JPH07325279A - Pressure reducing device and method thereof - Google Patents

Pressure reducing device and method thereof

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JPH07325279A
JPH07325279A JP12038794A JP12038794A JPH07325279A JP H07325279 A JPH07325279 A JP H07325279A JP 12038794 A JP12038794 A JP 12038794A JP 12038794 A JP12038794 A JP 12038794A JP H07325279 A JPH07325279 A JP H07325279A
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JP
Japan
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space
processing
buffer
processing space
substrate
Prior art date
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JP12038794A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
Hiroyuki Kitazawa
裕之 北澤
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To reduce the time necessary for evacuating a treating space up to a prescribed pressure in a close contact enhancing device for attaching a treating gas such as the vapor of a close contact enhancing agent on the surface of a substrate by supplying the treating gas in the evacuated treating space. CONSTITUTION:A treating vessel 25 is provided with the air tight treating space 27 in the inside and the substrate 26 is housed in the treating space 27. A buffer tank 50 is provided with an air tight buffer space 57 in the inside. And an ejector 60 previously sucks air in the buffer space 57 to reduce the pressure. A 1st evacuating air valve 71 can connect the buffer space 57 to the treating space 27. A gas in the treating space 27 relatively high in pressure is diffused at a stretch to the buffer space 57 by connecting the buffer space 57 to the treating space 27 with the 1st evacuating air valve opened. Then, the inside of the treating space 27 is evacuating up to the prescribed pressure for a short time.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶用ガラス角型基
板、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板などの各種基
板の表面にフォトレジストなどの塗布液を塗布する前
に、その塗布液と基板との密着性を強化するために所定
の密着強化剤を基板表面に付着させる密着強化処理装置
及び方法、各種基板の表面を減圧下で乾燥させる装置及
び方法、もしくは減圧状態に保持された各種基板の表面
にエッチングガスや成膜用の原料ガスなどの処理ガスを
供給して基板表面のエッチング、洗浄、アッシングなど
のドライ処理を行う装置及び方法など、減圧された空間
内において基板の表面に所定の処理を行う減圧処理装置
及び方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating liquid, such as a rectangular glass substrate for liquid crystal, a semiconductor wafer, a substrate for a color filter, etc. Adhesion strengthening treatment apparatus and method for adhering a predetermined adhesion enhancer to the substrate surface in order to enhance the adhesion of the substrate, apparatus and method for drying the surface of various substrates under reduced pressure, or various substrates held under reduced pressure. An apparatus and method for supplying a processing gas such as an etching gas or a raw material gas for film formation to the surface to perform a dry process such as etching, cleaning, and ashing of the substrate surface, etc. The present invention relates to a reduced pressure processing apparatus and method for performing processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の密着強化処理装置として、例えば
特開平4−346035号公報に開示されている装置が
ある。この装置では、処理すべき基板を収容する処理容
器中に密着強化剤の蒸気を導入するに際して、予め処理
容器内の雰囲気をエジェクタ式真空発生装置で吸引・排
気して不要なる気体が密着強化剤の蒸気に混入すること
を低減させることとしていた。
2. Description of the Related Art As a conventional adhesion strengthening processing apparatus, there is an apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 346035/1992. In this device, when the vapor of the adhesion enhancer is introduced into the processing container accommodating the substrate to be processed, the atmosphere in the processing container is sucked and evacuated by the ejector type vacuum generator in advance to eliminate unnecessary gas. It was intended to reduce the mixture with the steam of.

【0003】図3は、従来の密着強化処理装置の構成を
模式的に示したものである。この装置においては、処理
容器(チャンバ)5内の処理空間7内に半導体ウエハや
液晶用ガラス角型基板などの基板6を収容した後、処理
容器5の底部に接続された排気管11に連通するエジェ
クタ式真空発生装置17によって処理空間7内を減圧す
る。その後、エジェクタ式真空発生装置17による排気
を停止して密着強化剤(HMDS:ヘキサメチルジシラ
ザン)が混入された窒素ガスを処理空間7に圧送して処
理空間7内に収容された基板6の表面に密着強化剤を供
給する。これにより、基板6の表面に密着強化剤を付着
させる密着強化処理が可能となる。
FIG. 3 schematically shows the structure of a conventional adhesion strengthening processing apparatus. In this apparatus, a substrate 6 such as a semiconductor wafer or a glass rectangular substrate for liquid crystal is housed in a processing space 7 in a processing container (chamber) 5, and then communicated with an exhaust pipe 11 connected to the bottom of the processing container 5. The interior of the processing space 7 is decompressed by the ejector type vacuum generator 17. After that, the exhaust of the ejector type vacuum generator 17 is stopped and the nitrogen gas mixed with the adhesion strengthening agent (HMDS: hexamethyldisilazane) is pressure-fed to the processing space 7 to remove the substrate 6 contained in the processing space 7. Supply adhesion enhancer to the surface. As a result, it becomes possible to perform the adhesion strengthening treatment in which the adhesion enhancer is attached to the surface of the substrate 6.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような装置及び方法では、エジェクタ式真空発生装置1
7の吸引能力に対して処理空間7の容積が比較的大きい
ので、処理空間7を所定の圧力まで減圧するために長時
間を要してしまう。そして、この減圧の要する時間が長
いと、1枚の基板を密着強化処理するのに要する処理タ
クトが長くなってしまい、装置の生産性を悪化させる原
因となってしまうという問題がある。
However, in the apparatus and method as described above, the ejector type vacuum generator 1 is used.
Since the volume of the processing space 7 is relatively large with respect to the suction capacity of 7, it takes a long time to reduce the processing space 7 to a predetermined pressure. If the time required for this decompression is long, the processing tact time required for performing the adhesion strengthening processing on one substrate becomes long, which causes a problem that the productivity of the apparatus is deteriorated.

【0005】なお、処理空間7を所定の圧力まで減圧す
るため、エジェクタ式真空発生装置17のかわりに真空
ポンプを用いた場合、一般に、エジェクタ式真空発生装
置17に比較して処理空間7の減圧速度を増加させるこ
とは可能であるが、処理空間7のパーティクルなどを真
空ポンプが吸い込んでしまうので汚染されてしまうとい
う別の問題が生じる。
When a vacuum pump is used instead of the ejector type vacuum generator 17 in order to reduce the pressure of the processing space 7 to a predetermined pressure, generally, the pressure of the treatment space 7 is reduced as compared with the ejector type vacuum generator 17. Although it is possible to increase the speed, another problem arises in that the particles in the processing space 7 are sucked by the vacuum pump and are contaminated.

【0006】そこで、この発明は、減圧された空間内に
おいて基板の表面に所定の処理を行う減圧処理装置及び
方法において、処理空間を所定の圧力まで減圧するのに
要する時間を短縮することが可能な減圧処理装置及び方
法を提供することを目的とする。
Therefore, according to the present invention, in the depressurization processing apparatus and method for performing a predetermined process on the surface of a substrate in a depressurized space, it is possible to shorten the time required to depressurize the processing space to a predetermined pressure. An object of the present invention is to provide a reduced pressure treatment apparatus and method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明の請求項1の減圧処理装置は、減圧された
空間内において基板の表面に所定の処理を行う減圧処理
装置において、気密性の処理空間を内部に有するととも
に、この処理空間内に基板を収容する処理容器と、処理
空間とは異なるバッファ空間を内部に有するバッファタ
ンクと、バッファ空間内の空気を吸引して減圧する吸引
手段と、減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続す
る第1の接続手段とを備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, a decompression processing apparatus according to claim 1 of the present invention is a decompression processing apparatus that performs a predetermined process on a surface of a substrate in a decompressed space, and is airtight. A processing container having a processing space therein and a substrate accommodated in the processing space, a buffer tank having a buffer space different from the processing space therein, and suction means for sucking air in the buffer space to reduce the pressure. And a first connecting means for connecting the decompressed buffer space and the processing space.

【0008】また、請求項2の減圧処理装置は、さらに
処理空間内に所定の処理液の蒸気を供給する処理液蒸気
供給手段を備えることを特徴とする。
The depressurization processing apparatus according to claim 2 is further characterized by further comprising processing liquid vapor supply means for supplying a vapor of a predetermined processing liquid into the processing space.

