JPH07322605A - Switching circuit for power supply line - Google Patents
Switching circuit for power supply lineInfo
- Publication number
- JPH07322605A JPH07322605A JP6103660A JP10366094A JPH07322605A JP H07322605 A JPH07322605 A JP H07322605A JP 6103660 A JP6103660 A JP 6103660A JP 10366094 A JP10366094 A JP 10366094A JP H07322605 A JPH07322605 A JP H07322605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- switch
- power supply
- charge pump
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、低い電源電圧を昇圧す
ることによって、大電圧を必要とする回路を動作させる
ための電源線用スイッチ回路に関する。このような回路
は、電池を駆動源とするような携帯用の機器に用いられ
るものであり、できる限り消費電力を低減させることが
求められる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply line switch circuit for operating a circuit requiring a large voltage by boosting a low power supply voltage. Such a circuit is used in a portable device using a battery as a driving source, and it is required to reduce power consumption as much as possible.
【0002】[0002]
【従来の技術】図5は、従来の電源線用スイッチ回路を
説明するための回路図である。従来の電源線用スイッチ
回路は、リング発振回路11、リング発振回路11の動
作により電源電圧Vccの昇圧を行うチャージポンプ回路
12、昇圧された電圧によって動作する負荷回路動作用
スイッチ14、昇圧停止時の急峻なオフ動作を行うため
のバイポーラトランジスタよりなる接地用スイッチ15
及び接地用スイッチ15を制御するコントロールゲート
13を有している。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram for explaining a conventional power line switching circuit. The conventional power supply line switch circuit includes a ring oscillator circuit 11, a charge pump circuit 12 that boosts the power supply voltage Vcc by the operation of the ring oscillator circuit 11, a load circuit operation switch 14 that operates by the boosted voltage, and a boosting stop time. Switch 15 for grounding consisting of a bipolar transistor for performing abrupt off operation of
And a control gate 13 for controlling the grounding switch 15.
【0003】リング発振回路11は例えばC−MOSイ
ンバータを奇数段接続してなるもので、一定のパルス信
号を出力している。また、チャージポンプ回路12は、
図示するように2段のC−MOSインバータIV11,
IV12と、電圧コンバータを形成するバイポーラトラ
ンジスタTr15〜Tr19及びコンデンサC1〜C4
を備えている。The ring oscillation circuit 11 is composed of, for example, C-MOS inverters connected in odd stages, and outputs a constant pulse signal. Further, the charge pump circuit 12 is
As shown, the two-stage C-MOS inverter IV11,
IV12, bipolar transistors Tr15 to Tr19 and capacitors C1 to C4 forming a voltage converter
Is equipped with.
【0004】リング発振回路11から出力されるパルス
信号は2段のCMOSインバータIV11,IV12に
より逆相となる2つの信号に分けられ、インバータIV
11からはコンデンサC11,C13を介してトランジ
スタTr15,Tr17のベースヘ、インバータIV1
2からはコンデンサC12,C14を介してトランジス
タTr16,Tr18のベースへ入力される。The pulse signal output from the ring oscillator circuit 11 is divided into two signals having opposite phases by the two-stage CMOS inverters IV11 and IV12.
11 through the capacitors C11 and C13 to the bases of the transistors Tr15 and Tr17 and the inverter IV1.
2 is input to the bases of the transistors Tr16 and Tr18 via the capacitors C12 and C14.
【0005】電源線Vccは、バイポーラトランジスタT
r15のエミッタに接続されており、リング発振回路1
1の信号によりバイポーラトランジスタTr15〜Tr
18よりなる電圧コンバータで、その出力部であるA’
点の電圧が徐々に高められていく。電圧コンバータの出
力A’点は、負荷回路動作用スイッチ14を構成するN
MOSトランジスタのゲートに接続されており、A’点
の電圧が例えば12Vになった時点でNMOSトランジ
スタ14がオン状態となり、図示しない後段の回路が動
作する。The power supply line Vcc has a bipolar transistor T
Ring oscillator circuit 1 connected to the emitter of r15
1 signal causes bipolar transistors Tr15 to Tr15
A voltage converter composed of 18 output terminals A '
The voltage at the point is gradually increased. The output A'point of the voltage converter is at N which constitutes the load circuit operating switch 14.
It is connected to the gate of the MOS transistor, and when the voltage at the point A ′ reaches, for example, 12 V, the NMOS transistor 14 is turned on, and the circuit in the subsequent stage (not shown) operates.
