ａを１より可能な限り
大きくする事が好ましい。本実施例では、半導体薄板の
断面積Ｓと板厚Ｌとの比Ａ＝Ｓ／Ｌを３．９とした。そ
の結果、熱電冷却素子表面温度−３０℃を得た。
【００２５】なお、図３の実施例では、メインパイプ２
の２対の対向壁の一方の対にＮ型半導体薄板１２−Ｎと
Ｐ型半導体薄板１２−Ｐとを配列しているが、他方の対
にも同様にＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１
２−Ｐとを配列することで、更に冷却能力を向上させる
ことができる。
の２対の対向壁の一方の対にＮ型半導体薄板１２−Ｎと
Ｐ型半導体薄板１２−Ｐとを配列しているが、他方の対
にも同様にＮ型半導体薄板１２−ＮとＰ型半導体薄板１
２−Ｐとを配列することで、更に冷却能力を向上させる
ことができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明による新しい構造の冷却方式を採
用する事によって、冷媒の冷却能力を、使用する熱電冷
却素子の冷却能力の限界まで上げる事が可能になった。
この構造を採る事によって、熱電冷却方式による実用型
の大型冷凍冷蔵庫の製造が容易になった。
用する事によって、冷媒の冷却能力を、使用する熱電冷
却素子の冷却能力の限界まで上げる事が可能になった。
この構造を採る事によって、熱電冷却方式による実用型
の大型冷凍冷蔵庫の製造が容易になった。
【図１】本発明による熱電冷却素子を示した図であり、
図ａは正面図、図ｂは縦断面図である。
図ａは正面図、図ｂは縦断面図である。
【図２】図１に示された熱電冷却素子を使用した熱電冷
却装置を示した図であり、図ａは正面図、図ｂは縦断面
図である。
却装置を示した図であり、図ａは正面図、図ｂは縦断面
図である。
【図３】本発明による熱電冷却装置の他の例を示した図
であり、図ａは正面図、図ｂは縦断面図である。
であり、図ａは正面図、図ｂは縦断面図である。
１ 熱電冷却素子 ２ メインパイプ １１ 熱伝達管 １２−Ｎ Ｎ型半導体薄板 １２−Ｐ Ｐ型半導体薄板 １３、１４ 電極板 １５ 絶縁材 １６、２０、２１ 金属接合板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹治 雍典 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 (72)発明者 増本 健 宮城県仙台市青葉区上杉三丁目８番22号 (72)発明者 久保木 實 宮城県仙台市泉区加茂４丁目６番３号 (72)発明者 金子 武次郎 宮城県仙台市青葉区旭ヶ丘３丁目13番８号 (72)発明者 佐藤 利三郎 宮城県仙台市青葉区八幡３丁目７−15
Claims (6)
- 【請求項１】 一対の対向壁を有する導電性の熱伝達管
の前記対向壁の一方の外面にＮ型半導体薄板を、他方の
外面にはＰ型半導体薄板を設けて対向させた半導体素子
対を含むことを特徴とする熱電冷却素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の熱電冷却素子において、
前記各半導体薄板の断面積Ｓと板厚Ｌの比Ａ（＝Ｓ／
Ｌ）が、２以上であることを特徴とする熱電冷却素子。 - 【請求項３】 請求項１記載の熱電冷却素子を複数個、
冷媒流通用のパイプの外周に、前記Ｎ型半導体薄板と前
記Ｐ型半導体薄板とが交互に並ぶように配列すると共
に、各熱電冷却素子における一対の前記Ｎ型半導体薄板
と前記Ｐ型半導体薄板との直列接続体を、前記パイプを
間にした互いに反対側の位置で交互に順に電気的に直列
接続することにより、すべての前記Ｎ型半導体薄板と前
記Ｐ型半導体薄板とが交互になる状態で直列接続される
ようにしたことを特徴とする熱電冷却装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の熱電冷却装置において、
前記各半導体薄板の断面積Ｓと板厚Ｌの比Ａ（＝Ｓ／
Ｌ）が、２以上であることを特徴とする熱電冷却装置。 - 【請求項５】 一対の対向壁を有する冷媒流通用のパイ
プの前記対向壁の外面側にそれぞれ、Ｎ型半導体薄板と
Ｐ型半導体薄板とを交互に配列し、隣接しあう前記Ｎ型
半導体薄板と前記Ｐ型半導体薄板とをそれらの内面側及
び外面側において交互に電気的に接続することにより、
前記一対の対向壁のそれぞれの側における前記Ｎ型半導
体薄板と前記Ｐ型半導体薄板とを交互に直列接続し、か
つ前記一対の対向壁のそれぞれの側における前記Ｎ型半
導体薄板と前記Ｐ型半導体薄板との直列接続体を直列に
接続したことを特徴とする熱電冷却装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の熱電冷却装置において、
前記各半導体薄板の断面積Ｓと板厚Ｌの比Ａ（＝Ｓ／
Ｌ）が、２以上であることを特徴とする熱電冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6120159A JPH07326800A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 熱電冷却素子及びこれを用いた熱電冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6120159A JPH07326800A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 熱電冷却素子及びこれを用いた熱電冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326800A true JPH07326800A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14779420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6120159A Withdrawn JPH07326800A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 熱電冷却素子及びこれを用いた熱電冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6332458B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-12-25 | Hitachi, Ltd. | Ignition coil unit for engine and engine provided with plastic head cover |
-
1994
- 1994-06-01 JP JP6120159A patent/JPH07326800A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6332458B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-12-25 | Hitachi, Ltd. | Ignition coil unit for engine and engine provided with plastic head cover |
| US6571784B2 (en) | 1997-05-23 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Ignition coil for use in engine and engine having plastic cylinder head cover |
| EP1878910A2 (en) | 1997-05-23 | 2008-01-16 | Hitachi, Ltd. | Ignition coil for use in engine |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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