【0009】また、請求項3の減圧処理装置は、上記処
理液蒸気供給手段が処理空間内に密着強化剤の蒸気を供
給する密着強化剤蒸気供給手段であることを特徴とす
る。
Further, the reduced pressure processing apparatus according to claim 3 is characterized in that the processing liquid vapor supplying means is an adhesion enhancing agent vapor supplying means for supplying vapor of the adhesion enhancing agent into the processing space.

【0010】また、請求項4の減圧処理装置は、バッフ
ァ空間の容積が、処理空間の容積と同等以上であること
を特徴とする。
The decompression processing apparatus according to claim 4 is characterized in that the volume of the buffer space is equal to or larger than the volume of the processing space.

【0011】また、請求項5の減圧処理装置は、さらに
吸引手段と処理空間とを接続する第2の接続手段を備え
ることを特徴とする。
The depressurization processing apparatus according to claim 5 is characterized by further comprising second connecting means for connecting the suction means and the processing space.

【0012】また、請求項6の減圧処理装置は、さらに
吸引手段とバッファ空間とを接続する第3の接続手段を
備えることを特徴とする。
Further, the reduced pressure processing apparatus of claim 6 is characterized by further comprising a third connecting means for connecting the suction means and the buffer space.

【0013】さらに、請求項7の減圧処理方法は、減圧
された空間内において基板の表面に所定の処理を行う減
圧処理方法において、気密性の処理空間内に基板を収容
する工程と、処理空間とは異なるバッファ空間内の空気
を吸引して減圧する工程と、減圧されたバッファ空間と
処理空間とを接続して、バッファ空間と処理空間とが平
衡状態に至るまで処理空間を減圧する工程とを備えるこ
とを特徴とする。
Further, in the decompression processing method of claim 7, in the decompression processing method for performing a predetermined processing on the surface of the substrate in the decompressed space, the step of accommodating the substrate in the airtight processing space, and the processing space A step of sucking air in a buffer space different from that to reduce the pressure, and a step of connecting the reduced pressure buffer space and the processing space to reduce the pressure of the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. It is characterized by including.

【0014】また、請求項8の減圧処理方法は、さら
に、減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続してバ
ッファ空間と処理空間とが平衡状態に至るまで処理空間
を減圧する工程の後に、基板を収容している処理空間内
の空気を吸引してさらに減圧する工程を備えることを特
徴とする。
Further, in the depressurization processing method of claim 8, after the step of connecting the depressurized buffer space and the processing space and depressurizing the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state, The method is characterized by including the step of sucking air in the processing space containing the substrate to further reduce the pressure.

【0015】また、請求項9の減圧処理方法は、さら
に、減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続してバ
ッファ空間と処理空間とが平衡状態に至るまで処理空間
を減圧する工程の前に、基板を収容している処理空間内
の空気を吸引して予め減圧する工程を備えることを特徴
とする。
Further, in the depressurization processing method of claim 9, before the step of connecting the depressurized buffer space and the processing space and depressurizing the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. The method is characterized by including the step of sucking air in the processing space containing the substrate to reduce the pressure in advance.

【0016】また、請求項10の減圧処理方法は、さら
に、基板を収容している処理空間内に所定の処理液の蒸
気を供給する工程を備えることを特徴とする。
Further, the reduced pressure processing method of the tenth aspect is characterized by further comprising a step of supplying a vapor of a predetermined processing liquid into the processing space which accommodates the substrate.

【0017】[0017]

【作用】請求項1の装置では、気密性の処理空間を内部
に有するとともに、この処理空間内に基板を収容する処
理容器と、処理空間とは異なるバッファ空間を内部に有
するバッファタンクと、バッファ空間内の空気を吸引し
て減圧する吸引手段と、減圧されたバッファ空間と処理
空間とを接続する第1の接続手段とを備えるので、予め
吸引手段によってバッファ空間を十分に減圧しておき、
その状態で第1の接続手段により減圧されたバッファ空
間と処理空間とを接続することにより、相対的に高圧の
処理空間内にある気体を一気にバッファ空間に拡散させ
る。すなわち、第1の接続手段により処理空間にあった
気体の体積が処理空間とバッファ空間との和の体積にま
で実質的に急増させられるので、処理空間にあった気体
が平衡状態に至るまで処理空間の圧力が急激に減少させ
られる。したがって、短時間で処理空間の圧力を減少さ
せることができる。
In the apparatus of claim 1, a processing container having an airtight processing space therein, a substrate containing the substrate in the processing space, a buffer tank having a buffer space different from the processing space therein, and a buffer are provided. Since the suction means for sucking and depressurizing the air in the space and the first connecting means for connecting the depressurized buffer space and the processing space are provided, the buffer space is sufficiently depressurized by the suction means in advance,
In this state, the buffer space whose pressure is reduced by the first connecting means is connected to the processing space, so that the gas in the relatively high-pressure processing space is diffused into the buffer space at once. That is, since the volume of the gas in the processing space is substantially increased to the volume of the sum of the processing space and the buffer space by the first connecting means, the gas in the processing space is processed until it reaches an equilibrium state. The pressure in the space is sharply reduced. Therefore, the pressure in the processing space can be reduced in a short time.

【0018】また、請求項2の装置では、減圧された処
理空間内に所定の処理液の蒸気を供給して、減圧状態で
その処理液による処理を行うことができる。
Further, in the apparatus according to the second aspect, it is possible to supply the vapor of the predetermined processing liquid into the processing space whose pressure has been reduced and to perform the processing with the processing liquid under the reduced pressure.

【0019】また、請求項3の装置では、減圧された処
理空間内に密着強化剤の蒸気を供給して、基板の表面に
密着強化剤を塗布することができる。
Further, in the apparatus of the third aspect, the adhesion enhancing agent can be applied to the surface of the substrate by supplying the vapor of the adhesion enhancing agent into the decompressed processing space.

【0020】また、請求項4の装置では、バッファ空間
の容積が処理空間の容積と同等以上であるので、第1の
接続手段によりバッファ空間と処理空間とが接続された
あと、直ちに処理空間内の圧力を1/2程度以下に減圧
することが可能になる。
Further, in the apparatus of claim 4, since the volume of the buffer space is equal to or larger than the volume of the processing space, the buffer space and the processing space are immediately connected to each other in the processing space by the first connecting means. It is possible to reduce the pressure of 2 to about 1/2 or less.

【0021】また、請求項5の装置では、さらに吸引手
段と処理空間とを接続する第2の接続手段を備えるの
で、吸引手段によって処理空間を直接的に減圧すること
ができ、短時間で処理空間を所定の圧力まで正確に減圧
することができる。
Further, in the apparatus of claim 5, further comprising the second connecting means for connecting the suction means and the processing space, the processing space can be directly decompressed by the suction means, and the processing can be carried out in a short time. The space can be accurately depressurized to a predetermined pressure.

【0022】また、請求項6の装置では、さらに吸引手
段とバッファ空間とを接続する第3の接続手段を備える
ので、第1の接続手段によって処理空間とバッファ空間
とが接続されていない状態において、第2の接続手段と
第3の接続手段とを選択的に作動させることにより、第
2の接続手段を作動させて吸引手段により処理空間を直
接的に減圧するときを除いて、第3の接続手段によって
吸引手段によりバッファ空間を常に減圧することがで
き、バッファタンク内を常に減圧し続けることができ
る。
Further, the apparatus of claim 6 further comprises third connecting means for connecting the suction means and the buffer space, so that the processing space and the buffer space are not connected by the first connecting means. , The third connecting means is selectively operated to operate the second connecting means to directly depressurize the processing space by the suction means. The buffer space can be constantly depressurized by the connecting means by the connecting means, and the pressure in the buffer tank can be constantly depressurized.