【0006】NMOSトランジスタ14をオフにする場
合には、リング発振回路11を停止させると共に、コン
トロールゲート13により接地用スイッチ15をオン状
態にして、NMOSトランジスタの入力部を素早く接地
レベルにする。この入力部の電圧値が下がれば、NMO
Sトランジスタ14はオフ状態となる。以上のような回
路は、例えば3V〜5Vで動作する携帯用のパソコン等
において、その内部で12Vの電圧を必要とするフロッ
ピィディスクドライブを動作させるような場合に用いる
もので、フロッピィディスクドライブを使用しない場合
には、このスイッチ回路をオフにしておくことで消費電
力の低減をはかるものである。When turning off the NMOS transistor 14, the ring oscillation circuit 11 is stopped and the grounding switch 15 is turned on by the control gate 13 to quickly bring the input portion of the NMOS transistor to the ground level. If the voltage value at this input decreases, the NMO
The S transistor 14 is turned off. The above circuit is used for operating a floppy disk drive which requires a voltage of 12V in a portable personal computer or the like which operates at 3V to 5V. For example, a floppy disk drive is used. If not, the switch circuit is turned off to reduce power consumption.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電源線用ス
イッチ回路において、コントロールゲート13の動作で
接地用スイッチ15をオン状態とした場合に、電源線V
ccから接地部Vssに向かう方向が電圧コンバータを形成
する多段のバイポーラトランジスタTr15〜Tr19
のエミッタ−ベースの順方向となるため、図に矢印で示
すように電源線Vccから接地部Vssへ貫通電流が発生す
ることとなる。In the above conventional power line switching circuit, when the grounding switch 15 is turned on by the operation of the control gate 13, the power line V
Multi-stage bipolar transistors Tr15 to Tr19 forming a voltage converter in the direction from cc to the ground portion Vss
Therefore, a through current is generated from the power supply line Vcc to the ground portion Vss as indicated by an arrow in the figure.
【0008】このように接地用スイッチ15のオン状態
時に貫通電流が発生することにより、消費電力の増大を
招き、特に携帯用の機器において電源として電池を使用
しているような場合に、消費電力の増大は電池寿命に大
きな影響を与える。本発明は、上記課題を解決して、貫
通電流のない低消費電力の電源線用スイッチ回路を提供
することを目的としている。As described above, the shoot-through current is generated when the grounding switch 15 is in the ON state, which causes an increase in power consumption, and especially when a battery is used as a power source in a portable device. The increase of B has a great influence on the battery life. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above problems and provide a low power consumption power line switch circuit that has no shoot-through current.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の電源線用スイッチ回路は、所定のパルス信号
を出力するリング発振回路1、該リング発振回路1及び
電源線Vccが接続され、前記リング発振回路1の動作に
よって電源線Vccの電圧を昇圧して所定の出力電圧を得
るチャージポンプ回路2、前記リング発振回路1の動作
停止に伴って前記チャージポンプ回路2の出力部を接地
部Vssに接続して接地レベルにする接地用スイッチ5、
該スイッチ5を制御するコントロールゲート3を有して
おり、前記電源線Vccと接地部Vssとの間に前記コント
ロールゲート3からの信号によって切断される電源線切
断用スイッチ6が設けられることを特徴としている。A power line switching circuit of the present invention for solving the above problems is connected to a ring oscillation circuit 1 for outputting a predetermined pulse signal, the ring oscillation circuit 1 and a power line Vcc. , A charge pump circuit 2 that obtains a predetermined output voltage by boosting the voltage of a power supply line Vcc by the operation of the ring oscillator circuit 1, and an output part of the charge pump circuit 2 is grounded when the operation of the ring oscillator circuit 1 is stopped. Switch 5 for grounding, which is connected to the section Vss to set it to the ground level,
It has a control gate 3 for controlling the switch 5, and a power line disconnection switch 6 which is disconnected by a signal from the control gate 3 is provided between the power line Vcc and the ground portion Vss. I am trying.
【0010】[0010]
【作用】上記本発明の電源線用スイッチ回路によれば、
接地用スイッチ5をオンさせるコントロールゲート3の
動作に連動して、電源線Vccと接地部Vssとの間の電源
線切断用スイッチ6をオフ状態にすることによって、電
源Vccから接地部Vssへの電流通路を切断することがで
きる。According to the power line switch circuit of the present invention,
By interlocking with the operation of the control gate 3 for turning on the ground switch 5, the power line disconnection switch 6 between the power line Vcc and the ground portion Vss is turned off, so that the power source Vcc is connected to the ground portion Vss. The current path can be disconnected.
