JPH07325200A

JPH07325200A - イオン加速装置

Info

Publication number: JPH07325200A
Application number: JP14119194A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Agawa; 阿川　　義昭; Seiji Ogata; 誠司小方; Hidekazu Yokoo; 秀和横尾
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1994-05-31
Filing date: 1994-05-31
Publication date: 1995-12-12

Abstract

(57)【要約】［目的］イオン源及び質量分離磁石の位置を固定して
も及び形状一定でもイオン加速管に導入する所望のイオ
ンの電流値を容易に最大に調整し得るイオン加速装置を
提供すること。［構成］駆動スリットチャンバ８０内にケーシング８
１をその底壁部に固定し、この下流側端壁部には真空モ
ータ８４を取り付け、この駆動軸とカップリング８０を
介してねじロッド８６を他の端壁に取り付けたベアリン
グ８７で回動可能に支持させケーシング８１の上端面
に、スリット板８８を支持する支柱９０に固定させた駆
動板８９を摺動自在に支持させ、これに固定させたねじ
ブロックＳをねじロッド８６に螺合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はイオン加速装置に関し、
例えばイオン注入やイオンビーム分析に対し半導体産業
の量産用のみならず、研究用にも用いられるイオン加速
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及びその問題点】図４至図１２は従来例の
イオン加速装置を示すものであるが、これら図において
グランドシールドボックス４１内には、高電圧ターミナ
ル４２がグランドレベルより所定の高さに配設されてお
り、これは４本の絶縁支柱４５によりグランドレベルに
設けられた絶縁支柱支持板４６上に支持されている。高
電圧ターミナル４２からグランドレベルまでの距離を等
分割して中間ターミナル４７が、これら絶縁支柱４５に
巻装されており、これらと高電圧ターミナル４２と及び
中間ターミナル４７、もしくは絶縁支持板４６との間に
抵抗体４８が接続されている。

【０００３】また高電圧ターミナル４２の側方には、電
力供給装置５０が配設されており、これは電力ケーブル
シールドパイプ５７により、その上端部が高電圧ターミ
ナル４２に接続されている。本従来例の電力供給装置５
０は、いわゆる絶縁トランスでなり、一次側に商用電源
が接続され、二次側が上方へと延びていて、その上端部
はコロナシールド５６を被覆させている。

【０００４】更に電力供給装置５０の側方には高電圧電
源用スタック（コックロフト・ウォルトン型の高電圧電
源）５１が配設されており、この下端部において発振器
５２の出力端子がケーブルを介して接続されている。コ
ックロフトウォルトン型の高電圧電源装置５１は公知の
ように構成され、ダイオード、コンデンサなどを段階的
に結合させた構成を有し、倍電圧回路を構成するが、順
次上方へ行くに従い、昇圧され、本従来例では２００ｋ
Ｖ〜４００ｋＶの最高電圧が得られ、上端部にはコロナ
シールド５４を被覆されており、これは接触棒５５によ
り高電圧ターミナル４２に接続されている。

【０００５】高電圧ターミナル４２内には公知の構造を
有するイオン源４３や質量分離磁石４４が配設されてお
り、高電圧ターミナル４２の一側壁部には、加速管６０
が接続されており、この一端部はグランドシールドボッ
クス４１と電位的に同レベルとされている。

【０００６】また高電圧ターミナル４２とグランドシー
ルドボックス４１との間にはポンピングチューブ４９が
接続されており、これにはグランドシールドボックス４
１の外方に配設されたターボ分子ポンプ６１が接続さ
れ、これは図６に明示されるように、架台６２上に設置
されている。更に加速管６０の下流側に接続されるＱレ
ンズ１４７には加速管６０の内部を排気するための加速
管排気ユニット１４８が取り付けられている。