【0023】さらに、請求項7の減圧処理方法では、減
圧された空間内において基板の表面に所定の処理を行う
減圧処理方法において、気密性の処理空間内に基板を収
容する工程と、処理空間とは異なるバッファ空間内の空
気を吸引して減圧する工程と、減圧されたバッファ空間
と処理空間とを接続して、バッファ空間と処理空間とが
平衡状態に至るまで処理空間を減圧する工程とを備える
ので、予めバッファ空間を十分に減圧しておき、その状
態で減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続するこ
とにより、相対的に高圧の処理空間内にある気体を一気
にバッファ空間に拡散させる。すなわち、処理空間にあ
った気体の体積が処理空間とバッファ空間との和の体積
まで実質的に急増させられるので、処理空間にあった気
体が平衡状態に至るまで処理空間の圧力が急激に減少さ
せられる。したがって、短時間で処理空間の圧力を減少
させることができる。
Further, in the decompression processing method of claim 7, in the decompression processing method of performing a predetermined treatment on the surface of the substrate in the decompressed space, the step of accommodating the substrate in the airtight processing space, and the processing space A step of sucking air in a buffer space different from that to reduce the pressure, and a step of connecting the reduced pressure buffer space and the processing space to reduce the pressure of the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. Since the buffer space is sufficiently decompressed in advance and the decompressed buffer space and the processing space are connected in that state, the gas in the relatively high-pressure processing space is diffused into the buffer space at once. Let That is, since the volume of the gas in the processing space is substantially increased to the volume of the sum of the processing space and the buffer space, the pressure in the processing space sharply decreases until the gas in the processing space reaches an equilibrium state. To be made. Therefore, the pressure in the processing space can be reduced in a short time.

【0024】また、請求項8の方法では、さらに、減圧
されたバッファ空間と処理空間とを接続してバッファ空
間と処理空間とが平衡状態に至るまで処理空間を減圧す
る工程の後に、基板を収容している処理空間内の空気を
吸引してさらに減圧する工程を備えるので、処理空間が
所定の圧力に達する直前まで急激に処理空間を減圧し、
その後に処理空間の減圧を直接的に行って短時間で処理
空間を所定の圧力まで正確に減圧することができる。
Further, in the method of claim 8, after the step of connecting the depressurized buffer space and the processing space and depressurizing the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state, the substrate is removed. Since it includes a step of sucking air in the processing space that is housed and further reducing the pressure, the processing space is rapidly depressurized until just before the processing space reaches a predetermined pressure,
After that, the processing space can be directly depressurized to accurately depressurize the processing space to a predetermined pressure in a short time.

【0025】また、請求項9の方法では、さらに、減圧
されたバッファ空間と処理空間とを接続してバッファ空
間と処理空間とが平衡状態に至るまで処理空間を減圧す
る工程の前に、基板を収容している処理空間内の空気を
吸引して予め減圧する工程を備えるので、予め処理空間
を直接的にある程度減圧しておき、その後にその処理空
間を急激に減圧して、短時間で処理空間を所定の圧力ま
で正確に減圧することができる。
In the method of claim 9, the substrate is further depressurized before the step of connecting the depressurized buffer space and the processing space and depressurizing the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. Since there is provided a step of sucking air in the processing space that accommodates and depressurizing it in advance, decompressing the processing space directly to some extent in advance and then rapidly depressurizing the processing space in a short time. The processing space can be accurately depressurized to a predetermined pressure.

【0026】また、請求項10の方法では、さらに、基
板を収容している処理空間内に所定の処理液の蒸気を供
給する工程を備えるので、短時間で所定の圧力まで減圧
された処理空間内においてもその処理液による基板の処
理を行うことができる。
Further, the method of claim 10 further comprises the step of supplying the vapor of a predetermined processing liquid into the processing space accommodating the substrate, so that the processing space depressurized to a predetermined pressure in a short time is provided. The substrate can be treated with the treatment liquid inside.

【0027】[0027]

【実施例】図1は、減圧状態に保持された基板の表面に
密着強化剤の蒸気を供給して基板の表面に密着強化剤を
塗布する密着強化処理装置にこの発明を適用した実施例
の装置を示す図である。この気密性の処理容器25は、
その内部の処理空間27内に密着強化処理すべき基板2
6を収容する。基板26の搬入及び搬出は、処理容器2
5の側部に形成されたシャッタ(図示を省略)の開閉に
よって行う。処理容器25内に搬入された基板26は、
ホットプレート36上に載置され、その温度が制御され
る。
FIG. 1 shows an embodiment in which the present invention is applied to an adhesion strengthening treatment apparatus for supplying the adhesion strengthening agent vapor to the surface of a substrate held under reduced pressure to apply the adhesion strengthening agent to the surface of the substrate. It is a figure which shows an apparatus. This airtight processing container 25 is
The substrate 2 to be subjected to the adhesion strengthening treatment in the processing space 27 inside thereof
Accommodates 6. The substrate 26 is loaded and unloaded in the processing container 2
This is performed by opening and closing a shutter (not shown) formed on the side portion of 5. The substrate 26 carried into the processing container 25 is
It is placed on the hot plate 36 and its temperature is controlled.

【0028】処理容器25の上部に形成された給気ポー
ト25aは、密着強化剤であるヘキサメチルジシラザン
(以下、HMDS)の蒸気(以下、HMDSベーパ)を
含む処理ガスを処理空間27内に供給するためのもの
で、HMDSを貯留するバブラー40に連通する。バブ
ラー40は、窒素ガス(N2ガス)の供給を受けて、窒
素ガス(N2ガス)とHMDSベーパとを適当な比率で
混合した処理ガスを発生する。バブラー40への窒素ガ
ス(N2ガス)の供給は、窒素用エアーバルブ45によ
って制御する。
The air supply port 25a formed in the upper portion of the processing container 25 supplies a processing gas containing hexamethyldisilazane (hereinafter, HMDS) vapor (hereinafter, HMDS vapor), which is an adhesion enhancer, into the processing space 27. It is for supply and communicates with a bubbler 40 that stores HMDS. Bubbler 40 is supplied with nitrogen gas (N 2 gas) to generate nitrogen gas (N 2 gas) and the processing gas that is a mixture of HMDS vapor at an appropriate ratio. Supply of nitrogen gas (N 2 gas) to the bubbler 40 is controlled by a nitrogen air valve 45.

【0029】処理容器25の底部には、一対の排気ポー
ト25cが形成され、第1の排気用エアーバルブ71を
介してバッファタンク50に接続可能になっている。こ
のバッファタンク50は、気密状態に保たれた単なる空
洞容器で、その内部のバッファ空間57の容積は、処理
容器25内部の処理空間27の容積の約2倍程度となっ
ている。なお、ここでバッファ空間57の容積を大きく
すればするほど処理空間27を減圧するのに要する時間
を短くすることができることはいうまでもない。
A pair of exhaust ports 25c are formed at the bottom of the processing container 25, and can be connected to the buffer tank 50 via the first exhaust air valve 71. The buffer tank 50 is a simple hollow container kept in an airtight state, and the volume of the buffer space 57 therein is about twice the volume of the processing space 27 inside the processing container 25. Needless to say, the larger the volume of the buffer space 57 is, the shorter the time required to decompress the processing space 27 can be.

【0030】処理容器25底部の一対の排気ポート25
cは、第2の排気用エアーバルブ72を介してエジェク
タ式真空発生装置60にも接続可能になっている。この
エジェクタ式真空発生装置60は、処理容器25及びバ
ッファタンク50内のそれぞれ空間を吸引排気するため
のものであり、第3の排気用エアーバルブ73を介して
バッファタンク50にも接続可能になっている。
A pair of exhaust ports 25 at the bottom of the processing container 25
c can also be connected to the ejector type vacuum generator 60 via the second exhaust air valve 72. The ejector type vacuum generator 60 is for sucking and exhausting the space inside the processing container 25 and the buffer tank 50, respectively, and can be connected to the buffer tank 50 through the third exhaust air valve 73. ing.

【0031】第1、第2及び第3の排気用エアーバルブ
71、72、73は、バルブ制御装置80によってその
動作が制御されている。なお、窒素用エアーバルブ45
もバルブ制御装置80によってその動作が制御されてい
る。
The operations of the first, second and third exhaust air valves 71, 72 and 73 are controlled by the valve controller 80. The nitrogen air valve 45
The operation is controlled by the valve control device 80.