【0011】このため、貫通電流の発生を防止すること
ができ、消費電力の低減を実現することが可能となる。For this reason, it is possible to prevent the occurrence of a through current, and it is possible to reduce the power consumption.
【0012】[0012]
【実施例】以下に、本発明の電源線用スイッチ回路の実
施例を図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本
発明の第一実施例を説明するための電源線用スイッチ回
路であり、リング発振回路1、C−MOSインバータI
V1,IV2と電圧コンバータを構成するバイポーラト
ランジスタTr5〜Tr9とを有するチャージポンプ回
路2、コントロールゲート3、負荷回路動作用スイッチ
4、電源線切断用スイッチ6、及びコントロールゲート
3により制御されるNPN型バイポーラトランジスタよ
りなる接地用スイッチ5を有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a power line switch circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a switch circuit for a power supply line for explaining a first embodiment of the present invention, which includes a ring oscillation circuit 1 and a C-MOS inverter I.
Charge pump circuit 2 having V1 and IV2 and bipolar transistors Tr5 to Tr9 forming a voltage converter, control gate 3, load circuit operation switch 4, power supply line disconnection switch 6, and NPN type controlled by control gate 3 It has a grounding switch 5 composed of a bipolar transistor.
【0013】リング発振回路1は、図2(a)に示すよ
うに、インバータIV3〜IV5を環状に接続してなる
ものであり、本回路が動作する毎に出力信号は“H”レ
ベルと“L”レベルとを一定の周期で繰り返すことにな
る。従って、出力点Bには図2(b)に示す如きパルス
状の信号が出力される。このパルス信号が入力されるチ
ャージポンプ回路2(図1参照)では、まず、PMOS
トランジスタTr1とNMOSトランジスタTr2とか
らなるC−MOSインバータIV1、及びPMOSトラ
ンジスタTr3とNMOSトランジスタTr4とからな
るC−MOSインバータIV2により逆相の信号が作ら
れる。As shown in FIG. 2A, the ring oscillating circuit 1 is formed by connecting inverters IV3 to IV5 in a ring shape, and the output signal is "H" level and "H" level every time this circuit operates. The L "level is repeated at a constant cycle. Therefore, a pulsed signal as shown in FIG. 2B is output at the output point B. In the charge pump circuit 2 (see FIG. 1) to which this pulse signal is input, first the PMOS
A C-MOS inverter IV1 composed of the transistor Tr1 and the NMOS transistor Tr2, and a C-MOS inverter IV2 composed of the PMOS transistor Tr3 and the NMOS transistor Tr4 generate a signal of an opposite phase.
【0014】そして、インバータIV1の信号はコンデ
ンサC1,C3を介してバイポーラトランジスタTr
5,Tr7のベースに入力され、インバータIV1とは
逆相となるインバータIV2の信号はコンデンサC2,
C4を介してバイポーラトランジスタTr6,Tr8に
入力される。このように、逆相のパルス信号が4段のバ
イポーラトランジスタTr5〜Tr8に交互に入力され
るていることによって、電源線Vccの電圧は徐々に昇圧
されていく。The signal of the inverter IV1 is supplied to the bipolar transistor Tr via the capacitors C1 and C3.
5, the signal of the inverter IV2 which is input to the base of Tr7 and has a phase opposite to that of the inverter IV1 is the capacitor C2.
It is input to the bipolar transistors Tr6 and Tr8 via C4. As described above, the reverse phase pulse signals are alternately input to the four-stage bipolar transistors Tr5 to Tr8, whereby the voltage of the power supply line Vcc is gradually increased.
【0015】チャージポンプ回路2の出力部には、PM
OSトランジスタよりなる電源線切断用スイッチ6が接
続されているが、このスイッチ6は、コントロールゲー
ト3により制御され、通常時はオン状態になっている。
従って、チャージポンプ回路2によって昇圧される電圧
は、スイッチ6を介してNMOSトランジスタよりなる
負荷回路動作用スイッチ4のゲートに入力される。そし
て、チャージポンプ回路2の出力電圧が例えば12Vに
なった時点で、負荷回路動作用スイッチ4がオン状態と
なり、図示しない負荷回路の動作が可能となる。At the output of the charge pump circuit 2, PM
A power line disconnection switch 6 composed of an OS transistor is connected, but the switch 6 is controlled by the control gate 3 and is normally in an on state.