【０００７】高電圧ターミナル４２内には、更にガスボ
ックス６４が設けられ、これはガス導入パイプ６３を介
してイオン源４３と接続されている。

【０００８】従来のイオン加速装置は以上のように構成
されるが、次にこの作用について説明する。

【０００９】電力供給装置５０により供給された電力に
より、ガスボックス６４内に収納されている材料ガスを
３〜６ｓｃｃｍの流量でガス導入パイプ６３を通してイ
オン源４３内に送り、イオン源４３内でプラズマを形成
しイオンをイオン源４３より引き出す。この時、イオン
源４３内部はプラズマを形成するため数１０Ｔｏｒｒ〜
１０^-2Ｔｏｒｒ内に圧力が維持されている。この状態で
イオン源４３に２０ｋＶから３０ｋＶの高電圧を印加
し、イオンを引き出すが、イオン源４３で印加電圧によ
る放電を起こさないためにはイオン源４３の出口の圧力
は１０^-5Ｔｏｒｒ程度に維持しなくてはならない。この
ためポンピングチューブ４９とターボポンプ６１を使用
してイオン源４３を差動排気する。イオン源４３で形成
されたイオンはこのイオン源４３より引き出された後に
質量分離磁石４４によって選別され、高電圧発生装置５
１により２００ｋＶ超級の電圧に印加された高電圧ター
ミナル４２より加速管６０を通してグランドシールドボ
ックス４２のレベルまで加速される。

【００１０】なお加速管６０内で発生したＸ線（これは
加速イオンが加速管内の残留ガスを電離、または電極と
の衝突により生ずる二次電子により生ずるものであ
る。）は、グランドシールドボックス４１によって外部
にもれることが防止される。またコロナシールド５４及
び５６はコロナ放電を発生させないために、ある曲率以
上の球形をしている。

【００１１】また、各中間ターミナル４７間もしくはこ
れと高電圧ターミナル４２との間または絶縁支柱支持板
４６との間は抵抗４８により強制的に高電圧ターミナル
４２とグランドレベルとの間を等分割した電位としてい
る。これにより中間ターミナルや絶縁物表面の帯電が原
因でなる電場の乱れやイオンビームの変動（負荷変動）
による発生電圧の変動などで電場の攪乱が起こっても、
放電する確率を低減させており、また電圧を長時間安定
に発生し得るようにしている。

【００１２】次に本発明が解決しようとする問題点に係
わるイオンビームＢの径路について特に図７を参照して
説明する。

【００１３】イオン源４３にはイオン放出口４３ａが形
成されており、これに対向して加速・減速電極７０、更
にこの下流側に引出し電極７１が配設されており、これ
らに形成された開口７０ａ、７１ａはイオン源４３の放
出口４３ａに整列している。質量分離磁石４４の詳細な
構造は図８に示されているが、これは一対の円弧状の磁
極７６ａ、７６ｂとから成っているが、これらを磁気的
に接続するヨーク部Ｙが一体的に形成されており、この
垂直アーム部にコイルＣが巻装されている。これに直流
電源が接続され、磁極７６ａ、７６ｂ間にＮ極７６ｂか
らＳ極７６ａに向かって磁束Ｈが空隙Ｇ内に発生する。
この空隙Ｇ内に断面が長方形状の分析管７５が嵌挿固定
されており、この上流側端部にはイオン流導入口及びそ
の下流側端部にはイオン流導出口が形成されている。図
をわかり易くするために図７では図８の一点鎖線で示す
ヨーク部分Ｙを省略して示している。更に磁極７６ａ、
７６ｂの周縁部はテーパ７６ａａ、及び７６ｂａとされ
ており、分析管７５内に有効に磁束を挿通させるように
構成されている。又、図８に示すように本従来例の磁極
７６ａ、７６ｂの中心角は角θであり、又その上流側端
部、下流側端部とこのθが９０度である場合のこの端部
とのなす角度は切り角と称せられ、図９に示すようにα
（斜め入射角とも言われる）及びβ（斜め出射角とも言
われる）とされている。なお図７、図８及び図９でθの
大きさは異なっているが図をわかり易くするためであ
り、同一とする。又、図８では磁束Ｈは磁極７６ａ、７
６ｂ間でもれがないように図示しているが、実際には切
り角α、βの範囲内にもれがあり（Ｈ’で示す）、従っ
てこの範囲でもイオン流は曲がり、結果として図９に示
すように偏向角は９０度となっている。

【００１４】以上のような質量分離磁石４４の下流側に
は所定の位置に分析スリット板７２が固定されており、
これに垂直方向に長手状のスリット７２ａが形成されて
おり、ここを通過したイオンビームＢ₁ がイオン加速管
６０内に導入される。すなわち質量分離磁石４４に導入
されるイオンビームＢは公知の質量分離作用を受けて、
このうち所望のイオン流Ｂ₁ がこのスリット７２ａを通
過するように構成され、その他のイオンビーム流Ｂ₂ 、
Ｂ₃ が分析スリット板７２のスリット７２ａの両側に図
７で鎖線で示すように衝突し、加速管６２には至らない
ようにしている。