【0032】以下、図2(a)を参照しつつ、実施例の
密着強化処理装置の第1動作例について説明する。な
お、実線の曲線は第1動作例の場合の処理容器25の内
圧を示し、点線の曲線は従来のように単にエゼクタのみ
で減圧する場合の処理容器25の内圧を示す。
Hereinafter, a first operation example of the adhesion strengthening processing apparatus of the embodiment will be described with reference to FIG. The solid curve shows the internal pressure of the processing container 25 in the case of the first operation example, and the dotted curve shows the internal pressure of the processing container 25 when only the ejector is used to reduce the pressure as in the conventional case.

【0033】予め、バルブ制御装置80の制御によって
第1及び第2の排気用エアーバルブ71、72を閉状態
とし、第3の排気用エアーバルブ73を開状態として、
バッファタンク50をエゼクタ60によって真空吸引
し、バッファ空間57の減圧を開始する。バッファ空間
57の十分な減圧が完了する前に、バルブ制御装置80
の制御によって窒素用エアーバルブ45を閉状態とし
て、基板26を処理容器25の処理空間27内に導いて
ホットプレート36上に載置する。
In advance, the first and second exhaust air valves 71 and 72 are closed and the third exhaust air valve 73 is opened by the control of the valve controller 80.
The buffer tank 50 is vacuum-sucked by the ejector 60 to start depressurizing the buffer space 57. Before the sufficient decompression of the buffer space 57 is completed, the valve controller 80
The nitrogen air valve 45 is closed by the control described above, and the substrate 26 is guided into the processing space 27 of the processing container 25 and placed on the hot plate 36.

【0034】次に、バッファ空間57の十分な減圧が完
了した時刻T0で、バルブ制御装置80の制御によって
第1の排気用エアーバルブ71を開状態にし、第3の排
気用エアーバルブ73を閉状態にして、処理容器25の
処理空間27とバッファタンク50のバッファ空間57
とを接続する。この結果、常圧の処理空間27にある空
気を減圧されたバッファ空間57に一気に吸引させるこ
とができる。すなわち、処理空間27にあった気体の体
積V1が処理空間27及びバッファ空間57の総和容積
に対応する体積V2になるので、ボイルの法則により、
その平衡状態では、処理空間27にある気体の圧力がP
2=(V1/V2)・P1となる。この実施例の場合、(V
1/V2)が1/3程度であるので、処理空間の圧力は1
/3程度に急減してほぼ平衡状態に達する(時刻T
1)。
Next, at time T0 when the buffer space 57 is sufficiently decompressed, the first exhaust air valve 71 is opened and the third exhaust air valve 73 is closed under the control of the valve controller 80. In this state, the processing space 27 of the processing container 25 and the buffer space 57 of the buffer tank 50.
And connect. As a result, the air in the processing space 27 at normal pressure can be sucked into the decompressed buffer space 57 at once. That is, since the volume V1 of the gas in the processing space 27 becomes the volume V2 corresponding to the total volume of the processing space 27 and the buffer space 57, according to Boyle's law,
In the equilibrium state, the pressure of the gas in the processing space 27 is P
2 = (V1 / V2) · P1. In the case of this embodiment, (V
Since 1 / V2) is about 1/3, the pressure in the processing space is 1
It suddenly decreases to about / 3 and reaches an almost equilibrium state (time T
1).

【0035】次に、バルブ制御装置80の制御によって
第1及び第3の排気用エアーバルブ71、73を閉状態
にし、第2の排気用エアーバルブ72を開状態にして、
処理容器25の処理空間27をエゼクタ60によって真
空吸引し、処理空間27の減圧を開始する。この結果、
既に圧力P2まで減圧されている処理空間27をさらに
徐々に減圧することができ、時刻T3では、処理空間2
7の圧力を最終目標値のP3とすることができる。
Next, the first and third exhaust air valves 71 and 73 are closed and the second exhaust air valve 72 is opened under the control of the valve controller 80.
The processing space 27 of the processing container 25 is vacuumed by the ejector 60 to start depressurizing the processing space 27. As a result,
The processing space 27 that has already been depressurized to the pressure P2 can be further depressurized, and at time T3, the processing space 2
The pressure of 7 can be used as the final target value P3.

【0036】なお、点線の曲線で示す従来の方法では、
エゼクタ60で一様に吸引するのみであるので、時刻T
3よりも随分遅れた時刻T6で最終目標の圧力P3に達す
る。すなわち、第1動作例では、処理空間27の減圧に
要する時間を(T6−T3)だけ短縮できる。
In the conventional method shown by the dotted curve,
Since the ejector 60 only sucks uniformly, the time T
The final target pressure P3 is reached at time T6, which is much later than 3. That is, in the first operation example, the time required for depressurizing the processing space 27 can be shortened by (T6−T3).

【0037】その後、バルブ制御装置80の制御によっ
て窒素用エアーバルブ45を開状態とし、第2の排気用
エアーバルブ72を閉状態にして、HMDSベーパを含
む処理ガスを処理容器25の処理空間27内に供給し、
さらにこれを加圧供給する。この際、現在処理中の基板
26の次の基板の処理の準備のため、バルブ制御装置8
0の制御によって第3の排気用エアーバルブ73を開状
態として、エゼクタ60によってバッファ空間57の減
圧を開始することとしてもよい。
Thereafter, the nitrogen air valve 45 is opened and the second exhaust air valve 72 is closed under the control of the valve control unit 80, and the processing gas containing the HMDS vapor is supplied to the processing space 27 of the processing container 25. Supply within
Further, this is supplied under pressure. At this time, in order to prepare for the processing of the substrate next to the substrate 26 currently being processed, the valve controller 8
The third exhaust air valve 73 may be opened by the control of 0, and the depressurization of the buffer space 57 may be started by the ejector 60.

【0038】HMDSベーパを含む処理ガスの加圧供給
を停止した状態で、処理空間27内で基板26を所定時
間放置すると、基板26上には、HMDSの均質な塗布
層が形成される。
When the substrate 26 is allowed to stand in the processing space 27 for a predetermined time while the pressurized supply of the processing gas containing the HMDS vapor is stopped, a uniform coating layer of HMDS is formed on the substrate 26.

【0039】その後、バルブ制御装置80の制御によっ
て第2の排気用エアーバルブ72を開状態にして、HM
DSベーパを含む処理ガスを十分排気するとともに、通
常の空気と置換する。その後、処理容器25内から基板
26を取り出す。
Thereafter, the second exhaust air valve 72 is opened by the control of the valve controller 80, and the HM
The processing gas containing the DS vapor is exhausted sufficiently and replaced with normal air. Then, the substrate 26 is taken out of the processing container 25.

【0040】なお、上記のようにHMDSが一様に付着
した基板25上に塗布液であるレジスト等をスピンコー
トすると、この塗布液の密着性が強化される。
When a resist or the like as a coating solution is spin-coated on the substrate 25 on which the HMDS is uniformly attached as described above, the adhesion of the coating solution is enhanced.

【0041】以上説明したように、上記第1動作例によ
れば、バッファタンク50を用いて処理空間27を予め
減圧してあるので、第1の排気用エアーバルブ71の開
動作により、平衡状態に向けて処理空間の圧力が急減す
る。したがって、比較的簡易かつ短時間で処理空間27
内を所望の圧力まで減圧することが可能となり、基板2
6を密着強化処理するに際しての前工程であるHMDS
ベーパを含む処理ガスの供給に要する処理タクトを短縮
し、装置の生産性を向上させることができる。
As described above, according to the first operation example, since the processing space 27 is decompressed in advance by using the buffer tank 50, the equilibrium state is obtained by the opening operation of the first exhaust air valve 71. The pressure in the processing space decreases sharply. Therefore, the processing space 27 can be relatively easily and quickly processed.
The inside of the substrate 2 can be reduced to a desired pressure.
HMDS, which is a pre-process for adhesion strengthening treatment of 6
The processing tact time required to supply the processing gas containing vapor can be shortened, and the productivity of the apparatus can be improved.