Therefore, the voltage boosted by the charge pump circuit 2 is input to the gate of the load circuit operating switch 4 including the NMOS transistor via the switch 6. Then, when the output voltage of the charge pump circuit 2 reaches, for example, 12 V, the load circuit operating switch 4 is turned on, and the load circuit (not shown) can operate.
【0016】負荷回路の動作を停止する場合には、リン
グ発振回路1を停止させると共に、コントロールゲート
3によってNPN型バイポーラトランジスタよりなる接
地用スイッチ5をオン状態にする。接地用スイッチ5は
コレクタがチャージポンプ回路2の出力部に、エミッタ
が接地部Vssに接続されており、コントロールゲート3
からベースに信号を入力することによりオン状態にする
とチャージポンプ回路2の出力部の電位が接地レベルと
なり、瞬時に負荷回路動作用スイッチ4が切断される。When the operation of the load circuit is stopped, the ring oscillation circuit 1 is stopped and the control gate 3 turns on the grounding switch 5 formed of an NPN bipolar transistor. The grounding switch 5 has a collector connected to the output part of the charge pump circuit 2 and an emitter connected to the grounding part Vss.
When the signal is input to the base to turn it on, the potential of the output portion of the charge pump circuit 2 becomes the ground level, and the load circuit operating switch 4 is instantly cut off.
【0017】尚、コントロールゲート3の信号は、通常
電源線切断用スイッチ6であるPMOSトランジスタを
オン状態にする“L”レベルであり、接地用スイッチ5
にも同様に“L”レベルが入力されている。従ってNP
N型バイポーラトランジスタよりなる接地用スイッチ5
をオン状態にする時にはコントロールゲート3の信号を
“H”レベルとする。The signal of the control gate 3 is normally at the "L" level for turning on the PMOS transistor which is the power supply line disconnecting switch 6, and the grounding switch 5
Similarly, the "L" level is input. Therefore NP
Ground switch 5 consisting of N-type bipolar transistor
When turning on, the signal of the control gate 3 is set to "H" level.
【0018】このように、コントロールゲート3より
“H”レベルの信号が出力されると、接地用スイッチ5
がオン状態になると共に、電源線切断用スイッチ6がオ
フ状態になる。従来技術でも説明したとおり、接地用ス
イッチ5がオン状態になると、電圧コンバータを構成す
るバイポーラトランジスタTr5〜Tr9のエミッタ−
ベース間が電源線Vccから接地部Vssに向かって順方向
になる。In this way, when the control gate 3 outputs an "H" level signal, the grounding switch 5
Is turned on and the power line disconnection switch 6 is turned off. As described in the related art, when the grounding switch 5 is turned on, the emitters of the bipolar transistors Tr5 to Tr9 forming the voltage converter are
The space between the bases is in the forward direction from the power supply line Vcc toward the ground portion Vss.
【0019】しかしながら本実施例によれば、接地用ス
イッチ5がオン状態になると、電源線切断用スイッチ6
がオフ状態になるため、電源線Vccから接地部Vssへの
電流通路が切断されることになり、消費電力増大の原因
となる貫通電流を防止することができる。本実施例で
は、電源線切断用スイッチ6としてPMOSトランジス
タを用いたが、NMOSトランジスタやNPN型バイポ
ーラトランジスタ等他のスイッチを用いることもでき
る。However, according to this embodiment, when the grounding switch 5 is turned on, the power line disconnecting switch 6 is turned on.
Is turned off, the current path from the power supply line Vcc to the ground portion Vss is cut off, so that a through current which causes an increase in power consumption can be prevented. In this embodiment, the PMOS transistor is used as the power line disconnection switch 6, but another switch such as an NMOS transistor or an NPN type bipolar transistor may be used.
【0020】但し、NMOSトランジスタやNPN型バ
イポーラトランジスタを用いる場合には、コントロール
ゲート3と電源線切断用スイッチとの間にインバータを
設けて、レベルを反転する必要がある。次に本発明の第
2実施例を図3の回路図を参照しながら説明する。本発
明の第1実施例では、コントロールゲート3の信号によ
り直接電源線切断用スイッチ6をオフにしていたが、チ
ャージポンプ回路2は、リング発振回路1が動作してい
る間は昇圧を続けており、電源線切断用スイッチ5が接
続されるチャージポンプ回路2の出力部はかなり高電圧
になっていることもある。However, when using an NMOS transistor or an NPN type bipolar transistor, it is necessary to provide an inverter between the control gate 3 and the power line disconnection switch to invert the level. Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the circuit diagram of FIG. In the first embodiment of the present invention, the power line disconnection switch 6 is turned off directly by the signal from the control gate 3, but the charge pump circuit 2 continues to boost the voltage while the ring oscillation circuit 1 is operating. Therefore, the output part of the charge pump circuit 2 to which the power line disconnection switch 5 is connected may have a considerably high voltage.