【００１５】イオン源４３内には所望する量の材料ガス
（もしくは固体の場合は加熱した蒸気の状態で）を導入
して、更に図示されていないが高電圧ターミナル４２内
に搭載されているプラズマ生成用電源より出力された電
力をイオン源４３中に投入することにより、材料ガスが
解離し、更に電離してプラズマが生成される。この状態
で加速・減速電極７０に向かって加速されるのである
が、イオン源４３と引出し電極７１との間には上述した
ように２０乃至３０ｋＶの直流電源７３が接続されてお
り、イオン源４３側が正極とされており、又、加速・減
速電極７０はイオン電源４３に対し直流電源７４により
１〜３ｋＶの負電圧が相対的に印加される。イオン源４
３と加速・減速電極７０との間には図示せずとも絶縁碍
子が嵌挿され、これが高電圧ターミナル４２の底壁部に
固定されているのであるが、更にこれと引出し電極７１
との間にも絶縁碍子が介在してこれらを絶縁している。
引出し電極７１は高電圧ターミナル４２と同電位であ
る。又図示せずともイオン源４３のイオン放出口４３
ａ、電極７０、７１及び質量分離磁石４３の上流側端部
との間はイオンビームＢを通す真空室として形成される
ように気密な壁で囲繞されており、これが分析管７５内
と連通しているのであるが、更にこの下流側のイオン導
出口も加速管６０との間でイオンビームＢ₁ 、Ｂ₂ Ｂ₃
を真空内で流すように真空室を形成させるべく気密な壁
で囲繞されている。よってイオン源４３からのイオンビ
ームＢは図示するように加速・減速電極７０、引出し電
極７１、分析管７５、分析スリット板７６、イオン加速
管６０の順路に沿って真空室内にあり、この室は１０^-5
乃至１０^-7のＴｏｒｒとされている。なお加速・減速電
極７０と引出し電極７１とを合わせて引出電極ユニット
とも呼ばれている。

【００１６】上述したようにイオン源４３からのイオン
ビームＢは加速・減速電極７０の電位差でこれに向かっ
て加速され、グランド電極７１の開口７１ａを通って質
量分離磁石４４内に導入されるのであるが、イオンビー
ムＢの性質、例えばエミッタンスやビームの広がり、輝
度などはイオン源４３の放出口４３ａの近傍のプラズマ
の密度、加速・減速電極７０の電圧とのバランスで定ま
るプラズマの界面と、その界面の形状、すなわち凹、又
は凸とイオン自身の空間電荷による広がりの２つの効果
の重畳によって定まる形状を呈するのであるが、イオン
源４３よりある特性を持ってグランド電極７１の電圧に
よって加速されたイオンビーム（水平方向及び垂直方向
のビームの広がりを持って）は質量分離磁石４４に入射
し、この空隙Ｇ内に発生している磁場により、その印加
された電圧及びイオンの質量等のパラメータで決まるあ
る曲率半径で回転を行うべく偏向され、この質量分離磁
石４４で偏向された後に分析スリット板７２のスリット
７２ａにイオンビームは達し、ある磁場でイオンビーム
Ｂがスリット板７２の長手状の開口７２ａを通過する。
ここで所望するイオン以外の質量の異なるイオン（不純
物のイオン等）は図７の鎖線Ｂ₂ 、Ｂ₃ で示すようにス
リット板７２の壁面に衝突し、遮蔽されることにより所
望するイオンの選択分離を行なう。一方、質量分離磁石
４４は本来の質量分別機能のほかにレンズ作用（凸レン
ズ）を有する。以下、この作用について図９及び図１０
を参照して説明する。