【0042】以下、図2(b)を参照しつつ、実施例の
装置の第2動作例について説明する。なお、実線の曲線
は第2動作例の場合の処理容器25の内圧を示し、点線
の曲線は単にエゼクタのみで減圧する場合の処理容器2
5の内圧を示す。
A second operation example of the apparatus according to the embodiment will be described below with reference to FIG. 2 (b). The solid curve shows the internal pressure of the processing container 25 in the second operation example, and the dotted curve shows the processing container 2 when only the ejector is used to reduce the pressure.
The internal pressure of 5 is shown.

【0043】予め、バルブ制御装置80の制御によって
第1及び第2の排気用エアーバルブ71、72を閉状態
とし、第3の排気用エアーバルブ73を開状態として、
バッファタンク50をエゼクタ60によって真空吸引
し、バッファ空間57の減圧を開始する。バッファ空間
57の十分な減圧が完了する前に、バルブ制御装置80
の制御によって窒素用エアーバルブ45を閉状態とし
て、基板26を処理容器25の処理空間27内に導いて
ホットプレート36上に載置する。
In advance, the first and second exhaust air valves 71 and 72 are closed and the third exhaust air valve 73 is opened by the control of the valve controller 80.
The buffer tank 50 is vacuum-sucked by the ejector 60 to start depressurizing the buffer space 57. Before the sufficient decompression of the buffer space 57 is completed, the valve controller 80
The nitrogen air valve 45 is closed by the control described above, and the substrate 26 is guided into the processing space 27 of the processing container 25 and placed on the hot plate 36.

【0044】次に、バッファ空間57の十分な減圧が完
了している時刻T0で、バルブ制御装置80の制御によ
って第3の排気用エアーバルブ73を閉状態にし、第2
の排気用エアーバルブ72を開状態にして、処理容器2
5の処理空間27をエゼクタ60によって真空吸引し、
処理空間27の減圧を開始する。この結果、処理空間2
7を徐々に減圧し、その圧力を最終目標値P3よりも大
きい事前目標値P2’まで減圧することができる(時刻
T4)。
Next, at time T0 when the buffer space 57 is sufficiently decompressed, the third exhaust air valve 73 is closed under the control of the valve controller 80, and the second air valve 73 is closed.
The exhaust air valve 72 is opened and the processing container 2
The processing space 27 of No. 5 is vacuum-sucked by the ejector 60,
The decompression of the processing space 27 is started. As a result, the processing space 2
7 can be gradually reduced, and the pressure can be reduced to a pre-target value P2 'larger than the final target value P3 (time T4).

【0045】次に、バルブ制御装置80の制御によって
第1の排気用エアーバルブ71を開状態にし、第2及び
第3の排気用エアーバルブ72、73を閉状態にして、
処理容器25の処理空間27とバッファタンク50のバ
ッファ空間57とを接続する。この結果、圧力がP2’
である処理空間27にある空気を減圧されたバッファ空
間57に吸引させることができる。すなわち、処理空間
27にあった気体の体積V1が処理空間27及びバッフ
ァ空間57の総和に対応する体積V2になるので、ボイ
ルの法則により、その平衡状態では、処理空間27にあ
る気体の圧力がP3’=(V1/V2)・P2’となる。こ
の実施例の場合、V1/V2が1/3程度であるので、処
理空間27の圧力は1/3程度に急減して平衡状態に達
し、最終目表値であるP3以下となる(時刻T5)。
Next, the first exhaust air valve 71 is opened and the second and third exhaust air valves 72 and 73 are closed under the control of the valve controller 80.
The processing space 27 of the processing container 25 and the buffer space 57 of the buffer tank 50 are connected. As a result, the pressure is P2 '
The air in the processing space 27 can be sucked into the depressurized buffer space 57. That is, since the volume V1 of the gas in the processing space 27 becomes the volume V2 corresponding to the sum of the processing space 27 and the buffer space 57, according to Boyle's law, the gas pressure in the processing space 27 is equal to that in the equilibrium state. P3 ′ = (V1 / V2) · P2 ′. In the case of this embodiment, since V1 / V2 is about 1/3, the pressure in the processing space 27 is rapidly reduced to about 1/3 to reach the equilibrium state, and becomes equal to or lower than the final target value P3 (time T5. ).

【0046】なお、点線の曲線で示す従来の方法では、
エゼクタ60で一様に吸引するのみであるので、時刻T
5よりも随分遅れた時刻T6で最終目標の圧力P3に達す
る。すなわち、第2動作例では、処理空間27の減圧に
要する時間を(T6−T5)だけ短縮できる。
In the conventional method shown by the dotted curve,
Since the ejector 60 only sucks uniformly, the time T
The final target pressure P3 is reached at time T6, which is much later than 5. That is, in the second operation example, the time required for depressurizing the processing space 27 can be shortened by (T6−T5).

【0047】その後、バルブ制御装置80の制御によっ
て窒素用エアーバルブ45を開状態とし、第2の排気用
エアーバルブ72を閉状態にして、HMDSベーパを含
む処理ガスを処理容器25の処理空間27内に供給し、
さらにこれを加圧供給する。
After that, the nitrogen air valve 45 is opened and the second exhaust air valve 72 is closed under the control of the valve controller 80, and the processing gas containing the HMDS vapor is supplied to the processing space 27 of the processing container 25. Supply within
Further, this is supplied under pressure.

【0048】処理ガスの供給を停止した状態で、処理空
間27内で基板26を所定時間放置すると、基板26上
にはHMDSの均質な塗布層が形成される。
When the substrate 26 is left in the processing space 27 for a predetermined time with the supply of the processing gas stopped, a uniform coating layer of HMDS is formed on the substrate 26.

【0049】次に、バルブ制御装置80の制御によって
第2の排気用エアーバルブ72を開状態にして、処理ガ
スが十分排気し、通常の空気と置換する。その後、処理
容器25内から基板26を取り出す。なお、HMDSが
一様に付着した基板25上にレジスト等をスピンコート
すると、塗布液の密着性が強化される。
Then, the second exhaust air valve 72 is opened under the control of the valve controller 80 to sufficiently exhaust the processing gas and replace it with normal air. Then, the substrate 26 is taken out of the processing container 25. When the resist or the like is spin-coated on the substrate 25 to which the HMDS is uniformly attached, the adhesion of the coating liquid is enhanced.

【0050】以上説明したように、上記第2動作例によ
れば、エゼクタ60による処理空間27の減圧速度が減
少した時点で、バッファタンク50を用いて処理空間2
7を目標値まで一気に減圧するので、平衡状態に向けて
処理空間27の圧力が急減する。したがって、比較的簡
易かつ短時間で処理空間27内を所望の圧力まで減圧す
ることが可能になり、基板26を密着強化処理するに際
しての処理ガスの供給に要する処理タクトを短縮し、装
置の生産性を向上させることができる。
As described above, according to the second operation example, the processing space 2 is processed by using the buffer tank 50 at the time when the depressurizing speed of the processing space 27 by the ejector 60 decreases.
Since 7 is suddenly reduced to the target value, the pressure in the processing space 27 is rapidly reduced toward the equilibrium state. Therefore, it is possible to reduce the pressure in the processing space 27 to a desired pressure relatively easily and in a short time, shorten the processing tact time required to supply the processing gas when performing the adhesion strengthening processing on the substrate 26, and manufacture the apparatus. It is possible to improve the sex.