【0021】電源線切断用スイッチ6は、チャージポン
プ回路2の出力部の電圧とほぼ同様な電圧がゲートに加
わらないと動作しないため、高電圧の信号が必要になる
場合がある。そこで、図3に示すように、コントロール
ゲート3と電源線切断用スイッチ6との間にチャージポ
ンプ回路6を設ける。Since the power supply line disconnection switch 6 does not operate unless a voltage substantially similar to the voltage of the output portion of the charge pump circuit 2 is applied to the gate, a high voltage signal may be required. Therefore, as shown in FIG. 3, a charge pump circuit 6 is provided between the control gate 3 and the power line disconnection switch 6.
【0022】負荷回路動作用スイッチ4をオン状態とし
て図示しない負荷回路を動作させた後、負荷回路の動作
を停止させるためにリング発振回路1を停止させると共
に、コントロールゲート3の“H”レベルの信号により
接地用スイッチ5をオフ状態にするまでは第1実施例と
同様である。コントロールゲート3の信号は、接地用ス
イッチ5をオンにすると共に、チャージポンプ回路6に
より昇圧される。電源線切断用スイッチ6は、チャージ
ポンプ回路7によってコントロールゲート3からの信号
が所定の電圧まで昇圧された時点でオフ状態になって電
源線の切断がなされる。After the load circuit operating switch 4 is turned on and a load circuit (not shown) is operated, the ring oscillator circuit 1 is stopped to stop the operation of the load circuit, and the control gate 3 is set to the “H” level. It is the same as in the first embodiment until the grounding switch 5 is turned off by a signal. The signal from the control gate 3 is boosted by the charge pump circuit 6 while turning on the grounding switch 5. The power line disconnection switch 6 is turned off when the signal from the control gate 3 is boosted to a predetermined voltage by the charge pump circuit 7, and the power line is disconnected.
【0023】即ち、MOSトランジスタの特性上、チャ
ージポンプ回路2の出力部の電圧に対して+0.8V程
度の電圧が加わった時に動作を行うため、コントロール
ゲート3の信号がチャージポンプ回路7によって、この
電圧になった時に電源線切断用スイッチ6がオフ状態に
なり、電源線Vccから接地部Vssへの電流通路が切断さ
れる。That is, because of the characteristics of the MOS transistor, the operation is performed when a voltage of about +0.8 V is applied to the voltage of the output portion of the charge pump circuit 2. Therefore, the signal of the control gate 3 is generated by the charge pump circuit 7. When this voltage is reached, the power line disconnection switch 6 is turned off, and the current path from the power line Vcc to the ground portion Vss is disconnected.
【0024】尚、コントロールゲート3はMOSトラン
ジスタ用の信号を出力するものであるため、接地用スイ
ッチ5用のバッファ回路8を設けている。次に本発明の
第3実施例を図4の回路図を参照しながら説明する。本
実施例は、PMOSトランジスタを電圧コンバータを構
成するバイポーラトランジスタTr5〜Tr9の前段に
設けて電源線切断用スイッチ10としている。即ち、電
源線切断用スイッチ10をチャージポンプ回路9内に設
けるものである。Since the control gate 3 outputs a signal for the MOS transistor, a buffer circuit 8 for the grounding switch 5 is provided. Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the circuit diagram of FIG. In this embodiment, the PMOS transistor is provided in the preceding stage of the bipolar transistors Tr5 to Tr9 forming the voltage converter, and is used as the power line disconnection switch 10. That is, the power line disconnection switch 10 is provided in the charge pump circuit 9.
【0025】通常、コントロールゲート3からは“L”
レベルの信号出力され、この信号が電源線切断用スイッ
チ10及びバッファ回路8を介してNPN型トランジス
タよりなる接地用スイッチ5に入力さている。このた
め、PMOSトランジスタよりなる電源線切断用スイッ
チ10はオン状態、接地用スイッチ5はオフ状態とな
り、チャージポンプ回路9によって昇圧された電圧が負
荷回路動作用スイッチ4をオン状態として図示しない負
荷回路が動作している。Normally, "L" is output from the control gate 3.