【００１７】図９に示すように水平方向のイオンビーム
Ｂが質量分離磁石４４の通過後に集束し分析スリット板
７２上に結合している場合が理想的な状態であるが、図
１０に示すように質量分離磁石４４を凸レンズと考えた
場合の光軸に対する軌道を示すが、図９及び図１０中の
ａはイオン源４３を光源とする場合のこの光源から質量
分離磁石４４の入口までの距離を表し、ｂは質量分離磁
石４４の出口からスリット板７２上の開口７２ａの中心
としての結像点までの距離を表す。図９においてα及び
βは質量分離磁石４４の磁極の入口及び出口のいわゆる
切り角であり、レンズ効果での焦点距離の算出の重要な
要素のひとつであるが、図から明らかなように通常のイ
オン加速装置では分析スリット板７２の位置を決定する
時にイオン源４３のイオン放出口４３ａの位置を仮想上
の光源とし、質量分離磁石４４を凸レンズと仮定した場
合の結像の位置を作図もしくは計算によって求める。図
９及び図１０では、水平方向のみを示したが、垂直方向
についても質量分離磁石４４のレンズ効果の強弱はある
が、同様な作用を持ち、ここでは質量分離に限って水平
の方向にイオンビームの種類を選別している関係上、垂
直方向のイオンビームの広がりについてはそれほど重要
でないので、ここでは水平方向のイオンビームの挙動に
ついて重点的に述べる。最も装置全体のイオンビームの
軌道を考えることについては、垂直方向のビームの広が
りも重要であるが、ここでは無視する。

【００１８】図１１には、スリット板７２の位置が問題
の結像位置からずれない場合の模式図を示すが、イオン
源４３から出たイオンの空間電荷効果によるビームの発
散が無視できる場合のイオンビーム（水平面内におい
て）の軌道を示しており、図１２にはイオン源４３から
でたイオンビームの空間電荷による発散（例えばＩ_EXT
≧数ｍＡ）が無視できない場合を示している。この図か
ら明らかなようにイオン源４３からでたイオンビームの
空間電荷によるビームの発散が無視できない場合には、
イオン源４３の見かけ上の位置が前方Ｖ₁ の位置に移動
し、これに伴って質量分離磁石４４を凸レンズとした場
合には当然のことながら、これの下流側の結像点Ｘは図
１１の場合よりも前方に移動する。これでは所定のイオ
ンビームＢ₁ はかなり遮蔽されてしまう。イオン源４３
の放出口４３ａのプラズマ界面の形状が変化する場合も
見かけ上の光源としてのイオン源の位置が多少変化する
場合がある。

【００１９】いづれにしても従来の装置ではイオン源４
３のイオン放出口４３ａを光源と考えて設計し、スリッ
ト板７２の位置を結像点の位置として固定している。

【００２０】然しながら実際のイオンビームＢの引出し
メカニズムでは、その空間電荷効果によるビームの広が
りやイオン源４３の放出口４３ａでのプラズマの界面の
形状によっては見かけ上の光源の位置がイオン源４３の
放出口４３ａと一致しない場合があり、これでは対物距
離、すなわち質量分離磁石４４の上流側端面までの距離
がずれるため、結像点の位置がずれてしまう。これでは
質量分解能力が低下し所望するイオン以外の不純物の混
入を招き、さらに分析スリット板７２上で最小スポット
にならないことにより、イオンビームＢの輸送の点でも
分析スリット７２上を通過するビーム量の損失にもつな
がることになる。

【００２１】

【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、イオン源のパラメータに何ら影響され
ず、質量分解度の低下及びビームの輸送効率の低下を極
力低減することのできるイオン加速装置を提供する。

【００２２】

【問題点を解決するための手段】以上の目的は、少なく
ともイオン源、質量分離磁石、分析スリット板を内蔵さ
せたケーシングを地上より所定の高さに配設させ、高電
圧電源装置により前記ケーシングに所定の高電圧を印加
し、電力供給装置により前記イオン源や質量分離磁石な
どに電力を供給し、前記ケーシングと、該ケーシングを
電磁気的に遮蔽するシールドボックスとの間にイオン加
速管を接続し、前記イオン源のイオン放射口、前記質量
分離磁石の磁極間、前記分析スリット板及び前記イオン
加速管の入口を順次結ぶイオン流路は相連通する真空室
内にあって、前記分析スリット板のスリットは該イオン
流路に対し垂直に配設されているイオン加速装置におい
て、前記分析スリット板を前記イオン流路に沿って駆動
する機構を設けたことを特徴とするイオン加速装置、に
よって達成される。

【００２３】

【作用】質量分離電磁石によるイオン源の像が空間電荷
効果により、イオンビームの光軸に沿って前方に移動し
ても分析スリット板をイオンビームの走行軸上を駆動さ
せることができるので、これによりスリット開口で最小
に結像（絞られている）させるように位置決めすること
ができ、よって質量分解度も向上し、スリットへのビー
ム透過率を高めることによってスリット上で衝突するイ
オンを少なくし、ビーム電流の損失を抑えることができ
る。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例によるイオン加速装置
について図面を参照して説明する。