【0051】図4はこの発明の第2の実施例の装置を示
す図である。この第2の実施例と図1の第1の実施例と
の主な相違点は、図1のバッファ空間57を形成するバ
ッファタンク50に代えて2つのバッファ空間57a,
57bをそれぞれ形成する2つのバッファタンク50
a,50bが設けられている点と、バッファ空間57及
び処理空間27を減圧する単一のエジェクタ式真空発生
装置60に代えて2つのバッファ空間57a,57b及
び処理空間27を減圧する真空ポンプ60a,60b,
60cがそれぞれ別々に設けられている点との2点であ
る。よって、図4において、図1に示されたものと同様
のものについては同一の符号を記す。
FIG. 4 is a diagram showing an apparatus according to the second embodiment of the present invention. The main difference between the second embodiment and the first embodiment of FIG. 1 is that instead of the buffer tank 50 forming the buffer space 57 of FIG.
Two buffer tanks 50 each forming 57b
a and 50b, and a vacuum pump 60a for decompressing the two buffer spaces 57a, 57b and the processing space 27 instead of the single ejector type vacuum generator 60 for decompressing the buffer space 57 and the processing space 27. , 60b,
There are two points, that is, 60c is provided separately. Therefore, in FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

【0052】図4において、2つのバッファタンク50
a,50bは、それぞれバルブ制御装置80によってそ
の開閉を制御されるエアーバルブ71,74を介して処
理容器25に接続されている。そして、2つのバッファ
タンク50a,50bは、その内部のバッファ空間57
a,57bをそれぞれ減圧するために、エアーバルブ7
3,75を介して真空ポンプ60a,60bにそれぞれ
接続されている。一方、処理容器25は、その内部の処
理空間27を減圧するために、エアーバルブ76を介し
て真空ポンプ60cに接続されている。エアーバルブ7
3,75,76もそれぞれバルブ制御装置80によって
その開閉を制御される。
In FIG. 4, two buffer tanks 50 are provided.
The valves a and 50b are connected to the processing container 25 via air valves 71 and 74 whose opening and closing are controlled by the valve controller 80, respectively. The two buffer tanks 50a and 50b have a buffer space 57 inside thereof.
In order to reduce the pressure of a and 57b respectively, an air valve 7
The vacuum pumps 60a and 60b are connected via 3,75, respectively. On the other hand, the processing container 25 is connected to a vacuum pump 60c via an air valve 76 in order to reduce the pressure of the processing space 27 inside thereof. Air valve 7
The opening and closing of valves 3, 75 and 76 are controlled by the valve controller 80.

【0053】第2の実施例の動作を説明すると、まず、
排気溶エアーバルブ76を閉じてエアーバルブ73,7
5を開けておくことにより、バッファタンク50a,5
0b内のバッファ空間57a,57bをそれぞれ所定の
圧力まで予め減圧しておく。この状態で、処理空間27
の減圧を行うには、まずエアーバルブ73,75を閉じ
るとともに、エアーバルブ71を開けることにより、バ
ッファタンク50aと処理容器25とを接続して処理空
間27を所定圧まで減圧する。次に、エアーバルブ71
を閉じてエアーバルブ74を開けることにより処理空間
27をさらに減圧する。なお、ここで後段のバッファタ
ンク50b内のバッファ空間57bの圧力は、前段のバ
ッファタンク50aと処理容器25とを接続したときの
処理空間27の上記所定圧以下に設定しておく必要があ
る。これにより、バッファタンク50bを処理容器25
に接続したときに、処理空間27を短時間で更に急激に
減圧することができる。
To explain the operation of the second embodiment, first,
Close the exhaust air valve 76 to close the air valves 73, 7
5 is opened, the buffer tanks 50a, 5
The buffer spaces 57a and 57b in 0b are decompressed in advance to predetermined pressures. In this state, the processing space 27
In order to reduce the pressure, the air valves 73 and 75 are closed and the air valve 71 is opened to connect the buffer tank 50a and the processing container 25 to reduce the processing space 27 to a predetermined pressure. Next, the air valve 71
Is closed and the air valve 74 is opened to further reduce the pressure in the processing space 27. The pressure of the buffer space 57b in the buffer tank 50b in the subsequent stage needs to be set to be equal to or lower than the predetermined pressure in the processing space 27 when the buffer tank 50a in the previous stage and the processing container 25 are connected. As a result, the buffer tank 50b is replaced with the processing container 25.
When connected to, the processing space 27 can be depressurized more rapidly in a short time.

【0054】さらに、エアーバルブ74を閉じてエアー
バルブ76を開けることにより真空ポンプ60cを処理
空間27に直接的に接続して、処理空間27の更なる減
圧を行うことができる。このように構成することによ
り、処理容器25内の処理空間27を迅速に減圧するこ
とができる。なお、エアーバルブ71を閉じるとともに
エアーバルブ73を再び開けてバッファタンク50aを
再び減圧して次に備えるとともに、エアーバルブ74を
閉じるとともにエアーバルブ75を再び開けてバッファ
タンク50bを再び減圧して次に備えることにより、複
数の基板を連続して処理する場合の減圧に要する時間を
更に短縮することができる。その他の動作は図1図示の
第1の実施例と同じであるので、その説明は省略する。
Further, by closing the air valve 74 and opening the air valve 76, the vacuum pump 60c can be directly connected to the processing space 27 to further reduce the pressure of the processing space 27. With this configuration, the processing space 27 in the processing container 25 can be quickly depressurized. In addition, the air valve 71 is closed, the air valve 73 is opened again to decompress the buffer tank 50a again, and the air valve 74 is closed and the air valve 75 is opened again to decompress the buffer tank 50b again. By providing the above, it is possible to further reduce the time required for depressurization when a plurality of substrates are continuously processed. The other operation is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, and therefore its explanation is omitted.

【0055】なお、この実施例において、各バッファタ
ンク50a,50bと各真空ポンプ60a,60bとの
接続を制御するエアーバルブ73,75は必ずしも必要
ではなく、真空ポンプ60a,60bとバッファタンク
50a,50bとが常時接続されるように構成しても良
い。さらに、この実施例では2つのバッファタンクを設
けているが、これに限らず3つ以上のバッファタンクを
設けて順次処理空間に接続されるように構成しても良
い。
In this embodiment, the air valves 73 and 75 for controlling the connection between the respective buffer tanks 50a and 50b and the respective vacuum pumps 60a and 60b are not always necessary, and the vacuum pumps 60a and 60b and the buffer tanks 50a and 50a, You may comprise so that it may be always connected with 50b. Further, although two buffer tanks are provided in this embodiment, the present invention is not limited to this, and three or more buffer tanks may be provided so as to be sequentially connected to the processing space.

【0056】以上実施例に即してこの発明を説明した
が、この発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば、バッファタンク50を吸引する手段として、図
1図示のエジェクタ式真空発生装置60の代わりに図4
図示の真空ポンプを用いることもできるし、図4図示の
真空ポンプ60a,60b,60cの代わりに図1のエ
ジェクタ式真空発生装置を用いることもできる。ただ
し、エゼクタ60を用いた方が、HMDSによる汚染の
問題が生じにくい。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments.
For example, as a means for sucking the buffer tank 50, instead of the ejector-type vacuum generator 60 shown in FIG.
The illustrated vacuum pump can be used, and the ejector type vacuum generator of FIG. 1 can be used instead of the vacuum pumps 60a, 60b and 60c shown in FIG. However, the problem of contamination by HMDS is less likely to occur when the ejector 60 is used.

【0057】さらに、上記第1の実施例では、単一のエ
ジェクタ式真空発生装置60によって処理容器25内に
処理真空27とバッファタンク50内にバッファ空間5
7とをともに減圧するように構成されていたが、本発明
ではこれに限定されるものではなく、例えば処理容器2
5内の処理空間27を減圧するエジェクタ式真空発生装
置(もしくは真空ポンプ)とバッファタンク50内にバ
ッファ空間57を減圧するエジェクタ式真空発生装置
(もしくは真空ポンプ)とをそれぞれ別々に設けても良
い。このように別々のエジェクタ式真空発生装置(もし
くは真空ポンプ)を設ければ、両空間27,57を同時
に減圧することができるので、減圧に要する時間をさら
に短くすることができる。
Further, in the first embodiment, the single ejector type vacuum generator 60 is used to process the processing vacuum 27 in the processing container 25 and the buffer space 5 in the buffer tank 50.
7 and 7 are configured to be decompressed together, but the present invention is not limited to this. For example, the processing container 2
An ejector type vacuum generator (or vacuum pump) for reducing the pressure of the processing space 27 in 5 and an ejector type vacuum generator (or vacuum pump) for reducing the pressure of the buffer space 57 in the buffer tank 50 may be separately provided. . By providing separate ejector-type vacuum generators (or vacuum pumps) in this way, both spaces 27 and 57 can be depressurized at the same time, so the time required for depressurization can be further shortened.