A level signal is output, and this signal is input to the grounding switch 5 composed of an NPN transistor through the power line disconnecting switch 10 and the buffer circuit 8. Therefore, the power supply line disconnection switch 10 formed of the PMOS transistor is turned on, the grounding switch 5 is turned off, and the voltage boosted by the charge pump circuit 9 turns on the load circuit operation switch 4 and the load circuit (not shown). Is working.
【0026】負荷回路の動作を停止させる場合には、リ
ング発振回路1を停止させると共に、コントロールゲー
ト3より“H”レベルの信号を出力する。この“H”レ
ベルの信号によりバッファ回路8を介して接地用スイッ
チ5がオン状態になると共に、PMOSトランジスタか
らなる電源線切断用イッチ9がオフ状態になる。When the operation of the load circuit is stopped, the ring oscillation circuit 1 is stopped and the control gate 3 outputs an "H" level signal. This "H" level signal turns on the grounding switch 5 via the buffer circuit 8 and turns off the power line disconnecting switch 9 made of a PMOS transistor.
【0027】接地用スイッチ5がオン状態になれば、チ
ャージホンプ回路9の出力部の電圧は瞬時に接地レベル
となり、負荷回路動作用スイッチ4はオフ状態になり、
負荷回路の動作は停止する。また、電源線切断用スイッ
チ10がオフ状態になることで、電源線Vccと接地部V
ssとの間の電流通路を切断するたとができ、消費電力増
大の原因となる貫通電流を防止することができる。When the grounding switch 5 is turned on, the voltage at the output of the charge hoop circuit 9 instantly becomes the ground level, and the load circuit operating switch 4 is turned off.
The operation of the load circuit is stopped. Further, since the power line disconnection switch 10 is turned off, the power line Vcc and the ground V
It is possible to disconnect the current path from ss, and it is possible to prevent a shoot-through current that causes an increase in power consumption.
【0028】電源線切断スイッチ10は、電圧コンバー
タを構成するバイポーラトランジスタTr5〜Tr9の
前段に設けられているため、電源線Vccと同程度の電圧
によってオフ状態にすることができる。従って、チャー
ジポンプ回路等によってコントロールゲート3の信号を
昇圧する必要はなく、回路構成はより簡単なものにでき
る。Since the power supply line disconnection switch 10 is provided in the preceding stage of the bipolar transistors Tr5 to Tr9 forming the voltage converter, it can be turned off by a voltage similar to that of the power supply line Vcc. Therefore, it is not necessary to boost the signal of the control gate 3 by a charge pump circuit or the like, and the circuit configuration can be made simpler.
【0029】本実施例では、電源線切断用スイッチ9を
電圧コンバータを構成するバイポーラトランジスタTr
5〜Tr8の前段に設けたが、これらのトランジスタT
r5〜Tr8の間に介在するように設けることも可能で
ある。In the present embodiment, the power line disconnection switch 9 is used as a bipolar transistor Tr constituting a voltage converter.
These transistors T are provided in the preceding stages of 5 to Tr8.
It is also possible to provide it so as to intervene between r5 and Tr8.
【0030】[0030]
【効果】以上説明した本発明の電源線用スイッチ回路に
よれば、チャージポンプ回路により昇圧した電圧を接地
レベルに落とすと同時に、貫通電流を起こす電流通路を
切断することができる。このため、貫通電流の発生を防
止することができ、携帯用機器に使用する電源用スイッ
チ回路における消費電力の低減を実現することが可能と
なる。According to the above-described power supply line switch circuit of the present invention, the voltage boosted by the charge pump circuit can be dropped to the ground level and, at the same time, the current path causing the through current can be cut off. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of a shoot-through current, and it is possible to reduce the power consumption of the power supply switch circuit used in the portable device.
【図1】本発明の第1実施例を説明するための回路図で
ある。FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a first embodiment of the present invention.
【図2】リング発振動作を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a ring oscillation operation.
【図3】本発明の第2実施例を説明するための回路図で
ある。FIG. 3 is a circuit diagram for explaining a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3実施例を説明するための回路図で
ある。FIG. 4 is a circuit diagram for explaining a third embodiment of the present invention.