【００２５】図１には、本発明の実施例によるイオン加
速装置の要部を示すが、その他の構成は従来例と全く同
様であるとする。

【００２６】すなわち本実施例において、分析スリット
板８８は高電圧ターミナル４２内に設けられたスリット
チャンバ８０内に配設されており、質量分離磁石４４内
に配設されている分析管７５の下流側に連接され、かつ
連通されて設けられている。駆動スリットチャンバ８０
の底壁部にはスリット板駆動機構Ｑが配設されている。
この機構Ｑにおいて直方形状のケーシング８１の上流側
端壁部にはベアリング８７が取り付けられており、この
下流側端壁部には真空モータ８４（真空中で駆動可能な
モータ）が取り付けられていてこの回転軸は弾力性があ
り円筒状のカップリング８５を介してねじロッド８６に
結合され、その一端部は上述のベアリング８７に回動可
能に支持されている。

【００２７】分析スリット板８８には従来と同様に垂直
方向に長手状の開口８８ａが形成されているが、これは
支柱９０を介して駆動板８９に取り付けられており、こ
の駆動板８９の下面にはその中心孔にねじを形成させた
ねじブロックＳが固定されており、これは上述のねじロ
ッド８６と螺合している。ねじブロックＳの両側壁部は
ケーシング８１の両内側壁部８１ｄ、８１ｅと当接して
いる。すなわち回り止めされている。駆動板８９はケー
シング８１の上端面を摺動自在である。従って真空モー
タ８４の駆動により、その回転方向に応じてスリット板
８８を上流側か下流側に移動させる。駆動スリットチャ
ンバ８０の底壁部には更にハウメチック型の電流導入端
子板８２が固定されており、これに数本の電流導入端子
８３が取り付けられており、図示するように真空モータ
８４の端部に形成されたリード線導入孔に通されて真空
モータ８４内で必要な結線が行われている。

【００２８】本発明の実施例は以上のように構成されて
いるが、次にこの作用について説明する。本イオン加速
装置の作用は従来とほぼ同様であるので、主として図１
に示す構成の作用について説明する。すなわちイオンビ
ームの分析方法は従来と同様であるが、分析管７５の出
口より導出されるイオンビームは水平方向については質
量分離磁石４４のレンズ効果により集束され、所定の位
置で最小になるのであるが、従来は固定してスリットを
設けたので、上述のような欠点があったが本実施例によ
れば、以下のような作用により質量分解能を向上させる
ことができる。すなわち真空モータ８４の回転軸にカッ
プリング８８を介して結合されているねじロッド８６の
回転によりねじブロックＳはその回転方向に応じて一方
向に移動するのであるが、この駆動距離及び移動速度は
ねじロッド８６のねじ山のピッチと真空モータ８４の回
転速度で算出することができる。移動方向はねじロッド
８６のねじ巻回方向と真空モータ８４の回転方向とで定
まる。

【００２９】次に図２を参照してイオン源４３からのイ
オンビームと分析スリット板８８との関係について説明
する。図２ではイオンビームが結像して最小になる位置
に移動されている場合を示す。上述したように質量分離
磁石４４のイオンビームの斜め入射角及び斜め出時間α
及びβは、これをレンズとした場合の焦点距離に影響す
るものであるが、これを所定値として図２においてＶ₀
はイオン源４３の放出口４３ａでプラズマの界面が凸状
になる場合であって、これを光源とした場合の位置が質
量分離磁石４４によって形成されるレンズの焦点の倍２
ｆ₁ より外側に位置する場合となり、その結像点はスリ
ット板がＶｉ、すなわち距離ｆ₂ から２ｆ₂ の間にある
位置に結像する。そのためスリット板８８はこのＶｉの
位置に真空モータ８４を駆動することによって移動させ
る。なおｆ₁ は必ずしもｆ₂ に等しくない。