【0058】さらに、上記実施例はこの発明を減圧状態
に保持された基板の表面に密着強化剤の蒸気を供給して
基板の表面に密着強化剤を塗布する密着強化処理装置に
適用したものであるが、この発明は密着強化処理装置に
限定されるものではなく、基板を減圧状態で乾燥させる
装置、スパッタリング装置、減圧状態に保持された基板
に処理液の蒸気を供給して基板表面のエッチング、アッ
シングなどのドライ処理を行う装置、減圧状態に保持さ
れた基板上にプラズマを発生させて原子あるいは分子の
ラジカルをつくりCVD処理などを行うプラズマ処理装
置などにも適用可能である。
Further, the above-mentioned embodiment is one in which the present invention is applied to the adhesion strengthening treatment apparatus for supplying the adhesion strengthening agent vapor to the surface of the substrate held under the reduced pressure to apply the adhesion strengthening agent to the surface of the substrate. However, the present invention is not limited to the adhesion strengthening processing apparatus, a device for drying the substrate under reduced pressure, a sputtering device, and a substrate held under reduced pressure to supply the vapor of the processing liquid to etch the substrate surface. The present invention is also applicable to a device for performing a dry process such as ashing, a plasma processing device for performing a CVD process by generating plasma on a substrate held under reduced pressure to generate radicals of atoms or molecules.

【0059】また、バッファタンク50のバッファ空間
57の容量を処理容器25の処理空間27の容量の2倍
程度としているが、バッファ空間27の容量を処理空間
27の容量と同程度若しくは同程度以下とすることもで
きる。ただし、バッファ空間27の容量を処理空間27
の容量と同程度以上とした方が、処理空間27の減圧速
度を高めることができる。
Further, although the capacity of the buffer space 57 of the buffer tank 50 is about twice the capacity of the processing space 27 of the processing container 25, the capacity of the buffer space 27 is about the same as or less than the capacity of the processing space 27. Can also be However, the capacity of the buffer space 27 should be equal to the processing space 27.
If the capacity is equal to or more than the capacity of the above, the decompression rate of the processing space 27 can be increased.

【0060】また、上記実施例では、処理空間27の減
圧を停止した後に処理ガスを導入しているが、処理空間
27に処理ガスを導入している間に処理空間27の減圧
を実行することもできる。
In the above embodiment, the processing gas is introduced after the decompression of the processing space 27 is stopped. However, the decompression of the processing space 27 should be performed while the processing gas is being introduced into the processing space 27. You can also

【0061】[0061]

【発明の効果】請求項1の装置では、気密性の処理空間
を内部に有するとともにこの処理空間内に基板を収容す
る処理容器と、処理空間とは異なるバッファ空間を内部
に有するバッファタンクと、バッファ空間内の空気を吸
引して減圧する吸引手段と、予め吸引手段によってバッ
ファ空間を十分に減圧しておき、その状態で第1の接続
手段により減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続
することにより、相対的に高圧の処理空間内にある気体
を一気にバッファ空間に拡散させ、処理空間にあった気
体の体積が第1の接続手段の作動により処理空間とバッ
ファ空間との和の体積まで実質的に急増させられるの
で、処理空間にあった気体が平衡状態に至るまで処理空
間の圧力が急激に減少させられ、短時間で処理空間の圧
力を減少させることができる。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a processing container having an airtight processing space therein and a substrate accommodated in the processing space, and a buffer tank having a buffer space different from the processing space therein. Suction means for sucking and depressurizing the air in the buffer space, and the buffer space is sufficiently depressurized by the suction means in advance, and in that state, the buffer space depressurized by the first connecting means and the processing space are connected. Thus, the gas in the relatively high-pressure processing space is diffused into the buffer space all at once, and the volume of the gas in the processing space reaches the total volume of the processing space and the buffer space by the operation of the first connecting means. The pressure in the processing space is sharply reduced until the gas in the processing space reaches an equilibrium state because the gas in the processing space is substantially increased, and the pressure in the processing space is reduced in a short time. It can be.

【0062】また、請求項2の装置では、減少された処
理空間内に所定の処理液の蒸気を供給して、減圧状態で
その処理液による処理を行うことができる。また、請求
項3の装置では、減圧された処理空間内に密着強化剤の
蒸気を供給して、基板の表面に密着強化剤を塗布するこ
とができる。
Further, in the apparatus according to the second aspect, it is possible to supply the vapor of the predetermined processing liquid into the reduced processing space and perform the processing with the processing liquid under a reduced pressure. Further, in the apparatus of the third aspect, the adhesion enhancing agent can be applied to the surface of the substrate by supplying the vapor of the adhesion enhancing agent into the depressurized processing space.

【0063】また、請求項4の装置では、バッファ空間
の容積が処理空間の容積と同等以上であるので、第1の
接続手段によりバッファ空間と処理空間とが接続された
あと、直ちに処理空間内の圧力を1/2程度以下に減圧
することが可能になる。
Further, in the apparatus of claim 4, since the volume of the buffer space is equal to or larger than the volume of the processing space, immediately after the buffer space and the processing space are connected by the first connecting means, It is possible to reduce the pressure of 2 to about 1/2 or less.

【0064】また、請求項5の装置では、さらに吸引手
段と処理空間とを接続する第2の接続手段を備えるの
で、吸引手段によって処理空間を直接的に減圧すること
ができ、短時間で処理空間を所定の圧力まで正確に減圧
することができる。
Further, the apparatus of claim 5 further comprises the second connecting means for connecting the suction means and the processing space, so that the processing space can be directly decompressed by the suction means, and the processing can be carried out in a short time. The space can be accurately depressurized to a predetermined pressure.

【0065】また、請求項6の装置では、さらに吸引手
段とバッファ空間とを接続する第3の接続手段を備える
ので、第1の接続手段によって処理空間とバッファ空間
とが接続されていない状態において、第2の接続手段と
第3の接続手段とを選択的に作動させることにより、第
2の接続手段を作動させて吸引手段により処理空間を直
接的に減圧するときを除いて、第3の接続手段によって
吸引手段によりバッファ空間を常に減圧することがで
き、バッファタンク内に常に減圧し続けることができる
ので、複数の基板を連続的に処理する場合に各基板ごと
の減圧に要する時間を短縮することができる。
Further, the apparatus of claim 6 further comprises the third connecting means for connecting the suction means and the buffer space, so that the processing space and the buffer space are not connected by the first connecting means. , The third connecting means is selectively operated to operate the second connecting means to directly depressurize the processing space by the suction means. Since the buffer space can be constantly decompressed by the connection means by the connection means and the pressure can be constantly reduced in the buffer tank, the time required for decompressing each substrate is shortened when a plurality of substrates are continuously processed. can do.

【0066】さらに、請求項7の減圧処理方法では、減
圧された空間内において基板の表面に所定の処理を行う
減圧処理方法において、気密性の処理空間内に基板を収
容する工程と、処理空間とは異なるバッファ空間内の空
気を吸引して減圧する工程と、減圧されたバッファ空間
と処理空間とを接続して、バッファ空間と処理空間とが
平衡状態に至るまで処理空間を減圧する工程とを備える
ので、予めバッファ空間を十分に減圧しておき、その状
態で減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続するこ
とにより、相対的な高圧の処理空間内にある気体を一気
にバッファ空間に拡散させる。すなわち、処理空間にあ
った気体の体積が処理空間とバッファ空間との和の体積
まで実質的に急増させられるので、処理空間にあった気
体が平衡状態に至るまで処理空間の圧力が減少させら
れ、短時間で処理空間の圧力を減少させることができ
る。
Further, in the depressurization processing method of claim 7, in the depressurization processing method of performing a predetermined processing on the surface of the substrate in the depressurized space, the step of accommodating the substrate in the airtight processing space and the processing space A step of sucking air in a buffer space different from that to reduce the pressure, and a step of connecting the reduced pressure buffer space and the processing space to reduce the pressure of the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. Since the buffer space is sufficiently decompressed in advance and the decompressed buffer space and the processing space are connected in that state, the gas in the relatively high pressure processing space is diffused into the buffer space at once. Let That is, since the volume of the gas in the processing space is substantially rapidly increased to the volume of the sum of the processing space and the buffer space, the pressure in the processing space is reduced until the gas in the processing space reaches an equilibrium state. The pressure in the processing space can be reduced in a short time.