【図5】従来の技術を説明するための回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram for explaining a conventional technique.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 17/16 L 9184−5J ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H03K 17/16 L 9184-5J
Claims (5)
回路(1)、該リング発振回路(1)及び電源線(Vcc)
が接続され、前記リング発振回路(1)の動作によって
電源線(Vcc)の電圧を昇圧して所定の出力電圧を得るチ
ャージポンプ回路(2)、前記リング発振回路(1)の
動作停止に伴って前記チャージポンプ回路(2)の出力
部を接地部(Vss)に接続して接地レベルにするための
接地用スイッチ(5)、該スイッチ(5)を制御するコ
ントロールゲート(3)を有しており、前記電源線(Vc
c)と接地部(Vss)との間に前記コントロールゲート
(3)からの信号によって切断される電源線切断用スイ
ッチ(6)が設けられていることを特徴とする電源線用
スイッチ回路。1. A ring oscillator circuit (1) for outputting a predetermined pulse signal, the ring oscillator circuit (1) and a power supply line (Vcc).
Is connected to the charge pump circuit (2) for boosting the voltage of the power supply line (Vcc) by the operation of the ring oscillation circuit (1) to obtain a predetermined output voltage, and the operation of the ring oscillation circuit (1) is stopped. A grounding switch (5) for connecting the output part of the charge pump circuit (2) to a grounding part (Vss) to bring it to the ground level, and a control gate (3) for controlling the switch (5). The power supply line (Vc
A power line disconnecting switch (6), which is provided between c) and a ground portion (Vss) and is disconnected by a signal from the control gate (3).
記チャージポンプ回路(2)と前記負荷回路動作用スイ
ッチ(4)との間に設けられることを特徴とする請求項
1記載の電源線用スイッチ回路。2. The power supply according to claim 1, wherein the power line disconnection switch (6) is provided between the charge pump circuit (2) and the load circuit operation switch (4). Wire switch circuit.
記チャージポンプ回路(2)内の電圧コンバータを構成
する複数段のトランジスタの前段に設けられることを特
徴とする請求項1記載の電源線用スイッチ回路。3. The power supply according to claim 1, wherein the power line disconnection switch (6) is provided in front of a plurality of stages of transistors forming a voltage converter in the charge pump circuit (2). Wire switch circuit.
源線切断用スイッチ(6)との間にチャージポンプ回路
(7)を備えていることを特徴とする請求項2記載の電
源線用スイッチ回路。4. The power line switching circuit according to claim 2, further comprising a charge pump circuit (7) provided between the control gate (3) and the power line disconnecting switch (6). .
ランジスタ、前記電源線切断用スイッチ(6)をPMO
S型トランジスタとして、前記コントロールゲート
(3)の信号により、オンオフ状態が常に逆転している
ことを特徴とする請求項1乃至4記載の電源線用スイッ
チ回路。5. The grounding switch (5) is an NPN transistor, and the power line disconnection switch (6) is a PMO transistor.
5. The power line switch circuit according to claim 1, wherein the on-off state is always reversed by the signal of the control gate (3) as the S-type transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6103660A JPH07322605A (en) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | Switching circuit for power supply line |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6103660A JPH07322605A (en) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | Switching circuit for power supply line |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07322605A true JPH07322605A (en) | 1995-12-08 |
Family
ID=14359948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6103660A Withdrawn JPH07322605A (en) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | Switching circuit for power supply line |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07322605A (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11185361A (en) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Nec Corp | Output buffer circuit |
DE10003469A1 (en) * | 2000-01-27 | 2001-08-09 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement for generating switchable control potential higher than supply potential with restricted voltage applied to circuit components |
WO2002047243A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Sony Corporation | Source voltage conversion circuit and its control method, display, and portable terminal |
JP2002176764A (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Sony Corp | Power voltage conversion circuit and control method therefor, display device and portable terminal |
JP2003033006A (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Charge pump circuit |
WO2003034576A3 (en) * | 2001-10-19 | 2004-06-03 | Clare Micronix Integrated Syst | Method and system for charge pump active gate drive |
JP2006100350A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor integrated circuit |
US7079130B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-07-18 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Method for periodic element voltage sensing to control precharge |
US7079131B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-07-18 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Apparatus for periodic element voltage sensing to control precharge |
CN100444239C (en) * | 2000-12-06 | 2008-12-17 | 索尼公司 | Display apparatus and portable terminal |
JP2018078498A (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 富士電機株式会社 | Load drive circuit |
-
1994
- 1994-05-18 JP JP6103660A patent/JPH07322605A/en not_active Withdrawn
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11185361A (en) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Nec Corp | Output buffer circuit |