【００３０】次にイオン源４３の放出口４３ａでのプラ
ズマの界面が凹状の場合には、これを光源とした場合の
その位置は質量分離磁石４４のレンズの焦点ｆ₁ と２ｆ
₁ との間にあり、その結像点の位置は２ｆ₂ の外側にあ
る。すなわち図２においてＲｉの範囲の位置に結像す
る。その場合にはスリット板８８はこのＲｉの位置に移
動させる。このイオンビームの最小となる位置と分析ス
リット８８が整合していることを確認する方法としては
図３に示すように従来から行われているマススペクトル
を分析して、あるいはサンプリングしてスペクトルの形
状、すなわち半値巾Ｗを測定する。この場合、質量分解
能は磁場強度÷スペクトルの半値巾Ｗに比例している。
すなわち磁場Ｂ₁ ’の値は必要とするイオンの種類に依
存するため同じイオンであれば同一である。そこで質量
分解能を高めることはスペクトルの半値巾Ｗを小さくす
ることになり、これを小さくするためには分析スリット
板８８の開口スリット巾８８ａを小さくし、かつそのス
リット開口に断面が小なる小さいビームを通過させるこ
とによって達成される。又別の方法としては図示しない
が、スリット板８８の駆動機構Ｑの下流側にこの分析ス
リット板８８を通過後のビーム電流を計測するようにフ
ァラデーカップを設けて、これに達すイオンビーム電流
をモニターしながら図１の駆動機構Ｑを駆動しながらこ
のイオンビーム電流値が最大になるように調整してもよ
い。

【００３１】以上述べたように本発明の実施例によれ
ば、イオン源４３、質量分離磁石４４の形状及び位置が
固定されていてもイオン加速管６０を通るビームの電流
値を最大となるように容易に調整することができる。

【００３２】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。

【００３３】例えば以上の実施例では、スリット板８８
のスリット孔８８ａは一定の大きさであったが、この開
口の大きさ、例えばその巾を調節可能なスリット、例え
ばロータリスリットを設けてもよい。

【００３４】又以上の実施例では、スリット板８８をイ
オンビームの流れ方向に沿って移動させるのに真空モー
タ８４、ねじロッド８６及びこれに螺合するねじブロッ
クを用いたが、これに代えてエアシリンダ、又はオイル
シリンダ（勿論エヤやオイルがもれないようにシール機
構を備えている。）の駆動ロッドを分析スリット板８８
に結合し、イオンビームの流れ方向に沿うレールを設
け、このレールに沿って移動させるようにしてもよい。

【００３５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明のイオン加速
装置によればイオン源及び質量分離磁石の位置を固定さ
せても及び形状が一定でも、あるいはイオン源の種々の
パラメータが変化しても又イオン源のイオン放出口での
プラズマ界面の形状がいかなるものであってもイオン加
速管に導入させる所望のイオンのビーム電流値を容易に
最大にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるイオン加速装置の要部の
部分破断斜視図である。

【図２】同作用を説明するための模式図である。

【図３】同作用を説明するための磁場とイオンビームの
電流との関係を示す周波数スペクトルである。

【図４】従来例のイオン加速装置の断面図である。

【図５】同断面平面図である。

【図６】同断面正面図である。

【図７】従来例のイオンビームの径路と関連する各構成
要素を示す斜視図である。

【図８】同装置における質量分離磁石の詳細を示す斜視
図である。

【図９】同作用を示す模式図である。

【図１０】同作用を示す模式図である。

【図１１】更に同作用を示す模式図である。

【図１２】更に同作用を示す模式図である。

【符号の説明】

８１ケーシング８４真空モータ８５カップリング８６ねじロッド８７ベアリング８８スリット板８８ａ開口Ｑ駆動機構Ｓねじブロック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともイオン源、質量分離磁石、分
析スリット板を内蔵させたケーシングを地上より所定の
高さに配設させ、高電圧電源装置により前記ケーシング
に所定の高電圧を印加し、電力供給装置により前記イオ
ン源や質量分離磁石などに電力を供給し、前記ケーシン
グと、該ケーシングを電磁気的に遮蔽するシールドボッ
クスとの間にイオン加速管を接続し、前記イオン源のイ
オン放射口、前記質量分離磁石の磁極間、前記分析スリ
ット板及び前記イオン加速管の入口を順次結ぶイオン流
路は相連通する真空室内にあって、前記分析スリット板
のスリットは該イオン流路に対し垂直に配設されている
イオン加速装置において、前記分析スリット板を前記イ
オン流路に沿って駆動する機構を設けたことを特徴とす
るイオン加速装置。
【請求項２】前記機構は前記真空室内にあって、両端
部をケーシングに回転可能に支承されたねじロッドと、
該ねじロッドを回転駆動する真空モータと、前記ねじロ
ッドに螺合し、回り止めされたねじブロックとを備え、
該ねじブロックに前記スリット板が固定されている請求
項１に記載のイオン加速装置。