【0067】また、請求項8の方法では、さらに、減少
されたバッファ空間と処理空間とを接続してバッファ空
間と処理空間とが平衡状態に至るまで処理空間を減圧す
る工程の後に、基板を収容している処理空間内の空気を
吸引してさらに減圧する工程を備えるので、処理空間が
所定の圧力に達する直前まで急激に処理空間を減圧し、
その後に処理空間の減圧を直接的に行って短時間で処理
空間を所定の圧力まで正確に減圧することができる。
Further, in the method of claim 8, after the step of connecting the reduced buffer space and the processing space and reducing the pressure of the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state, the substrate is removed. Since it includes a step of sucking air in the processing space that is housed and further reducing the pressure, the processing space is rapidly depressurized until just before the processing space reaches a predetermined pressure,
After that, the processing space can be directly depressurized to accurately depressurize the processing space to a predetermined pressure in a short time.

【0068】また、請求項9の方法では、さらに、減圧
されたバッファ空間と処理空間とを接続してバッファ空
間と処理空間とが平衡状態に至るまで処理空間を減圧す
る工程の前に、基板を収容している処理空間内の空気を
吸引して予め減圧する工程を備えるので、予め処理空間
を直接的にある程度減圧しておき、その後にその処理空
間を急激に減圧して、短時間で処理空間を所定の圧力ま
で正確に減圧することができる。
In the method of claim 9, the substrate is further depressurized before the step of connecting the depressurized buffer space and the processing space and depressurizing the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. Since there is provided a step of sucking air in the processing space that accommodates and depressurizing it in advance, decompressing the processing space directly to some extent in advance and then rapidly depressurizing the processing space in a short time. The processing space can be accurately depressurized to a predetermined pressure.

【0069】また、請求項10の方法では、さらに、基
板を収容している処理空間内に所定の処理液の蒸気を供
給する工程を備えるので、短時間で所定の圧力まで減圧
された処理空間内においてその処理液による基板の処理
を行うことができる。
Further, the method of claim 10 further comprises the step of supplying the vapor of the predetermined processing liquid into the processing space accommodating the substrate, so that the processing space depressurized to the predetermined pressure in a short time is provided. The substrate can be treated with the treatment liquid inside.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施例の密着強化処理装置の構成を示し
た図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an adhesion strengthening processing apparatus of a first embodiment.

【図2】図1の装置の動作例を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing an operation example of the apparatus of FIG.

【図3】従来の密着強化処理装置の構成を示した図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a conventional adhesion strengthening processing device.

【図4】第2の実施例の密着強化処理装置の構成を示し
た図である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an adhesion strengthening processing apparatus of a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

25 処理容器 25a HMDSベーパの給気ポート 26 基板 27 処理空間 50 バッファタンク 57 バッファ空間 60 エゼクタ 71 第1の排気用エアーバルブ 72 第2の排気用エアーバルブ 73 第3の排気用エアーバルブ 25 Processing Container 25a HMDS Vapor Air Supply Port 26 Substrate 27 Processing Space 50 Buffer Tank 57 Buffer Space 60 Ejector 71 First Exhaust Air Valve 72 Second Exhaust Air Valve 73 Third Exhaust Air Valve

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 減圧された空間内において基板の表面に
所定の処理を行う減圧処理装置において、 気密性の処理空間を内部に有するとともに、この処理空
間内に基板を収容する処理容器と、 処理空間とは異なるバッファ空間を内部に有するバッフ
ァタンクと、 バッファ空間内の空気を吸引して減圧する吸引手段と、 減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続する第1の
接続手段と、 を備えることを特徴とする減圧処理装置。
1. A depressurization processing apparatus for performing a predetermined processing on a surface of a substrate in a depressurized space, which has an airtight processing space therein, and a processing container which accommodates a substrate in the processing space; A buffer tank having a buffer space different from the space therein; a suction means for sucking air in the buffer space to reduce the pressure; and a first connecting means for connecting the reduced pressure buffer space and the processing space. A decompression processing device characterized by the above.
【請求項2】 さらに処理空間内に所定の処理液の蒸気
を供給する処理液蒸気供給手段を備えることを特徴とす
る請求項1の減圧処理装置。
2. The reduced pressure processing apparatus according to claim 1, further comprising a processing liquid vapor supply means for supplying a predetermined processing liquid vapor into the processing space.
【請求項3】 処理液蒸気供給手段は、処理空間内に密
着強化剤の蒸気を供給する密着強化剤蒸気供給手段であ
ることを特徴とする請求項2の減圧処理装置。
3. The reduced pressure processing apparatus according to claim 2, wherein the processing liquid vapor supply means is an adhesion enhancer vapor supply means for supplying vapor of the adhesion enhancer into the processing space.
【請求項4】 バッファ空間の容積は、処理空間の容積
と同等以上であることを特徴とする請求項1の減圧処理
装置。
4. The reduced pressure processing apparatus according to claim 1, wherein the volume of the buffer space is equal to or larger than the volume of the processing space.
【請求項5】 さらに吸引手段と処理空間とを接続する
第2の接続手段を備えることを特徴とする請求項1の減
圧処理装置。
5. The depressurization processing apparatus according to claim 1, further comprising second connecting means for connecting the suction means and the processing space.
【請求項6】 さらに吸引手段とバッファ空間とを接続
する第3の接続手段を備えることを特徴とする請求項5
の減圧処理装置。
6. The third connection means for connecting the suction means and the buffer space is further provided.
Decompression device.
【請求項7】 減圧された空間内において基板の表面に
所定の処理を行う減圧処理方法において、 気密性の処理空間内に基板を収容する工程と、 処理空間とは異なるバッファ空間内の空気を吸引して減
圧する工程と、 減圧されたバッファ空間と処理空間とを接続して、バッ
ファ空間と処理空間とが平衡状態に至るまで処理空間を
減圧する工程と、を備えることを特徴とする減圧処理方
法。
7. A decompression processing method for performing a predetermined treatment on a surface of a substrate in a decompressed space, the step of accommodating the substrate in an airtight processing space, and the step of introducing air in a buffer space different from the processing space. Depressurization, comprising: a step of sucking and depressurizing; and a step of connecting the depressurized buffer space and the processing space to depressurize the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. Processing method.
【請求項8】 さらに、減圧されたバッファ空間と処理
空間とを接続してバッファ空間と処理空間とが平衡状態
に至るまで処理空間を減圧する工程の後に、基板を収容
している処理空間内の空気を吸引してさらに減圧する工
程を備えることを特徴とする請求項7の減圧処理方法。
8. A process space for accommodating a substrate after the step of connecting the depressurized buffer space and the process space and depressurizing the process space until the buffer space and the process space reach an equilibrium state. The method for reducing pressure according to claim 7, further comprising the step of sucking in the air to further reduce the pressure.
【請求項9】 さらに、減圧されたバッファ空間と処理
空間とを接続してバッファ空間と処理空間とが平衡状態
に至るまで処理空間を減圧する工程の前に、基板を収容
している処理空間内の空気を吸引して予め減圧する工程
を備えることを特徴とする請求項7の減圧処理方法。
9. A processing space containing a substrate before the step of connecting the decompressed buffer space and the processing space and depressurizing the processing space until the buffer space and the processing space reach an equilibrium state. 8. The decompression treatment method according to claim 7, further comprising a step of sucking the air therein to decompress it in advance.
【請求項10】 さらに、基板を収容している処理空間
内に所定の処理液の蒸気を供給する工程を備えることを
特徴とする請求項7の減圧処理方法。
10. The reduced pressure processing method according to claim 7, further comprising the step of supplying a vapor of a predetermined processing liquid into the processing space containing the substrate.
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