DE10003469A1 (en) * | 2000-01-27 | 2001-08-09 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement for generating switchable control potential higher than supply potential with restricted voltage applied to circuit components |
DE10003469B4 (en) * | 2000-01-27 | 2005-07-14 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement for generating a switchable drive potential |
CN100444239C (en) * | 2000-12-06 | 2008-12-17 | 索尼公司 | Display apparatus and portable terminal |
WO2002047243A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Sony Corporation | Source voltage conversion circuit and its control method, display, and portable terminal |
US7528828B2 (en) | 2000-12-06 | 2009-05-05 | Sony Corporation | Power supply voltage converting circuit, control method thereof, display apparatus, and portable terminal |
US7336273B2 (en) | 2000-12-06 | 2008-02-26 | Sony Corporation | Power supply voltage converting circuit, control method thereof, display apparatus, and portable terminal |
US7205989B2 (en) | 2000-12-06 | 2007-04-17 | Sony Corporation | Power supply voltage converting circuit control method thereof display apparatus and portable terminal |
US7148886B2 (en) | 2000-12-06 | 2006-12-12 | Sony Corporation | Power supply voltage converting circuit, control method thereof, display apparatus, and portable terminal |
JP4654509B2 (en) * | 2000-12-07 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | Power supply voltage conversion circuit, control method therefor, display device and portable terminal |
JP2002176764A (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Sony Corp | Power voltage conversion circuit and control method therefor, display device and portable terminal |
US7079130B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-07-18 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Method for periodic element voltage sensing to control precharge |
US7079131B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-07-18 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Apparatus for periodic element voltage sensing to control precharge |
JP2003033006A (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Charge pump circuit |
US6828850B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-12-07 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Method and system for charge pump active gate drive |
US7050024B2 (en) | 2001-10-19 | 2006-05-23 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Predictive control boost current method and apparatus |
US7126568B2 (en) | 2001-10-19 | 2006-10-24 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Method and system for precharging OLED/PLED displays with a precharge latency |
US7019720B2 (en) | 2001-10-19 | 2006-03-28 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Adaptive control boost current method and apparatus |
US7019719B2 (en) | 2001-10-19 | 2006-03-28 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Method and clamping apparatus for securing a minimum reference voltage in a video display boost regulator |
US6995737B2 (en) | 2001-10-19 | 2006-02-07 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Method and system for adjusting precharge for consistent exposure voltage |
US6943500B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-09-13 | Clare Micronix Integrated Systems, Inc. | Matrix element precharge voltage adjusting apparatus and method |
WO2003034576A3 (en) * | 2001-10-19 | 2004-06-03 | Clare Micronix Integrated Syst | Method and system for charge pump active gate drive |
JP2006100350A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor integrated circuit |
JP2018078498A (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 富士電機株式会社 | Load drive circuit |
CN108075752A (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 富士电机株式会社 | Load driving circuits |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5126590A (en) | High efficiency charge pump | |
JP4332450B2 (en) | High voltage generator | |
JPH07322605A (en) | Switching circuit for power supply line | |
JPH10312696A (en) | Boot strap charge pump circuit | |
US7466187B2 (en) | Booster circuit | |
JPH07183471A (en) | Voltage boosting circuit of a semiconductor memory | |
JP2806717B2 (en) | Charge pump circuit | |
WO2002017466A1 (en) | Cascadable high efficiency charge pump circuit and related methods | |
US6385065B1 (en) | Low voltage charge pump employing distributed charge boosting | |
TW200518471A (en) | Oscillation circuit | |
US20030146781A1 (en) | High speed voltage level shifter | |
US6794905B2 (en) | CMOS inverter | |
US5760497A (en) | Charge pump circuit with multiple boost stages | |
US7030684B2 (en) | High voltage switch circuit of semiconductor device | |
JP3024399B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP3422928B2 (en) | Charge pump drive circuit | |
EP0196616A2 (en) | Logic circuit | |
JPH10200382A (en) | Voltage controlled oscillator circuit for low voltage driving | |
US7221573B2 (en) | Voltage up converter | |
JP5057883B2 (en) | Charge pump circuit | |
KR940006072Y1 (en) | Back bias voltage generation circuit | |
JPH06253532A (en) | Booster circuit | |
JPH0974742A (en) | Switching power supply circuit | |
JPH08149799A (en) | Booster circuit and drive method therefor | |
JP2832435B2 (en) | Cascade connection oscillation circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |